晶体生长

本发明涉及锆基金属有机框架合成技术领域，尤其为一种微流控合成微米尺度锆基MOFs单晶的方法，其中，锆基金属有机框架材料为MF‑UIO‑66。本发明中，锆基MOFs为MF‑UIO‑66材料，该材料是通过微流控设备进行合成的锆基金属有机框架uio‑66，通过乙酸的调控使uio‑66材料能更好的在微液滴中进行生长。并使用微流控设备成功在低于uio‑66完全配位的时间进行合成；金属有机框架(MOFs)作为一类经典的多孔材料，因其具有高的比表面积、可调的孔径和形状可控的功能特性在吸附方面有着优越的性能。基于此，开发了一种高通量连续流微流控液滴技术合成微尺度锆基MOFs单晶的方法，其具有操作便捷、成本低廉、反应速率高等优点。

本发明属于氮化铝单晶生长技术领域，具体涉及一种B掺杂AlN单晶及制备方法。所述B掺杂AlN单晶的制备方法为：设计坩埚内部的温区分隔套筒；使得分隔套筒将坩埚底部划分为低温区和高温区；在分隔套筒内部低温区内放入氮化硼多晶颗粒料，分隔套筒外部高温区填充氮化铝原料，然后进行B掺杂AlN单晶的生长。采用本发明的方法，能够实现掺杂的B源与AlN原料同时进行升华，而不存在分层现象，从而使得B元素能够在AlN单晶内均匀分布，而不存在偏析或者掺杂元素富集现象，使得元素掺杂更加均匀，并且不会对单晶生长产生附加难度，通过控制B元素与Al元素的掺杂比获得了结晶质量高、掺杂均匀的B掺杂AlN单晶。

本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法和应用。该无机化合物晶体的化学式为Hg4(Te2O5)(SO4)，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为α＝γ＝90.000°，β＝90.923°，Z＝4。该无机化合物晶体采用水热法制备。该无机化合物晶体Hg4(Te2O5)(SO4)在546nm处的理论双折射率为0.542，作为双折射材料具有很好的潜在利用价值。

本发明涉及晶体生长领域，具体的为一种悬浮区熔定向凝固装置及其方法，其中一种悬浮区熔定向凝固装置包括炉体、多晶棒、籽晶柱和若干数量的高频线圈，炉体的横截面为圆形且炉体竖直设置，多晶棒插设于炉体中，多晶棒能够绕第一方向所在的直线转动。本发明设置了炉体、高频线圈、籽晶柱和限位机构，在多晶棒定向凝固成单晶棒的过程中，初次定向凝固后的单晶棒会被其经过的高频线圈再次区熔，从而使得最后从炉体底部获取到的单晶棒内部杂质更少，内部结构更加均匀，而且本方法更利于生产出较大长度的单晶棒，能够显著的提高生产效率。

本发明涉及电催化析氢技术领域，尤其涉及一种六方镍黄铁矿、其制备方法及电催化析氢。本发明提供的六方镍黄铁矿的空间群为P63/mmc；晶胞参数包括：α＝90°，β＝90°，γ＝120°；本发明提供的六方镍黄铁矿可以作为析氢催化剂，析氢性能较优。作为析氢催化剂，六方镍黄铁矿在粒径为0.2～2μm的状态下，在酸性条件下，在10mA cm‑2下表现出不高于60mV的过电位，并在高电流密度(≤205.8mA cm‑2)下50h没有任何活性损失，析氢性能远高于立方镍黄铁矿，且析氢性能明显高于已知的纳米硫化物析氢催化剂。

本发明涉及半导体领域，针对目前制备四元类金刚石结构化合物尺寸、性能受限的问题，提供一种四元铜基类金刚石半导体晶体的制备方法，步骤为1高纯单质经过熔融反应得到类金刚石Cu2XYZ4晶体原料；2将晶体原料放入石英坩埚，抽真空密封；3将石英坩埚放入垂直生长炉内，石英坩埚依次经过高温熔化区、中温生长区和低温退火区，得到产物；所述高温熔化区的温度为950‑1200℃、中温生长区的温度为750‑950℃、低温退火区的温度为450‑750℃；中温生长区的温度梯度为10‑30℃/cm，石英坩埚在中温生长区的移动速率为0.2‑3mm/h。本发明可以获得大尺寸、性能优异的四元铜基类金刚石半导体晶体，而且工艺简单。

本发明公开一种外延层的横向外延生长方法，包括步骤：提供单晶衬底，所述单晶衬底具有第一晶向；在所述单晶衬底上形成掩膜板，使得所述掩膜板包括开口窗口和位于所述开口窗口中的掩膜条；所述掩膜条的某一边与所述第一晶向之间的夹角为θ，在与所述掩膜条的某一边成预设角度的方向上，所述掩膜条的宽度为d；通过调控θ和/或d的值调控横向外延生长外延层时的生长速度，在含有掩膜板的单晶衬底上横向外延生长得到外延层。本发明通过调控θ和/或d的值实现横向外延生长外延层时生长速度的调控，使得外延层的厚度能够满足特定需求。同时本发明提供的横向外延生长方法能够实现衬底材料与外延层材料的晶格适配差异较大时的高质量外延。

一种晶体的长晶方法包括以下步骤。提供第一籽晶，所述第一籽晶具有第一单晶比例以及第一尺寸。对第一籽晶进行N次的长晶制程，其中每一次长晶制程会使第一单晶比例增加，且是进行N次的长晶制程直至形成具有单晶比例为100％的第二晶体，其中N次为大于3次的长晶制程。每一次的长晶制程包括调整晶体的轴向温梯(△Tz)与径向温梯(△Tx)的比例差(△Tz/△Tx)，以控制比例差在0.5至3的范围内来形成第二晶体。

本发明公开了一种可生长多种尺寸晶体的晶体生长炉及控制方法，包括由下至上依次设置在低温区的炉口底板、低温区保温砖，高低温区隔板，设置在高温区的高温区保温砖、炉盖；其中，所述炉口底板靠近炉口侧设置有与晶体尺寸相匹配的炉口调节砖，所述高低温区隔板靠近晶体生长炉中心侧设置有与晶体尺寸相匹配的高低温区隔板调节砖，所述炉盖上通过与晶体尺寸相匹配的发热体固定组块装有发热体，所述发热体置于高温区内。本发明实现了在同一晶体生长炉内生长不同尺寸的晶体，提高了晶体生长炉生长晶体的适应性，避免了出现传统大尺寸晶体生长炉生长小尺寸晶体时出现的生长温度梯度低、耗电大的情况。

本发明公开了一种Zn(C6H4NO2)2·4H2O四水合物双折射晶体及其制备方法与应用。所述Zn(C6H4NO2)2·4H2O双折射晶体，属于单斜晶系I2/m空间群。该晶体的紫外吸收截止约为274 nm，该类晶体材料的双折射率在550 nm下大概为0.37，是具有潜在应用价值的双折射晶体材料。可用于制作FIR滤波器、光隔离器、光束位移器、光学起偏器和光学调制器等双折射光学器件。

一种长晶方法，包括提供一籽晶于一长晶炉内，于籽晶上沿一第一方向历经多个时间，而形成一晶体，其中晶体包括沿第一方向堆叠的多个子晶体，在这些时间中的每一个形成对应的子晶体，这些子晶体包括远离籽晶的多个端面，使这些端面中任两者的最大温度的差值小于等于20度。本公开还涉及一种晶片。

本发明公开一种晶体与坩埚同向旋转的长晶方法，属于晶体生长领域，是一种有效控制晶棒氧含量的长晶方法，该方法包括备料、引晶、放肩、等径和收尾步骤。长晶过程中，采用坩埚与晶体同向旋转的方式进行晶体生长，自引晶前稳温开启坩埚旋转，坩埚与晶体旋转方向都为籽晶安装于籽晶轴的旋紧方向，在放肩过程中根据晶体与熔汤的雷诺系数比，对晶体和坩埚转速进行分阶段设定，并在转肩阶段对PID设定提出较优解。等径步骤中，依照模拟结果保持最优坩埚与晶体旋转速度，直至收尾。通过晶体和坩埚转速的调整并配合温度PID调节，研发了一种晶体与坩埚同向旋转的方式进行长晶，有效降低晶棒氧含量，优化晶棒电阻率并避免相关氧析出缺陷。

本发明公开了一种砷化镓的制备方法，属于半导体材料技术领域，包括以下步骤：(1)将高纯镓、高纯砷分别置于石英管的两端；(2)对石英管进行抽真空至真空度为1×10‑3Pa；(3)向石英管中通入氮气置换石英管内剩余的空气，加热使镓料端的温度至400～500℃，保温；(4)向石英管中通入氨气，加热使镓料端的温度至1000～1200℃，保温；(5)对石英管进行抽真空至真空度为1×10‑3Pa；(6)焊管；(7)加热使镓料端的温度至1250～1255℃，使砷料端的温度为625～650℃，直至砷料完全蒸发，冷却至室温，得到砷化镓多晶，本发明能够有效的改善砷化镓多晶料内部形成的砷沉淀的问题。

本发明涉及一种用于外置式熔融硅连续加料设备的化料装置。本化料装置包括化料器。化料器是耐高温同质一体件，包括分右左设置的化料器主体和导料槽。化料器主体用于盛放固体硅料和作为耐高温容器而向固体硅料传导热量而使其熔化，导料槽则使得熔融硅能沿着其凹槽方便地从其出料口流出化料器。导料槽槽底的高度低于化料器主体上沿口的高度，从而能有效防止熔融硅从该上沿口向上溢出。本化料装置的耐高温性能较好，从而使用寿命较长，并且在化料器主体中的熔融硅快满时，它们能沿着导料槽自动流出其出料口。本化料装置还能够随着炉体的倾斜一同倾斜，从而可以加快熔融硅的流出速度、甚至能够将熔融硅从导料槽的出料口处全部倾倒出。

本发明涉及一种化合物溴硫硼钡铷和溴硫硼钡铷红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该化合物的分子式为RbBa3B2S6Br，分子量为1451.83，空间群为Cmc21，均属于正交晶系，该晶体的化学式为RbBa3B2S6Br，结晶于正交晶系，空间群为Cmc21。采用高温固相法及坩埚下降法均可获得大尺寸的溴硫硼钡铷红外非线性光学晶体；该晶体具有高抗激光损伤、非线性光学效应适中、透光波段宽、硬度较大、机械性能好、不易碎裂和潮解、易于加工和保存等优点，可用于红外全固态激光器、红外激光制导雷达、激光医疗或中远距离激光通讯中的用途。

本申请公开了一种掺杂机构及其掺杂方法，涉及单晶硅生产制造技术领域。所述掺杂机构包括连接组件和盛装组件，所述连接组件与外部提升机构连接；所述盛装组件设置在所述连接组件远离所述外部提升机构的一端，所述盛装组件包括盛装本体和底板，所述盛装本体具有第一容纳腔，所述第一容纳腔用于收容掺杂剂，所述底板设置在所述盛装本体远离所述连接组件的一端，所述底板与所述盛装本体连接，所述底板用于支撑所述掺杂剂。本申请的掺杂机构降低了其生产成本，减少了掺杂剂损失，同时提高了电阻率掺杂的准确性，并且适用于多种场景。

本发明公开了一种Au(111)单晶的制备方法，所述方法包括以下步骤：1)清洗多晶金箔；退火多晶金箔和蓝宝石衬底；2)将多晶金箔按压至蓝宝石单晶上，形成堆叠；3)将堆叠结构放入炉腔中，在还原气氛下长时间退火；得到Au(111)单晶。本发明以单晶蓝宝石作为支撑基底，通过控制退火温度和退火氛围实现Au(111)单晶的制备，是一种实现过渡金属硫化合物单晶晶圆的综合制备策略。

本发明提供了一种利用助熔剂生长氧化镓晶体的方法。该方法包括：将氧化镓粉体和助熔剂粉体放入坩埚中，并置于生长炉内；将生长炉抽真空后充入氧气和氮气，然后升温并保温以使得氧化镓粉体和助熔剂粉体完全熔化，获得熔体；确定熔体的饱和点温度；在高于饱和点温度的温度下将籽晶引入生长炉，并使籽晶部分熔化，以露出新的表面；将生长炉内的温度降至低于饱和点温度，并进行引晶；引晶完成后降温生长，获得氧化镓晶体粗体；以及除去氧化镓晶体粗体附着的助熔剂，获得氧化镓晶体。本发明利用助熔剂生长氧化镓晶体，可以实现氧化镓晶体的生长温度从约1800℃降低至约1500℃至约1720℃，从而可降低高温时氧化镓的分解，提高晶体的生长质量。且成本低，晶体质量好。

本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器，包括用于盛放镓金属的腔室及内置于腔室并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板；腔室包括进气通道、出气通道和镓源存放区；活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧壁，侧壁的下方设有基座。本发明盛放镓金属的腔室与活动盖板不连通，因此依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板可以随着镓金属消耗随着镓金属液面上下运动。由于活动盖板的重量和位于镓金属内部的底部基座体积固定，因此所受到的浮力固定，使侧壁与顶盖形成的气路通道体积固定，可保证镓金属液面下降但是预反应通道固定，以此实现预反应不随镓金属消耗发生变化。

本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅单晶生长技术领域，包括操作台，操作台上设有生长炉，生长炉的顶部连接有炉盖，炉盖的下方转动连接有转动盘，转动盘的底部连接有晶体生长盘，晶体生长盘的底部设有晶体生长槽，晶体生长槽内放置有碳化硅颗粒，碳化硅颗粒均匀分布在晶体生长槽的侧壁上形成碳化硅生长层，本发明还提供了一种无籽晶碳化硅单晶生长方法。本发明使碳化硅晶锭的生长不再受籽晶面尺寸的影响，简化了传统采用籽晶生长碳化硅晶锭的制备工艺，同时也降低了碳化硅晶锭制备的成本，有效确保碳化硅晶锭生长的一致性，有利提高碳化硅晶锭生长的品质，提高碳化硅晶锭生长效率。

本发明属于氮化铝单晶生长领域，涉及一种PVT生长AlN单晶过程中籽晶表面预处理的方法。本发明主要通过高温下调节压力的变化，将籽晶表面的加工痕迹去除，露出原始的生长表面，再使用带初始生长面的籽晶进行生长，经过处理后的籽晶，诱导能力明显提升，AlN晶体能够完全沿着籽晶的晶向进行生长，并且基本无偏角误差，很大程度上降低了c向AlN单晶的生长难度，并且提高了AlN晶体生长的成功率，同时由于高温退火，也会起到固化位错防止开裂的作用。

本申请公开了一种晶体生长炉及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种晶体生长炉，包括：第一热场、第二热场、过渡传热件、第一发热器和第二发热器；所述第一热场与所述第二热场沿轴向方向设置，所述过渡传热件连接于所述第一热场与所述第二热场之间，用于在所述第一热场与所述第二热场之间传热；所述第一发热器设置于所述第一热场和所述过渡传热件的外侧，用于对所述第一热场和所述过渡传热件传热，所述第二发热器设置于所述第二热场的外侧，用于对所述第二热场传热。一种半导体工艺设备，包括上述晶体生长炉。本申请能够解决当前单腔结构的坩埚内温度差值较大，导致材料受热不均的问题。

本发明属于半导体光电材料生产设备技术领域，尤其涉及一种优化的HVPE‑GaN镓舟反应器及GaN晶体生长方法。本发明所述反应器包括镓舟组，镓舟组内部设置有GaCl载气输送管道，镓舟组内部包括三个主要腔室：HCl气体分配腔、GaCl气体反应腔以及GaCl气体输送腔；HCl进气口与HCl气体分配腔连通，GaCl气体输送腔通过GaCl载气输送管道上的GaCl进气口与GaCl出气口连通；GaCl气体反应腔分别与HCl气体分配腔、GaCl气体输送腔连通，GaCl气体反应腔以及GaCl气体输送腔连通的底部为镓液区。通过提高镓舟内HCl气体的利用效率，降低反应腔中额外的HCl气体，提高生长的GaN晶体质量，延长设备使用寿命，保障工作人员身体健康和环境质量。

本发明实施例提供了一种断线控制方法、装置、设备及介质。该方法包括：在本次直拉单晶过程中获取特征数据，采用断线预测模型根据特征数据，确定本次直拉单晶过程会发生断线，获取断线预测模型中特征权重从高到低排序靠前的重要特征数据以及特征权重和预设工艺参数配置信息，根据预设工艺参数配置信息，确定重要特征数据对应的可调工艺参数以及调整信息，根据特征权重和对应的调整信息，对可调工艺参数进行调整，以控制在本次直拉单晶过程不发生断线，使得本次直拉单晶过程的断线能够准确的提前预测，并据此自动完成对工艺参数的调整，避免了断线判断不准确和工艺参数调整不及时的问题，减低断线问题的发生率，继而提高生产效率。

本发明提供一种提高N型光伏单晶硅棒尾部质量的方法，涉及晶棒拉制方法技术领域，根据预先确定的不同含量的因素杂质对电池片的转换效率提升幅度的影响关系式，调整在晶棒拉制过程中的因素杂质的含量，进而进入硅溶液中的杂质浓度降低，当单晶硅结晶的比例增加，硅熔液量不断减少时，虽然受分凝效应的影响，熔液中的杂质浓度还是会升高，但因为杂质初始浓度降低，而导致杂质浓度上升速率降低，使得晶棒尾部杂质浓度的绝对值明显降低，进而晶棒等径后段靠近晶棒尾部处质量提高，将晶棒等径后部切割成硅片制成电池片后，电池片的转换效率高，进而满足电池组件客户的质量要求，不必再对尾部晶棒进行反切，提高晶棒利用率。

本发明提供一种用于单晶硅生长炉的电极升降机构，包括升降机构，升降机构包括固定在单晶硅生长炉炉底盘和机架上的四根导向柱，四根导向柱上分别连接有可滑动的直线轴承，四根导向柱中间设置有基板，基板通过直线轴承沿着导向柱上下运动，导向柱位于基板的四个角部；基板的左前侧、右后侧分别安装有第一主电极和第二主电极，基板的右前侧和左后侧分别安装有第一辅支撑和第二辅支撑，第一主电极、第二主电极、第一辅支撑和第二辅支撑的外部均安装有焊接波纹管，焊接波纹管的顶端均和炉底盘进行连接，焊接波纹管的底端均和基板进行连接。使得热场的加热器可以跟随坩埚的位置改变而改变，使热场受热温度更均匀，有利于晶体生长，提高产品质量。

本发明公开了一种大尺寸体块氮化铝单晶生长方法，采用异质衬底通过多层氮化铝生长获得氮化铝籽晶，再物理气相传输法制得大尺寸体块氮化铝单晶。具体的，采用硅单晶等异质衬底，生长第一氮化铝层；采用氢化物气相外延法接着生长第二氮化铝层；去除异质衬底并双面抛光；接着在第二氮化铝层表面采用金属有机化学气相沉积法生长第三氮化铝层，获得氮化铝籽晶；将该籽晶背面固定至支撑托上，采用物理气相传输法生长大尺寸体块氮化铝单晶。本发明有效解决了传统异质外延生长方法的缺陷多、晶格失配大等缺点，将可能在氮化铝籽晶层形成的大部分位错湮灭，以大尺寸氮化铝籽晶同质生长获得最后的高质量大尺寸体块氮化铝单晶。

本发明涉及石英玻璃坩埚及使用该石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法。本发明提供可提高氧浓度低的单晶硅的制造成品率的石英玻璃坩埚。本发明的石英玻璃坩埚(1)具有圆筒状的侧壁部(10a)、底部(10b)和连接侧壁部(10a)与底部(10b)的角部(10c)，所述石英玻璃坩埚(1)具备：透明层(11)，由不含气泡的石英玻璃构成；气泡层(12)，形成在透明层(11)的外侧，由包含多个气泡的石英玻璃构成；以及半熔融层(13)，形成在气泡层12的外侧，原料二氧化硅粉在半熔融的状态下凝固而成。去除半熔融层(13)的状态下的角部(10c)的红外线透射率为25～51％，去除半熔融层(13)的状态下的角部(10c)的红外线透射率比侧壁部(10a)的红外线透射率低，去除半熔融层(13)的状态下的侧壁部(10a)的红外线透射率比底部(10b)的红外线透射率低。

本申请公开了一种钙钛矿单晶及其制备方法和应用，所述钙钛矿单晶的分子式为AaObBcXy，其中a的取值范围为1～3的整数；b的取值范围为0～3的整数；c的取值范围为1～3的整数；y的取值范围为1～10的整数；A包括第一卤素取代的有机阳离子；O为氧元素；B包括金属阳离子；X包括第二卤素阴离子。本申请由于晶胞体积大，有机阳离子与金属卤化物晶链存在较大的空间从而降低应变和错位；由于第一卤素取代的有机阳离子中第一卤素的存在，能够在保证维度调控的目的上尽量缩小晶胞体积，提升结构稳定性、降低应变；拥有较强偶极矩的吡咯烷盐分子能够很容易吸引并生长单晶晶体，该过程同时最大程度降低周边杂质分子的进入，因而降低杂相。

本发明实施例提供了一种地震处理方法、装置、设备及介质。该方法包括：检测多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，根据所述多个直拉单晶设备的晶体划弧情况，确定地震事件，根据所述地震事件，对所述多个直拉单晶设备执行对应的地震异常处理，使得利用晶体划弧情况自动检测地震事件，并自动控制直拉单晶设备采取地震异常处理，避免对设备、人员造成伤害，减少了地震灾害带来的损失。

本申请公开了一种籽晶与底托的固定方法，包括：向坩埚底部放入与第一籽晶的成分相同的第一晶化陶瓷料；将第一底托、第一籽晶和覆盖片放至第一晶化陶瓷料的上方，使第一底托位于第一晶化陶瓷料的上方，第一籽晶位于第一底托的上方且第一籽晶的非生长面与第一底托相接触放置，覆盖片包覆住第一籽晶的生长面且覆盖片为不与第一籽晶化学反应的片体；对坩埚进行加热，控制第一籽晶处的温度小于第一晶化陶瓷料处的温度。本申请一方面能够有效地抑制籽晶生长面的分解，一方面能够抑制二次形核，增大提升籽晶的使用效果。

本发明涉及一种改善退火炉体铁和颗粒的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将SIC舟使用49%HF清洗干燥后装入退火炉中。第二步：使用10～30slm氧气通入石英炉管中，SIC舟不进入炉管中，在1200℃烘烤10～15小时。第三步：使用10～30slm氩气，1200摄氏度，烘烤1‑3H。第四步：使用清洗干净的p型轻掺dummy片填满SIC舟，升入石英炉管中，1200℃烘烤22H。第五步：监控片分别置于舟体上中下位置，升入石英炉管中，1200℃退火后，送测体铁观察退火炉体铁水平。第六步：根据第五步体铁测试水平，更换新的干净P型轻掺DUMMY片后，重复执行步骤2～5。实现新装退火炉金属体铁水平和颗粒改善，体金属水平从2E12降至2E10，并且成功产出19nm颗粒为0退火硅片。

一种铬离子掺杂的硫化锌激光材料的制备方法，将铬薄膜沉积在硫化锌晶体材料表面后，采用钼箔进行密封并进行热等静压烧结，促使过渡金属离子强制扩散，得到铬离子掺杂的硫化锌激光材料。本发明制备出的激光增益晶体，其离子扩散速度快且掺杂相对均匀，激光晶体的掺杂浓度较高，在烧结过程中去除了晶体中存在的缺陷杂质，避免了晶体的非均匀展宽，在自由运行时具有更窄的光谱带宽(<150pm)，进一步改善了激光特性。

本发明公开一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法，所述装置包括：壳体；若干个炉体，间隔设置在所述壳体内；升降旋转机构，设置在所述若干个炉体下部；若干个坩埚，分别设置在所述若干个炉体内并设置在所述升降旋转机构上；加热机构，包括圆盘状感应线圈，所述圆盘状感应线圈具有等螺距的平面螺旋线结构，水平设置在所述若干个炉体上部。本发明的装置中可容纳若干个坩埚，多个坩埚可以满足同时生长多根晶体的需求，解决了单一坩埚下降法生产效率低的问题。同时，本发明在炉体上部水平设置一个圆盘状感应线圈对坩埚加热，平面磁场更加均匀，同时结构简单，成本较低，易于装置的规模化生产。

本发明涉及无机化合物单晶生长技术领域，具体涉及一种笼目结构单晶的生长方法。该笼目结构单晶的生长方法包括步骤：将铑粉和硫粉进行研磨，再和铅丸置于石英管内抽真空并封管，将石英管升温并保温，然后降温并保温，对石英管进行离心处理，得到笼目结构的Rh3Pb2S2单晶。本发明首次公开了笼目结构Rh3Pb2S2单晶的合成方法，其工艺简单，所需原材料容易获取，所需生长周期短，能耗低，且笼目结构Rh3Pb2S2单晶的生长成功率高达100％。通过该单晶生长方法制得的Rh3Pb2S2单晶完整性好，尺寸大，结晶性好，适用于多数常规的物性测量等研究手段，单晶的质量可保证满足多种科研与应用要求。

本发明提供了一种二维银铋基单晶的制备方法及其应用，属于探测晶体材料制备技术领域。本发明首先将卤化银、卤化铋和溶剂混合，得到溶液A；再将有机间隔分子和溶剂混合，得到溶液B；最后将溶液A、溶液B和溶剂混合后顺次进行结晶、干燥，即可得到二维银铋基单晶，其中有机间隔分子为正丙胺、苯乙胺、丁二胺或胺卤素盐。本发明选择的有机间隔分子能够使得制备的单晶层间耦合紧密、离子迁移活化能高，二维银铋基单晶表现出了更强的机械性能、更高效的电荷传输和更稳定的基线，并且介电常数明显升高，有利于最终器件探测性能的提升。

本发明提供一种减少单晶晶孔的化料工艺，包括以下步骤：将石英坩埚降至第一化料位，进行第一阶段化料；将所述石英坩埚升至第二化料位，进行第二阶段化料；将所述石英坩埚升至第三化料位，进行第三阶段化料；将所述石英坩埚升至最终化料位，进行第四阶段化料；在所述第一阶段化料、第二阶段化料、第三阶段化料和第四阶段化料中产生的气泡挥发排出单晶炉。本发明的有益效果是有效避免了气泡进入单晶，减少了单晶晶孔的数量，提高了单晶的成晶质量和使用性能。

本发明提供硅晶体、硅晶体缺陷的处理方法及缺陷的表征方法，硅晶体缺陷的处理方法，包括：提供一硅晶体，所述硅晶体内包含自间隙型缺陷；对所述硅晶体执行快速热处理工艺，以至少消除距离所述硅晶体的表面预设距离内的自间隙型缺陷。通过对硅晶体执行快速热处理工艺，能够快速、有效减少乃至完全消除硅晶体中自间隙型缺陷。

公开用于生产硅锭的方法，在其中产生水平式磁场。在锭生长期间调节多个工艺参数，包含坩埚的壁温、一氧化硅(SiO)从坩埚到单晶的运输，及SiO从熔体的蒸发速率。调节所述多个工艺参数可包含控制所述水平式磁场的最大高斯平面的位置、控制所述水平式磁场的强度及控制坩埚旋转速率。

本发明公开了一种单晶炉自动加料及加料过程预警的方法，具体涉及单晶硅制造技术领域，包括S1、加料数据储存，S2、靠近加料，S3、距离传感核对，S4、压力差值开阀，S5、晶炉视觉控制，A1、区间一阶段预警，A2、观察窗台清理，A3、区间二阶段预警，A4、加料法兰清理，A5、预警处理。本发明在PLC控制器上预先记录定固定上轴计长，分段下降上轴行程，PLC控制器自动对比设定剩料量与实际原料重量，核对合格，触碰到副室关限位后下降，当固液比达到视觉检测设定值1：1.85时，单晶炉PLC控制器启动上轴下降进行加料，在进行单晶炉自动加料过程中降低加料异常事故率，避免改动较大，大幅度缩减生产成本。

本发明属于材料改性技术领域，公开了一种二氧化钛改性硫酸钙晶须及其制备方法和应用。制备方法包括以下步骤：以钛酸丁酯溶胶‑凝胶法原位合成纳米二氧化钛溶胶，通过纳米二氧化钛溶胶对硫酸钙晶须进行包覆改性，离心、干燥后得到二氧化钛改性硫酸钙晶须材料。本发明通过纳米二氧化钛溶胶包覆改性硫酸钙晶须，在硫酸钙晶须的表面形成一层纳米二氧化钛薄膜，使硫酸钙晶须具有更好的分散度，并对硫酸钙晶须晶粒大小并无改变，对硫酸钙晶须的形貌、晶型、性能起到了保护作用，包覆改性的硫酸钙晶须具有较强的亲水性，分散性好，提高了水泥石的力学性能，从而也增强了与水泥基材料之间的粘结能力，提高了固井水泥的性能。

本发明提供了一种有机单分子层共晶的制备方法及有机场效应晶体管。所述制备方法包括如下步骤：提供第一Si/SiO2基底；将侧链长度不同的两种BTBT同系物分子溶解在可挥发溶剂中，得到混合溶液；将混合溶液旋涂在第一Si/SiO2基底上，以在所述第一Si/SiO2基底上形成混合分子薄膜；在混合分子薄膜上放置第二Si/SiO2基底，以使混合分子薄膜处于第一Si/SiO2基底和第二Si/SiO2基底之间，得到限域沉积结构；将限域沉积结构置入气相沉积装置中，对气相沉积装置进行加热，从而在所述第二Si/SiO2基底上生长出两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。根据本发明的方案，通过制备得到限域沉积结构以及混合具有不同侧链长度的两种BTBT同系物分子，从而可以制备得到两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。

本发明涉及一种减少半导体外延中氮残留的记忆效应的方法和氮吸附装置。减少半导体外延中氮残留的记忆效应的方法包括如下步骤：步骤一、提供生长腔室、若干半导体衬底和氮吸附装置；步骤二、半导体衬底在所述生长腔室内进行外延生长，并采用氮气作为掺杂源进行掺杂，外延生长结束后将外延片移出生长腔室，生长腔室内残留有氮气；步骤三、将氮吸附装置移入生长腔室，采用氮吸附装置吸附所述生长腔室内残留的氮气，充分吸附之后将氮吸附装置移出所述生长腔室；以及步骤四、将步骤一的半导体衬底移入生长腔室内，之后重复步骤二和步骤三。应用本发明的方法能够减少半导体外延过程中氮残留导致的N型记忆效应。

本发明公开了一种高质量UAs2单晶的双温区气相输运生长方法，涉及晶体生长的技术领域，包括两个部分，第一部分为样品制备前的准备过程，第二部分为双温区气相输运生长过程，第一部分中按U238原料：As原料按原子比1：2.01～2.20进行配料，在放入气相输运管底部；I2作为气相运输剂按3mg/cm3～5mg/cm3进行称量放入气相输运管底部；第二部分中，气相输运管放入双温区管式炉中，气相输运管经过升温处理后在进行保温处理，降温到室温；得到高品质高纯度的单晶产品；本发明使用双温区气相输运法，可以实现厘米级尺寸的大单晶样品；通过适当的前期准备和合理的生长条件，能够获得高质量的单晶样品。

本发明公开了一种拼接式小口径埚帮结构，包括拼接的上埚帮（11）和下埚帮（12），上埚帮（11）为圆筒状结构，下埚帮（12）的下部设有R弧结构（121），R弧结构（121）的底部向埚帮的中部平缓延伸形成埚底延伸部（122），埚底延伸部（122）的中部设有小口径开口（123），小口径开口（123）内采用石墨埚芯（3）填充；下埚帮（12）的下方设有相互配合的埚托（4），埚托（4）正对着埚底延伸部（122）设置，且埚托（4）的长度大于小口径开口（123）的直径。本发明的优点是减小埚帮底部漏硅面积，进而减小漏硅速度，降低漏硅损失，减弱反应气体的腐蚀程度，延长石墨件寿命，降低埚帮使用成本。

本发明公开了一种单晶硅棒的生产方法，所述单晶硅棒的生产方法包括：根据已经完成拉制单晶硅棒的棒次数量、坩埚内剩余硅料量以及拉制过程中断棱线次数来综合判断是否进行尾棒拉料处理，所述尾棒为进行最后一次拉制的硅棒；当判断为是，则进行所述尾棒拉料处理，其中，所述尾棒拉料处理包括：降低拉制尾棒的速度至第一预设速度；对坩埚内的剩余硅料的重量进行检测，当重量小于或等于预设重量时，对尾棒进行提断；分两步停止单晶炉的加热器工作；将尾棒取出。该生产方法通过增加尾棒的结构强度，大大降低了尾棒在单晶炉冷却过程中及拆炉取棒过程中发生断裂掉落的数量比，减少了热场石墨件的非正常损耗，降低了生产成本，保障了安全生产。

本申请公开了一种碳化硅外延片及其制备方法。一种碳化硅外延片的制备方法，用于制备碳化硅外延片，包括：将碳化硅衬底放置于反应腔内；向反应腔内通入惰性气体；使反应腔的温度升温至第一预设温度，执行第一保温步骤；生长缓冲层，缓冲层位于碳化硅衬底的一侧，缓冲层为N型掺杂缓冲层；生长外延层，外延层位于缓冲层背离碳化硅衬底的一侧；将反应腔的温度由第一预设温度降温至第二预设温度，得到碳化硅外延片。本申请提供的一种碳化硅外延片的制备方法，改善了碳化硅外延片的质量。

本发明公开了一种多孔薄膜的制作方法及多孔薄膜，多孔薄膜的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上制作堆叠层，所述堆叠层由至少一组位错产生层和多孔目标层交错叠合而成，所述位错产生层中具有贯穿型位错；在所述堆叠层上形成第一本征层；进行腐蚀操作，获得多孔薄膜。通过在多孔目标层的底部形成位错产生层，位错产生层中具有贯穿型位错，因此位错能够延伸至顶部，有利于电化学腐蚀时溶液的穿透作用，从而产生具有更高孔隙率和层数更少的多孔结构，工艺重复性更好更可控，此外还减小了晶圆翘曲度。

本发明涉及一种全干法固相合成的锶掺杂镍钴锰单晶颗粒及其制备和应用，该锶掺杂镍钴锰单晶颗粒的化学式为LiNixCoyMn1‑x‑ySrzO2，其中0.6≤x≤0.8，0.1≤y≤0.2，0.1≤1‑x‑y≤0.2，0.001≤z≤0.03，其中x+y+z＝1。采用全干法固相合成，首先按照计量比将镍源、锰源、钴源、锶源和锂盐通过球磨机进行破碎混合，随后收集破碎后混合物，并转移至高温炉中煅烧，自然冷却至室温后，将煅烧后产物于研钵中进行研磨分散，即可得到最终产品。与现有技术相比，本发明所采用的全干法固相合成可规避传统液相合成镍钴锰单晶繁琐的工艺和产生的重污染废水问题，具有低成本和绿色环保的优势。并且锶的掺杂助熔作用可实现镍钴锰单晶材料的低温合成，具有小的氧空位及稳固的晶体结构，因此当作为锂离子电池正极材料时，具有快速的充放电过程及优异的循环性能。

本发明提供一种外延设备和防止外延设备的下穹顶沉积污染物的方法，外延设备包括腔体、基座、预热环和阻挡环。腔体包括上穹顶、内衬和下穹顶，腔体设置进气部和排气部，进气部设置在腔体的一侧，排气部设置在腔体与进气部相对的另一侧；基座设置在腔体内，用于承载晶圆；热环围绕基座四周设置，预热环与基座之间形成间隙；阻挡环置于下穹顶的上方，用于阻挡工艺气体穿过间隙沉积在下穹顶的上表面。本发明的外延设备和防止外延设备的下穹顶沉积污染物的方法，通过设置阻挡环能够避免工艺气体沉积在下穹顶影响加热效果，并且阻挡环连接于内衬的最下方，防止阻挡环吸收热量而对晶圆边缘温度产生影响。