一种光电耦合器及其引线框架和制备方法

技术领域

本发明涉及光电耦合器技术领域，特别是涉及一种光电耦合器及其引线框架和制备方法。

背景技术

光电耦合器作为一种电-光-电转换隔离的安全器件，有着广泛的应用领域。通常，光电耦合器主要包含发光芯片与感光芯片，发光芯片与感光芯片被封装胶包覆在同一封装体内。往光电耦合器的输入端施加电信号时，发光芯片例如红外发光二极管会发出红外光线，接收端的感光芯片接收到红外光线之后则会产生感应电流，从而实现了光电信号之间的转换。

CTR(电流转换系数)为光电耦合器的主要特征指标，而光电耦合器工作时的感应电流与二极管发射光能量、封装体内发光芯片与感光芯片的对照位置设计、间距距离设计、相互间的材料透光率等直接相关。

现有光电耦合器常见的内部封装结构有垂直对照式、斜对照式、水平反光式等类型，在其中对照式是光浪费最少的方案，但是此方案下两种芯片的对照位置的偏差，会直接导致光敏半导体管表面接收区接收到的红外光变少，从而影响产生的感应电流，最终会影响到CTR的一致性。而一般的对照式光电耦合器中，由于发光芯片和感光芯片分别采用了不同结构的引线框架，对照位置更容易存在偏差，同时需要分别开模制作两种芯片各自的引线框架，大大增加了制造成本，再者，在两种芯片的放置粘结作业过程中还需要分别使用不同的机台以不同的工位进行操作，同样造成了设备、人员投入的成本增加，也不利于提高生产效率。

发明内容

针对上述现有技术中的至少一个缺陷，本发明目的是提供一种新型的光电耦合器引线框架，以提高制得对照式光电耦合器的CTR一致性，减少制造成本和提高生产效率。

本发明采取的技术方案如下：

一种光电耦合器引线框架，所述引线框架为一金属片，包括多个框架单元和多个相互平行的连接条，所述框架单元间隔排列在所述连接条上；每个框架单元包括两个相邻的功能部以及两个垂直连接所述连接条的引脚，所述两个功能部均位于所述连接条的一侧，且分别连接所述两个引脚，所述两个引脚的端部位于所述连接条的另一侧；每个功能部的面积足以容纳一个芯片安装固定，所述芯片为发光芯片和感光芯片中的任一种。

作为进一步的优选方案，每个框架单元中，所述两个功能部的中央分别设置有一定位点，所述两个功能部的定位点连线垂直于所述连接条。

作为进一步的优选方案，每个框架单元中，所述两个功能部分别为第一功能部和第二功能部，所述第一功能部靠近所述两个引脚的端部，而所述第二功能部远离所述两个引脚的端部；所述第一功能部的面积足以容纳一个感光芯片安装固定，所述第二功能部的面积足以容纳一个发光芯片安装固定。

作为进一步的优选方案，每个框架单元中，所述第一功能部与第二功能部之间由一条弯折的缝隙分隔，使所述第一功能部的边缘形成一个凸起，而所述第二功能部的边缘形成一个与所述凸起形状互补的缺口。

本发明的另一目的是提供一种光电耦合器，包括两个相向设置的框架单元、发光芯片、感光芯片和封装结构，所述两个框架单元均为前述的引线框架中的框架单元，所述两个框架单元的功能部彼此相对，所述发光芯片和所述感光芯片分别设置在所述两个框架单元中；所述发光芯片安装固定在其所在的框架单元中的一个功能部内，并通过导线与相邻的另一个功能部连接；所述感光芯片安装固定在其所在的框架单元中的一个功能部内，并通过导线与相邻的另一个功能部连接；所述发光芯片与所述感光芯片位置相对；所述封装结构将所述两个框架单元、发光芯片和感光芯片封装成一体。

作为进一步的优选方案，每个框架单元中，所述两个功能部的中央分别设置有一定位点，所述两个功能部的定位点连线垂直于所述连接条；所述两个框架单元的功能部的定位点彼此对准；所述发光芯片的固定位置点对准其所在的功能部的定位点；所述感光芯片的固定位置点对准其所在的功能部的定位点；所述发光芯片与所述感光芯片呈对射形态。

作为进一步的优选方案，每个框架单元中，所述两个功能部分别为第一功能部和第二功能部，所述第一功能部靠近所述两个引脚的端部，而所述第二功能部远离所述两个引脚的端部；所述发光芯片固定于其所在的框架单元的第二功能部内，所述感光芯片固定于其所在的框架单元的第一功能部内。

作为进一步的优选方案，所述封装结构包括在最外部的外封装层以及包裹所述发光芯片的内封装层，所述内封装层的材料为含有彩色色素的透光硅胶。

作为进一步的优选方案，所述外封装层从内向外包括第一外封装层和第二外封装层，所述第一外封装层的材料为透光的白色环氧树脂，所述第二外封装层的材料为遮光的黑色环氧树脂。

作为进一步的优选方案，所述两个框架单元的引脚均伸出所述封装结构外，并朝所述封装结构外的同一侧弯折。

本发明的另一目的是提供一种光电耦合器的制备方法，包括制备引线框架、固晶、焊线、点胶、叠片、封装、折弯引脚和切割的步骤，所述引线框架为前述的引线框架，所述固晶步骤为：取两片引线框架，在一片引线框架的每个框架单元中的一个功能部内安装固定一发光芯片，在另一片引线框架的每个框架单元中的一个功能部内安装固定一感光芯片；所述焊线步骤为：利用导线将每个框架单元中的发光芯片或感光芯片连接到与其相邻的另一个功能部；所述叠片步骤为：将所述两片引线框架叠合在一起，使所述两片引线框架上的发光芯片和感光芯片位置相对。

作为进一步的优选方案，所述引线框架的每个框架单元中，所述两个功能部的中央分别设置有一定位点，所述两个功能部的定位点连线垂直于所述连接条；所述固晶步骤中，所述两片引线框架均水平放置，且分别处于两种互为水平翻转的放置状态，固定发光芯片时将其固定位置点对准相应功能部的定位点，固定感光芯片时将其固定位置点对准相应功能部的定位点。

作为进一步的优选方案，所述引线框架的每个框架单元中，所述两个功能部分别为第一功能部和第二功能部，所述第一功能部靠近所述两个引脚的端部，而所述第二功能部远离所述两个引脚的端部；所述固晶步骤中，在一片引线框架的每个框架单元的第二功能部内固定发光芯片，在另一片引线框架的每个框架单元的第一功能部内固定感光芯片。

作为进一步的优选方案，所述固晶步骤包括：使用一固晶作业机台，将一片引线框架水平放置，在每个框架单元中第二功能部内的定位点上点导电胶，然后放置发光芯片；使用相同的固晶作业机台，将另一片引线框架水平放置，在每个框架单元中第一功能部内的定位点上点导电胶，然后放置感光芯片；

所述固晶步骤中，利用所述固晶作业机台的相机的对点校正功能，根据每个框架单元中两个功能部内的定位点引导机台作业手臂放置发光芯片和感光芯片，使发光芯片和感光芯片的固定位置点对准相应功能部的定位点放置。

作为进一步的优选方案，所述焊线步骤包括：使用一焊线作业设备，将固晶后粘结有发光芯片的一片引线框架水平放置，然后通过打线键合用导线将发光芯片与其相邻的功能部内的焊点连接导通；使用相同的焊线作业设备，将固晶后粘结有感光芯片的另一片引线框架水平放置，然后通过打线键合用导线将感光芯片与其相邻的功能部内的焊点连接导通；

所述焊线步骤中，所述两片引线框架分别处于两种互为水平翻转的放置状态，且对发光芯片和感光芯片的打线方向相同。

本发明的光电耦合器及其引线框架和制备方法，至少具有以下有益效果：

(1)将引线框架的每个框架单元设计成包括两个可容纳芯片安装的功能部，使这种引线框架既可以用于固定发光芯片，又可以用于固定感光芯片。

(2)由于发光芯片和感光芯片可以采用相同结构的引线框架，两者的对照位置偏差减小，同时无需分别开模制作两种芯片各自的引线框架，避免开模费用翻倍，还缩短了框架验证、材料检验的周期等，大大节省了制造成本。

(3)通过引线框架的每个框架单元中两个功能部的特定布置方式，两种芯片的固晶作业过程中可使用相同机台并以相同工位进行操作，两种芯片的焊线过程中同样可以使用相同设备以相同工位进行操作，减少了设备和看机人员的投入成本，省去了不同工位作业造成的调机和转机时间，有利于提高生产效率。

(4)在制备光电耦合器产品时，利用每个框架单元中的两个定位点进行定位，实现发光芯片和感光芯片粘接固晶过程中的定位为双重精准定位，保证最终产品中发光芯片与感光芯片精准对位，保证两者对照水平位置的偏差精度，确保产品参数(比如CTR)的一致性及落档率，有利于提高产品的良率和竞争力。

为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本发明。

附图说明

图1为本发明的一种光电耦合器引线框架的俯视图，该图中左部分为框架单元的放大图；

图2为图1的引线框架的侧视图；

图3为图1的引线框架的前视图；

图4为在本发明的引线框架上固定发光芯片和焊线的示意图，该图中左部分为框架单元的放大图；

图5为在本发明的引线框架上固定感光芯片和焊线的示意图，该图中左部分为框架单元的放大图；

图6为将两片固晶后的引线框架叠片的示意图；

图7为本发明的一种光电耦合器的结构示意图；

图8为图7的光电耦合器的内部结构图；

图9为发光芯片和感光芯片的中心位置偏差值与产品CTR测试值的关系。

附图标记：

引线框架1，框架单元10，第一功能部101，第二功能部102，定位点100，缝隙S，引脚11，引脚的端部110，连接条12，框条13，定位孔130，光电耦合器2，发光芯片21，感光芯片22，封装结构23，内封装层230，导线24。

具体实施方式

实施例一

请参阅图1-3，本实施例提供一种光电耦合器引线框架1，所述引线框架1为一金属片，包括多个框架单元10和多个相互平行的连接条12。为方便清楚展示结构，本发明的附图中只展示了引线框架1中3个连接条12的部分，实际上连接条12和框架单元10的数量多于附图所展示的，也可以为更少。

所述框架单元10间隔排列在所述连接条12上；每个框架单元10包括两个相邻的功能部101、102以及两个垂直连接所述连接条12的引脚11，所述两个功能部101、102均位于所述连接条12的一侧，且分别连接所述两个引脚11，所述两个引脚11的端部110位于所述连接条12的另一侧；每个功能部的面积足以容纳一个芯片安装固定，所述芯片为发光芯片21和感光芯片22中的任一种。

在更优的实施方式中，每个框架单元10中，所述两个功能部101、102的中央分别设置有一定位点100，所述两个功能部101、102的定位点100的连线垂直于所述连接条12，如图1所示，两个定位点100的连线垂直于所述连接条12的中线。

具体地，每个框架单元10中，所述两个功能部101、102的中央可以分别设置有一个中心标志和一个范围标志，所述中心标志用于形成所述定位点100，所述范围标志用于圈出预设的芯片安装范围或焊线范围。更具体地，所述中心标志可以是刻在功能部两面的形状为符号“+”的刻痕，则所述定位点100为符号“+”刻痕的中心点；所述范围标志可以是刻在功能部两面的形状为符号“O”或“□”的刻痕，所述范围标志包围其所在功能部的定位点。

所述两个功能部101、102分别为第一功能部101和第二功能部102，所述第一功能部101靠近所述两个引脚11的端部110，而所述第二功能部102远离所述两个引脚11的端部110；所述第一功能部101的面积足以容纳一个感光芯片22安装固定，所述第二功能部102的面积足以容纳一个发光芯片21安装固定。

由此，在后续制备光电耦合器的过程中，可以利用同一固晶作业机台以相同工位分别对两种芯片进行固晶：利用作业手臂将发光芯片21放置到一片引线框架1中框架单元10的第二功能部102，如图4所示；取另一引线框架1水平翻转，利用作业手臂将发光芯片21放置到其框架单元10的第一功能部101。比较图4和图5可见，对两种芯片固晶时各自用到的引线框架分别处于两种互为水平翻转的放置状态，或者说，分别处于两种互为绕连接条12的平行轴线旋转180°的放置状态，空间位置相同，固晶时两种芯片放置到各自框架单元中位于相同一侧的功能部，例如在图4和图5所示的具体例子中，固晶时两种芯片都放置到各自框架单元中位于左侧的功能部。

同样地，在焊线时，可以使用同一焊线作业设备以相同工位和相同打线方向分别对两种芯片焊线，如图4所示，对在第二功能部102的发光芯片21打线时，导线24的焊点在第一功能部101，如图5所示，对在第一功能部101的感光芯片22打线时，导线24的焊点在第二功能部102，由于两种芯片焊线时各自的引线框架同样分别处于两种互为水平翻转的放置状态，则对两种芯片的打线方向是相同的，例如在图4和图5所示的具体例子中，对两种芯片的打线方向均为从左到右，从左侧的功能部打线到右侧的功能部。

为了更方便地识别两个功能部或留出设置稳压二极管芯片的位置，所述第一功能部101与第二功能部102之间由一条弯折的缝隙S分隔，使所述第一功能部101的边缘形成一个凸起，而所述第二功能部102的边缘形成一个与所述凸起形状互补的缺口，即两个功能部的形状存在区别，所述第二功能部101的所述凸起的部位在必要时可用于放置稳压二极管芯片，以提高器件输入或输出端抗静电及抗干扰能力。

所述引线框架1还包括两个相互平行的框条13，起到支撑连接的作用。所述两个框条13分别与所述多个连接条12的两端垂直连接，所述多个连接条12间隔排列在所述两个框条13之间。

所述框条13上设置有若干个贯通的定位孔130。由此，在后续制备光电耦合器的过程中，可通过定位孔130对两片分别固定有发光芯片21和感光芯片22的引线框架1相向地定位，方便进行叠片，见图6。

所述多个框架单元10在所述连接条12上间隔均匀地排列。

所述多个连接条12在所述框条13之间间隔均匀地排列，且间隔距离正好可以容纳两个框架单元10的功能部相向重叠布置，如图6所示。

所述引线框架1的材料可以为铝合金、铁镍合金、铜系合金中的一种。所述引线框架1的厚度为0.2～0.3毫米。

为了以提高发光芯片21的反射率，至少在各功能部的表面设置有高反射金属镀层。优选地，所述高反射金属镀层的材料为金或银。

实施例二

结合图1-8所示，本实施例提供由实施例一的引线框架1制成的光电耦合器2，所述光电耦合器2包括两个相对设置的前述的框架单元10、发光芯片21、感光芯片22和封装结构23。

所述两个框架单元10的功能部彼此相对，所述发光芯片21和所述感光芯片22分别设置在所述两个框架单元10中；所述发光芯片21安装固定在其所在的框架单元10中的一个功能部内，并通过导线24与相邻的另一个功能部连接；所述感光芯片22安装固定在其所在的框架单元10中的一个功能部内，并通过导线24与相邻的另一个功能部连接；所述发光芯片21与所述感光芯片22位置相对；所述封装结构23将所述两个框架单元10、发光芯片21和感光芯片22封装成一体。

具体地，所述两个框架单元10的功能部的定位点100彼此对准；所述发光芯片21的固定位置点对准其所在的功能部的定位点100；所述感光芯片22的固定位置点对准其所在的功能部的定位点100。

更具体地，一个框架单元的第一功能部101与另一个框架单元10的第二功能部102相向设置，且相应的定位点100相互对准。

在更优的实施方式中，所述发光芯片21固定于其所在的框架单元10的第二功能部102内，所述感光芯片22固定于其所在的框架单元10的第一功能部101内；所述发光芯片21与所述感光芯片22呈对射形态。

所述发光芯片21和感光芯片22具体通过导电胶固定到各自所在的功能部表面，所述导电胶可以是银胶等导电浆料。

所述导线24可以为铜线、合金线或金线。

所述封装结构23包括在最外部的外封装层以及包裹所述发光芯片21的内封装层230。

所述内封装层230的材料为含有彩色色素(例如红色色素)的透光硅胶，掺杂彩色色素的主要作用是，在点涂硅胶时允许设备通过自动光学检测(AOI)检测到例如由红色硅胶点涂的内封装层230，以判断是否漏点硅胶/芯片或点胶外形是否符合要求。

所述外封装层从内向外包括第一外封装层和第二外封装层，所述第一外封装层的材料为透光的白色环氧树脂，所述第二外封装层的材料为遮光的黑色环氧树脂。

所述两个框架单元10的引脚11均伸出所述封装结构23外，并朝所述封装结构23外的同一侧弯折。

更优地，所述引脚11伸出所述封装结构23外的部分的表面镀有锡层。

所述发光芯片21为发光二极管，所述感光芯片22为光敏半导体管。所述发光芯片21可以为红外光发射芯片，则所述感光芯片22相应为红外光接收芯片。

实施例三

本实施例提供实施例二的光电耦合器2的制备方法，与现有光电耦合器的制备方法大致相同，主要包括制备引线框架、固晶、焊线、点胶、叠片、封装、折弯引脚和切割等步骤，特点在于所述引线框架采用实施例一的引线框架1。所述制备方法具体按如下步骤进行：

第一步、固晶：取两片所述引线框架1，在一片引线框架1的每个框架单元10中的一个功能部内安装固定一发光芯片21，在另一片引线框架1的每个框架单元10中的一个功能部内安装固定一感光芯片22。

该步骤中，所述两片引线框架1均水平放置，且分别处于两种互为水平翻转的放置状态，如图4和图5所示，固定发光芯片21时将其固定位置点对准相应功能部内的定位点100，固定感光芯片22时将其固定位置点对准相应功能部内的定位点100。优选地，在一片引线框架1的每个框架单元10的第二功能部102内固定发光芯片21，在另一片引线框架1的每个框架单元10的第一功能部101内固定感光芯片22。

更具体地，该步骤包括：使用一固晶作业机台，将一片引线框架1水平放置，在每个框架单元10中第二功能部102内的定位点100上点上导电胶，然后放置发光芯片21；使用相同的固晶作业机台，将另一片引线框架1水平放置，对每个框架单元10中第一功能部101内的定位点100上点上导电胶，然后放置感光芯片22；

其中，利用所述固晶作业机台的相机的对点校正功能，所述相机具体为CCD相机，根据每个框架单元10中两个功能部内的定位点100引导机台作业手臂放置发光芯片21和感光芯片22，使发光芯片21和感光芯片22的固定位置点对准相应功能部的定位点100放置。

为了提高精度，该步骤还包括首检和抽检。所述首检为：开始对引线框架1中的若干个连接条12(例如两个连接条12)上的框架单元10固晶之后，取下引线框架1在带测量功能的高倍显微镜下测量芯片的位置数值，以此判断芯片的固定位置点与相应功能区内的定位点100之间的偏差，若该偏差满足预设要求，则进行正式固晶作业，若该偏差不满足预设要求，则调整或维修所述固晶作业机台。所述抽检为：在正式固晶作业的过程中，间隔固定的作业时间或作业数量后，抽取一定比例的引线框架1，重复所述首检中测量和判断的操作。

所述首检和抽检中，使用形状为符号“O”或“□”的刻痕形成的所述范围标志(如图1、图4和图5所示的“□”刻痕)对所述芯片的位置数值进行定值测量，测量的所述芯片的位置数值为芯片边缘或中心与框架单元中“O”或“□”刻痕的距离值。

所述首检和抽检进行的定量测量误差检验，保证发光芯片与感光芯片对照水平位置偏差精度，最终确保产品参数一致性及落档率，提高了产品竞争力。

第二步、高温烘烤固化：采用恒温固化烤箱，将导电胶固化，使芯片粘结在引线框架1上。

第三步、焊线：利用导线24将每个框架单元10中的发光芯片21或感光芯片22连接到与其相邻的另一个功能部。

具体地，该步骤包括：如图4和图5所示，使用一高精度焊线作业设备，将固晶后粘结有发光芯片21的一片引线框架1水平放置，然后通过打线键合用导线24将发光芯片21与其相邻的第一功能部101内的焊点连接导通；使用相同的焊线作业设备，将固晶后粘结有感光芯片22的另一片引线框架1水平放置，然后通过打线键合用导线24将感光芯片22与其相邻的第一功能部101内的焊点连接导通；

其中，所述两片引线框架1分别处于两种互为水平翻转的放置状态，且对发光芯片21和感光芯片22的打线方向相同，具体均为图4和图5中所示的从左到右；各功能部的焊点优选为与其定位点100位置重合。

为了保证焊线质量，该步骤还包括首检和抽检。所述首检为：开始对引线框架1中的若干个连接条12(例如两个连接条12)上的框架单元10焊线之后，取下引线框架1在带测量功能的推拉力机上测量焊球的粘接力以及导线固定点被扯断的力度值，以此判断焊线质量，若焊线质量满足预设要求，则进行正式焊线作业，若焊线质量不满足预设要求，则调整或维修所述焊线作业设备。所述抽检为：在正式焊线作业的过程中，间隔固定的作业时间或作业数量后，抽取一定比例的引线框架1，重复所述首检中测量和判断的操作。

第四步、点胶：在发光芯片21上点胶，用于形成包裹发光芯片21的内封装层230。

具体地，该步骤包括：使用高精度点胶作业设备，利用针筒气压挤出方式，将具有彩色色素(例如红色色素)的透光硅胶点至发光芯片21的区域，将发光芯片21完全包裹保护。所述透光硅胶一方面可减小发光芯片21及焊接导线的应力，另一方面使发光芯片21的热量得以分散，提高发光芯片21的转换效率，另外还可以方便外观检测点胶时的胶量以及包覆位置。

第五步、高温烘烤固化：采用可程式恒温固化烤箱，使透光硅胶固化，达到良好的形态及应力缓冲效果。

第六步、叠片：如图6所示，将所述两片引线框架1叠合在一起，使所述两片引线框架1上的发光芯片21和感光芯片22位置相对。

该步骤中，具体地，采用高精度自动排片机将发光芯片21的中心与感光芯片22的中心垂直精准相对，使发光芯片21与感光芯片22形成精准对射形态。

第七步、白胶封装：将透光的白色环氧树脂包裹每一对相向设置的框架单元10外，用于形成第一外封装层。

该步骤中，采用高精度封装模压机，将白色环氧树脂胶挤压填充，并通过高温固化成型将内部结构定型，所述白色环氧树脂具有透光耐压绝缘性能，其中适当添加有二氧化硅(SiO

第八步、残胶切除：利用高精度冲切模具，切除不必要的胶体流道及限流框。

第九步、黑胶封装：将遮光的黑色环氧树脂包裹在前述透光的白色环氧树脂外，用于形成第二外封装层。

该步骤中，采用高精度封装模压机，将黑色环氧树脂胶挤压填充，并通过高温固化成型将外部结构定型，所述黑色环氧树脂具有遮光耐压绝缘性能，同时作为产品外观的基本体现。

第十步、高温烘烤固化：采用恒温固化烤箱，使前述步骤封装的两种环氧树脂彻底固化，得到将每一对相向设置的框架单元10、发光芯片21和感光芯片22封装成一体的封装结构23。

第十一步、残胶切除：利用高精度冲切模具，切除不必要的胶体流道及限流框。

第十二步、镀锡作业：在引脚11伸出所述封装结构23外的部分的表面镀上锡层进行保护。

该步骤中，使用硫酸亚锡和高纯度锡金属块，通过电解置换反应，使锡层均匀稳定的结合在金属引脚表面。

第十三步、折弯引脚和切割：使用高精度折弯成型模具，将单颗光电耦合器2从引线框架上切除下来，再进行金属引脚折弯成型。

第十四步、性能测试：对得到的单颗产品进行100％测试，并进行分选。

使用同样参数范围的发光芯片及感光芯片，保持其他封装材料完全一致，分别采用本发明的引线框架及其他现有的引线框架，分别通过本发明的制备方法和其他现有的制备方法，得到本发明封装形式为垂直对照式的光电耦合器产品和其他现有不同封装形式的光电耦合器产品，用于进行比较。具体取1000pcs进行产品CTR的集中度(例如CTR均值±10％)，目标落档(CTR:200％-400％)的比例及CTR均值比较，结果如下：

而且，如图9所示，偏差距离越小，CTR均值越大，说明本发明的垂直对照式光电耦合器的CTR一致性得到提高，偏差更小。

在本发明的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本发明的具体保护范围。

此外，如有术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”特征可以明示或者隐含包括一个或者多个该特征，在本发明描述中，“数个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。