晶体生长

本发明涉及单晶炉技术领域，尤其是指一种单晶炉热场拆装装置，包括定位杆，所述定位杆的横截面呈六边形设置，所述定位杆的外侧固接有四根膨胀囊，所述定位杆的内侧设置有气压组件，所述气压组件用于给膨胀囊提供气压，所述定位杆的底部设置有下支撑杆，通过此种设置，就能将导流筒垂直拉起，而且支撑稳定，可以将导流筒稳定提起，加快了拆卸热场的效率，且在导流筒在检查结束后，也能通过相同的方法将导流筒放回到单晶炉中，而膨胀囊的设置，是为了减少下支撑杆底部与石墨件导流筒的摩擦，向外顶出的膨胀囊会接触到导流筒的内壁，将下支撑杆和定位杆维持在导流筒的中部，减少了下沉过程中因为摩擦导致导流筒受损的问题。

本发明公开了一种利用陶瓷衬底生长单晶GaN自支撑衬底的方法，首先在在陶瓷衬底表面沉积填充材料，通过研磨抛光获得光滑表面；然后在表面形成二维材料层，并进行等离子体处理和/或原位NH

本申请涉及热场保温筒技术领域，公开了一种高效节能热场保温筒及单晶炉设备。上述保温筒包括：筒体，所述筒体为环形结构，所述筒体内侧设置有向筒体外侧延伸的校正块；固毡组件，所述固毡组件设置在筒体外壁，与筒体表面贴合。本发明专利解决了现有技术使用软毡包裹保温筒，腐蚀老化进而失效更换，影响了热场的功率稳定性，增加了人工频繁的进行热场校准，耗时耗力。热场底部空间较大，保温性能差，热量流失严重，导致热场整体功率升高的问题。本发明固毡组件的三层保温结构，通过将软毡替换为固毡，使用寿命长，不用频繁更换底部热场保证了热场的稳定性，降低导热效率，保证内部的热场稳定，增加筒体与设备之间运行时的稳定性。

本发明公开了一种连续加料硅单晶炉，包括抖动式硅料传送带构件、硅料定量移送传送构件、硅料移送结构支撑构件、结晶炉结构构件。本发明属于硅单晶炉技术领域，具体是指一种连续加料硅单晶炉；本发明通过抖动式硅料传送带构件，对单晶硅原料进行抖动，对其中的微小原料进行过筛，避免在坩埚中由于高温，微小单晶硅飞散焦结，影响坩埚使用寿命，减少对坩埚的损伤。为筛除单晶硅原料中的微小原料，本发明装置中提出偏心抖动传送构件和传送带推动构件，通过其中的偏心齿轮对单晶硅原料在运输过程中进行抖动，并从传动杆件之间进行掉落，方便对微小原来进行回收，方便二次利用。

本发明提供一种基于功率拉晶的晶体直径控制方法，属于半导体晶体制造技术领域，包括以下步骤：S1：在PLC控制模块内将晶体拉速偏差范围设定为±0.01mm/min以内，并设定晶体直径、晶体直径偏差范围、加热器功率及上述参数对应的动作判断条件；S2：通过相机采集晶体直径信号并将晶体直径信号反馈至PLC控制模块，PLC控制模块将晶体实时直径与晶体设定直径比较，根据判断结果采用ADC1控制模式来调整晶体拉速和加热器功率；S3：PLC控制模块通过计算晶体直径偏差并判断晶体直径偏差是否在设定的晶体直径偏差范围内，根据判断结果决定是否启用判断干预模式以控制功率的增加或降低，采用该方法可以使拉速偏差达到±0.01mm/min以内时，直径偏差仍控制在±1.0mm之内。

本发明公开了一种多晶金刚石红外光学材料的制备方法，包括对单晶硅进行超声清洗、打磨；采用MPCVD设备，将CH晶面织构化的多晶金刚石红外光学材料。该制备方法能够实现金刚石的快速生长，且获得的金刚石具有较高的光学品质及热导率。本发明还提供了多晶金刚石红外光学材料。

本发明属于SiC单晶制备技术领域，尤其涉及一种用于连续生长SiC单晶的装置，包括；坩埚包括外埚和内埚；内埚具有反应腔，外埚与内埚之间形成加料腔；内埚的下部埚壁设有多孔结构，多孔结构连通反应腔和加料腔；隔热构件，设于坩埚外；感应加热装置，设于隔热构件外；籽晶轴，穿设于反应腔的上端，且籽晶轴通过第一驱动件驱动其转动；及旋转轴，设于坩埚的底部并与籽晶轴同轴设置，且旋转轴通过第二驱动件驱动其转动；加料腔中加入高纯C粉、硅熔体或其他掺杂元素，反应腔内的溶液与加料腔内的溶液可以相互流通，在SiC单晶生长过程中，加料腔内的溶液中的C源可持续向反应腔内的溶液补充，使反应腔内的溶液C源充足，有利于形成较大尺寸的SiC单晶。

本发明公开一种提升Cs

本发明的实施例提供了一种碳化硅籽晶粘接方法，涉及长晶工艺技术领域。碳化硅籽晶粘接方法包括：S1：提供碳化硅籽晶和坩埚盖；S2：对碳化硅籽晶的第一粘接面和坩埚盖的第二粘接面进行等离子轰击蚀刻，以提高第一粘接面和第二粘接面对液体胶的附着性；S3：在碳化硅籽晶的第一粘接面和坩埚盖的第二粘接面上分别喷涂液体胶，并将第一粘接面与第二粘接面通过液体胶粘接，形成粘接层。碳化硅籽晶粘接方法能够提高碳化硅籽晶与坩埚盖之间粘接的牢靠性，使二者紧密连接，减少气泡产生的几率。

本发明公开了一种空心圆柱体管状硅芯的制备方法，包括以下步骤：S1：坩埚放料：将原料放入坩埚；S2：加热熔融：对坩埚进行加热至坩埚内的原料融化，原料融化为液体；S3：添加掺杂剂：选取掺杂剂按照比例进行添加；S4：物料的混合：将S2中融化的液体以及S3中掺杂剂进行混合；S5：拉制管状硅芯：通过热场中的旋转，逐步拉出管状硅芯，拉制成型。本发明，碳/碳复合材料坩埚采用由高强度碳纤维和增强碳基质构成的复合材料制备而成，所用碳纤维的碱金属杂质含量低、强度和弹性模量大；添加掺杂剂，可得到合适的电阻率。

本发明提供一种磺酰胺晶体及其生长方法和用途。本发明的磺酰胺晶体的化学式为SO

本发明提供了一种放肩控制方法、装置、电子设备及存储介质，涉及太阳能光伏技术领域。其中，将直拉法单晶硅制备中转肩过程、等径过程的降温量调整到放肩过程，获得目标降温量，并根据目标降温量提升放肩过程中的放肩降温斜率，以根据调整后的放肩降温斜率在放肩过程中完成目标降温量的降温控制，此时，放肩过程的降温量提升，且转肩过程、等径过程的降温目标提前实现，能够有效降低放肩过程、转肩过程、等径过程的熔体温度，从而能够降低坩埚溶解，减少氧杂质溶解在熔体中溶解量，降低成品单晶硅的氧含量。

本发明公开了一种气相生长装置及其使用方法，所述气相生长装置包括中转室、供料室、装载室和多个反应室，所述中转室内设有用于转运晶圆和托盘的第一机械手，所述供料室具有用于取放所述晶圆的进出口，所述供料室上设有第一阀门，所述第一阀门用于打开或关闭所述进出口。所述供料室与所述中转室之间设有第二阀门，所述第二阀门用于连通或分隔所述供料室和所述中转室，所述装载室与所述中转室连通，所述装载室用于将所述晶圆装载在所述托盘上，所述反应室与所述中转室连通，每个所述反应室与所述中转室之间设有第三阀门，所述第三阀门用于连通或分隔所述反应室和所述中转室。本发明的实施例的气相生长装置具有设备利用率高和空间利用率高等优点。

本发明公开了一种单晶炉复投投料方法及单晶炉复投投料装置，单晶炉复投投料方法包括步骤：S1、控制器接收锅炉上压力感应器的第一压力值，加料装置放置于所述压力感应器上，比较第一压力值和预设压力值，当第一压力值大于预设压力值时，携带有料块加料装置安装于锅炉上，进入步骤S2；S2、控制器控制加料装置内加料器下降至第一预设位置，控制所述加料器投料至所述锅炉内部；S3、控制器接收锅炉底部称重传感器的重量数值，以在感应锅炉重量变化小于预设重力值时，进入步骤S4；S4、控制器控制加料器由锅炉内部提出，本申请有效地降低了工作人员的劳动强度。

本发明涉及一种梯度掺氘DKDP晶体生长装置及DKDP晶体生长方法，包括恒温供液装置、蠕动泵和晶体生长装置，所述晶体生长装置包括外壳，外壳内部设置有恒温水槽，恒温水槽的底部设置有控温装置Ⅱ，外壳的顶部设置有生长槽架，生长槽架上方竖直设置有电机，电机下方驱动连接有竖直的旋转轴，旋转轴底部向下延伸入外壳内，旋转轴的底端设置有晶架，在恒温水槽中设置有生长槽，晶架位于生长槽内，在晶体生长时，通过蠕动泵连续不断加入水或重水，当晶体在圆柱形玻璃管内定向生长时，生长溶液的氘含量是均匀变化的，形成了一定氘浓度梯度，使氘含量沿晶体生长方向变化，可以准确计算晶体生长量，从而控制蠕动泵传输速率，使氘含量变化均匀。

本发明公开了一种Ni3Sn单晶相合金材料及其制备方法，涉及粉末冶金技术领域，由以下质量百分含量的元素组成：Ni和Sn的总质量百分含量大于98％，且Ni3Sn相占据95％以上，其余为不可避免的杂质，本发明还公开了该单晶相合金材料的制备方法：一、金属Ni‑Sn纳米粉末充分混合后压制成生坯，二、在管式气氛炉中依次抽真空、通氢气还原和高温烧结。本发明制备的Ni3Sn单晶相在银基合金电接触材料的熔炼过程中可以抑制Ni聚集及增加Sn含量，促进银基电接触材料高质量产业化生产，以Ni‑Sn纳米粉末作为基体，以粉末冶金技术制备出一种Ni3Sn单晶相合金材料，可均匀分散到Ag基体中，有效抑制Ag基体中Ni的聚集，解决了工件难以大尺寸成型，且易产生偏析、缩孔等问题。

本发明实施例公开了一种用于硅片外延生长的基座以及装置；所述基座包括：与硅片不相接触的环形区域，所述环形区域位于基座的周向边缘；与硅片相接触的圆形区域，所述圆形区域处于所述环形区域的径向内侧；其中，所述圆形区域被划分为圆形子区域以及多个环形子区域，且在所述圆形子区域以及多个环形子区域中均设置有不同分布密度的孔洞以通过所述孔洞变更硅片表面区域的温度分布。

本发明提供了一种拉晶方法、单晶炉及计算机可读存储介质，涉及晶体生长技术领域。拉晶方法包括：在调温阶段的稳温过程，将加热功率降低第一预设功率；在引晶阶段，将加热功率降低第二预设功率，增大引晶阶段的平均拉速，并增大引晶长度；在放肩阶段，将加热功率降低第三预设功率，并增大放肩阶段的平均拉速。在调温阶段的稳温过程、引晶阶段、放肩阶段，将加热功率降低，提前减少了氧杂质的产生，保障了氧杂质的挥发，因此可以适当降低晶棒中的氧杂质，特别是适当降低了晶棒头部的氧杂质，可以减少放肩阶段的断线，且提升了等径头部的拉速。增大引晶阶段的平均拉速、增大放肩阶段的平均拉速可以保证拉晶的正常进行。

本发明公开了一种碲化镉多晶料的制备装置，本发明涉及碲化镉多晶制备技术领域。该碲化镉多晶料的制备装置，包括支台，支台上端面固定连接有箱体，箱体侧腔壁通过固定杆固定连接有熔炼皿，箱体内腔安装有用于将惰性气体通入其内部的注气机构，缠绕设置在卷轮外部的注气软管及若干个嵌接在注气软管外部的阀组件，滑动设置在矩形盒后腔壁上用于控制卷轮将注气软管收卷复位的复位组件，本发明通过通气膨胀展开后的注气软管将若干个阀组件纵向布置在箱体内部，从而能够从不同高度位置向箱体内部通入惰性气体，使得惰性气体能够快速均匀的充斥在箱体中，保证了碲和镉的熔炼质量，进而提高了碲化镉多晶料的制备成形质量。

本发明属于合成培育钻石或者特种钻石技术领域，尤其涉及一种双层加热管合成培育钻石调整温度梯度的装置，包括位于外部的柱状中空的复合叶腊石，以及白云石环和位于芯部的圆形导电圈，叶腊石中心设有四周密封的加热组件和位于加热组件中心的内部合成体，加热组件包括石墨加热片和石墨加热管，石墨加热管包括主石墨加热管和辅助石墨加热管，内部合成体从上至下依次包括传压陶瓷片、绝缘保温填充片、碳源、催化剂触媒、晶床，晶床中心设有晶种，碳源、催化剂触媒和晶床外边缘还套设一个高纯氧化镁管，本发明具有结构简单、调整方便的优点。

一种稀土离子和钍共掺杂的LaAlO

本发明公开一种制备高质量碳化硅晶体的生长方法及设备，方法采用两个长晶阶段，第一长晶阶段采用提拉法对碳化硅籽晶进行长晶，将碳化硅籽晶浸润在碳化硅熔液中，消除籽晶中的微管缺陷位错；第二阶段采用气相法对消除微管缺陷后的碳化硅籽晶进行长晶。设备采用内外双坩埚设计，将内坩埚设置在熔融室内，首先籽晶在内坩埚内的碳化硅熔液中进行第一长晶阶段，对碳化硅籽晶的微管缺陷及位错进行修复，修复后，旋转升降轴带动籽晶上升，在上升过程中，通过传动装置缓慢闭合盖体和导流装置，直至籽晶上升至预设位置，盖体和导流装置完全闭合，开始第二长晶阶段，由于第一长晶阶段已经对籽晶缺陷进行修复，后续长晶过程中无缺陷可继承，提高晶体的品质。

本发明涉及一种光学级金红石单晶体生长装置及方法，包括加热段以及保温段，加热段包括氧化锆陶瓷管的中间段套设置耐氧化高温导电陶瓷管，耐氧化高温导电陶瓷管外侧缠绕感应线圈，感应线圈通过电磁感应加热电源系统控制加热；氧化锆陶瓷管的上下两端未套设耐氧化高温导电陶瓷管的部分分别设置氧化锆电极，所述氧化锆电极通过水冷氧化锆电极汇流排与外部的电阻加热系统连接；保温段下端的生长界面设置籽晶生长的刚玉基座杆通过电磁感应、电阻双加热系统，可以实现在高达2000度左右的温度下，实现没有挥发物污染、参数精确可控、以满足生长高品质金红石等特种高温氧化物单晶体的要求。

本发明实施例公开了一种制造磷掺杂单晶硅棒的籽晶、装置及方法；所述籽晶包括：上端部，所述上端部与籽晶重锤相配合连接；中端部；末端部，所述末端部的内部设置有存储腔室，所述存储腔室用于盛放掺杂剂；其中，所述上端部、所述中端部以及所述末端部同轴地设置。

本发明属于电极材料领域，具体涉及一种过渡金属单晶氧化物前体的制备方法及用该前体制备的单晶电极材料。用特定气氛和温度，处理过渡金属含氧化合物，得到调控的过渡金属单晶氧化物前体；再通过煅烧过渡金属的单晶氧化物前体和含活性离子的化合物，进一步得到含有活性离子的单晶电极材料。本发明制备的单晶材料，形貌规则，分散性好，粒径分布范围窄，有效提高了电极材料的结构稳定性。

本发明涉及一种贵金属催化制备外尔半金属单晶材料的方法，将块状金属铌箔或钽箔与粉末状的砷和碘混合获得第一混合物；贵金属材料作为催化剂加入到第一混合物中，获得第二混合物；将第二混合物作为反应原料加入到石英管中，将石英管抽真空后密封；将密封后的石英管竖直放置于立式生长炉中，升温到450‑550 ℃后保温20‑40min；继续升温到1000‑1100 ℃后保温20‑40天；保温结束后缓慢冷却到450‑550 ℃后停止反应并冷却至室温。本发明方法中贵金属可以做为外尔半金属晶体生长的催化剂，降低了晶体生长的反应势垒，加速了中间产物的反应速率。

本发明公开一种二碲化钨薄膜的制备方法，包括下列步骤：步骤一：基底清洗：将基底依次经过去离子水、丙酮、乙醇、去离子水的超声清洗后，使用氮气枪将基底吹干备用；步骤二：在基底上使用磁控溅射方式镀一层厚度小于50nm的钨金属层；步骤三：在钨金属层上使用热蒸发或者电子束蒸发的方式镀一层碲材料层；步骤四：在碲材料层上镀一层耐高温保护层；步骤五：再将镀好材料的基底放入化学气相沉积设备中实施退火反应，退火反应时需补充碲源以使材料碲化更充分。本发明能合成WTe

本发明提供一种单片式外延炉用承托硅外延片的支撑件及单片式外延炉，支撑件的上表面设有一凹陷的载片区，载片区为优弧弓形，与待外延的硅片的形状相适配，用于放置待外延的硅片，且支撑件的载片区上设有多个贯穿支撑件上下表面的吸气孔，吸气孔用于通过气道与真空系统连接，将待外延的硅片吸附在支撑件上。本发明通过将支撑件中的载片区设为优弧弓形，减少了承托待外延硅片时出现的主参考面位置的凹陷，以一种简单并且低成本的方法，减小了单片炉生产的硅外延片在主参考面位置存在的厚度和电阻率数值异常，提高了外延片的一致性。

本发明涉及晶体生长技术领域，具体为一种并行高效晶体生长系统和方法，包括：若干个在竖直方向上连续排列的晶体生长单元；和若干个梯度加热模块，每个所述梯度加热模块分别环绕每个所述晶体生长单元的周壁设置；相邻两个梯度加热模块之间设有隔热模块。本发明通过将多个晶体生长单元和梯度加热模块在竖直方向上层叠设置，同时在连接界面处，增设隔热模块，能够阻隔高温和低温区热量的交换，消除上下生长单元之间的相互影响。各晶体生长单元的位移可以同步调控，从而实现同步均匀生长，具有晶体制备效率高、温度可控性强以及生长均匀性好等特点。

本发明涉及一种碳化硅晶体生长中抑制表面台阶粗化的方法，所述方法包括如下步骤：（1）加热硅原料与助溶剂，得到硅合金溶液；（2）将籽晶的底面接触步骤（1）所得硅合金溶液，使碳化硅晶体在所述籽晶的底面生长；在所述碳化硅晶体的生长过程中，对靠近碳化硅晶体生长面的硅合金溶液进行高频振动处理。本发明通过在碳化硅晶体的生长过程中对硅合金溶液施加高频振动，进而提高了传输到碳化硅晶体生长面的台阶前沿的C溶质量，使得台阶沿宽度方向持续生长，从而抑制了碳化硅晶体生长过程中的台阶粗化。

本发明公开了La

本发明提供一种单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材，其中，单晶金刚石基板的制备方法至少包括以下步骤：在一硅基板的上表面制备一层蓝宝石层，且硅基板的上表面的形貌为原子层台阶；在蓝宝石层上生长一层合金膜，硅基板、蓝宝石层和合金膜组成用于生长单晶金刚石基板的基材；在基材上采用微波等离子体化学气相沉积制备单晶金刚石基板；当单晶金刚石厚度达到预设厚度时，停止生长单晶金刚石，并对单晶金刚石基板进行剥离，得到带有合金膜的单晶金刚石基板。采用本发明提供的制备方法可以制备大面积的单晶金刚石基板。

本发明公开的外延反应器包括石墨腔室和反应腔室，石墨腔室包括上半月和下半月，上半月和下半月均设置于反应腔室内，且上半月和下半月之间形成供工艺气流通过的气流通道，该外延反应器还包括测距装置，测距装置可测定上半月和下半月在反应腔室内部的位置，以实现对石墨腔室相对反应腔室位置的精确定位。在每次拆除石墨腔室之前，通过测距装置可以精确得到石墨腔室在反应腔室中的安装位置，以此为位置基准，在重新安装石墨腔室时，再次通过测距装置进行测距，根据前后数据的对比即可以清晰的判断出石墨腔室在反应腔室中的位置有无偏移，以实现石墨腔室相对于反应腔室的精准定位，从而保证了石墨腔室在重新安装后，反应腔的温场不会发生改变。

本发明公开了一种提高多元系III族氮化物基半导体材料晶体质量的方法。所述方法包括先生长一层刻蚀准备层，以卤素基源对所述刻蚀准备层进行原位刻蚀，以在所述刻蚀准备层表面的位错区域形成刻蚀坑；在所述刻蚀准备层表面进行合并层的生长，并至少使所述刻蚀坑的部分被所述合并层合并，其中，所述刻蚀准备层和合并层的材质相同，且均为多元系III族氮化物。本发明实施例提出的方法通过控制反应室温度等条件，可以实现位错周围区域优先刻蚀、平面区域几乎不刻蚀，从而对AlGaN等多元系III族氮化物基半导体材料高效率、选择性刻蚀，通过原位产生刻蚀坑，可避免传统ELOG生长中掩膜介质分解导致的杂质污染等问题。

本发明涉及一种溶液法生长碳化硅单晶的热场结构及方法。所述结构包括：用于固定籽晶的吊杆；用于放置助溶液的內坩埚；用于控制內坩埚高度的石墨环；用于防止内坩埚腐蚀泄露的外坩埚；可提供保温的硬石墨毡盖及软毡；可束缚软毡和支撑热场结构的石英管。所述方法为：将盛放在坩埚内的硅和助熔剂在高温下熔化成有一定碳溶解度的助溶液；使籽晶下降至液面处开始碳化硅晶体的生长；在摆放装置前通过设计一定高度的石墨环控制助溶液高温区的位置，保证低温区在籽晶附近。本发明可使得碳化硅晶体生长过程中仅籽晶处位于相对低温的区域，石墨环的摆放可避免除籽晶外其他地方产生自发成核；孔径和厚度可调的石墨盘可保证均匀的径向温度和过饱和度分布。

本发明涉及拓扑半金属材料技术领域，具体涉及一种用于太赫兹探测的晶圆级狄拉克半金属二碲化铂的生长方法。本发明在晶圆级大面积氧化铝衬底上采用分子束外延技术控制Pt原子和Te原子的流速比，控制合适的衬底温度和生长速度，实现了大面积晶圆级高质量单晶狄拉克半金属二碲化铂的均匀可控生长制备。本发明区别于化学气相沉积和机械剥离，制到的二碲化铂为高质量的大面积均匀薄膜，结晶性好，在室温下稳定，具有高载流子迁移率和电导性，基于此材料制备的器件可以实现从中红外到太赫兹的光电探测，为后续光电探测器件的制备提供了不可或缺的条件。

本申请的实施例提供了一种降氧导流筒、单晶炉及降氧工艺方法，涉及单晶硅生产技术领域。该降氧导流筒包括导流筒主体，导流筒主体包括相连接的直筒部和收束部，收束部向内收束且具有用于朝向坩埚内液面的流通口；罩体，罩体包括气流引导部和弯曲聚热部，气流引导部的内侧壁连接于收束部背离直筒部的一端，气流引导部的外侧壁与弯曲聚热部相连接，弯曲聚热部朝背离收束部的一侧弯折，气流引导部与收束部之间形成三角形区域，其能够使得氩气流过液面的面积增大，进而更多地带走液面挥发的氧杂质。

本发明涉及碳化硅单晶炉技术领域，尤其提供一种碳化硅单晶生长用炉体及其加工工艺。该碳化硅单晶生长用炉体包括炉体外壳、导流组件、两个加热组件、坩埚组件以及控制组件。本发明过将炉体外壳、导流组件、两个加热组件及坩埚组件合理装配，在减少气流排出行程、防止出现气体乱流的同时还利用惰性气流，使得坩埚处的温度均匀分布，在现碳化硅单晶生长用炉体内横向温度不均匀时，运用控制组件及在加热组件，使得坩埚组件处惰性气流量上升，且将惰性气流方向从原本垂直流向坩埚变为倾斜围绕坩埚绕流流动上升，进一步增加了坩埚周围温度的均匀性，达到坩埚周围的温度均匀分布，从而保证单晶硅生长的质量。

本申请涉及一种多工位生长板状氟化物晶体的装置及操作方法，所述装置包括真空腔体、升降机构、设置在所述真空腔体的多个保温机构，每个所述保温机构内设有发热器、坩埚和坩埚杆，其中，所述多个保温机构用于形成容置所述氟化物晶体的多个生长工位，所述保温机构内的发热器独立为对应保温机构内的坩埚加热；所述坩埚顺序划分为坩埚上部、坩埚中部和坩埚下部，其中坩埚上部为储料区，坩埚中部为板状结构的晶体生长区，坩埚下部为与坩埚杆固定连接的籽晶槽；所述坩埚杆顺序穿过所述保温机构和所述真空腔体的底部，多个所述坩埚杆的底部与同一升降机构固定连接。

本发明提供了一种拉晶集控系统及单晶炉，涉及晶体生长技术领域。拉晶集控系统连接各个单晶炉，拉晶集控系统包括：数据采集模块、任务调度模块、远程控制模块；数据采集模块采集各个单晶炉的运行数据；任务调度模块基于拉晶阶段基准信息、各个单晶炉的运行数据，分别生成各个单晶炉对应的调度任务包，并进行调度任务提醒；远程控制模块在接收到与调度任务包对应的任务包控制操作的情况下，将任务包控制操作对应的指令发送至对应的单晶炉，以实现对对应的单晶炉远程操控。代替人工巡视，自动生成单晶炉对应的调度任务，对对应的单晶炉远程操控，无需操作人员去拉晶现场，无需在各个单晶炉之间来回移动，减少了人工工作量，提升了生产效率。

本发明公开了一种碲锌镉晶片的退火方法，包括：S1、将碲锌镉晶片和碲粉放入退火炉的不同位置中，将退火炉密封后抽真空；S2、将退火炉缓慢升温至790‑805℃，进行保温；S3、缓慢降温，即得。该退火方法操作容易、工艺流程短、工艺可控性强、所需时间短，退火后的直径为0.3μm大小的碲锌镉晶片亮点数量低至30颗以下，内应力低、成分均匀、且电阻率高、颗粒夹杂物少，且该方法一次性能处理上百片晶片，因此处理效率高，具有可观的应用前景。

本发明公开了一种半导体级单晶硅生产工艺，包括步骤：S1、选料，在矿坑选取石英石矿石15‑30份，经检测选用二氧化硅含量在95％以上的石英石矿石；S2、将S1中的原材料放入专用的清洗容器中，利用高压水枪，持续翻转清洗并烘干；S3、将S2中的原材料放入粉碎机中进行粉碎，获得石英石矿石粉末材料15‑30份；S4、将S3中的原料装入石英煅烧炉中，先用氮气除尽炉内的空气，在900‑1000℃进行煅烧2‑5小时。通过该方法制备的单晶硅片，在最后的提纯的阶段，不使用坩埚，能避免坩埚污染，因而可以制备纯度很高的单晶，提高了晶圆的纯度。

本发明涉及水热法石英晶体生长技术领域，本发明公开了一种用于水热法石英晶体生长高压釜的内壁保护层生成法，高压釜内腔中设置籽晶架和原料筐，方法包括以下步骤：生成保护层的面积及所需SiO

本发明涉及一种坩埚组件，包括石英坩埚和位于所述石英坩埚内的分隔件，所述分隔件将所述石英坩埚的内部容纳腔分隔为多个相互独立的子容纳腔。本发明还涉及一种单晶炉和晶棒生长方法。通过所述分隔件的设置可以将石英坩埚内部的容纳腔分隔为多个相互独立的子容纳腔，这样每个子容纳腔内都可以拉制一个晶棒，提高生产效率，且互不干扰。

本发明涉及单晶炉技术领域，提供一种单晶炉热场加热器、加热方法及单晶炉，其中，单晶炉热场加热器用于给坩埚加热，单晶炉热场加热器设置于坩埚的外周和底部，包括氢能加热组件，所述氢能加热组件用于对所述坩埚进行加热。本发明提供的单晶炉热场加热器、加热方法及单晶炉，通过氢能加热组件对坩埚进行加热，利用氢能加热，相对于现有技术中的电加热，不产生二氧化碳，有利于环保，而且，氢能加热组件可以采用氢气直燃加热，也可以采用氢气催化反应红外加热，当采用氢气氧化反应辐射加热时，热损耗较小，加热速度快、加热均匀。

本发明提供了一种单晶硅生长方法，涉及单晶硅生产技术领域。该单晶硅生长方法包括：根据晶棒头部的电阻率，向硅溶液里掺杂含磷母合金；在检测得到的所述晶棒的电阻率低于预设门限时，或者，在所述晶棒被拉制到预设长度时，向硅溶液里分多次掺杂表面镀有四氮化三硅的含有锗和硼的母合金硅片。通过向硅溶液里分多次掺杂表面镀有四氮化三硅的含有锗和硼的母合金硅片，能够通过硼元素提升晶棒的电阻率，控制单晶硅生长过程中电阻高于预设门限；通过掺杂锗元素能够消除因为掺杂硼和氮引起的硅晶格畸变。本发明方案，解决了晶棒生长过程中头尾电阻率差值较大的问题，且能够改善晶格畸变和缺陷分布，提高晶棒产品的合格率。

本发明公开了一种利用三氯化磷合成磷化铟外延薄膜晶片的生产工艺，一种利用三氯化磷合成磷化铟薄膜晶片的生产工艺，将石英反应管放在气相外延反应腔中，以盛装砷化镓晶圆衬底的石英舟放置于反应腔中源区，通入高纯氢气，缓慢加热三氯化磷储罐至100~110℃，使得储罐中的三氯化磷气化，联通三氯化磷储罐、氢气储罐、石英反应管，通过氢气鼓泡将三氯化磷引入到石英反应管中，持续通入过量氢气并缓慢加热到700~800℃，在上述温度和压力下，在铟源上方将持续发生歧化反应生成磷化铟薄膜晶片。本发明提供了一种磷化铟薄膜晶片的工艺路线，可以生成满足特定需求的晶片材料。

本发明公开了一种碳化硅晶体扩径生长装置、方法及碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体制备领域。该碳化硅晶体扩径生长装置包括石墨坩埚、碳化硅籽晶及扩径件，碳化硅籽晶固定于石墨坩埚的内顶壁；扩径件与石墨坩埚的内侧壁连接，且扩径件成型有扩径通道及多个泄流环槽，扩径通道沿碳化硅籽晶的轴向延伸，多个泄流环槽在扩径通道的轴向上依次间隔且同轴排布，扩径通道通过多个泄流环槽与石墨坩埚的内侧壁连通。本发明提供的碳化硅晶体扩径生长装置能够持续扩径生长碳化硅晶体，并提升生长质量。

本发明公开了一种外延设备用气浮旋转机构，包括：石墨基座、气浮支撑环和气浮基座，气浮支撑环的一端安装在石墨基座内，另一端安装在气浮基座内，石墨基座内部设有多个独立的载气通道，石墨基座顶部均布有多个与载气通道连通的气浮孔，气浮基座底部设有导流槽，气浮基座顶部用作载片盘；气浮载气通过载气通道进入石墨基座后经气浮孔喷出，托起气浮基座，气浮载气作用到导流槽上，驱动气浮基座围绕气浮支撑环旋转。本发明具有结构紧凑、旋转顺畅且受力均匀等优点，解决了因石墨基座内的载气通道设置不合理而导致载气传输存在时间差、加剧气浮基座旋转摇晃、加速石墨件损耗、温度偏差大等问题，提高了气浮基座旋转稳定性，延长了设备使用寿命。

本申请的实施例提供了一种单晶炉、单晶炉调整方法及生产低氧晶棒的方法，涉及单晶硅棒生产技术领域。该单晶炉包括炉体、坩埚、加热器、导流筒、保温盖、上保温筒、中保温筒和下保温筒，上保温筒、中保温筒和下保温筒由上至下依次设置在炉体内，保温盖设置于上保温筒的顶部，导流筒设置于保温盖上；上保温筒和中保温筒之间设置有支撑环，坩埚可升降地设置于上保温筒、中保温筒和下保温筒围成的腔室内，加热器设置于炉体内，加热器的顶部低于支撑环，且加热器的顶部与支撑环之间的距离为20‑30mm，坩埚的底部具有倒角部，倒角部低于加热器的顶部，其能够在控制成本的基础上降低单晶硅棒中的氧含量。