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一种专用半导体设备零部件清洗装置

文献发布时间:2023-06-19 19:18:24


一种专用半导体设备零部件清洗装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种专用半导体设备零部件清洗装置。

背景技术

随着半导体行业在我国日新月异的发展,国内对半导体设备零部件需求越来越大,但是进口半导体设备零件越来越难,从而使得国产半导体设备零部件快速崛起,发展迅猛;但是加工好的零部件洁净度需要符合半导体制程工艺的要求,由于不锈钢,铝零部件未经过此工艺清洗前,表面有金属离子和颗粒物,芯片厂对这两项有严格管控要求,未经清洗的产品不能上机使用,导致产品加工出来造成报废,浪费材料资源,更导致国内加工产品无法满足芯片厂使用要求,现有的清洗工艺对产品的清洗效果差,同时现有清洗工艺首先需要人工将要清洗的工件装在输送带上,输送系统自动按顺序将零件依次送往各工序段,进行多种工序的清洗,增加了清洗的时间,同时在进行多工艺清洗时,不同清洗工艺中的清洗液容易被产品带到一起出现混合,造成不同工艺中的清洗液出现混合,降低了清洗液的清洗效果。

发明内容

为了克服上述的技术问题,本发明的目的在于提供一种专用半导体设备零部件清洗装置,通过清洗装置中的水洗箱和多组处理箱对被清洗件依次进行清洗,从而减少多工序之间搬运移动的麻烦,提高清洗效率,同时通过在被清洗件经过一道工艺清洗后,旋转电机带动清洗箱内的被清洗件转动,将被清洗件上附着的清洗液和杂质甩出,避免被清洗件上附着的清洗液进入到下道工艺出现混合,同时避免杂质清洗出后再被清洗件内部堆积,提高清洗的方便性。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现:

一种专用半导体设备零部件清洗装置,包括底座,所述底座顶部中间固定连接有水洗箱,水洗箱用于对被清洗件进行纯水清洗,所述水洗箱外侧圆周阵列有多组处理箱,多组所述处理箱分别用于对被清洗件进行脱脂清洗、混酸清洗、酸液清洗、高压纯水清洗和热水清洗,所述底座顶部固定连接有支撑架,所述支撑架底部设置有用于运转被清洗件的转动架,所述转动架底部设置有用于对被清洗件进行放置的清洗箱,转动架一侧外壁固定连接有电动推杆,电动推杆输出端固定连接有固定块,固定块顶部固定连接有旋转电机,旋转电机输出端贯穿固定块并固定连接有升降气缸,升降气缸输出端固定连接有连接块,连接块底部固定连接有四组连接杆,连接杆底部固定连接有清洗箱。

作为本发明进一步的方案:所述底座底部固定连接有超声波换能器,超声波换能器用于对水洗箱和多组处理箱内清洗的被清洗件进行超声波清洗。

作为本发明进一步的方案:所述清洗箱外壁固定连接有两组环形座,所述环形座外壁转动连接有转动环,所述转动环与处理箱内壁相贴进行转动,多组所述处理箱内壁底部均固定连接有倾斜设置的斜板,便于处理箱内清洗沉淀的杂质进行聚集。

作为本发明进一步的方案:所述支撑架底部内壁开设有T型环槽,所述转动架一侧外壁固定连接有支撑杆,所述支撑杆顶部固定连接有T形块,所述T形块滑动在T型环槽内。

本发明的有益效果:

1、本发明中,通过清洗装置中的水洗箱和多组处理箱对被清洗件依次进行清洗,从而减少多工序之间搬运移动的麻烦,提高清洗效率;

2、本发明中,通过在被清洗件经过一道工艺清洗后,旋转电机带动清洗箱内的被清洗件转动,将被清洗件上附着的清洗液和杂质甩出,避免被清洗件上附着的清洗液进入到下道工艺出现混合,同时避免杂质清洗出后再被清洗件内部堆积,提高清洗的方便性;

3、本发明中,通过脱脂清洗、混酸清洗、酸液清洗、高压纯水清洗和热水清洗步骤对半导体被清洗件进行清洗,去除被清洗件表面的金属离子和颗粒物,从而提高被清洗件的质量,避免未清洗的产品导致产品加工出来不符合半导体设备使用的标准,浪费材料资源。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

图1是本发明中主视剖视结构示意图;

图2是本发明中底座俯视结构示意图;

图3是本发明中转动架立体结构示意图;

图4是本发明中清洗箱主视结构示意图;

图5是本发明中清洗箱立体结构示意图;

图6是本发明图1中A部分放大结构示意图;

图7是本发明工艺图。

图中:1、底座;101、支撑架;1011、T型环槽;2、水洗箱;3、处理箱;301、斜板;4、驱动电机;401、转动架;402、支撑杆;403、T形块;5、电动推杆;501、固定块;6、升降气缸;601、连接块;602、连接杆;7、清洗箱;701、环形座;702、转动环;8、旋转电机;9、超声波换能器。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例一:

如图1-图7所示,一种专用半导体设备零部件清洗装置,包括底座1,底座1顶部中间固定连接有水洗箱2,水洗箱2用于纯水清洗,水洗箱2外侧圆周阵列有多组处理箱3,多组处理箱3依次用于脱脂清洗、混酸清洗、酸液清洗、高纯水清洗和热水清洗,底座1顶部固定连接有支撑架101,支撑架101顶部固定连接有驱动电机4,驱动电机4输出端贯穿支撑架101并固定连接有转动架401,转动架401一侧外壁固定连接有电动推杆5,电动推杆5输出端固定连接有固定块501,固定块501顶部固定连接有旋转电机8,旋转电机8输出端贯穿固定块501并固定连接有升降气缸6,升降气缸6输出端固定连接有连接块601,连接块601底部固定连接有四组连接杆602,连接杆602底部固定连接有清洗箱7,底座1底部固定连接有超声波换能器9,超声波换能器9用于使水洗箱2和处理箱3内的清洗溶液进行超声波振荡,增加清洗效果,清洗箱7外壁固定连接有两组环形座701,环形座701外壁转动连接有转动环702,在旋转电机8带动清洗箱7在处理箱3内进行转动时,通过转动环702与处理箱3内壁相贴进行转动,提高清洗箱7转动的稳定性,多组处理箱3内壁底部均固定连接有倾斜设置的斜板301,通过斜板301的设置,便于处理箱3内清洗沉淀的杂质进行聚集,然后通过排水口排出,支撑架101底部内壁开设有T型环槽1011,转动架401一侧外壁固定连接有支撑杆402,支撑杆402顶部固定连接有T形块403,T形块403滑动在T型环槽1011内,在转动架401带动清洗箱7转动时,通过T形块403在T型环槽1011内转动,提高转动架401转动的稳定性。

如图1-图7所示,一种专用半导体设备零部件清洗装置的清洗工艺,包括以下步骤:

步骤一:脱脂清洗,将被清洗件放入到清洗装置中的清洗箱7中,然后将清洗箱7移动到用于脱脂清洗的处理箱3中,对被清洗件使用除油剂进行5min的脱脂清洗,清洗液中除油剂的含量为10%,脱脂清洗后进行纯水清洗;

步骤二:混酸清洗,脱脂清洗后的清洗箱7带动被清洗件移动到用于混酸清洗的处理箱3中,对被清洗件进行5s的酸蚀,混酸溶液中的使用含量为3%HF和20%HNO

步骤三:酸液清洗,混酸清洗后的清洗箱7带动被清洗件移动到用于酸液清洗的处理箱3中,对被清洗件进行2min的酸洗,酸液溶液的含量为20%HNO

步骤四:高压纯水清洗,酸液清洗后的清洗箱7带动被清洗件移动到用于高压喷洗的处理箱3中,进行1min的高压喷洗;

步骤五:热水清洗,高压喷洗后的清洗箱7带动被清洗件移动到用于热水清洗的处理箱3中,进行1min的热水洗;

步骤六:吹干烘干,将热水清洗后的被清洗件从清洗箱7中取出,然后使用风干机吹干,吹干后放入烘箱烘干,烘箱温度80℃,烘干时间20min;

步骤七:表面检测,烘干后的被清洗件通过表面微粒检测仪检验,检验要求为:颗粒物数量每平方厘米小于等于3个、颗粒物大于等于0.3um;

步骤八:真空包装,检验合格后的被清洗件通过双层PE袋真空进行包装,然后贴上产品标签。

实施例二:

如图1-图7所示,一种专用半导体设备零部件清洗装置的清洗工艺,包括以下步骤:

步骤一:脱脂清洗,将被清洗件放入到清洗装置中的清洗箱7中,然后将清洗箱7移动到用于脱脂清洗的处理箱3中,对被清洗件使用除油剂进行10min的脱脂清洗,清洗液中除油剂的含量为15%,脱脂清洗后进行纯水清洗;

步骤二:混酸清洗,脱脂清洗后的清洗箱7带动被清洗件移动到用于混酸清洗的处理箱3中,对被清洗件进行10s的酸蚀,混酸溶液中的使用含量为3%HF和20%HNO

步骤三:酸液清洗,混酸清洗后的清洗箱7带动被清洗件移动到用于酸液清洗的处理箱3中,对被清洗件进行4min的酸洗,酸液溶液的含量为20%HNO

步骤四:高压纯水清洗,酸液清洗后的清洗箱7带动被清洗件移动到用于高压喷洗的处理箱3中,进行2min的高压喷洗;

步骤五:热水清洗,高压喷洗后的清洗箱7带动被清洗件移动到用于热水清洗的处理箱3中,进行1min的热水洗;

步骤六:吹干烘干,将热水清洗后的被清洗件从清洗箱7中取出,然后使用风干机吹干,吹干后放入烘箱烘干,烘箱温度100℃,烘干时间30min,增加干燥程度;

步骤七:表面检测,烘干后的被清洗件通过表面微粒检测仪检验,检验要求为:颗粒物数量每平方厘米小于等于3个,颗粒物大于等于0.3um;

步骤八:真空包装,检验合格后的被清洗件通过双层PE袋真空进行包装,然后贴上产品标签。

实施例三:

如图1-图7所示,一种专用半导体设备零部件清洗装置的清洗工艺,包括以下步骤:

步骤一:脱脂清洗,将被清洗件放入到清洗装置中的清洗箱7中,然后将清洗箱7移动到用于脱脂清洗的处理箱3中,对被清洗件使用除油剂进行15min的脱脂清洗,清洗液中除油剂的含量为20%,脱脂清洗后进行纯水清洗;

步骤二:混酸清洗,脱脂清洗后的清洗箱7带动被清洗件移动到用于混酸清洗的处理箱3中,对被清洗件进行15s的酸蚀,混酸溶液中的使用含量为3%HF和20%HNO

步骤三:酸液清洗,混酸清洗后的清洗箱7带动被清洗件移动到用于酸液清洗的处理箱3中,对被清洗件进行6min的酸洗,酸液溶液的含量为30%HNO

步骤四:高压纯水清洗,酸液清洗后的清洗箱7带动被清洗件移动到用于高压喷洗的处理箱3中,进行3min的高压喷洗;

步骤五:热水清洗,高压喷洗后的清洗箱7带动被清洗件移动到用于热水清洗的处理箱3中,进行1min的热水洗;

步骤六:吹干烘干,将热水清洗后的被清洗件从清洗箱7中取出,然后使用风干机吹干,吹干后放入烘箱烘干,烘箱温度120℃,烘干时间40min,增加干燥程度;

步骤七:表面检测,烘干后的被清洗件通过表面微粒检测仪检验,检验要求为:颗粒物数量每平方厘米小于等于3个,颗粒物大于等于0.3um;

步骤八:真空包装,检验合格后的被清洗件通过双层PE袋真空进行包装,然后贴上产品标签。

本发明的工作原理:清洗装置使用时,通过将清洗件放入到清洗箱7内,然后启动升降气缸6,升降气缸6通过连接块601和连接杆602带动清洗箱7向下移动到一组处理箱3中,然后通过处理箱3内的溶液进行浸泡清洗,再启动旋转电机8,旋转电机8带动清洗箱7转动,使清洗箱7内的被清洗件进行转动清洗,提高对清洗箱7内零件清洗的效果,清洗完成后,启动升降气缸6带动清洗箱7向上移动,从溶液中移出,同时位于处理箱3内,然后启动旋转电机8,旋转电机8通过升降气缸6带动清洗箱7转动,清洗箱7转动将内部被清洗件外壁上残留的清洗液甩出到处理箱3内壁上,避免清洗液在被清洗件上残留,对后续工艺的清洗液造成污染,然后停止旋转电机8,启动升降气缸6带动清洗箱7从处理箱3内移出,再启动电动推杆5,电动推杆5输出端的固定块501带动清洗箱7移动到水洗箱2的上方,然后升降气缸6带动清洗箱7移动到水洗箱2内进行清洗,清洗后升降气缸6带动清洗箱7向上移动到清洗液顶部,然后启动旋转电机8带动清洗箱7转动,将水分甩出,水分甩出后再次启动升降气缸6带动清洗箱7从水洗箱2顶部移出,然后启动电动推杆5推动清洗箱7移动到处理箱3上方,启动驱动电机4,驱动电机4通过转动架401带动清洗箱7转动到另一组处理箱3顶部,然后升降气缸6带动清洗箱7向下移动进行清洗,清洗完成后重复上述操作,进行多道工序的清洗,在进行清洗时,启动超声波换能器9,在进行每一道工艺进行清洗时,使处理箱3内的溶液进行超声波振荡,提高对清洗件外壁油脂去除的效果。

以上对本发明的一个实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。

技术分类

06120115863341