晶体生长

本发明公开了一种长晶过程中监控固液界面温度系统及微控方法，本发明涉及长晶温度监控技术领域。该长晶过程中监控固液界面温度系统及微控方法，通过温度检测组件的设置，当晶体凝结固液界面生成时，通过探测板以及探测板端部两侧下压板的配合，将对应的温度采集模块推动至固液界面，并将检测值通过温度信息接收模块以及信息传输模块输送至温度监控模块进行显示，且通过调节组件的设置，能够在固液界面生成的过程中对顶面多处位置进行温度、高度的测量监控，并将取得的平均温度值进行对比，提升了固液界面的检测精准度，提升了晶体凝结的效果。

本发明涉及一种八面体魔方状Keggin型磷钼酸铜基晶态材料的制备及应用。本发明的目的是要解决一些多酸类晶态材料作为超级电容器电极材料在溶液中稳定性差，导电性能不高的问题，提供一种可以提高其电容性能作为超级电容器电极材料的制备方法。本发明的一种八面体魔方状Keggin型磷钼酸铜基晶态材料的化学式为[Cu(H

本发明公开一种晶体生长控制方法以及装置、晶体生长设备，涉及晶体拉制技术领域，以提供一种在提拉生长晶体的过程中，形成电池端所需形状晶体的技术方案。包括：在提拉生长晶体的过程中，实时获取晶体的生长图像，并从生长图像中提取晶体在生长界面处的形状信息。其中，生长界面为晶体与原料熔体液面相交处；将晶体在生长界面处的形状信息，与预设形状的形状信息进行对比，获得对比结果。基于对比结果，利用激光器调整晶体在生长界面处的形状。

本发明提供一种改善外延层异常生长的方法，提供基底，在基底上形成外延层；在外延层上形成硬掩模层；对硬掩模层进行等离子氦气处理；对外延层进行光刻和刻蚀；湿法清洗；进行表面预清洗，之后进行外延层的再沉积。本发明对硬掩模层进行等离子氦气处理，降低SiN刻蚀速率，有利于保护硬掩模版结构不被破坏，提高其对SiP及SiGe的保护作用，减少外延层SiGe或SiP在NMOS或PMOS源漏的异常生长，提升EPI流程的工艺窗口。

本发明提供了一种掺杂氮化铝晶体的生长方法及生长装置，该生长方法采用气相生长以及气相掺杂的方式，不仅可以通过调节组分来提高掺杂浓度，并且气相掺杂还可以保证掺杂的均匀性，且可以使掺杂原子在氮化铝晶体中的浓度接近其固溶上线，总体过饱和蒸汽压和各组分分压实现量化控制；进一步的，在本申请中生成氮化铝晶体时进行双元素掺杂，同时为了掺杂效率以气态形式将掺杂剂通入到生长腔体内，并通过控制Al、N比来辅助提升掺杂效率，增加C的掺杂提高Be、Mg的掺杂效率。

本发明公开了控制生长完美硅晶体的方法及硅晶体，该制备方法包括：获取完美晶棒生长过程中，晶棒上任一指定位置在不同长晶长度时对应的温度；根据晶棒上所述指定位置在不同长晶长度时对应的温度，计算指定温度对应的晶棒长度；根据所述指定温度对应的晶棒长度计算指定温度范围对应的温度带的宽度；根据所述温度带的宽度以及长晶拉速，计算所述指定位置通过所述温度带所需的时间；根据所述指定位置通过所述温度带所需的时间，在所述指定位置经过所述温度带时调节长晶炉中冷却装置的冷却效率。该方法为完美晶体的长晶过程中如何调节长晶炉中冷却装置的冷却效率提供了理论依据，从而提高了晶体品质和完美晶体的良率。

本发明属于多晶硅铸锭设备技术领域，具体为一种用于多晶铸锭炉的温度输出功率控制系统及控制方法，一种用于多晶铸锭炉的温度输出功率控制系统，包括温度测量模块、高度统计模块、加热模块、功率调节模块、数据统计模块、温度对比模块和时间记录模块；所述温度测量模块包括炉内温度测量模块和炉表温度测量模块，所述炉内温度测量模块用于测量所述加热模块的温度，所述炉表温度测量模块用于测量多晶铸锭炉外表的温度；所述高度统计模块，用于带动所述炉表温度测量模块进行上下移动，本发明利用固液界面的增长速度来对加热模块需求的输出功率进行控制，进而避免对硅液的温度进行采集，从而提高温度输出功率的精准性。

本发明公开了一种氮化物外延层的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一具有氮化物缓冲层的衬底；S2、通入不含氧前驱体源，在所述氮化物缓冲层上生长第一非掺杂氮化物层；S3关闭不含氧前驱体源，通入含氧前驱体源，在所述第一非掺杂氮化物层上生长含氧氮化物层；S4、关闭氮源，通入含氧前驱体源，进行热退火处理；S5、关闭含氧前驱体源，通入还原性气体对所述含氧氮化物层进行刻蚀处理以形成坑洞结构；S6、通入不含氧前驱体源，在刻蚀处理后的含氧氮化物层上生长第二非掺杂氮化物层，得到具有坑洞结构的氮化物外延层。本发明通过坑洞结构促进氮化物外延层横向生长，改善位错密度走向，降低氮化物外延层位错密度，提高晶体质量。

本发明公开了一种锗单晶提拉过程中保护石英坩埚的方法，包括如下步骤：化料、引晶、放肩、等径、放肩二、收尾一、收尾二和降温；其中，放肩二：控制均匀降温并保持一定时长，使得晶体逐渐长大；收尾一：调低埚升，按低降温频率控制均匀降温，使得晶体逐渐缩小；收尾二：调低埚升和埚转，按高降温频率控制均匀降温，直至熔体被提拉完毕。本方案一方面通过在等径阶段后增设放肩二阶段，以便于缩短晶体提拉周期，为收尾阶段提供一个稳定的热场环境；另一方面将收尾阶段分为两个阶段进行，以便于通过逐渐提升降温频率、降低埚升速度和降低埚转速度等外在因素，使得收尾阶段处于一个稳定易控的热场环境，从而在锗单晶提拉过程中保护石英坩埚不被胀破。

本发明公开了一种用于SiC晶体生长的多用途石墨坩埚，包括石墨坩埚本体、石墨籽晶盖和螺纹石墨空心管，所述的石墨籽晶盖上设有螺纹盲孔，螺纹盲孔与螺纹石墨空心管相适配，通过在顶部测温孔中间插入石墨空心管的方式避免挥发物在石墨管中心沉积，有效避免测温孔被堵塞；同时通过在石墨空心管设计成带外螺纹多段式镂空或打孔结构，通过螺纹旋转不仅可以添加多层石墨圆薄板调控轴径向温度场，而且通过设计多段连接和侧面开孔或镂空结构，不仅避免每次安装出现偏差影响温度测量的准确性和重复性，同时还避免密闭型石墨空管不利于温度场的均匀性。通过本发明设计能在不同炉次、批次间调控生长区的轴径向温度梯度，实现SiC晶体生长可控的稳定生产。

本发明公开了一种1T相CrTe

本发明提供一种单晶炉用充气装置。该装置包括总进气口，与总进气口连接的压力调节件，进口与压力调节件连通、出口与副炉室连通的第一充气管路，进口与压力调节件连通、出口与旋阀连通的第二充气管路，以及，进口与压力调节件连通、出口与主炉室连通的主炉室充气管路；第一充气管路包括：进口与压力调节件连通、出口与副炉室连通、且可使气体以第一预设速度进入副炉室的快充管路，以及，进口与压力调节件连通，出口与副炉室连通，且可使气体小于第一预设速度的第二预设速度进入副炉室的慢充管路。根据本发明实施例提供的充气装置满足单晶炉的不同阶段切换不同的充气方式，保证炉内较低量的挥发物，优化炉内氛围，提高成晶率。

本发明提供了一种碳化硅长晶用原料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：将粒径为8‑40目的碳化硅粉料装填至模具中，然后进行预压，得到预压块体；将所述预压块体进行热压，得到所述碳化硅长晶用原料。本发明所述制备方法能够得到颗粒间结合力大且孔隙率可调的碳化硅长晶用粉料块体，该块体作为原料长晶时，经碳化后很难被温度梯度驱动带入到晶体生长的界面，有效解决了来自碳化硅粉料碳化的碳颗粒包裹物缺陷，因其多孔性，保证了气相组分的升华量和物质输运通道的畅通，提高了晶体的良率和晶片的产率。

本发明公开了超临界流体状态下生长晶体的装置及方法，属于半导体材料的制备领域，所述装置包括炉体、上下设置在炉体内部的高温室、生长室和贯穿高温室、生长室的反应气体通道；在高温室中的坩埚中放置单质熔体，将超临界流体通过反应气体通道注入到熔体中，在高温下，熔体原子混合进入高温超临界流体中，超临界流体然后进入生长室中，遇到温度较低的籽晶，开始生长化合物晶体。采用本发明提出的装置和方法，原料不使用多晶料而使用纯元素A，反应气体即起到携带纯元素A的作用，在生长室还与纯元素A合成晶体，提高效率；反应气体在反应过程中从外部注入，速度和数量可控，加快晶体生长。

本发明公开了提高稳定性的前驱体溶液及FA基钙钛矿单晶的制备方法，涉及钙钛矿单晶制备技术领域，包括S1、准备原材料，原料中包括鹅去氧胆酸；S2、第一溶液的制备；S3、第二溶液的制备；S4、第三溶液的制备；S5、前驱体溶液的制备；S6、FA基钙钛矿单晶的制备。本发明的鹅去氧胆酸结构中的羧基官能团，能够抑制FA离子在FA基钙钛矿前驱体溶液中发生脱质子分解；减缓FA钙钛矿单晶的结晶和提高FA基钙钛矿单晶晶体质量；FA基钙钛矿单晶中残留的鹅去氧胆酸，能够提高FA基钙钛矿单晶的热分解温度，减少浅能级缺陷浓度和抑制离子迁移，从而使FA基钙钛矿X射线探测器具有优异的辐射探测灵敏度，探测下限和辐照稳定性。

本申请涉及一种单晶炉氩气回收设备，包括依次连接的除尘装置、冷却分离装置、吸附装置、除碳装置、脱氧塔和纯化塔，除尘装置包括方形罐体、过滤膜和颗粒收集机构，罐体的上部设有进气管，罐体的下部设有出气管；颗粒收集机构包括第一驱动组件、收放辊和转运膜，罐体的外部设有容纳槽体，转运膜的下表面设有胶粘层，转运膜的上表面设有离型层，转运膜的一端与容纳槽体固定连接，转运膜的另一端缠绕固定于收放辊上；第一驱动组件的驱动端与收放辊可拆卸连接，第一驱动组件用于带动收放辊沿过滤膜长度方向往复移动，收放辊沿远离容纳槽体方向移动的过程中逐步放卷转运膜。本申请具有提高氩气回收效率的效果。

本申请涉及一种氟化钙晶体生长原料的提纯处理设备及方法，涉及材料提纯技术领域，设备包括水冷炉体和用于调节炉体内部气氛的真空系统及充气管路，炉体内设置有坩埚、套筒、加热器和保温层，坩埚上端呈开口状，且与套筒为间隙配合，保温层位于套筒外，且与套筒的外壁之间留有通道，加热器水平滑动设置于通道中。本申请将坩埚固定于套筒内，通过沿水平方向移动加热器，使氟化钙原料在水平区域进行熔融，没有复杂的熔体对流，溶质传输基本依靠水平方向的浓度差，结晶过程是均匀的从一侧向另一侧推进，有效避免晶坨内部出现大量的多晶和缺陷，提高单晶率，增强提纯效果。

本发明提供一种在溶液法生长碳化硅过程中防止籽晶掉落的方法，所述方法包括以下步骤：（1）依次连接籽晶、石墨托和籽晶杆；（2）在石墨坩埚内制备Si合金溶液；（3）下降籽晶杆，利用Si合金溶液浸润籽晶和石墨托；（4）提拉籽晶杆，在籽晶的上表面和石墨托的侧壁形成SiC粘接体；（5）旋转籽晶杆，在籽晶的下表面生长SiC晶体。本发明通过改变传统的工艺步骤，在生长SiC晶体之前形成SiC粘接体，有效避免了溶液法生长6英寸及以上碳化硅晶体过程中发生籽晶和晶体掉落的现象，提升了长晶过程的成功率和安全性，有利于大规模推广应用。

本申请涉及一种晶体生长装置，涉及晶体生长所用装置的技术领域，其包括晶体炉和升降机构，升降机构能够带动晶体炉升降，晶体炉包括第一炉体、第二炉体、炉盖和底部炉门，炉盖位于第一炉体上方并与第一炉体连接，第二炉体位于第一炉体下方并与第一炉体连接，底部炉门位于第二炉体下方并与第二炉体连接，第一炉体上开设有第一水冷夹层，第二炉体上开设有第二水冷夹层，炉盖上开设有第三水冷夹层，底部炉门上开设有第四水冷夹层。本申请能够对水冷夹层的温度进行分层控制从而保证晶体炉内的温度梯度。

本发明提供了一种单晶提高金刚石表面β‑Ga

本发明涉及第三代半导体GaN自支撑衬底材料制备技术领域，且公开了一种改善GaN厚膜生长缩径效应的正多边形基板及生长方法，包括生长基座，所述生长基座的顶部设置有多边形凸起，生长基座的顶部通过放置有钝化盖环和正多边形基板。本发明技术方案大幅改善生长厚度达5mm以上因缩径效应导致的生长面尺寸缩小从而得不到大尺寸晶锭的弊端，有效的将之前晶锭生长缩径角度从60度，提升至70‑80度，且边缘无多晶副产物产生，极小的缩径状况影响下可将生长厚度提升至8mm以上，且上表面(Ga面)的有效尺寸还能达到50.8mm直径，生长面有效拓宽后的高质量GaN晶锭通过后道切磨抛工艺可获得更多片及更大尺寸的GaN单晶自支撑衬底，有较大的成本缩减效应。

本发明公开了一种利用三甲基铟合成磷化铟外延片的生产工艺，拟加工的P型硅衬底放在MOCVD反应腔内，利用高纯氢气携带气态磷烷，与气态高纯三甲基铟反应，在衬底表面合成磷化铟外延片薄膜，将P型掺杂的硅衬底放入MOCVD反应腔内，通入氢气作为载气，缓慢加热磷烷储罐至110℃，通过氢气鼓泡将磷烷引入到反应腔内；缓慢加热三甲基铟储罐至150℃，使其完全气化以待用；对MOCVD反应腔进行升温升压操作，以清洁硅衬底表。本发明利用三甲基铟与磷烷在硅或砷化镓表面化合反应，生成单晶磷化铟，控制合适的温度与反应气体流速，可在衬底表面形成厚度在0.2μm‑1.2μm的磷化铟单晶异质结外延层，以满足特定条件下的需求,简化工艺、降低控制难度。

一种大尺寸氟化物晶体自适应退火坩埚，包括：坩埚底盘，所述坩埚底盘具有位于径向内侧的底盘内环、位于径向外侧的底盘外环和连接所述底盘内环与所述底盘外环的下自适应层；坩埚盖，所述坩埚盖具有位于径向内侧的盖内环、位于径向外侧的盖外环和连接所述盖内环与所述盖外环的上自适应层；坩埚内筒，所述坩埚内筒为由多个分瓣结构拼接组成，可活动地垂直设于所述底盘内环与所述盖内环之间；且所述坩埚内筒可沿所述内筒的径向膨胀和收缩；以及导向结构，所述导向结构用于限定所述坩埚内筒膨胀和收缩的方向。本发明能够解决晶体在退火过程中不能自由膨胀收缩而使晶体内的应力无法释放的问题。

本发明提供了一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用，所述粘接方法包括如下步骤：采用胶水将碳化硅籽晶粘接在石墨托上，然后进行碳化，得到包括C粘接层的石墨托；其中，所述胶水中包括含硅粉末；将所述包括C粘接层的石墨托依次进行升温和保温，然后经过冷却后，完成碳化硅籽晶的粘接；所述粘接方法利用Si元素易蒸发、SiC在过饱和状态下析出以及SiC晶体升华量小的特点，大幅加强了碳化硅籽晶的粘接强度，有效防止了溶液法生长大尺寸SiC晶体，且在使用加减速旋转条件时，SiC籽晶和晶体掉落的情况。

本发明公开了一种用芒硝石膏制备硫酸钙晶须的方法，涉及硫酸钙晶须制备技术领域，包括以下步骤：S1、原料的预处理：将原料芒硝石膏在常温下加水溶解搅拌，导出上层浆液搅拌水解，加入钙水，充分搅拌后加入稀硫酸调节PH，水洗2～3次，过滤得到滤饼后加水配制成均匀的石膏浆液；S2、水热法制备晶须并改性：向步骤S1中得到的石膏浆液中加入2％～10％镁盐或铜盐晶型助长剂，再把石膏浆液加到球形釜式反应器中，使用压力泵泵入稳定及改性剂，改性时间为0.5h～2h，然后将反应后的浆料进行固液分离，得滤饼；S3、产品的干燥。本发明采用的工艺过程及优化的工艺操作条件，可以使最终得到的硫酸钙晶须具有均一的形貌、适宜的长径比，收率高。

本发明公开了一种疏水氧化锌材料的制备方法。本发明使用商业用ZnO粉体的压片作为ZnO源，使用表面附有锌盐热分解产物的蓝宝石材料作为生长衬底，使用封管技术将ZnO源、生长衬底密封在含有低压氩气的石英管中，通过简单的一步高温热处理和样品干燥，即可得到具有疏水性能的ZnO粗糙结构材料。本发明旨在解决使用低表面能有机物修饰方法制备疏水ZnO材料面临的表面有机物热稳定性差、易降解等缺点。所制备的ZnO材料表面疏水性可调控，可实现的表面疏水角度覆盖范围广。本发明的制备方法工艺简单，涂层牢固，在功能材料技术领域具有重要的应用前景。

本公开涉及一种用于制备包含耐火碳化物晶体的层的新的CVD方法、可以通过所述方法获得的层及其各种用途和应用。

本发明涉及半导体生长技术领域，特别涉及一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法及外延结构。其中，一种悬空二维材料的非衬底耦合低密度外延方法，关键技术如下：提供介质衬底，通过刻蚀形成大范围占空比与高纵向孔深的均匀规则化镂空衬底；通过雾化无损干转移法将二维材料层转移并利用占沿表面张力覆盖于镂空衬底表面；其中空孔部分形成下方非衬底耦合的悬空二维薄膜外延区；将悬空非耦合衬底放入半导体材料生长反应腔中，采用先预成核后高迁移外延的二步模式循环生长，利用悬空非衬底耦合区表面的高迁移率，外延低密度高质量半导体薄膜。本发明可以获得低密度高质量的半导体外延薄膜，制备方法简单，省时高效，具有广阔的工业化前景。

一实施方式提供了生长单晶硅锭的方法，所述方法包括如下步骤：(a)将多晶硅注入腔室内的坩埚中；(b)使坩埚中的多晶硅熔化以形成硅熔体；(c)测量多晶硅的熔化程度；和(d)在预定部分多晶硅已经熔化之后，增加供应到腔室的惰性气体的供应量，并降低腔室内的压力。

本发明涉及一种外延晶圆的制造方法，是在单晶硅晶圆上形成单晶硅层的外延晶圆的制造方法，包含以下工序：通过氢氟酸将所述单晶硅晶圆表面的自然氧化膜去除；在已去除所述自然氧化膜的所述单晶硅晶圆的表面形成氧原子层；以及在形成有所述氧原子层的所述单晶硅晶圆的表面上使所述单晶硅层外延生长，其中，使所述氧原子层的氧的平面浓度为1×10

本申请公开了一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法，属于碳化硅晶片及其应力检测技术领域。该测定方法包括下述步骤：(1)对晶片进行XRD衍射测试，测试过程中对晶片进行面内和面间旋转，得到至少6个衍射晶面下的测试结果，将不同衍射晶面的衍射峰与无应力晶片中对应衍射晶面的标准峰进行比较，获得晶片的各向应变值；(2)根据各向应变值和弹性常数计算晶片的各向应力。该方法能够实现对晶片各向应力的无损和精准检测，为晶片各向应力的分析提供了新思路，可推广用于晶片各向应力的标准化检测。

本申请公开了一种蓝宝石籽晶提拉机构及拉晶设备，涉及蓝宝石拉晶技术领域。所述蓝宝石籽晶提拉机构具体包括：第一热场组件和第二热场组件及定位销；所述第一热场组件与所述第二热场组件沿所述籽晶的提拉方向依次设置，且所述第一热场组件与所述第二热场组件之间通过所述定位销可拆卸连接；其中，所述定位销的数量为至少两个，至少两个所述定位销之间呈预设夹角，且沿所述籽晶提拉方向依次间隔设置。本申请实施例中，至少两个定位销可以使第一热场组件和第二热场组件之间连接更加牢固可靠，两者之间的拆卸及安装也更加简单、快捷。

本发明公开了一种镝离子掺杂硼酸镁稀土激光晶体及其制备方法和应用，涉及激光材料技术领域。本发明的镝离子掺杂硼酸镁稀土激光晶体分子式为：Dy

本发明公开了一种光学各向异性纳米结构单晶薄膜，光学各向异性纳米结构单晶薄膜为MN单晶薄膜，且包括共格外延层和岛状外延层，且共格外延层的厚度≤60nm，岛状外延层的厚度为20～300nm，岛状外延层的横向长度为5‑150nm，本发明还提供了光学各向异性纳米结构单晶薄膜的制备方法及其应用，与现有技术相比，本发明制备光学各向异性纳米结构单晶薄膜的成本低，且制得的光学各向异性纳米结构单晶薄膜具有优良的化学与热稳定性和半导体兼容性。

一种激光晶体保温装置，涉及晶体保温领域。该激光晶体保温装置包括外壁开设有晶体容置槽的加热炉体、连接于加热炉体的加热元件、盖板、传感器夹具及与传感器夹具可拆卸连接的温度传感器，晶体容置槽的两端分别贯穿加热炉体的两端，盖板被配置成可拆卸地连接于加热炉体以将晶体限定于晶体容置槽内，加热炉体外壁开设有与传感器夹具尺寸匹配的检测槽，传感器夹具被配置成可插入检测槽以使温度传感器的感温面贴合检测槽内壁。本申请提供的激光晶体保温装置能够准确测定晶体温度，从而提高对非线性晶体的温度控制稳定性。

本发明属于热处理技术领域，公开了锗晶片的退火工艺。将锗晶片依次摆放在石英舟上，然后将石英舟放入石英管内；将石英管密封后抽真空至预设真空度；将石英管放入退火炉中，开启退火炉，升温至630~700℃保温一段时间；升温的速率为1.0‑1.2℃/min；保温结束后，降温；降温的速率为1.0‑1.2℃/min。通过退火温度、升温速率和降温速率的有效调控，退火后，锗晶片的内部缺陷极大程度的降低。

本发明公开了一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于：制备单晶硒化铂薄膜化学气相沉积装置为：以直径大于等于9cm的石英管的石英管腔体作为反应腔体，一端为载气入口，另一端为载气出口，惰性气体作为载气；反应腔体内包含两个温区，气流上游为低温区，用石英片放置硒粉，气流下游为高温区，放置氧化硅衬底作为铂源基底，两个温区相通；低温区以1‑5小时上升到350℃后保持3‑8小时，高温区以1‑5小时上升到500～600℃后保持3‑8小时，保持过程即为硒化过程。本发明可制备出均匀高质量的单晶硒化铂薄膜。

本发明公开了一种具有巨大拓扑霍尔效应的碲化铬薄膜的外延生长方法，属于电子材料技术领域，本发明方法首先准备好基片与铬碲元素化合物靶材，使用泵组将腔室内压抽至真空后，对基片进行加热至恒定温度，采用准分子激光器将激光聚焦到靶材上，沉积全程通过RHEED高能电子衍射仪保持实时原位监控，观察到沉积薄膜RHEED衍射斑点为清晰三维点阵图形后，将腔室内温度降至室温，取出基片对所得碲化铬单晶薄膜进行表征测试。测量结果表明，本方法为本技术领域内首次获得居里温度高于室温的碲化铬铁磁薄膜，其拓扑霍尔电阻率最大幅度值在现有观测到拓扑霍尔效应的所有碲化铬材料体系中最高，方法具有较高的制备效率，可拓展到制备其它高质量的碲化物薄膜。

本发明提供一种磷酸氧钛铷晶体的单畴化方法。包括以下步骤：制备磷酸氧钛铷晶体颗粒；采用制备的磷酸氧钛铷晶体颗粒，通过电子束蒸发沉积在待单畴化处理的极化面，形成沉积极化介质层；极化介质层沉积结束后，在其表面镀极化导电层；对沉积极化介质层和极化导电层的磷酸氧钛铷晶体进行极化处理。本发明可以实现简单、高效、单畴化完全的磷酸氧钛铷晶体的单畴化处理。

本发明公开了一种有机闪烁体单晶的熔体法生长装置及生长方法，属于人工晶体技术领域。该装置包括金属板支架、尖嘴石英管、玻璃缸体和温度控制系统。该生长方法包括以下步骤：(1)原料的熔融；(2)籽晶的准备；(3)温度控制；(4)晶体取出。有益效果：本发明设计的生长装置可用于有机闪烁体Bibenzyl母体、Diphenylacetylene母体或它们掺杂trans‑Stilbene的单晶以及其他类似有机闪烁体单晶的生长。使用该生长装置，可在相对较小的生长槽中，生长出较大尺寸的晶体，生长速度快，晶体质量高，同时生长设备简单和小型化，成本投入较低，便于观察生长过程。生长方法简单易操作，安全高效，温控精确，具有很大的便捷性。

本发明提出了一种集成MBE装置的激光加工系统，包括MBE生长室、样品台、光路机构、隔热机构和冷却机构，MBE生长室的一侧设有开口；样品台固定在MBE生长室的内部，且与开口的位置相对应，样品台用于放置衬底样品材料；光路机构相对设置于MBE生长室的一侧，且光路机构上设有出光端，出光端的一侧贯穿MBE生长室的开口并伸入其内部，并与样品台呈相对间隔设置，光路机构与MBE生长室的开口处密封连接，本系统将光路机构集成于MBE装置内，将光路机构集成到MBE装置内，采用激光直写的方式近距离对样品加工，提高了激光聚焦能力，有效保证了激光加工的精度和质量。

本发明涉及单晶硅制造技术领域，尤其涉及直拉法制备单晶硅的工艺。本发明提供的一种石英坩埚，包括石英坩埚本体和坩埚添加剂涂层，所述本体的内表面全部或部分设有坩埚添加剂涂层，所述坩埚添加剂涂层为碱式碳酸镁和/或碳酸镁。本发明通过引入一种新型的坩埚添加剂，能够在拉晶过程中反应合成在石英坩埚的内表面，显著提高石英坩埚的耐高温性能，且不易脱落，在拉晶过程中保证了加晶稳定性，还可以降低氧含量。

本发明公开了一种用于提高单晶叶片取向控制精度的螺旋选晶器，包括引晶段和选晶段，选晶段的一端与引晶段连接，选晶段的另一端与单晶叶片型腔连接，引晶段的结构由至少一个锥台叠加构成，每个锥台的上底面尺寸均大于其下底面尺寸，锥台的横截面为圆形或正方形。本发明采用至少一个上大下小的锥台叠加构成的引晶段结构，能够提高晶粒在竞争生长淘汰过程中引晶段的热流方向性，补偿抵消选晶阶段温度梯度的径向分量，增加热流与竖直方向的平行度，使热流沿着竖直方向自上而下传导，从而减小单晶取向偏离度，提高单晶叶片取向控制精度。

本发明公开了一种双柜自动化晶体生长设备，属于晶体制造技术领域，其包括柜体和电控柜，所述柜体的内壁固定安装有炉体，所述炉体的顶部设置有坩埚，所述炉体的下方设置有干燥室。本方案通过采用了电控柜独立的方式，实现了反应和控制分离的双柜设计方案，通过自动化的电控柜进行控制，使其实现整体的自动化控制，在炉体下方设置储料仓、干燥室、驱动器和隔板，使其在驱动器控制过盈环转动时，挡板随之移动在干燥室的内壁，在此过程中电控柜合理控制除湿管和传输管的通断状态实现自动化的密封更换无水氧化钙，避免传统的更换方式难度大，提高了晶体生成的稳定性，同时整体采用了电控柜进行独立的自动化控制，形成互不干扰的双柜组合。

本发明公开了一种应用于碳化硅长晶系统的冷却装置，包括换热机构、石墨坩埚、容器和管体，所述换热机构包括内部中空的环形壳体，所述环形壳体内腔中安装有螺旋板和螺旋弹性条，所述螺旋弹性条上安装有若干个滑动杆，所述滑动杆端部滑动贯穿环形壳体并延伸至环形壳体的外侧，所述螺旋板内边沿高于螺旋板外边沿，所述环形壳体位于管体内，所述滑动杆位于环形壳体外的端部与管体内壁接触，管体内壁直径由中间向其两端逐渐变大，所述容器内腔下部和环形壳体内腔上部之间安装有导管一和导管二，本应用于碳化硅长晶系统的冷却装置利用常压下处于沸点的纯净水为换热介质，换热效率不受环境温度的干扰，保证碳化硅晶体生长的可靠性。

本发明公开了一种分子束流调节装置、调节方法及形成控制方法，涉及材料生长领域，其中装置包括坩埚、调节盒、收合扇和转动盘；所述调节盒安装在所述坩埚出口端，具有连通所述坩埚出口端的束流口；所述转动盘转动安装在所述调节盒内，具有多个圆周阵列设置的滑动槽；所述收合扇包括多个收合叶片，多个所述收合叶片圆周阵列设置在所述调节盒内且为依次错位叠放，以使收合扇中部具有束流孔，所述收合叶片的一端与所述调节盒转动连接，另一端具有与所述滑动槽配合的凸柱。本申请的分子束流调节装置能解决薄膜生成过程中深径比变化导致的薄膜生成不均匀问题，从而能达到提高同一生长批次和不同生长批次薄膜均匀性的效果。

本发明涉及单晶炉技术领域，尤其是指一种单晶炉热场拆装装置，包括定位杆，所述定位杆的横截面呈六边形设置，所述定位杆的外侧固接有四根膨胀囊，所述定位杆的内侧设置有气压组件，所述气压组件用于给膨胀囊提供气压，所述定位杆的底部设置有下支撑杆，通过此种设置，就能将导流筒垂直拉起，而且支撑稳定，可以将导流筒稳定提起，加快了拆卸热场的效率，且在导流筒在检查结束后，也能通过相同的方法将导流筒放回到单晶炉中，而膨胀囊的设置，是为了减少下支撑杆底部与石墨件导流筒的摩擦，向外顶出的膨胀囊会接触到导流筒的内壁，将下支撑杆和定位杆维持在导流筒的中部，减少了下沉过程中因为摩擦导致导流筒受损的问题。

本发明公开了一种利用陶瓷衬底生长单晶GaN自支撑衬底的方法，首先在在陶瓷衬底表面沉积填充材料，通过研磨抛光获得光滑表面；然后在表面形成二维材料层，并进行等离子体处理和/或原位NH

本申请涉及热场保温筒技术领域，公开了一种高效节能热场保温筒及单晶炉设备。上述保温筒包括：筒体，所述筒体为环形结构，所述筒体内侧设置有向筒体外侧延伸的校正块；固毡组件，所述固毡组件设置在筒体外壁，与筒体表面贴合。本发明专利解决了现有技术使用软毡包裹保温筒，腐蚀老化进而失效更换，影响了热场的功率稳定性，增加了人工频繁的进行热场校准，耗时耗力。热场底部空间较大，保温性能差，热量流失严重，导致热场整体功率升高的问题。本发明固毡组件的三层保温结构，通过将软毡替换为固毡，使用寿命长，不用频繁更换底部热场保证了热场的稳定性，降低导热效率，保证内部的热场稳定，增加筒体与设备之间运行时的稳定性。

本发明公开了一种连续加料硅单晶炉，包括抖动式硅料传送带构件、硅料定量移送传送构件、硅料移送结构支撑构件、结晶炉结构构件。本发明属于硅单晶炉技术领域，具体是指一种连续加料硅单晶炉；本发明通过抖动式硅料传送带构件，对单晶硅原料进行抖动，对其中的微小原料进行过筛，避免在坩埚中由于高温，微小单晶硅飞散焦结，影响坩埚使用寿命，减少对坩埚的损伤。为筛除单晶硅原料中的微小原料，本发明装置中提出偏心抖动传送构件和传送带推动构件，通过其中的偏心齿轮对单晶硅原料在运输过程中进行抖动，并从传动杆件之间进行掉落，方便对微小原来进行回收，方便二次利用。