基本电子电路

  • 一种捕获电路及微处理芯片
    一种捕获电路及微处理芯片

    本申请提供了一种捕获电路及微处理芯片,该捕获电路1条振荡器延迟线和2条长度不同的捕获延迟线,通过振荡器延迟线为2条捕获延迟线提供时钟信号,由2条捕获延迟线共同确定待检测信号的边沿发生的位置。采用本申请实施例提供的捕获电路至少具备以下优点:1)通过振荡器延迟线提供时钟信号,不需要额外设置锁相环电路,且不依赖于系统时钟;2)由于通过2条捕获延迟线共同确定待检测信号的边沿发生的位置,因此,至少一条捕获延迟线的长度可以小于一个时钟周期;3)通过不同捕获延迟线中捕获延迟元件的数量比来设置不同捕获延迟线对应的时钟信号之间的相位差,对于时钟信号和捕获延迟元件的设计更加灵活。

    2024-05-20
  • 一种脉冲检测电路架构、电子芯片、核辐射检测设备及方法
    一种脉冲检测电路架构、电子芯片、核辐射检测设备及方法

    本发明涉及核辐射检测技术领域,尤其涉及一种脉冲检测电路架构、电子芯片、核辐射检测设备及方法,所述电路架构包括比较模块;检测支路,输出端与所述比较模块的负向输入端连接;电压采样支路,包括主控制模块和DAC模块,所述主控制模块与所述DAC模块的输入端连接,所述DAC模块的输出端与所述比较模块的正向输入端连接。本申请提供的脉冲检测电路架构,主控制模块接收输入的信号经DAC模块转换后输出至比较模块,通过改变输入的信号以调整输出的甄别阈值,可以实现动态调整核辐射信号检测中甄别阈值,无需拆卸核辐射检测设备便可进行甄别阈值的调整,减小温漂影响、调整方便、精度高。

    2024-05-20
  • 一种六位宽带数字移相器
    一种六位宽带数字移相器

    本申请涉及一种六位宽带数字移相器,包括:5.625°移相单元、11.25°移相单元、22.5°移相单元、45°移相单元、90°移相单元和180°移相单元组合结构。其中,180°移相单元组合结构包括:串联的两个三阶高低通结构的90°移相单元。三阶高低通结构包括:第一等效单刀双掷开关、第二等效单刀双掷开关、高通滤波支路和低通滤波支路;第一等效单刀双掷开关连接高通滤波支路和低通滤波支路的第一端;第二等效单刀双掷开关连接高通滤波支路和低通滤波支路的第二端;高通滤波支路和低通滤波支路并联。本申请中将180°移相位子单元结构改为两个三阶高低通结构的90°移相单元串联结构,实现了六位宽带数字移相器版图面积的大幅度减小。

    2024-05-19
  • 音频放大器、芯片及电子设备
    音频放大器、芯片及电子设备

    本申请涉及电子电路技术领域,公开了一种音频放大器、芯片及电子设备,该音频放大器包括积分模块、放大模块以及防震荡模块。积分模块用于接收输入信号和反馈信号,并基于输入信号和反馈信号输出驱动信号;放大模块用于接收驱动信号,并对驱动信号进行放大后输出放大信号(即输出信号),且放大模块与积分模块之间设有反馈通路,以通过反馈通路将输出信号作为反馈信号反馈至积分模块;防震荡模块用于在输入信号的输入电流小于反馈信号的反馈电流以降低电路增益的同时降低电路噪声,并通过控制输出信号相较于输入信号的产生目标延迟时间以避免音频放大器进入自震荡状态。

    2024-05-19
  • 一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器
    一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器

    本发明涉及微电子器件领域,特别涉及一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器。该声表面波谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、功能层和叉指换能器;所述功能层包括沿第一方向依次排布的第一介质区、压电区和第二介质区;通过将压电层和底电极设置于叉指换能器的孔径区,可以小于或者等于孔径区的宽度,孔径区为叉指换能器中两种相对设置的叉指电极存在交错的区域,声表面波谐振器的目标模式是由纵向电场激发的高阶声表面波模式;相邻第一叉指电极之间的距离与目标模式的频率的乘积小于支撑衬底的声速,从而能够避免纵向电场激发产生的寄生体声波,也有利于横向高阶模式的抑制。

    2024-05-19
  • 一种声表面波双工器及通信设备
    一种声表面波双工器及通信设备

    本发明公开了一种声表面波双工器及通信设备,该声表面波双工器包括:天线端、信号发射端、信号接收端、多个接地植球以及第一连接导体;天线端与信号发射端之间设置有第一声表面波滤波器,天线端与信号接收端之间设置有第二声表面波滤波器;第一声表面波滤波器包括多个第一声表面波谐振器,第二声表面波滤波器包括多个第二声表面波谐振器;第一声表面波谐振器与第二声表面波谐振器均包括叉指换能器和反射栅,反射栅与叉指换能器独立设置;存在两个反射栅通过同一第一连接导体与接地植球电连接。采用上述技术手段,存在两个反射栅通过同一连接导体与接地植球电连接,能够改善声表面波双工器的带外抑制以及隔离度,此外,连接方式简单,结构紧凑。

    2024-05-19
  • 一种功率放大器
    一种功率放大器

    本发明涉及半导体领域,公开了一种功率放大器,包括:功率放大器芯片、第一级间匹配网络、封装基板,其中,功率放大器芯片和第一级间匹配网络设置在封装基板上;功率放大器芯片包括第一功率放大器单元和多个第二功率放大器单元,其中,第一功率放大器单元的输出端与第一级间匹配网络连接,多个第二功率放大器单元的输入端与第一级间匹配网络连接。本发明功率放大器芯片上设置有第一功率放大器单元和第二功率放大器单元,芯片上有源区的面积占比增大,提高晶圆利用率,同时使得芯片的尺寸减小,进而减小功率放大器的尺寸,并且还可以降低制作成本。将第一级间匹配网络设置在封装基板上,可以有多种匹配方式,提升设计灵活性,同时降低制作成本。

    2024-05-19
  • 一种基于环境自适应的智能拍门系统
    一种基于环境自适应的智能拍门系统

    本发明涉及数据处理技术领域,尤其涉及一种基于环境自适应的智能拍门系统,该系统包括数据采集模块,用于获取X类历史环境数据的数据序列;数据分段模块,用于针对任一数据序列,利用初始分段长度阈值将数据序列分段为M个分段数据序列;数据更新模块,用于基于幂律序列对每个分段数据序列的频率序列进行调整,得到新频率序列;数据压缩模块,用于基于新频率序列,对分段数据序列进行压缩,利用压缩后的数据进行拍门系统的调控,令调控后的历史数据的频率呈现幂律分布,提高压缩效果,从而提高了利用存储的历史环境数据对拍门系统进行调控的准确率。

    2024-05-19
  • 一种基于碳化硅色心的声表面波器件及其制备和应用
    一种基于碳化硅色心的声表面波器件及其制备和应用

    本发明涉及一种基于碳化硅色心的声表面波器件及其制备和应用,使用本装置可以实现在单个二能级系统与声场强耦合条件下的自旋相干操纵,为后续更复杂的集成式的全片上多量子比特‑声场耦合系统及色心‑多场耦合系统提供思路。

    2024-05-19
  • 一只滤波器及其制作的方法
    一只滤波器及其制作的方法

    本申请实施例提供了一种滤波器及其制作方法,涉及滤波器技术领域。该滤波器包括电容层、位于电容层上方的电感层,分别与电容层、电感层连接的过孔层,以及包裹电容层、电感层以及过孔层的封装结构;其中,电容层与电感层之间设置有容置空间,容置空间用于放置目标器件。本申请实施例提供的滤波器及其制作方法具有体积更小,成本更低且性能更好的优点。

    2024-05-19
  • 任意整数分频电路及高速时钟芯片、通信芯片
    任意整数分频电路及高速时钟芯片、通信芯片

    一种任意整数分频电路及高速时钟芯片、通信芯片,属于电子电路技术领域,通过计数电路从计数数值对输入时钟进行递减计数以输出计数信号,且当计数电路的计数达到0时回零重新计数;清零触发电路当计数信号为0时,生成清零信号,且响应于第1控制字为0,将清零信号延时3个周期以输出输出时钟,响应于第1控制字为1,将清零信号延时4个周期以输出输出时钟;周期为输入时钟的周期;计数数值为2k+1,k为D+21×D+22×D+…+2n‑2×D,则D=2*K+D;D为第i+1控制字,i为小于n且大于等于0的整数,k为大于等于0的整数;可实现大于4的任意整数分频;提高了工作频率。

    2024-05-19
  • 声波器件结构和电子设备
    声波器件结构和电子设备

    本公开提供了一种声波器件结构和电子设备。该声波器件结构包括衬底、压电结构、第一电极层和第二电极层。压电结构垂直于衬底表面并设置于衬底上,第一电极层第一电极层的引出部分设置于第一衬底表面上;以及第二电极层第二电极层的引出部分设置于第二衬底表面上或第一衬底表面上;其中,第一电极层的叉指部分和第二电极层的叉指部分相对于第一压电表面和/或第二压电表面相互匹配形成叉指效果。因此,通过第一电极层和第二电极层相对于压电结构的叉指效果,能够实现该声波器件结构的器件频率大范围可调,同时显著提高该器件结构的有效耦合系数,可在显著提升器件性能的基础上,进一步实现对该器件结构的尺寸小型化。

    2024-05-18
  • 一种信号采集电路和模数转换系统
    一种信号采集电路和模数转换系统

    本发明提供了一种信号采集电路和模数转换系统,信号采集电路包括至少两个采样模块、输出选择模块和至少一个移相器;采样模块用于采集输入信号,输出选择模块包括至少两个输入端,输出选择模块的输入端与采样模块的输出端一一对应连接,输出选择模块用于选择至少两个采样模块中的一个采样模块中的采样信号通过输出端输出;采样模块的输入信号输用于输入输入信号,采样模块的时钟输入信号端用于输入时钟信号;至少一个移相器串联于至少两个采样模块的时钟输入信号端之间,至少一个移相器用于对采样模块的时钟输入信号端输入的时钟信号进行相移。本发明以更低的成本、更低频率的信号源,实现对更高输入频率波形的采样,降低了成本。

    2024-05-18
  • 一种卫星通信极化码BP译码的几何表示方法及装置
    一种卫星通信极化码BP译码的几何表示方法及装置

    本发明公开了一种卫星通信极化码BP译码的几何表示方法及装置,该方法包括:获取极化码BP译码单元,所述极化码BP译码单元包括信息节点、加法器ADD和等价器EQ;所述信息节点包括信息节点A、信息节点B、信息节点C、信息节点D;将所述信息节点与统计流形对应;将所述信息节点所蕴含的概率信息,等价于概率密度函数所在的统计流形上一个点,得到信息点;所述信息点包括第一信息点、第二信息点、第三信息点和第四信息点;对所述信息点进行处理,得到卫星通信极化码BP译码的几何表示结果。本发明方法对于设计高稳定、高精度的极化码BP译码算法具有重要的启发意义。

    2024-05-18
  • 声表面波滤波器及其制造方法
    声表面波滤波器及其制造方法

    本发明提供了一种声表面波滤波器及其制造方法,所述声表面波滤波器包括:压电衬底,所述压电衬底上形成有叉指换能器;形成于所述压电衬底上的空腔结构,所述空腔结构包括位于所述压电衬底上的墙体以及位于所述墙体上的盖体,所述叉指换能器位于所述空腔结构内;以及,位于所述盖体上的支撑结构。其中,盖体上形成有支撑结构,通过所述支撑结构能够支撑所述盖体,以避免塑封过程中发生塌陷,提高了所形成的声表面波滤波器的质量和可靠性。

    2024-05-18
  • IGBT功率模块的栅极电压控制方法及装置
    IGBT功率模块的栅极电压控制方法及装置

    本发明涉及一种IGBT功率模块的栅极电压控制方法及装置,IGBT功率模块包括与IGBT功率模块的上桥臂相对应的第一模块和与IGBT功率模块的下桥臂相对应的第二模块,该栅极电压控制方法包括:对第一端子和第二端子之间的电压进行采样;计算用于对第二模块的栅极电压进行放大的放大系数;根据所述放大系数和所采样的电压来计算用于对所述第二模块的栅极电压进行补偿的第二电压;以及根据所述第二电压来控制第二模块的栅极电压。由此,能够消除IGBT功率模块内的寄生电感所产生的感应电压,从而避免IGBT功率模块的栅极电压出现过压或不足,保持IGBT功率模块内的电压稳定。

    2024-05-18
  • 提高QC-LDPC译码器吞吐率的方法、装置及设备
    提高QC-LDPC译码器吞吐率的方法、装置及设备

    本发明涉及提高QC‑LDPC译码器吞吐率的方法、装置及设备,属于通信技术领域,包括:初始化变量节点和校验节点信息;读取非零元素列索引号,以及读取列索引号对应位置的校验节点信息和变量节点信息;计算更新变量节点并存储,读取循环移位子矩阵值和每个非零元素个数;计算更新校验节点和变量节点并存储;对计算得到的变量节点信息按照LDPC码译码结果验证规则进行验证或判断,如果满足验证或判断要求,则译码结束。本发明采用存储校验矩阵的循环移位子矩阵的非零元素取值及其对应列索引号和校验矩阵中每行非零元素个数的方式,降低每次译码迭代运算所消耗的处理时钟,提高译码器的吞吐率和减小存储资源消耗。

    2024-05-18
  • 一种适应复杂动态阻抗的射频放大器系统的输出匹配检测装置和方法
    一种适应复杂动态阻抗的射频放大器系统的输出匹配检测装置和方法

    本发明公开了一种适应复杂动态阻抗的射频放大器系统的输出匹配检测装置和方法包括:所述装置包括:壳体,所述壳体两端设有内导体及射频接头,所述内导体及射频接头部分延伸至壳体内并相互连接;所述壳体内设有内导体管,内导体和壳体的内腔构成同轴传输线,用于传递大功率射频能量;采样板,设置在所述壳体上,所述采样板上设有铜螺钉,用于将采样板与内导体管和内导体连接起来,进行采集电压信号;所述采样板上还设有电感,用于通过壳体内腔耦合电流信号;耦合板,设置在所述壳体侧部,包括与壳体连接的由耦合杆安装板及与所述耦合杆安装板连接的耦合杆组成,用于与内导体构成耦合结构,实现射频耦合取样功能。

    2024-05-17
  • 一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法
    一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法

    本发明提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法,包括:在第一衬底上生长至少一层压电薄膜;形成第一电极;图形化第一电极和压电薄膜,再形成键合层;刻蚀键合层,形成第一开口;将键合层与第二衬底键合固定,所述第一开口形成空腔结构;去除第一衬底,暴露出压电薄膜的底表面,减薄压电薄膜的底表面,在压电薄膜的底表面进行二次压电薄膜生长,形成二次压电薄膜生长层;形成介质层,并图形化所述介质层,形成第二开口;形成第二电极,并制作电性引出结构。本发明通过减薄和再生长工艺制备掺杂AlN与单晶AlN相结合的压电层,有利于提升压电层厚度及质量、改善压电层应力,进一步提高体声波谐振器的机电耦合系数、品质因数Q等性能参数。

    2024-05-17
  • 一种适用于CV-QKD的广义MET-LDPC码的新型构造方法及装置
    一种适用于CV-QKD的广义MET-LDPC码的新型构造方法及装置

    本发明公开了一种适用于CV‑QKD的广义MET‑LDPC码的新型构造方法及装置,所述广义MET‑LDPC码的新型构造方法包括:S1:令需要构造出的广义MET‑LDPC码码率为RG、码长为NG,构造出与目标码率相同的MET‑LDPC码;S2:对MET‑LDPC码所有校验节点进行排序,确定各个校验节点被替换的优先级;S3:在确定好所有校验节点被替换的优先级后,依次挑选出与排序后的校验节点对应的线性分组码;S4:确定出构造广义MET‑LDPC码所需要替换的行数,生成最终的广义MET‑LDPC码。通过本发明方法或装置在使用广义MET‑LDPC码提升误码纠错性能的同时,减少了其码率降低带来的负面影响。

    2024-05-17
  • 振动器件
    振动器件

    本发明提供振动器件,降低支承应力对振动的影响,抑制主振动的泄漏。振动器件具有:振动片;容器,其收纳振动片;以及粘接部件,其将振动片与容器接合,振动片具有:振动部,其包含设置有第一激励电极的第一主面、设置有第二激励电极且与第一主面处于正反关系的第二主面、以及在沿着通过第一激励电极和第二激励电极激励出的厚度剪切振动的移位方向的第一方向上延伸的侧面,将与第一方向交叉的方向即第二方向作为长度方向;连结臂,其从振动部的侧面向第二方向延伸;以及支承部,其包含从连结臂向第一方向延伸的第一支承臂,沿着第一方向延伸,经由粘接部件与容器接合。

    2024-05-17
  • 一种针对带电作业预警系统的监控数据压缩方法
    一种针对带电作业预警系统的监控数据压缩方法

    本发明涉及数据处理技术领域,具体涉及一种针对带电作业预警系统的监控数据压缩方法,该方法针对任一类传感器数据,获取带电作业预警系统的传感器时序数据;对传感器时序数据进行数据简化和数据转换,得到一维的二进制数据序列;获取目标尺寸的划分窗口对二进制数据序列进行数据分段得到的至少两个二进制数据子段;获取目标尺寸对应的二进制位数下编码转换路径最短所对应的目标二进制编码,获取所有二进制数据子段中的目标二进制数据子段,利用目标二进制数据子段转换为目标二进制编码的转换方式,得到转换后的二进制数据子段;使用游程编码对转换后的二进制数据子段进行编码压缩,对压缩后的数据进行存储,实现了高效压缩的目的。

    2024-05-17
  • 一种三重级联结构的超宽带分布式低噪声放大器
    一种三重级联结构的超宽带分布式低噪声放大器

    本发明公开了一种三重级联结构的超宽带分布式低噪声放大器,涉及微电子技术,针对现有技术中增益和带宽都较低的问题提出本方案。在输入人工传输线和输出人工传输线之间并联若干增益单元;输入人工传输线的首端串接第一电容后作为信号输入端,末端依次通过栅极终端单元和第二扼流电感后连接第一栅极偏置电压;输出人工传输线的末端串接第七电容后作为信号输出端;首端依次通过漏极终端单元和第一扼流电感后连接工作电压;每一增益单元结构相同,均分别由三个GaN晶体管级联而成。优点在于可以实现大的带宽和较高的线性度。增益单元有效补偿了分布式放大器高频增益的滚降,有效拓展了分布式低噪声放大器的带宽,实现了多倍频程的超宽带放大器。

    2024-05-17
  • 具有垂直散热特性的声波器件结构和电子设备
    具有垂直散热特性的声波器件结构和电子设备

    本公开提供了一种具有垂直散热特性的声波器件结构和电子设备。其中,该具有垂直散热特性的声波器件结构包括盖板部、声波部和散热体。盖板部用于对所述声波器件结构进行封闭;声波部对应于所述盖板部的下表面与所述盖板部连接,其中,所述盖板部和所述声波部之间具有一声波空间,所述声波空间填充有导热材料;以及散热体设置于所述声波空间中对应的所述盖板部和/或声波部上,以实现对所述声波部的垂直散热。因此,相对于传统的仅填充导热气体的声波器件结构,能够实现在垂直方向上的散热加强效果,进一步增强声波器件结构的散热能力,使得声波器件结构在温度提升以及温度变化的情况下具有更加稳定的声波性能。

    2024-05-16
  • 声表面波谐振装置及其形成方法
    声表面波谐振装置及其形成方法

    一种声表面波谐振装置及其形成方法,其中形成方法包括:获取压电层;在压电层上形成第一金属材料层;采用干法刻蚀工艺对第一金属材料层进行刻蚀处理形成电极结构,干法刻蚀工艺中添加有氧化气体,在刻蚀处理过程中,氧化气体与第一金属材料层的侧壁反应形成附着层,附着层的沸点高于对第一金属材料层刻蚀形成的副产物的沸点,且附着层在刻蚀腔室内不挥发。由于较高沸点的附着层无法在刻蚀腔室内挥发,因此能够对第一金属材料层暴露出的侧壁进行有效的保护,防止干法刻蚀工艺的刻蚀气体对第一金属材料层暴露出的侧壁进行侧向刻蚀,以此提升电极结构的侧壁垂直形貌,进而有效提升器件性能。

    2024-05-16
  • 环形放大电路、混合信号存算一体电路、芯片及电子设备
    环形放大电路、混合信号存算一体电路、芯片及电子设备

    本公开涉及集成电路设计技术领域,尤其是一种环形放大电路、混合信号存算一体电路、芯片及电子设备。环形放大电路,包括存内计算单元;开关电容电路;信号读取单元;带负反馈的环形放大器,带负反馈的环形放大器用于将输出信号返回到输入端,同时为反馈环路提供共模电压,带负反馈的环形放大器中设置有三级反相放大电路;中间级反向放大电路分别输至第三级反相放大电路中的两个晶体管内,中间级放大电路中设置有偏置电压单元,当时钟信号处于置位状态时,环形放大器起放大功能;当时钟信号处于复位状态时,偏置电压将输出级MOS管压入截止区,开关电容电路用于在电路中控制信号电压的复位和置位。本申请具有占用面积和功耗小,降低静态功耗的效果。

    2024-05-16
  • 大输出摆幅驱动电路和通信集成电路
    大输出摆幅驱动电路和通信集成电路

    本发明提出一种大输出摆幅驱动电路和通信集成电路,其中,大输出摆幅驱动电路包括共基极差分放大模块、共射极差分放大模块、尾电流源模块和复用放大模块,复用放大模块通过对第一差分电压信号进行缓冲和放大,并分别输出第二差分电压信号至共射极差分放大模块以及输出动态偏置电压信号至共基极差分放大模块,同时满足缓冲级和动态偏置级的功能,通过对同一个电路级进行复用,由一级电路同时支持两路信号路径,简化了大输出摆幅驱动电路的结构,在保证所有HBT工作于安全条件的情况下,降低了大输出摆幅驱动电路的功耗。

    2024-05-16
  • 一种工艺角失配校准电路架构及电子器件
    一种工艺角失配校准电路架构及电子器件

    本发明涉及校准电路架构技术领域,尤其涉及一种工艺角失配校准电路架构及电子器件,所述电路架构包括:参考电压产生电路,用于产生并输出参考电压;电流产生电路,与所述参考电压产生电路的输出端电性连接,所述电流产生电路用于产生并输出电流。通过参考参考电压产生电路产生参考电压、通过电流产生电路产生电流经开关电容积分电路以产生一个高比特数高精度码字,通过码字映射之后输出低比特数码字给相应电路模块使用。在电路模块用于校准的电阻电容阵列面积不增大的条件下,提高了工艺角的校准精度,满足绝大部分工艺敏感的高精度模拟芯片的工艺稳定要求。

    2024-05-16
  • 一种石英晶体谐振器及电路
    一种石英晶体谐振器及电路

    本申请实施例提供了一种石英晶体谐振器及电路,涉及电子器件技术领域。该石英晶体谐振器,包括:晶片结构;所述晶片结构,包括:相叠加的多层石英晶片,所述石英晶片包括晶片本体以及设于所述晶片本体的表面上的多个晶片电极,任意两层所述石英晶片的晶片本体之间均具有未被所述晶片电极覆盖的区域;任意两个所述晶片电极之间可施加电压,使至少一层所述石英晶片中的所述晶片本体共同振动,以产生对应的频率。本申请实施例解决了受限于单一的工作频率,无法满足多频率输出的需求的技术问题,利于满足多样化应用需求。

    2024-05-15
  • 功率放大器和功率放大方法
    功率放大器和功率放大方法

    本公开实施例提供一种功率放大器和功率放大方法,该功率放大器包括:信号分离器、控制功率放大器、平衡式功率放大器、输出合路器和输出阻抗变换器;其中,信号分离器分别连接控制功率放大器的输入端和平衡式功率放大器的输入端;控制功率放大器为第一多尔蒂功率放大器,平衡式功率放大器包括相同的第二多尔蒂放大器和第三多尔蒂放大器;输出合路器的第一端口、第二端口分别与第二多尔蒂功率放大器和第三多尔蒂功率放大器的输出端连接,所第四端口连接第一多尔蒂功放的输出端;第三端口为输出端;输出合路器的输出端与输出阻抗变换器连接,输出阻抗边变换器用于变换负载阻抗与输出合路器的输出端匹配。该功率放大器整体效率较高。

    2024-05-15
  • 一种耗尽型功率半导体器件的直驱电路
    一种耗尽型功率半导体器件的直驱电路

    本发明提供一种耗尽型功率半导体器件的直驱电路,包括耗尽型功率半导体器件,N沟道金属氧化物半导体器件,隔离型栅极驱动,隔离型变压器,二极管和电阻;其中耗尽型功率半导体器件的栅极与隔离型栅极驱动的输出相连接,源极与N沟道金属氧化物半导体器件的漏极及输出供电相连接;N沟道金属氧化物半导体器件的栅极与隔离型变压器的输出相连接;第一二极管的阳极与隔离型栅极驱动的输出相连接,阴极与N沟道金属氧化物半导体器件的源极相连接;第二二极管的阳极与隔离型栅极驱动的输出供电相连接,阴极与耗尽型功率半导体器件的源极及N沟道金属氧化物半导体器件的漏极相连接。本发明完成对耗尽型功率半导体器件的直接控制,提高开关速度和频率。

    2024-05-15
  • 一种模数转换器(ADC)验证装置
    一种模数转换器(ADC)验证装置

    本申请涉及一种ADC验证装置,包括:通信接口模块,接收配置要求数据;模拟输入接口模块,接收外部输入的模拟信号;信号混频模块,与模拟输入接口模块耦合,根据混频控制信号对模拟信号进行混频;FPGA模块,与通信接口模块耦合,根据配置要求数据实现数字滤波器,并将数字滤波器计算结果和验证装置的运行状态反馈给上位机;FPGA模块还与信号混频模块耦合,根据配置要求数据生成混频控制信号发送给信号混频模块;以及调制器接口模块,与信号混频模块以及FPGA模块耦合,在FPGA模块的控制下与硬件调制器耦合,接收并调制经过混频的信号,并将调制结果输出给FPGA模块。本申请还涉及一种ADC验证系统以及一种ADC验证方法。

    2024-05-15
  • 一种功率放大器
    一种功率放大器

    本申请实施例提供了一种功率放大器,包括:耦合器和谐波产生网络,耦合器与谐波产生网络连接,其中,所述耦合器,用于从所述功率放大器的输入信号中耦合出一部分输入信号,得到基波信号,并将基波信号输出至谐波产生网络;谐波产生网络,用于基于基波信号生成谐波分量,并将谐波分量输入到功率放大器的功放输入电路中,可以解决相关技术中在功放的输出网络中注入二次谐波分量进行二次谐波有源负载调制很难应用于超宽带功放中的问题,通过谐波产生网络在平衡式功率放大器的低频段注入谐波来提升发射系统的整体性能,避免在功放输出端直接加载二次谐波引入的对原始功放输出网络的影响,还可以降低加载二次谐波所需的功率。

    2024-05-13
  • 适用于高速高精度采样的栅压自举开关电路
    适用于高速高精度采样的栅压自举开关电路

    本发明提供的适用于高速高精度采样的栅压自举开关电路,包括:两级反向器链以及改进型栅压自举开关结构时序模块;所述两级反向器链通过使能信号将输入第一时钟信号生成延时信号;所述改进型栅压自举开关结构时序模块在所述延时信号的延时下,通过正反馈的方式改变MOS管导通电阻,以及减小延时信号寄生电容的方式,改变信号的传递时间。在本发明中,通过将接输出节点的两个大尺寸开关管的栅端移走,降低了输出节点的寄生电容,提高了信号传输速度,同时在信号传输环路中引入正反馈通路,进一步加快了信号传输速度。

    2024-05-13
  • 应用于前端粒子探测器读出电路的高速高精度迟滞比较器
    应用于前端粒子探测器读出电路的高速高精度迟滞比较器

    本发明公开了一种应用于前端粒子探测器读出电路的高速高精度迟滞比较器,涉及模拟集成电路设计技术领域,解决了改变放大器的跨导影响放大器的带宽和增益,进而影响比较器的精度和响应速度的问题,该电路包括:可编程迟滞门限调整器电路、比较器电路、偏置电路和输出级电路;偏置电路为比较器电路提供电压;可编程迟滞门限调整器电路用于对输入电压进行运算,得到第一电压;比较器电路将其进行比较,得到比较电压;输出级电路对比较电压进行增强和整形,得到第二电压,并将其反馈至可编程迟滞门限调整器电路;可编程迟滞门限调整器电路还用于根据第二电压调节第一电压,进而实现了迟滞比较器功能。

    2024-05-13
  • 一种基于遗传算法加速收敛的极化码构造方法
    一种基于遗传算法加速收敛的极化码构造方法

    本发明公开了一种基于遗传算法加速收敛的极化码构造方法,包括步骤1设参数;步骤2初始遗传算法种群;步骤3用轮盘赌算法从种群选两父代;步骤4对两父代信息位交叉产生子代;步骤5对子代用未锁定冻结位对未锁定信息位变异;步骤6变异子代加入种群适应度择优实现种群更新并记录种群信息;步骤7是重复步骤3至6至达到遗传次数跨度数,判断最优适应度下降是否达极限,若是减少锁定位数目临时放开信道,重复步骤3至6至最少到一个遗传次数跨度数,若最优适应度下降且被临时放开的信道变化,根据被临时放开信道更新信道锁定情况;若否直接重复步骤3至6;步骤8是满足遗传迭代停止条件时结束。本发明动态锁定信道能解决收敛速度慢问题。

    2024-05-13
  • 一种基于忆阻器交流特性的PUF电路及其使用方法
    一种基于忆阻器交流特性的PUF电路及其使用方法

    本发明涉及一种基于忆阻器交流特性的PUF电路及其使用方法。其技术方案是:向所述PUF电路施加交流电压UAC、激励电压Uc1、…Uci、…UcN和低电平的控制电压Uctr,在交流电压UAC正半周,忆阻器(101)最终处于低阻态,所述PUF电路没有响应电压VR输出;在交流电压UAC负半周,忆阻器(101)最终处于高阻态。在交流电压UAC的4/5到1个周期内的任意时刻,施加高电平的控制电压Uctr,2N个忆阻器(101)的阻值都不同,交流电压UAC经过2N个忆阻器(101)、2N个选通器(102)和两个分路器(103)的1_CHAN通道时电流不同,电压比较器(105)的输出是随机的,在时钟信号上升沿D触发器(106)输出响应电压VR。本发明工作步骤少,均匀性、唯一性和随机性高。

    2024-05-13
  • 基于复阻抗匹配模式可重构谐振器的电调移相器
    基于复阻抗匹配模式可重构谐振器的电调移相器

    本发明公开一种基于复阻抗匹配模式可重构谐振器的电调移相器,包括2个外部耦合网络和1个内部模式可重构谐振器;所述外部耦合网络,用于在保持从端口到内部模式可重构谐振器之间阻抗匹配的前提下,实现相位连续电调;所述内部模式可重构谐振器,用于实现相位的大范围跳变;所述2个外部耦合网络呈轴对称置于所述内部可重构谐振器的两端,连接处分别标记为参考面A和A’,参考面A和A’处实现共轭匹配。优点:本发明采用复阻抗匹配网络与模式可重构谐振器来设计连续可调移相器,具有匹配性能好、电路面积小、相移范围大,移相精度高等优点。

    2024-05-12
  • 一种消除比较器延时影响的RC振荡器电路
    一种消除比较器延时影响的RC振荡器电路

    本发明属于半导体集成电路技术领域,具体涉及一种消除比较器延时影响的RC振荡器电路,利用周期性的RC充放电信号在一个周期内的积分电压不变,则振荡频率也不变的原理。通过将RC振荡器的两路充放电信号进行积分,将比较器的延时时间转化为电压信号,等效为比较器参考电压的一部分,从而将传统RC张弛振荡比较器的固定参考电压改为自适应的参考电压,根据比较器的延时变化自动调节比较器的参考电压,通过采用自适应比较器参考电压,能消除比较器延时时间随温度和电源电压变化对输出频率造成的影响,从而直接输出高精度的高频时钟频率,不需要额外增加锁相环PLL电路,实现简化电路结构,减少芯片成本和功耗的目的。

    2024-05-12
  • 一种超宽带射频均衡器结构
    一种超宽带射频均衡器结构

    本发明公开了一种超宽带射频均衡器结构,主要解决现有均衡器结构链路复杂,成本高的问题。该均衡器结构包括基板,设置于基板上用于实现高频谐振的耦合电路,与耦合电路相连用于实现高频响应的两路响应电路,以及与耦合电路相连用于实现均衡作用的输入均衡电路和输出均衡电路。通过上述设计,解决了超宽带微波射频难题,频率覆盖DC~27GHz,解决了低频下不去,高频上不去的技术瓶颈。本发明可实现均衡量的改变,均衡量范围覆盖1~10dB以上。可实现均衡频率的改变,改变范围覆盖DC~40GHz。本发明尺寸小巧,成本低廉,加工精度要求低,生产周期短,可广泛大量使用,实用前景广阔。

    2024-05-12
  • 一种叉指换能器、声表面波谐振器和装置
    一种叉指换能器、声表面波谐振器和装置

    本发明公开了一种叉指换能器、声表面波谐振器和装置,涉及射频滤波技术领域,其中谐振器包括:压电基底和设于该压电基底工作面上的导电材料薄膜图形,调节导电材料薄膜图形中的叉指换能器以形成标准声速区、与标准声速区相比传播弹性波的音速更低的低声速区、与标准声速区相比传播弹性波的音速更高的高声速区,并设置叉指换能器的电极指中位于标准声速区部分的电极指长度从区域中部向区域端部方向逐渐变大或变小,该谐振器和装置具有良好的横模抑制效果。

    2024-05-12
  • 应用于高速高精度SAR ADC的开关电容阵列
    应用于高速高精度SAR ADC的开关电容阵列

    本发明公开了应用于高速高精度SAR ADC的开关电容阵列,属于SAR ADC的电容技术领域,其采用桥接结构来减小总电容面积,该开关电容阵列包括:采样电容Cx[n‑1],Cx[n‑2],Cx[n‑3],Cx[n‑4]、非采样电容Cz[n‑5],Cy[n‑i],Cy[n‑i‑1],Cy[n‑i‑2],Cz[n‑i‑3]和冗余位电容Czr[n‑4]、Czr[n‑i‑2]。通过重点优化开关电容阵列中大电容部分的参考电平建立速度问题,并结合冗余电容缓解大电容快速建立时候的精度问题,使得总电容在面积上能够比传统方案明显减小,且能够允许更快的转换速度。

    2024-05-12
  • 一种延迟校正方法及相关设备
    一种延迟校正方法及相关设备

    一种多台波形发生器的输出通道延迟校正方法,包括:多次调整所述模拟的校正波形信号的频率,以使得:校正终端在所述任意一台波形发生器每次调整后:将任意一台波形发生器对应的校正波形采样信号与另一路校正波形采样信号进行互相关运算,得到相关运算结果;将相关运算结果由时域变换至频域,以得到两路模拟的校正波形信号之间的相位差;得到相位差与频率之间的相位函数并得到目标时延;基于目标时延进行延迟校正,以使得两路模拟的校正波形信号的时延同步。由于基于波形发生器就可以实现延迟校正,使得同步校准的成本低。本申请还提供了一种相关设备。

    2024-05-12
  • 通用的Blaum-Roth阵列码的编解码算法
    通用的Blaum-Roth阵列码的编解码算法

    本发明公开了通用的Blaum‑Roth阵列码的编解码算法,包括基于典型值的阵列码的解码算法、基于多项式插值的阵列码的解码算法和基于范德蒙德矩阵的LU分解的阵列码的解码算法;所述基于典型值的阵列码给出了多项式插值的解码算法;所述基于多项式插值的阵列码给出了基于典型值的解码算法。本发明给出了针对阵列码的解码算法,对于基于典型值的解码算法和基于多项式插值的解码算法,还额外提供了一个减少多项式乘法个数的算法,参加乘法的多项式的特点是均只有两个非零项。有效解决了原有的Blaum‑Roth阵列码参数选择受限,解决了编解码计算复杂度高以及解码效率低的问题。

    2024-05-12
  • 小数调制方法、装置、存储介质及电子设备
    小数调制方法、装置、存储介质及电子设备

    本申请公开了一种小数调制方法、装置、存储介质及电子设备。其中,该小数调制方法包括获取待调制的小数部分;对小数部分进行倍增处理,得到处理结果;对处理结果进行调制,得到初级调制结果;将小数部分与阈值进行比较,并根据比较结果确定量化策略;根据量化策略对初级调制结果进行相应的倍减处理,得到目标调制结果。本方案可以减小调制结果的瞬时跳变。

    2024-05-11
  • 离散时间滤波器、接收机、发射机和通信设备
    离散时间滤波器、接收机、发射机和通信设备

    本申请实施例提供了一种离散时间滤波器、接收机、发射机和通信设备,涉及通信技术领域;用以解决现有离散时间滤波器在调节反馈系数时会增加额外功耗以及调节不便捷的问题。该离散时间滤波器包括跨导电路、开关电容滤波电路、第一采样电容、第二采样电容和开关;其中跨导电路的输出端通过开关电容滤波电路连接于第一节点;第一采样电容的第一端以及开关的第一极均与第一节点连接;开关的第二极以及第一采样电容的第二端均接地。第二采样电容与开关连接,并通过切换开关的连接端实现采样并提供负反馈,从而实现对反馈系数的调节。

    2024-05-11
  • 一种基于耦合器的多路Doherty功率放大器
    一种基于耦合器的多路Doherty功率放大器

    本发明涉及无线通信技术领域,具体涉及一种基于耦合器的多路Doherty功率放大器。本发明包括功分器、主路输入耦合器、峰值路输入耦合器、载波功率放大器1、载波功率放大器2、峰值功率放大器1、峰值功率放大器2、主路输出网路1、主路输出网络2和输出耦合器。本发明在信号输入端加入耦合器分别实现主功放和峰值功放的输入信号功率的分配,同时在功率合成处加入耦合器,使用耦合器改善输入和输出端的驻波比,而实现Doherty DPA的性能提升。

    2024-05-11
  • 一种基于上电操作用于系统重启的电路
    一种基于上电操作用于系统重启的电路

    本发明公开了一种基于上电操作用于系统重启的电路,涉及电路设计技术领域,包括主控IC、降压稳压IC、三极管Q1,所述降压稳压IC标记为U1,所述主控IC标记为U2,所述三极管Q1为NPN型三极管,用于对电路进行开关;所述电路还包括分压电阻R1和R2以及下拉电阻R3、上拉电阻R4,所述分压电阻R1和R2还连接有VCC供电电源以及电容C1;所述电路还包括电容C2和C3,所述电容C2和C3为滤波电容。该基于上电操作用于系统重启的电路,能够使死机的设备进行系统重启,并在不破坏产品的情况下,就能将设备系统重启,能避免财产损失,解决客户烦恼,还解决了许多电子产品死机后出现的售后难题。

    2024-05-11
  • 弹性波滤波器装置及复合滤波器装置
    弹性波滤波器装置及复合滤波器装置

    提供能够兼顾频带外衰减量等滤波器特性的改善和插入损耗的降低的弹性波滤波器装置。弹性波滤波器装置在压电基板(3)上构成带通型滤波器(1),带通型滤波器(1)具有第一、第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器(11、12),在第一纵耦合谐振器型弹性波滤波器(11)级联连接有第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器(12),具有设置于压电基板(3)的第一接地电极(7)和第二接地电极(8),第一接地电极(7)与第二接地电极(8)在压电基板(3)中没有电连接,在第一、第二纵耦合谐振器型弹性波滤波器(11、12)中的至少一方,多个IDT电极中的位于中央的IDT电极(12c)具有与信号电位连接的第一梳齿电极(12c1)以及与接地电位连接的第二、第三梳齿电极(12c2、12c3),第二梳齿电极(12c2)与第一接地电极(7)连接,第三梳齿电极(12c3)与第二接地电极(8)连接。

    2024-05-10
  • 一种石英晶圆及其制造方法
    一种石英晶圆及其制造方法

    本申请涉及一种石英晶圆及其制造方法。所述石英晶圆包括石英晶圆本体和电极膜。所述石英晶圆本体包括主表面、设置于所述主表面且用于对应芯片设置的凹槽区、连接所述主表面的第一侧面、连接所述主表面和所述第一侧面的第二侧面,所述第一侧面整体为通过刻蚀或切割工艺形成。所述电极膜包括设置于所述凹槽区的第一部分、设置于所述主表面且与所述第一部分连接的第二部分和设置于所述第二侧面且与所述第二部分连接的第三部分。

    2024-05-10
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