晶体生长

本发明涉及一种改善退火炉体铁和颗粒的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将SIC舟使用49%HF清洗干燥后装入退火炉中。第二步：使用10～30slm氧气通入石英炉管中，SIC舟不进入炉管中，在1200℃烘烤10～15小时。第三步：使用10～30slm氩气，1200摄氏度，烘烤1‑3H。第四步：使用清洗干净的p型轻掺dummy片填满SIC舟，升入石英炉管中，1200℃烘烤22H。第五步：监控片分别置于舟体上中下位置，升入石英炉管中，1200℃退火后，送测体铁观察退火炉体铁水平。第六步：根据第五步体铁测试水平，更换新的干净P型轻掺DUMMY片后，重复执行步骤2～5。实现新装退火炉金属体铁水平和颗粒改善，体金属水平从2E12降至2E10，并且成功产出19nm颗粒为0退火硅片。

一种铬离子掺杂的硫化锌激光材料的制备方法，将铬薄膜沉积在硫化锌晶体材料表面后，采用钼箔进行密封并进行热等静压烧结，促使过渡金属离子强制扩散，得到铬离子掺杂的硫化锌激光材料。本发明制备出的激光增益晶体，其离子扩散速度快且掺杂相对均匀，激光晶体的掺杂浓度较高，在烧结过程中去除了晶体中存在的缺陷杂质，避免了晶体的非均匀展宽，在自由运行时具有更窄的光谱带宽(<150pm)，进一步改善了激光特性。

本发明公开一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法，所述装置包括：壳体；若干个炉体，间隔设置在所述壳体内；升降旋转机构，设置在所述若干个炉体下部；若干个坩埚，分别设置在所述若干个炉体内并设置在所述升降旋转机构上；加热机构，包括圆盘状感应线圈，所述圆盘状感应线圈具有等螺距的平面螺旋线结构，水平设置在所述若干个炉体上部。本发明的装置中可容纳若干个坩埚，多个坩埚可以满足同时生长多根晶体的需求，解决了单一坩埚下降法生产效率低的问题。同时，本发明在炉体上部水平设置一个圆盘状感应线圈对坩埚加热，平面磁场更加均匀，同时结构简单，成本较低，易于装置的规模化生产。

本发明涉及无机化合物单晶生长技术领域，具体涉及一种笼目结构单晶的生长方法。该笼目结构单晶的生长方法包括步骤：将铑粉和硫粉进行研磨，再和铅丸置于石英管内抽真空并封管，将石英管升温并保温，然后降温并保温，对石英管进行离心处理，得到笼目结构的Rh3Pb2S2单晶。本发明首次公开了笼目结构Rh3Pb2S2单晶的合成方法，其工艺简单，所需原材料容易获取，所需生长周期短，能耗低，且笼目结构Rh3Pb2S2单晶的生长成功率高达100％。通过该单晶生长方法制得的Rh3Pb2S2单晶完整性好，尺寸大，结晶性好，适用于多数常规的物性测量等研究手段，单晶的质量可保证满足多种科研与应用要求。

本发明提供了一种二维银铋基单晶的制备方法及其应用，属于探测晶体材料制备技术领域。本发明首先将卤化银、卤化铋和溶剂混合，得到溶液A；再将有机间隔分子和溶剂混合，得到溶液B；最后将溶液A、溶液B和溶剂混合后顺次进行结晶、干燥，即可得到二维银铋基单晶，其中有机间隔分子为正丙胺、苯乙胺、丁二胺或胺卤素盐。本发明选择的有机间隔分子能够使得制备的单晶层间耦合紧密、离子迁移活化能高，二维银铋基单晶表现出了更强的机械性能、更高效的电荷传输和更稳定的基线，并且介电常数明显升高，有利于最终器件探测性能的提升。

本发明提供一种减少单晶晶孔的化料工艺，包括以下步骤：将石英坩埚降至第一化料位，进行第一阶段化料；将所述石英坩埚升至第二化料位，进行第二阶段化料；将所述石英坩埚升至第三化料位，进行第三阶段化料；将所述石英坩埚升至最终化料位，进行第四阶段化料；在所述第一阶段化料、第二阶段化料、第三阶段化料和第四阶段化料中产生的气泡挥发排出单晶炉。本发明的有益效果是有效避免了气泡进入单晶，减少了单晶晶孔的数量，提高了单晶的成晶质量和使用性能。

本发明提供硅晶体、硅晶体缺陷的处理方法及缺陷的表征方法，硅晶体缺陷的处理方法，包括：提供一硅晶体，所述硅晶体内包含自间隙型缺陷；对所述硅晶体执行快速热处理工艺，以至少消除距离所述硅晶体的表面预设距离内的自间隙型缺陷。通过对硅晶体执行快速热处理工艺，能够快速、有效减少乃至完全消除硅晶体中自间隙型缺陷。

公开用于生产硅锭的方法，在其中产生水平式磁场。在锭生长期间调节多个工艺参数，包含坩埚的壁温、一氧化硅(SiO)从坩埚到单晶的运输，及SiO从熔体的蒸发速率。调节所述多个工艺参数可包含控制所述水平式磁场的最大高斯平面的位置、控制所述水平式磁场的强度及控制坩埚旋转速率。

本发明公开了一种单晶炉自动加料及加料过程预警的方法，具体涉及单晶硅制造技术领域，包括S1、加料数据储存，S2、靠近加料，S3、距离传感核对，S4、压力差值开阀，S5、晶炉视觉控制，A1、区间一阶段预警，A2、观察窗台清理，A3、区间二阶段预警，A4、加料法兰清理，A5、预警处理。本发明在PLC控制器上预先记录定固定上轴计长，分段下降上轴行程，PLC控制器自动对比设定剩料量与实际原料重量，核对合格，触碰到副室关限位后下降，当固液比达到视觉检测设定值1：1.85时，单晶炉PLC控制器启动上轴下降进行加料，在进行单晶炉自动加料过程中降低加料异常事故率，避免改动较大，大幅度缩减生产成本。

本发明属于材料改性技术领域，公开了一种二氧化钛改性硫酸钙晶须及其制备方法和应用。制备方法包括以下步骤：以钛酸丁酯溶胶‑凝胶法原位合成纳米二氧化钛溶胶，通过纳米二氧化钛溶胶对硫酸钙晶须进行包覆改性，离心、干燥后得到二氧化钛改性硫酸钙晶须材料。本发明通过纳米二氧化钛溶胶包覆改性硫酸钙晶须，在硫酸钙晶须的表面形成一层纳米二氧化钛薄膜，使硫酸钙晶须具有更好的分散度，并对硫酸钙晶须晶粒大小并无改变，对硫酸钙晶须的形貌、晶型、性能起到了保护作用，包覆改性的硫酸钙晶须具有较强的亲水性，分散性好，提高了水泥石的力学性能，从而也增强了与水泥基材料之间的粘结能力，提高了固井水泥的性能。

本发明提供了一种有机单分子层共晶的制备方法及有机场效应晶体管。所述制备方法包括如下步骤：提供第一Si/SiO2基底；将侧链长度不同的两种BTBT同系物分子溶解在可挥发溶剂中，得到混合溶液；将混合溶液旋涂在第一Si/SiO2基底上，以在所述第一Si/SiO2基底上形成混合分子薄膜；在混合分子薄膜上放置第二Si/SiO2基底，以使混合分子薄膜处于第一Si/SiO2基底和第二Si/SiO2基底之间，得到限域沉积结构；将限域沉积结构置入气相沉积装置中，对气相沉积装置进行加热，从而在所述第二Si/SiO2基底上生长出两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。根据本发明的方案，通过制备得到限域沉积结构以及混合具有不同侧链长度的两种BTBT同系物分子，从而可以制备得到两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。

本发明涉及一种减少半导体外延中氮残留的记忆效应的方法和氮吸附装置。减少半导体外延中氮残留的记忆效应的方法包括如下步骤：步骤一、提供生长腔室、若干半导体衬底和氮吸附装置；步骤二、半导体衬底在所述生长腔室内进行外延生长，并采用氮气作为掺杂源进行掺杂，外延生长结束后将外延片移出生长腔室，生长腔室内残留有氮气；步骤三、将氮吸附装置移入生长腔室，采用氮吸附装置吸附所述生长腔室内残留的氮气，充分吸附之后将氮吸附装置移出所述生长腔室；以及步骤四、将步骤一的半导体衬底移入生长腔室内，之后重复步骤二和步骤三。应用本发明的方法能够减少半导体外延过程中氮残留导致的N型记忆效应。

本发明公开了一种高质量UAs2单晶的双温区气相输运生长方法，涉及晶体生长的技术领域，包括两个部分，第一部分为样品制备前的准备过程，第二部分为双温区气相输运生长过程，第一部分中按U238原料：As原料按原子比1：2.01～2.20进行配料，在放入气相输运管底部；I2作为气相运输剂按3mg/cm3～5mg/cm3进行称量放入气相输运管底部；第二部分中，气相输运管放入双温区管式炉中，气相输运管经过升温处理后在进行保温处理，降温到室温；得到高品质高纯度的单晶产品；本发明使用双温区气相输运法，可以实现厘米级尺寸的大单晶样品；通过适当的前期准备和合理的生长条件，能够获得高质量的单晶样品。

本发明公开了一种拼接式小口径埚帮结构，包括拼接的上埚帮（11）和下埚帮（12），上埚帮（11）为圆筒状结构，下埚帮（12）的下部设有R弧结构（121），R弧结构（121）的底部向埚帮的中部平缓延伸形成埚底延伸部（122），埚底延伸部（122）的中部设有小口径开口（123），小口径开口（123）内采用石墨埚芯（3）填充；下埚帮（12）的下方设有相互配合的埚托（4），埚托（4）正对着埚底延伸部（122）设置，且埚托（4）的长度大于小口径开口（123）的直径。本发明的优点是减小埚帮底部漏硅面积，进而减小漏硅速度，降低漏硅损失，减弱反应气体的腐蚀程度，延长石墨件寿命，降低埚帮使用成本。

本发明公开了一种单晶硅棒的生产方法，所述单晶硅棒的生产方法包括：根据已经完成拉制单晶硅棒的棒次数量、坩埚内剩余硅料量以及拉制过程中断棱线次数来综合判断是否进行尾棒拉料处理，所述尾棒为进行最后一次拉制的硅棒；当判断为是，则进行所述尾棒拉料处理，其中，所述尾棒拉料处理包括：降低拉制尾棒的速度至第一预设速度；对坩埚内的剩余硅料的重量进行检测，当重量小于或等于预设重量时，对尾棒进行提断；分两步停止单晶炉的加热器工作；将尾棒取出。该生产方法通过增加尾棒的结构强度，大大降低了尾棒在单晶炉冷却过程中及拆炉取棒过程中发生断裂掉落的数量比，减少了热场石墨件的非正常损耗，降低了生产成本，保障了安全生产。

本申请公开了一种碳化硅外延片及其制备方法。一种碳化硅外延片的制备方法，用于制备碳化硅外延片，包括：将碳化硅衬底放置于反应腔内；向反应腔内通入惰性气体；使反应腔的温度升温至第一预设温度，执行第一保温步骤；生长缓冲层，缓冲层位于碳化硅衬底的一侧，缓冲层为N型掺杂缓冲层；生长外延层，外延层位于缓冲层背离碳化硅衬底的一侧；将反应腔的温度由第一预设温度降温至第二预设温度，得到碳化硅外延片。本申请提供的一种碳化硅外延片的制备方法，改善了碳化硅外延片的质量。

本发明公开了一种多孔薄膜的制作方法及多孔薄膜，多孔薄膜的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上制作堆叠层，所述堆叠层由至少一组位错产生层和多孔目标层交错叠合而成，所述位错产生层中具有贯穿型位错；在所述堆叠层上形成第一本征层；进行腐蚀操作，获得多孔薄膜。通过在多孔目标层的底部形成位错产生层，位错产生层中具有贯穿型位错，因此位错能够延伸至顶部，有利于电化学腐蚀时溶液的穿透作用，从而产生具有更高孔隙率和层数更少的多孔结构，工艺重复性更好更可控，此外还减小了晶圆翘曲度。

本发明涉及一种全干法固相合成的锶掺杂镍钴锰单晶颗粒及其制备和应用，该锶掺杂镍钴锰单晶颗粒的化学式为LiNixCoyMn1‑x‑ySrzO2，其中0.6≤x≤0.8，0.1≤y≤0.2，0.1≤1‑x‑y≤0.2，0.001≤z≤0.03，其中x+y+z＝1。采用全干法固相合成，首先按照计量比将镍源、锰源、钴源、锶源和锂盐通过球磨机进行破碎混合，随后收集破碎后混合物，并转移至高温炉中煅烧，自然冷却至室温后，将煅烧后产物于研钵中进行研磨分散，即可得到最终产品。与现有技术相比，本发明所采用的全干法固相合成可规避传统液相合成镍钴锰单晶繁琐的工艺和产生的重污染废水问题，具有低成本和绿色环保的优势。并且锶的掺杂助熔作用可实现镍钴锰单晶材料的低温合成，具有小的氧空位及稳固的晶体结构，因此当作为锂离子电池正极材料时，具有快速的充放电过程及优异的循环性能。

本发明提供一种外延设备和防止外延设备的下穹顶沉积污染物的方法，外延设备包括腔体、基座、预热环和阻挡环。腔体包括上穹顶、内衬和下穹顶，腔体设置进气部和排气部，进气部设置在腔体的一侧，排气部设置在腔体与进气部相对的另一侧；基座设置在腔体内，用于承载晶圆；热环围绕基座四周设置，预热环与基座之间形成间隙；阻挡环置于下穹顶的上方，用于阻挡工艺气体穿过间隙沉积在下穹顶的上表面。本发明的外延设备和防止外延设备的下穹顶沉积污染物的方法，通过设置阻挡环能够避免工艺气体沉积在下穹顶影响加热效果，并且阻挡环连接于内衬的最下方，防止阻挡环吸收热量而对晶圆边缘温度产生影响。

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化钽涂层的制备方法和制备装置，碳化钽涂层的制备方法包括在原料堆放区域填充钽粉和硅粉，并将待镀层工件放置于沉积区且置于隔板上；使用加热机构将硅粉和钽粉加热，以生成气态的碳化硅和气态的硅化钽，并使气态的碳化硅和气态的硅化钽穿过通孔移动至待镀层工件的表面反应生成碳化钽涂层。本发明的碳化钽涂层的制备方法不需要使用烃类和炔类物质，进而不容易在加热条件下出现燃爆危险，提高了安全性。

本发明公开了一种电阻率补掺控制方法，具体涉及单晶硅制备技术领域，包括步骤一、计算需求头部目标电阻率所需掺杂剂重量，步骤二、计算其所含掺杂剂重量，并扣除循环料中带入掺杂剂重量，步骤三、计算掺杂剂挥发及分凝，得出预加掺常量，步骤四、计算首投电阻加掺，步骤五、分段计算后得出加掺重量M，步骤六、分档计算后得出原料中掺杂重量m、步骤七、根据加料次数RCZ给定系数，步骤八、根据理论值与产出间存在差异，制定校正量。本发明能够根据单晶炉台差异、不同温度区间挥发不同及循环料中带入掺杂剂影响等因素，对掺杂剂损失量进行精准计算并校正控制，保证晶体产出的电阻均匀性，避免掺杂剂损失或者增加影响晶体最终的电阻率。

本发明提供一种可以使单晶中氧浓度的面内分布均匀的单晶的制造方法、磁场产生装置及单晶制造装置。一边对坩埚(11)内的熔液(2)施加横向磁场，一边提拉单晶(3)的单晶的制造方法，在晶体提拉工序中，配合熔液(2)的减少上升坩埚(11)的同时，配合熔液(2)的减少控制磁场分布，使熔液面(2s)中的磁场方向与坩埚(11)的弯曲底部在内表面的磁场方向从主体部生长工序开始到结束为恒定。

本发明公开了一种Bi‑O‑Se‑Cl四组分半导体材料的单晶生长方法。本发明Bi‑O‑Se‑Cl四组分半导体材料的化学式为Bi10O12SeCl4，晶体的每个原胞中含98个原子，具有两层[Bi12O12Se2Cl]、两层[Bi6O10]和四层[3Cl]沿c轴交替堆叠的层状结构。其生长方法如下：将铋粉和硒粉进行研磨混料然后使其发生固相反应，得到硒化铋；将氧化铋，氯化铋和硒化铋进行研磨混料，得到混合粉料2放入石英管底部，抽真空后封口；将封好的石英管水平放入两温区炉，开始气相输运；两温区炉的热端和冷端分别经梯度升温并进行保温，结束后将两温区炉冷却，即得到Bi10O12SeCl4晶体。本发明Bi10O12SeCl4晶体具有复杂的层状结构，是本征低热导率的候选材料，其生长方法简单可靠。

本发明涉及一种直拉单晶成晶工艺及其应用。本发明旨在通过对备料和熔料工序中的撒钡粉位置、熔料坩埚位置以及熔料功率的变更优化，撒钡粉位置在竖直方向上距坩埚直臂下部以上2/3处，水平位置距坩埚边缘40mm位置处，引放次数最低；熔料坩埚位置在熔料开始时，埚位处于‑50mm，熔料4h时，埚位处于0mm，熔料6h时，埚位处于30mm，熔料后期未熔料块线性尺寸在200～300mm大小时坩埚位置应在30mm处，熔料功率在主加85KW，底加功率在70KW，显著降低首投的引放次数，提升首投引放成活率。

本发明公开了一种确定引晶过程中晶棒光圈区域的方法，包括如下步骤：建立坐标体系，以光圈的灰度图建立坐标体系，X轴为行数，Y轴为列数，图像上的每一点(x，y)对应一个像素值；根据行像素点平均值，确定界面M所在的行数；将界面M所在的行以下的区域处理呈黑色，界面M所在的行以上的区域极为光圈区域。本发明的方法可以大大降低光圈的域值，即使光圈的亮度发生较大的变化，也不会引发误检测，大大提高光圈检测的稳定性，同时可以提高系统的抗干扰性。本方法在对直径以及液面高度测量的计算前期对图像进行除倒影预处理，为后面晶棒生长过程中直径及液面高度测量的稳定性。

本发明提供一种高均匀性硫化锌多晶红外材料的生长方法，通过两步沉积法生长化学气相沉积产品，即低温沉积生长一段时间后再高温沉积生长，并合理控制两阶段生长时的部分工艺参数，可以解决在化学气相沉积过程中产品柱状生长因沉积时间过长，造成的前期生长的产品随着沉积时间的延长造成晶粒长大的问题，所得产品的均匀性好，光学性能较好，因而能够制备出均匀的大厚度多晶产品，可以制备厚度在15mm以上的均匀硫化锌产品。

本发明涉及一种降低重掺单晶硅棒滑移线的工艺方法，先使熔融硅的液面距离石墨导流筒下沿之间的距离控制在40‑60mm之间，接着经过稳定、试温、引晶、放肩、转肩工序后，进入等径后等径长度100mm时拉晶的生长速度控制在低于30mm/H，保持拉晶的生长速度低于30mm/H至等径结束，在长晶的过程中通过降低拉速来控制长晶界面的径向温度梯度小于10开尔文每米，上述方法获得的晶棒内部位错明显降低，降低重掺单晶硅棒外部和内部因位错所出现的大量滑移线，提高了重掺单晶硅棒的制作效率。

本发明公开一种应用于立式外延设备的联动提升机构，涉及晶片制备技术领域；包括位于反应室中心位置处的基座，基座顶部用于装载基板；反应室内壁环设有上保温层，上保温层下部设有能够升降的下保温层；反应室外底部设有联动提升机构，联动提升机构包括提升架，提升架中间位置固定连接有提升电机座，提升架和提升电机座能够通过驱动机构动作进而同步升降，提升架两端固定连接有对称设置的提升座，提升座顶部连接有推杆，两个推杆顶部穿过反应室底板两端对应的通道法兰后基于安装限位结构与支撑块嵌套，支撑块上依次放置有支撑环和下保温层。本发明提供的应用于立式外延设备的联动提升机构，采用一个提升机构动作，能够实现两侧同步提升。

化合物锂锶铅磷酸盐及锂锶铅磷酸盐非线性光学晶体化学式均为Li2Sr0.52Pb1.48P2O8，晶体属于正交晶系，空间群为Pna21，分子量为556.048，晶胞参数为化合物锂锶铅磷酸盐粉末倍频效应约为KDP(KH2PO4)的3.2倍。化合物锂锶铅磷酸盐采用固相反应法合成，其非线性光学晶体采用高温溶液法或提拉法生长。该锂锶铅磷酸盐非线性光学晶体机械硬度较大，易于切割、抛光加工和保存，在制备上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中有望得到广泛的应用。

本发明提供一种高均匀性多晶硒化锌红外材料的生长方法，通过两步沉积法生长化学气相沉积产品，即低温沉积生长一段时间后再高温沉积生长，并合理控制两阶段生长的部分工艺参数，可以解决在化学气相沉积过程中产品柱状生长因沉积时间过长，造成的前期生长的产品随着沉积时间的延长造成晶粒长大的问题，所得产品的均匀性好，光学性能较好，因而能够制备出均匀的大厚度多晶产品，可以制备厚度在大于25mm的硒化锌产品。

本申请提供一种掺有挥发性掺杂剂单晶硅拉晶工艺方法，所述拉晶工艺方法包括在晶体生长的等径阶段单晶炉采用不超过18Torr的低炉压，单晶炉炉内通入氩气流量保持在恒定范围内。本申请实现在较低炉压下进行等径拉晶。通过本申请的工艺方法，可以降低掺有挥发性掺杂剂，尤其是镓的单晶的轴向电阻率衰减斜率，提高其电阻率有效长度。

提供一种包含单晶Ga2O3系基板的半导体基板，其特征在于，包含将包括Ga2O3系单晶的单晶Ga2O3系基板的接合面与包括多晶体的多晶基板的接合面接合而成的接合基板，上述多晶基板是多晶SiC基板、多晶金刚石基板、多晶Si基板、多晶Al2O3基板、多晶AlN基板中的任意一基板，上述单晶Ga2O3系基板的厚度比上述多晶基板的厚度薄，通过遵循JIS R 1607的断裂韧性试验得到的上述多晶基板的断裂韧性值为3MPa·m1/2以上。

本发明提供了一种微制绒抛光工艺，本发明在湿法槽式碱抛中增加一个制绒槽，然后改变背抛工艺，具体表现为在碱抛功能槽之前增加一个微制绒功能槽，在碱抛之前用上述工艺配方进行制绒处理，消除硅片边缘与中间由于单面硼扩造成的掺杂浓度差异带来的材料理化性质的改变，获得边缘与中间塔基大小一致，且分布均匀错落有致的背面形貌，改良背抛后边缘与中间形貌差异造成的效率损失，整体效率提升约0.05%‑0.1%。

本申请提供了一种晶体生长方法及晶体硅，涉及太阳能光伏技术领域，其中，所述方法包括：在熔料完成后，在第一炉压下进行调温；所述第一炉压小于等于3Torr；调温完成后，在第二炉压下进行引晶、放肩、转肩操作；所述第二炉压小于等于所述第一炉压；转肩完成后进行等径生长，且在等径生长阶段，根据掺杂单晶硅的实际等径生长长度，由所述第二炉压开始降低拉晶炉压进行晶体直拉生长。本申请可以减小掺杂元素在掺杂单晶硅轴向浓度分布差异，提高单晶硅轴向电阻率均匀性，同时提高生产效率。

本发明属于体型电光调制器件领域，尤其涉及一种钽铌酸钾晶体及应用其的低电压电光位相调制器。其化学式为KTa1‑xNbxO3，其中，0.1≤X≤0.3，为立方相，且所述钽铌酸钾晶体采用Cu2+、Li+两种离子共掺，掺杂后两种元素在所述晶体中的摩尔含量为Cu：0.001～0.01％、Li：1～3％，所述的钽铌酸钾晶体位于中间，还包括位于所述钽铌酸钾晶体上表面的第一电极、以及位于下表面的第二电极，所述上表面还设置有入射孔，所述下表面设置有出射孔；可以在Nb组分较低的情况下得到居里点在室温附近的晶体，减小了高Nb含量钽铌酸钾晶体生长的困难，将钽铌酸钾的电光系数提高了2～3倍，大幅降低最终元器件的驱动电压，拥有更大的入射角容忍度，更能满足自由空间光通讯应用的需求。

本发明公开了一种提升单晶硅PERC电池发射极方阻均匀性的扩散工艺，扩散工艺中的前沉积步骤采用至少三步梯度变温通源，总变温范围为801～821℃，大N2流量为800～2000sccm，小N2流量为700～1100sccm，O2流量为300～700sccm，扩散炉炉内压强为70～110mbar。采用梯度变温通源扩散法，通过设定合理的O2流量与小N2流量、炉内压强，以及前沉积梯度变温通源，炉管中气流更加均匀、反应更加充分，整体波动性降低，保证了体掺杂浓度分布的阶梯性、均匀性，使电池片体掺杂更为平缓、表面浓度低、结深浅，提升了扩散后发射极方块电阻的片内均匀性，从而提升电池片转换效率。

本申请公开了一种晶体材料及其制备方法和应用，属于光学材料领域。一种晶体材料，所述晶体材料的化学式为2(C3N6H6)·HPF6·H2O；C3N6H6之间通过分子内N‑H···N的氢键连接；(PF6)‑与C3N6H6通过分子内氢键连接形成三维结构。该材料经第一性原理计算显示该晶体具有较大的双折射率。在1042nm下的双折射率为0.222；该双折射晶体材料在200nm～2500nm广谱范围内具有良好的透过率。

本发明公开了用于制备大尺寸Topcon太阳能电池的制绒添加剂及其使用工艺，制绒添加剂包括有以下组分：1.0‑2.0％的非离子表面活性剂，2.0‑10.0％的阴离子聚丙烯酰胺，3.0‑8.0％的分散剂，3.0‑8.0％的无机盐，余量为去离子水。使用工艺包括有以下步骤：制绒添加剂配制、制备碱液、制备碱性制绒液、制绒。本发明的添加剂能在短时间就能刻蚀出2.4‑3μm的金字塔，大大缩短了制绒时间，提高了产线产能，侧面达到降本提效的目的。

本发明提供了一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法，属于碳化硅单晶制备技术领域。本发明提供的大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法中，利用大尺寸低缺陷碳化硅单晶生长装置，以碳化硅粉料为原料，在N型掺杂剂存在条件下基于PVT法进行第一阶段长晶，得到晶锭；以硅粉、碳粉、铬粉和P型掺杂剂的混合物为原料，以所述晶锭作为籽晶，基于LPE法进行第二阶段长晶，得到大尺寸低缺陷碳化硅单晶。采用本发明提供的方法可以生长得到大尺寸低缺陷碳化硅单晶，且可在同一块碳化硅单晶上实现不同类型的掺杂。

本申请公开了一种晶体材料及其制备方法和应用，属于光学材料领域。一种晶体材料，所述晶体材料的化学式为2(C3N6H6)·(C3N6H7)·PF6·H2O；所述晶体材料含有π共轭构筑单元；所述π共轭构筑单元为(C3N6)3‑；所述π共轭构筑单元垂直于c轴；所述π共轭构筑单元呈层状排列。该材料经第一性原理计算显示该晶体具有较大的双折射率。在1020nm下的双折射率为0.2545；该双折射晶体材料在200nm～2500nm广谱范围内具有良好的透过率。

本发明提供一种非晶衬底上高质量AlGaN材料的范德华外延方法，属于半导体技术领域。本发明的方法包括以下步骤：在非晶衬底上转移第一二维材料层并进行处理；在处理后的第一二维材料层上转移第二二维材料层并进行氢化钝化处理；通过范德华外延生长在第一二维材料层和第二二维材料层之间形成二维AlGaN材料预制层；通过同质范德华外延生长，采用两步法生长在第二二维材料层上形成三维AlGaN材料薄膜。本发明采用两层二维材料进一步缓解非晶衬底对外延层的影响，大幅降低应力与位错，提高晶体质量，为AlGaN基光电器件的大面积应用提供了帮助，具有工艺简单，效果显著，应用前景广阔等优点。

本发明提供了一种高质量碳化硅单晶衬底，所述高质量碳化硅单晶衬底在显微镜暗场模式下观察，且所述观察是在10倍物镜及以上放大倍数状态，亮点的密度小于10cm‑2。与现有技术相比，本发明提供的碳化硅单晶制备的衬底的内部缺陷密度很低，在该种碳化硅单晶衬底上制备器件时，一方面器件的良率很高，另一方面制备获得的器件的性能指标优异。

本发明提供了一种超长钙钛矿单晶线的制备方法，所述制备方法包括：将钙钛矿AaBbXc的前驱体溶液滴加到堆积的多孔气凝胶上，静置，然后将多孔气凝胶置于通风环境中生长，得到所述超长钙钛矿单晶线。所述制备方法简单、成本低廉、能耗低，可以合成不同元素掺杂的钙钛矿单晶线，制备的为单分散、可转移的钙钛矿单晶线，其长度为0.5‑3mm、厚度为30nm‑30μm，形貌呈矩形，表面光滑平整。

本申请公开了一种晶体材料及其制备方法和应用，属于光学材料领域。一种晶体材料，所述晶体材料的化学式为4(C3N6H6)·HPF6·4H2O；C3N6H6之间通过分子内N‑H▪▪▪N的氢键连接；(PF6)‑与C3N6H6通过分子内氢键连接形成三维结构。该材料经第一性原理计算显示该晶体具有较大的双折射率。在1042nm下的双折射率为0.241；该双折射晶体材料在200nm～2500nm广谱范围内具有良好的透过率。

本发明涉及一种大直径硅单晶及其制造方法。大直径硅单晶的制造方法依次包括硅料熔融工艺、引晶工艺、等径工艺和收尾工艺，在硅料熔融工艺与引晶工艺之间还设有浸泡工艺，浸泡工艺中的加热功率为引晶工艺中的加热功率的105%~130%。经过试验验证，应用本发明技术方案的大直径硅单晶的制造方法，能够有效去除在坩埚的内壁上形成的气泡，避免残留的气泡流入生长的单晶中，从而有效降低针孔发生率，改善大直径硅单晶的质量，有利于应用。此外，本发明还涉及一种采用上述大直径硅单晶的制造方法制造得到的大直径硅单晶。

本发明涉及一种用于分子束外延锑化镓衬底的表面处理方法，属于半导体晶片抛光技术领域。本发明所述的处理方法包括以下步骤，利用中性去蜡液对化学机械抛光后的锑化镓晶片进行去蜡处理；后利用酸性腐蚀液对半产品进行腐蚀处理；所述酸性腐蚀液按体积分数计，包括以下组分：盐酸溶液20%‑30%、硝酸溶液1%‑10%、硫酸溶液0.5%‑1%、余量为有机酸溶液。本发明所述的方法对GaSb表面金属杂质、有机污染物、自然氧化物进行有效的清洁；提高了GaSb表态元素的稳定性，使GaSb表面自然氧化层得到有效控制。湿法化学处理具有可控性好、表面清洁和可重复性好的独特优点。

本发明提供了一种单晶型三元材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括：(1)将锂盐、镍盐、钴盐、M盐和熔融盐混合，得到混合溶液；熔融盐包括KNO3、NaNO3、KCl、NaCl、K2SO4和Na2SO4中的任意一种或至少两种的组合，M盐包括锰盐和/或铝盐；(2)将混合溶液进行喷雾热解，得到单晶型前驱体；(3)将单晶型前驱体进行烧结，得到单晶型三元材料。本发明通过采用熔融盐辅助的喷雾热解法，可简单快速制备出高度均匀分散的单晶型前驱体，同时在前驱体的制备过程中加入锂盐，省去传统锂化过程的固相混合研磨，加快锂化速度，最终采用简短的流程、较低的能耗和成本制备得到具有更优电化学性能的单晶型三元材料。

本发明公开了一种高温高压下钙掺杂的高含水锌铁尖晶石单晶制备方法，所述方法包括：以固态碱式碳酸锌无机化合物粉末、固态透明红褐色的薄片状柠檬酸铁(III)晶体、固态的草酸粉末、固态硬脂酸钙粉末、固态的氢氧化锌粉末、固态的熟石灰粉末和液态的稀硝酸作为起始原料制备出圆柱体锌铁尖晶石样品；采用重量比4:1的氢氧化锌粉末和熟石灰粉末作为水源制备出水源片；将圆柱体锌铁尖晶石样品和两片水源片依次密封在内层套管–石墨管后进行高温高压反应得到高含水锌铁尖晶石单晶；彻底解决目前的高温高压条件下钙掺杂的高含水锌铁尖晶石大颗粒单晶的制备技术空白，以获取大颗粒的钙掺杂的高含水锌铁尖晶石单晶的实验样品。

本发明涉及人造金刚石生产技术领域，公开了一种大颗粒金刚石晶片合成用生长装置，包括合成座，所述合成座上端固定安装有合成箱，合成箱上端安装有固定筒，固定筒内部滑动安装有微波柱，微波柱底部安装有微波头，所述合成座上端一侧固定安装有支撑架，支撑架上安装有用于调节微波头在固定筒内部位置的聚焦调节机构，所述合成座上还设置有用于往微波头内部输入微波的微波发生机构。本发明，结构合理，设计新颖，通过设置的聚焦调节机构使得微波头在固定筒内部的位置可以发生改变，进而使得照在金刚石晶种上的微波聚焦位置得到修正，最终使得晶种周围能够稳定形成电浆球，大大提高人造金刚石的合成生长效率，实用性强，可靠性高。

本发明公开一种蒙砂效果蓝宝石玻璃手机壳及其蚀刻制作方法，制作方法包括以下步骤，将蓝宝石玻璃进行清洗，然后放入到饱和氢氧化钠溶液中密封煮沸，再放入由磷酸、氟铝酸钠、甘油、磷酸三钠和水组成的蚀刻乳浊液中，进行左右摆动蚀刻；最后从蚀刻液中取出，然后用纯水清洗干净并风干即可。根据蓝宝石玻璃的特性，选用碱性蚀刻工艺对蓝宝石玻璃进行蚀刻，采用强碱在高温状态下对蓝宝石玻璃进行蒸煮，让表层氧化铝结构受到侵蚀，生成氢氧化铝，然后在一定比例的氟铝酸钠与酸性物质及添加剂组成的蚀刻乳浊液的作用下，在蓝宝石玻璃表面形成微米级的蚀刻凹痕，这些凸凹不平的蚀刻凹痕层增加表面粗糙度，完成了对蓝宝石玻璃的蒙砂蚀刻效果。