散射条的添加方法、掩膜版的制备方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种散射条的添加方法、掩膜版的制备方法。

背景技术

在芯片的版图设计中，通常一个版图中既有密集图形也有稀疏图形，而密集图形的光刻工艺窗口与稀疏图形的光刻工艺窗口是不一样的，适用于密集图形曝光的光照条件并不适合稀疏图形的曝光。因此通常通过在稀疏图形的周围添加一些细小的图形，使得稀疏图形在光学角度上看像密集图形，从而再进行曝光。而这些细小图形的尺寸需要小于光刻机的分辨率，在曝光时这些细小图形只对光线起散射作用，而不会被转移到光刻胶上，因此被称之为亚分辨率辅助图形或散射条。

传统技术在稀疏图形的周围添加了散射条后，通常还需要利用光学邻近校正(Optical Proximity Correction，OPC)模型对稀疏图形进行校正。然而，传统技术中，经OPC校正后的稀疏图形的尺寸会变大，这将会使稀疏图形与散射条之间的距离变小，从而增加散射条转印输出(print-out)的风险，同时会导致光刻工艺窗口变小，从而最终导致芯片的良率下降。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够避免芯片的良率下降的散射条的添加方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品以及掩膜版的制备方法。

第一方面，本申请提供了一种散射条的添加方法。所述方法包括：

在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；

利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形；

获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离；所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离；

根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，其中，所述目标散射条与所述目标图形之间的第一最小距离与所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离相同。

在其中一个实施例中，所述根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，包括：

分别获取所述待校正图形和所述目标图形之间的偏差值，以及所述第二最小距离，确定目标距离；

根据所述目标距离添加至少一候选散射条，并利用所述光学邻近校正模型对所述目标图形进行校正以得到候选图形；

若所述候选散射条与所述候选图形之间的第三最小距离与所述第二最小距离相同，则将所述候选散射条作为所述目标散射条。

在其中一个实施例中，所述方法还包括：

若所述第三最小距离与所述第二最小距离不同，则重复执行添加操作，直到下一候选散射条与下一候选图形之间的第三最小距离与所述第二最小距离相同；其中，所述添加操作包括：

根据预设阈值对所述目标距离进行更新，根据更新后的目标距离添加至少一下一候选散射条，并利用所述光学邻近校正模型对上一候选图形进行校正以得到下一候选图形。

在其中一个实施例中，所述根据预设阈值对所述目标距离进行更新，包括：

根据所述预设阈值和所述目标距离的和值对所述目标距离进行更新。

在其中一个实施例中，所述根据所述目标距离添加至少一候选散射条，包括：

去除所述初始散射条，并根据目标距离新增至少一候选散射条。

在其中一个实施例中，所述根据所述目标距离添加至少一候选散射条，包括：

根据所述目标距离移动所述初始散射条，以添加至少一候选散射条。

在其中一个实施例中，所述获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离，包括：

获取距离所述目标图形最近的目标初始散射条；

根据所述目标初始散射条和所述目标图形确定所述第一距离。

第二方面，本申请还提供了一种掩膜版的制备方法。所述方法包括：

采用上述任一项实施例中所述的散射条的添加方法对目标图形添加目标散射条；

将所述目标图形以及所述目标散射条转移至掩膜版上。

第三方面，本申请还提供了一种散射条的添加装置。所述装置包括：

第一添加模块，用于在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；

校正模块，用于利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形；

获取模块，用于获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离；所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离；

第二添加模块，用于根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，其中，所述目标散射条与所述目标图形之间的第一最小距离与所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离相同。

第四方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：

在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；

利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形；

获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离；所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离；

根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，其中，所述目标散射条与所述目标图形之间的第一最小距离与所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离相同。

第五方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；

利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形；

获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离；所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离；

根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，其中，所述目标散射条与所述目标图形之间的第一最小距离与所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离相同。

第六方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；

利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形；

获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离；所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离；

根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，其中，所述目标散射条与所述目标图形之间的第一最小距离与所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离相同。

上述散射条的添加方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，

通过在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条，并利用光学邻近校正模型对所述待校正图形进行校正得到目标图形，从而获取所述目标图形与所述初始散射条之间的第一距离，所述第一距离为所述初始散射条与所述目标图形之间的最短距离。从而根据所述第一距离、所述待校正图形和所述目标图形添加至少一目标散射条，并使得经光学邻近校正模型校正后得到的所述目标图形与添加的目标散射条之间的第一最小距离等于所述初始散射条与所述待校正图形之间的第二最小距离，从而能够减少散射条转印输出的风险以及避免光刻工艺窗口变小，从而能够避免芯片的良率下降。

上述掩膜版的制备方法，通过采用上述任一项实施例中所述的散射条的添加方法对目标图形添加目标散射条，并将所述目标图形以及所述目标散射条转移至掩膜版上，从而掩膜版上的目标图形经曝光后能够顺利转移到晶圆上，同时由于掩膜版上的目标图形与目标散射条之间的距离保持的足够大，从而目标散射条不会转印输出到晶圆上，从而能够减少散射条转印输出的风险以及避免光刻工艺窗口变小，从而能够避免芯片的良率下降。

附图说明

图1为一个实施例中散射条的添加方法的流程示意图；

图2为一个实施例中经步骤S101后所得图形的示意图；

图3为一个实施例中经步骤S102后所得图形的示意图；

图4为一个实施例中建立光学邻近校正模型的流程示意图；

图5为一个实施例中基准点图形的示意图；

图6为一个实施例中经步骤S104后所得图形的示意图；

图7为一个实施例中步骤S104具体包括的步骤的流程示意图；

图8为一个实施例中经步骤S1042后所得图形的示意图；

图9为一个实施例中经步骤S1043后所得图形的示意图；

图10为一个实施例中利用光学邻近校正模型对上一候选图形进行校正以得到下一候选图形的示意图；

图11为一个实施例中采用本方法前后稀疏图形与散射条之间的最短距离的对比示意图；

图12为一个实施例中步骤S103具体包括的步骤的流程示意图；

图13为一个实施例中掩膜版的制备方法的流程示意图；

图14为一个实施例中散射条的添加装置的结构框图；

图15为一个实施例中计算机设备的内部结构图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

如图1所示，本申请提供了一种散射条的添加方法，包括以下步骤：

S101：在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条。

如图2所示，在待校正图形10的外侧添加至少一初始散射条20。

在芯片的版图设计中，一个版图中的图形结构可以包括周期性线条阵列(ThroughPitch，TP)结构、密集线条阵列结构、独立线条阵列结构、独立线条端点阵列结构和密集线条端点阵列结构中的至少一种。其中，一个版图中又既有密集图形也有稀疏图形，例如，对于TP结构的图形而言，密集图形可以为间距较小的线条图形，稀疏图形可以为间距较大的线条图形。

本实施例中，待校正图形10可以对应于版图设计中的稀疏图形，例如，若版图设计中的图形结构为TP结构的图形，则待校正图形10可以为TP图形中的稀疏图形。当然，在其他的应用场景中，待校正图形10也可以为其他图形结构对应的稀疏图形，本实施例在此不做限制。

另外，为了便于理解本方案，图2中只示出了一个待校正图形10，而应当理解的是，在实际的应用场景中，待校正图形10可以为多个。

其中，初始散射条20的数量可以根据实际的图形结构而确定，虽然图2中示出了四个初始散射条20，然而在实际的应用场景中，根据不同的图形结构可以对初始散射条20的数量进行适应性地增加或者减少，以适应不同的需求。

S102：利用光学邻近校正模型对待校正图形进行校正得到目标图形。

利用光学邻近校正（Optical Proximity Correction，OPC）模型对待校正图形10进行校正得到目标图形101，如图3所示，经校正后得到的目标图形101的尺寸大于校正前的待校正图形10的尺寸。

S103：获取目标图形与初始散射条之间的第一距离。

第一距离为初始散射条与目标图形之间的最短距离。请继续参阅图3，获取目标图形101与初始散射条20之间的第一距离；第一距离为初始散射条20与目标图形101之间的最短距离。图3中，目标图形101与初始散射条20之间的第一距离为b。

其中，初始散射条20与目标图形101之间的最短距离是指位于目标图形101两侧的距离最近的一根初始散射条20与目标图形101之间的距离。例如，图3中，目标图形101与其右侧距离最近的一根初始散射条20之间的距离为初始散射条20与目标图形101之间的最短距离（即第一距离b），并且，目标图形101与其左侧距离最近的一根初始散射条20之间的距离也为初始散射条20与目标图形101之间的最短距离（即第一距离b）。

可选的，位于待校正图形10同一侧的相邻初始散射条20之间的距离相等。

S104：根据第一距离、待校正图形和目标图形添加至少一目标散射条，其中，目标散射条与目标图形之间的第一最小距离与初始散射条与待校正图形之间的第二最小距离相同。

其中，目标散射条201与目标图形101之间的第一最小距离是指位于目标图形101两侧的距离最近的一根目标散射条20与目标图形101之间的距离；初始散射条20与待校正图形10之间的第二最小距离是指位于待校正图形101两侧的距离最近的一根初始散射条20与待校正图形10之间的距离。为了便于理解本方案，图2中的a为初始散射条20与待校正图形10之间的第二最小距离；图3中的b为目标图形101与初始散射条20之间的第一距离；图6中的c为目标散射条201与目标图形101之间的第一最小距离。

如图2、图3所示，由于待校正图形10经光学邻近校正模型校正后，所得到的目标图形101的尺寸将会大于待校正图形10的尺寸，从而目标图形101与初始散射条20之间的第一距离b将会小于待校正图形10与初始散射条20之间的第二最小距离a，从而增加散射条转印输出(print-out)的风险，同时会导致光刻工艺窗口变小，从而最终导致芯片的良率下降。

上述散射条的添加方法，通过在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条，并利用光学邻近校正模型对待校正图形进行校正得到目标图形，从而获取目标图形与初始散射条之间的第一距离，第一距离为初始散射条与目标图形之间的最短距离。从而根据第一距离、待校正图形和目标图形添加至少一目标散射条，并使得经光学邻近校正模型校正后得到的目标图形与添加的目标散射条之间的第一最小距离等于初始散射条与待校正图形之间的第二最小距离，从而能够减少散射条转印输出的风险以及避免光刻工艺窗口变小，从而能够避免芯片的良率下降。

在一个实施例中，如图4所示，在上述步骤S102之前，还可以包括如下步骤：

S401：绘制多个基准点图形30，并选取中间的基准点图形30作为量测点，如图5所示；

S402：获取量测点的测量坐标；

S403：将量测点的测量坐标与量测点的目标值整合在一起复制多次后连同黄光参数一起进行拟合，以生成光学邻近校正模型。

本实施例中，光学邻近校正模型可以为一种模拟黄光条件的纯光学环境模型，光学邻近校正模型不考虑散射条件和光阻碍图形的密度。

具体的，可以通过高分辨率的电子显微镜 (Scanning Electron Microscope，SEM)获取量测点的测量坐标，测量坐标可以为线宽或者孔洞的坐标。例如，如图5所示，中间的基准点图形30的测量坐标可以包括（X1，Y1）和(X2，Y2)，通过将测量点的测量坐标与量测点的目标值整合在一起复制多次后连同黄光参数一起进行拟合，以生成光学邻近校正模型。影响黄光参数的因素例如包括照明系统，光源图，数值孔径等等。

在一个实施例中，如图7所示，上述步骤S104，具体包括如下步骤：

S1041：分别获取待校正图形10和目标图形101之间的偏差值，以及第二最小距离，确定目标距离。

请参阅图2、图3以及图6，经光学邻近校正模型校正后的待校正图形10的尺寸变大而形成目标图形101，因而待校正图形10与目标图形101的尺寸之间具有一定的偏差，可以将偏差值设为s，则s为初始散射条20与待校正图形10之间的第二最小距离a与目标图形101与初始散射条20之间的第一距离b之间的差值，即s=|a-b|。再根据第二最小距离a确定此时的目标距离为a+s。

S1042：根据目标距离添加至少一候选散射条202，并利用光学邻近校正模型对目标图形101进行校正以得到候选图形102。

如图8以及图9所示，根据目标距离a+s，添加至少一候选散射条202，并令候选散射条202与目标图形101之间的最小距离为目标距离a+s，再经过OPC模型校正以得到候选图形102。

S1043：若候选散射条202与候选图形102之间的第三最小距离与第二最小距离相同，则将候选散射条202作为目标散射条201。

如图8以及图9所示，图8中的目标图形101再次经过OPC模型校正后，得到候选图形102，此时候选散射条202与候选图形102之间的第三最小距离为d，若第三最小距离d与第二最小距离a相同，则将候选散射条202作为目标散射条201。

可选的，初始散射条20的数量、目标散射条201的数量以及候选散射条202的数量相等。

本实施例中，通过待校正图形10和目标图形101之间的偏差值|a-b|以及第二最小距离a确定一个目标距离，并根据此目标距离添加至少一候选散射条202，并利用光学邻近校正模型对目标图形101进行校正以得到候选图形102，此时若候选散射条202与候选图形102之间的第三最小距离d与第二最小距离a相同，则将候选散射条202作为目标散射条201，从而此时得到的目标散射条201与候选图形102之间的第三最小距离d与第二最小距离a相同，即此时的候选图形102与目标散射条201之间的第三最小距离d经OPC模型校正后依旧等于待校正图形10与初始散射条20之间的第二最小距离a，从而能够避免散射条转印输出的风险以及避免光刻工艺窗口变小，从而能够进一步地避免芯片的良率下降。

在上述实施例的基础上，在一个实施例中，若图9中的第三最小距离d与图2中的第二最小距离a不同，则重复执行添加操作，直到下一候选散射条202与下一候选图形102之间的第三最小距离d与第二最小距离a相同；其中，添加操作包括：根据预设阈值对目标距离进行更新，根据更新后的目标距离添加至少一下一候选散射条202，并利用光学邻近校正模型对上一候选图形102进行校正以得到下一候选图形102。

本实施例中，若第三最小距离d与第二最小距离a不同，则不断调整预设阈值m的大小，并根据不同的预设阈值不断地对目标距离进行更新。并根据更新后的目标距离添加至少一下一候选散射条202，同时利用光学邻近校正模型对上一候选图形102进行校正以得到下一候选图形102，从而能够不断地对候选散射条202与候选图形102之间的第三最小距离进行微调，直到下一候选散射条202与下一候选图形102之间的第三最小距离与第二最小距离相同。从而能够减少散射条转印输出的风险以及避免光刻工艺窗口变小，从而能够进一步地避免芯片的良率下降。

在上述实施例的基础上，在一个实施例中，根据预设阈值对目标距离进行更新，包括：根据预设阈值和目标距离的和值对目标距离进行更新。

具体的，如图10所示，在进行OPC模型校正前，候选图形102与候选散射条202之间的距离为a+s+m，若经OPC模型校正后，得到的图9中的候选图形102与候选散射条202之间的第三最小距离d与第二最小距离a不同，则重复执行添加操作以对m的大小进行微调，从而调整图10中的候选图形102与候选散射条202之间的距离a+s+m，其后再进行OPC模型校正，直到下一候选散射条202与下一候选图形102之间的第三最小距离d与第二最小距离a相同。

其中，预设阈值m的大小可以根据实际的应用场景而确定。可以理解的是，预设阈值m通常为较小的值，这是由于经过上述步骤S1043以后，即使候选散射条202与候选图形102之间的第三最小距离d不等于第二最小距离a，此时第三最小距离d与第二最小距离a之间的差距也不会太大，此时只需加入较小的预设阈值m，令目标距离更新为a+s+m，即可对第三最小距离d进行微调，从而令第三最小距离d更接近第二最小距离a。其后，重新执行添加操作，并反复调整预设阈值m的大小，即可令第三最小距离d等于第二最小距离a。

示例性的，以待校正图形10为TP图形中的稀疏图形为例，采用上述任一实施例中的散射条的添加方法对TP图形中的稀疏图形添加散射条，并可以作出不同间距的稀疏图形与散射条之间的最短距离的变化趋势图（trend chart），以验证本方法是否有效。其中，TP图形可以包括多组稀疏图形，每组中的各稀疏图形之间的间距相同，而各组稀疏图形之间的间距不同。各组稀疏图形之间的间距可以处于200nm~1500nm之间，例如，第一组稀疏图形之间的间距均为300nm，第二组稀疏图形之间的间距均为450nm。当然，每组稀疏图形之间的间距也可以处于其他合适的间距范围内，本实施例在此不做限制。

如图11所示，以TP图形中的各组稀疏图形之间的间距作为图11中的横坐标，例如，图11横坐标中的S350表示此组稀疏图形之间的间距均为350nm；并以稀疏图形与散射条之间的最短距离作为图11中的纵坐标，作出TP图形中各组不同间距的稀疏图形与散射条之间的最短距离的变化趋势图。图11中的实线用于反映采用本方法之前各组不同间距的稀疏图形与散射条之间的最短距离的变化趋势，图11中的虚线用于反映采用本方法之后各组不同间距的稀疏图形与散射条之间的最短距离的变化趋势。当最初设置稀疏图形与散射条之间的距离为130nm时可以保证散射条不会转印输出到晶圆上，但经过OPC模型修正以后，由于稀疏图形与散射条之间的距离被拉近，各组不同间距的稀疏图形与散射条之间的最短距离整体处于110nm左右，如图11实线所示，此时散射条存在转印输出的风险。而经本方法添加散射条后，各组不同间距的稀疏图形与散射条之间的最短距离整体处于130nm左右，如图11虚线所示，从而采用本方法能够减少散射条转印输出的风险以及避免光刻工艺窗口变小，从而能够进一步地避免芯片的良率下降。

另外，图11中存在一些突出的点（例如实线上S400左右对应的点，以及虚线上S450左右对应的点），这是由于当稀疏图形之间的间隔处于一些特殊数值时，例如两稀疏图形之间的间隔为400nm，此时在两稀疏图形之间插入三根散射条则会导致散射条与稀疏图形之间的最短距离小于设定的130nm，而当插入两根散射条并使散射条与稀疏图形之间的最短距离保持为130nm时，此时的两个散射条之间的距离又相隔的较远，可能存在难以达到从光学角度将稀疏图形变成密集图形的效果，因此可以将散射条与稀疏图形之间的最短距离保持为160nm左右，从而导致图11中出现了一些较为突出的点。当然，需要说明的是，这些较为突出的点并不会影响到本方法的有益效果，即并不会增加散射条转印输出的风险以及使光刻工艺窗口变小。

在一个实施例中，上述步骤S1042，包括：去除初始散射条20，并根据目标距离新增至少一候选散射条202。

如图2以及图3所示，可以理解的是，在目标距离确定以后，可以去除图2中的初始散射条20，从而根据目标距离重新绘制如图3所示的候选散射条202。

在一个实施例中，上述步骤S1042，还可以包括：根据目标距离移动初始散射条20，以添加至少一候选散射条202。

如图2以及图3所示，可以理解的是，在目标距离确定以后，可以将图2中的初始散射条20直接进行移动而得到候选散射条202。

在一个实施例中，如图12所示，上述步骤S103，包括：

S1031：获取距离目标图形101最近的目标初始散射条20；如图3所示，图3中距离目标图形101最近的目标初始散射条20可以为目标图形101右侧的第一根初始散射条20；当然，图3中距离目标图形101最近的目标初始散射条20还可以为目标图形101左侧的第一根初始散射条20。

S1032：根据目标初始散射条20和目标图形101确定第一距离b，如图3所示。

本申请还提供了一种掩膜版的制备方法，如图13所示，包括：

S1301：采用上述任一项实施例中的散射条的添加方法对目标图形101添加目标散射条201；

S1302：将目标图形101以及目标散射条201转移至掩膜版上。

上述掩膜版的制备方法，通过采用上述任一项实施例中的散射条的添加方法对目标图形101添加目标散射条201，并将目标图形101以及目标散射条201转移至掩膜版上，从而掩膜版上的目标图形101经曝光后能够顺利转移到晶圆上，同时由于掩膜版上的目标图形101与目标散射条201之间的距离保持的足够大，从而目标散射条201不会转印输出到晶圆上，从而能够减少散射条转印输出的风险以及避免光刻工艺窗口变小，从而能够避免芯片的良率下降。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的散射条的添加方法的散射条的添加装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个散射条的添加装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于散射条的添加方法的限定，在此不再赘述。

在一个实施例中，如图14所示，提供了一种散射条的添加装置，包括：第一添加模块、校正模块、获取模块以及第二添加模块，其中：

第一添加模块，用于在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；

校正模块，用于利用光学邻近校正模型对待校正图形进行校正得到目标图形；

获取模块，用于获取目标图形与初始散射条之间的第一距离；第一距离为初始散射条与目标图形之间的最短距离；

第二添加模块，用于根据第一距离、待校正图形和目标图形添加至少一目标散射条，其中，目标散射条与目标图形之间的第一最小距离与初始散射条与待校正图形之间的第二最小距离相同。

本实施例提供的散射条的添加装置，可以执行上述方法实施例，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

在一个实施例中，第二添加模块包括：第一获取单元、校正单元以及判断单元，其中：

第一获取单元，用于分别获取待校正图形和目标图形之间的偏差值，以及第二最小距离，确定目标距离；

校正单元，用于根据目标距离添加至少一候选散射条，并利用光学邻近校正模型对目标图形进行校正以得到候选图形；

判断单元，用于在候选散射条与候选图形之间的第三最小距离与第二最小距离相同时，则将候选散射条作为目标散射条。

本实施例提供的散射条的添加装置，可以执行上述方法实施例，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

在一个实施例中，判断单元还用于在第三最小距离与第二最小距离不同时，则重复执行添加操作，直到下一候选散射条与下一候选图形之间的第三最小距离与第二最小距离相同；其中，添加操作包括：根据预设阈值对目标距离进行更新，根据更新后的目标距离添加至少一下一候选散射条，并利用光学邻近校正模型对上一候选图形进行校正以得到下一候选图形。

本实施例提供的散射条的添加装置，可以执行上述方法实施例，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

在一个实施例中，在重复执行添加操作时，判断单元根据预设阈值对目标距离进行更新，包括：判断单元根据预设阈值和目标距离的和值对目标距离进行更新。

本实施例提供的散射条的添加装置，可以执行上述方法实施例，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

在一个实施例中，校正单元根据目标距离添加至少一候选散射条，包括：校正单元去除初始散射条，并根据目标距离新增至少一候选散射条。

本实施例提供的散射条的添加装置，可以执行上述方法实施例，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

在一个实施例中，校正单元根据目标距离添加至少一候选散射条，包括：校正单元根据目标距离移动初始散射条，以添加至少一候选散射条。

本实施例提供的散射条的添加装置，可以执行上述方法实施例，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

在一个实施例中，获取模块还包括第二获取单元以及确定单元，其中：

第二获取单元，用于获取距离目标图形最近的目标初始散射条；

确定单元，根据目标初始散射条和目标图形确定第一距离。

本实施例提供的散射条的添加装置，可以执行上述方法实施例，其实现原理和技术效果类似，在此不再赘述。

上述散射条的添加装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图15所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、通信接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过WIFI、移动蜂窝网络、NFC（近场通信）或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种散射条的添加方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。

本领域技术人员可以理解，图15中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：

在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；

利用光学邻近校正模型对待校正图形进行校正得到目标图形；

获取目标图形与初始散射条之间的第一距离；第一距离为初始散射条与目标图形之间的最短距离；

根据第一距离、待校正图形和目标图形添加至少一目标散射条，其中，目标散射条与目标图形之间的第一最小距离与初始散射条与待校正图形之间的第二最小距离相同。

上述实施例提供的计算机设备，其实现原理和技术效果与上述方法实施例类似，在此不再赘述。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；

利用光学邻近校正模型对待校正图形进行校正得到目标图形；

获取目标图形与初始散射条之间的第一距离；第一距离为初始散射条与目标图形之间的最短距离；

根据第一距离、待校正图形和目标图形添加至少一目标散射条，其中，目标散射条与目标图形之间的第一最小距离与初始散射条与待校正图形之间的第二最小距离相同。

上述实施例提供的计算机可读存储介质，其实现原理和技术效果与上述方法实施例类似，在此不再赘述。

在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；

利用光学邻近校正模型对待校正图形进行校正得到目标图形；

获取目标图形与初始散射条之间的第一距离；第一距离为初始散射条与目标图形之间的最短距离；

根据第一距离、待校正图形和目标图形添加至少一目标散射条，其中，目标散射条与目标图形之间的第一最小距离与初始散射条与待校正图形之间的第二最小距离相同。

上述实施例提供的计算机程序产品，其实现原理和技术效果与上述方法实施例类似，在此不再赘述。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（FerroelectricRandom Access Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（RandomAccess Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（DynamicRandom AccessMemory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。