一种低TCR值复合薄膜发热膜及其制备方法与应用

技术领域

本发明属于薄膜型发热膜技术领域，尤其涉及一种用于雾化组件的低电阻温度系数发热膜结构，并进一步公开其制备方法与应用。

背景技术

目前，新型电子雾化组件中多采用薄膜型发热膜代替传统的厚膜结构。薄膜型发热膜的优点是材料一致性较好，且由于不会填充于多孔基底发热面上的微孔中，不会影响烟油的传输速度，可以实现较高的雾化效率。多数的雾化组件产品均会选用低电阻温度系数的发热膜，使得从室温到雾化温度区间电阻变化较小，有效保证了雾化效率。

传统的具有低电阻温度系数(TCR)的发热膜产品一般采用合金材料实现其低电阻温度系数的要求，但是，由于合金材料的组分与电阻温度系数的关系比较复杂，很难实现在较大范围内调控电阻的温度系数。金属单质类材料虽然具有稳定的调控性能，但是，却无法兼顾发热膜尺寸和性能的要求。例如，面对具有较大尺寸要求的发热膜结构时，传统方法一般选用电阻率低于5E

尤其是，随着雾化产品的不断发展，具有较大长宽比值(通常指长宽比>5)的发热膜不断开发及应用。但是，研究显示，传统的基于低电阻率金属单质制备的薄膜发热膜在面对较大长宽比尺寸要求时，更难以获得低电阻温度系数的发热膜，产品的性能也更加难以保障，且随着长宽比值越大，产品难度也越大。可见，对于长宽比值较大(>5)的发热膜产品，如何兼顾产品尺寸要求、电阻温度系数及电阻率要求，并保障发热膜产品的应用性能，其面临的技术难度也更大，对技术人员提出了更大的挑战。

再者，常规组件在加热雾化时的工作温度约为300℃左右，干烧时的温度更高可达600℃，长期的雾化工作会导致发热膜的晶粒长大，进而导致其电阻温度系数有较大变化，进而影响了发热膜的性能稳定性。

因此，开发一种应用性能稳定的用于雾化组件的低电阻温度系数复合薄膜发热膜具有积极的意义。

发明内容

为此，本发明所要解决的技术问题在于提供一种可用于雾化组件的低电阻温度系数复合薄膜发热膜，所述发热膜具有电阻率低、电阻温度系数低的优势，且高温下电阻温度系数稳定，应用性能更优；

本发明所要解决的第二个技术问题在于提供上述可用于雾化组件的低电阻温度系数复合薄膜发热膜的制备方法与应用。

为解决上述技术问题，本发明所述的一种低TCR值复合薄膜发热膜，所述发热膜包括层叠设置的导电薄膜；

具体的，所述复合薄膜发热膜的TCR值为500-2800ppm/K；

各层所述导电薄膜由相同或不同的导电材料形成；

所述导电薄膜的层数为2-100层；

各层所述导电薄膜的厚度彼此独立的为1nm-800nm。

在本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜中，各层所述导电薄膜的厚度与所述发热膜的TCR值成正比。具体的，各层所述导电薄膜的厚度选择可以由TCR的要求决定，若要求最终复合薄膜发热膜TCR值较低，则每层的厚度为几纳米到几十纳米，若要求最终复合薄膜发热膜TCR值较高，则每层的厚度为几十纳米到几百纳米。

具体的，所述低TCR值复合薄膜发热膜，当所述复合薄膜发热膜的TCR值要求为500-1800ppm/K，各层所述导电薄膜的厚度彼此独立的为1nm-50nm；

具体的，所述低TCR值复合薄膜发热膜，当所述复合薄膜发热膜的TCR值要求为1800-2800ppm/K，各层所述导电薄膜的厚度彼此独立的为50nm-800nm。

具体的，所述的低TCR值复合薄膜发热膜，所述导电薄膜的层数可以从2层到100层，优选设置层数为2-50层。

具体的，本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜，所述导热膜的长宽比≥3：1。本发明所述低TCR值复合薄膜发热膜可以实现长宽比≥3：1的尺寸要求，同时也可以用于加工长宽比值要求更大的发热薄膜，例如长宽比>5、甚至达到长宽比≥18的发热膜的加工。

具体的，所述的低TCR值复合薄膜发热膜中，形成所述导电薄膜的导电材料包括金属单质、合金、导电无机非金属或导电有机材料中的一种或几种的混合物；

优选的，所述导电材料包括金属单质，优选电阻率<20E

更优选的，所述导电材料包括低电阻率金属单质，更优选为电阻率<3E

具体的，所述的低TCR值复合薄膜发热膜，所述发热膜包括交替层叠设置的导电薄膜A和导电薄膜B；即通过依次叠层导电薄膜A和导电薄膜B的方式形成复合薄膜发热膜。

优选的，所述的低TCR值复合薄膜发热膜，各层所述导电薄膜A的厚度相同，各层所述导电薄膜B的厚度相同。

所述导电薄膜A和导电薄膜B为由不同的所述导电材料形成的薄膜，或者，所述导电薄膜A和导电薄膜B为由相同的所述导电材料在不同工艺条件下形成的薄膜。

具体的，所述导电薄膜A和导电薄膜B可以是不同材料，也可以是相同材料但由不同工艺参数的沉积工艺下形成的可分层的薄膜。

具体的，所述的低TCR值复合薄膜发热膜，所述导电薄膜A和导电薄膜B中至少包括一种由金属单质形成的导电薄膜。

优选的，控制由非金属单质形成的所述导电薄膜的厚度小于或等于由金属单质形成的所述导电薄膜的厚度。

优选的，由金属单质形成的所述导电薄膜的厚度≤800nm。

具体的，所述的低TCR值复合薄膜发热膜，所述导电薄膜A和导电薄膜B分别为不同金属单质形成的导电薄膜，或者，所述导电薄膜A和导电薄膜B分别为相同金属单质在不同工艺下形成的导电薄膜。

本发明还公开了一种制备所述的低TCR值复合薄膜发热膜的方法，包括取选定的所述导热材料在发热体基底表面依次沉积成型得到所需厚度的各层导电薄膜的步骤，进而得到由层叠设置的所述导电薄膜形成的发热膜。

优选的，所述的低TCR值复合薄膜发热膜的制备方法中：

当所述导电薄膜A和导电薄膜B为相同导电材料时，控制所述导电薄膜A和导电薄膜B的沉积温度不同或者沉积气氛不同；

具体的，当所述导电薄膜A和导电薄膜B为相同材料，更优选为金属单质材料时，可通过在薄膜的沉积工艺中改变沉积温度，实现相同材料的多层结构。

具体的，当所述导电薄膜A和导电薄膜B为相同材料，更优选为金属单质材料时，可通过在薄膜的沉积工艺中改变沉积气氛(加入氧气或氮气)。例如，在制备所述薄膜A之后，将沉积气氛从纯氩气变为氩气和氮气的混合物，则再进行制备导电薄膜B时的材料就变成了导电薄膜A材料(金属单质)的氮化物，进而形成明显的分层。

具体的，当所述导电薄膜A和导电薄膜B为不同材料，可以在进行薄膜沉积工艺时，改变沉积气氛(加氧气或氮气)

具体的，当所述导电薄膜A和导电薄膜B为不同材料，例如，导电薄膜A为金属单质，导电薄膜B则可以为金属单质、或金属合金层、或具有导电性的无机非金属(如氮化钛，氮化钽，氧化铟锡)或有机物层(如石墨烯)，优选控制导电薄膜A的单层厚度为800nm或以下，薄膜B的厚度等于或小于薄膜A的单层厚度。

本发明还公开了所述的低TCR值复合薄膜发热膜用于制备雾化组件的用途。

本发明还公开了一种包含所述的低TCR值复合薄膜发热膜的雾化组件。

本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜，采用导电薄膜之间层叠设置的方式，基于薄膜材料的电阻温度系数与晶粒尺寸成正比，而纳米级别厚度的薄膜的晶粒尺寸与薄膜厚度成正比的关系，通过合理选择适合电阻率的导电材料形成适宜厚度的导电薄膜的方式，实现了降低发热膜的电阻温度系数的目的。本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜的电阻率<20E

本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜，采用导电薄膜A和导电薄膜B交替层叠设置的结构，并选择所述导电薄膜A和导电薄膜B中至少包括一种低电阻率的金属单质薄膜，选择性的叠加由金属单质、金属合金层、具有导电性的无机非金属或有机物层薄膜，可以同时实现低电阻率(5E-8Ω·m)和低TCR值(<2800ppm/K)的性能。尤其是，所述的低TCR值复合薄膜发热膜，可以保证发热膜的形状的长宽比超过5：1，有效解决了大尺寸(长宽比)发热膜无法兼顾低电阻温度系数的缺陷。利用此类高长宽比的发热膜可以实现加热雾化时的高热流密度，有利于达到好的雾化性状和口感。

本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜，采用的叠层的方式可以抑制加热雾化时的发热膜晶粒长大，其原理是叠层间的界面抑制了晶粒长大。所以可以减少加热雾化后由于晶粒长大造成的电阻温度系数变化，有效保障了高温下长期雾化工作的稳定性，有效解决了大尺寸(长宽比)发热膜无法兼顾低电阻温度系数的缺陷，尤其可以用于制备较大长宽比值尺寸的发热膜。实验证明，即便是长宽比值要求达到18：1的大尺寸发热膜，依然可以兼顾其低电阻温度系数的要求，并保障其应用性能。

附图说明

为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中，

图1为本发明通过叠层方式形成的复合薄膜发热膜的结构示意图；

图中附图标记表示为：1-导电薄膜A，2-导电薄膜B，3-发热体基底。

具体实施方式

本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜，是通过设置多层结构的导热薄膜进行层叠的方式，实现所述薄膜发热膜具有较低的TCR值，作为优选的发热膜产品，所述复合薄膜发热膜的TCR值预期达到500-2800ppm/K为宜。

本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜，具体包括层叠设置的导电薄膜，各层所述导电薄膜彼此独立的由相同或不同的导电材料形成，各层所述导电薄膜的设置，通过选择适宜的导电材料并结合导电薄膜的适宜厚度以及设置合理数量的导电薄膜的层数，进而获得预期TCR值的复合薄膜发热膜。

具体的，本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜，其TCR值为500-2800ppm/K，合适的所述导电薄膜的层数约为2-100层，更优选的可以选择设置层数为2-50层。

具体的，本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜，其TCR值为500-2800ppm/K，各层所述导电薄膜的厚度彼此独立的为1nm-800nm，并可以根据预期TCR值的差异，选择设置不同的厚度。

具体而言，在本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜中，各层所述导电薄膜的厚度与所述发热膜的TCR值成正比。具体的，各层所述导电薄膜的厚度选择可以由TCR的要求决定，若要求最终复合薄膜发热膜TCR值较低，则每层的厚度为几纳米到几十纳米，若要求最终复合薄膜发热膜TCR值较高，则每层的厚度为几十纳米到几百纳米。

作为可以实现的方式，本发明所述低TCR值复合薄膜发热膜，当所述复合薄膜发热膜的预期TCR值要求为500-1800ppm/K，各层所述导电薄膜的厚度彼此独立的选择为1nm-50nm，例如1-10nm、20-30nm等厚度值，均是可以实现的选择方式。

作为可以实现的方式，所述低TCR值复合薄膜发热膜，当所述复合薄膜发热膜的预期TCR值要求为1800-2800ppm/K，各层所述导电薄膜的厚度彼此独立的为50nm-800nm，例如80-100nm、100-200nm左右的厚度选择，均是可以实现的选择方式。

本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜，其中一个优势即是可以保证具有较高长径比尺寸的发热膜依然可以实现低TCR值，在本发明所述复合薄膜发热膜产品找，所述导热膜的长宽比可以达到≥3：1甚至更高的长径比例，即本发明所述低TCR值复合薄膜发热膜可以实现长宽比≥3：1的尺寸要求，同时也可以用于加工长宽比值要求更大的发热薄膜，例如长宽比≥5的产品，甚至可以通过调整各层导电薄膜的厚度及层数，进而获得长宽比≥18的发热膜，保障了发热膜的尺寸结构及低TCR值的平衡。

作为可以选择的导电材料，本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜中，形成所述导电薄膜的导电材料包括金属单质、合金、导电无机非金属或导电有机材料中的一种或几种的混合物。为了保障导电性能，优选所述导电材料为金属单质材料，并通过选择具有合适电阻率的金属单质材料，例如，优选电阻率<20E

本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜，其结构上包括层叠设置的多层导电薄膜，各层导电薄膜的设置参数可以相同或不同，或者部分相同。例如，不同导电薄膜之间，无论是所选的导电材料还是导电薄膜的厚度值，均可以相同或不同，也可以有部分层的导电薄膜选择相同的导电材料或者设置相同的厚度。

作为优选的结构，本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜，所述发热膜包括交替层叠设置的导电薄膜A和导电薄膜B；即通过依次叠层导电薄膜A和导电薄膜B的方式形成复合薄膜发热膜，其中，各层所述导电薄膜A之间所选的导电材料相同，厚度值则可以相同或不同或者部分相同，各层所述导电薄膜B之间所选的导电材料相同，厚度值则可以相同或不同或者部分相同。

作为优选的结构，所述的低TCR值复合薄膜发热膜，各层所述导电薄膜A之间不仅导电材料相同且厚度值设置也相同，各层所述导电薄膜B之间不仅导电材料相同且厚度值设置也相同。也就是说，作为优选的结构方式，本发明所述低TCR值复合薄膜发热膜，通过选择两种导电薄膜进行交互层叠设置的方式进行复合，得到所需薄膜发热膜。

而所述导电薄膜A和导电薄膜B之间，则可以选择为由不同的所述导电材料分别形成的薄膜，或者，也可以设置所述导电薄膜A和导电薄膜B为由相同的所述导电材料在不同工艺条件下形成的薄膜，当然二者的厚度值设置也可以相同或不同。也就是说，在所述发热膜的优选结构下，所述导电薄膜A和导电薄膜B可以是不同材料，也可以是相同材料但由不同工艺参数的沉积工艺下形成的可分层的薄膜。

在所述低TCR值复合薄膜发热膜中，考虑到导电材料的导电性能对发热膜性能的影响，优选设置所述导电薄膜A和导电薄膜B中至少包括一种由金属单质形成的导电薄膜，例如电阻率<20E

作为较好的结构方案，考虑到发热膜TCR值的要求，本发明所述的低TCR值复合薄膜发热膜，优选所述导电薄膜A和导电薄膜B均为由金属单质形成的导电薄膜，例如，所述导电薄膜A和导电薄膜B分别为不同金属单质形成的导电薄膜，或者，所述导电薄膜A和导电薄膜B分别为相同金属单质在不同工艺下形成的导电薄膜。

本发明所述低TCR值复合薄膜发热膜的重点在于选择合适的导电材料，通过设置合适的层数及各层导电薄膜的厚度形成复合的结构，而各层导电薄膜的形成方式则选自本领域常规方法即可。例如，本发明示例性的公开的制备所述的低TCR值复合薄膜发热膜的方法，包括取选定的所述导热材料在发热体基底表面依次沉积成型得到所需厚度的各层导电薄膜的步骤，进而得到由层叠设置的所述导电薄膜形成的发热膜。

优选的，所述的低TCR值复合薄膜发热膜的制备方法中，可以按照传统方法，根据选择的导电材料的性能选择合适的方法。例如，在本发明所述发热膜的优选结构中，当所述导电薄膜A和导电薄膜B为相同导电材料时，控制所述导电薄膜A和导电薄膜B的沉积温度不同或者沉积气氛不同；而当所述导电薄膜A和导电薄膜B为相同材料，更优选为金属单质材料时，则可通过在薄膜的沉积工艺中改变沉积温度，实现相同材料的多层结构。

作为可以实施的方式，在本发明所述发热膜的优选结构中，当所述导电薄膜A和导电薄膜B为相同材料，更优选为金属单质材料时，可通过在薄膜的沉积工艺中改变沉积气氛(加入氧气或氮气)。例如，在制备所述薄膜A之后，将沉积气氛从纯氩气变为氩气和氮气的混合物，则再进行制备导电薄膜B时的材料就变成了导电薄膜A材料(金属单质)的氮化物，进而形成明显的分层。

作为可以实施的方式，在本发明所述发热膜的优选结构中，当所述导电薄膜A和导电薄膜B为不同材料，可以在进行薄膜沉积工艺时，改变沉积气氛(加氧气或氮气)。例如，在制备所述薄膜A之后，将沉积气氛从纯氩气变为氩气和氮气的混合物，则再进行制备导电薄膜B时的材料就变成了导电薄膜A材料(金属单质)的氮化物，进而形成明显的分层。

具体的，当所述导电薄膜A和导电薄膜B为不同材料，例如，导电薄膜A为金属单质，导电薄膜B则可以为金属单质、或金属合金层、或具有导电性的无机非金属(如氮化钛，氮化钽，氧化铟锡)或有机物层(如石墨烯)，优选控制导电薄膜A的单层厚度为800nm或以下，薄膜B的厚度等于或小于薄膜A的单层厚度。

作为优选的结构，如图1所示的复合薄膜发热膜结构，本发明如下实施例所述薄膜发热膜是通过叠层方式形成的复合膜，所述发热膜包括在发热体基底3的表面依次层叠沉积的导电薄膜A1和导电薄膜B 2，所述导电薄膜A1和导电薄膜B 2依次交替层叠设置。

实施例1

如图1所示的复合薄膜发热膜结构，所述发热膜包括在发热体基底表面依次交替层叠沉积的导电薄膜A和导电薄膜B。本实施例所述复合薄膜发热膜的长宽比要求为18：1，属于较大长宽比例尺寸的发热膜产品。

本实施例中，为了实现较大长宽比要求下的薄膜发热膜，选择所述导电薄膜A和导电薄膜B均为金属单质铝沉积形成的铝膜，控制所述导电薄膜A和导电薄膜B的厚度均为700nm，其中，所述导电薄膜A为3层，所述导电薄膜B为2层，二者分别交替设置，即共计形成共有5层铝膜叠层的复合薄膜发热膜。

本实施例所述发热膜的制备方法通过改变沉积薄膜时温度实现低电阻率金属单质叠层。将所述发热体基底置于沉积区域进行金属单质铝的沉积，采用磁控溅射技术，具体参数：靶材功率密度3.5W/cm

经测试，本实施例制备的叠层的复合薄膜发热膜的电阻率为4.5E

实施例2

如图1所示的复合薄膜发热膜结构，所述发热膜包括在发热体基底表面依次交替层叠沉积的导电薄膜A和导电薄膜B。长宽比要求为18：1，属于较大长宽比例尺寸的发热膜产品。

本实施例中，为了实现较大长宽比要求下的薄膜发热膜，选择所述导电薄膜A和导电薄膜B均为金属单质铝沉积形成的铝膜，控制所述导电薄膜A和导电薄膜B的厚度均为175nm，其中，所述导电薄膜A为5层，所述导电薄膜B为5层，二者分别交替设置，即共计形成共有10层铝膜叠层的复合薄膜发热膜。

本实施例所述发热膜的制备方法通过改变沉积薄膜时温度实现低电阻率金属单质叠层。将所述发热体基底置于沉积区域进行金属单质铝的沉积，采用磁控溅射技术，具体参数：靶材功率密度3.5W/cm

经测试，本实施例制备的叠层的复合薄膜发热膜的电阻率为6.5E

实施例3

如图1所示的复合薄膜发热膜结构，所述发热膜包括在发热体基底表面依次交替层叠沉积的导电薄膜A和导电薄膜B。本实施例所述复合薄膜长宽比要求为18：1，属于较大长宽比例尺寸的发热膜产品。

本实施例中，为了实现较大长宽比要求下的薄膜发热膜，选择所述导电薄膜A为金属单质铝沉积形成的铝膜，所述导电薄膜B为金属单质铝在含氮气或氧气氛下沉积形成的氮或氧掺杂的铝膜，首先采用磁控溅射技术，具体参数：靶材功率密度3.5W/cm

经测试，本实施例制备的叠层的复合薄膜发热膜的电阻率约为4.8E

实施例4

如图1所示的复合薄膜发热膜结构，所述发热膜包括在发热体基底表面依次交替层叠沉积的导电薄膜A和导电薄膜B。本实施例所述复合薄膜发热膜的长宽比要求为18：1，属于较大长宽比例尺寸的发热膜产品。

本实施例中，为了实现较大长宽比要求下的薄膜发热膜，选择所述导电薄膜A为金属单质铝沉积形成的铝膜，所述导电薄膜B为不锈钢(SS316)膜，控制所述导电薄膜A的厚度为700nm，所述导电薄膜B的厚度<50nm，其中，所述导电薄膜A为5层，所述导电薄膜B为4层，二者分别交替设置，即每两层导电薄膜A之间设置一层导电薄膜B，共计形成共有9层导电薄膜层叠的复合薄膜发热膜。

本实施例所述发热膜采用了低电阻率金属单质与其他金属叠层的结构，将所述发热体基底置于沉积区域，采用磁控溅射使铝与不锈钢(SS316)叠层，铝膜工艺与实施例1一致，不锈钢膜沉积工艺：靶材功率密度4W/cm

经测试，本实施例制备的叠层的复合薄膜发热膜的电阻率为4E

实施例5

如图1所示的复合薄膜发热膜结构，所述发热膜包括在发热体基底表面依次交替层叠沉积的导电薄膜A和导电薄膜B。本实施例所述复合薄膜发热膜长宽比要求为18：1，属于较大长宽比例尺寸的发热膜产品。

本实施例中，为了实现较大长宽比要求下的薄膜发热膜，选择所述导电薄膜A为金属单质Ag沉积形成的银膜，所述导电薄膜B为不锈钢(SS316)膜，控制所述导电薄膜A的厚度为400nm，所述导电薄膜B的厚度100nm，其中，所述导电薄膜A为5层，所述导电薄膜B为4层，二者分别交替设置，即每两层导电薄膜A(银膜)之间设置一层导电薄膜B，共计形成共有9层导电薄膜层叠的复合薄膜发热膜。

本实施例所述发热膜采用了低电阻率金属单质与其他金属叠层的结构，将所述发热体基底置于沉积区域，采用磁控溅射使银与不锈钢(SS316)叠层，Ag膜沉积工艺：靶材功率密度3.5W/cm

经测试，本实施例制备的叠层的复合薄膜发热膜的电阻率为3E

实施例6

如图1所示的复合薄膜发热膜结构，所述发热膜包括在发热体基底表面依次交替层叠沉积的导电薄膜A和导电薄膜B。本实施例所述复合薄膜发热膜的长宽比为3：1。

本实施例中，所述导电薄膜A为金属单质钼沉积形成的钼膜，所述导电薄膜B为不锈钢(SS316)膜，控制所述导电薄膜A的厚度为200nm，所述导电薄膜B的厚度<50nm，其中，所述导电薄膜A为5层，所述导电薄膜B为4层，二者分别交替设置，即每两层导电薄膜A(钼膜)之间设置一层导电薄膜B，共计形成共有9层导电薄膜层叠的复合薄膜发热膜。

本实施例所述发热膜采用了低电阻率金属单质与其他金属叠层的结构，将所述发热体基底置于沉积区域，采用磁控溅射使钼与不锈钢(SS316)叠层，Mo膜沉积工艺：靶材功率密度4.5W/cm

经测试，本实施例制备的叠层的复合薄膜发热膜的电阻率为12E

实施例7

如图1所示的复合薄膜发热膜结构，所述发热膜包括在发热体基底表面依次交替层叠沉积的导电薄膜A和导电薄膜B。本实施例所述复合薄膜发热膜的长宽比要求为18：1，属于较大长宽比例尺寸的发热膜产品。

本实施例中，所述导电薄膜A为金属单质铜沉积形成的铜膜，所述导电薄膜B为TiN膜，控制所述导电薄膜A的厚度为500nm，所述导电薄膜B的厚度<50nm，其中，所述导电薄膜A为5层，所述导电薄膜B为4层，二者分别交替设置，即每两层导电薄膜A(Cu膜)之间设置一层导电薄膜B，共计形成共有9层导电薄膜层叠的复合薄膜发热膜。

本实施例所述发热膜采用了低电阻率金属单质与其他具有导电性的无机非金属叠层的结构，将所述发热体基底置于沉积区域，采用磁控溅射使铜与不锈钢(SS316)叠层，Cu膜沉积工艺：靶材功率密度3.5W/cm

经测试，本实施例制备的叠层的复合薄膜发热膜的电阻率为3.5E

对比例1

本对比例所述发热膜的尺寸与实施例1相同，其区别仅在于，所述发热膜按照现有技术传统方法直接进行金属铝膜的沉积，即在沉积区域内采用相同的沉积条件直接沉积得到厚度3500nm的单层铝膜。

经测试，本对比例制备的发热膜的电阻率为3E

对比例2

本对比例所述发热膜的尺寸与实施例5相同，其区别仅在于，所述发热膜按照现有技术传统方法直接进行金属Ag膜的沉积，即在沉积区域内采用相同的沉积条件直接沉积得到厚度2000nm的单层Ag膜。

经测试，本对比例制备的发热膜的电阻率为2E

对比例3

本对比例所述发热膜的尺寸与实施例6相同，其区别仅在于，所述发热膜按照现有技术传统方法直接进行金属钼膜的沉积，即在沉积区域内采用相同的沉积条件直接沉积得到厚度1000nm的单层钼膜。

经测试，本对比例制备的发热膜的电阻率为6E

对比例4

本对比例所述发热膜的尺寸与实施例7相同，其区别仅在于，所述发热膜按照现有技术传统方法直接进行金属铜膜的沉积，即在沉积区域内采用相同的沉积条件直接沉积得到厚度2500nm的单层铜膜。

经测试，本对比例制备的发热膜的电阻率为2.3E

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。