一种光电传感器、驱动方法及显示装置

技术领域

本发明涉及探测技术领域，特别涉及一种光电传感器、驱动方法及显示装置。

背景技术

在当今信息化时代，如何准确鉴定一个人的身份、保护信息安全，已成为一个必须解决的关键社会问题，传统的身份认证由于极易伪造和丢失，越来越难以满足社会的需求，目前最为便捷与安全的解决方案无疑就是指纹识别技术，它不但简洁快速，而且利用它进行身份的认定，安全、可靠、准确。同时更易于配合电脑和安全、监控、管理系统整合，实现自动化管理。

目前光学指纹识别技术正在如火如荼的进行。在实现光学指纹识别技术时，需要阵列排布大量的传感器单元，每个传感器单元包括PIN(Photo-Diode，光电二极管)、以及控制该PIN的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)。然而控制TFT导通和截止的电路较多，导致占用空间较大。

发明内容

本发明实施例提供一种光电传感器、驱动方法及显示装置，用以降低栅极驱动电路的设置，节省空间。

本发明实施例提供的一种光电传感器，包括：

多个探测单元，阵列排布于衬底基板的探测区中；其中，各所述探测单元包括复位晶体管和读出晶体管；

多条读出传输线，位于所述衬底基板的探测区中；其中，一列探测单元中的读出晶体管与一条所述读出传输线电连接；

探测读出电路，位于所述衬底基板的非探测区中；其中，所述探测读出电路与所述多条读出传输线电连接；并且，所述探测读出电路还与所有所述探测单元中的复位晶体管的栅极电连接。

在一些示例中，所述光电传感器还包括：

多条复位控制线，位于所述衬底基板的探测区中；其中，一列探测单元中的复位晶体管的栅极与一条所述复位控制线电连接；

复位传输线，位于所述衬底基板的非探测区中；

所述多条复位控制线通过所述复位传输线与所述探测读出电路电连接。

在一些示例中，所述光电传感器还包括：

多条电源线，位于所述衬底基板的探测区中；其中，一列探测单元中的复位晶体管与一条所述电源线电连接；

其中，所述多条复位控制线、所述多条电源线以及所述多条读出传输线同层且间隔设置，以及沿第一方向延伸且沿第二方向排列；

针对每一个探测单元列，所述探测单元列电连接的电源线和读出传输线位于所述探测单元列的第一侧，所述探测单元列电连接的复位控制线位于所述探测单元列的第二侧。

在一些示例中，针对每一个探测单元列，所述探测单元列电连接的电源线位于所述探测单元列和所述读出传输线之间。

在一些示例中，所述光电传感器还包括：电源传输线，位于所述衬底基板的非探测区中；

所述多条电源线通过所述电源传输线与所述探测读出电路电连接。

在一些示例中，各所述探测单元还包括探测晶体管；

所述光电传感器还包括：

多条探测控制线，位于所述衬底基板的探测区中；其中，一行所述探测单元中的探测晶体管的栅极与一条所述探测控制线电连接；

多条读出控制线，位于所述衬底基板的探测区中；其中，一行所述探测单元中的读出晶体管的栅极与一条所述读出控制线电连接；

第一栅极驱动电路，位于所述衬底基板的非探测区中，并且与所述多条探测控制线电连接；

第二栅极驱动电路，位于所述衬底基板的非探测区中，并且与所述多条读出控制线电连接。

在一些示例中，所述多条探测控制线以及所述多条读出控制线同层且间隔设置，以及沿第二方向延伸且沿第一方向排列；

针对每一个探测单元行，所述探测单元行电连接的探测控制线位于所述探测单元行的第一侧，所述探测单元列电连接的读出控制线位于所述探测单元行的第二侧。

在一些示例中，所述非探测区包括：第一边、第二边、第三边以及第四边；所述第一边和所述第二边相对设置，所述第三边和所述第四边相对设置；

所述第一栅极驱动电路位于所述第一边，所述第二栅极驱动电路位于所述第二边；所述探测读出电路位于所述第三边或所述第四边。

本发明实施例还提供了显示装置，包括上述光电传感器。

本发明实施例还提供了上述光电传感器的驱动方法，包括；

第一阶段，对复位控制线加载第一电平信号，对读出控制线加载第一电平信号，对探测控制线加载第二电平信号；

第二阶段，对所述复位控制线加载第二电平信号，对所述读出控制线加载第一电平信号，对所述探测控制线加载第二电平信号；

第三阶段，对所述复位控制线加载第二电平信号，对所述读出控制线加载第一电平信号，对所述探测控制线加载第一电平信号；

第四阶段，对所述复位控制线加载第二电平信号，对所述读出控制线加载第一电平信号，对所述探测控制线加载第二电平信号。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供的光电传感器、驱动方法及显示装置，包括：阵列排布于衬底基板的探测区中的多个探测单元、多条读出传输线以及位于衬底基板的非探测区中的探测读出电路。各探测单元包括复位晶体管和读出晶体管，一列探测单元中的读出晶体管与一条读出传输线电连接，探测读出电路与多条读出传输线电连接；并且，探测读出电路还与所有探测单元中的复位晶体管的栅极电连接。这样通过复用探测读出电路向探测单元中的复位晶体管提供控制信号，从而可以降低栅极驱动电路的设置，降低非探测区的占用空间，从而可以避免非探测区挤占探测区的空间，降低探测区中探测单元的设计难度。

附图说明

图1为相关技术中的光电传感器的结构示意图；

图2为本发明实施例中的光电传感器的结构示意图；

图3为本发明实施例中的探测单元的结构示意图；

图4为本发明实施例中的探测单元的部分布局结构示意图；

图5为本发明实施例中的信号时序图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

如图1所示，光电传感器通常可以包括：探测区TB和非探测区NTB。探测区TB可以包括阵列排布的多个探测单元PX，多条探测控制线TX、多条读出控制线TSEL、多条复位控制线RST以及多条读出传输线OL。并且，非探测区NTB包括：探测读出电路ROIC和栅极驱动电路GOA1、GOA2以及GOA3。其中，探测读出电路ROIC与多条读出传输线OL电连接。栅极驱动电路GOA1与多条探测控制线TX电连接，栅极驱动电路GOA2与多条读出控制线TSEL电连接，栅极驱动电路GOA3与多条复位控制线RST电连接。这样使得需要设置3个栅极驱动电路才能满足光电探测的时序需求。然而，栅极驱动电路过多会额外的占用空间，导致非探测区占用空间增加，从而挤占探测区TB的空间，增加探测单元的设计难度。

因此，本发明实施例提供一种光电传感器，可以复用探测读出电路向探测单元中的复位晶体管提供控制信号，从而可以降低栅极驱动电路的设置，降低非探测区的占用空间，从而可以避免非探测区挤占探测区的空间，降低探测区中探测单元的设计难度。

随着技术的高速发展，具有生物识别功能的移动产品逐渐进入人们的生活中。由于指纹是人体与生俱来且独一无二并可与他人相区别的特征，它由指端皮肤表面上的一系列谷和脊组成，这些谷和脊的组成细节通常包括脊的分叉、脊的末端、拱形、帐篷式的拱形、左旋、右旋、螺旋或双旋等细节，决定了指纹的唯一特性，因此受到了广泛的关注。示例性地，本发明实施例中的光电传感器可以应用于进行指纹识别。进一步地，光电传感器可以应用于显示装置中，以在显示装置的显示区域内实现指纹识别技术，从而使显示装置具有指纹识别功能。

如图2至图4所示，本发明实施例提供的光电传感器，包括衬底基板。衬底基板可以包括：探测区TB和非探测区NTB。探测区TB可以包括阵列排布的多个探测单元PX，以及多条探测控制线TX、多条读出控制线TSEL、多条复位控制线RST、多条电源线VDD以及多条读出传输线OL。其中，一行探测单元PX与一条探测控制线TX电连接，一行探测单元PX与一条读出控制线TSEL电连接。一列探测单元PX与一条读出传输线OL电连接，一列探测单元PX与一条复位控制线RST电连接，一列探测单元PX与一条电源线VDD电连接。

如图2至图4所示，非探测区NTB可以包括：探测读出电路110、第一栅极驱动电路121以及第二栅极驱动电路122。其中，探测读出电路110与多条读出传输线OL电连接。第一栅极驱动电路121与多条探测控制线TX电连接。第二栅极驱动电路122与多条读出控制线TSEL电连接。示例性地，第一栅极驱动电路121和第二栅极驱动电路122可以为采用GOA(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)技术将TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)集成在衬底基板上形成的行驱动电路。示例性地，探测读出电路110可以为用于读出信号的ROIC(Read Out Integrated Circuit)。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2所示，非探测区NTB包括：第一边B1、第二边B2、第三边B3以及第四边B4；第一边B1和第二边B2相对设置，第三边B3和第四边B4相对设置；其中，第一栅极驱动电路121位于第一边B1，第二栅极驱动电路122位于第二边B2；探测读出电路110位于第三边B3或第四边B4。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图3所示，每个探测单元PX可以包括探测电路以及与探测控制电路电连接的光电转换器。其中，光电传感器可以为光电二极管，例如PIN。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2至图4所示，探测控制电路可以包括：驱动晶体管TSF、探测晶体管TXT、复位晶体管TRST以及读出晶体管TSELT。

复位晶体管TRST的第一极(例如第一极为漏极)与电源线VDD电连接，复位晶体管TRST的栅极与复位控制线RST电连接，复位晶体管TRST的第二极(例如第二极为源极)与驱动晶体管TSF的栅极电连接。

驱动晶体管TSF的第一极(例如第一极为漏极)与电源线VDD电连接，驱动晶体管TSF的第二极(例如第二极为源极)与读出晶体管TSELT的第一极(例如第一极为漏极)电连接。

读出晶体管TSELT的栅极与读出控制线TSEL电连接，读出晶体管TSELT的第二极(例如第二极为源极)与读出传输线OL电连接。

探测晶体管TXT的第一极(例如第一极为漏极)与光电传感器的一个电极电连接，探测晶体管TXT的栅极与探测控制线TX电连接，探测晶体管TXT的第二极(例如第二极为源极)与驱动晶体管TSF的栅极电连接。

光电传感器的另一个电极与偏置电压电连接。

需要说明的是，为了简化制备工艺，在具体实施时，在本发明实施例中，上述晶体管可以均为N型晶体管。或者，上述晶体管也可以均为P型晶体管，在此不作限定。

需要说明的是，在本发明实施例中，上述晶体管可以是薄膜晶体管(TFT，ThinFilm Transistor)，也可以是金属氧化物半导体场效应管(MOS，Metal OxideScmiconductor)，在此不作限定。在具体实施时，可以根据上述晶体管类型以及输入的信号将第一极作为源极或漏极，将其第二极作为漏极或源极，在此不作限定。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2至图4所示，一列探测单元PX中的读出晶体管TSELT与一条读出传输线OL电连接，一列探测单元PX中的复位晶体管TRST与一条电源线VDD电连接。一行探测单元PX中的探测晶体管TXT的栅极与一条探测控制线TX电连接。一行探测单元PX中的读出晶体管TSELT的栅极与一条读出控制线TSEL电连接。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2至图4所示，探测读出电路110还与所有探测单元PX中的复位晶体管TRST的栅极电连接。这样可以复用探测读出电路110向探测单元PX中的复位晶体管TRST提供控制信号，不用额外的设置新的栅极驱动电路向复位晶体管TRST提供控制信号，从而可以降低栅极驱动电路的设置，降低非探测区NTB的占用空间，从而可以避免非探测区NTB挤占探测区TB的空间，降低探测区TB中探测单元PX的设计难度。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2至图4所示，一列探测单元PX中的复位晶体管TRST的栅极与一条复位控制线RST电连接。并且，非探测区NTB中还包括复位传输线CRST，该多条复位控制线RST通过复位传输线CRST与探测读出电路110电连接。示例性地，探测读出电路110具有一个复位端rst，复位传输线可以设置为一条，从而可以使探测读出电路110通过复位传输线CRST向每一条复位控制线RST输入控制信号，以控制复位晶体管TRST的导通和截止。当然，在实际应用中，为了降低电阻，复位传输线也可以为多条，在此不作限定。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2至图4所示，一列探测单元PX中的复位晶体管TRST的第一极(例如第一极为漏极)与一条电源线VDD电连接。并且，非探测区NTB中还包括电源传输线CVDD，该多条电源线VDD通过电源传输线CVDD与探测读出电路110电连接。示例性地，探测读出电路110具有一个电源端vdd，电源传输线CVDD可以设置为一条，从而可以使探测读出电路110通过电源传输线CVDD向每一条电源线VDD输入电压。当然，在实际应用中，为了降低电阻，电源传输线也可以为多条，在此不作限定。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2至图4所示，多条复位控制线RST、多条电源线VDD以及多条读出传输线OL同层且间隔设置，以及沿第一方向F1延伸且沿第二方向F2排列。示例性地，第一方向F1可以为列方向，第二方向F2可以为行方向。或者，第一方向F1可以为行方向，第二方向F2可以为列方向。这样只需要通过一次构图工艺即可形成，能够简化制备工艺，节省生产成本，提高生产效率。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2至图4所示，针对每一个探测单元PX列，探测单元PX列电连接的电源线VDD和读出传输线OL位于探测单元PX列的第一侧，探测单元PX列电连接的复位控制线RST位于探测单元PX列的第二侧。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2至图4所示，针对每一个探测单元PX列，可以使探测单元PX列电连接的电源线VDD位于探测单元PX列和读出传输线OL之间。由于电源线VDD传输固定电压信号，这样可以采用电源线VDD将读出传输线OL和该读出传输线OL电连接的探测控制电路进行屏蔽，以降低信号干扰。当然，还可以使探测单元PX列电连接的读出传输线OL位于探测单元PX列和电源线VDD之间。这可以根据实际应用确定，在此不作限定。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2至图4所示，多条探测控制线TX以及多条读出控制线TSEL同层且间隔设置，以及沿第二方向F2延伸且沿第一方向F1排。这样只需要通过一次构图工艺即可形成，能够简化制备工艺，节省生产成本，提高生产效率。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2至图4所示，电源传输线和复位传输线可以与多条探测控制线TX同层设置。这样不需要增加额外的制备电源传输线和复位传输线的工序，只需要通过一次构图工艺即可形成，能够简化制备工艺，节省生产成本，提高生产效率。

在具体实施时，在本发明实施例中，如图2至图4所示，针对每一个探测单元行，探测单元行电连接的探测控制线TX位于探测单元行的第一侧，探测单元PX列电连接的读出控制线TSEL位于探测单元行的第二侧。

图3所示的探测控制电路对应的信号时序图，如图5所示。本发明实施例提供的光电传感器的驱动方法，可以包括；一帧探测时间包括多个行探测阶段。其中，一行探测单元对应一个行探测阶段。每一个行探测阶段可以包括：第一阶段、第二阶段、第三阶段、第四阶段。其中，在第一阶段，对复位控制线加载第一电平信号，对读出控制线加载第一电平信号，对探测控制线加载第二电平信号。在第二阶段，对复位控制线加载第二电平信号，对读出控制线加载第一电平信号，对探测控制线加载第二电平信号。在第三阶段，对复位控制线加载第二电平信号，对读出控制线加载第一电平信号，对探测控制线加载第一电平信号。在第四阶段，对复位控制线加载第二电平信号，对读出控制线加载第一电平信号，对探测控制线加载第二电平信号。示例性地，第一电平可以为高电平，第二电平可以为低电平。或者，第一电平也可以为低电平，第二电平也可以为高电平。

图5以第一行对应的行探测阶段T10和第二行对应的行探测阶段T20为例。

其中，rst代表复位控制线RST上传输的信号，tsel-1代表第一行探测单元电连接的读出控制线上传输的信号，tx-1代表第一行探测单元电连接的探测控制线上传输的信号。tsel-2代表第二行探测单元电连接的读出控制线上传输的信号，tx-2代表第二行探测单元电连接的探测控制线上传输的信号。

行探测阶段T10包括：第一阶段T11、第二阶段T12、第三阶段T13、第四阶段T14。

在第一阶段T11，信号tx-1控制第一行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止。信号tx-2控制第二行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止。信号tsel-2控制第二行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT截止。信号rst控制各行探测单元中的每一个复位晶体管TRST导通，导通的复位晶体管TRST可以将电源线VDD上传输的电源电压Vdd输入驱动晶体管TSF的栅极，以对驱动晶体管TSF的栅极进行复位，并使驱动晶体管TSF的栅极电压为电源电压Vdd。信号tsel-1控制第一行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT导通，导通的读出晶体管TSELT可以将驱动晶体管TSF的第二极(例如第二极为源极)与读出传输线OL导通。由于驱动晶体管TSF的第一极(例如第一极为漏极)电压和栅极电压均为电源电压Vdd，则驱动晶体管TSF能产生参考电流，参考电流输入读出传输线OL后，可以使读出传输线OL上的电压为参考电压。

在第二阶段T12，信号rst控制各行探测单元中的每一个复位晶体管TRST截止。信号tx-1控制第一行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止。信号tx-2控制第二行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止。信号tsel-2控制第二行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT截止。信号tsel-1控制第一行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT导通，导通的读出晶体管TSELT可以将驱动晶体管TSF的第二极(例如第二极为源极)与读出传输线OL导通，以使驱动晶体管TSF产生的参考电流可以尽可能充分的输入读出传输线OL，可以使读出传输线OL上的参考电压尽可能的准确。探测读出电路可以读出每一个读出传输线OL上的参考电压。需要说明的是，该参考电压可以为对应探测单元中的噪声信号。

在第三阶段T13，信号rst控制各行探测单元中的每一个复位晶体管TRST截止。信号tx-2控制第二行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止。信号tsel-2控制第二行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT截止。信号tx-1控制第一行探测单元中的每一个探测晶体管TXT导通，导通的探测晶体管TXT可以将光电转换器产生的经光电转换的信号输入驱动晶体管TSF的栅极，以使驱动晶体管TSF的栅极电压为光电转换电压。由于驱动晶体管TSF的第一极(例如第一极为漏极)电压为电源电压Vdd，驱动晶体管TSF的可以产生与光电转换电压相关的探测信号(例如，探测信号可以为电流，也可以为电压，下面以探测信号为电流为例进行说明)。信号tsel-1控制第一行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT导通，导通的读出晶体管TSELT可以将驱动晶体管TSF的第二极(例如第二极为源极)与读出传输线OL导通，探测信号输入读出传输线OL后，可以使读出传输线OL上的电压为探测电压。

在第四阶段T14，信号rst控制各行探测单元中的每一个复位晶体管TRST截止。信号tx-2控制第二行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止。信号tsel-2控制第二行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT截止。信号tx-1控制第一行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止，由于驱动晶体管TSF的栅极电压为光电转换电压，驱动晶体管TSF的第一极(例如第一极为漏极)电压为电源电压Vdd，驱动晶体管TSF的可以产生与光电转换电压相关的探测信号。信号tsel-1控制第一行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT导通，导通的读出晶体管TSELT可以将驱动晶体管TSF的第二极(例如第二极为源极)与读出传输线OL导通，以使探测信号尽可能的输入读出传输线OL，可以使读出传输线OL上的电压尽可能的准确。探测读出电路可以读出每一个读出传输线OL上的探测电压。需要说明的是，该探测电压可以为对应探测单元中的探测信号。之后，探测读出电路可以将对应于同一探测单元的探测信号去除噪声信号后，得到第一行中每一个探测单元对应的光电探测信号，从而使光电探测信号的噪声减小。

行探测阶段T20包括：第一阶段T21、第二阶段T22、第三阶段T23、第四阶段T24。

在第一阶段T21，信号tx-1控制第一行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止。信号tsel-1控制第一行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT截止。信号tx-2控制第二行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止。信号rst控制各行探测单元中的每一个复位晶体管TRST导通，导通的复位晶体管TRST可以将电源线VDD上传输的电源电压Vdd输入驱动晶体管TSF的栅极，以对驱动晶体管TSF的栅极进行复位，并使驱动晶体管TSF的栅极电压为电源电压Vdd。信号tsel-2控制第二行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT导通，导通的读出晶体管TSELT可以将驱动晶体管TSF的第二极(例如第二极为源极)与读出传输线OL导通。由于驱动晶体管TSF的第一极(例如第一极为漏极)电压和栅极电压均为电源电压Vdd，则驱动晶体管TSF能产生参考电流，参考电流输入读出传输线OL后，可以使读出传输线OL上的电压为参考电压。

在第二阶段T22，信号rst控制各行探测单元中的每一个复位晶体管TRST截止。信号tx-1控制第一行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止。信号tx-2控制第二行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止。信号tsel-1控制第一行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT截止。信号tsel-2控制第二行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT导通，导通的读出晶体管TSELT可以将驱动晶体管TSF的第二极(例如第二极为源极)与读出传输线OL导通，以使驱动晶体管TSF产生的参考电流可以尽可能充分的输入读出传输线OL，可以使读出传输线OL上的参考电压尽可能的准确。探测读出电路可以读出每一个读出传输线OL上的参考电压。需要说明的是，该参考电压可以为对应探测单元中的噪声信号。

在第三阶段T23，信号rst控制各行探测单元中的每一个复位晶体管TRST截止。信号tx-1控制第一行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止。信号tsel-1控制第一行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT截止。信号tx-2控制第二行探测单元中的每一个探测晶体管TXT导通，导通的探测晶体管TXT可以将光电转换器产生的经光电转换的信号输入驱动晶体管TSF的栅极，以使驱动晶体管TSF的栅极电压为光电转换电压。由于驱动晶体管TSF的第一极(例如第一极为漏极)电压为电源电压Vdd，驱动晶体管TSF的可以产生与光电转换电压相关的探测信号。信号tsel-2控制第二行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT导通，导通的读出晶体管TSELT可以将驱动晶体管TSF的第二极(例如第二极为源极)与读出传输线OL导通，探测信号输入读出传输线OL后，可以使读出传输线OL上的电压为探测电压。

在第四阶段T24，信号rst控制各行探测单元中的每一个复位晶体管TRST截止。信号tx-2控制第二行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止。信号tsel-1控制第一行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT截止。信号tx-1控制第一行探测单元中的每一个探测晶体管TXT截止，由于驱动晶体管TSF的栅极电压为光电转换电压，驱动晶体管TSF的第一极(例如第一极为漏极)电压为电源电压Vdd，驱动晶体管TSF的可以产生与光电转换电压相关的探测信号。信号tsel-2控制第二行探测单元中的每一个读出晶体管TSELT导通，导通的读出晶体管TSELT可以将驱动晶体管TSF的第二极(例如第二极为源极)与读出传输线OL导通，以使探测信号尽可能的输入读出传输线OL，可以使读出传输线OL上的电压尽可能的准确。探测读出电路可以读出每一个读出传输线OL上的探测电压。需要说明的是，该探测电压可以为对应探测单元中的探测信号。之后，探测读出电路可以将对应于同一探测单元的探测信号去除噪声信号后，得到第二行每一个探测单元对应的光电探测信号，从而使光电探测信号的噪声减小。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述光电传感器。该显示装置解决问题的原理与前述光电传感器相似，因此该显示装置的实施可以参见前述光电传感器的实施，重复之处在此不再赘述。

在具体实施时，在本发明实施例中，显示装置可以为手机、平板电脑等具有指纹识别功能的显示装置。对于该装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

当然，X射线摄影术利用X射线短波长、易穿透的性质，以及不同组织对X射线吸收不同的特点，通过探测透过物体的X射线的强度来成像。平板探测器(Flat PanelDetector，FPD)作为X射线成像系统的核心部件，负责将X射线转化成电信号并记录成像，可通过显示器适时显示，亦可存储下来供后续读取。一般来说，FPD包括闪烁体、图像传感器(Image Sensor)、控制模块、信号处理模块和通信模块。闪烁体吸收X光将其转化为可见光；图像传感器由光电二极管(Photodiode)和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)开关组成的像素阵列构成，在控制电路的驱动下，将闪烁体产生的可见光转化为电信号；信号处理模块将电信号放大并通过模数转换器转换成数字信号，再通过补偿处理后成像。在具体实施时，本发明实施例中的光电传感器也可以应用于X射线探测装置中。

本发明实施例提供的光电传感器、驱动方法及显示装置，包括：阵列排布于衬底基板的探测区中的多个探测单元、多条读出传输线以及位于衬底基板的非探测区中的探测读出电路。各探测单元包括复位晶体管和读出晶体管，一列探测单元中的读出晶体管与一条读出传输线电连接，探测读出电路与多条读出传输线电连接；并且，探测读出电路还与所有探测单元中的复位晶体管的栅极电连接。这样通过复用探测读出电路向探测单元中的复位晶体管提供控制信号，从而可以降低栅极驱动电路的设置，降低非探测区的占用空间，从而可以避免非探测区挤占探测区的空间，降低探测区中探测单元的设计难度。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。