微观结构技术

  • 减少封装集成电路中的脱层
    减少封装集成电路中的脱层

    一种感测器可包括感测器晶粒,该感测器晶粒具有第一感测器表面及相对于该第一感测器表面的第二感测器表面。该感测器可进一步包括晶粒垫组件,该晶粒垫组件具有第一垫表面及相对于该第一垫表面的第二垫表面,其中,该感测器晶粒与该晶粒垫组件以该第二感测器表面定向朝向该第一垫表面的方式垂直堆叠。该感测器可进一步包括引线架组件,该引线架组件具有第一框架表面及相对于该第一框架表面的第二框架表面,该晶粒垫组件与该引线架组件垂直堆叠,其中,该第二垫表面定向朝向该第一框架表面,该第二垫表面与该第二框架表面隔离,且该引线架组件电性连接至该感测器晶粒。

    2023-08-21
  • MEMS器件及其制造方法
    MEMS器件及其制造方法

    本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法,制造方法包括:在衬底上形成介质层,在介质层上形成图案化的第一导电层;在介质层和第一导电层上形成隔离层,隔离层覆盖第一导电层;在隔离层上形成阻挡层,阻挡层覆盖隔离层;在隔离层和阻挡层内形成第一沟槽,第一沟槽露出部分第一导电层;在阻挡层和露出的第一导电层上形成牺牲层,牺牲层覆盖阻挡层且填充第一沟槽;在牺牲层内形成第二沟槽,第二沟槽露出部分第一导电层;在牺牲层和露出的第一导电层上形成第二导电层,第二导电层覆盖牺牲层且填充第二沟槽;在第二导电层内形成第三沟槽;释放牺牲层。本申请的制造方法能够提高MEMS器件的结构稳定性。

    2023-08-21
  • 适用于高湿度环境检测的气体传感器及其制备工艺
    适用于高湿度环境检测的气体传感器及其制备工艺

    本发明公开了一种适用于高湿度环境检测的气体传感器及其制备工艺,属于传感器技术领域。所述气体传感器包括:硅衬底层及二氧化硅结构层,所述二氧化硅结构层设置于所述硅衬底层上方;所述二氧化硅结构层包括设置于两端的PAD区域和设置于中央的气体传感器区域;所述气体传感器区域包括加热电阻、传感电极、via金属柱和气敏材料,两侧固定,整体悬浮在空腔上方;所述via金属柱密集分布在传感电极上方,从而使气体传感器具有超疏水特性。本发明通过设计金属层和金属via图案,使传感电极上方分布大量的via金属柱,从而具有超疏水特性,可以降低气体传感器在工作时对环境湿度变化敏感程度,一体化且连续的工艺极大地降低了传感器的成本。

    2023-08-21
  • 一种晶圆通孔结构的金属填充方法
    一种晶圆通孔结构的金属填充方法

    本发明公开了一种晶圆通孔结构的金属填充方法,包括如下步骤:在第一晶圆中制备通孔;在第二晶圆的表面依次沉积光刻胶层和导电层;将第一晶圆和第二晶圆紧固在一起,使得所述导电层与所述第一晶圆中通孔的底面抵接;将第一晶圆和第二晶圆放置在电铸液中进行电铸金属填充,使得电铸金属自通孔底部至通孔顶部填充在通孔内;将第一晶圆和第二晶圆浸泡在去胶溶剂中进行分离,去除通孔外部的电铸金属和导电层,获得电铸金属填充的晶圆通孔结构。本发明提供的一种晶圆通孔结构的金属填充方法,不必采用复杂的第二晶圆键合工艺,能够形成稳定的底面支撑及导电层支撑结构,同时第一晶圆和第二晶圆易于分离,适用于任意尺寸和形状的通孔金属填充。

    2023-08-21
  • 集成芯片封装方法及集成芯片封装结构
    集成芯片封装方法及集成芯片封装结构

    本发明公开了一种集成芯片封装方法及集成芯片封装结构,集成芯片封装方法包括:提供晶圆,所述晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面,在所述第一表面形成功能区以及与所述功能区电连接的第一重布线层;提供临时基板,将所述临时基板键合于所述晶圆的第一表面;在所述晶圆的第二表面形成电性连接所述第一重布线层的第二重布线层;剥离所述临时基板;在所述晶圆的第一表面设置与所述第一重布线层电连接的功能芯片,或者,在所述晶圆的第二表面设置与所述第二重布线层电连接的功能芯片。本发明集成芯片封装方法及集成芯片封装结构,其能够简化集成芯片的封装结构,降低集成芯片的封装成本。

    2023-08-21
  • 一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法
    一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法

    本发明公开了一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法:所述微型原子气室的结构包括:上到下依次设置的第二玻璃层、具有通孔结构的硅基体和第一玻璃层;所述通孔结构、第一玻璃层和第二玻璃层构成微型原子气室;所述微型原子气室内表面被保护层完全覆盖,碱金属被保护层封裹在微型原子气室内部。其中,本发明提供的微型原子气室中,保护层只存在原子气室内壁,不存在玻璃和硅基体的交界面,不会影响原子气室键合工艺界面,利于实现微型原子气室的高强度、高气密性;而且碱金属被保护层封裹在原子气室内部,防止碱金属原子因为扩散进入内壁或与内壁材料发生化学反应导致的数量减少,从而能够提高微型原子气室的寿命。

    2023-08-21
  • 微电子器件气密性封装结构的制造方法
    微电子器件气密性封装结构的制造方法

    本发明提供一种微电子器件气密性封装结构的制造方法,包括步骤:在第一基板的第一主面上形成微电子器件;在第二基板的第一主面上形成吸气结构,包括吸气剂薄膜及热子结构;在第三基板中形成贯穿其第一主面和第二主面的通孔;将第一基板的第一主面与第三基板的第一主面进行气密性基板键合,将第二基板的第一主面与第三基板的第二主面进行气密性基板键合,通孔与第一基板和第二基板组成气密性空腔,微电子器件的主要部分位于气密性空腔中,吸气结构的主要部分与气密性空腔连通。本发明降低了对封装外壳气密性的要求,在对封装外壳进行拆装时不会影响器件内部的气密性,提高了封装效率且便于MEMS器件的后续使用和维护。

    2023-08-21
  • 一种MEMS微镜抗疲劳电互连装置
    一种MEMS微镜抗疲劳电互连装置

    本发明提供一种MEMS微镜抗疲劳电互连装置,它包括晶圆(1),其在晶圆(1)上通过第二镂空区域(5)和第一镂空区域(2),形成微镜面(3)和可动框架(10),通过第一镂空区域(2)和第二镂空区域(5)上的纵向开口(2a)和横向开口(5a)形成纵向扭转梁(4)和横向扭转梁(6),在横向扭转梁(6)。本发明利用扩散低阻硅代替全金属薄膜实现在弯曲或者扭转结构的表面电互连引出,能够完全避免金属薄膜引线材料在高频往复运动过程中产生的疲劳的问题,有效的提高了MEMS微镜的寿命。

    2023-08-21
  • 一种柔性材料的纳米通道及其母模的制备方法
    一种柔性材料的纳米通道及其母模的制备方法

    本发明涉及一种柔性材料的纳米通道及其母模的制备方法。方法包括:在硅基衬底上形成光刻胶;对光刻胶进行曝光和显影,在光刻胶中形成预设版图的沟道,所述沟道贯穿所述光刻胶至硅基衬底;然后在所述光刻胶上方形成硬掩膜层,所述硬掩膜层填充所述沟道;之后剥离去除光刻胶,最后在所述硬掩膜层的遮挡下刻蚀硅基衬底。本发明填补了柔性材料纳米通道专一性母模的空白,并且具有较高的精度,耐磨损且脱模容易,适合基于柔性材料的纳米通道的批量生产,并且该方法对不同纳米图形的适用性强。

    2023-08-21
  • 一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法
    一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法

    本发明公开了一种基于WLP工艺的MEMS磁通门传感器的制作方法,属于微型传感器技术领域,所述方法为先分别在两个硅基片上刻蚀出能够放置磁芯的凹槽和在键合后围绕在磁芯外周围的螺线管腔以及与线圈相连的电极窗口,并在腔体内填充线圈材料,从而使其形成螺线管线圈;将两个硅基片相对的表面进行处理,之后将两个硅基片面对面贴合在一起进行键合;本发明采用TSV技术能进一步提高连接通孔的成功率和线圈互连可靠性,采用刻槽放置磁芯的方法,能减少后期固化绝缘聚合物等材料对磁芯性能的伤害,采用低温键合能减小高温键合对器件产生的不良影响,提高器件的工作稳定性和可靠性,也能达到减小器件尺寸的目的。

    2023-08-21
  • 用于制造电触点接通部的方法;电触点接通部
    用于制造电触点接通部的方法;电触点接通部

    提出一种用于制造导电的衬底与导电的层之间的电触点接通部的方法,其中,所述衬底和所述层相互连接并且在所述衬底与所述层之间至少部分地布置有电绝缘层,其中,所述层在待制造的电触点接通部的区域中具有至少一个贯通开口,所述贯通开口具有裸露的绝缘层,其中,在第一步骤中,在所述贯通开口的区域中使激光射束(10)对准到所述绝缘层上,其中,在第二步骤中,至少部分地移除所述绝缘层,其中,在第三步骤中,至少部分地熔化所述衬底和/或所述层,使得在所述衬底与所述层之间构造所述电触点接通部。

    2023-08-21
  • 局部释放气体的MEMS装置及其制造方法
    局部释放气体的MEMS装置及其制造方法

    本发明提供一种局部释放气体的MEMS装置及其制造方法。所述MEMS装置包括:第一空腔,其被配置的用于第一功能;第二空腔,其被配置的用于第二功能;加热器,其被设置于第二空腔的周边。通过所述加热器的加热使得所述加热器的周边材料释放出气体,被释放处的气体进入第二空腔,从而改变第二空腔的压力。这样,可以更为方便的在同一颗芯片上形成压力不同的两个空腔。

    2023-08-21
  • 复合吸气剂薄膜结构
    复合吸气剂薄膜结构

    本发明提供一种复合吸气剂薄膜结构,复合吸气剂薄膜结构包括:N个图形吸气剂薄层,N个图形吸气剂薄层中,至少有两个含不同的吸气剂材料的图形吸气剂薄层;图形吸气剂薄层具有在图形吸气剂薄层面内方向延伸的多个连续的孔隙,孔隙在图形吸气剂薄层的侧面具有开口。本发明可以有效增加吸气剂薄膜的比表面积,使其吸气能力和速度得到大大提高。本发明可以在一个复合吸气剂薄膜结构中,导入两种以上的吸气剂材料,可以对应多种气体的吸附,同时节省空间,降低成本。

    2023-08-21
  • 一种基于激光等离激元效应的空化气泡周期性生成方法
    一种基于激光等离激元效应的空化气泡周期性生成方法

    本发明涉及微纳米流体领域,特指一种基于激光等离激元效应的空化气泡周期性生成方法。其特征在于,该方法使用位于等离激元共振波段的连续波激光,经显微物镜聚焦后照射到放置于液体水环境中的、贵金属纳米粒子覆盖的熔融石英样品表面;提前调整激光将光斑定位于样品表面的固体物体附近,打开激光,超过阈值功率的激光会在光斑位置引发微米级空化气泡成核、生长和坍缩;光斑附近的固体物体作为流场边界会使气泡在坍缩过程中产生朝向固体物体的运动,从而使坍缩后的气泡核脱离光斑区域钉扎;光斑区域重新由液体覆盖,在持续激光能量输入的情况下光斑位置处能够引发再一次空化气泡成核,因而形成高频率、周期性的空化气泡成核、生长与坍缩过程。本发明实现空化气泡周期性生成的操作非常简单,易于实现,能够对局域流体产生强烈的扰动,并且能够实现空化气泡的生成频率、尺寸、周期性生成区域范围大小的控制。

    2023-08-21
  • 一种周期性孔阵列二维材料及其可控制备方法和应用
    一种周期性孔阵列二维材料及其可控制备方法和应用

    本发明涉及二维材料的可控刻蚀领域,具体公开了一种二维材料周期性孔阵列可控制备方法,采用激光对MX

    2023-08-21
  • 惯性传感器及其制备方法、电子设备
    惯性传感器及其制备方法、电子设备

    本申请公开了一种惯性传感器及其制备方法、电子设备,该制备方法包括提供一支撑衬底;在所述支撑衬底上形成空腔;在形成所述空腔的支撑衬底表面上形成一绝缘层;图形化处理所述空腔内的绝缘层;将器件层设置于所述空腔上方,并与所述支撑衬底进行键合;在所述空腔上方的所述器件层上刻蚀空隙,形成悬空结构。在本发明实施例中,对空腔内的绝缘层进行图形化处理,可以将空腔内的绝缘材料基本移除,在后续形成悬空结构的过刻蚀过程中,因支撑衬底会在过刻蚀过程中被刻蚀掉一部分,因而可以消除刻蚀离子因电荷聚集的反弹效果,进而消除悬空结构的底部缺陷问题。

    2023-08-21
  • 一种基于三层混合掩模的三重光刻以实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制造方法
    一种基于三层混合掩模的三重光刻以实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制造方法

    本发明公开了一种基于三层混合掩模的三重光刻以实现仿沙垄气动减阻分形微纳结构的制造方法。该方法选用化学活性依次降低的三层掩膜材料设计了特殊的光刻序列,选择了氧化硅、铝和光刻胶的金属和非金属材料的混合掩模顺序组合作为仿沙垄气动减阻分形微纳结构的蚀刻掩模。该掩模材料的选择综合考虑了电感耦合等离子体刻蚀工艺中金属掩模的兼顾性,工艺效果的可控性和精确性,工艺过的复杂性以及工艺的成本。并且区别于传统工艺中光刻一次刻蚀一次的思路,本发明提出采用旋胶光刻工艺将三层混合掩模复合制备完成后,再利用设计的三层混合掩模化学活性依次下降性质,重复刻蚀和去除掩模的循环,完成三层复合微纳结构的制备。

    2023-08-21
  • 单硅片上集成制造四种电化学敏感电极的MEMS芯片及制造方法
    单硅片上集成制造四种电化学敏感电极的MEMS芯片及制造方法

    本发明提出了一种单硅片上集成制造四种电化学敏感电极的MEMS芯片及制造方法。其芯片包含基底、贯穿基底的流孔、绝缘层、第一阳极、第一阴极、第二阳极、第二阴极。其中,绝缘层均匀分布在基底表面和流孔内壁上。第一阳极和第一阴极间隔分布在上表面绝缘层,后者还分布在上内壁绝缘层上。第二阳极和第二阴极间隔分布在下表面绝缘层上,后者还分布在下内壁绝缘层上。在流孔内壁的第一阴极和第二阴极由中间的绝缘区隔开。本发明提出的芯片同时集成制造四种电极,相当于两片集成两电极的芯片的组合,可以减少芯片的消耗,降低生产成本。此外,芯片加工误差取决于设备对准误差,流孔和电极图形对准精度高。电极检测灵敏度高,性能一致性好。

    2023-08-21
  • 高深宽比MEMS悬空透气膜的制备方法及器件
    高深宽比MEMS悬空透气膜的制备方法及器件

    本发明涉及一种高深宽比MEMS悬空透气膜的制备方法及器件。所述制备方法包括:提供支撑衬底以及制备于所述支撑衬底上的若干透气孔定位柱;在上述支撑衬底上制备覆盖所述支撑衬底正面的透气膜层,其中,透气孔定位柱埋设于所述透气膜层内,且透气孔定位柱的上端部从透气膜层内露出;对上述支撑衬底的背面进行背腔刻蚀工艺,以形成所需的背腔,其中,所形成的背腔与透气膜层内的透气孔定位柱正对应;去除上述透气膜层内的透气孔定位柱,以在透气膜层内形成贯通所述透气膜层的透气孔,所述透气孔与背腔连通。本发明能有效制备得到高深宽比透气孔的悬空透气膜,降低工艺的复杂度,提高悬空透气膜的性能。

    2023-08-21
  • 圆片级封装结构及其制作方法
    圆片级封装结构及其制作方法

    本申请涉及一种圆片级封装结构及其制作方法。一种圆片级封装结构包括衬底层、器件层和盖帽层,器件层形成于所述衬底层上,且与所述衬底层之间形成阳极键合。盖帽层形成于所述衬底层上,且与所述衬底层之间形成阳极键合,以与所述衬底层围设出一用于收纳所述器件层的真空腔。其中,所述衬底层的上表面设有电极,所述盖帽层上贯穿设有朝向所述电极的通孔,所述通孔内填充有互连结构,所述互连结构与所述电极电性连接。该圆片级封装结构所需的键合压力更小,成本更低,工艺更简单,稳定性更高。

    2023-08-21
  • 微流体设备的制造方法及由其制造的纸上实验室平台
    微流体设备的制造方法及由其制造的纸上实验室平台

    本发明涉及一种微流体设备的制造方法,其与亲水性的多孔基材的形状无关地,可以通过使用蜡在一张基材内精确地形成所期望的形状的通道,更详细而言,涉及一种微流体设备的制造方法,在所述微流体设备的一张亲水性多孔基材内形成有由蜡产生的微通道,其特征在于,包括:将转印膜和所述多孔基材层叠之后进行热处理的步骤,在所述转印膜形成有用于形成微通道的蜡图案的镜像。

    2023-08-21
  • 一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构
    一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构

    本发明提出了一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构,其MEMS硅腔体盖帽层位于太赫兹探测器芯片的上方,盖住太赫兹探测器芯片的探测部分;金属平面反射镜位于太赫兹探测器芯片的背面,对入射到太赫兹探测器芯片衬底的信号进行反射;MEMS硅腔体盖帽层、太赫兹探测器芯片、金属平面反射镜三者堆叠互连构成复合谐振结构,使得探测器芯片处的电场谐振增强。本发明改变盖帽层深硅刻蚀的厚度可以实现探测器芯片处的电磁场能量增强,提高探测器的灵敏度;改变探测器衬底厚度、MEMS硅腔体盖帽硅层厚度与空气腔厚度可以实现不同谐振频率的探测和滤波效果,提高太赫兹探测器芯片三维封装的设计自由度。

    2023-08-21
  • 一种MEMS器件及其制备方法和电子装置
    一种MEMS器件及其制备方法和电子装置

    本发明提供一种MEMS器件及其制备方法和电子装置。制备方法包括提供MEMS晶圆;在MEMS晶圆上形成牺牲层;在牺牲层上形成疏齿结构以及围绕疏齿结构的支撑区域,支撑区域上形成有锗键合环;生长防粘涂层;通过湿法腐蚀锗键合环表面的一层锗来去掉锗键合环上的防粘涂层。解决了MEMS器件疏齿粘连问题的同时解决了防粘涂层影响键合的难题。

    2023-08-21
  • 一种应用于提高谷偏振度的光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构的制备方法
    一种应用于提高谷偏振度的光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构的制备方法

    本发明公开了一种应用于提高谷偏振度的光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构的制备方法,将光学介电微球分散液滴在单层二硒化钨上,通过自组装的方法得到光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构。本发明得到的光学介电微球阵列/单层二硒化钨复合结构具有优异的谷偏振光电性能,为谷电子器件的设计制造应用提供了一种新的方案。

    2023-08-21
  • 一种微机电系统及其温度确定方法、温度补偿方法
    一种微机电系统及其温度确定方法、温度补偿方法

    本申请公开了一种微机电系统及其温度确定方法、温度补偿方法。该温度补偿方法包括:控制微机电系统的谐振型惯性器件动作,以获得具有第一频率的谐振电信号及包含惯性传感信息的惯性电信号;控制微机电系统的谐振器器件动作,以获得具有第二频率的时钟电信号;基于谐振电信号的一个脉冲周期,对时钟电信号的脉冲进行计数,以获得与微机电系统的温度成比例的计数值;根据计数值,确定并输出微机电系统的温度;基于微机电系统的温度及预设温度补偿对照列表,分别对谐振型惯性器件以及谐振器器件进行相应的温度补偿,以输出目标惯性电信号和目标时钟电信号。本技术方案,可确保该微机电系统输出的目标惯性电信号和目标时钟电信号的准确性。

    2023-08-21
  • 晶圆级真空封装中的焊料制备方法和带有焊料的晶圆
    晶圆级真空封装中的焊料制备方法和带有焊料的晶圆

    本申请涉及晶圆级真空封装领域,公开了一种晶圆级真空封装中的焊料制备方法,包括:将焊料掩膜版与待键合晶圆的焊接面对准,使焊料掩膜版上的通孔分别与焊接面上的键合金属区对准;将预制焊料片置于通孔内,使预制焊料片与键合金属区对准;焊接预制焊料片和键合金属区,并去掉焊料掩膜版,得到带有焊料的晶圆。本申请通过焊料掩膜版使预制焊料片与待键合晶圆的键合金属区对准,即可以通过焊料掩膜版一次将多个预制焊料片进行对准,降低工艺难度,提升制作速度,降低制作成本。并且,不需使用光学对准对预制焊料片单片单片的对准,对准精度提高,提升带有焊料的晶圆的合格率,同时也可以降低制作成本。

    2023-08-21
  • 基于微加工Manifold结构的阵列式硅基换热器
    基于微加工Manifold结构的阵列式硅基换热器

    本发明公开了一种基于微加工Manifold结构的阵列式硅基换热器,包括微通道层和上盖;微通道层被配置为Manifold结构的微通道层结构;微通道层的材质为硅材质,且微通道层采用反应离子刻蚀工艺加工。本发明的硅基换热器结合了微尺度换热器的优点,借助激光加工实现表面微结构强化换热,利用Manifold结构实现减阻和均热,通过阵列化布置实现针对个性化需求的柔性形状和面积布置、同时,阵列化的布局能够实现针对不同需求的布置,布置在不同形状,不同面积的发热表面。

    2023-08-21
  • 硅通孔结构和硅通孔结构的制作方法
    硅通孔结构和硅通孔结构的制作方法

    本申请涉及一种硅通孔结构和硅通孔结构的制作方法,硅通孔结构至少包括衬底、绝缘层和导电层。绝缘层形成在衬底通孔的内壁上,具有第一凹陷部的导电层形成在绝缘层上。在硅通孔结构内部温度升高而产生热应力时,通过第一凹陷部中的第一应力分散部对热应力进行分散,缓解了硅通孔结构因热失配而产生的翘曲问题,提升了硅通孔结构的稳定性。

    2023-08-21
  • 一种芯片封装结构、扬声器以及芯片封装方法
    一种芯片封装结构、扬声器以及芯片封装方法

    本发明公开一种芯片封装结构、扬声器以及芯片封装方法,涉及芯片封装技术领域,以解决芯片堆叠较高的问题。所述芯片封装结构包括基板、封盖组件、第一芯片以及第二芯片,基板具有安装槽,封盖组件与基板相连并合围形成腔体,安装槽位于腔体中,第一芯片位于安装槽内,第二芯片位于腔体中,第二芯片由第一部分和第二部分组成,第一部分位于基板中未设置安装槽的部分上,第二部分位于第一芯片上。所述扬声器包括上述方案所提的芯片封装结构。所述芯片封装方法使用上述方案所提的芯片封装结构。

    2023-08-21
  • 一种MEMS敏感结构及其制备方法
    一种MEMS敏感结构及其制备方法

    本发明提供一种MEMS敏感结构及其制备方法,它包括在硅衬底(8)上从上到下依次包括引线层(5)、绝缘层(3)、第一氧化层(1)、压敏电阻(2)、敏感膜片(9)、第二腔体(7)、第一腔体(6)和第二氧化层(11)。本发明提供的MEMS敏感结构具有开口小的优点,有效的保持了芯片小面积,降低对加工设备能力的要求,工艺简单,适用于MEMS敏感结构芯片制造。

    2023-08-21
  • 一种晶圆级真空封装的MEMS器件及其制作方法
    一种晶圆级真空封装的MEMS器件及其制作方法

    本发明提供一种晶圆级真空封装的MEMS器件及其制作方法,所述制作方法包括对SOI硅晶圆的顶层硅和埋氧层进行深刻蚀,形成顶部深孔;于顶层硅表面沉积导电材料并填满顶部深孔;去除顶层硅表面多余的导电材料实现平坦化,于顶部深孔内形成锚点;于顶层硅中形成梳齿结构,再腐蚀掉梳齿结构下方的埋氧层,释放梳齿结构,得到晶圆级MEMS器件结构;使该结构与晶圆盖板进行高真空键合,键合后盖板的凹槽和梳齿结构形成气密腔室;于衬底硅内形成隔离孤岛,且隔离孤岛与锚点形成垂直电连接;于隔离孤岛下表面的钝化层处开窗,于开窗中制作衬底电极引线。本发明降低了工艺难度和封装成本,可实现小体积封装,提高产品的成品率。

    2023-08-21
  • 一种空气桥的制备方法及一种超导量子器件
    一种空气桥的制备方法及一种超导量子器件

    本申请公开了一种空气桥的制备方法,属于量子信息领域,尤其是量子计算技术领域。所述方法包括:提供形成有外延层的衬底,所述外延层包括分隔的第一子层和第二子层;形成桥支撑层于所述第一子层和所述第二子层之间;形成金属层于所述衬底在所述桥支撑层一侧的表面,所述金属层包括覆盖所述桥支撑层且连接所述第一子层和所述第二子层的空气桥;形成抗蚀层覆盖所述空气桥;依次利用第一刻蚀液和第二刻蚀液刻蚀去除裸露的所述金属层,且所述第二刻蚀液的浓度小于所述第一刻蚀液的浓度;去除所述抗蚀层和所述桥支撑层获得所述空气桥。本方案能够制备出将分隔的第一子层和第二子层连接的空气桥,且不易对外延层造成损伤。

    2023-08-21
  • MEMS器件光学穿孔封装工艺
    MEMS器件光学穿孔封装工艺

    本发明公开了一种基于OTEV技术的晶圆级三维集成MEMS器件光学穿孔封装工艺,具有更高的互连密度、更小的间距、更小的封装尺寸和厚度、更好的翘曲控制、更低的工具成本,具有天然的集成化优势。本发明工艺得到的MEMS器件产品的集成度高,该技术采用3合1的晶圆级制造方法,将产品的光学光路部分、导线线路和封装部分集成于一体;工艺可实现标准化、大批量生产,同时工艺步骤简单、成本较低;本发明得到的整个MEMS器件产品尺寸较小、厚度较低;整个MEMS器件产品无PCB、无焊线,因此结构更紧凑、性能更稳定;该技术采用的几种封装材料热膨胀系数一致,封装后各材料之间内应力低,产品可靠性及稳定性较高。

    2023-08-21
  • 一种工作状态可调的硅纳米线陀螺仪及其制备方法
    一种工作状态可调的硅纳米线陀螺仪及其制备方法

    本发明属于陀螺仪设计技术领域,具体涉及一种工作状态可调的硅纳米线陀螺仪及其制备方法。其中,硅纳米线陀螺仪采用氮化硅薄膜、栅极和硅纳米线共同支撑质量块,采用单晶硅纳米线代替传统的压敏电阻作为角加速度的检测方式。本发明巧妙地在氮化硅薄膜上制备的栅极不仅能够有效的调制硅纳米线沟道,进而寻找出器件的最佳工作点,同时也能有效地保护硅纳米线不因各种原因断裂,大大提高了硅纳米线器件的长期稳定性。

    2023-08-21
  • 一种抗高过载MEMS惯性微模组及制备方法
    一种抗高过载MEMS惯性微模组及制备方法

    本发明公开了一种抗高过载MEMS惯性微模组及制备方法,该MEMS惯性微模组对ASIC芯片进行双面PAD工艺,将ASIC的两种互联信号进行上下面的分别引出,ASIC芯片顶面PAD设计为与MEMS敏感结构芯片互联信号接口,底面PAD设计为与封装管壳互联的引出信号接口,ASIC芯片与MEMS敏感结构芯片进行堆叠。本发明将MEMS敏感结构芯片放置于ASIC芯片上方,可在一定程度上减少高过载冲击带来的应力传递,提高MEMS惯性微模组整体抗高过载能力。同时将ASIC芯片置于MEMS敏感结构下方,可直接通过植微球焊接的方式将引出信号直接连接到封装管壳上,减少额外的信号互联形式,降低工艺组装复杂度,提升高过载环境下的可靠性。

    2023-08-21
  • 一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器、制备方法及应用
    一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器、制备方法及应用

    本发明公开了一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器、制备方法及应用,属于气敏薄膜制备领域。方法包括:步骤S1、在硅晶圆基片上制备MEMS微加热板阵列;步骤S2、在所述MEMS微加热板阵列的每个传感单元中心区域制备气敏薄膜;步骤S3、在所述气敏薄膜表面均匀沉积贵金属,用于修饰所述气敏薄膜,形成MEMS气体传感器阵列;步骤S4、将所述MEMS气体传感器阵列进行空气‑氢气‑空气循环高温烧结退火;步骤S5、将退火后的MEMS气体传感器阵列划片、封装,形成单个MEMS气体传感器。通过本发明的方法制备得到的传感器能够同时提升MEMS气体传感器的灵敏性、一致性和稳定性。

    2023-08-21
  • 一种三轴MEMS陀螺集成微系统及其制造方法
    一种三轴MEMS陀螺集成微系统及其制造方法

    本申请涉及微系统领域,具体公开了一种三轴MEMS陀螺集成微系统,包括:三轴MEMS陀螺芯片,包括陀螺机械结构;转接板芯片,与陀螺机械结构键合连接,具有转接板凹槽,与陀螺机械结构相对设置,以形成陀螺机械结构的陀螺保护腔体。本申请还公开一种三轴MEMS陀螺集成微系统,包括转接板芯片和三轴MEMS陀螺芯片,三轴MEMS陀螺芯片包括陀螺盖帽,陀螺盖帽面向转接板芯片设置,陀螺盖帽的靠近陀螺机械结构的一侧具有盖帽凹槽,盖帽凹槽与陀螺机械结构相对设置,以形成陀螺机械结构的陀螺保护腔体。本申请的方案解决集成密度不够高、厚度大、不利于散热等问题。

    2023-08-21
  • 一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法及产品
    一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法及产品

    本发明公开一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法及产品,微结构图形制备方法包括以下步骤:S1:清洗基板;S2:在基板的表面涂覆一层光刻胶掩膜层;S3:对基板进行纳米压印,在基板的表面形成微纳米压印掩膜图形;S4:将带有光刻胶微纳米压印掩膜图形的基板进行刻蚀,刻蚀完成后,在基板表面形成微结构图形;微结构图形包括多个微结构单元,微结构单元的宽度范围为0.5~30um,高度范围为1.5~30um,深宽比范围为1:1~1:16,雾度范围为30%~80%,透过率范围为10%~60%。本发明通过在基板进行特殊处理,使其表面具有特定的微结构图形,得到良好且触觉感各异的顺滑感知。

    2023-08-21
  • 用于制造电声模块的改进方法
    用于制造电声模块的改进方法

    本公开的实施例涉及用于制造电声模块的改进方法。一种用于制造电声模块的方法,包括:形成具有再分布结构和布置在介电区域中的多个管芯的组件;形成具有半导体本体和横向交错的多个相应单元部分的晶片,单元部分中的每一个单元部分包括被设置成与半导体本体接触的相应支撑区域和多个致动器;减小半导体本体的厚度,然后选择性地去除部分半导体本体,以便从晶片开始单片化多个换能结构,每一个换能结构包括半导体衬底,该半导体衬底接触对应的支撑区域并且被腔体穿过,该腔体由形成与致动器机械耦接的膜的支撑区域的部分来界定;然后将换能结构耦接到组件再分布结构。

    2023-08-21
  • 具有在硅氮化物底切部上方的梁结构的微机电器件
    具有在硅氮化物底切部上方的梁结构的微机电器件

    在所描述的示例中,一种微机电系统(MEMS)(100)位于衬底(102)上。硅氮化物(SiN)层(104、134)在衬底的一部分上。机械结构(120、132)具有嵌入SiN层中的第一端(125)和从SiN层悬挑出的第二端(124)。

    2023-08-21
  • 移相器及天线
    移相器及天线

    本公开提供一种移相器及天线,属于通信技术领域。本公开的移相器,其包括:衬底基板,信号电极、第一参考电极和第二参考电极,均设置在衬底基板上,且第一参考电极和第二参考电极分设在信号电极长度方向的两侧;层间绝缘层,设置在信号电极所在层背离衬底基板的一侧;至少一个相控单元,至少一个相控单元中的每个包括设置在层间绝缘层背离衬底基板一侧的膜桥;信号电极的至少部分位于衬底基板与膜桥所围成的空间中,且膜桥的两端分别与第一参考电极和第二参考电极在衬底基板上的正投影存在交叠;其中,膜桥划分为第一锚点区、第二锚点区,以及位于第一锚点区和第二锚点区之间的功能区;膜桥具有位于功能区的镂空图案。

    2023-08-21
  • 一种红外热电堆传感器及其制造方法
    一种红外热电堆传感器及其制造方法

    本发明公开一种红外热电堆传感器及其制造方法,涉及微电子机械系统技术领域,以解决现有吸收层面积较小、传感器的响应率较低的问题。所述红外热电堆传感器包括基底、支撑层、热电堆层和吸收层,基底内具有空腔,支撑层设置于基底上方,热电堆层设置于支撑层上方,热电堆层包括多个串联设置的热电臂,热电臂具有冷端和热端,热电臂的冷端与基底相连,热电臂的冷端和热端之间存在弯折段,吸收层设置于热电堆层上方,吸收层与热电臂的热端相连,吸收层用于接收外部能量并将能量传递至热电臂的热端。所述红外热电堆传感器的制造方法包括上述技术方案所提的红外热电堆传感器。

    2023-08-21
  • 基于栅极调控的硅纳米线阵列式加速度计及其加工工艺
    基于栅极调控的硅纳米线阵列式加速度计及其加工工艺

    本发明涉及基于栅极调控的硅纳米线阵列式加速度计及其加工工艺。硅纳米线阵列式加速度计包括硅纳米线阵列、氮化硅薄膜、质量块、金电极、栅极和硅基底。当加速度计受到外界的加速度作用时,质量块位移会使得硅纳米线发生形变,硅纳米线形变会导致电导发生变化,进而输出变化的信号;同时,栅极能够调制硅纳米线阵列沟道,进而寻找出器件的最佳工作点。另外,本发明工艺简单、成本低廉。

    2023-08-21
  • MEMS器件的形成方法及MEMS器件
    MEMS器件的形成方法及MEMS器件

    本发明涉及一种MEMS器件的形成方法和MEMS器件。所述方法包括:在衬底上形成牺牲层;在所述牺牲层上形成功能层和与所述功能层电连接的导电连接层;形成贯穿所述导电连接层的导通槽;形成保护层,所述保护层至少覆盖经由所述导通槽暴露出的所述导电连接层的侧壁;形成暴露出所述牺牲层的释放槽,所述释放槽在所述衬底平面上的垂直投影落入所述导通槽在所述衬底平面上的垂直投影内,以使所述导通槽的侧壁保留有部分厚度的所述保护层;经由所述释放槽去除所述牺牲层。本发明所提供的MEMS器件的形成方法和MEMS器件,使空气桥的结构更坚固,性能更稳定。

    2023-08-21
  • 一种具有可控视场的超声波芯片封装结构及制备工艺
    一种具有可控视场的超声波芯片封装结构及制备工艺

    本发明提供具有可控视场的超声波芯片封装结构,包括MEMS芯片,所述MEMS芯片具有相对的正面及背面,所述背面具有背腔,所述正面具有焊盘;号筒,所述号筒具有相对的正面及背面,所述号筒的正面与MEMS芯片的背面固定连接,所述号筒的正面和背面贯穿开设有用于限定声波视场的开口;制备工艺,包括:刻蚀号筒;图形化薄膜材料;键合MEMS芯片与号筒;划片。根据本发明提出的具有可控视场的超声波芯片封装结构,在MEMS芯片上键合号筒,号筒可用于限定芯片发出的声波传递的视场,代替了在外围加装结构限定视场的方式,减小传感器整体的结构尺寸,具有易装配、一致性高等特点,且号筒与背硅键合连接,背腔与号筒共同形成芯片的视场,进一步减小了封装传感器的尺寸。

    2023-08-21
  • 一种器件芯片、微机电系统及其封装结构
    一种器件芯片、微机电系统及其封装结构

    本发明涉及微观机械系统的技术领域,公开了一种器件芯片、微机电系统及其封装结构,器件芯片包括基衬底、盖衬底以及器件层,其中,盖衬底与基衬底间隔设置,器件层设置在基衬底和盖衬底之间;器件层包括电极、连接部以及致动部,连接部分别与基衬底和盖衬底固定连接,电极与基衬底固定连接并与盖衬底电连接,致动部与连接部耦合;致动部与电极之间设置有间隙,以使在致动部和电极之间形成电容;电极用于接收电信号,并根据电信号驱动致动部;电极上设置有凹槽,凹槽沿电极的厚度方向延伸,且凹槽的开口朝向盖衬底。在电极上沿厚度方向设置有凹槽,解决了现有技术中器件层受挤压后电学性能变差而影响致动部动作的问题。

    2023-08-21
  • 一种结构辅助的电磁MEMS微镜加工方法
    一种结构辅助的电磁MEMS微镜加工方法

    本发明属于半导体MEMS器件加工领域,尤其涉及一种结构辅助的电磁MEMS微镜加工方法,改善现有加工方法存在的加工工艺复杂度高和加工成本高的问题。利用局部粗糙化后的选择性硅‑硅键合、基于常规硅‑硅键合的厚硅MEMS加工工艺、融合高精度激光裁切于MEMS加工流程、增加临时性的支撑和散热结构等方案,可以减少MEMS微镜加工过程对薄片加工所需的临时键合和解键合设备和工艺的依赖,降低单晶硅干法刻蚀设备的机时占用从而控制加工成本,提高工艺流程中各单步工艺的相互兼容性,只需要采用常规设备及其工艺的组合就可以实现加工,降低了加工过程的复杂度、降低了加工成本,使电磁MEMS微镜具备良好的可制造性。

    2023-08-21
  • 一种超滑片的加工方法
    一种超滑片的加工方法

    本发明提供一种超滑片的加工方法,所述加工方法包括:在石墨材料的表面图案化形成石墨岛图形;按所述石墨岛图形刻蚀所述石墨材料,形成石墨岛;对所述石墨岛进行加热,并通入氧化性气体,使所述石墨岛的侧壁外缘与所述氧化性气体接触;推动所述石墨岛的上层,若上层的石墨岛自回复,则转移上层的石墨岛为超滑片。所述加工方法可以有效改善石墨岛的性能,提高石墨岛的自回复率,同时大大降低其超滑接触摩擦力,使得石墨岛的超滑性能大幅度提升。

    2023-08-21
  • 微型扫描面镜
    微型扫描面镜

    一种微型扫描面镜,包括固定基板、镜片以及多个悬臂。各悬臂包括压电材料结构以及多个第一驱动电极与多个第二驱动电极。压电材料结构包括连接部、折绕部以及固定部。连接部沿着平行于镜片的中心轴的方向连接镜片。折绕部具有弯折区域与多个驱动电极区域。固定部连接固定基板,且折绕部连接连接部与固定部。多个第一驱动电极与多个第二驱动电极分别位于折绕部中对应的驱动电极区域上。本发明的微型扫描面镜能够带动大尺寸的微型面镜以适当的旋转角度转动。

    2023-08-21
  • 一种抗腐蚀高稳定性的流量传感器及其制作方法
    一种抗腐蚀高稳定性的流量传感器及其制作方法

    本发明涉及一种抗腐蚀高稳定性的流量传感器及其制作方法,该抗腐蚀高稳定性的流量传感器包含硅片和盖板;所述硅片的正反面均设置有钝化层;所述硅片的正面分别设置有连接电极、测量电极和测温电极,背面设置有隔热腔体;所述盖板的正面设置有流体槽道,背面分别设置有与连接电极、测量电极和测温电极对应的腔室;所述硅片的正面与盖板的背面粘接在一起,且连接电极、测量电极和测温电极分别位于腔室内;本发明通过采用盖板与流量传感器封装的方法,不仅能够增加流量传感器的抗腐蚀效果,还可以增加流量传感器的耐外力冲击强度,提高传感器的可靠性。

    2023-08-21
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