对金属材料的镀覆、用金属材料对材料的镀覆、表面化学处理、金属材料的扩散处理、真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆、金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

本文提供了用于处理基板的方法和装置。例如，一种被配置为与用于处理基板的装置一起使用的磁体至靶间距系统包括：传感器，所述传感器被配置为在相对于靶旋转磁体的同时提供同磁体的正面与靶的背面之间的距离相对应的信号；以及磁体控制器，所述磁体控制器被配置为基于由所述传感器提供的信号来控制磁体的正面与靶的背面之间的距离。

本发明公开了一种金属表面玻璃陶瓷涂层及其制备方法，所述玻璃为铁磷酸盐玻璃，其组分为：P2O537.2‑41.2wt％，Al2O316.3‑18.3wt％，Fe2O30.5‑3wt％，Na2O16.7‑22.5wt％，SiO20.5‑7wt％，B2O31.6‑4.9wt％，SrO 2‑5.5wt％，BaO 4.5‑9.4wt％，La2O30.5‑1.5wt％，Nd2O30.5‑1.8wt％，ZrO21‑2.5wt％，Nb2O50.5‑1.5wt％。将所述玻璃粉和氧化锆陶瓷粉按照3.5:6.5～4.5:5.5的比例混合后喷涂到金属基底材料表面，经热处理和退火工艺后该玻璃陶瓷涂层孔隙率显著降低。

本发明提供一种提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，包括：内胆，所述内胆内包括工作空间，所述内胆上设有若干连接孔，若干所述连接孔沿周向间隔设置；第一壳体，套设在所述内胆的外壁上，所述第一壳体内部设有气路；气体分流器，包括若干气管，任一气管穿过一所述连接孔，所述气管包括连接端和出气端，所述连接端与所述气路连通，所述出气端设于所述工作空间中；所述气管的所述出气端的角度可调；所述气管的长度可调。本发明实施例通过选用不同规格的气管或在气管上设置波纹管，改进氧气的输入位置，通过在气管的出气端设置不同规格的弯头，调节气体的输入角度，从而提高气体输入的均匀性。

本发明提供了一种用于铝合金表面纹理的处理剂和处理方法，用于铝合金表面纹理的处理剂，按重量百分比计，包含如下组分：焦磷酸盐，30％‑70％；硼砂，5％‑50％；磷酸钾，10％‑40％；表面活性剂，3％‑20％。本发明提供的用于铝合金表面纹理的处理剂不仅能够对铝合金表面纹理进行除污，还能保证清洗后的铝合金表面纹理的亮度大，实现高光部分无影响，整体光泽均一的效果。

本发明属于金属材料高倍金相分析领域，具体涉及UNS N06059合金的腐蚀剂和UNS N06059合金的腐蚀方法，所述UNS N06059合金的腐蚀剂包括氯化铜、盐酸、无水乙醇，所述氯化铜与所述盐酸、所述无水乙醇的含量比为0.8～1.2g：15～25mL：15～25mL。由此，特定含量的氯化铜、盐酸、无水乙醇互相配合，可以使包含上述组分的腐蚀剂能够对UNS N06059合金进行快速的腐蚀，在金相显微镜下能够观察到腐蚀后UNS N06059合金的金相结构，可以直接进行晶粒度评级。

本发明涉及一种用于低压化学气相沉积反应器中的气体注入系统，包括顶部注入单元、上部注入单元和下部注入单元，置于立式炉反应器内部的三个注入单元均为圆柱形中空结构，三个注入单元的尾部与气体管路末端的连接件支撑嵌套连接；大流量气体通道的顶部注入单元的圆柱顶端开孔，向反应器顶部送气；小流量气体通道的上部注入单元的上半部分两侧对称开孔，向反应器的上半部分送气；小流量气体通道的下部注入单元的侧面沿竖直方向对称开孔，向反应器下半部分送气。设计三种不同注射结构构成气体注入系统，对反应器不同位置进行气体注入，三个注入单元协同作用使得气体在反应器中均匀分布。

本发明公开了一种三氯甲基硅烷的加注装置，属于碳化硅沉积技术领域。该三氯甲基硅烷的加注装置，包括储罐、活塞推板、螺杆、螺帽和驱动部件；所述活塞推板设于所述储罐内，所述活塞推板的周边与所述储罐的内壁贴合；所述活塞推板的顶部与所述螺杆的一端连接，所述储罐的顶部开设有通孔，所述螺帽设于所述通孔内，所述螺杆的另一端穿过所述螺帽与所述驱动部件连接，所述螺杆与所述螺帽螺纹连接；所述储罐设有出液口，所述出液口位于所述活塞推板的下方。该装置能够低成本实现MTS加注精度的控制。

本发明涉及一种制备硬质合金表面金刚石涂层的布晶预处理方法，采用经过酸碱预处理的钨钴类硬质合金作为涂层衬底材料，应用电泳辅助静电自组装布晶方法，在衬底材料表面涂覆一层密集均匀的金刚石晶种：首先制备含有稳定剂、具有特定pH值的纳米金刚石悬浮液，然后将衬底放入含有该悬浮液的电泳装置植晶后冲洗吹干。本发明采用电泳辅助静电自组装布晶技术作为化学气相沉积金刚石涂层生长的预处理工艺流程之一，可在任意复杂形状衬底材料表面实现高密度均匀布晶，缩短后续金刚石形核时间，实现沉积厚度与质量均匀、具有优异附着力的金刚石涂层，大幅提升原有涂层工具的使用寿命，对保证涂层刀具的高效使用及提升产品质量具有重大意义。

本发明提供一种高性能渗碳钢丸制备装置，涉及渗碳钢丸生产技术领域，包括：渗碳炉主体，所述渗碳炉主体前部设有盖板；所述渗碳炉主体前部设有调节架板；所述盖板右侧设有控制组件，由于滚筒内设有四组研磨辊，通过转动轮与滚筒互相配合转动，能够驱使四组研磨辊旋转，使研磨辊与滚筒内物料同时旋转过程，进而可以利用研磨辊对物料进行微量研磨加工，有效避免球表面产生划伤，进一步保证产品的生产质量，解决了现有的渗碳钢丸制备装置在使用时，盖板开启操作过程比较繁琐，大大降低物料的进出效率，而且渗碳炉的滚筒内的金属氧化物、溶渣和杂质无法及时清除，影响产品质量，此外滚筒旋转研磨速度不易掌握，致使球表面易产生划伤度的问题。

本发明公开了一种ZrN涂层及其制备方法和应用，属于涂层技术领域。该制备方法包括以下步骤：S1.在金属基衬底表面沉积PVD氮化物涂层；S2.渗锆处理：将真空炉内的炉压抽至小于等于200Pa，然后加热至锆基非晶坯料完全熔化至熔体，然后将PVD氮化物涂层热浸入锆基非晶熔体中，保温一段时间，然后取出，制备ZrN涂层；其中，步骤S1中，所述PVD氮化物涂层的厚度为1～10μm；步骤S2中，锆基非晶熔体温度1000～1500℃，保温时间0.5～10h。本发明制备的ZrN涂层，ZrN涂层的厚度可达2μm以上，ZrN涂层优异的硬度、耐磨性、耐腐蚀性和导电性，可用作燃料电池双极板防护涂层及医疗器械涂层。

一种衬底处理装置可以包括：内管，提供竖直地延伸的工艺空间；外管，包围内管；供气管道，连接到工艺空间；以及舟皿，被配置为设置在工艺空间中。内管在第一位置处的第一内径可以与内管在第二位置处的第二内径不同，并且第二位置的高度可以高于第一位置的高度。

本发明提供一种结晶器铜板上制作金属陶瓷涂层的工艺方法。一种结晶器铜板上制作金属陶瓷涂层的工艺方法包括以下步骤：铜板预处理、铜板喷砂毛化、铜板表面热喷涂镍基过渡层、调试激光熔覆设备、熔覆金属陶瓷涂层和后续加工处理。本发明通过在铜板表面熔覆金属陶瓷涂层之前，先在铜板表面喷涂制备镍基过渡层，以防止铜基体本身的高反射率和高热传导性对设备及熔覆层产生不利影响，而且镍基与铜基体的膨胀系数相近，使得熔覆层和基体之间的结合性得到加强。

本发明涉及真空镀膜设备技术领域，公开一种磁场检测装置及真空镀膜设备。磁场检测装置用于检测靶管内的旋转阴极的磁场强度。第一支撑座和第二支撑座间隔安装于靶管外壁，第一支撑座靠近第二支撑座的一侧设置有第一弧形滑道，第二支撑座靠近第一支撑座的一侧设置有第二弧形滑道；支撑调节组件包括驱动座、从动座和调节轴，驱动座和从动座均呈弧形，驱动座滑动连接于第一弧形滑道，从动座滑动连接于第二弧形滑道，调节轴一端连接于驱动座，另一端连接于从动座；固定组件滑动连接于调节轴上，固定组件用于安装探头；驱动组件安装于第一支撑座上，驱动组件驱动连接驱动座，驱动组件用于驱动支撑调节组件的两端分别沿第一弧形滑道和第二弧形滑道滑动。

本公开提供了一种电极及其制备方法和发光二极管，属于光电子制造技术领域。该电极的制备方法包括：提供一载体；在所述载体上蒸镀金属叠层，所述金属叠层包括至少一个第一金属层和至少一个第二金属层，所述至少一个第一金属层和所述至少一个第二金属层层叠设置；其中，蒸镀所述第一金属层或蒸镀所述第二金属层包括：依次蒸镀第一部分的金属材料层、第二部分的金属材料层和第三部分的金属材料层，所述第二部分的金属材料层的蒸镀速度高于所述第一部分的金属材料层的蒸镀速度和所述第三部分的金属材料层的蒸镀速度。本公开实施例能改善金属叠层中第一金属层和第二金属层之间容易发生反应形成合金，而影响电极质量的问题。

本发明公开了一种钼锡硒合金及其制备方法。该方法以硒源、氧化锡、三氧化钼为原料，同时以碱金属盐为促进剂，通过调节生长温度、生长时间等一系列生长参数，最终在常压下实现了钼锡硒合金的生长。该方法是制备钼锡硒合金的普适方法，具有操作简单，可控性强的特点。进一步地，制备得到的钼锡硒合金具有优异的光电性能，在光电子领域有着更为广阔的应用前景。

本发明公开了一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法，包括步骤：金属基底研磨抛光；金属基底清洗、烘干；沉积第一层SiO2薄膜；大气氛围200℃退火；沉积第二层SiO2薄膜；大气氛围200℃退火；本申请首先通过金属基底研磨抛光得到无划痕、无明显缺陷的金属表面；然后将金属基底在丙酮和酒精溶液中清洗、烘干后，采用离子束溅射工艺在金属基底表面沉积复合SiO2绝缘薄膜层，并做相应的退火处理；最终得到质量良好的高绝缘氧化硅薄膜；采用复合结缘层的制备工艺，避免了金属基底缺陷的延伸，从而保证金属基传感器的绝缘层薄膜具有较强的耐压强度、低粗糙度和强结合力。

本申请公开了一种高韧性硬质涂层及制备工艺和应用以及刀具，制备工艺包括如下流程：S1，对基体进行预处理；S2，向镀膜腔室通入氩气和氮气，且氮气的体积占比50%，镀膜腔室中气压设置为1.6 Pa；S3，调节基体偏压为‑100 V，沉积温度为300至600℃，开启高功率脉冲磁控钛硅靶，调节钛硅靶的平均功率密度为5至20 W/cm2，脉宽为50至200微秒，脉冲频率为500 Hz；同时开启阴极弧钛铝靶，调节钛铝靶平均电流密度为0.5至1.5 A/cm2；S4，在基体上交替沉积TiAlN层和TiSiN层，沉积时间为180至275 min。高韧性硬质涂层包括周期性交替沉积的TiSiN层和TiAlN层，高韧性硬质涂层包含140至180个周期，高韧性硬质涂层厚度为3.5至4.5μm。

本发明公开了一种利用钼残靶制备MPCVD设备用高性能薄壁钼环的方法，该方法使用溅射镀膜后的钼残靶作为原材料，首先对钼残靶进行铣面加工，保证两面平整，再重新轧制到一定厚度，加工成所需要的钼环。该方法生产的精车钼环密度高，加工性能好，使用寿命长，可以满足MPCVD法制备金刚石膜行业应用要求。且避免重复烧结板坯造成的浪费，大大降低了成本，尤其适合壁厚较薄钼环的生产。

本申请涉及一种磁控溅射设备及磁控溅射方法。本申请的磁控溅射设备包括：溅射腔室、位于溅射腔室内且相对设置的基片台和溅射阴极。磁控溅射设备还包括位于溅射腔室内且相对设置的第一对向靶阴极和第二对向靶阴极，以及设置于第一对向靶阴极的第一磁控组件和设置于第二对向靶阴极的第二磁控组件，第一磁控组件和第二磁控组件用于在基片台和溅射阴极之间形成磁场。上述磁控溅射设备能够增加粒子的离化率，进而提升镀膜的膜层性能。

本发明提供了一种AlTiN复合涂层的制备方法和涂层刀具，属于铣刀片涂层技术领域。本发明首先在基体表面进行第一电弧离子镀TiN过渡层，能够提高基体和AlTiN涂层的结合力，然后进行第二电弧离子镀AlTiN涂层，控制第二电弧离子镀的靶电流，能够使得AlTiN涂层晶面结构的(200)择优取向，同时靶材具有适宜的熔融速度且熔融较为均匀，减少滴液含量，避免在使用过程中滴液剥落、产生裂纹，导致涂层脱落，提高基体的使用寿命，本发明提供的制备方法制备的涂层铣削15min的磨损量为0.143mm以下，铣削30min的磨损量为0.185mm以下，铣削45min的磨损量为0.225mm以下。

本发明涉及的是基于高熵合金粉末、表面仿生犁铧自磨刃涂层制备方法，它包括：对基材65Mn钢表面预处理；制备Al2FeCoNiCrW0.5高熵合金粉末，高熵合金粉末的尺寸为200‑300目；制备表面仿生涂层：采用激光熔覆方法，利用高能密度激光束使高熵合金粉末与接触的基村表面材料一起熔化，发生冶金反应，最后快速冷却凝固形成性能优异的熔覆层；其中，犁铧背面熔覆得到棱纹型仿生减阻耐磨结构，犁铧正面熔覆得到凸包型仿生减阻耐磨结构。本发明利用激光熔覆技术在犁铧刀刃的两侧分别制备了高熵合金涂层，以形成耐磨性不同的两个仿生表面,从而导致刀刃越磨越锋利，达到自磨刃的效果，提高了犁铧表面的耐磨和减阻性能。

本公开提供了一种PBN制品的制造方法，包括：将石墨材料的粗模具进行第一烘干；对第一烘干后的所述粗模具进行抛光，得到细模具；以所述细模具为沉积模具，在所述细模具的沉积面上沉积形成PBN涂层；通过加热器控制沉积炉内的温度，以按预设降温策略进行降温。本公开的方法能够改善PBN制品变形的情况。

本申请提供了一种带钢钝化装置及其控制方法，所述带钢钝化装置包括至少一个钝化槽、驱动机构及控制单元，所述钝化槽中设有两对钝化极板及沉没辊，两对钝化极板垂直放置，所述带钢从一对钝化极板中穿入，再经沉没辊进行转向后从另一对钝化极板中穿出，每对钝化极板的内侧上下两端分别对应设有绝缘挡板。可以有效改善边缘效应，减少带钢边部处的电场集中，从而满足不同宽度的带钢生产过程中边部钝化膜厚度稳定控制要求，避免边部电场线集中造成的边部钝化膜增厚的问题，进而避免带钢边部附着力不良缺陷。

本发明基于电致变色材料技术，具体涉及一种电致可见‑红外响应超表面薄膜及其制备方法。制备方法包括以下步骤：分步磁控溅射，在基底上先后沉积导电层、五氧化二钽、氧化钨薄膜，形成器件底部电极、介质层、电致变色层；基于掩模版对薄膜进行涂胶‑光刻工艺，以氩离子束刻蚀电致变色层，实现超表面图案制备；在空气氛围下对薄膜进行退火工艺，使氧化钨层结晶。本发明具有良好的可见‑红外兼容响应性能，同时实现可见变色与红外波段(2.5～15μm)高变发射率。

本发明属于磁控溅射薄膜沉积相关技术领域，并公开了一种用于大面积薄膜制备的磁控系统。该磁控系统包括沉积基片和移动靶，沉积基片与移动靶相对设置，移动靶包括靶材、供气环和动态磁体，该靶材与电场阴极连接使得靶材作为磁控溅射的阴极靶材，供气环用于向靶材周围提供反应气体，动态磁铁设置在移动靶中，用于在靶材周围提供磁场范围可调的磁场；当移动靶的中心与沉积基片的圆心在同一水平线上时，磁场范围最小，在沉积基片上形成的沉积斑面积最小，当移动靶沿着沉积基片的半径方向远离该沉积基片的圆心运动时，磁场范围逐渐增大，在沉积基片上形成的沉积斑面积逐渐增大。通过本发明，解决现有技术中大面积薄膜制备的沉积均匀性难以调控的问题。

本发明公开了一种用于将钎焊合金材料热喷涂到镍基部件(48)上以促进具有低不连续性的高密度钎焊接头的方法和系统(46)。该方法和系统(46)利用高熔点钎焊合金材料和低熔点钎焊合金材料。热喷涂应用将高熔点钎焊合金材料和低熔点钎焊合金喷涂到含有受损部分(14)的镍基部件(48)的表面(58)上。喷涂的高熔点钎焊合金材料和低熔点钎焊合金在镍基部件(48)的受损部分(14)内形成固化沉积物(56)。固化沉积物(56)是含有高熔点钎焊合金和低熔点钎焊合金的均匀钎焊涂层。均匀钎焊涂层促进镍基部件(48)的受损部分(14)中具有低不连续性的高密度钎焊接头。

本发明涉及一种双面镀铝薄膜的制备方法及双面镀铝薄膜，双面镀铝薄膜的制备方法包括以下步骤：提供一PET基膜带置于惰性气体环境中；在第一时段，采用惰性气体离子对PET基膜带进行辉光清洗；在第二时段，采用微小的铝靶电流对PET基膜带进行打底处理；在第三时段，将高纯度铝沉积在PET基膜的双面获得双面镀铝薄膜。本发明的双面镀铝薄膜的制备方法采用氩离子对PET基膜带进行辉光清洗，能够提升铝膜与PET基膜的结合力，采用微小的铝靶电流对PET基膜带进行打底处理，突破了柔性材料表面均匀成膜技术，改善异种材料结合力差的同时提高铝在PET基膜上的生长沉积程度，能够制备出用于α、β表面污染监测仪的镀铝薄膜，降低α、β表面污染监测仪的使用成本。

本发明提供了一种TiAlC薄膜的制备方法、一种TiAlC薄膜的制备装置，以及一种NMOS器件。所述TiAlC薄膜的制备方法包括以下步骤：向待生成TiAlC薄膜的目标样本提供含Ti前驱体及含Al前驱体，并对其提供高温，以在所述目标样本表面生成含有TiAlC的中间薄膜；以及在高温下，向所述含有TiAlC的中间薄膜提供H2，从所述中间薄膜中还原释放出多余的C元素，以降低所述中间薄膜的功函数，并在所述目标样本的表面获得低功函数的TiAlC薄膜。通过在高温下向含有TiAlC的中间薄膜提供H2，本发明能利用氧化还原反应去除TiAlC薄膜中多余的C元素，以降低薄膜的功函数，从而有效提高TiAlC薄膜性能。

本发明公开了一种激光复合等离子喷涂制备互溶梯度热障涂层的方法，包括：对高温合金基体进行超声波清洗和喷砂处理，然后在基体上采用大气等离子喷涂制备粘结层；粘结层喷涂结束后，在等离子喷枪旁固定激光头，采用激光复合大气等离子喷涂在粘结层上用陶瓷粉末制备热障涂层，喷涂时激光头随等离子喷枪同步运动，激光作用区域与喷涂区域重合；本发明采用多能场复合制造的思路，将激光重熔与等离子喷涂结合，取二者之长补二者之短，制备出耐热耐腐蚀性能优异，微观结构致密，结合强度高的热障涂层；该技术对基体影响少，零件不变形，达到延长基体使用寿命的目的，且工艺过程简单稳定。

本发明提供了一种耐磨减摩钛合金涂层及制备方法，涉及耐磨减摩涂层技术领域，所述耐磨减摩钛合金涂层由基体相、增强相和润滑相组成，所述基体相为钛合金；所述润滑相为银、六方氮化硼和氟化钡三种中的一种；所述增强相为立方氮化硼陶瓷颗粒和硬质相的组合；所述硬质相为TiN、TiB和Ti2Ni。本发明提供的耐磨减摩钛合金涂层具有优异的耐磨减摩性能，室温下能在基体表面起到良好的防护作用，有效地提升基体的使用寿命。

本发明涉及高温抗氧化涂层技术领域，尤其涉及一种改性NiCoCrAlYTa粘结层及其制备方法。本发明采用低压等离子气体喷涂在高温合金基体表面制备NiCoCrAlYTa粘结层，然后进行喷丸处理降低涂层表面粗糙度，之后进行Al‑Cr共渗，内扩散形成外层富Al、中间层富Cr、内层为NiCoCrAlYTa层的共渗粘结层，最后进行真空预氧化，在所述共渗粘结层表面形成TGO层，得到改性NiCoCrAlYTa粘结层。本发明制备的改性NiCoCrAlYTa粘结层高温抗氧化性能和抗腐蚀性能优异，能够实现长时服役。

本发明公开了一种带有密封工作箱的蓝光激光熔覆系统，包括：设备箱，所述设备箱一侧设置有熔覆室，所述熔覆室一侧设置有熔覆门，所述设备箱一端设置有传递室，所述传递室与熔覆室相通，所述传递室与熔覆室之间设置有封门，所述熔覆室通过熔覆门与封门闭合形成密封腔室，所述传递室一端设置有传递门。本发明具备熔覆室一侧设置传递室，每次取放零件时，将零件放置在传递室内，然后将传递室内的空气抽空以形成真空腔室，方便与熔覆室内的真空环境相对接，同时通过开门组件将封门打开，然后输送组件与电动导轨相互配合将传递室内的零件放置在加热基座上等待熔覆工作，从而解决打开熔覆门造成熔覆室的真空环境得到破坏，保护气体流失的效果的优点。

本发明涉及一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺；该晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺主要包括采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积第一氮化硅膜和第二氮化硅膜，沉积时采用的气体包括硅烷、氨气以及氮气；其中，在沉积第一氮化硅膜的步骤中，氨气与硅烷的体积流量之比为3‑6，氮气的体积流量与氨气和硅烷的体积流量之和的比值大于或等于1，硅烷的体积流量为800sccm‑4000sccm；在沉积第二氮化硅膜的步骤中，氨气与硅烷的体积流量之比为5‑12，氮气的体积流量与氨气和硅烷的体积流量之和的比值大于或等于1，硅烷的体积流量为500sccm‑3000sccm。该晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺能够提高同一炉管中沉积得到的减反射膜的品质，且一致性更好，使晶硅电池具有优异的光电转换效率。

本公开提供一种电子束蒸镀设备及镀膜方法，所述电子束蒸镀设备包括：蒸镀设备本体、电子枪、偏压坩埚、偏压装置。其中，电子枪用于发射电子束；偏压坩埚设置在蒸镀设备本体内；偏压装置与所述偏压坩埚连接，用于向所述偏压坩埚提供正电压。本公开提供的方案可以避免目前镀膜工艺存在的薄膜结构抗拉伸强度不佳的问题。

本发明公开了一种镁合金表面LMAO‑LDHs主动腐蚀防护复合膜层的制备方法，该方法主要通过在激光复合微弧氧化膜层表面进行LDHs膜层的制备，可以提高基体的主动腐蚀防护能力并且改善基体的长期耐蚀性能；针对激光复合微弧氧化技术虽能提高膜层的耐蚀性能，但膜层表面固有孔洞依旧存在，导致其主动腐蚀防护性能较差的问题；以及镁合金基体表面直接制备LDHs存在膜层较薄，腐蚀防护能力不足和附着力不稳定，膜层易脱落的问题；本发明通过在LMAO膜层上进行LDHs制备，可以将两种技术相互融合，实现LMAO膜层封孔与自修复能力一体化，实现膜层的双重耐蚀性，提高膜层的主动腐蚀防护性能。

本发明公开了一种涂装生产线前处理用磷化装置，本发明涉及金属表面处理技术领域，包括千斤顶，所述千斤顶的表面固定连接有底座，所述千斤顶的输出端固定连接有防不均机构，所述防不均机构的顶部固定连接有处理机构，所述防不均机构包括台体和调控组件，所述台体内侧面靠近边缘的位置固定连接有拦截框，所述调控组件与台体内侧面的中部位置固定连接，该装置中，千斤顶带动台体向上移动。该涂装生产线前处理用磷化装置，通过防不均机构、调控组件、处理机构以及搅动组件等机构的配合使用，解决了对于大型件无法利用浸液方式完成对工件表面的磷化过程，以及型材表面由于气泡和杂质导致磷化层厚度不均的问题。

本申请公开了一种卧式真空镀膜系统，包括依次排布的：进出料腔，具有供待镀膜工件进出所述卧式真空镀膜系统的进出料口；工艺腔，用于对所述待镀膜工件进行磁控溅射镀膜；加热腔，用于在镀膜前对所述待镀膜工件进行加热；传送组件，用于传送所述待镀膜工件进出入各腔室；阴极室，用于安装靶材，其设置于所述工艺腔内并位于所述传送组件的下方。本申请的卧式真空镀膜系统，不仅有利于保持加热腔内的高洁净度，进一步保证镀膜效果，且仅需布置一道十级室的进出料室，极大降低了设备成本，也减少了设备占用面积。

本发明公开了一种超声辅助的大尺寸纳米优化敏感薄膜制备装置以及制备方法，所述装置包括水平工作台、水平齿槽以及支架，所述水平工作台上固定有水平齿槽，水平齿槽内电气连接有直线电机Ⅰ，所述支架上电气连接有直线电机Ⅱ，直线电机Ⅱ上固定有压电换能器，直线电机Ⅰ和直线电机Ⅱ共同驱动压电换能器在xy平面内作水平正交运动，水平工作台上固定有柱塞泵Ⅰ和柱塞泵Ⅱ，所述塞泵Ⅰ、柱塞泵Ⅱ分别与橡胶软管固定，通过橡胶软管连接储液容器Ⅰ和储液容器Ⅱ中的纳米材料悬浊液。本发明装置可以根据不同需求更换辐射头，获得不同厚度、宽度、均匀程度的纳米薄膜；能够制作更大尺寸和更均匀的纳米薄膜，同时提高薄膜制备效率。

本发明提供了一种用于观测流场的反应腔、观测流场的方法。本发明的用于观测流场的反应腔，包括喷淋头延伸杆、导气管、流场观测组件，利用喷淋头向反应腔体内通入第一惰性气体，利用导气管向反应腔体内通入第二惰性气体，由于第一惰性气体、第二惰性气体折射率不同，当平行光经过第一通气孔时，会使原本的光路发生偏折，经过凹面镜反射后不能汇聚到焦点处，而被挡板遮挡，在光学接收元件处形成纹影图像，利用该纹影图像即可以观测第一通气孔所喷淋气流的流场分布；本发明的反应腔，利用不同气体折射率差异导致光路偏折原理，可直观观测、模拟、调控半导体材料外延生长腔室气流分布，有利于半导体材料外延生长均匀性调控。

本发明涉及一种用于电力设备电接触面银功能涂层的制备方法，将银膏浆料涂覆在基体表面，经过预固化及红外加热处理，获得银功能涂层；所述银膏浆料含有银粉和玻璃粉；所述红外加热处理包括在800～960℃的高温烧结。由于银膏浆料本身具有较好的粘结性，将其涂覆在电力设备电接触面，能够较好地与基体进行粘结，经过红外线烧结处理之后能与基体实现高强度的结合，降低了导电银层的接触电阻，制备的银功能涂层导电性好、硬度高、耐磨性好，并解决了电力设备滑动接触面在使用过程中银层剥落失效的问题，该方法绿色环保，操作简便，大大提高了生产效率。

本发明涉及蚀刻液技术领域，提出了一种钼铝蚀刻液及其制备方法，所述蚀刻液的原料包括磷酸、硝酸、同时含有羟基和羧基的弱酸、羟肟酸和去离子水。本发明蚀刻液不含氯酸和高氯酸，蚀刻液稳定，不会出现加热分解，损害人体健康的问题。磷酸、硝酸将钼和铝氧化成钼离子和铝离子，羟肟酸与金属离子钼、铝螯合，形成配合物，配合物在同时含有羟基和羧基的弱酸的作用下形成一层保护性的覆盖层，阻止钼离子、铝离子再吸附到基板上，确保蚀刻角度的均一性。

本发明公开了一种用于耐磨熔覆层的纤维改性增强相激光熔覆复合粉末，其制备方法包括：步骤1，分别称量钴基合金粉末70～80％，碳纳米管粉末5～15％，碳化物陶瓷粉末10～25％，以上组分质量百分比之和为100％；步骤2，将经过步骤1配比完成后的复合粉末混合均匀置于真空管式炉中烘干，保温干燥后冷却至室温；步骤3，将经过步骤2干燥后的复合粉末进行混合处理，然后进行粒度筛分，得到纤维改性增强相激光熔覆复合粉末；将纤维改性增强相激光熔覆复合粉末放入激光熔覆机送粉装置中，在低碳钢上进行激光熔覆并冷却，即得所需耐磨熔覆层；熔覆层成型质量好，耐摩擦性能优异，力学性能均匀，显微组织细密，硬度大幅提升。

公开了液体输送系统设备和包括这种设备的反应器系统。示例性液体输送系统设备可用于提供对液体源前体的流量的期望控制，同时减轻否则可能发生的流量波动，并且同时允许相对较少数量的流体管线。

本发明公开了一种PDA改性PAA/LDH超疏水铝基抗腐蚀表面制备方法，包括以下步骤：步骤一，封闭、有序、多孔PAA表面制备；步骤二，LDH/PAA分级粗糙结构表面制备；步骤三，PDA改性LDH/PAA表面制备；步骤四，PDA改性LDH/PAA超疏水表面制备。本发明的一种PDA改性PAA/LDH超疏水铝基抗腐蚀表面制备方法，步骤一中制备独立、封闭、有序多孔PAA表面制备、步骤二中制备LDH/PAA分级粗糙结构表面，步骤三中制备PDA改性LDH/PAA表面，步骤四制备PDA改性LDH/PAA超疏水表面。封闭、独立、有序多孔PAA结构复合PAA多孔壁上原位生长LDH分级粗糙结构提高超疏水表面润湿转换能量势垒和机械稳定性，而含有丰富的酚羟基、氨基等活性官能团PDA作为粗糙结构和疏水改性剂间桥联体，提高疏水改性剂的基底结合力及超疏水表面化学组成均匀性，进一步增强疏水界面稳定性和表面抗腐蚀性能。

本发明公开了一种复合铜箔及其制备方法，涉及复合材料技术领域。复合铜箔的制备方法包括如下步骤，S1.提供基板；S2.在基板的一侧或者两侧表面上涂覆第一液体，烘干，形成连接层，第一液体包括EVA乳液、支化丙烯酸酯乳液、粘结剂、消泡剂以及分散剂；S3.在连接层表面涂覆第二液体，烘干，形成催化层，第二液体包括纳米金属颗粒；S4.通过化学镀铜的方式在催化层的表面成型出第一铜膜层；本发明中，连接层能够有效地提高基板和催化层之间的连接力，催化层能够高效的提高化学镀铜的效率，且有利于提高成型出的第一铜膜层的均匀度，复合铜箔的制备更为高效，成本更低。

本申请公开了一种非晶合金材料表面处理方法、非晶合金材料以及电子设备，涉及非晶合金材料技术领域，所述非晶合金材料表面处理方法包括以下步骤：获取待处理非晶合金基材以及非晶合金粉末，其中，所述待处理非晶合金基材表面具有气孔，所述非晶合金粉末的成分与所述待处理非晶合金基材的成分相同；采用急冷急热工艺将所述非晶合金粉末熔融后，填补于所述待处理非晶合金基材表面的气孔中，并使得熔融状态的非晶合金迅速冷却，得到非晶合金材料，其中，所述非晶合金粉末的加热速率大于或等于106K/s，所述熔融状态的非晶合金的冷却速率大于或等于3000℃/ms。本申请解决了相关技术中通过激光焊接的方式焊补非晶合金表面气孔后存在异色现象的技术问题。

本发明提供一种提升玻璃烧结产品焊接后气密封的零件处理方法及产品，具体步骤如下：将外壳或内导体放入金属清洗剂溶液中，用超声波进行清洗用于去除金属表面油污；将处理后的外壳或内导体放入除锈液中进行清洗，除锈后去除锈液，干燥后并放入耐潮湿容器中储存；将200～300只外壳或内导体平铺放入干燥的石墨盒中，在520±5℃高温氧化90s～95s，常温下得到的表面颜色为致密黑灰色的外壳或内导体，本发明通过金属清洗及预氧化处理过程，解决了在客户端焊接、环境试验后玻璃烧结产品陆续出现漏气的问题。

本发明属于激光制造领域，公开了一种基于矩阵模块化控温的激光制造组织分区调控装置与方法。该装置的控制台内部含有若干组以矩阵形式排布的温度调控元，使得将工件被划分为不同的区域，在激光制造过程中通过温度检测仪对工件的温度实时监控，利用无线通信装置反馈到电脑中，电脑判断工件是否需要加热或冷却，再将信号传输回无线通信装置，控制台根据信号控制感应线圈或冷却喷嘴对工件的温度进行分区调控，从而使得工件从熔覆层到基板方向上具有一定温度梯度，最终得到预期的晶粒组织。改善熔覆层和基板界面两侧晶粒组织分布不均和熔覆层成分分布不均的问题。

本发明公开了一种磁控溅射镀膜设备、系统及镀膜检测方法，镀膜生产控制技术领域。磁控溅射镀膜设备包括：真空溅射装置、隔离室、检测装置。本发明实施例的磁控溅射镀膜设备通过在磁控溅射镀膜系统中每一个真空溅射装置的输出端设置隔离室以容纳检测装置，使得在每一次经过一个真空溅射装置以完成镀膜操作后，均可以对待检测玻璃进行膜层的检测，且在检测结果出现异常时可以及时根据检测结果对镀膜工艺参数进行调整，从而简化了镀膜检测的操作流程，进而提高了镀膜参数调试的效率。

溅镀装置具备：处理室；基板保持器，其在前述处理室之中的处理空间以基板保持面保持基板；第1靶保持器，其将第1靶保持为前述第1靶的第1表面面向前述处理空间；以及第2靶保持器，其将第2靶保持为前述第2靶的第2表面面向前述处理空间；前述第1靶保持器将前述第1靶保持为，相对于包含前述基板保持面的假想平面的前述第1表面的法线向量即第1法线向量的正投影向量朝向从前述基板远离的方向，前述第2靶保持器将前述第2靶保持为，相对于前述假想平面的前述第2表面的法线向量即第2法线向量的正投影向量朝向从前述基板远离的方向。