一种宽带OCL电路

技术领域

本发明涉及一种电路，具体为一种宽带OCL电路，属于宽带OCL电路技术领域。

背景技术

OCL指省去输出端大电容的功率放大电路，是OTL电路的升级。省去了输出电容后，系统的低频响应更加平滑。但必须用双电源供电，增加了电源的复杂性，该宽带OCL电路应用于带宽在3MHZ以内的高频信号电流放大，主要应用于质谱产品的RF电源。

中国专利号CN108631585B提供一种时基电路倍压整流电源，先由IC1产生一个一定频率的方波信号，将此方波信号通过Q1和Q2组成的OCL功放电路进行电流放大，再通过由D1至D6和C4至C9组成倍压整流电路升压，最后由P1输出，经倍压整流后的电压约等于原电源B电压的4倍。本发明解决了现有电路结构复杂、电能利用率低、成品体积大且笨重的问题。

传统的OCL电路主要工作场景是音频信号的功率放大，主要工作频率很低在50KHZ以内。

有鉴于此特提出本发明。

发明内容

本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种宽带OCL电路。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的，一种宽带OCL电路，包括高速差分放大器组件、第一级互补双极型晶体管功率放大器和第二级双极型晶体管功率放大器，所述高速差分放大器组件包括高速差分放大器集成电路芯片，所述第一级互补双极型晶体管功率放大器包括三极管一、三极管二、电阻一、电阻二和电阻三，所述电阻二位于三极管一和三极管二之间，所述第二级双极型晶体管功率放大器包括三极管三、三极管四、电阻四和电阻五，所述电阻四和电阻五位于三极管三和三极管四之间，所述电阻四和电阻五之间通过导线连通。

进一步的，所述高速差分放大器集成电路芯片上设置有输入端，所述高速差分放大器集成电路芯片的上设置有输出端一和输出端二。

进一步的，所述三极管一包括基极一、发射极一和集电极一，所述基极一通过导线与输出端一连接，所述发射极一通过导线与电阻一一端连接。

进一步的，所述三极管二包括基极二、发射极二和集电极二，所述基极二通过导线与输出端二连接，所述发射极二通过导线与电阻三一端连接。

进一步的，所述三极管三包括基极三、发射极三和集电极三，所述基极三通过导线与集电极一和电阻二的一端连接，所述发射极三通过导线与电阻四一端连接。

进一步的，所述三极管四包括基极四、发射极四和集电极四，所述基极四通过导线与集电极二端点和电阻二的另一端连接，所述发射极四通过导线与电阻五一端连接。

进一步的，所述第一级互补双极型晶体管功率放大器和第二级双极型晶体管功率放大器均连接有供电组件，所述供电组件包括正电源和负电源。

进一步的，所述正电源通过导线与电阻一的另一端连接，所述正电源通过导线与集电极三连接。

进一步的，所述负电源通过导线与电阻三的另一端连接，所述负电源通过导线与集电极四连接。

本发明的技术效果和优点：(1)本发明为了解决现有OCL电路工作频率低的问题，拓宽了OCL电路的工作频率和应用场景，使其在带宽3MHZ频率内具有很好的频率响应和电流放大能力；(2)本发明的本电路结构和功率拓扑特别是针对质谱RF电源应用上面和对工作在500KHZ到3MHZ频段。

附图说明

图1为本发明的电路图结构示意图；

图2为本发明的流程图。

图中：100、高速差分放大器组件；101、高速差分放大器集成电路芯片；102、输入端；103、输出端一；104、输出端二；200、第一级互补双极型晶体管功率放大器；201、三极管一；2011、基极一；2012、发射极一；2013、集电极一；202、三极管二；2021、基极二；2022、发射极二；2023、集电极二；203、电阻一；204、电阻二；205、电阻三；300、第二级双极型晶体管功率放大器；301、三极管三；3011、基极三；3012、发射极三；3013、集电极三；302、三极管四；3021、基极四；3022、发射极四；3023、集电极四；303、电阻四；304、电阻五；400、供电组件；401、正电源；402、负电源。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-2所示，一种宽带OCL电路，包括高速差分放大器组件100、第一级互补双极型晶体管功率放大器200和第二级双极型晶体管功率放大器300，高速差分放大器组件100包括高速差分放大器集成电路芯片101，高速差分放大器集成电路芯片101为高速高压摆率的差分放大器芯片，高速差分放大器集成电路芯片101上设置有输入端102，高速差分放大器集成电路芯片101的上设置有输出端一103和输出端二104；

第一级互补双极型晶体管功率放大器200包括三极管一201、三极管二202、电阻一203、电阻二204和电阻三205，三极管一201和三极管二202分别为Q1和Q2，电阻一203、电阻二204和电阻三205分别为R1、R2和R3，电阻二204位于三极管一201和三极管二202之间，三极管一201包括基极一2011、发射极一2012和集电极一2013，基极一2011通过导线与输出端一103连接，发射极一2012通过导线与电阻一203一端连接，三极管二202包括基极二2021、发射极二2022和集电极二2023，基极二2021通过导线与输出端二104连接，发射极二2022通过导线与电阻三205一端连接；

第二级双极型晶体管功率放大器300包括三极管三301、三极管四302、电阻四303和电阻五304，电阻四303和电阻五304位于三极管三301和三极管四302之间，三极管三301和三极管四302分别为Q3和Q4，电阻四303和电阻五304分别为R4和R5，电阻四303和电阻五304之间通过导线连通，三极管三301包括基极三3011、发射极三3012和集电极三3013，基极三3011通过导线与集电极一2013和电阻二204的一端连接，发射极三3012通过导线与电阻四303一端连接，三极管四302包括基极四3021、发射极四3022和集电极四3023，基极四3021通过导线与集电极二2023端点和电阻二204的另一端连接，发射极四3022通过导线与电阻五304一端连接。

总功率传递函数为:

作为本发明的一种技术优化方案，第一级互补双极型晶体管功率放大器200和第二级双极型晶体管功率放大器300均连接有供电组件400，供电组件400包括正电源401和负电源402，正电源401通过导线与电阻一203的另一端连接，正电源401通过导线与集电极三3013连接，负电源402通过导线与电阻三205的另一端连接，负电源402通过导线与集电极四3023连接。

本发明在使用时，信号输入通过上的输入端102输入至高速差分放大器集成电路芯片101内，通过高速差分放大器集成电路芯片101处理得到两个信号分别通过输出端一103和输出端二104输出，输出端一103和输出端二104信号分别输送至三极管一201的基极一2011上和三极管二202的基极二2021上，同时三极管一201通过电阻一203连接到正电源401上，集电极一2013与三极管三301的基极三3011上，三级管三301的集电极三3013连接到正电源401上，三极管二202的发射极二2022通过电阻三205与负电源402连接，三极管四302的集电极四3023与负电源402连接，然后三极管三301的发射极三2012和三极管四302的发射极四3023均通过电阻四303将信号输出。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。