基本电气元件

本发明公开了一种环保无毒的柔性防火电缆及其制造方法，涉及防火电缆技术领域，包括中心轴，所述中心轴的表面套接有防护套，所述防护套的表面沿圆周方向等距设置有芯体，所述防护套的外侧包裹有填充料，所述填充料的外侧设置有支撑塑形机构，本发明利用缓冲层包裹在芯体外侧，对电缆内部起到了缓冲保护的作用，且三角保护环嵌在安装槽的内部，对电缆进行支撑塑形，使得电缆整体结构强度和抗压能力更强，在受到挤压碰撞时不会轻易变形，且三角保护环将芯体包裹在内，使得芯体不会受到压力影响，防止芯体被挤压后变形损坏影响电缆正常使用，三角形稳定性好，且更加抗压，进而三角保护环自身结构稳定，支撑效果更好。

本发明属于断路器领域，尤其是一种用于配电柜的断路器操作结构，针对现有的通常只能利用电动进行回路的关合，在电动装置出现故障时，无法正常关合，手动关合回路的操作结构暴露在外，进而容易被误触，防护效果较差的问题，现提出如下方案，其包括配电柜柜体，所述配电柜柜体的一侧铰接有配电柜柜门，所述配电柜柜体的一侧内壁固定连接有安装架，所述配电柜柜体的一侧内壁固定连接有三组安装片，本发明中，需要正常关合回路时，可以启动伺服电机，使得第一接电片不再与第二接电片电性连接，此时断路器本体不再导电，多个第一圆杆的设置，可以完成对三个断路器本体回路的关闭，在伺服电机出现故障时，可以打开配电柜柜门，完成关合回路的操作。

本发明涉及电池材料，公开了一种电池阳极材料及其制备方法和应用。所述阳极材料包括二氧化铈空心球和掺杂在所述二氧化铈空心球结构中的镱、铒和硅。制备方法包括如下步骤：(1)将尿素、柠檬酸盐、铈盐、镱盐、铒盐、氧化剂和水混合后进行加热反应I，然后分离，得到反应产物I；(2)将所述反应产物I、硅酸酯和溶剂混合后进行加热反应II，然后分离，得到反应产物II；(3)对所述反应产物II进行煅烧反应。该电池阳极材料具有较高的光电转换效率，且成本较低。

公开了一种具有改进结构的电池模块，用于在电池模块中的热事件时增强安全性。根据本发明的一个方面的电池模块包括：多个电池电芯，所述多个电池电芯堆叠在至少一个方向上；模块壳体，所述模块壳体在内部空间中容纳多个电池电芯；以及阻挡构件，该阻挡构件插设在相邻的电池电芯之间并且具有热传递防止部和火焰传递防止部，该热传递防止部配置成阻碍相邻的电池电芯之间的热传递，该火焰传递防止单元配置在热传递防止单元的内侧以阻挡相邻的电池电芯之间的火焰。

一种用于在介于负20摄氏度(℃)与80℃之间的正常操作温度范围内在充电状态与放电状态之间循环的电极组合件包含单位电池单元群、电流限制器群、电极母线和对电极母线。所述单位电池单元群中的每个成员包括电极结构、隔膜结构和对电极结构。所述电流限制器群中的至少一个成员电连接在所述单位电池单元与所述电极母线或所述对电极母线之间。对于每个单位电池单元，当所述电极组合件处于足以将通过所述单位电池单元的电流限制至小于阈值电流I的所述正常操作温度范围内时，所述电流限制器群中的所述至少一个成员具有电阻，所述阈值电流小于将诱导所述单位电池单元热失控的电流。

本案提供处理基板的方法和设备。例如，一种与处理腔室的基板支撑件一起使用的冷却设备，包括：热交换器，歧管组件，歧管组件包含第一输入部、第二输入部、第一输出部及第二输出部，第一输入部被构造为连接该热交换器的输出部、第二输入部被构造为连接第一冷却剂供应部，第一输出部被构造为连接处理腔室的基板支撑件，第二输出部被构造为连接热交换器的输入部，第一冷却剂供应部被构造为供应第一冷却剂，气体输入部，气体输入部被构造为连接第二冷却剂供应部，第二冷却剂供应部被构造为将不同于第一冷却剂的第二冷却剂供应到基板支撑件，第一三通阀，第一三通阀连接在歧管组件的第一输出部和基板支撑件之间，且第一三通阀连接在气体输入部和基板支撑件之间，及控制器，控制器被构造为控制在操作期间供应第一冷却剂或第二冷却剂中的一个。

本公开提供一种连接器模块，适于设置于机壳，机壳包括机壳开口，连接器模块包括连接器壳体、弹性凸肋、连接端子、第一导电层及第二导电层。连接器壳体包括正面及位于正面的第一开口，第一开口适于对位于机壳开口。弹性凸肋设置且凸出于正面，弹性凸肋围绕第一开口。连接端子设置于连接器壳体内且外露于第一开口。第一导电层涂布于正面及弹性凸肋，且第一导电层适于搭接至机壳。第二导电层铺设于第一导电层相对于正面的一侧，且包括第二开口，第一开口与涂布第一导电层的弹性凸肋外露于第二开口。

本发明涉及继电器控制技术领域，公开了一种应用于储能变流器的继电器控制方法，在继电器闭合信号使能时，通过升压电路提高线圈的电压，使其电压达到继电器的吸合电压，继电器闭合后，升压电路停止工作，继电器工作在半压保持状态，继电器线圈的直流功耗降至一个较低的水平，同时配置过压保护电路，在线圈电压超过设定值时也可关闭升压电路，在电压回到设定值以内后又能恢复工作，本发明通过升压电路提高线圈的电压将继电器的吸合电压，继电器闭合后，升压电路停止工作，继电器工作在半压保持状态，继电器线圈的直流功耗降低，同时配置过压保护电路，在线圈电压超过设定值时也可关闭升压电路，在电压回到设定值以内后又能恢复工作的储能变流器。

本发明提供一种将晶粒键合于印刷电路基板或引线框架等基板的晶粒键合工序中，用于从切割胶带上分离晶粒的晶粒顶出器及晶粒顶出装置，包括：罩壳，形成为空心的圆筒状；盘状盖板，可旋转地设置于所述罩壳的上部，形成有多个贯通孔部；至少一个顶出销，插入于所述多个贯通孔部中的至少一个以上的贯通孔部，能够从切割胶带上分离晶粒；和驱动部，使所述顶出销在上下方向上向上或向下移动，以便从所述切割胶带上分离所述晶粒；所述顶出销沿着下端部的周缘形成有第一倒角部或第一圆角部，从而能够防止当插入到所述盖板的所述多个贯通孔部时所述多个贯通孔部的入口部被所述顶出销损坏。

本发明涉及一种用于评估二次电池的安全性的夹具，所述夹具包括：夹具部，所述夹具部包括与电芯的外部端子接触的第一端子引脚和第二端子引脚；以及板，所述板定位成面向所述夹具部并且支撑所述电芯，其中，所述夹具部包括：与所述电芯接触的第一端子引脚；第二端子引脚；以及主体，所述主体与所述第一端子引脚和所述第二端子引脚中的至少一者分离和联接。

本发明公开了一种PIN型InGaN基可见光探测器及其制备方法和应用。本发明的PIN型InGaN基可见光探测器的组成包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、电流扩散层、N型扩散层、InGaN/GaN多量子阱层、P型扩散层、介电层和金属纳米颗粒层，还包括P型金属电极层、减反膜层和N型金属电极层。本发明的PIN型InGaN基可见光探测器兼具高的光响应度和高的光响应速度，可以很好地满足高速可见光通信系统的需求。

本申请实施例提供的显示屏体及显示屏体制作方法，涉及显示技术领域。显示屏体包括晶圆衬底，晶圆衬底包括多个相互间隔分布的金属键合区。显示屏体还包括依次层叠设置于晶圆衬底上的驱动层、金属层、外延层以及发光器件层，其中发光器件层包括多个显示芯片，外延层和发光器件层在晶圆衬底上的正投影位于金属键合区。不同的金属键合区中存在相互独立的外延层，外延层中应力不易积累，相对于现有技术中外延层位于整个晶圆衬底的情形，本实施例中外延层的结构更加稳定不易被损坏，如此确保制作在外延层上发光器件层中的显示芯片的良率会更高。

本申请提供一种微型发光结构、制备方法、显示器件及投影设备，涉及发光技术领域。发光结构包括发光单元阵列，所述发光单元阵列包括阵列排布的多个发光单元，所述发光单元包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述发光层设置于所述第一半导体层的一侧，所述第二半导体层设置于所述发光层背离所述第一半导体层的一侧；对于所述发光单元阵列在第一方向分布上相邻的每两个所述发光单元，这两个发光单元的第一半导体层断开设置。本申请可改善光串扰现象。

本发明公开了一种接地棒，涉及配电设备检修技术领域，解决了大范围检修时需携带大量接地棒以及接地棒安装后占据操作空间的问题。技术方案要点为：包括有接地夹头，接地夹头用于夹持母排并接地；连接头，连接头设置在接地夹头下端面，连接头内部开设有连接腔，连接腔下端面设有固定孔；绝缘杆，绝缘杆上端面设有支撑块，支撑块上端部两侧设有与支撑块铰接固定块，支撑块与固定块之间设有弹簧，绝缘杆上端面开设有绳孔，绝缘杆下端部设有把手，固定块下端部设有绳子穿过绳孔与把手连接。本发明采用绝缘杆和接地夹头分体式结构,在大范围检修时只需携带一根绝缘杆和所需接地夹头，减少了携带工具的重量，且安装后不占据操作空间，提升了工作效率。

本发明属于半导体设备技术领域，具体公开了一种应用于探针测试的双臂机械手，包括：“Z”向升降机构和固定座，所述固定座的底端连接有固定安装板，所述固定座的顶端设置有滚珠花键，所述滚珠花键的顶端设有下底板，所述滚珠花键上花键母连接有升降台，所述固定座的顶端设有固定支承座，所述固定支承座的顶端连接有滚珠丝杠，所述滚珠丝杠的顶端连接有支撑座。本发明通过伸缩机构、晶圆预对准机构和晶圆兼容机构，完成机械手θ向旋转运动，进行晶圆从料盒到测试区域的传输，如晶圆尺寸发生变化，晶圆兼容机构可以通过气缸控制激光传感器位置，以适配不同尺寸晶圆测试，结构新颖，设计合理，有较强的适应性。

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在衬底上形成位于有源区的叠层结构以及沿第一方向位于叠层结构之间且覆盖叠层结构顶部的第一介电层，叠层结构包括沿垂直于衬底方向依次堆叠的底部掺杂层、沟道层以及顶部掺杂层，底部掺杂层和顶部掺杂层的掺杂类型相同；在栅极区的第一介电层中形成栅极结构，栅极结构与沟道层相对设置；在叠层结构和第一介电层侧部的衬底上形成底部互连层，底部互连层与底部掺杂层的侧壁对应相接触且暴露出沟道层；在顶部掺杂层上的第一介电层中形成顶部导电结构，与顶部掺杂层相接触；在底部互连层上形成底部导电结构。本发明实施例减小器件所占据的面积，使相邻器件之间实现更小的距离，进而有利于提高器件的集成度。

本公开涉及一种电池模块壳体，包括：容纳部，该容纳部配置为电池单体堆能够安装在其中，容纳部包括第一侧面和第二侧面；螺栓部，该螺栓部用于彼此相邻地设置的电池模块壳体之间的结合；以及缓冲部，该缓冲部配置为吸收电池单体堆的体积膨胀，从而提供了一种能够容纳电池单体堆的体积增加，同时具有减小的重量和最小化的构造的电池组。

本发明公开了具有双层电容阴极电极的电池组电池。电池组电池，包括C个电极/C个阴极电极，其各自包括第一集流体、第一和第二电容层以及第一和第二活性材料层。第一和第二电容层以及第一和第二活性材料层布置在第一集流体上。E个阳极电极包括第二集流体和布置在第二集流体上的第三和第四活性材料层。E和C是大于零的整数。

本发明公开一种用于组装具有多层配置(B1，B2，B3，B4)的电池组的设备(A)，所述多层配置由若干并排并且重叠的模块组成。所述设备(A)包括：多个站(10，20，30，40)，所述多个站被连续地布置并且被设计成用于加工或组装形成电池组(B)的层级(B1，B2，B3，B4)的不同模块，彼此平行的第一和第二处理线路(1，2)，所述第一和第二处理线路各自面向站(10，20，30，40)的相应侧面，第一和第二传送装置(3，4)，所述第一和第二传送装置被布置成分别沿着相应线路(1，2)传送电池组(B)的第一组部件(C)和电池组(B)的第二组部件(C’)，所述第一组部件(C)被布置成形成所述多层配置的基部层(B1)，所述第二组部件(C’)被布置成形成待重叠在所述基部层(B1)上的连续层(B2，B3，B4)。设备(A)还包括层(B1，B2，B3，B4)的联结站(40)，所述联结站被配置成在所述第一组部件(C)上组装所述第二组部件(C’)，从而生产电池组(B)的所述多层配置。

本发明提供了一种整流模块的集成封装结构，包括第一整流二极管和第二整流二极管；第一整流二极管和第二整流二极管一端固定在连接板的一端面上，第一整流二极管和第二整流二极管的另一端及连接板的另一端分别通过引线连接，第一整流二极管、第二整流二极管、连接板被封装外壳包裹。本发明采用金属连接片及焊料将两颗玻钝整流二极管串联焊接，焊接后剪除多余电极引线，将剩余三只电极引线同方向弯折后，结合高压塑封工艺，将其进行塑封封装，引出三只引脚可实现整流模块的多功能使用，满足用户集成化、模块化需求。

本发明提供一种超结MOS器件及其形成方法，通过先形成耗尽增强结构，耗尽增强结构位于沟槽内或者位于沟槽底部对应的外延层内；接着，形成栅极结构和隔离结构，栅极结构位于沟槽内且位于耗尽增强结构上方并依附在沟槽侧壁两侧，耗尽增强结构与栅极结构呈垂直方向分布，隔离结构位于相邻的栅极结构之间，隔离结构用于隔离相邻的栅极结构；然后形成第一接触插塞，第一接触插塞贯穿隔离结构延伸至耗尽增强结构并与耗尽增强结构电连接。耗尽增强结构与栅极结构呈垂直方向分布，以及设置第一接触插塞与耗尽增强结构电连接，无需从其他区域引出耗尽增强结构，提高了器件的集成度。

本发明涉及半导体制造技术领域，并公开了一种半导体结构及其制造方法，其中所述半导体结构至少包括：衬底，衬底上设置逻辑金属互连层；阻挡层，设置在衬底上，且阻挡层位于与逻辑金属互连层相对的一侧；深槽隔离结构，设置在阻挡层上，且深槽隔离结构在阻挡层上划分出多个像素区，其中相邻的深槽隔离结构之间设置沉积沟槽；像素传导层，设置在沉积沟槽内，像素传导层覆盖深槽隔离结构的部分侧壁和阻挡层；以及像素接收层，设置在沉积沟槽内，且像素接收层覆盖在像素传导层上。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够提升制程良率。

本发明提供一种基于多容性加载的小型化多模贴片谐振器和滤波器。该谐振器包括：依次堆叠设置的第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第二介质基板和第三金属层；在所述第二金属层的边缘设置有两个第一金属贴片和两个第二金属贴片；且，两个所述第二金属贴片和两个所述第三金属贴片均关于所述第二金属层的中心对称；在第一金属贴片和第二金属贴片上均设置有金属过孔，所述金属过孔贯穿所述第二介质基板与所述第三金属层连接。基于本发明设计的谐振器所实现的滤波器在实现小型化的同时，具有高选择性。

本发明公开了一种适用于Bi‑2212CICC型高温超导磁体制备的热处理方法，包括两段式热处理：首先对Bi‑2212电缆进行前期的预高压热处理，致使电缆产生缩径；再将经过预高压热处理后的Bi‑2212电缆通过铠甲穿缆、导体成型以及线圈绕制制备成Bi‑2212CICC型超导磁体；最后将所述Bi‑2212CICC型超导磁体置于自密封铠甲承压系统中，进行后期高压热处理，最终获取Bi‑2212CICC型高温超导磁体。通过本发明公开的一种适用于Bi‑2212CICC型高温超导磁体制备的热处理方法，提高了Bi‑2212CICC型超导磁体热处理的安全性，降低了热处理的难度和成本。

本发明公开了一种电池包温度控制方法、温度控制装置、电池包及计算机可读存储介质。该电池包温度控制方法包括：获取电池包箱体的内部温度以及所述电池包箱体的箱体温度；根据所述内部温度和所述箱体温度，确定是否对所述内部温度和/或所述箱体温度进行调节；当所述内部温度大于所述箱体温度时，调节所述内部温度和/或所述箱体温度，使所述内部温度与所述箱体温度之间的差值小于临界值。该电池包温度控制方法在内部温度大于箱体温度时，通过调节内部温度和箱体温度中的至少一者，使内部温度与箱体温度的差值小于临界值，即避免内部温度与箱体温度的差值达到或超过临界值，避免箱体内部气体在箱体内壁处发生凝露。

本发明提供无源电子部件用的支承基板、无源电子部件、半导体装置、匹配电路以及滤波电路。无源电子部件用的支承基板(1)具备：半导体基板(10)、设置在半导体基板(10)上，相对于半导体基板(10)，结晶缺陷的密度高的电荷捕获层(11)、以及设置在电荷捕获层(11)上的绝缘层(21)。绝缘层(21)由硅氮化物构成，绝缘层(21)中含有的N相对于Si和N的总量的原子浓度比为45atom％以下。或者，绝缘层(21)包含设置在电荷捕获层(11)上的第一绝缘层(21A)和设置在第一绝缘层(21A)上的第二绝缘层(21B)，在第一绝缘层(21A)和第二绝缘层(21B)中内部的固定电荷的极性相反，第一绝缘层(21A)的厚度为0.5nm以上且3nm以下。

本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括：衬底；第一阻挡层，设置在衬底中，且第一阻挡层将衬底划分为逻辑区和像素区；深沟槽隔离结构，设置在像素区，深沟槽隔离结构连接于第一阻挡层；介质层，设置在像素区上，介质层覆盖衬底的表面；隔离结构，设置在介质层中，隔离结构设置在深沟槽隔离结构上，且隔离结构在介质层中划分出多个透光通道；以及组合掺杂区，设置在像素区中，组合掺杂区设置在透光通道的覆盖区域。本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，能够形成稳定可靠的像素结构，降低暗电流，并提升半导体制程良率。

一种天线结构。天线结构包括：一接地元件、一馈入辐射部、一第一辐射部、一第二辐射部、一第一耦合支路、以及一介质基板；馈入辐射部具有一馈入点；第一辐射部耦接至馈入辐射部。第二辐射部耦接至馈入辐射部，其中第二辐射部与第一辐射部大致朝相反方向作延伸；第一耦合支路耦接至接地元件上的一第一接地点，并延伸跨越第一辐射部，其中第一耦合支路包括一第一线圈部分和一第一连接部分；介质基板具有相对的一第一表面和一第二表面。本发明提出一种新颖的天线结构，与传统设计相比，本发明至少具有小尺寸、宽频带、低姿势、以及低制造成本等优势，故其很适合应用于各种各样的移动通信装置当中。

本发明涉及宽带电磁吸波器技术领域，公开了一种基于多层阻抗膜结构的超宽带透明吸波器，包括：一个多层阻抗膜结构单元从上到下依次包括第一谐振层、第一PET衬底、第一PMMA介质层、第二谐振层、第二PET衬底、第二PMMA介质层、第三PET衬底和底板；第一谐振层和第二谐振层分别由双方环阻抗膜和对称四方环贴片阻抗膜构成；其中，双方环阻抗膜和对称四方环贴片阻抗膜均为单层，并分别蚀刻在第一PET衬底和第二PET衬底上表面。本发明厚度薄，具有更大的带宽，对入射电磁波具有极化不敏感特性和良好的吸波性能；且所设计的谐振层图案均较为简单，所用价格便宜且具有较高的透明度。

本发明属于储能领域，公开了一种储能电池组的高效散热系统，主要由进风通道、多个散热组和出风通道三部分组成。散热组为主要由外层包裹的长方体散热室，外层为中空，长方体散热室的两端开口，一端开口处安装有进风网；散热室内安放有电池架，电池架内部安放多个预警座和电池组，电池架开口端连接电池封盖，电池封盖上留有充放电的线路口，并安装有探测器；电池架另一端连接膨胀囊，膨胀囊与进风开关相嵌合，进风开关与进风网之间为定位弹簧。本发明的储能电池组的散热系统具有结构简单，换热效率高，工作安全等特点。

本申请涉及一种正极材料及其制备方法、锂离子电池，所述正极材料包括基体以及覆设在所述基体至少部分表面的包覆层，所述基体的化学通式为式(Ⅰ)所示：LiNixCoyM1zO2 (Ⅰ)式(Ⅰ)中，M1包括Al、Mn、Ti、Mg、Zr、W和Ce中的至少一种，0.6≤x<1，0

本发明公开了一种半桥功率模块和及其全桥功率模组、电机控制器、车辆，半桥功率模块包括：衬底；设置在衬底上的第一导电区、第二导电区、第三导电区和第四导电区，第二导电区、第三导电区和第四导电区沿第二方向延伸，第一导电区和第三导电区用于接入直流电信号，第四导电区用于输出交流电信号；多个第一功率芯片彼此间隔地设在第二导电区内，且多个第一功率芯片分别与第一导电区和第二导电区电连接；多个第二功率芯片彼此间隔地设在第三导电区内，且多个第二功率芯片分别与第二导电区、第三导电区和第四导电区电连接。根据本发明的半桥功率模块，第一桥臂和第二桥臂形成互感，从而可以降低半桥功率模块的寄生电感，提升散热效果。

本发明属于快插连接器技术领域，具体涉及一种用于石英摆式加速度计的快插连接器，包括冠簧针，PCB电路板的顶部焊接有多个冠簧针，PCB电路板的顶部且位于冠簧针一侧开设有多个导线过孔，PCB电路板的顶部且位于冠簧针和导线过孔之间设置有内部走线，内部走线的一端与冠簧针连接，内部走线的另一端与线过孔连接，PCB电路板的底部设置有下外壳，PCB电路板的顶部设置有与下外壳卡扣连接的上外壳，上外壳的外壁且与冠簧针位置一一对应设置有多个插接孔；冠簧针导线过孔和内部走线的数量至少十只；本发明能够用直插的方式代替焊线，简化加速度计测试过程中的接线测试问题。

本发明公开了一种可变波束宽度的高增益天线设计方法，属于天线技术领域。其包括如下步骤：根据天线对增益和波束宽度的要求，确定反射面天线口径，根据工作频率和波束宽度大小，结合反射面天线模型，估算馈源阵列单元所需要的等效辐射口径，确定馈源阵列物理尺寸；根据馈源阵列的物理尺寸，选择合适的强耦合阵列单元；以反射面天线的性能作为目标，采用优化算法，对馈源阵列单元的进行优化，使其通过对各个阵元进行不同的幅相加权后可形成不同波束宽度的波束，且各种波束性能达到最优。本发明通过对每个阵元进行不同的幅相加权，从而获得不同波束宽度的合成方向图，进而可照射反射面天线不同大小的区域，最终改变了天线的波束宽度。

本发明公开了一种液体介质可溶解固态电池，包括正极结构、负极结构、隔膜结构、极耳结构和封装结构和溶解触发装置。固态电池在满足固态电池供电结构及稳定性的前提下，采用水溶性粘接剂粘接成型，增加了各个部件在液体介质下的溶解速度，提升固态电池在军事等特殊用途中的技术安全性；还增加了溶解触发装置，作用主要是接收到自溶解的指令并执行自溶解程序，在供电对象的主控单元需要进行自毁时向固态电池下达的固态电池与自溶解液体介质接触，从而实现固态电池的快速溶解，避免固态电池的材料数据泄露。

提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件可以包括：下再分布层，所述下再分布层包括下布线和下通路；嵌入区域，所述嵌入区域位于所述下再分布层上；芯层，所述芯层位于所述下再分布层上并且包括芯通路；以及底凸块结构，所述底凸块结构包括底凸块焊盘和底凸块通路，所述底凸块焊盘位于所述下再分布层的下表面上，所述底凸块通路连接所述下布线和所述底凸块焊盘，在俯视图中，所述底凸块焊盘可以与所述底凸块通路、所述下通路和所述芯通路交叠，并且在所述俯视图中，所述底凸块通路可以与所述下通路和所述芯通路中的至少一者间隔开。

本发明提供了一种用于带电粒子系统的带电粒子光学设备。该设备朝向样品投射带电粒子束阵列。该设备包括用以控制束阵列的参数的控制透镜阵列；以及用以将束阵列投射到样品上的物镜阵列，物镜阵列在控制透镜的束下游。物镜阵列包括：上部电极；以及包括束上游电极和束下游电极的下部电极布置。该设备被配置为向上部电极施加上部电势，向束上游电极施加束上游电势，并且向束下游电极施加束下游电势。电势被控制以控制束在样品上的着陆能量，以保持不同着陆能量下束在样品上的聚焦。

本发明涉及一种用于能够发射第一波长范围内的光的光电子器件(1)的操纵构件(3)，所述操纵构件(3)包括具有由光敏元件组成的选择层(11)的主体，所述光敏元件被配置成当暴露于第一波长范围的光辐射时局部地改变其状态。本发明同样涉及一种用于操纵光电子器件(1)的方法，包括：‑将选择层(11)施加到操纵构件(3)和/或至少一个光电子器件(2)的步骤(E4)；‑将所述操纵构件(3)布置成与所述光电子器件(1)在所述选择层(11)处接触的步骤(E5)；向所述光电子器件(1)供电的步骤(E8)，允许所述选择层(11)和所述光电子器件(1)分离。

本发明涉及电缆领域，更具体的说是一种复合耐火电缆及其生产系统与方法。包括加工有多个棱边的多个缆芯，每个缆芯的外壁上包覆有绝缘层Ⅰ，中部的缆芯的绝缘层Ⅰ的外壁上可拆卸连接有两个铠装Ⅰ，其余的多个绝缘层Ⅰ周向分布在两个铠装Ⅰ的外部，周向分布的多个绝缘层Ⅰ均可拆卸连接在铠装Ⅱ上，铠装Ⅱ内部的空白处填充有填充物，铠装Ⅱ的外壁上包覆有复合层，能够生产出在维修电缆时，去除绝缘层时不会损伤缆芯的电缆。

本申请公开一种变压器套管，包括头部组件、导电杆、复合外套和尾部组件，导电杆依次穿设头部组件、复合外套和尾部组件；复合外套包括绝缘管和包覆于绝缘管外周面的伞套，绝缘管靠近头部组件的一端套设有第一法兰，绝缘管靠近尾部组件的一端套设有第二法兰，伞套包括若干沿绝缘管的轴向间隔设置的伞裙；头部组件包括压紧件和端盖，压紧件套设在导电杆外周并抵接第一法兰，端盖套设在压紧件外周并与第一法兰密封连接，导电杆位于头部组件的一端凸出端盖；尾部组件包括油中绝缘管，油中绝缘管与第二法兰固定连接，导电杆位于尾部组件的一端凸出油中绝缘管；尾部组件设有屏蔽电极，屏蔽电极位于导电杆和第二法兰之间。

本发明提供一种面向6G应用的共口径端射双极化封装天线，通过分别构造磁电偶极子与差分耦合馈电偶极子，并将两种极化天线组合起来，采用多层板压合技术进行设计，两种天线工作基模不同，两者互不干扰，提高设计效率。通过延长磁电偶极子两端的金属柱长度，简化了加工流程，具有可实现性，降低了加工成本，并且拓宽了天线单元的波束宽度，提高了天线阵列的波束扫描角度。

公开了一种即使芯被外力按压也不会对金属层产生影响的使金属层的裂纹产生最小化的弹性电接触端子。所述弹性电接触端子包括：弹性芯；耐热聚合物膜，包围所述芯，并且通过夹设粘合层而粘合在所述芯的上表面和下表面；以及金属层，形成于所述聚合物膜的外表面，其中，在所述芯的内部形成有沿长度方向贯通的贯通孔，所述芯的至少一个侧壁朝内侧按压而形成折叠部，借由所述折叠部在所述聚合物膜的内表面与所述芯的侧壁之间形成有空间。

本发明是用于保护晶片表面的背面研磨用粘着性膜。该粘着性膜具备：基材层和粘着性树脂层，所述粘着性树脂层设置在基材层的一个面侧且由紫外线固化性粘着性树脂材料构成。对于紫外线固化性粘着性树脂材料，通过以下的步骤(i)和(ii)测定粘弹性特性时，满足以下的特性(A)。[步骤](i)使用紫外线固化性粘着性树脂材料形成膜厚0.2mm的膜，对于该膜，在25℃环境下，使用高压水银灯以照射强度100W/cm2、紫外线量1080mJ/cm2照射主波长365nm的紫外线，使其紫外线固化，得到固化膜。(ii)对于固化膜，以频率1Hz、拉伸模式，在温度‑50℃～200℃的范围测定动态粘弹性。[特性](A)‑5℃时的损耗角正切tanδ为0.25～0.85。

本申请涉及一种负极预分散液、包含其的负极组合物、包含所述负极组合物的锂二次电池用负极、包含所述负极的锂二次电池、以及负极组合物的制造方法。

根据本发明的实施例的静电卡盘单元，其设置在等离子体蚀刻装置，可以包括：静电卡盘，在上面支撑晶片；以及聚焦环，以围绕所述静电卡盘的中心部分的方式布置在所述静电卡盘的上部，并将用于蚀刻所述晶片的反应气体聚焦到所述晶片上，所述聚焦环，包括：第一聚焦环构件，围绕所述静电卡盘的中心部分；以及第二聚焦环构件，围绕所述第一聚焦环构件。

本发明的电极材料含有活性物质粒子和固体电解质粒子，所述固体电解质粒子含有Li、M及X，M为选自除Li以外的金属元素及半金属元素中的至少1种，X为选自F、Cl、Br及I中的至少1种，所述活性物质粒子的体积与所述活性物质粒子的体积及所述固体电解质粒子的体积的合计值之比率R1以百分率表示为10％以上且低于65％，所述活性物质粒子的平均粒径与所述固体电解质粒子的平均粒径之比R2为0.5以上且3.4以下。

本发明涉及一种绝缘位移元件(10)，其尤其在电机中尤其用于对导线(14)进行电接触，其中，绝缘位移元件(10)叉形地构造并且具有两个支臂(24)，这两个支臂构造用于共同接纳导线(14)，其中，两个支臂(24)通过夹紧底部(28)与彼此连接，并且其中，支臂(24)分别沿着压入方向(18)延伸，其中，支臂(24)分别在其内侧(30)处具有切割边缘(20)，并且其中，两个支臂(24)在其内侧(30)处具有变形区域(12)，该变形区域沿压入方向(18)布置在两个支臂(24)的切割边缘(20)与自由端部(26)之间，其中，变形区域(12)设置用于使导线(14)塑性变形，并且在两个支臂(24)的内侧(30)处具有两个朝切割边缘(20)的方向彼此逐渐变化的变形面(32)。提出了，两个支臂(24)沿压入方向(18)朝自由端部(26)至少部分区段地逐渐缩小。

本公开的被覆活性物质130，具备活性物质110和被覆层111，被覆层111被覆活性物质110的表面的至少一部分，被覆活性物质130的上清透过率大于64％且小于93％，上清透过率是针对上清液测定出的波长550nm的光的透过率，上清液是通过使被覆活性物质130分散于溶剂中以及使其沉淀而得到的，上清液被装入具有10mm的光程的石英池中而供透过率的测定用。

本发明公开一种半导体结构，包括：双极结型晶体管，包括：集电极区的第一有源区，包括沿第一方向延伸的第一鳍以及外延生长在第一鳍上的第一源极/漏极部件；基极区的第二有源区和第三有源区，第二有源区和第三有源区的每个有源区包括沿第一方向延伸的第二鳍以及外延生长在第二鳍上的第二源极/漏极部件；以及发射极区的第四有源区包括沿第一方向延伸的第三鳍以及外延生长在第三鳍上的第三源极/漏极部件，第二有源区和第三有源区设置在第四有源区在第一方向上的相对两侧，第一有源区比第四有源区长，第四有源区述第二有源区和第三有源区长。本发明提高了增益倍数并且改善了Vbe的失配。

本申请涉及半导体装置及其形成方法。一种设备包含：硅通孔TSV，其包含导电材料；第一接触插塞，其具有上表面及直接连接到所述TSV的上表面的下表面；第一布线，其直接连接到所述第一接触插塞的所述上表面；第二布线，其具有上表面；第二接触插塞，其具有上表面及直接连接到所述第二布线的所述上表面的下表面；及第三布线，其直接连接到所述第二接触插塞的所述上表面；其中所述第一布线与所述第三布线处于大体上相同的层级中。