一种高耐温聚酯薄膜及其制备方法
文献发布时间：2023-06-19 18:37:28
技术领域
本发明涉及一种高耐温聚酯薄膜及其制备方法，属于聚酯薄膜技术领域。
背景技术
聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)是由不同长度的高分子链段无规缠绕而成，具有较高的结构规整性，但是由于其分子链刚性大，玻璃化温度高，阻碍了其分子链的运动，所以PET只是一种半结晶性物质，经拉伸成膜后其结晶度并不高，通常仅能达到30％左右，造成薄膜制品的力学强度、刚性(尺寸稳定性)及耐温性较差。
为解决聚酯薄膜耐温性问题，通常采用在PET中加入一定量无机粒子充当成核剂，增加聚酯的结晶度，从而提高聚酯薄膜的耐温性能。但是无机粒子与PET基体的界面结合能力比较差，如果在熔融条件下直接把无机材料与PET混合并不容易在PET基体内分散均匀，容易发生团聚，影响薄膜整体光学性能，尤其是在ABA三层结构聚酯薄中，通常B层厚度占比达到70％以上，直接在B层中添加无机粒子将影响为薄膜的整体光学性能。此外为保证生产时聚酯薄膜表面与生产设备之间的爽滑需要在A层添加大量无机粒子，大量无机粒子对于A层聚酯的结晶速率和结晶度具有促进作用，同时ABA结构薄膜拉伸过程中热量是由一侧或两侧的A层向B层传导，结晶性能较好的A层受热更加充分，导致结晶度较高，AB层间较大的结晶度差异往往导致不同层间聚酯之间性能不平衡，此时聚酯薄膜往往是一种不稳定的状态，下游加工再次受热时，聚酯薄膜容易产生翘曲、不平等耐温性问题，影响产品使用。
发明内容
本发明为克服现有技术弊端，提供一种高耐温聚酯薄膜及其制备方法，制备的高耐温聚酯薄膜各层间结晶度高、结晶性能平衡，大大提高了聚酯薄膜的耐温性，提升了聚酯薄膜下游加工再次受热时的抗形变能力。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种高耐温聚酯薄膜，所述聚酯薄膜包括B层和位于B层两侧的A层，呈ABA叠加结构，所述B层包括2wt％-10wt％的成核母料和90wt％-98wt％纯净聚酯切片，所述A层包括10wt％-40wt％的结晶调节聚酯、50wt％-80wt％的抗粘连母料和10wt％-40wt％纯净聚酯切片，所述A层的结晶度与所述B层的结晶度满足以下关系：
30％≤Xc1≤38％且30％≤Xc2≤38％且-5％≤Xc1-Xc2≤5％，其中，Xc1：所述A层的结晶度，其中Xc2：所述B层的结晶度。
上述高耐温聚酯薄膜，所述B层中的成核母料由纯净聚酯切片和二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐通过双螺杆挤出机共混造粒制得的。
上述高耐温聚酯薄膜，所述成核母料由98.2wt％-99wt％的纯净聚酯切片和1wt％-1.8wt％的二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐组成。
上述高耐温聚酯薄膜，所述二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐为二环[2.2.1]庚烷二羧酸钠。
上述高耐温聚酯薄膜，所述A层中的结晶调节聚酯为含有30％有效含量1,4-环己烷二甲醇的PETG树脂。
上述高耐温聚酯薄膜，所述A层中的抗粘连母料由98.5wt％-99.7wt％的纯净聚酯切片和0.3wt％-1.5wt％的二氧化硅粒子组成。
上述高耐温聚酯薄膜，其特征在于：上述高耐温聚酯薄膜，所述B层与任意一侧A层厚度比例为(21-30)：1。
一种高耐温聚酯薄膜的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
步骤1：将纯净聚酯切片、二环[2.2.1]庚烷二羧钠按比例混合均匀后加入双螺杆挤出机中在240-260℃下造粒，得到成核母料。
步骤2：在挤出机I中按比例加入纯净聚酯切片、结晶调节聚酯、抗粘连母料进行熔融挤出；在挤出机II中按比例加入纯净聚酯切片、成核母料进行熔融挤出。
步骤3：将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、得到一种高耐温聚酯薄膜。
上述高耐温聚酯薄膜的制备方法，所述挤出机I的最高加工温度为230-270℃，挤出机II的最高加工温度为250-290℃。
本发明的有益效果是：
⑴本发明采用在B层中添加含有二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐的成核母料，提高了B层聚酯的结晶能力和结晶均匀度。
⑵本发明采用在B层中添加含有二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐的成核母料，对B层的透光率、雾度等影响较小，在保证良好结晶能力的同时也拥有优秀的光学性能。
⑶本发明采用在A层添加了含有1,4-环己烷二甲醇成分的结晶调节聚酯，可以降低A层的结晶速度和结晶度，减少聚酯薄膜A层与B层之间的结晶速度、结晶度的差异，使得薄膜整体结晶性能更加均匀。
⑷本发明大大提高了聚酯薄膜的耐温性，提升了聚酯薄膜下游加工再次受热时的抗形变能力。
具体实施方式
本发明提供的聚酯薄膜，包括B层(中间层)和位于B层两侧的A层(表层)。通过在B层添加含有二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐的成核母料来实现B层结晶速率、结晶度的提升，提高了B层中树脂再次受热时的耐温性能；在A层添加含有1,4-环己烷二甲醇成分的PETG树脂和抗粘连母料来同时实现A层较高的结晶速率、结晶度和优异的表面爽滑性能。B层和A层通过熔融多层共挤，在薄膜生产线上铸片，然后经纵拉、横拉、定型、收卷成膜。这种结构设计制成的聚酯薄膜整体结晶度较高，再次加工受热时耐温性好，同时也具备优秀的爽滑性能和光学性能，是常规聚酯薄膜无法实现的。
本发明中，所述B层由2wt％-10wt％的成核母料和90wt％-98wt％纯净聚酯切片组成，所述成核母料由98.2wt％-99wt％的纯净聚酯切片和1wt％-1.8wt％的二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐组成。
二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐作为一种有机成核剂，成核机理主要与其化学结构有关，在起到异相成核的同时，还起到化学成核作用。PET与二环[2.2.1]庚烷二羧酸钠在高温下挤出时会发生化学反应，生成PET-COONa物质，在带有离子端基的PET熔体之间会形成离子簇，离子簇将会成为成核剂，在熔体中起到了成核作用，使分子链规整排列快速结晶，从而不仅提高了成核能力还提高了晶核的生长速度。但是，当二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐添加过多时，反应过程中分子链会发生断裂，引起局部相对分子质量降低，从而引起聚酯发生降解，影响薄膜性能。
本发明中，所述的B层二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐的含量为B层重量的0.0002wt％～0.0018wt％，优选0.0010wt％～0.0015wt％。当二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐在聚酯薄膜B层中的含量小于0.0002wt％时,成核剂含量偏少，结晶效果不足，结晶速度较差，B层整体结晶度较低，不足以增加聚酯薄膜的耐温性；当二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐在聚酯薄膜B层中的含量大于0.0018wt％时，虽然B层结晶速度和结晶度提高，但是B层聚酯降解增多，粘度下降，不利于提升聚酯薄膜的耐温性。
本发明中，所述A层由10wt％-40wt％的结晶调节聚酯、50wt％-80wt％的抗粘连母料和10wt％-40wt％纯净聚酯切片组成，所述结晶调节聚酯为含有30％有效含量1,4-环己烷二甲醇的PETG树脂。
通常聚酯薄膜生产过程中，表层需要添加一定量的抗粘连母料来提高薄膜表面的爽滑度，避免与辊筒表面产生划伤。常用的抗粘连母料有效成分多为二氧化硅、碳酸钙、硫酸钡等无机粒子，当聚酯薄膜表层中存在大量的无机粒子时，无机粒子充当晶核，加速薄层聚酯的结晶速度，表层聚酯的结晶度就会过大，在拉伸过程中易出现撕裂现象。1,4-环己烷二甲醇是具有在环状结构上的1，4位对称取代的伯羟基团的二元醇，能够与乙二醇互溶，与对苯二甲酸酯化、聚合制得结晶调节聚酯，1,4-环己烷二甲醇具有更高的反应活性，可以在一定程度上破坏PET的结构规整性,降低聚酯的结晶能力，同时表层聚酯结晶度降低后聚酯分子链排列的紧密程度下降，分子间相互作用力减少，聚酯的断裂伸长和冲击韧性增加、抗撕裂能力提高。结晶调节聚酯中随着1,4-环己烷二甲醇比例的增加，其结晶性能变差，而玻璃化温度Tg有所提高，能够适当降低表层聚酯的结晶度，提高表层聚酯的抗撕裂能力，同时保证聚酯薄膜的耐热性能不下滑。
结晶调节聚酯在聚酯薄膜A层中的整体质量浓度为10wt％-40wt％。优选15wt％-30wt％，当结晶调节聚酯在聚酯薄膜A层中的整体浓度小于10wt％时,A层聚酯结晶速度、结晶度下降幅度较小，A和B层聚酯结晶度差异较大；当结晶调节聚酯在聚酯薄膜A层中的整体浓度大于40wt％时,A层聚酯降结晶速度、结晶度下降幅度过大，导致A层聚酯耐温性不足。
本发明中，所述A层的结晶度与所述B层的结晶度满足以下关系：
30％≤Xc1≤38％且30％≤Xc2≤38％且-5％≤Xc1-Xc2≤5％，其中Xc1：所述A层的结晶度，其中Xc2：所述B层的结晶度。
通常ABA结构薄膜拉伸过程中热量是由一侧或两侧的A层向B层传导，A层受热更加充分，加之A层中大量无机粒子，晶核数量多，导致A层的结晶度较高；B层受热程度较轻，加之A层中不添加或经添加少量无机粒子，晶核数量少，导致B层的结晶度较低，AB层间较大的结晶度差异往往导致不同层间聚酯之间性能不平衡。
本发明控制聚酯薄膜B层的结晶度与A层的结晶度差值为0-5％。当B层的结晶度与A层的结晶度差值大于5％时，B层聚酯与A层聚酯结晶速度、结晶度相差较大，薄膜结晶性能不均匀，聚酯薄膜下游加工再次受热时的稳定性较差，易发生形变现象。本发明通过B层添加成核母料与A层添加结晶调节聚酯，密切配合、相互平衡，使得B层的结晶度与A层的结晶度差值在0-5％范围内，最大限度增加聚酯薄膜整体结晶均匀性，提高聚酯薄膜再次加工受热时的耐温性。
本发明中，所述二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐优选为二环[2.2.1]庚烷二羧酸钠。
本发明中，所述结晶调节聚酯优选为含有30％有效含量1,4-环己烷二甲醇的PETG树脂。
本发明中，所述抗粘连母料由纯净聚酯切片和二氧化硅粒子组成。所述二氧化硅粒子的含量为抗粘连母料重量的0.3wt％-1.5wt％，优选0.3wt％-0.5wt％；所述二氧化硅粒子的平均粒径为1.0μm-3.5μm；具体二氧化硅粒子含量和粒径可以根据聚酯薄膜的不同的雾度、表面粗糙度需求而定。
本发明中，A层和B层中的纯净聚酯切片可以是不同聚酯，也可以是同一种聚酯，但所用聚酯均为二元酸和二元醇的聚合物，其中，二元酸可以是直链脂肪二酸，但主要是芳香族二酸，如对苯二甲酸、对苯二乙酸、对萘二甲酸等，优选对苯二甲酸和对萘二甲酸，更优选对苯二甲酸；二元醇主要是碳原子数是2～4的脂肪族二醇，如乙二醇、丙二醇、丁二醇等，优选乙二醇和丁二醇，更优选乙二醇。
本发明中，所述的B层与一侧A层厚度比例为(21-30)：1，优选(21-25)：1。
B层作为整个聚酯薄膜的主体部分，对聚酯薄膜整体结晶性能、耐温性起着决定性作用，所以当B层添加成核母料时，对聚酯薄膜提高耐温性贡献效果达到最佳，A层厚度是聚酯薄膜透光率、雾度和表面爽滑性能的保证，二者相辅相成。B层厚度太低，聚酯薄整体结晶度较低，透光率下降，雾度上升，耐热性下降；B层厚度太高，聚酯薄膜透光率上升，雾度下降，表面粒子凸起过多，爽滑性能下降。具体层间厚度比可以根据聚酯薄膜的不同的结晶度、耐热性、雾度、表面粗糙度需求而定。
本发明中，聚酯薄膜的厚度为30μm-250μm，优选36μm-100μm。
在本发明中，为了使二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐在聚酯薄膜B层中有更好地分散效果，可以将二环[2.2.1]庚烷二羧酸盐先预制成成核母料，方法如下：
按重量百分比，将98.2wt％-99wt％纯净聚酯切片与1wt％-1.8wt％的非极性树脂混合均匀，在双螺杆造粒机中进行熔融剪切混合，挤出造粒，制成成核母料。
本发明还提供一种所述高耐温聚酯薄膜的制备方法，该制备方法包括如下步骤：
步骤1：将纯净聚酯切片、二环[2.2.1]庚烷二羧钠按比例混合均匀后加入双螺杆挤出机中在240-260℃下造粒，得到成核母料。
步骤2：在挤出机I中按比例加入纯净聚酯切片、结晶调节聚酯、抗粘连母料进行熔融挤出；在挤出机II中按比例加入纯净聚酯切片、成核母料进行熔融挤出。
步骤3：将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、得到一种高耐温聚酯薄膜。
挤出机I的最高加工温度为230-270℃，挤出机II的最高加工温度为250-290℃。
按照上述方法制备得到的聚酯薄膜，具体测试方法如下:
结晶度：使用切片刀将聚酯薄膜样品的表层与B层分离，各取样5mg，采用差热扫描量热仪DSC Q2000并计算，计算公式为：结晶度＝DSC上熔融热×100％/纯净大有光聚酯的理论热焓(140J/g)。
耐温性：幅宽1260mm聚酯薄膜卷样，在15N/m的牵引张力下，以40m/min的速度通过32m长度、160℃环境温度的烘箱后，观察聚酯薄膜表面平整度，平整度好，聚酯薄膜的耐温性越好，○表示耐温性优秀；△表示耐温性一般；×表示耐温性较差。
为了便于理解本发明，下面将结合具体的实施例对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。
实施例1
将纯净聚酯切片、二环[2.2.1]庚烷二羧钠按比例混合均匀后加入双螺杆挤出机中在240-260℃下造粒，制得成核母料。
在挤出机I中按比例加入纯净聚酯切片、结晶调节聚酯、抗粘连母料，进行熔融挤出；在挤出机II中按比例加入纯净聚酯切片、成核母料，进行熔融挤出。挤出机I和挤出机II同步挤出，同步导入T模头。
在T型模头内，挤出机I的熔体被平均分配到挤出机II的熔体的两侧，按照A/B/A三层结构，将两组熔体进行层叠合流，流于表面温度为20℃的转动的铸片冷鼓上，获得层叠铸片。将层叠铸片膜在70-85℃下进行预热，并在红外加热条件下利用两辊转速不同进行快速纵向(长度方向)拉伸3.1-3.8倍，在30-60℃条件下逐步冷却，获得纵拉膜。用夹具夹住纵拉膜的两边将其送入横拉箱，经过90-115℃预热之后，在110-130℃条件下连续多次将纵拉膜沿横向(宽度方向)拉伸3.4-3.9倍，在210-240℃条件下热处理定型7-15s，逐步冷却后进行牵引收卷，最终得到B层的两侧叠有A层的高耐温聚酯薄膜。
本例中：
挤出机I的最高加工温度为270℃；
挤出机II的最高加工温度为290℃。
A层原料配比为，纯净聚酯切片：结晶调节聚酯：抗粘连母料＝30：10：60。
B层原料配比为，纯净聚酯切片：成核母料＝98：2。
其中，抗粘连母料：二氧化硅粒子含量为1.5％；成核母料：二环[2.2.1]庚烷二羧钠含量为1％。
将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、制得厚度为30μm的高耐温聚酯薄膜，其中B层与一侧A层厚度比例为21：1。
实施例2
与实施例1使用相同的设备和工艺流程。
本例中：
挤出机I的最高加工温度为260℃；
挤出机II的最高加工温度为280℃。
A层原料配比为，纯净聚酯切片：结晶调节聚酯：抗粘连母料＝20：20：60。
B层原料配比为，纯净聚酯切片：成核母料＝95：5。
其中，抗粘连母料：二氧化硅粒子含量0.6％。成核母料：二环[2.2.1]庚烷二羧钠含量1.5％。
将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、制得厚度为36μm的高耐温聚酯薄膜，其中B层与一侧A层厚度比例为23：1。
实施例3
与实施例1使用相同的设备和工艺流程。
本例中，
挤出机I的最高加工温度为260℃；
挤出机II的最高加工温度为280℃。
A层原料配比为，纯净聚酯切片：结晶调节聚酯：抗粘连母料＝5：15：80。
B层原料配比为，纯净聚酯切片：成核母料＝92：8。
其中，
抗粘连母料：二氧化硅粒子含量0.3％。
成核母料：二环[2.2.1]庚烷二羧钠含量1.6％。
将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、制得厚度为36μm的高耐温聚酯薄膜，其中B层与一侧A层厚度比例为21：1。
实施例4
与实施例1使用相同的设备和工艺流程。
本例中，
挤出机I的最高加工温度为260℃；
挤出机II的最高加工温度为280℃。
A层原料配比为，纯净聚酯切片：结晶调节聚酯：抗粘连母料＝30：20：50。
B层原料配比为，纯净聚酯切片：成核母料＝92：8。
其中，
抗粘连母料：二氧化硅粒子含量0.3％。
成核母料：二环[2.2.1]庚烷二羧钠含量1.5％。
将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、制得厚度为50μm的高耐温聚酯薄膜，其中B层与一侧A层厚度比例为21：1。
实施例5
与实施例1使用相同的设备和工艺流程。
本例中，
挤出机I的最高加工温度为240℃；
挤出机II的最高加工温度为280℃。
A层原料配比为，纯净聚酯切片：结晶调节聚酯：抗粘连母料＝10：30：60。
B层原料配比为，纯净聚酯切片：成核母料＝95：5。
其中，
抗粘连母料：二氧化硅粒子含量1.5％。
成核母料：二环[2.2.1]庚烷二羧钠含量1.5％。
将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、制得厚度为50μm的高耐温聚酯薄膜，其中B层与一侧A层厚度比例为25：1。
实施例6
与实施例1使用相同的设备和工艺流程。
本例中，
挤出机I的最高加工温度为250℃；
挤出机II的最高加工温度为280℃。
A层原料配比为，纯净聚酯切片：结晶调节聚酯：抗粘连母料＝30：20：50。
B层原料配比为，纯净聚酯切片：成核母料＝90：10。
其中，
抗粘连母料：二氧化硅粒子含量0.3％。
成核母料：二环[2.2.1]庚烷二羧钠含量1.6％。
将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、制得厚度为75μm的高耐温聚酯薄膜，其中B层与一侧A层厚度比例为25：1。
实施例7
与实施例1使用相同的设备和工艺流程。
本例中，
挤出机I的最高加工温度为230℃；
挤出机II的最高加工温度为250℃。
A层原料配比为，纯净聚酯切片：结晶调节聚酯：抗粘连母料＝10：40：50。
B层原料配比为，纯净聚酯切片：成核母料＝90：10。
其中，
抗粘连母料：二氧化硅粒子含量0.3％。
成核母料：二环[2.2.1]庚烷二羧钠含量1.8％。
将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、制得厚度为100μm的高耐温聚酯薄膜，其中B层与一侧A层厚度比例为25：1。
实施例8
与实施例1使用相同的设备和工艺流程。
本例中，
挤出机I的最高加工温度为260℃；
挤出机II的最高加工温度为250℃。
A层原料配比为，纯净聚酯切片：结晶调节聚酯：抗粘连母料＝20：30：50。
B层原料配比为，纯净聚酯切片：成核母料＝92：8。
其中，
抗粘连母料：二氧化硅粒子含量0.6％。
成核母料：二环[2.2.1]庚烷二羧钠含量1.2％。
将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、制得厚度为188μm的高耐温聚酯薄膜，其中B层与一侧A层厚度比例为30：1。
实施例9
与实施例1使用相同的设备和工艺流程。
本例中，
挤出机I的最高加工温度为260℃；
挤出机II的最高加工温度为280℃。
A层原料配比为，纯净聚酯切片：结晶调节聚酯：抗粘连母料＝40：10：50。
B层原料配比为，纯净聚酯切片：成核母料＝95：5。
其中，
抗粘连母料：二氧化硅粒子含量1.5％。
成核母料：二环[2.2.1]庚烷二羧钠含量1.5％。
将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、制得厚度为250μm的高耐温聚酯薄膜，其中B层与一侧A层厚度比例为30：1。
对比例1
与实施例1使用相同的设备和工艺流程。
本例中，挤出机I的最高加工温度为275℃；挤出机II的最高加工温度为295℃。
A层原料配比为，纯净聚酯切片：结晶调节聚酯：抗粘连母料＝50：0：50。
B层原料配比为，纯净聚酯切片：成核母料＝100：0。
其中，将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、制得厚度为30μm的高耐温聚酯薄膜，其中B层与一侧A层厚度比例为15：1。
对比例2
与实施例1使用相同的设备和工艺流程。
本例中，
挤出机I的最高加工温度为230℃；
挤出机II的最高加工温度为250℃。
A层原料配比为，纯净聚酯切片：结晶调节聚酯：抗粘连母料＝0：50：50。
B层原料配比为，纯净聚酯切片：成核母料＝90：10。
其中，
抗粘连母料：二氧化硅粒子含量0.3％。
成核母料：二环[2.2.1]庚烷二羧钠含量2.5％。
将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、制得厚度为100μm的高耐温聚酯薄膜，其中B层与一侧A层厚度比例为32：1。
对比例3
与实施例1使用相同的设备和工艺流程。
本例中，
挤出机I的最高加工温度为225℃；
挤出机II的最高加工温度为245℃。
A层原料配比为，纯净聚酯切片：结晶调节聚酯：抗粘连母料＝0：50：50。
B层原料配比为，纯净聚酯切片：成核母料＝99：1。
其中，
抗粘连母料：二氧化硅粒子含量0.3％。
成核母料：二环[2.2.1]庚烷二羧钠含量1％。
将挤出机I和挤出机II挤出的熔体送入ABA结构的三层模头一同流出，经铸片、纵拉、横拉、定型、收卷、制得厚度为100μm的高耐温聚酯薄膜，其中B层与一侧A层厚度比例为25：1。
表1：各实施例和对比例所得相关性能。
由上述表1实施例3、实施例4和实施例6与对比例1和对比例3可得知：本发明在A层添加结晶调节聚酯，在B层中添加成核母料，可以有效提升聚酯薄膜整体结晶度，聚酯薄膜再加工受热时的耐温性明显提高。
由上述表1实施例3、实施例4和实施例6与对比例2可得知：本发明A层与B层的结晶度差值较小，聚酯薄膜整体结晶均匀度较好，聚酯薄膜再加工受热时的耐温性明显提高。
在相同的设备和工艺流程下，本发明的耐温性明显优于普通聚酯薄膜。