触控基板及其制作方法

技术领域

本发明涉及触控技术领域，特别是涉及一种触控基板及其制作方法。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，触控显示面板已经广泛地被人们所接受及使用，如智能手机、平板电脑等均使用了触控显示面板。触控显示面板采用嵌入式触控技术将触控面板和显示面板结合为一体，并将触控面板功能嵌入到显示面板内，使得显示面板同时具备显示和感知触控输入的功能。

根据触控感测层在显示面板中的设置方式不同，触控显示面板分为外挂式(AddonMode)、内嵌式(In-cell)和外嵌式(On-cell)等结构。内嵌式触摸屏将触控功能整合于显示屏内，因而能够有效的减少整个显示器的厚度并简化生产工艺，使得产品更加轻薄，生产成本更低。而外嵌式触摸屏为在液晶显示面板上直接配置触控面板，相比In-Cell技术难度降低不少，应用广泛，是目前液晶显示装置中的主流触控技术之一。

触控显示面板一般具有显示区和非显示区，触控范围与显示区相同或略大于显示区的范围，触控范围内设置触控线接收触控信息，非触控范围则设有周边引线、引脚等用于连接触控线和触控电路板。因为这些金属线(触控线、周边引线、引脚等)分布在整个触控面板的表面，人眼可看到金属线反光的现象，尤其周边走线较密集，反光现象更为剧烈，大大降低了外嵌式触摸屏的显示效果。

目前解决金属线反光问题的方法是通过在金属线上设置一层抗反射层，为了提高制程工艺的效率，通常是将金属层和抗反射层采用一道蚀刻工艺同时进行蚀刻，但是蚀刻液对金属层的蚀刻速率较快，容易出现底切(undercut)的问题，导致金属线的线宽较小，增加阻抗。

发明内容

为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种触控基板及其制作方法，以解决现有技术中在对金属层和抗反射层进行蚀刻时容易出现底切的问题。

本发明的目的通过下述技术方案实现：

本发明提供一种触控基板的制作方法，包括：

提供透明衬底；

在所述透明衬底上依次形成整面的第一金属层和第一抗反射层；

先对所述第一金属层和所述第一抗反射层一同进行湿蚀刻处理，再对所述第一抗反射层进行干蚀刻处理，使所述第一金属层形成图案化的第一触控信号线、第一周边引线和第一引脚，所述第一周边引线连接在所述第一触控信号线与所述第一引脚之间，所述第一抗反射层的图案与所述第一金属层的图案相对应并遮盖住所述第一金属层。

本申请还提供一种触控基板的制作方法，包括：

提供透明衬底；

在所述透明衬底上形成整面的第一金属层，先对所述第一金属层进行蚀刻，使所述第一金属层形成图案化的第一触控信号线、第一周边引线和第一引脚，所述第一周边引线连接在所述第一触控信号线与所述第一引脚之间；

再在所述透明衬底上形成覆盖所述第一金属层的第一抗反射层，并对所述第一抗反射层进行蚀刻，使所述第一抗反射层的图案与所述第一金属层的图案相对应并遮盖住所述第一金属层。

进一步地，所述第一抗反射层包裹住所述第一触控信号线、所述第一周边引线以及所述第一引脚的顶面和侧面。

进一步地，所述制作方法包括：

在所述透明衬底上形成覆盖所述第一抗反射层的第一防腐保护层，所述第一防腐保护层的图案与所述第一抗反射层的图案相对应并遮盖住所述第一抗反射层。

进一步地，所述制作方法包括：

在所述透明衬底上形成覆盖所述第一抗反射层的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上依次形成整面的第二金属层和第二抗反射层；

先对所述第二金属层和所述第二抗反射层一同进行湿蚀刻处理，再对所述第二抗反射层进行干蚀刻处理，使所述第二金属层形成图案化的第二触控信号线、第二周边引线和第二引脚，所述第二周边引线连接在所述第二触控信号线与所述第二引脚之间，所述第二抗反射层的图案与所述第二金属层的图案相对应并遮盖住所述第二金属层。

进一步地，所述制作方法包括：

在所述第一绝缘层上形成覆盖所述第二抗反射层的第二防腐保护层，所述第二防腐保护层的图案与所述第二抗反射层的图案相对应并遮盖住所述第二抗反射层。

进一步地，所述制作方法包括：

在所述透明衬底上形成覆盖所述第一抗反射层的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成整面的第二金属层，先对所述第二金属层进行蚀刻，使所述第二金属层形成图案化的第二触控信号线、第二周边引线和第二引脚，所述第二周边引线连接在所述第二触控信号线与所述第二引脚之间；

再在所述第一绝缘层上形成覆盖所述第二金属层的第二抗反射层，并对所述第二抗反射层进行蚀刻，使所述第二抗反射层的图案与所述第二金属层的图案相对应并遮盖住所述第二金属层。

进一步地，所述制作方法包括：

在所述第一绝缘层上形成覆盖所述第二抗反射层的第二防腐保护层，所述第二防腐保护层的图案与所述第二抗反射层的图案相对应并遮盖住所述第二抗反射层。

进一步地，所述第二抗反射层包裹住所述第二触控信号线、所述第二周边引线和所述第二引脚的顶面和侧面。

本申请还提供一种触控基板，采用如上所述的制作方法制作而成。

本发明有益效果在于：通过先对第一金属层和第一抗反射层一同进行湿蚀刻处理，再对第一抗反射层进行干蚀刻处理，从而去除第一抗反射层侧面上因湿蚀刻形成的尖角，消除第一抗反射层出现的底切现象，而且还可以避免第一金属层出现反光的问题，使整个触控基板的表面基本不存在人眼可见的金属线，提升了显示效果。

附图说明

图1是本发明第一实施例中的触控显示装置的结构示意图。

图2是本发明第一实施例中的第一金属层的平面结构示意图。

图3是本发明第一实施例中的第一抗反射层和第一金属层的平面结构示意图。

图4a至图4h是本发明第一实施例中的触控面板的制作过程的结构示意图。

图5是本发明第一实施例中第一金属层和第一抗反射层对应图4c步骤的结构示意图。

图6是本发明第一实施例中第一金属层和第一抗反射层对应图4d步骤的结构示意图。

图7a至图7g是本发明第二实施例中的触控面板的制作过程的结构示意图。

图8a至图8h是本发明第三实施例中的触控面板的制作过程的结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的触控基板及其制作方法的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下：

[实施例一]

图1是本发明第一实施例中的触控显示装置的结构示意图。图2是本发明第一实施例中的第一金属层的平面结构示意图。图3是本发明第一实施例中的第一抗反射层和第一金属层的平面结构示意图。如图1至图3所示，本发明实施例一提供的一种触控基板，包括：

透明衬底10。透明衬底10可以由玻璃、石英、硅、丙烯酸或聚碳酸酯等材料制成。

设置透明衬底10上的第一金属层11，第一金属层11包括图案化的第一触控信号线111、第一周边引线112和第一引脚113，第一周边引线112连接在第一触控信号线111与第一引脚113之间。其中，第一金属层11可以采用金属例如铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)、镍(Ni)等，或者采用上述金属的组合例如Al/Mo、Cu/Mo等。第一引脚113的数量为多个，并排设置在透明衬底10的一侧。

设置在第一金属层11上的第一抗反射层12，第一抗反射层12的图案与第一金属层11的图案相对应并遮盖住第一金属层11。第一抗反射层12由黑色金属氧化物材料制成，例如第一遮光层12为氧化钼(MoOx)。可以有效吸收外界环境光入射和面板内部的散射光，避免了第一金属层11中的金属线反光的现象。

在透明衬底10上形成覆盖第一抗反射层12的第一绝缘层13，第一绝缘层13的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或二者的组合，当然，第一绝缘层13的材料也可以为OC材料。

本实施例中，触控基板为互容式触控基板。因此，触控基板还包括设置在第一绝缘层13上的第二金属层14，第二金属层14包括图案化的第二触控信号线141、第二周边引线142和第二引脚143，第二周边引线142连接在第二触控信号线141与第二引脚143之间。第一触控信号线111和第二触控信号线141的延伸方向相互垂直，第一触控信号线111和第二触控信号线141均为网格状结构的电极，从而可以提升光线透过的均匀性，相邻两条第一触控信号线111之间的网格状结构相互断开(图未示)，相邻两条第二触控信号线141之间的网格状结构相互断开(图未示)。其中，第二金属层14可以采用金属例如铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)、镍(Ni)等，或者采用上述金属的组合例如Al/Mo、Cu/Mo等。第二引脚143的数量为多个，并排设置在透明衬底10的一侧。当然，在其他实施例中，触控基板也可以为自容式触控基板，因此，无需制作第二金属层14。

设置在第二金属层14上的第二抗反射层15，第二抗反射层15的图案与第二金属层14的图案相对应并遮盖住第二金属层14。第二抗反射层15由黑色金属氧化物材料制成，例如第二抗反射层15为氧化钼(MoOx)。第二遮光层15可以有效吸收外界环境光入射和面板内部的散射光，避免了第二金属层14中的金属线反光的现象。

在第一绝缘层13上形成覆盖第二抗反射层15的第二绝缘层16，第二绝缘层16的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或二者的组合，当然，第二绝缘层16的材料也可以为OC材料。

如图1所示，本申请还提供一种触控显示装置，包括彩膜基板20、与彩膜基板20相对设置的阵列基板40以及位于彩膜基板20与阵列基板40之间的液晶层30，彩膜基板20远离液晶层30的一侧设有如上所述的触控基板。触控基板远离彩膜基板20的一侧设有上偏光片51，阵列基板40上设有下偏光片52，上偏光片51的透光轴与下偏光片52的透光轴相互垂直。其中，液晶层30中的液晶分子采用正性液晶分子(介电各向异性为正的液晶分子)，在初始状态时，正性液晶分子处于平躺姿态，靠近彩膜基板20的正性液晶分子的配向方向与靠近阵列基板40的正性液晶分子的配向方向相平行。可以理解地是，阵列基板40和彩膜基板20在朝向液晶层30的一层还设有配向层，从而对液晶层30中的正性液晶分子进行配向。

彩膜基板20上设有呈阵列排布的色阻层22以及将色阻层22间隔开的黑矩阵21，色阻层22包括红(R)、绿(G)、蓝(B)三色的色阻材料，并对应形成红(R)、绿(G)、蓝(B)三色的子像素单元。

阵列基板40朝向液晶层30的一侧设有像素电极42和公共电极41，公共电极41与像素电极42位于不同层并通过绝缘层绝缘隔离。图1中所示为公共电极41位于像素电极42的下方，公共电极41为整面设置的面状电极，像素电极42为在每个像素单元内整块设置的具有多个电极条的狭缝电极，以形成边缘场开关模式(Fringe Field Switching，FFS)。当然，公共电极41也可位于像素电极42的上方，像素电极42为在每个像素单元内整块设置的块状电极，公共电极41为具有多个电极条的狭缝电极，以形成另一种边缘场开关模式(FringeField Switching，FFS)。在其他实施例中，像素电极42与公共电极41可位于同一层，但是两者相互绝缘隔离开，像素电极42和公共电极41各自均可包括多个电极条，像素电极42的电极条和公共电极41的电极条相互交替排列，以形成面内切换模式(In-Plane Switching，IPS)；或者，在其他实施例中，阵列基板在朝向液晶层30的一侧设有像素电极42，彩膜基板20在朝向液晶层30的一侧设有公共电极41，以形成TN模式或VA模式。

显示装置还包括背光模组60，背光模组60位于阵列基板40的下方，用于给整个显示装置提供背光源。

图4a至图4h是本发明第一实施例中的触控面板的制作过程的结构示意图。如图4a至图4h所示，本发明实施例一还提供一种触控基板的制作方法，用于制作如上所述的触控基板。该制作方法包括：

提供透明衬底10。透明衬底10可以由玻璃、石英、硅、丙烯酸或聚碳酸酯等材料制成。

如图4a所示，在透明衬底10上依次形成整面的第一金属层11和第一抗反射层12。第一金属层11可以采用金属例如铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)、镍(Ni)等，或者采用上述金属的组合例如Al/Mo、Cu/Mo等。第一抗反射层12由黑色金属氧化物材料制成，例如第一遮光层12为氧化钼(MoOx)。

如图4b所示，在第一抗反射层12上形成光阻层2，采用掩膜版1为遮挡对光阻层2的进行图案化处理(曝光、显影)。

如图4c和4d所示，以图案化的光阻层2为遮挡，先对第一金属层11和第一抗反射层12一同进行湿蚀刻(WET)处理，再对第一抗反射层12进行干蚀刻(DET)处理，使第一金属层11形成图案化的第一触控信号线111、第一周边引线112和第一引脚113，第一周边引线112连接在第一触控信号线111与第一引脚113之间，第一抗反射层12的图案与第一金属层11的图案相对应并遮盖住第一金属层11。其中，干蚀刻的刻蚀气体为Cl2、SF6和O2中的至少两种混合气体。

图5是本发明第一实施例中第一金属层和第一抗反射层对应图4c步骤的结构示意图。图6是本发明第一实施例中第一金属层和第一抗反射层对应图4d步骤的结构示意图。如图5所示，在对第一金属层11和第一抗反射层12一同进行湿蚀刻处理时，由于对第一金属层11和第一抗反射层12的蚀刻速率不同，第一金属层11的蚀刻速率为

如图4e所示，对第一抗反射层12进行干蚀刻处理完成后，剥离掉光阻层2。

如图4f所示，在透明衬底10上形成覆盖第一抗反射层12的第一绝缘层13。第一绝缘层13的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或二者的组合，当然，第一绝缘层13的材料也可以为OC材料。

如图4g所示，在第一绝缘层13上依次形成整面的第二金属层14和第二抗反射层15。采用与第一金属层11和第一抗反射层12同样的工艺对第二金属层14和第二抗反射层15进行蚀刻处理，例如，在第二抗反射层15上形成图案化的光阻层2，以图案化的光阻层2为遮挡，先对第二金属层14和第二抗反射层15一同进行湿蚀刻处理，再对第二抗反射层15进行干蚀刻处理。使第二金属层14形成图案化的第二触控信号线141、第二周边引线142和第二引脚143，第二周边引线142连接在第二触控信号线141与第二引脚143之间，第二抗反射层15的图案与第二金属层14的图案相对应并遮盖住第二金属层14。当然，在其他实施例中，也可以在第一绝缘层13上形成整面的第二金属层14，并对第二金属层14进行蚀刻。在对第二金属层14蚀刻完成后，再在第一绝缘层13上形成覆盖第二金属层14的第二抗反射层15，并对第二抗反射层15进行蚀刻，使第二抗反射层15的图案与第二金属层14的图案相对应并遮盖住第二金属层14。

如图4h所示，在第一绝缘层13上形成覆盖第二抗反射层15的第二绝缘层16，第二绝缘层16的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或二者的组合，当然，第二绝缘层16的材料也可以为OC材料。

[实施例二]

图7a至图7g是本发明第二实施例中的触控面板的制作过程的结构示意图。如图7a至图7g所示，本发明实施例二提供的触控基板及其制作方法与实施例一(图1至图6)中的触控基板及其制作方法基本相同，不同之处在于，在本实施例中：

本实施例中的触控基板的制作方法，包括：

提供透明衬底10。透明衬底10可以由玻璃、石英、硅、丙烯酸或聚碳酸酯等材料制成。

如图7a所示，在透明衬底10上形成整面的第一金属层11。其中，第一金属层11可以采用金属例如铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)、镍(Ni)等，或者采用上述金属的组合例如Al/Mo、Cu/Mo等。

如图7b和7c所示，在第一金属层11上形成光阻层2，采用掩膜版为遮挡对光阻层2的进行图案化处理(曝光、显影)。以图案化的光阻层2为遮挡，先对第一金属层11进行蚀刻，使第一金属层11形成图案化的第一触控信号线111、第一周边引线112和第一引脚113，第一周边引线112连接在第一触控信号线111与第一引脚113之间。然后剥离掉光阻层2。

如图7d和7e所示，再在透明衬底10上形成覆盖第一金属层11的第一抗反射层12，采用掩膜工艺(包括上光阻、曝光、显影、蚀刻以及去光阻)对第一抗反射层12进行蚀刻，使第一抗反射层12的图案与第一金属层11的图案相对应并遮盖住第一金属层11。其中，第一抗反射层12由黑色金属氧化物材料制成，例如第一遮光层12为氧化钼(MoOx)。

进一步地，第一抗反射层12包裹住第一触控信号线111、第一周边引线112以及第一引脚113的顶面和侧面，从而使得第一抗反射层12可以对第一金属层11中的电极起到保护作用。

如图7f所示，在透明衬底10上形成覆盖第一抗反射层12的第一绝缘层13。第一绝缘层13的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或二者的组合。

如图7g所示，在第一绝缘层13上形成整面的第二金属层14，采用掩膜工艺先对第二金属层14进行蚀刻，使第二金属层14形成图案化的第二触控信号线141、第二周边引线142以及第二引脚143，第二周边引线142连接在第二触控信号线141与第二引脚143之间。在对第二金属层14蚀刻完成后，再在第一绝缘层13上形成覆盖第二金属层14的第二抗反射层15，并采用掩膜工艺对第二抗反射层15进行蚀刻，使第二抗反射层15的图案与第二金属层14的图案相对应并遮盖住第二金属层14。优选地，第二抗反射层15包裹住第二触控信号线141、第二周边引线142以及第二引脚143的顶面和侧面，从而使得第一抗反射层12可以对第一金属层11中的电极起到保护作用。当然，在其他实施例中，也可以在第一绝缘层13上依次形成整面的第二金属层14和第二抗反射层15，先对第二金属层14和第二抗反射层15一同进行湿蚀刻处理，再对第二抗反射层15进行干蚀刻处理，使第二抗反射层15的图案与第二金属层14的图案相对应并遮盖住第二金属层14。

本实施例中，通过分别采用掩膜工艺对第一金属层11、第一抗反射层12、第二金属层14、第二抗反射层15进行蚀刻，从而避免出现底切(undercut)的问题，而且第一抗反射层12可以完全包裹住第一金属层11中的电极，第二抗反射层15可以完全包裹住第二金属层14中的电极，对第一金属层11和第二金属层14中的电极起到很好的保证作用。

本领域的技术人员应当理解的是，本实施例的其余结构以及工作原理均与实施例一相同，这里不再赘述。

[实施例三]

图8a至图8h是本发明第三实施例中的触控面板的制作过程的结构示意图。如图8a至图8h所示，本发明实施例三提供的触控基板及其制作方法与实施例一(图1至图6)、实施例二(图7a至图7g)中的触控基板及其制作方法基本相同，不同之处在于，在本实施例中：

在透明衬底10上形成覆盖第一抗反射层12的第一防腐保护层17，第一防腐保护层17的图案与第一抗反射层12的图案相对应并遮盖住第一抗反射层12。由于第一抗反射层12具有一定吸水性，容易被腐蚀，因此在第一抗反射层12上设置第一防腐保护层17，可以对第一抗反射层12和第一金属层11中的线路起到保护作用，防止环境水汽腐蚀，并且具有良好的导电特性等。第一防腐保护层17例如为Ln-IZO或Ln-IGZO等。

进一步地，在第一绝缘层13上形成覆盖第二抗反射层15的第二防腐保护层18，第二防腐保护层18的图案与第二抗反射层15的图案相对应并遮盖住第二抗反射层15。由于第二抗反射层15具有一定吸水性，容易被腐蚀，因此在第二抗反射层15上设置第二防腐保护层18，可以对第二抗反射层15和第二金属层14中的线路起到保护作用，防止环境水汽腐蚀，并且具有良好的导电特性等。第二防腐保护层18例如为Ln-IZO或Ln-IGZO等。

如图8a至图8h所示，本发明实施例还提供一种触控基板的制作方法，用于制作如上所述的触控基板。该制作方法包括：

如图8a所示，在透明衬底10上依次形成整面的第一金属层11、第一抗反射层12和第一防腐保护层17。第一金属层11可以采用金属例如铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)、锰(Mn)、镍(Ni)等，或者采用上述金属的组合例如Al/Mo、Cu/Mo等。第一抗反射层12由黑色金属氧化物材料制成，例如第一遮光层12为氧化钼(MoOx)。第一防腐保护层17例如为Ln-IZO或Ln-IGZO等。

如图8b所示，在第一防腐保护层17上形成光阻层2，采用掩膜版1为遮挡对光阻层2的进行图案化处理(曝光、显影)。

如图8c和8d所示，以图案化的光阻层2为遮挡，先对第一金属层11、第一抗反射层12和第一防腐保护层17一同进行湿蚀刻(WET)处理，再对第一抗反射层12进行干蚀刻(DET)处理，使第一金属层11形成图案化的第一触控信号线111、第一周边引线112和第一引脚113，第一周边引线112连接在第一触控信号线111与第一引脚113之间，第一抗反射层12的图案与第一金属层11的图案相对应并遮盖住第一金属层11，第一防腐保护层17的图案与第一抗反射层12的图案相对应并遮盖住第一抗反射层12。其中，干蚀刻的刻蚀气体为Cl2、SF6和O2中的至少两种混合气体。

如图8e所示，对第一抗反射层12进行干蚀刻处理完成后，剥离掉光阻层2。

如图8f所示，在透明衬底10上形成覆盖第一防腐保护层17的第一绝缘层13。第一绝缘层13的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或二者的组合。

如图8g所示，在第一绝缘层13上依次形成整面的第二金属层14、第二抗反射层15和第二防腐保护层18。采用与第一金属层11、第一抗反射层12和第一防腐保护层17同样的工艺对第二金属层14、第二抗反射层15和第二防腐保护层18进行蚀刻处理，例如，在第二防腐保护层18上形成图案化的光阻层2，以图案化的光阻层2为遮挡，先对第二金属层14、第二抗反射层15和第二防腐保护层18一同进行湿蚀刻处理，再对第二抗反射层15进行干蚀刻处理。使第二金属层14形成图案化的第二触控信号线141、第二周边引线142和第二引脚143，第二周边引线142连接在第二触控信号线141与第二引脚143之间，第二抗反射层15的图案与第二金属层14的图案相对应并遮盖住第二金属层14，第二防腐保护层18的图案与第二抗反射层15的图案相对应并遮盖住第二抗反射层15。

如图8h所示，在第一绝缘层13上形成覆盖第二防腐保护层18的第二绝缘层16，第二绝缘层16的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或二者的组合。

当然，在其他实施例中，也可以分别采用掩膜工艺对第一防腐保护层17和第二防腐保护层18进行蚀刻。

本领域的技术人员应当理解的是，本实施例的其余结构以及工作原理均与实施例一、实施例二相同，这里不再赘述。

在本文中，所涉及的上、下、左、右、前、后等方位词是以附图中的结构位于图中的位置以及结构相互之间的位置来定义的，只是为了表达技术方案的清楚及方便。应当理解，所述方位词的使用不应限制本申请请求保护的范围。还应当理解，本文中使用的术语“第一”和“第二”等，仅用于名称上的区分，并不用于限制数量和顺序。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限定，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰，为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的保护范围之内。