晶体生长

本发明属于拉晶装置技术领域，具体为一种高温自动加料的拉晶装置及其使用方法，包括支撑座，所述支撑座的左侧固定设置有连接板，连接板的顶部固定连接有连接座，连接座的内部转动安装有转辊，转辊的表面安装有输送带，所述连接座的前后两端均固定安装有待转移支撑框，所述转辊的左右两侧均安装有自动送料组件，所述连接板的左侧和支撑座的左侧均固定连接有连接轴，所述连接轴和相邻连接轴之间转动连接有内管套，所述内管套的内部安装有牵引组件。该拉晶装置不仅能够将其中一处硅锭移动至待转移区域时，自动将下一处硅锭取出，而且能够根据熔融硅原料的液面高度位置进行自动定量加料，提高了生产效率和自动化程度。

本发明涉及热电材料技术领域，公开一类钴基全赫斯勒合金材料其制备方法和多晶体器件，所述钴基全赫斯勒合金材料为多晶体，化学式为Co2MnY1‑xZx，其中，Y＝Ga或Al，Z＝Si、Ge、Sn、Al、Ga、In中任一种，Y与Z不同，x表示原子百分比，0

本发明提供了一种P型碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长技术领域。P型碳化硅晶体电阻率最大值≤3Ω*cm，相同径向位置的轴向电阻率变化率≤25％；p型元素杂质含量≥1E17atoms/cm3，p型元素杂质变化率≤15％。本发明P型碳化硅晶体掺杂更均匀，电阻率更均匀，晶体透过率更高。

本发明是一种层叠结构体，其特征在于包括基底基板与以氧化镓为主成分的结晶性氧化物膜，所述结晶性氧化物膜的表面的均方根粗糙度为0.2μm以下，所述基底基板的直径为50mm以上，所述基底基板的TTV为30μm以下。由此，提供包含表面平滑的结晶性氧化物膜的层叠结构体以及所述层叠结构体的制造方法。

本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种大尺寸铌酸锂晶体的制备方法，包括以下步骤：a）籽晶加工：将籽晶晶体进行定向后切割成籽晶，切割时使籽晶引晶面避开脉理缺陷；b）调配原料：先按照氧化铌和碳酸锂的质量比1000：261~263调配原料，再考虑长晶炉中上一炉长晶后的残留底料对下一炉长晶的影响，通过计算的居里温度预估值进一步调节原料配比；（c）晶体生长：将调配好的原料放入热场中的坩埚内，升温使原料熔融，对熔融液进行保温预热后，下降籽晶与熔融液接触，籽晶缩颈后保温，进入晶体自动生长；d）晶体收尾：调整温度、转数进行长晶收尾，再提拉晶体脱离液面；e）晶体退火：当晶体脱离液面后，在炉内进行原位退火，再降至常温。

本文描述的实施方式一般涉及用于在沉积工艺中支撑基座的基座支撑件。所述基座支撑件包括轴杆；板，所述板具有耦合到轴杆的第一主要表面；和支撑元件，所述支撑元件从板的第二主要表面延伸。所述板可由对来自设置在板下方的多个能量源的辐射能量光学透明的材料制成。所述板可具有足够小以将辐射传输损耗最小化并且足够大以在处理期间热稳定并且机械稳定地支撑基座的厚度。所述板的厚度范围可为约2mm至约20mm。

本申请涉及晶体制备设备技术领域，提供一种晶体生长设备控制方法及系统。通过根据晶体类型、晶体生长量、粉体配比，基于智能匹配分析模型进行热场参数匹配获得动态热场变化序列，进一步结合晶体类型、晶体生长量、粉体配比进行生长参数聚类，基于聚类结果划分晶体生长监控周期，根据晶体生长监控周期划分结果、动态热场变化序列结合各周期晶体生长实时状态，构建长晶参数优化空间，基于优化参数组合控制晶体生长设备。解决现有技术中存在对于晶体生长制备设备的控制精度不足，导致基于晶体生长设备生产所获晶体与实际制备需求不适配的技术问题，实现提高对于晶体生长制备设备的控制精度，提高生产所获晶体与实际制备需求的适配度的技术效果。

本发明提供一种单晶炉真空度控制系统、单晶炉及方法，包括中炉筒、真空度控制单元、执行单元，真空度控制单元包括采集判断模块、控制器，执行单元包括氧化物去除模块、真空度调整模块，中炉筒与采集判断模块连接，采集判断模块与控制器的接收端连接，控制器的输出端与真空度调整模块的输入端连接，真空度调整模块与氧化物去除模块连接，氧化物去除模块与中炉筒连接，当采集判断模块采集中炉筒内的真空度与设定值进行判断，并将判断结果反馈至控制器，控制器控制真空度调整模块启动，真空度调整模块调整真空度达到设定值，在抽真空时气体先通过氧化物去除模块将氧化物去除，再进入真空度调整模块，使得真空度调整模块不会被氧化物影响，炉压稳定。

本申请涉及一种α‑FAPbI3晶体及其制备方法、钙钛矿太阳能电池。本申请的α‑FAPbI3晶体的制备方法，包括：使用2‑甲氧基乙醇溶解PbI2和FAI，得到钙钛矿溶液；向钙钛矿溶液中加入反溶剂，反溶剂包括正丁醇、正戊醇、正己醇、碳酸二甲酯和碳酸二乙酯中的至少一种；加热钙钛矿溶液以析出黑色沉淀。本申请的α‑FAPbI3晶体的制备方法制备α‑FAPbI3晶体的产率较高，同时能够得到纯度较高的α‑FAPbI3晶体。

本发明为一种大尺寸碳化硅单晶生长方法及装置，包括保温层、石墨坩埚、第一加热装置、第二加热装置，将石墨坩埚放置在保温层的空腔内，石墨坩埚包括结晶区和原料气化区，石墨坩埚的外表面还设有第一加热装置和第二加热装置，分别对原料气化区和结晶区加热，通过控制装置控制第一加热装置和第二加热装置分别对原料气化区和结晶区进行单独加热，使得原料气化区的第一温度场和结晶区的第二温度场的温度更加容易控制，而且控制的更加精准，并防止籽晶表面的石墨化。其次在保温层的顶部设置多组偏心设置的散热孔，不仅使得保温层内的热量能够有效散失，起到增大轴线温度梯度的作用，而且对籽晶边缘部的散热效果更佳，进一步减小了径向温度梯度。

本发明公开了一种提高大直径单晶硅放肩稳定性的方法。所采用的放肩过程包括以下步骤：(1)根据原有放肩程序确定放肩整体所需功率和放肩时长，按照时长将放肩过程分成若干阶段；(2)第一阶段时长降温调整，首次调整功率为各阶段功率均值，功率根据放肩速度进行调整，直至放肩速度偏差小于2％；(3)第二阶段时长降温调整，首次调整功率为剩余功率与剩余阶段的功率均值，功率根据放肩速度进行调整，直至放肩速度偏差小于2％，调整方法与步骤(2)相同；(4)重复步骤(2)、(3)，完成剩余各阶段功率调整；(5)调整完成后计算各阶段降温加速度并对其与时间的关系进行曲线拟合，得到相应的函数关系，根据函数关系对各阶段功率进行优化。

本发明属于二维非层状材料的制备领域，具体涉及一种Cr3Te4非层状二维材料的制备方法，将CrCl3、Te粉加热挥发，并在含氢载气、650‑780℃的沉积温度下在基底表面化学沉积得到Cr3Te4非层状二维材料；所述的CrCl3、Te粉的质量比为1～3:1；Te粉的挥发温度为590～700℃；CrCl3的挥发温度为650‑780℃；所述的含氢载气中的氢气的体积含量大于20％；含氢载气中氢气的流量为10～60sccm。本发明还包括所述的制备方法制得的材料及其应用。本发明制备方法能够得到高物相纯度、高结晶度并兼顾优异空气稳定性和溶液稳定性的新材料，且该材料具有优异的光电磁应用前景。

本发明涉及单晶硅电池制造领域，尤其涉及一种制绒添加剂及其制备方法和应用，所述制绒添加剂，按照重量百分比计算包括：烷基磺酸盐1‑5%、聚丙烯酰胺0.15‑1%、烷基酚聚氧乙烯醚0.5‑5%，余量为水。本发明中的制绒添加剂在制绒过程中能够对硅片表面的不同晶面进行诱导，从而在硅片表面形成八面体绒面结构，并且制备得到的八面体结构绒面结构稳定，能够紧密均匀分布在硅片表面，还具有制备方法简单，原料成本低的优点。

本发明涉及一种采用自制二氧化锰掺杂包覆制备单晶锰酸锂正极材料的方法，属于电池正极材料制备技术领域.包括以下步骤:(1)β‑MnO2的除杂和掺杂制备处理;(2)前驱体的制备（原料混合包覆干燥）;(3)一次低温煅烧;(4)颗粒整形处理。本发明在β‑MnO2制备阶段进行深入除杂，并引入可掺杂元素；同时，对制备β‑MnO2颗粒度进行调控；后续原料混合中，首先引入有机分散剂，减少材料颗粒的团聚和长大；其次引入共包覆添加剂，提高材料在电池中的综合性能。

本发明提供了一种氮化铝单晶生长用复合籽晶托的制备方法，复合籽晶托的结构是由钨厚片、钨薄片和烧结固熔层组成，制备方法如下：将组成烧结固熔层的混合粉体添加到水溶性溶剂和分散剂中，搅拌配置成混合粉体悬浮液；然后在钨厚片上沉积一层厚度均匀的混合粉体悬浮液并固化；将钨薄片垂直放置在固化的混合粉体悬浮液上面，并用钨材质的重块压平；最后将复合籽晶托的结构放置在高温炉内进行保温、煅烧，使得结构中悬浮液分散剂和基础粉体氮化铝粉挥发完全，经过煅烧后的烧结固熔层形成仅由添加粉体构成的孔隙均匀分布的多孔结构层，最终获得完整一体的复合籽晶托。本发明可有效解决由热失配引起的晶体中裂纹或开裂现象，提升生长晶体的完整性。

本发明涉及一种碲锌镉晶片制备的除杂方法，包括如下步骤：对制备所需的碲锌镉三种原料分别进行酸洗，再用流动的纯水冲洗，最后再进行烘干待用；对制备所需的石英管进行酸洗，再用流动的纯水冲洗，最后再进行烘干待用；将碲锌镉三种原料依次装入经过处理的石英管内，并充入保护气后封闭石英管，随后将石英管放置到温度范围为500‑1000℃的摇摆炉中进行合成反应，制备得到单晶晶棒；在无尘和高于大气压环境中将得到的单晶晶棒经切片、腐蚀、抛光和清洗处理。本发明实施例的碲锌镉晶片制备的除杂方法过程简单，能充分降低碲锌镉晶片制备时的含杂量，有利于保证制备得到的碲锌镉晶片的纯度。

本发明涉及单晶高温合金制备技术领域，尤其涉及一种[111]取向单晶高温合金的制备方法。本发明提供的制备方法采用高指数取向籽晶制备[111]取向单晶高温合金，这些籽晶高指数取向距离微观枝晶干生长的[001]方向和宏观铸件[111]主轴之间的夹角较小。在凝固过程中，缓解了微观[001]取向枝晶干生长和宏观[111]取向铸件主轴两者非优即劣极端化问题，实现了微观枝晶较稳定生长和宏观铸件铸造较友好的兼顾性设计，有利于改善[001]或[111]低指数取向籽晶制备[111]取向单晶时所产生的枝晶间连续性偏析或枝晶干交截所致铸造孔洞的问题。提升[111]取向单晶高温合金高温拉伸与蠕变性能。

本发明公开了一种面向4～5微米全固态激光器的铥镝共掺低声子能量溴化物激光晶体及其制备方法，涉及中红外激光材料与器件领域。该晶体分子式为M(TmxDyyPb1‑x‑y)2Br5，其中M为金属元素K、Rb、Tl，x取值范围为：0.01≤x≤0.1，y取值范围为：0.001≤y≤0.05。该激光晶体中，铥离子作为敏化离子，吸收近红外波段商业半导体激光器能量并传递给镝离子。镝离子作为激活离子，通过Dy3+:6H11/2→6H13/2跃迁获得4～5微米波段高效激光输出。低声子能量的M(TmxDyyPb1‑x‑y)2Br5晶体具备优异的激光特性且能通过商业LD直接泵浦，能够推动镝激活中红外激光器的小型化发展。

一种改善腔体铝环境的镀层及其沉积方法，涉及半导体材料技术领域；步骤包括：1)对腔体进行烘烤；2)在所述烘烤后的腔体表面沉积第一GaN层；3)在所述第一GaN层上沉积p‑GaN层；4)关闭MO源并通入氢气，对所述腔体进行二次烘烤；5)在所述p‑GaN层上沉积第二GaN层；6)在所述第二GaN层上沉积AlN层。本发明在沉积p‑GaN层程序后加入二次烘烤程序，使腔体中未完全附着的镀层被烤掉，从而留下附着力比较强的Coating晶核，在后续的沉积过程中可以使更多的镀层附着在腔体壁上，进而可以使更多的铝组分吸附在腔体内，使腔体处于富铝状态；为后续生长GaN或LED结构提供更好的腔体环境，改善了晶体表面。

本发明涉及一种多层夹心型三维多酸基金属有机杂化材料的制备及应用。本发明的目的是要解决一些多酸基杂化材料作为超级电容器电极材料在溶液中稳定性差，导电性能不高的问题，提供一种可以提高其电容性能作为超级电容器电极材料的制备方法。本发明的一种多层夹心型三维多酸基金属有机杂化材料的化学式为[Ag2H7(pybta)6(PMo12O40)3]·12H2O，其中pybta为1‑吡啶‑3‑亚甲基‑1H‑苯并三氮唑。合成方法为将磷钼酸、硝酸银和pybta加入到蒸馏水中搅拌均匀，调节pH值，在温度为140℃下反应4天，获得的杂化材料制得的电极材料在1A/g电流密度下比电容值为408F/g。本发明的杂化材料可作为多酸基金属有机超级电容材料使用。本发明应用于多酸基无机有机储能材料的制备领域。

本发明涉及一种对向靶磁控溅射制备外延铁锡合金薄膜的方法，在Al2O3(0001)单晶基片上外延生长了Fe3Sn2薄膜；在MgO(111)单晶基片上外延生长了Fe3Sn2薄膜。采用磁控溅射法成功制备出外延Fe3Sn2薄膜。具有靶材选择简单和靶材使用率较高等优点。生长的Fe3Sn2薄膜面外方向高磁场区域的霍尔电阻率斜率随着温度升高由负变为正；反常霍尔电阻率随磁场的变化具有磁滞特性；表现出拓扑霍尔效应。磁控溅射生长法利于扩大工业生产、降低生产成本；直接在单晶基片上外延生长Fe3Sn2薄膜有利于研究Fe3Sn2薄膜的本征磁性与电输运特性；所得晶体质量高；在新型拓扑自旋电子学器件的制备上具有潜在的价值。

本发明属于外延生长技术领域，特别涉及一种外延炉的阀门隔热装置及外延炉，其中，外延炉的阀门隔热装置包括：法兰，用于连接外延炉的反应室和外延炉的传输阀，法兰上设有用于进行衬底上下料的传输口；装置还包括：隔热挡板，活动安装在法兰靠近反应室的一侧；驱动机构，安装在法兰上，且与隔热挡板连接，用于根据反应室的运行状态驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输口；该装置能根据反应室的运行状态利用驱动机构驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输阀与反应室之间的法兰上的传输口，从而减少了传输阀的温升，有效避免了传输阀的阀板因高温而损耗使用寿命，并有效减少反应室内高温对传输室内温度的影响。

本发明公开了一种配合物晶体恒温培育装置，属于配合物晶体合成技术领域，包括隔热盖体，所述隔热盖体底部通过合页铰接有釜体，所述釜体顶部固定安装有承接套，所述承接套顶部固定安装有多个用于控温的加热机构。本发明中，导热座能够通过换热板将热量与釜体内介质进行交换的同时将热量快速导入样品管内对配合物晶体溶液进行温度调控，同时导热座能够通过设计的弧形插置槽实现放置座的多轴角度的装配限位，有利于调控不同温度分区情况下的控制装置处理需要，同时能够通过换热板与单侧放置座内多个样品管的贴合实现热量的均匀传导，有效提高换热时的均热效果，避免因控热温度不均影响到配合物镜体的恒温处理效果。

本发明涉及一种大面积少层/单层极化激元晶体及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：利用反应离子束对多层极化激元晶体刻蚀至少层/单层，即得所述大面积少层/单层的极化激元晶体。本发明提供的制备方法能够自由实现极化激元晶体层数的调控，得到大面积少层/单层极化激元晶体，且便于操作、使用能耗较低。

本发明公开了一种碲锌镉晶体生长装置及生长方法，包括：炉体，设有加热腔；生长坩埚，包括回收端与生长端，放置于加热腔内，生长坩埚内包括生长原料，并且真空密封，生长原料为碲块或富碲的碲锌镉多晶料以及所需要生长的碲锌镉晶体的多晶料；升降单元，与生长坩埚可拆卸地连接，驱动生长坩埚沿预设方向移动，在加热腔对生长坩埚加热至生长原料融为熔体且稳定后，生长坩埚相对炉体向下方向运动，熔体析出碲锌镉晶体；旋转单元，与炉体连接；当碲锌镉晶体析出完成，旋转单元驱动炉体旋转，将附着于碲锌镉晶体上的剩余熔体移动至回收端与碲锌镉晶体分离。本发明可降低晶体开裂的概率，避免晶体形成包裹层，从而提高晶体的品质。

本发明实施例提供了一种晶体生长用坩埚及晶体生长方法，晶体生长用坩埚包括坩埚本体，在坩埚本体的内部形成有主腔体室，在坩埚本体的底部设置有籽晶平台，坩埚本体的底部还设置有环绕所述籽晶平台布置且与主腔体室连通的低温引导室，低温引导室的高度低于籽晶平台，在低温引导室与籽晶平台之间形成低温引导室的入口，坩埚本体的侧壁由上至下包括第一部段和第二部段，第一部段呈圆筒状，在第一部段的内壁上设置有盛料装置，第二部段的内径由上至下逐渐减小，第二部段的下端延伸至低温引导室的入口，低温引导室的入口处为高温热区。低温引导室用于沉积杂质、多余组份和多晶，高温热区用于降低籽晶边缘处生长气体的饱和度，避免籽晶周围多晶的产生。

本发明公开了一种铈锂双掺氯化铯锆闪烁晶体，该晶体是以设定比例的非等价单元取代晶体中的ZrCl6八面体形成的Cs2Zrx/(Ce6Li)1‑xCl6体系；其分子式为Cs2Zrx/(Ce6Li)1‑xCl6，其中0＜x＜1。本发明以所述闪烁晶体的制备方法为例公开了一种非等价单元共取代策略，即将非等价元素以一个单元的形式取代，该策略可以应用于Cs2ZrCl6晶体的设计与改进。本发明还公开了所述铈锂双掺氯化铯锆闪烁晶体在中子/γ射线双探测中的应用。实验证实：本发明的晶体光致发光光谱显示Ce已成功掺入晶体，且自吸收很低，在430nm处为Ce3+的发光，506nm处为自陷激子发光。预示其作为制备中子/γ射线双探测材料具有广阔的应用前景。

本发明提供了一种用于外延生长的反应装置，包括：反应器、石英腔、感应加热装置与进出气装置，所述感应加热装置包括感应加热线圈，所述感应加热线圈缠绕于石英腔外部，所述反应器设置于石英腔内部，所述进出气装置与所述反应器连接，本发明中感应加热线圈缠绕于石英腔外部，通过感应加热内部的石墨零部件为CVD反应提供热源，上半月保温层和下半月保温层合抱为圆管为内部的零部件保温。本发明解决了目前缺乏专用于外延生长的反应装置的问题。

本申请提供一种旋转轴固持装置及薄膜气相沉积设备，旋转轴固持装置包括第一固持组件、第二固持组件以及联接组件，第一固持组件包括第一固持件，第一固持件位于第二端并与所述反应室相对固定，并包括至少一个第一表面，第一表面可平行于旋转轴位于第一端处的沿径向的横截面；第二固持组件包括第二固持件，第二固持件包括至少一个第二表面，其沿第二端的中心轴可线性运动地连接至第二端；联接组件设置于第一固持件与第二固持件间；第二表面与旋转轴位于第二端处的中心轴垂直，第一固持件与第二固持件相对固定时，第二表面平行于第一表面，第二端的中心轴与第一端的中心轴共线，以解决旋转轴的中心轴相对于竖直方向偏转的技术问题。

本发明涉及一种掺铬钇钪近红外波段超快超强激光晶体及其制备方法和应用，该晶体的化学式为Y(Sc1‑xCrx)O3，其中x的取值范围为0.00001‑0.3，该晶体属于立方晶系，晶胞参数为a＝b＝c＝10.18802，具有高的熔点(＞2000℃)、低的声子能量(400cm‑1)和优异的机械性能，采用浮区法或者导模法生长。与现有技术相比，本发明晶体材料能实现高效可调谐和超快激光输出，通过啁啾脉冲放大(CPA)技术可使超短脉冲激光的峰值功率达到几十个拍瓦，几十亿电子伏特，甚至几万亿电子伏特的能量，是目前人类认知中最亮的光源。在这样的激光特性下，激光与物质的相互作用将会进入一个从未有过的强相对论性和高非线性的领域，将在激光聚变、离子加速、高能物理等方面有极大的应用潜力和价值。

一种钬‑铋磁制冷材料及其制备方法和应用，属于磁制冷技术领域，钬‑铋磁制冷材料为钬‑铋单晶材料或者钬‑铋多晶材料，钬‑铋磁制冷材料的化学式为：HoBi，具有氯化钠型立方晶体结构，空间群为Fm‑3m，钬‑铋磁制冷材料的相变温度为3.7K与6K；钬‑铋单晶和多晶材料均可以用于液氦温区多级制冷和绝热退磁，并且本发明中提供了钬‑铋单晶和多晶材料的制备方法。本发明提供的钬‑铋磁制冷材料，具有无滞后特性、在液氦温区能实现高磁熵变，钬‑铋磁制冷材料在高磁场条件下具有较大的低场连续正负磁热效应，在高场下具有较大的负磁热效应，不仅可用于一般的磁制冷技术，且可在多级制冷和绝热退磁技术方面实现应用。

本申请公开了一种氧化镓晶体及其制备方法和应用。所述氧化镓晶体是多孔的；孔径尺寸为100nm～1000nm。利用磷酸镓晶体与氧化镓晶体晶格匹配相似但镓含量高的特点，使磷酸镓单晶衬底与氩气在高温下由外及里氧化转化逆向外延生长氧化镓晶体，其余产物完全挥发。衬底与氩气在高温下，是磷元素挥发，外延生成多孔氧化镓单晶晶体。操作简单、重复性好、适合大规模化生产。得到的多孔氧化镓单晶晶体的晶体尺寸与所采用的磷酸镓单晶材料的尺寸相同。本领域技术人员可以根据实际需要，通过选择合适尺寸的磷酸镓单晶材料，从而得到所需要的多孔氧化镓单晶晶体。

本公开提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法及其薄膜，其中，本公开的一个方面提供了一种提高薄膜厚度均匀性的制备方法，包括：利用脉冲激光沉积方法在衬底上生长薄膜籽晶层，得到具有薄膜籽晶层的衬底；通过不同于脉冲激光沉积方法的其他生长方法在具有薄膜籽晶层的衬底上继续进行同质外延生长，直至薄膜的厚度达到预设阈值，其中，其他生长方法包括以下之一：电子束蒸镀、直流磁控溅射、射频磁控溅射、离子束蒸镀、金属有机物化学气相沉积、分子束外延、原子层沉积、等离子体化学气相沉积。

本发明涉及加热装置技术领域，且公开了一种氮化镓衬底生长热场装置，包括加热盘和炉体，所述加热盘的底部铺设有加热圈，且加热盘与加热圈均位于炉体的内部；所述加热盘的上方设有若干个可变换的激光反射台和激光器；所述激光器位于加热盘和激光反射台的正上方。本发明提出一种氮化镓衬底生长热场装置，本发明对上表面和下表面同时进行加热，同时提高加热区域的均匀性和精准性。

本发明公开了太赫兹波段用小尺寸超薄单晶金刚石窗片的制备方法，包括以下步骤：(1)对单晶金刚石籽晶片进行微波等离子体化学气相沉积，刻蚀表面后同质外延生长单晶金刚石，得到单晶金刚石片；(2)加工步骤(1)得到的单晶金刚石片以达到目标尺寸；(3)将步骤(2)加工好的单晶金刚石片固定于相适配的多晶金刚石模板中进行抛光处理，脱模后得到所述的单晶金刚石窗片。本发明方法具有简单高效、可控性好、重复率高，能够实现批量加工且产品质量稳定性好的特点，制得的单晶金刚石窗片没有晶界，气密性好，且机械性能优异、介电损耗低、热导率高，能够满足太赫兹行波管在高频波段大功率连续输出需求。

本发明公开了一种大尺寸铌酸锂晶片的加工方法，包括以下步骤:步骤1：通过制备富锂多晶料、熔化、提拉生长工艺，得到大尺寸铌酸锂晶体；步骤2：将切割后的大尺寸铌酸锂晶片研磨，双面减薄，得到表面具有粗糙结构的大尺寸超薄铌酸锂双面减薄片；然后，置于抛光装置中进行处理，得到大尺寸铌酸锂晶片，本发明通过制备富锂多晶料、熔化、提拉生长、研磨，双面减薄和抛光等工艺制备得到大尺寸铌酸锂晶片；该大尺寸铌酸锂晶片的加工方法具有工艺简单，一次抛光，批量生产，抛光效率高，生产的铌酸锂晶片表面平坦度高。

本发明公开了一种中温高蠕变强度的单晶高温合金，包括：无序相；有序相，占总体积分数的55‑70％，分布于所述无序相中；有序相包括，大有序相，其尺寸为200‑400nm，呈立方形貌；小有序相，其尺寸为2‑50nm，呈近圆形；大有序相占有序相体积分数的96‑99％。本发明还公开了一种中温高蠕变强度的单晶高温合金的制备方法及其应用。本发明通过有序相再分配处理实现了单晶高温合金中温高应力蠕变性能的显著提升，相比于仅经过固溶、时效两步常规热处理的合金材料：蠕变第二阶段应变速率可下降1‑2个数量级；持久寿命最大可延长1倍以上。

本发明提供应用于样品台的降温装置，包括连接部件和降温组件，其中，降温组件顶部具有能够与样品台底部形成配合的支撑部分，连接部件其中一端与降温组件连接，连接部件的另一端与线性推拉装置连接，线性推拉装置布置在分子束外延系统腔体上并且能够将连接部件推入和拉出分子束外延系统腔体。本发明提供的降温装置，在不需要人工夹取移动样品的情况下，针对样品进行快速降温操作，不影响样品台本身的加热功能，并且尽可能的节省空间。

一种提高SiC表面金刚石形核密度的方法，属于半导体器件散热领域。在等离子体化学气相沉积设备中，利用高温氢等离子体刻蚀SiC的表面，增加表面粗糙度，形成氢终端的表面。然后使用改性金刚石粉进行自吸附强化处理，在SiC的表面形成一层金刚石籽晶。将吸附籽晶后的SiC样品放入微波等离子体化学气相沉积设备中，通过高温氢等离子还原处理，形成Si悬挂键，随后通入甲烷进行金刚石的形核，在SiC和金刚石之间形成C‑Si‑C的化学键合，提高SiC与金刚石之间的附着力及形核密度。随后，降低甲烷浓度进行金刚石的生长，实现SiC‑on‑Diamond晶圆制备。本发明可显著改善SiC底层散热能力，提高SiC器件的输出功率及频率，延长使用寿命，SiC/金刚石界面结合致密，进一步降低界面热阻，提升传热能力。

本发明涉及单晶炉设备技术领域，且公开了一种用于半导体生产的单晶炉，包括单晶炉本体，所述单晶炉本体内设有坩埚和旋转管，所述旋转管贯穿单晶炉的底部和保温层与坩埚固定连接，所述旋转管可旋转可轴向移动，所述坩埚的内壁设有倾斜的第一导向件和第二导向件。该用于半导体生产的单晶炉，在二次加料时，通过储液环暂时储存硅液，在加料后再使液体回流到坩埚中，避免加料使硅液的溅射，保证单晶炉内的其他部件表面不被污染，同时直接在高温时直接加料，减少了能源的消耗，降低生产成本，其次，在需要排出废液时，通过旋转管的旋转将废液甩入排液管中，并通过旋转管直接排出，在不停炉的前提下，对废液进行清理，提高生产效率。

本发明涉及一种高磁机械滞后阻尼性能的铁磁合金及其制备方法，涉及高阻尼合金的制备工艺技术领域，包括：(1)将铁磁合金制备成具有BCC结构相的单晶、双晶或多晶母体；(2)根据使用工况的单个或多个受力方向，对步骤(1)得到的材料进行特定取向切割，使受力方向与材料的高指数方向保持平行，制备得到具有特定取向的金属；(3)在至少一个受力方向上对步骤(2)得到的金属施加外应力，使得所述金属在该受力方向上具有非可逆磁畴运动。与现有铁磁高阻尼合金制备工艺相比，通过该工艺设计能稳定、可靠地大幅提高材料本征的阻尼性能，相比传统铁磁阻尼合金，低振幅下(<10‑4)阻尼值可提升约3–6倍，阻尼最大值可提高近一个数量级。

本发明公开一种铸造单晶炉的对称性加热器结构及单晶铸造炉，包括第一加热器、第二加热器以及第三加热器，第一加热器、第二加热器以及第三加热器沿着圆形区域分别布置在2π/3范围内，在所述圆形区域内形成三个独立区域；第二加热器以及第三加热器关于其分界线对称，第一加热器关于其自身中心线对称，所述分界线和中心线重合；第一加热器、第二加热器以及第三加热器相邻的端部分别设置三个顶部电极，所述三个顶部电极沿一圆周均匀分布且位于三个独立区域的分界线上；提高加热器相互间蛇形间的横纵交叉密度，提高加热器面积上的辐射强度，使得三相加热器片上热量分布更加均匀；将顶部加热设计成圆形结构，使得加热器整体结构圆和炉体保持同心。

一种铜箔的纯化方法，属于材料纯化领域。铜箔的纯化方法包括：在管式炉的中心温区放置组件，在惰性气体及氢气的混合气氛下，保持中心温区的温度为1050‑1070℃的条件下退火至少5h，获得纯化的单晶铜箔，其中，组件由含有杂质的多晶铜箔以及支撑多晶铜箔的载体构成，多晶铜箔为压延铜箔，惰性气体的流量为500‑600sccm，氢气的流量为30‑100sccm。该纯化方法不仅能够针对工业多晶铜箔直接净化，改善现有的纯化方法能耗大、制备难度高的问题，同时能够使工业多晶铜箔单晶化，提高产品性能。

本发明公开一种立式晶体生长炉下炉盖锁紧机构，涉及锁紧机构技术领域，包括设置于框架上的锁紧组件和驱动系统，所述锁紧组件包括联动块、安装座、连杆座和驱动结构；所述安装座用于与所述框架或炉体相连接，所述驱动结构设置于所述安装座一端，所述连杆座设置于所述安装座另一端，所述联动块与所述连杆座活动连接，所述驱动结构与所述联动块传动连接，所述驱动系统与所述驱动结构动力连接。1.通过简单的机构实现了下炉盖的自动锁紧，避免了人工操作的繁琐费时及可能造成的风险。2.通过在驱动系统中设计增加冗余保护系统，实现了在驱动力缺失、断电、管路破损、驱动换向阀损坏的情况下对炉盖的自锁功能。

本发明属于钻石培育技术领域，尤其是一种实验室培育钻石的工艺及其制造设备，包括以下步骤：步骤一、石墨芯柱制备，首先将石墨粉、金属触媒粉和添加剂按照原材料配方所规定的比例混合后制备石墨芯柱。该实验室培育钻石的工艺及其制造设备，通过设置步骤一石墨芯柱制备中添加铂镍合金，在通过高温高压法进行钻石生产培育过程中，钻石合成加压压力仅需5‑6GPa，温度仅需1350‑1550℃，并通过使用造粒静压设备对石墨芯柱制备过程中，对石墨混合粉料进行一次性造粒和静压，减少和简化生产工序，提高生产效率，从而解决了现有的高温高压法生产工艺相对要求较高，从而增加钻石培育的生产成本的问题。

本发明公开了一种流量可调节的垂直式硅外延反应室进气装置。进气装置包括进气结构、支撑环、环形分流腔结构和流量调节机构；进气结构和支撑环安装在流量调节机构中间，流量调节机构安装在环形分流腔结构的上端面；进气结构、环形分流腔结构和流量调节机构依次连通；流量调节机构包括转动座和调节板层，转动座、进气结构、调节板层和环形分流腔结构自上而下依次同轴连接；进气结构和调节板层之间通过支撑环连接。本发明能够输运组分均匀的气流至硅片衬底，并且能够通过驱动转动板来改变外流道及内流道的进气孔开合面积，进而调节不同流道之间的流量配比，从衬底径向上有效提升调节衬底表面的厚度均匀性。

本发明涉及一种水冷套和单晶炉，所述水冷套包括套设的内筒和外筒，以及位于所述内筒和所述外筒之间的水冷管道，所述内筒呈倒锥形结构。内筒采用倒锥形结构，可形成纵向的不对称水冷效果，以此达到纵向和轴向的梯度温梯变化，大大提高晶棒轴向和径向的散热，减少内部热量累积，改变晶棒的热历史，减少错排及其他晶体缺陷的产生，提高晶棒品质。

本发明公开了一种具有高奈尔温度的磁性拓扑绝缘体TaCoTe2单晶的制备方法，将原料Ta、Co和Te单质去除表面的氧化层，制得预处理后的原料；按化学计量比Ta:Co:Te＝1:1:2称取预处理后的原料，同时I2作为输运剂，放入石英管中，将石英管在真空度为10‑4Pa的封管系统中密封；将密封的石英管放置于管式炉中，第一个温区经6h从室温升温到950℃，第二个温区经6h从室温升到850℃，保持这种温度梯度两周，随后自然冷却至室温即可；将冷却至室温的管子切开，在低温端可以得到质量很好的TaCoTe2样品。本发明所述方法制备的TaCoTe2单晶样品成相均匀、杂质含量少，在低功耗器件领域具有极大的潜在应用价值。

本发明涉及一种氟硼磷酸铷化合物和氟硼磷酸铷非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的分子式为Rb3B11PO19F3，分子量为767.29，采用真空封装法制备；该晶体的分子式为Rb3B11PO19F3，分子量分别为767.29，该晶体属三方晶系，空间群R3，其晶胞参数为a=b=11.3715(1)Å，c=12.0240(3)Å，α=β=90°，γ=120°，Z=3，V=1346.53(4)Å3，采用密封熔盐法或坩埚下降法制备。通过该方法获得尺寸为厘米级的Rb3B11PO19F3非线性光学晶体，可作为紫外、深紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。

一种氧化燃烧铸锭生长机的装置及其方法。该方法包括：a)在过滤器和排气管之间进行阻塞，b)使过滤器形成为真空状态，和c)通过连接到过滤器的第一侧的喷射管将空气喷射到过滤器中以燃烧过滤器。