一种MoS2/Si3N4复合吸波陶瓷及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种MoS

背景技术

随着5G通讯的快速发展，如手机、电脑和手环等便携式智能设备的广泛使用，给人们的生活带来巨大的便利。然而，随之而来的电磁辐射不仅对人们的身体健康造成威胁，还可能会干扰精密仪器的正常运转，造成信息泄露。为解决当下电磁污染问题，开发高性能的吸波材料逐渐成为研究热点。

MoS

目前，MoS

对目前MoS

发明内容

对目前MoS

一方面，本发明提供了一种MoS

较佳的，所述花瓣状MoS

较佳的，所述MoS

所述花瓣状MoS

较佳的，所述多孔氮化硅基体含有棒状氮化硅晶粒，其孔隙率为45～70％，孔结构尺寸为5～50μm。

较佳的，所述MoS

再一方面，本发明提供了一种上述MoS

较佳的，所述含有钼酸钠Na

所述去离子水在混合溶液中的质量分数为82～96％；

所述Na

所述真空浸渍的时间为10～50分钟。

较佳的，所述多孔氮化硅基体的制备方法包括：

(1)将Si

较佳的，所述烧结助剂为氧化钇和氧化铝；所述Si

所述造孔剂为PMMA微球，粒径为10～50μm；

所述Si

所述溶剂为无水乙醇；所述Si

所述球磨混合的转速为200～400转/分钟，时间为4～12小时；

所述烘干的温度为50～80℃，时间为12～24小时；

所述过筛为过60～100目筛。

较佳的，所述脱粘的温度为400～600℃，时间为2-4小时，用于氧化除去造孔剂；优选地，所述脱粘的制度包括：先以3～5℃/min升温速率升到250℃，再以1～3℃/min升到600℃保温2～4h；

所述气压烧结的参数包括：温度为1650～1800℃，时间为2～4小时，烧结气氛为氮气、压力为0.1～0.5MPa；优选地，所述气压烧结的参数包括：先以5～10℃/min升到1200℃，再以2～4℃/min升到1750℃并保温2～4小时。

与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：

1、通过真空浸渍和水热反应的方法制备出MoS

2、多孔Si

附图说明

图1是本发明实施例5所制备的MoS

图2是本发明实施例5所制备的MoS

图3是本发明实施例5所制备的MoS

具体实施方式

以下通过下述实施方式进一步说明本发明，应理解，下述实施方式仅用于说明本发明，而非限制本发明。

本公开中，以多孔氮化硅陶瓷为基体，通过浸渍钼酸钠(Na

以下示例性地说明MoS

将Si

将球磨后的陶瓷浆料在50～80℃烘箱中烘干12～24h后过60～100目筛，得到混合粉体(或称原料粉体)。

采用单轴干压成型方式，将混合粉体压制成陶瓷生坯。

将陶瓷生坯在马弗炉中600℃下氧化除去造孔剂，随后在气压烧结炉中进行烧结。氧化除去造孔剂的升温速率为先以3℃/min升到250℃，再以2℃/min升到600℃保温2h。气压烧结步骤为先以7℃/min升到1200℃，再以3℃/min升到1750℃并保温2h，所述烧结气氛为氮气，压力为0.3MPa

将多孔Si

将混合溶液和多孔Si

通过进行二次浸渍及多次浸渍来改变MoS

采用波导法测试MoS

下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择，而并非要限定于下文示例的具体数值。

实施例1：MoS

步骤(1)：将Si

步骤(2)：采用单轴干压成型方式制备陶瓷生坯，在马弗炉中以3℃/min升到250℃，再以2℃/min升到600℃保温2h除去造孔剂PMMA；随后在气压烧结炉中进行烧结，先以7℃/min升到1200℃，再以3℃/min升到1750℃并保温2h，所述烧结气氛为氮气，压力为0.3Mpa；所得多孔Si

步骤(3)：将多孔Si

步骤(4)：重复步骤(3)的操作进行二次浸渍及多次浸渍来改变MoS

实施例2：

如实施例1所述，不同的是：步骤(3)中去离子水在混合溶液的质量分数为92％。

实施例3：

如实施例1所述，不同的是：步骤(3)中去离子水在混合溶液的质量分数为88％。

实施例4：

如实施例1所述，不同的是：步骤(3)中水热反应温度为180℃。

实施例5：

如实施例1所述，不同的是：步骤(3)中去离子水在混合溶液的质量分数为92％，水热反应温度为180℃。

本实施例5所制备多孔MoS

实施例6：

如实施例1所述，不同的是：步骤(3)中去离子水在混合溶液的质量分数为88％，水热反应温度为180℃。

实施例7：

如实施例1所述，不同的是：步骤(3)中水热反应温度为200℃。

实施例8：

如实施例1所述，不同的是：步骤(3)中去离子水在混合溶液的质量分数为92％，水热反应温度为200℃。

实施例9：

如实施例1所述，不同的是：步骤(3)中去离子水在混合溶液的质量分数为88％，水热反应温度为200℃。

实施例10：

如实施例1所述，不同的是：步骤(3)中水热反应温度为220℃。

实施例11：

如实施例1所述，不同的是：步骤(3)中去离子水在混合溶液的质量分数为92％，水热反应温度为220℃。

实施例12：

如实施例1所述，不同的是：步骤(3)中去离子水在混合溶液的质量分数为88％，水热反应温度为220℃。

对比例1

选择实施例1制备的多孔Si

表1为本发明制备的MoS

上述实施例为本发明可能的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。