掩膜板、膜层的制作方法、显示基板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种掩膜板、膜层的制作方法、显示基板及显示装置。

背景技术

掩膜板(Mask)，也称为光罩(Photo Mask)，是光刻工艺所使用的图形母板，通常由不透光的遮光薄膜(例如金属铬)在显示基板上形成掩膜图形。不同尺寸的显示面板在生产中需要不同尺寸的掩膜板。

为了节省成本，提高掩膜板的兼容性，现有技术中利用同一个掩膜板，采用拼接曝光的方法以生产不同尺寸的显示面板，即在显示面板的生产过程中采用多次曝光的方式，每次曝光将掩膜板上的部分图形转印到显示基板上，最后拼接成所需要的完整的图形。然而，采用现有技术中拼接曝光方法所制作的显示面板，存在着拼接缝和画面不均匀的问题，影响了显示质量。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种掩膜板、膜层的制作方法、显示基板及显示装置，用以解决现有技术中的显示面板所述存在的具有拼接缝和画面不均匀的问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种掩膜板，包括多个掩膜图形，所述掩膜图形包括第一图形和第二图形；

所述第一图形包括第一子图形和第二子图形，所述第一子图形位于所述掩膜板的第一边缘区域，所述第二子图形位于所述掩膜板中与所述第一边缘区域相对的第二边缘区域，所述第二图形位于所述第一子图形和所述第二子图形之间；

在第一方向上，所述第一子图形与所述第二图形之间设置有第一预设距离，所述第二子图形与所述第二图形之间设置有第二预设距离，所述第一方向为所述第一子图形指向所述第二图形的方向；

所述第二图形包括多个子单元图形，所述子单元图形沿第一子图形指向所述第二图形的方向排布，且在所述第一子图形指向所述第二图形的方向上，所述多个子单元图形中至少部分所述子单元图形间隔设置。

可选的，在所述第一方向上，所述多个子单元图形中全部所述子单元图形均间隔设置。

可选的，在所述第一方向上，所述第一预设距离小于两个相邻的所述子单元图形之间的距离；和/或，

在所述第一子图形指向所述第二图形方向上，所述第二预设距离小于两个相邻的所述子单元图形之间的距离。

可选的，所述多个子单元图形中，相邻两个子单元图形之间的距离相等；和/或，

所述第一预设距离与所述第二预设距离相等。

可选的，在所述第一方向上，所述子单元图形的宽度等于两个相邻且间隔设置的子单元图形之间的距离；和/或，

在第二方向上，所述多个子单元图形的宽度相等，所述第二方向垂直于所述第一方向。

第二个方面，本申请实施例提供了一种膜层的制作方法，所述膜层通过利用本申请实施例中的掩膜板制作形成，显示基板的制作方法包括：

提供一待光刻膜层，并通过所述掩膜板的第一子图形对所述待光刻膜层进行曝光；

通过所述掩膜板的第二图形对所述待光刻膜层进行曝光；

通过所述掩膜板的第二子图形对所述待光刻膜层进行曝光；

对曝光后的所述待光刻膜层进行显影和/或刻蚀，以形成所述膜层。

可选的，所述多个子单元图形中全部所述子单元图形均间隔设置，且相邻两个子单元图形之间的距离相等，所述通过所述掩膜板的第二图形对所述待光刻膜层进行曝光，包括：

使所述掩膜板位于第一位置，并通过所述掩膜板的第二图形对所述待光刻膜层进行曝光；

使所述掩膜板位于第二位置，并通过所述掩膜板的第二图形对所述待光刻膜层进行曝光，在所述第一子图形指向所述第二图形方向上，所述第一位置和所述第二位置之间的距离等于相邻两个所述子单元图形之间的距离。

第三个方面，本申请实施例提供了一种显示基板，所述显示基板包括采用本申请实施例中的制作方法制作的膜层。

第四个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例中的显示基板。

可选的，所述显示装置包括设置于所述显示基板一侧的多个集成芯片，在所述第一子图形指向所述第二图形方向上，相邻两子单元图形之间的距离为所述集成芯片宽度的整数倍；或者，

所述显示装置包括设置于显示基板一侧的多个GOA单元，在所述第一图形指向所述第二图形方向上，相邻两子单元图形之间的距离为所述GOA单元宽度的整数倍。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：

本申请实施例中的掩膜板包括多个掩膜图形，掩膜图形包括第一图形和第二图形，第一图形包括分别位于掩膜板相对两个边缘的第一子图形和第二子图形；其中，第二图形包括多个子单元图形，子单元图形沿一子图形指向第二图形的方向排布，且在第一子图形指向第二图形的方向上，多个子单元图形中至少部分子单元图形间隔设置。通过将至少部分子单元图形间隔设置，在通过拼接曝光的方式生产显示面板的过程中，避免了子单元图形之间无间隔时因为挡板边缘的曝光灰区造成子单元图形的重复曝光，改善了多个子单元图形在拼接处所存在的拼接缝和画面不均匀的问题，提高了显示质量。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为现有技术中掩膜板的结构示意图；

图2为利用现有技术掩膜板制作常规尺寸显示面板曝光过程示意图；

图3为利用现有技术掩膜板制作非常规尺寸显示面板曝光过程示意图；

图4为产生显示不良原因的曝光原理示意图；

图5为本申请实施例中掩膜板的结构示意图；

图6为利用本申请实施例掩膜板制作一种显示面板曝光过程示意图；

图7为本申请实施例中显示基板的制作流程示意图；

图8为利用本申请实施例掩膜板制作另一种显示面板的前三次曝光过程示意图；

图9为利用本申请实施例掩膜板制作另一种显示面板的后三次曝光过程示意图；

图10为本申请实施例中掩膜板和显示装置的对比示意图；

图11为本申请实施例中掩膜板和另一种显示装置的对比示意图。

图中：

1-掩膜板；10-掩膜图形；11-第一图形；12-第二图形；111-第一子图形；112-第二子图形；120-子单元图形；

101-第一边缘区域；102-第二边缘区域；

L1-第一预设距离；L2-第二预设距离；宽度W1；宽度W2；距离D1；

2-显示装置；20-显示基板；201-膜层；30-挡板；

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本申请的发明人考虑到，在现有的掩膜板中，通常包括第一图形和第二图形，第一图形包括第一子图形和第二子图形，第一子图形和第二图形之间设置有距离，第二子推行和第二图形之间也设置有距离。第二图形中包括多个子单元图形，多个子单元图形之间无间隔；在采用拼接曝光的方式生产不同尺寸的显示面板时，需要利用挡板遮盖部分子单元图形进行一次曝光，然后使该部分子单元图形暴露，并用挡板遮盖另一部分子单元图形进行下一次曝光，如此重复以拼接成目标尺寸的图形。由于挡板的边缘存在曝光灰区，即挡板的边缘处并不是完全遮光，靠近挡板边缘处的子单元图形也会被曝光，因此在拼接曝光的过程中，靠近挡板边缘处的子单元图形会被重复曝光。由于两次曝光程度不同(一次是有挡板时的灰区曝光、另一次是完全曝光)，因此在图形的拼接处灰区曝光和完全曝光所形成的图形会不一致，两者叠加后会产生拼接缝和不均匀的问题，造成显示不良。

本申请提供的掩膜板、显示基板的制作方法及显示装置，旨在解决现有技术的如上技术问题。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

在现有的掩膜板1中，如图1所示，通常包括第一图形11和第二图形12，第一图形11包括第一子图形111和第二子图形112，第二图形12由多个子单元图形120组成。第一子图形111和第二子图形112分别位于掩膜板1的上边缘和下边缘处，在第一方向上，第一子图形111和第二图形12间隔设置，第二子图形112和第二图形12间隔设置。

在现有技术中的常规尺寸显示面板的制作过程中，结合图1和图2，首先利用挡板30遮盖第二图形12和第二子图形112，通过第一次曝光在膜层201的边缘形成第一子图形111。接着，用挡板30遮盖第一子图形111和第二子图形112，通过第二次曝光在膜层201上形成第二图形12。接着，在保持挡板30遮盖第一子图形111和第二子图形112的同时，移动掩膜板1和膜层201的相对位置并进行第三次曝光，以在膜层201上形成由两个第二图形12所组成的图形。最后，用挡板30遮盖第一子图形111和第二图形12，通过第四次曝光在膜层201的另一个边缘形成第二子图形112，以实现将掩膜板1上的图形转印到膜层201之上。对于常规尺寸显示面板，膜层201上的目标图形可通过整块的第二图形12拼接形成，因此在设计掩膜板1时可以减小掩膜板1的尺寸。

对于非常规尺寸的显示面板，膜层201上图形的尺寸不能通过多个整块的第二图形12拼接形成，因此在拼接曝光时过程中需要遮盖部分第二图形12进行曝光，以在膜层201上拼接形成所需要的图形。结合图1和图3，首先利用挡板30遮盖第二图形12和第二子图形112，通过第一次曝光在膜层201的上边缘形成第一子图形111；接着，用挡板30遮盖第一子图形111和第二子图形112，通过第二次曝光在膜层201上形成第二图形12，然后用挡板30遮盖第一子图形111、第二子图形112以及部分第二图形12，第三次曝光后在膜层201上形成部分第二图形12(如图3所示，该部分第二图形12靠近目标图形的下边缘)。最后，用挡板30遮盖第一子图形111和第二图形12，通过第四次曝光在膜层201的下边缘形成第二子图形112单元，以实现将掩膜板1上的图形转印到膜层201之上。

结合图2和图4，在挡板30边缘处，位于挡板30正下方的区域并不是以挡板30边缘的投影为界分为未曝光和完全曝光，而是存在一个曝光灰区。在曝光灰区中，从左至右曝光程度逐渐增加，在曝光灰区之外远离挡板30的一侧才是100％的完全曝光。在常规尺寸显示面板的制作过程中，由于第一子图形111和第二图形12之间存在间隙，第二子图形112和第二图形12之间也存在间隙，在多次曝光过程中可以使挡板30的边缘位于图形的间隙之间，因此在膜层201上曝光形成图形之后，特异图形和第二图形12的拼接处不会有被重复曝光的图形，也不会产生拼接缝和显示不良的问题。

然而在制作非常规尺寸的显示面板时，结合图3和图4，在第三次曝光和第四次曝光以在膜层201上形成目标图形的过程中，由于挡板30边缘曝光灰区的存在，第三次曝光时被遮挡的第二图形12中有部分图形落入曝光灰区之中被部分曝光(该部分图形位于目标图形的拼接处)，在第四次曝光时第三次曝光中被遮挡的图形又被完全曝光，因此两次曝光造成有部分图形被重复曝光。由于两次曝光程度不同，两次曝光在膜层201上所形成的图形不一致，叠加后导致出现图形模糊的现象，在宏观上表现为拼接缝和显示不均匀的现象。

本申请实施例提供了一种掩膜板1，如图5所示，包括多个掩膜图形10，掩膜图形10包括第一图形11和第二图形12；第一图形11包括第一子图形111和第二子图形112，第一子图形111位于掩膜板1的一个第一边缘区域101，第二子图形112位于掩膜板1中与第一边缘区域101相对的第二边缘区域102，第二图形12位于第一子图形111和第二子图形112之间。在第一方向上，第一子图形111与第二图形12之间设置有第一预设距离L1，第二子图形112与第二图形12之间设置有第二预设距离L2，第一方向为第一子图形111指向第二图形12的方向。

其中，第二图形12包括多个子单元图形120，子单元图形120沿第一子图形111指向第二图形12的方向排布，且在第一子图形111指向第二图形12的方向上，多个子单元图形120中至少部分子单元图形120间隔设置。

需要说明的是，第一图形11包括特异图形，第一子图形111和第二子图形112分别位于掩膜板1的上下两个侧边，第二图形12中包括多个相同的子单元图形120。根据目标图形的实际大小，通过挡板30遮挡第二图形12中的不同部分进行多次曝光，以拼接形成目标图形。结合图5和图6，通过将第二图形12划分成多个子单元图形120，且至少部分子单元图形120间隔设置，在拼接曝光的过程中，可以使挡板30的边缘位于两间隔设置的子单元图形120之间，以减小在曝光灰区范围内的图形的面积，减少由于曝光灰区造成的重复曝光的子单元图形120。由此可以改善膜层201上图形所出现的拼接缝和显示不良等现象，有利于提高显示质量。

请参阅图4，需要说明的是，在第一方向上曝光灰区的长度通常为4mm，为了避免在拼接曝光时第一子图形111和第二图形12之间出现拼接缝，可以使第一预设距离L1大于或者等于4mm。同理也可以使第二预设距离L2大于或者等于4mm。第一预设距离L1和第二预设距离L2的具体数值可以根据实际情况进行确定。

为了使掩膜板1能通过拼接曝光的方式形成更多尺寸的目标图形，提高掩膜板1的兼容性，在本申请的实施例中，如图5所示，在第一方向上，第二图形12中的多个子单元图形120均间隔设置。(支持权2)因此，第二图形12在最大程度上被划分，子单元图形120作为第二图形12的最小组成单元。在拼接曝光以形成目标图形的过程中，挡板30的边缘可以处在任意两个间隔设置的子单元图形120之间。由此可以使拼接曝光的组合方式更加灵活，形成更多不同尺寸的目标图形。

在拼接曝光的过程中，为了进一步地减小落入曝光灰区范围内图形的面积，减少拼接缝和显示不良的现象，可以增大多个子单元图形120之间的距离。优选的，如图5所示，在本申请的实施例中，在第一方向上，第一预设距离L1小于两个相邻的子单元图形120之间的距离D1；和/或，在第一子图形111指向第二图形12方向上，第二预设距离L2小于两个相邻的子单元图形120之间的距离D1。优选的，可以使两个相邻的子单元图形120之间的距离大于第一预设距离L1和第二预设距离L2之中的最大值。

需要说明的是，在第二图形12中，多个子单元图形120之间的距离可以是相等的也可以是不相等的。优选的，在本申请的实施例中，多个子单元图形120中相邻两个子单元图形120之间的距离D1相等，因此在制作掩膜板1时更加容易，简化了制作工艺。可以理解的是，第一预设距离L1和第二预设距离L2也可以相同。第一预设距离L1、第二预设距离L2以及相邻两个子单元图形120之间距离D1的具体数值可以根据实际情况进行确定，此处不作限定。

多个子单元图形120的大小也可以根据实际情况进行确定，在本申请的实施例中，如图5所示，在垂直于第一方向的第二方向上，多个子单元图形120的宽度相等W2，(支持权6)因此可以使掩膜板1的制作更加容易，也可以使多个子单元图形120拼接后所形成的目标图形更加规整。

如图5所示，在本申请的实施例中，在第一方向上，子单元图形120的宽度W1等于两个相邻且间隔设置的子单元图形120之间的距离D1。因此，结合图5和图6，在拼接曝光的过程中，可以在多次曝光的过程中使掩膜板1的位置错开，以使前一次曝光时的空白区域(相邻两子单元图形120之间的间隔区域)正好与后一次曝光时的图形相对应，通过两次曝光即可实现目标图形的拼接，由此可以减少在拼接目标图形时需要曝光的次数。

基于同一种发明构思，本申请实施例还提供一种膜层201的制作方法，膜层201通过利用本申请实施例中的掩膜板1制作形成，如图6所示，该制作方法包括：

S101、提供一待光刻膜层，并通过掩膜板的第一子图形对待光刻膜层进行曝光；

S102、通过掩膜板的第二图形对待光刻膜层进行曝光；

S103、通过掩膜板的第二子图形对待光刻膜层进行曝光；

S104、对曝光后的待光刻膜层进行显影和/或刻蚀，以形成膜层。

本申请实施例提供的膜层201的制作方法中，由于第二图形12的多个子单元图形120中至少部分子单元图形120间隔设置，在拼接曝光的过程中，可以使挡板30的边缘位于两间隔设置的子单元图形120之间，以减小在曝光灰区范围内的图形的面积，减少由于曝光灰区造成的重复曝光的子单元图形120。由此可以改善膜层201上的目标图形上所出现的拼接缝和显示不良等现象，有利于提高显示质量。

具体的，如图5所示，本申请实施例中多个子单元图形120中全部子单元图形120均间隔设置，且相邻两个子单元图形120之间的距离D1相等，在通过掩膜板1的第二图形12对待光刻膜层201进行曝光中，包括：

使掩膜板位于第一位置，并通过掩膜板的第二图形对待光刻膜层进行曝光；

使掩膜板位于第二位置，并通过掩膜板的第二图形对待光刻膜层进行曝光，在第一子图形指向第二图形方向上，第一位置和第二位置之间的距离等于相邻两个子单元图形之间的距离。

下面结合附图详细介绍第一种具体的实施方式中制作膜层201的具体过程。

如图6所示，首先提供一待光刻膜层，并在待光刻膜层上形成光刻胶层(图中未示出)。利用挡板30遮挡第二图形12和第二子图形112，并使挡板30的边缘位于第一子图形111和第二图形12之间的空白处，通过第一次曝光在光刻胶层上形成第一图形11。接着利用挡板30遮盖第一子图形111和第二子图形112，使挡板30的边缘位于第一图形11和第二图形12之间的空白处并将掩膜板1置于第一位置，通过第二次曝光在光刻胶层形成部分第二图形12。

接着，保持挡板30和掩膜板1的相对位置不变，将掩膜板1移动到第二位置，在第一方向上，第一位置和第二位置的距离等于相邻两个子单元图形120之间的距离，通过第三次曝光在光刻胶层形成另一部分第二图形12，第二次曝光和第三次曝光所述形成的图形拼接成目标图形。接着，使挡板30遮盖第一子图形111和第二图形12，通过第四次曝光将第二子图形112转印到光刻胶层上，由此实现了光刻胶层上目标图形的形成。最后，对经过曝光后的所述光刻胶层进行显影，并对光刻胶层经过显影后露出的待光刻膜层的区域进行刻蚀，在待光刻膜层上形成目标图形，以形成膜层201。

需要说明的是，待光刻膜层的类型可以根据实际情况进行确定，例如树脂层、或者金属层、或者透明聚酰亚胺层，待光刻膜层可以是一层单独的膜层，也可以是多个膜层叠加的复合膜层(例如金属层加上透明聚酰亚胺层)。另外，部分待光刻膜层上也可以不进行光刻胶涂覆以及刻蚀，具体可以根据实际情况进行确定。

当需要拼接形成的目标图形尺寸不同时，需要曝光的次数也不同。如图6所示，通过4次曝光完成整个拼接曝光的过程。结合图5、图8和图9，目标图形的尺寸较大，因此，在第一次曝光以形成第一子图形111后，需要通过第二、第三、第四和第五次曝光以拼接形成目标图形中具有重复单元的部分，最后通过第六次曝光形成第二子图形112，由此完成目标尺寸图形的制作。具体的曝光次数可以根据实际情况进行确定。

需要说明的是，本申请实施例中的掩膜板1不仅可以实现显示基板20的制作，也可以实现例如光电子集成基板或者其他传感器等包括带有图形膜层的装置的制作，具体可以根据实际情况进行确定。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示基板，该显示基板包括采用本申请实施例中的制作方法制作的膜层201。由于显示基板20包括本申请实施例提供的上述膜层201，因此该显示基板20具有与膜层201相同的有益效果，这里不再赘述。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示装置2，该显示装置2包括本申请实施例提供的上述显示基板20。由于显示装置2包括本申请实施例提供的上述显示基板20，因此该显示装置2具有与显示基板20相同的有益效果，这里不再赘述。

在本申请的一些实施例中，显示装置2包括设置于显示基板20一侧的多个集成芯片，在第一子图形111指向第二图形12方向上(即第一方向)，相邻两子单元图形120之间的距离为集成芯片(COF芯片)宽度的整数倍；或者，显示装置2包括设置于显示基板20一侧的多个GOA单元，在第一图形11指向第二图形12方向上，相邻两子单元图形120之间的距离为GOA单元宽度的整数倍。

在显示装置2中，为了节省扫描相关的集成电路，降低制作成本，可以采用栅驱动集成(Gate Driven on Array，GOA)的设置。结合图5和图10，,显示装置2的一侧设置有多个GOA单元，每个GOA单元控制一行或者多行像素单元的开闭，GOA单元的宽度越大，所能控制的像素单元就越多。在设计掩膜板1时，在第一方向上将子单元的宽度与相邻两个子单元图形120之间的距离保持一致，相邻两个子单元图形120之间的距离可以等于GOA单元的宽度，也可以是GOA单元宽度的整数倍，例如2倍或者3倍。可以理解的是，子单元图形120的宽度越大，每行子单元中所包含的像素单元越多，通过使相邻两子单元图形120之间的距离为GOA单元宽度的整数倍，在制作显示装置2时可以使GOA单元与子图形单元120中的像素单元对应，简化了制作工艺。

为了减小数据线驱动集成电路的尺寸，显示装置2中会采用薄膜集成芯片(ChipOn Film，COF)的设置。结合图5和图11，显示装置2的一侧设置多个COF芯片，每个COF芯片对应驱动多个像素单元。在设计掩膜板1时，在第一方向上将子单元的宽度与相邻两个子单元图形120之间的距离保持一致，相邻两个子单元图形120之间的距离可以等于COF芯片的宽度，也可以是COF芯片宽度的整数倍，例如2倍或者3倍。通过使相邻两子单元图形120之间的距离为COF芯片宽度的整数倍，在制作显示装置2时可以使COF芯片与子图形单元120中的像素单元对应，方便了显示装置2的制作。

本申请实施例中，显示装置2包括但不限于电子书、手机、平板电脑、电视等，具体可根据实际情况进行确定。

应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：

1.本申请实施例中的掩膜板1包括多个掩膜图形10，掩膜图形10包括第一图形11和第二图形12，第一图形11包括分别位于掩膜板1相对两个边缘的第一子图形111和第二子图形112；其中，第二图形12包括多个子单元图形120，子单元图形120沿一子图形指向第二图形12的方向排布，且在第一子图形111指向第二图形12的方向上，多个子单元图形120中至少部分子单元图形120间隔设置。通过将至少部分子单元图形120间隔设置，在通过拼接曝光的方式生产显示面板的过程中，避免了子单元图形120之间无间隔时因为挡板30边缘的曝光灰区造成子单元图形120的重复曝光，改善了多个子单元图形120在拼接处所存在的拼接缝和画面不均匀的问题，提高了显示质量。

2.通过使第二图形12中的多个子单元图形120在第一方向上均间隔设置，由此第二图形12在最大程度上被划分，子单元图形120作为第二图形12的最小组成单元。在拼接曝光以形成目标图形的过程中，挡板30的边缘可以处在任意两个间隔设置的子单元图形120之间。由此可以使拼接曝光的组合方式更加灵活，形成更多不同尺寸的目标图形。

3.通过使子单元图形120的宽度W1等于两个相邻且间隔设置的子单元图形120之间的距离D1。因此在拼接曝光的过程中，可以在多次曝光的过程中使掩膜板1的位置错开，以使前一次曝光时的空白区域(相邻两子单元图形120之间的间隔区域)正好与后一次曝光时的图形相对应，通过两次曝光即可实现目标图形的拼接，由此可以减少在拼接目标图形时需要曝光的次数。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。