信息存储

本发明提供一种2D1R阵列结构及其制备方法，其中，2D1R阵列结构包括横向设置的一一对应的m条字线和m条复位线以及纵向设置的n条位线；其中，m和n均为整数，m≥2，n≥2；并且，在各条字线与各条位线的相交处均设置有存储单元；所述存储单元包括第一二极管、第二二极管以及电阻，其中，所述电阻的一端与相对应的位线相连，所述电阻的另一端分别与所述第一二极管的正极以及所述第二二极管的负极相连，所述第一二极管的负极与相对应的字线相连，所述第二二极管的正极与相对应的复位线相连。本发明提供的2D1R阵列结构能够解决现有的2D1R阵列结构中阱与阱之间的隔离性能差且易产生较大IR drop的问题。

本发明公开了一种基于SRAM的数据存取方法和数据存取系统，包括：S1：数据写入模块为若干字节数据的每个字节设置校检位，并根据每个字节的数据确定相对应的校检位的数值；S2：数据写入模块根据若干字节数据的写入地址，将若干字节数据和相对应的校检位的数值写入到SRAM中；S3：数据读取模块根据数据的读取地址，从SRAM中读取数据和相对应的校检位的数值，并在读取过程中根据读取的数据和相对应的校检位的数值来确定读取的数据是否正确；S4：若数据读取模块判断读取的数据错误，则停止读取，然后将错误的数据和错误的数据的读取地址保存到SRAM中。提高数据读取模块读取SRAM中的数据的准确性。

本公开提供了一种存储单元、存储的方法、存储阵列、存储器及其制备方法。所述方法采用至少一个三维动态随机存储单元，在选定的用于存储信息的栅极层上施加适当的电压，使栅极层控制的电荷耦合层进行信息的动态随机存储，并且使第一和第二掺杂类型材料层配合对涉及的信息进行写入和复位；在选定的用于读出的栅极层上施加适当的电压，使栅极层控制的信号读取层的导通能力改变，使第三和第四掺杂类型分别作为信号读取层的源和漏，读出与信息有关的电压或电流；对多个栅极层上所存储的信息进行垂直方向上逐层或水平方向上逐区堆叠的方式进行信息存储。根据本公开提供的方法可以实现写入通路与读取通路的分离，具有高存储密度、高速且低功耗等特点。

本发明的实施方式提供一种能够高速地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含第1及第2导电体以及第1至第4支柱。第1导电体在第1方向上延伸设置，作为第1字线发挥功能。第1支柱通过第1导电体而设置，与第1导电体的交叉部分作为第1存储单元发挥功能。第2导电体在第1方向上延伸设置，作为包含于读出放大器且连接在第1存储单元的第1晶体管的栅极电极发挥功能。第2支柱在第1方向上的第2导电体的一端部分设置在第2导电体上。第3支柱在第1方向上的第2导电体的另一端部分设置在第2导电体上。第4支柱配置在第2支柱与第3支柱之间，设置在第2导电体上。

本发明提供一种小型光盘存储装置，包括光盘盒和光盘存储器；光盘盒包括盒体、盒门和盘托；盒体一侧安装有盒门；盘托设于盒体内，盘托能够移动出盒体；光盘存储器包括升降单元、加载单元、光驱单元及盘托控制单元；升降单元能驱动进入光盘存储器内的盒体升高和降低；加载单元能够驱动盘托靠近或远离光驱单元；光驱单元用于读写置于盘托上的光盘；盘托控制单元能够驱动盘托靠近加载单元在盘托控制机构对盘托进行推进或推出动作时，以及在加卸载机构对盘托进行加卸载的过程中，光盘之间始终无接触，光盘与其他机构之间始终无相对摩擦，光盘信号面不会受到损伤；装置中的零部件数量少，传动机构和动作过程简单，故装置性能稳定、效率高、成本低。

本发明公开了一种抗软错误的SRAM的SRAM存储单元具有双重互锁结构，包括：共源连接的第一和第二NMOS管并由第一和第二NMOS管提供互锁的第一和第二存储节点，共源连接的第一和第二PMOS管并由第一和第二PMOS管提供互锁的第三和第四存储节点，共漏连接的第五MOS晶体管的栅极和源极连接在同相的第一和第三存储节点之间，共漏连接的第六MOS晶体管的栅极和源极连接在同相的第二和第四存储节点之间；第三MOS晶体管的栅极连接第二存储节点，源极和漏极连接在第一存储节点和第三存储节点之间。第四MOS晶体管的栅极连接第一存储节点，源极和漏极连接在第二和第四存储节点之间。本发明能抵抗多节点翻转，能改善RSNM和WNM。

本发明专利涉及存储器技术领域，且公开了一种高性能计算机服务器用云存储器，包括安装板和壳体，多个所述壳体均设置安装板的前侧，所述安装板靠近壳体的一侧设置有存储器主体，多个所述壳体靠近安装板的一侧均固定设置有连接杆，所述连接杆的中部固定套接有转杆，所述转杆的两端均转动连接有侧板，多个所述侧板的一端均与安装板固定连接，所述安装板的前侧设置有固定多个所述壳体的限位机构。本发明专利能够对装置壳体进行省时省力地拆卸，方便对其内部进行维护维修。

本发明公开了一种自毁电路和电子设备，其中，自毁电路包括自毁供电单元、并发自毁储能单元、自毁开关控制单元和自毁触发单元，其中，自毁供电单元可以向并发自毁储能单元提供自毁电能，自毁触发单元可以在接收到触发信号后，输出自毁控制信号，自毁开关控制单元在自毁控制信号的控制下，导通并发自毁储能单元和每个存储单元之间的通路，向每个存储单元输出自毁电压，以使每个存储单元接收到自毁电压后，被损坏。由于本申请中的并发自毁储能单元可以同时向每个存储单元提供自毁电压，因此，可以提高自毁速度。

本公开涉及设备之间封装和同步状态的相互作用。本公开涉及设备之间封装和同步状态的相互作用。本发明公开了用于管理自组织组的回放设备之间的媒体回放的技术。此种技术可能涉及在所述回放设备之间建立会话，其中回放设备传送关于其回放功能的信息。基于所述设备的所述回放功能，可针对所述会话导出回放模式。可以在会话的成员设备之间同步回放操作，其中设备接收要根据所述回放操作渲染的资产的标识和所述资产的回放的定时信息。当所述设备能够这样做时，所述设备可以直接从媒体源流传输所述回放资产。这样节省了通信资源。

本发明提供了一种内存测试方法、系统及计算机可读存储介质，方法包括：根据预设条件调节被测内存储器的测试加速因子，测试加速因子包括温度、工作电压和接口时序等；将预设测试数据输入被测内存储器，预设测试数据用于测试被测内存储器的物理结构在测试加速因子影响下是否正常工作；获得被测内存储器的实际测试数据；当实际测试数据与预设测试数据一致，确定测试通过，并由此建立产品的质量多维近似模型。本发明通过改变被测内存储器的工作环境，在测试加速因子改变的状态下对内存储器进行测试，从而检测被测内存储器的物理结构在当前工作环境下是否能够正常工作，同时也扩展了测试过程中的可调节的外部因素，更有利于激发出深层次的故障模式。

本发明提供了一种超声波黑胶唱片清洗装置及清洗方法，包括清洗槽和唱片安装座，所述清洗槽底部设有超声波发生器，所述唱片安装座上设有唱片安装轴和马达，唱片安装轴通过传动部件与马达连接，所述唱片安装座可拆卸设置在清洗槽的一个侧边上；其特征在于还包括水循环过滤装置和吹干风机，所述水循环过滤装置设置在清洗槽内，执行过滤清洗槽内的清洗液的操作；所述吹干风机可拆卸设置在清洗槽设置有所述唱片安装座的对侧边上，执行吹干黑胶唱片的操作。实现了可同时清洗多张唱片和回收清洗液，整个安装和拆卸唱片操作简单，同时在清洗过程中实现了对碟片的全方位的保护，清洗均匀无死角，并可快速吹干唱片，大大缩短了整个清洗过程。

一种移位寄存器。移位寄存器包含第一移位寄存单元、第二移位寄存单元、第三移位寄存单元、第四移位寄存单元、第五移位寄存单元、第六移位寄存单元、第七移位寄存单元及第八移位寄存单元。第一移位寄存单元、第二移位寄存单元、第三移位寄存单元及第四移位寄存单元横向连接，以及第五移位寄存单元、第六移位寄存单元、第七移位寄存单元及第八移位寄存单元横向连接。各移位寄存单元内部包含两条准位错开的信号线。

本发明属于铁电存储器技术领域，具体为提供一种能够测试铁电存储单元读写特性的电路设计。对于基于铁电材料的铁电存储器电路，其性能参数主要在于铁电存储单元的电滞回线，在晶体管级的仿真过程中，铁电存储单元通过铁电材料的两种极化状态来表示数据(1、0)，铁电电容的写状态(数据写入铁电电容的实际状态)、读出台阶差(读数据时铁电电容释放电荷能力)、读出脉冲能够反映铁电单元在不同的仿真条件下的变化情况，从而判断其工作的性能指标。存储单元在读写操作时会受到其他连接在位线上的存储单元所产生寄生电容的影响，这种影响是存储器规模无法无限扩大的主要原因之一。同时,字线负载的增加导致连接到存储单元的选择晶体管栅极电压减少,数据传输损耗导致铁电电容极化状态减弱。为了评估这种影响并且找到合适的位线电容的大小，需要对存储单元的参数以及位线电容大小对读取数据时的影响做定量的分析。

提供了一种用于进行掉电测试的方法。该方法包括：在电子设备被上电之后执行多个程序，其中，所述多个程序中分别嵌入有标志位；以及将所述多个程序中的在所述电子设备发生掉电的时刻正在执行的相应的一个程序中的标志位的标记状态设置为第一标记状态，其中，所述标记状态包括第一标记状态和第二标记状态，所述第二标记状态与所述第一标记状态不同。通过这样的用于进行掉电测试的方法可以有助于优化整个掉电测试的过程，进而实现电子设备中的多个程序被掉电测试来测试到的频次可以是尽量均等的。

本发明提供玻璃间隔件和硬盘驱动器装置，在从组装有磁盘和间隔件的硬盘驱动器装置中抽出磁盘和间隔件时，为了不容易发生磁盘与间隔件的密合，使硬盘驱动器装置内的按照与磁盘相接的方式设置的环状的玻璃间隔件的与磁盘相接的主表面的表面粗糙度Ra为1.0μm以下、使上述主表面的平均倾斜RΔa为0.02以上。

错误校验和清除（ECS）模式使存储器装置能够执行错误校验和纠正（ECC）并对错误计数。关联的存储器控制器用发送到存储器装置的触发器触发ECS模式。存储器装置包含多个可寻址存储器位置，其能被组织成段（诸如字线）。存储器位置存储数据并且具有关联的ECC信息。在ECS模式中，存储器装置读一个或更多存储器位置，并且基于ECC信息对于所述一个或更多存储器位置执行ECC。存储器装置对错误信息进行计数，错误信息包含指示具有至少阈值数量的错误的段的数量的段计数以及指示在任何段中的最大数量的错误的最大计数。

本发明涉及移位寄存器技术领域，公开了一种移位寄存器单元电路及移位寄存器，包括：信号源、第一级反相器、第二级反相器、第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管，第一级反相器包括第一输入端、第二输入端和第一输出端，第二输入端连接第四薄膜晶体管的漏极，第一输出端连接第三薄膜晶体管的漏极，第二级反相器包括第三输入端、第四输入端和第二输出端，信号源分别连接第一输入端和第三输入端，第二输入端连接第四薄膜晶体管的漏极，第三薄膜晶体管的源极连接第四输入端，第四薄膜晶体管的源极连接第二输出端，第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管的底栅极外接时钟信号，移位寄存器单元电路之间采用级联方式连接构成移位寄存器，实现了移位寄存的效果。

本发明公开了一种基于封装件去离子水的RRAM阵列水冷散热装置，包括封装箱，封装箱内部固接有插槽，插槽内插设有RRAM阵列模块，封装箱顶部分别开设第一通水口和第二通水口，第一通水口和第二通水口之间固接有散热机构。本发明利用循环水将RRAM阵列模块产生的热量迅速带到封装箱外部的水冷器进行散热，由于该装置采用去离子水，与RRAM阵列模块传热接触面积更大，且自身不具有导电性，不会引起电路短路故障，导热效果更佳。

本申请实施例提供了只读存储器、编码阵列生成方法、芯片及存储介质，只读存储器包括多个存储单元，同一行的存储单元共用一条字线，同一列的存储单元共用一条位线，每个存储单元均包括晶体管，其中：每个存储单元存储的编码值为根据晶体管的漏极与第一连接端的第一连接状态、晶体管的漏极与晶体管所在列的位线的第二连接状态、晶体管的源极与第一连接端的第三连接状态以及晶体管的源极与晶体管所在列的位线的第四连接状态确定。本申请实施例能够提高ROM内部存储信息的破解难度，降低ROM内部存储信息的泄露风险。

提供了用于包括位线和连接至位线的多个计算单元的存储器内计算电路的系统和方法。多个计算单元中的每个包括：存储器元件，具有数据输出端子；逻辑元件，具有第一输入端子、第二输入端子和输出端子，其中，第一输入端子耦合至存储器元件的数据输出端子，第二输入端子接收选择信号；以及电容器，具有第一端子和第二端子，其中，第一端子耦合至逻辑元件的输出端子，第二端子耦合至位线。该位线的电压由多个计算单元驱动。本发明的实施例还提供了存储器电路、单元以及从其阵列读取数据的方法。

本发明提供一种记录层、光信息记录介质及溅射靶。本发明的一实施方式的记录层是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层，包含W氧化物、Fe氧化物、以及Ta氧化物及Nb氧化物中的至少任一种，且在全部金属原子中，包含10原子％以上且60原子％以下的Fe、合计为3原子％以上且50原子％以下的Ta及Nb。

本发明实施例提供了一种固态硬盘的故障分析方法及装置，所述方法包括：在固态硬盘出现故障后，研发人员触发目标宏控制指令，执行可视化代码，所述可视化代码用于记录目标时间段内所述固态硬盘中闪存的操作命令时序参数，所述闪存的操作命令时序参数包括闪存的各命令间的时间间隔、CLE、ALE拉高拉低状态以及闪存的响应时间，基于所述闪存的操作命令时序参数构建时序图，并基于所述时序图对所述固态硬盘进行故障分析。

一种用于三维(3D)NAND闪存的编程方法包括：对所述3D NAND闪存进行编程；利用至少一个验证电压执行第一验证过程；确定所述第一验证过程的第一验证电压是否高于默认电压；以及当所述第一验证电压高于所述默认电压时，对所述选择字线施加第一验证电压，同时，对未选中上选择字线进行接地。

本发明公开一种固态存储设备坏块表的生成与维护方法，本方法通过以文本形式记录坏块条目并配合脚本解析生成Bin文件的方式，可更容易地实现坏块表的离线维护，当SSD实际使用过程中发现不稳定、性能变弱的Flash存储块但固件未能将其识别为坏块时，如果经人工分析能确定其为坏块，可通过该方法直观、方便地手动新增坏块条目进行维护。此外，导出坏块表到上位机的过程中，通过对比直接输出的Bin文件和根据记录文本解析生成的Bin文件，可确保扫描结果的正确性和稳定性，避免缺失遗漏。

本发明提供一种存储器的读取方法、装置及存储系统。读取方法包括：获取存储器的读取温度，其中，存储器包括衬底设于衬底上的堆叠结构，堆叠结构内形成有存储串，存储串包括多个存储单元，每个存储单元包括沟道，多个存储单元串联连接使得多个存储单元的沟道连接形成总沟道，总沟道的顶部连接至位线，总沟道的底部连接至源级线；在位线上加载第一电压，并在源级线上加载第二电压，其中，第一电压大于第二电压，且第一电压与第二电压的电压差值随着读取温度的降低而增大。本发明解决了跨温读取时，阈值电压分布展宽程度不同，导致各编程态间距离变小的程度不同，态与态之间的距离不同，且在态与态之间的距离较小时，容易造成读取错误的技术问题。

本公开是关于一种刷新命令保护方法、刷新命令保护电路、存储器刷新方法、存储器刷新电路及电子设备，涉及集成电路技术领域。该刷新命令保护方法包括：获取预设刷新配置信号、刷新窗口信号和刷新命令；在预设刷新配置信号为正常刷新模式时，如果刷新命令为单阵列刷新命令，则根据单阵列刷新命令和刷新窗口信号，将正常刷新模式转换为细粒度刷新模式；在细粒度刷新模式下，控制单阵列刷新命令执行。本公开可以确保单阵列刷新命令顺利执行，减少存储单元出现漏电风险的概率。

本申请提供一种硬盘的减振散热装置及电子设备。硬盘的减振散热装置包括散热组件与减振组件。散热组件包括用于与硬盘连接的第一散热板和用于与封装硬盘的外壳连接的第二散热板，第一散热板设有第一通孔，第二散热板设有第二通孔，第一通孔与第二通孔同轴；减振组件包括减振件和连接件，减振件由柔性材料制成，设置于第一通孔和第二通孔，连接件沿第一通孔和第二通孔的轴向穿过减振件，沿轴向固定第一散热板和第二散热板。本申请提供的电子设备包括上述的减振散热装置。本申请的减振散热装置可以解决小体积产品中使用机械硬盘的减振散热问题。

本申请公开了一种基于薄膜晶体管的扫描电路，应用于电路集成技术领域，用于解决现有扫描电路不易集成且工艺不成熟难以大面积制备的技术问题。本申请提供移位寄存器单元、锁存器单元和与非门单元，移位寄存器单元、锁存器单元和与非门单元均由薄膜晶体管制成，移位寄存器单元与锁存器单元连接，锁存器单元与与非门单元连接，移位寄存器单元为数据传输单元，用于将串行输入的输入信号作为时钟信号移位传输到对应位置，并作为锁存器单元的信号输入端，锁存器单元用于利用锁存器控制信号将移位寄存器单元传输过来的信号进行锁存并输出到与非门单元，与非门单元用于利用与非门控制信号读取锁存器单元中锁存的信号。

一种芯片失效模式的确定方法、终端，所述方法包括：获取芯片在多个测试电压下的失效比特；对所获取到的失效比特进行失效模式运算，获得至少一个失效比特组以及每一个失效比特组的失效模式，其中，所述失效比特组包括至少一个测试电压下的失效比特；基于所述失效比特组的失效模式，确定所述失效比特组中失效比特的失效模式。通过本发明方案能够提高芯片失效分析的准确度。

本发明提供一种PCM音频采样率的升降控制方法及系统，其中，方法包括：步骤1：获取原始PCM音频帧数据的原始采样率；步骤2：获取用户输入的目标采样率；步骤3：计算目标采样率和原始采样率的倍数；步骤4：基于倍数，对原始PCM音频帧数据按目标采样率进行采样。本发明的PCM音频采样率的升降控制方法及系统，可以直接控制采样率升降，提升了用户体验。

本申请公开了一种移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器及显示装置。其中，移位寄存器单元包括输入模块、输出模块、第一下拉模块、下拉控制模块以及电压调节模块。电压调节模块中第一电容的充电量与第一节点的电压正相关，第一电容的充电量则影响第三节点的电压，而第三节点的电压影响第三电压信号端对第二节点的电压的拉高程度，进而影响第二电压信号端对第一节点的电压的拉低程度。换而言之，通过电压调节模块的设置，可以有效保证第一节点与第二节点之间电压匹配程度，进而有助于提升输出信号的质量，有效避免显示面板显示异常。

描述了用于驱动多模信道的多电压操作的方法、系统和装置。传输装置和接收装置可以经由信道耦合，并且所述信道可以支持多个模式，例如端接模式和无端接模式。驱动器可以与所述信道耦合，并且用于所述驱动器的电压电源可以基于所述信道的所述模式来调整，例如基于所述信道是端接的还是无端接来调整。对于所述信道的每个模式，调整所述电压电源可在所述信道上产生类似或其它期望的电压电平。

本发明揭示一种系统(100)，其包含处理器(102)和耦合到所述处理器(102)的存储器组(130)。所述系统(100)还包含耦合到所述存储器组(130)的存储器修复电路(110)。所述存储器修复电路(130)包含第一修复电路(116)和第二修复电路(118)。所述存储器修复电路(110)还包含测试控制器(114)，其经配置以在所述第一修复电路(116)与所述第二修复电路(118)之间进行选择以执行所述存储器组(130)的现场自修复。

一种光学信息存储介质包括衬底和多层聚合物膜。所述多层聚合物膜具有延伸所述多层聚合物膜长度的第一表面和相对的第二表面。所述第二表面粘附到所述衬底的表面。所述多层聚合物膜包括多个共挤交替聚合物活性数据存储层和聚合物缓冲层。

本发明涉及一种用于运行计算单元（100）的方法，其中所述计算单元（100）为了访问RAM存储单元（120）对虚拟存储区进行寻址，而且其中这些各个虚拟存储区分别被映射到所述RAM存储单元（120）的物理存储区（121、122、123、124），其中执行对所述RAM存储单元（120）是否有错误的检查，其中如果在所述检查的过程中确定所述RAM存储单元（120）的物理存储区（121）有错误，则该有错误的物理存储区（121）被标记为有错误，其中检查在所述RAM存储单元（120）中是否存在没有虚拟存储区被映射到其上而且未被标记为有错误的空闲物理存储区（123、124），其中如果存在这样的空闲物理存储区（123、124），则将当前被映射到被识别为有错误的物理存储区（121）的那个虚拟存储区从此以后映射到所述空闲物理存储区（123）。

本申请涉及存储器子系统中的区域感知式存储器管理。公开了一种系统，其包含：存储器装置，所述存储器装置具有多个物理存储器块且与包括多个区域的逻辑地址空间相关联，其中每一区域包括多个逻辑块地址LBA；及处理装置，其以操作方式与所述存储器装置耦合以执行以下操作：接收存储与所述多个区域中的第一区域相关联的LBA所引用的数据的请求；获得所述第一区域的版本识别符；获得所述存储器装置的多个可用物理存储器块的擦除值；鉴于所述第一区域的所述版本识别符和所述擦除值，选择所述多个可用物理存储器块中的第一物理存储器块；将所述第一区域内的下一可用LBA映射到所述第一物理存储器块；以及在所述第一物理存储器块中存储所述数据。

本公开涉及基于时分复用的光学三态内容可寻址存储器。提供了用于光学三态内容可寻址存储器(TCAM)的系统和方法。所述光学TCAM实施基于时分复用(TDM)的编码方案以在时域中对搜索词的每个位位置进行编码。每个位位置与至少两个时隙相关联。通过被配置为表示相应TCAM存储词的一个或多个调制器来路由包括所述搜索词的经编码光学信号。如果所述搜索词的至少一个位位置与至少一个TCAM存储词之间出现不匹配，则光电检测器或光电检测器阵列将检测到光。

本公开大体上涉及具有双自由层(DFL)传感器的读头。所述读头具有安置于两个屏蔽件之间的传感器。所述传感器是DFL传感器且具有在面对介质的表面(MFS)处的表面。在所述DFL传感器后方且远离所述MFS的是后硬偏置(RHB)结构。所述RHB结构也安置于所述屏蔽件之间。在所述DFL传感器与所述RHB结构之间的是绝缘材料。所述绝缘材料是多层结构。所述多层结构的第一层包括与隧道磁阻屏障层相同的材料，例如MgO，且安置成邻近于所述DFL传感器，但与所述RHB结构间隔开。所述多层结构的第二层是不同绝缘层，其安置成邻近于所述RHB结构，但与所述DFL传感器间隔开。所述多层结构有助于通过维持RHB矫顽磁性而改善面密度，而不会使头稳定性和性能可靠性降级。

本申请公开了位线控制器、页缓冲器和具有页缓冲器的半导体存储器装置。本技术涉及一种页缓冲器以及具有该页缓冲器的半导体存储器装置。该页缓冲器包括：位线控制器，其连接到位线并且被配置为在感测操作期间基于位线的电流电平来控制感测节点的电位电平；以及主锁存器，其被配置为基于感测节点的电位来锁存数据。位线控制器包括连接在位线和公共感测节点之间的第一晶体管以及连接在电源电压端子和公共感测节点之间的第二晶体管，并且第二晶体管是PMOS晶体管。

本发明实施例公开了一种存储单元及其数据读写方法、存储阵列，该存储单元包括位线、隧道结和四个存取晶体管；各存取晶体管至少包括有源区；该有源区包括源极，各存取晶体管的源极均与隧道结的第一端电连接；隧道结的第二端与位线电连接，且位线沿第一方向延伸；各存取晶体管的有源区相互隔离；各存取晶体管的有源区的长边延伸方向相同，且存取晶体管的有源区的长边延伸方向与第一方向具有第一夹角θ；其中，θ为非直角。本发明实施例的存储单元具有较小的尺寸，从而将该存储单元应用于存储阵列中时，能够提供存储阵列较大的集成度。