晶体生长

本发明公开了一种多晶金刚石的生长方法，其包括如下步骤：获取预处理后的钼衬底；预处理是指降低钼衬底粗糙度的处理；对钼衬底进行图案化处理，获得第一结构层；在第一结构层上涂抹金刚石粉溶液，获得第二结构层；在第二结构层上外延生长多晶金刚石。本发明中的方法，能够实现高质量多晶金刚石的生长。

本发明实施例公开了一种用于监测晶线的生长的监测系统和监测方法，所述监测系统包括：数据获取单元，用于获取正被拉制的晶棒上生长出的晶线的实时状态信息；判定单元，用于将所述实时状态信息与正常状态信息进行对比，并且当所述实时状态信息与所述正常状态信息不一致时判定所述晶线的生长出现异常，其中，所述正常状态信息为所述晶棒满足品质要求时生长出的晶线的状态信息并且与所述实时状态信息的属性相同，报警单元，用于当所述判定单元判定出所述晶线的生长出现异常时发出晶线异常警报，以对所述晶棒的拉制操作进行干涉。

本发明涉及一种拉晶过程中便于测量大直径晶棒的主炉室炉盖，包括盖体，盖体上设置喉口、第一观察窗和第二观察窗，第一观察窗、第二观察窗和喉口成品字状设置在炉体上，第一观察窗上设置第一刻度尺和第一支架，第一目镜以滑动方式设置在第一支架上并能够通过第一观察窗观察单晶炉内部，第二观察窗上设置第二刻度尺和第二支架，第二目镜以滑动方式设置在第二支架上并能够通过第二观察窗观察单晶炉内部，第一刻度尺的零刻度线和第二刻度尺的零刻度线相互靠近设置。通过第一目镜对准熔融硅液面处晶棒的一侧后读取数值L1，第二目镜对准熔融硅液面处晶棒的另一侧读取数值L2，然后将三个数值相加获得晶棒的直径数值。

本发明公开了一种小型单晶炉拉晶工艺，包括：在拉晶过程中，增大氩气流量，炉压保持不变，持续开启底加热器。本方案通过两方面的工艺优化，不仅有助于解决了小型单晶炉技改热场后挥发物易堆积堵塞管道的问题，而且还会对等径后期的断线有一定效果改善，并且该工艺还具有简单易行、成本较低等特点。

本发明公开了一种大尺寸的双钙钛矿结构单晶材料及其制备方法，属于钙钛矿单晶材料技术领域，结构通式为AB1B2X，其中A选自Na、K、Rb、Cs、Ca；B1选自Ag、In、Sb、Sn、Li、Cu、Ni、Pd、Pt；B2选自Bi、Pb、S、Y、La、Fe、Zn；X选自Cl、Br、I，制备方法包括：将构成双钙钛矿结构晶体的原料置于经真空烧结的石英瓶内，并在布里奇曼炉的高温度区域加热得到共熔体；将共熔体沿纵轴线方向缓慢向下方低于共熔体熔点的低温区移动，使共熔体凝固结晶，缓慢冷却至室温，制备的双钙钛矿结构类型晶体具有尺寸大、硬度高、缺陷少的特点，便于加工用于光电器件等优点。

本发明公开了一种掺磷、掺砷单晶改善轴向电阻率均匀性的工艺方法，包括以下步骤：将炉体内的热屏的下端开口直径设置为300‑360mm，将炉体拆开，记录籽晶的初始位置的底部与热屏的下端开口平面之间的第一距离；生产前根据之前记录的第一距离将籽晶下降至底面与热屏的下端开口齐平的位置，再下降第二距离，炉体内盛放有溶液的埚位上升，直到籽晶的底面与溶液刚好接触；开始拉晶，籽晶向上移动拉近籽晶底面与热屏的下端开口之间的距离，在拉晶的同时控制炉内的压强。本发明可以解决现有技术中轴向电阻率偏高的问题，可以将轴向电阻率偏差控制在15％以内。

本发明涉及到一种防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备及金刚石制备方法，其中防止MPCVD设备内部放电的装置包括：屏蔽环，所述屏蔽环的下部与MPCVD设备的水冷台相适配，所述屏蔽环的上内侧壁与所述MPCVD设备上的基片台的上表面贴合，所述屏蔽环的竖向内壁覆盖所述水冷台与所述基片台之间的缝隙。本申请提供的防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备及金刚石制备方法，能避免基片台与水冷台的下方容易出现放电的情况，使得MPCVD设备内部的温度场和等离子体密度分布均匀，提高金刚石稳定生长过程中等离子体的稳定性，进而提高金刚石的生长质量。

本申请涉及半导体材料制备领域，公开了一种颗粒料的装料、熔料及复投的方法，装料、熔料的过程包括如下步骤：将第一质量的颗粒料铺置于坩埚底部；在所述第一质量的颗粒料上方装入块料，所述块料与所述坩埚侧壁之间留有间隔空间；在所述间隔空间内以及所述块料的上方铺置碎料，以使所述碎料完全覆盖所述块料和所述第一质量的颗粒料；其中，所述块料的等效直径大于所述碎料的等效直径大于所述第一质量的颗粒料的等效直径；熔料。本申请的方法在加料时，块料和碎料会覆盖于颗粒料之上，压住了颗粒料，从而极大程度上减缓了氢跳现象的发生。

本发明公开了一种使用电化学溶液法制备铁氮磁性材料的方法及装置，所述方法以纯铁或铁颗粒为阳极，以除纯铁或铁颗粒之外的导电型材料为阴极，以LiCl、KCl、NHOH、LiN中的一种或几种的水溶液为反应溶液，向阴极通入氮气，在‑40℃到+100℃温度的搅拌条件下，在0‑24V的直流电压和0‑6安培的直流电流下进行电化学反应，在阴极上淀积铁氮磁性材料。本发明提出的电化学溶液法，用来快速生长铁氮单晶材料，该方法具有低成本、快生长速度、高质量、大面积等优点。

本发明公开了一种钛酸钠镁片状晶须的制备装置，包括底板，所述底板的顶部通过轴承座活动连接有活动板，所述活动板的内侧贯穿安装有传动杆，所述传动杆的一端安装有从动齿轮，所述传动杆的另一端通过连接座固定安装有球磨箱体；所述底板的顶部通过轴承座活动连接有第一调节杆，所述第一调节杆的顶端安装有支撑板，所述支撑板的一侧安装有从动杆。本发明通过安装有第一调节杆和第二调节杆，在下料时出料口向下同时第一调节杆和第二调节杆进行伸长收缩，使得球磨箱体震动，同时使得物料顺利由高处向低处移动，将物料输送到接料桶的内部，方便装置下料，避免物料残留在装置的内部，影响下次的生产质量。

本发明公开一种金刚石/金属基复合材料制备方法及应用，所述一种高导热金刚石/金属基复合材料包含金刚石增强体、金属基材料，所述金刚石增强体包含金刚石、金刚石表面改性层，所述金刚石表面改性层从内至外依次包括金刚石过渡层，掺杂金刚石外壳层。其制备方法是采用气体压力辅助熔渗工艺技术，以高纯气体为压力源，作用在熔融液态金属基表面，实现金刚石与金属基材料高密度复合；本发明能够有效地克服渗透过程中的毛细管力，实现高压渗流成型，使材料导热系数高，热膨胀系数可调，均匀性更好，可靠性更高。

本发明公开了一种紧凑型超高温加热台及设备，该超高温加热台包括安装法兰、两根支撑杆和样品台，每根支撑杆的一端连接样品台，另一端固定在安装法兰上；样品台内置加热源，以对样品台上的样品加热；每根支撑杆的内部中空而形成冷却液通道，样品台内开设有同时连通两个冷却液通道的空腔，两根支撑杆的伸出安装法兰的端部分别为冷却液的进口和出口。本发明的支撑杆兼做水冷管，利用其将样品台固定在安装法兰上的同时，还提供冷却液的传输通道，使得超高温的样品台可以安装在尺寸更小的法兰基座上，有利于提高结构的紧凑性。与此同时，本发明还采用电子束反射聚焦结构，提高了加热效率，实现达到2000K高温指标的同时满足CF35等小尺寸法兰安装的要求。

本发明公开一种快速去除碳化硅外延过程中晶片背面沉积物的方法。包括以下步骤:S1）衬底晶片的预处理：将碳化硅单晶衬底晶片的背面（非外延生长面）进行清洗、氢气刻蚀和/或抛光预处理；S2）金属层的形成：采用磁控溅射法，将金属或合金沉积到碳化硅单晶衬底晶片的背面上，形成一层金属层；S3）碳化硅外延晶片的形成：通过化学气相沉积法，在碳化硅单晶衬底晶片的外延生长面上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延晶片；S4）金属层的去除：通过溶剂腐蚀的方式去除碳化硅外延晶片背面的金属层，以及附着在金属层表面的沉积物。采用本方法后，晶片背部沉积物的去除工艺时间大大减少，能有效提高生产效率，有利于碳化硅外延晶片的成本控制。

本发明公开了一种超长四钛酸钾晶须的制备方法，包括：将含钛原料和含钾原料按照TiO/KO的摩尔比＝2.5～3.5:1混合，再加入添加剂和溶剂，混合，烘干，粉碎，过筛，得到混料粉体；混料粉体进行烧结，烧结产物用水分散，烘干，得到超长四钛酸钾晶须。本发明方法整个工艺流程操作简单，生产周期短，成本低，适合工业化生产。制备的四钛酸钾晶须形貌均匀，尺寸为：晶须直径D＝0.5～2μm，长度L≥100μm，L/D＝100～400。与不添加任何添加剂或溶剂相比，本发明方法制备的四钛酸钾晶须品质更优，四钛酸钾长径比更细长。同时，烧结后的产物结构疏松，将烧结产物用水分散，烘干后即可得到超长四钛酸钾晶须。

本发明实施例公开了一种精准调整ADC相机的方法、装置、设备及计算机存储介质；所述方法包括：在当前单晶硅棒拉制前，通过分别比较所述当前单晶硅棒与上一炉单晶硅棒对应的热场配件的变化，获取直径自动控制ADC相机距离熔体固液界面的高度变化值；基于所述高度变化值与所述ADC相机的水平位移量之间的几何关系，根据所述高度变化值，获取所述ADC相机的水平位移量；根据所述ADC相机的水平位移量，水平移动所述ADC相机至目标位置。

本发明实施例公开了一种氮掺杂硅熔体获取设备、方法及氮掺杂单晶硅制造系统，所述获取设备包括：制粒装置，所述制粒装置用于利用多晶硅原料块制备粒径均匀的多数量的多晶硅颗粒；反应装置，所述反应装置用于使所述多数量的多晶硅颗粒与氮气发生化学反应以获得相应的多数量的反应颗粒，其中，所述化学反应使每个多晶硅颗粒的表层生成为氮化硅，使得每个反应颗粒包括多晶硅核心和包裹所述多晶硅核心的氮化硅覆层；熔化装置，所述熔化装置用于将所述多数量的反应颗粒熔化以获得包括硅原子和氮原子的所述氮掺杂的硅熔体。

本公开提供一种碲锌镉晶体的生长方法，其包括步骤：步骤一，将碲锌镉多晶块中封入镉粒；步骤二，将多个封入有镉粒的碲锌镉多晶块装入坩埚中；步骤三，对坩埚中的所述多个封入有镉粒的碲锌镉多晶块施加中频感应，直至坩埚中全部封入有镉粒的碲锌镉多晶块熔化，以形成熔体；步骤四，维持对熔体施加中频感应，采用坩埚下降法开始晶体生长直到晶体生长结束；步骤五，晶体生长结束后，停止中频感应，降温至室温并取出碲锌镉晶体。碲锌镉多晶电阻率很高，塞入的镉粒在中频感应下熔化、升温并熔化附近的碲锌镉多晶，产生碲锌镉熔体，进而熔体对流被增强，能够获得单晶比例高位错密度地的高质量的碲锌镉晶体。

本发明涉及激光材料技术领域，尤其涉及一种铕掺杂硼酸盐激光晶体材料及其制备方法和应用。本发明提供的铕掺杂硼酸盐激光晶体材料的化学式为：(EuLa)CaBO，其中，x的取值范围为：0.001≤x≤0.999。与现有技术相比，本发明具有以下优势：将铕离子掺杂在所述硼酸钙镧晶体中后，具有宽的吸收和荧光光谱，可实现高效的560～720nm波段的大功率激光输出，并且此材料具有良好的非线性光学效应，高的激光损伤阈值。

本发明公开了一种助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统及方法。所述系统包括助熔剂法氮化物单晶生长设备，以及，所述的系统还包括N等离子体发生器，所述的N等离子体发生器至少用于：对所述氮化物单晶生长所需的籽晶和/或衬底进行N等离子体处理，以使所述籽晶和/或衬底表面产生缺陷位点；和/或，提供N等离子体作为所述氮化物单晶生长所需的氮源。本发明实施例提供的一种提升氮源溶解度的助熔剂法氮化物单晶均匀化生长的方法，采用氮等离子体发生器产生氮等离子体，然后利用氮等离子体处理籽晶/衬底，并且利用氮等离子体发生器产生氮等离子体作为氮源，从而能够同时提升氮化物单晶的生长均匀性以及晶体生长质量。

本发明涉及晶体材料生长领域，具体的涉及一种基于坩埚下降法生长晶体的自动控制装置及控制方法，包括以下步骤：步骤一：将晶体生长的原料放入坩埚中，控制垂直升降机构运行到原始位置；步骤二：通过信息输入器输入晶体生长工艺参数；步骤三：开启自动运行控制器与伺服控制器进行通讯，将相应参数输送到伺服控制器，通过伺服控制器对伺服电机进行控制；步骤四：温度感应器和位移感应器的实时数据被信息采集器实时采集；步骤五：程序运行结束后，待炉体内温度降至室温，通过垂直升降机构调节坩埚在炉体内的位置，将晶体取出。通过自动控制装置及控制方法，晶体生长操作控制更加简单方便、自动化程度高。

本发明公开了一种颗粒硅直接用于CCZ直拉法制备单晶硅的装置，包括单晶炉及颗粒硅加料装置，单晶炉包括炉体，炉体中设石英坩埚，石英坩埚外设第一加热器，石英坩埚上方设导流筒，炉体内设保温筒，保温筒包括上保温筒及下保温筒，上保温筒上设有石墨大盖，导流筒装配在石墨大盖的通孔内，导流筒内设有水冷屏，下保温筒下设护底压板，炉体的底端设加热电极，炉体内还设有熔料坩埚、物料管道、第二加热器及气固旋风分离器，颗粒硅加料装置包括颗粒硅料筒、石英料管、进气口及出气口，石英料管通过送料管道及阀门与气固旋风分离器连接；通过对正常单晶炉的简单改造实现了颗粒硅在单晶硅行业中的直接加入使用，单晶硅的拉制成本降低，制备方法简单易行。

本发明涉及半导体闭管扩散技术领域，特别是涉及一种扩散工艺中的自动扩散装置及其使用方法，包括，PLC控制台、推拉机构、冷却风干机构和扩散炉；所述PLC控制台与所述推拉机构、冷却风干机构和扩散炉电连接；所述推拉机构，根据PLC控制台的指令将所述推拉机构装载的封闭真空石英管送入或者送出扩散炉；所述冷却风干机构，根据PLC控制台的指令对所述推拉机构装载的封闭真空石英进行冷却和风干；所述扩散炉，根据PLC控制台的指令对扩散炉进行加热；整个工艺过程几乎完全是自动控制，操作简单，极大程度上避免了人为操作失误发生危险的可能，且自动计时的时间精确度极高保证，对每次冷却时间和冷却位置可以根据现场动态情况实时自动判断并得到精确控制，这样可以优化外延片扩散的均一性和一致性。

本发明公开一种通过丘克拉斯基(Czochralski)方法生长具有减小的直径偏差的单晶硅锭的方法。

碳化硅衬底具有第一主面、第二主面和倒角部。第二主面位于与第一主面相反侧。倒角部与第一主面和第二主面各自连接。所述碳化硅衬底的最大直径为150mm以上。倒角部的表面锰浓度为1×10原子/cm以下。

本发明属于单晶生长领域，公开了一种Ho：BYF单晶生长用气氛系统，结构为：液氮源连接液氮气化装置，高纯氧源和液氮气化装置连接气体混合装置进气口；液氮源中的液氮经液氮气化装置气化后通入气体混合装置，高纯氧源中的高纯氧通入气体混合装置，气体混合装置中的气体通入单晶炉形成流动气氛，单晶炉内产生的氮元素的氧化物气体通入尾气处理装置进行处理后排入大气。本发明采用流动气氛生长系统，能够利用炉内气体的流动调节生长界面附近的热量传输，优化温场，带走挥发性杂质，进而提高晶体生长质量；该系统不需要非常高的真空度，可利用流动气体将空气排出系统，形成气氛保护，能够解决晶体在中低温段冷却缓慢等缺点。

本发明公开了一种新型HVPE法生长氮化镓单晶的炉体结构，包括：存放腔体，加热腔，操控室，生长炉体，气体控制系统以及尾气处理系统，存放腔体，包括有顶壁、及侧壁，顶壁开设有圆通口，存放腔体内容设有炉底盖、及升降装置，炉底盖设有上开口，升降装置是驱动炉底盖选择性地向上移动使其上开口趋近靠合于顶壁的圆通口、或向下移动远离顶壁的圆通口；加热腔，设置于存放腔体的顶壁上方，加热腔设有下开口，下开口是对应罩合于顶壁的所述圆通口上；所述操控室并排设置于所述存放腔体的侧壁一侧，所述侧壁上开设有一隔离门，所述隔离门是选择式地关闭以隔绝所述操控室与所述存放腔体之间、或打开以连通所述操控室与所述存放腔体之间。

本申请公开一种半绝缘单晶碳化硅粉末的制备方法，其包括：提供半绝缘单晶碳化硅块材，其中半绝缘单晶碳化硅块材具有第一硅空缺浓度，第一硅空缺浓度大于5E11cm^‑3；细化半绝缘单晶碳化硅块材，以获得半绝缘单晶碳化硅粗颗粒，其中半绝缘单晶碳化硅粗颗粒具有第二硅空缺浓度以及第一粒径，第二硅空缺浓度大于5E11cm^‑3，第一粒径介于50um至350um之间；自体撞击半绝缘单晶碳化硅粗颗粒，以获得半绝缘单晶碳化硅粉末，其中半绝缘单晶碳化硅粉末具有第三硅空缺浓度以及第二粒径，第三硅空缺浓度大于5E11cm^‑3，第二粒径介于1um至50um之间。

根据本申请实施例公开的一种高纯度半绝缘单晶碳化硅晶片，包括单一多形体的单晶，所述高纯度半绝缘单晶碳化硅晶片内具有硅空缺，其中硅空缺浓度大于5E11cm^‑3。

本申请涉及一种半绝缘单晶碳化硅块材以及粉末，包括单一多形体的单晶，半绝缘单晶碳化硅块材内具有硅空缺，其中硅空缺浓度大于5E11cm^‑3。

本发明申请属于晶体制备技术领域，具体公开了一种助熔剂法晶体生长在线补充物料系统，包括控制模块、投料模块、输送模块、储料模块、传感器模块、坩埚、生长炉；控制模块与投料模块、储料模块均电信号连接；控制模块负责系统的运行参数控制。本发明主要用于晶体生长补充物料，解决了现有技术中助熔剂法晶体生长过程出现物料不足而无法得到大尺寸晶体的问题。

本发明的III族化合物基板的制造方法，其特征在于：其是通过气相生长法使III族化合物的晶体(1)在载置并固定于基座(2)的晶种(3)上生长的III族化合物基板的制造方法，在基座(2)和晶种(3)的至少一者的构件中使用可剥离的具有劈开性的物质。III族化合物基板，其特征在于：其是通过本发明的III族化合物基板的制造方法制造的。根据本发明，可提供III族化合物基板的制造方法和通过该制造方法制造的基板，该制造方法可有效利用气相生长法的特长、即高成膜速度的特长，同时以低成本得到更高品质的大型GaN晶体基板。

在一个方面，本文描述了制造经涂覆的制品的方法。在一些实施方案中，方法包括提供基体，和通过化学气相沉积(CVD)和/或物理气相沉积(PVD)在基体的表面上方沉积涂层，所述涂层包含至少一个多晶层，其中选择一个或多个CVD和/或PVD条件来诱导多晶层的一种或多种性质。通过二维(2D)X‑射线衍射分析来量化多晶层中所述一种或多种性质的存在。

发明涉及的多晶硅棒的晶界特征为：距离多晶硅棒的截面中心2/3的区域中除硅芯以外的区域的平均对应晶界比例超过20％，晶界宽度超过550mm/mm，随机晶界宽度不超过800mm/mm。

本发明提供一种拉制低光衰单晶的工艺，在装料时，将多晶硅原料与掺杂剂装入坩埚内，进行直拉单晶；以及，在稳温至等径阶段，采用高晶转工艺，高晶转工艺为晶转大于10rpm；拉制多颗短段单晶。本发明的有益效果是采用直拉法进行单晶的拉制，在拉制单晶过程中，在拉制初始及复投、炉台异常时，加入掺杂剂，同时，在稳温至等径阶段，采用高晶转工艺进行单晶的拉制，并采用自动转肩工艺和多颗短段单晶拉制工艺，减少单晶的RRV不良，降低单晶衰减率。

本发明涉及柔性单晶超导薄膜的制备方法，包括提供单晶的氟晶云母；将所述单晶的氟晶云母作为基片，过渡金属作为靶材，氮气作为反应气体，真空条件下，采用反应溅射方法于所述基片上外延生长过渡金属氮化物薄膜，得到超导薄膜，其中，所述反应溅射方法中，所述基片的温度为700℃‑900℃，所述氮气的流量为2sccm‑10sccm，所述过渡金属氮化物薄膜为单晶薄膜；对带有所述过渡金属氮化物薄膜的所述基片进行减薄，使所述基片的厚度小于等于50μm，得到柔性单晶超导薄膜。本发明实现了柔性和单晶性兼备的超导薄膜的制备。本发明还涉及一种柔性单晶超导薄膜和使用该柔性单晶超导薄膜的超导器件。

本发明公开了一种氮化镓外延片及其外延片的生长方法，包括：衬底层、缓冲层、多晶氮化镓层、超晶格缓冲层，单晶氮化镓层和氮化镓外延片，将蓝宝石作为衬底层，在衬底层上生长缓冲层，在缓冲层上生长多晶氮化镓层，在多晶氮化镓层上生长超晶格缓冲层，在超晶格缓冲层上生长单晶氮化镓层，单晶氮化镓层的厚度均大于多晶氮化镓层的厚度和超晶格缓冲层的厚度，最后在所述单晶氮化镓层上生长氮化镓外延层。本发明采用缓冲层和多晶氮化镓层，释放来自晶格失配产生的应力，超晶格缓冲层不仅可以缓冲应力，还可以提高晶格质量，单晶氮化镓层可以提到氮化镓外延片的质量，减少位错密度，从而形成高质量的氮化镓外延层。

本发明提供一种承载装置及气相外延设备，属于半导体设备技术领域，该承载装置用于在前置真空腔室和反应腔室之间传输工件，前置真空腔室内设置有第一平移驱动机构，承载装置包括托盘组件、第二平移驱动机构和连接件；第二平移驱动机构设置在托盘组件的背面，第二平移驱动机构通过连接件可移动地设置在第一平移驱动机构中；并且，第一平移驱动机构驱动托盘组件沿第一方向平移，第二平移驱动机构驱动托盘组件沿第二方向平移，第一方向与第二方向不同。本发明的承载装置可使托盘组件在不同的方向平移，实现了反应腔室内维护所涉及工件的一次性进出，大大提高了工作效率，也降低了因多次进出而导致的工件破损的风险。

本发明公开了一种纳米复合钇钡铜氧超导块材生长过程中阻止顶部籽晶移动的方法。通过在模具的垫片上粘贴一小块粗糙塑料圆片，压块后可得到带有顶部圆坑的固相块，而且圆坑具有粗糙的底面，可有效阻止其内薄膜籽晶的移动。该操作非常简单，但能有效解决薄膜籽晶在热处理过程中移动的问题，降低了实验的不可控性，提高了稳定性和成品率。本发明可推广到Nd、Sm、Gd等其他系列超导块材的制备工艺中，也可推广到传统熔化生长方法中。

本申请属于超硬材料制造技术领域，具体涉及一种六方氮化硼单晶生长方法。该方法包括原料预处理、压制、合成等步骤。本申请所提供的六方氮化硼单晶生长方法，合成制备时，其合成压力较低、合成效果稳定、合成效率较高，且合成的六方氮化硼单晶的尺寸可控，晶粒尺寸、厚度分布范围均匀，能够有效生长出高质量大尺寸的六方氮化硼单晶，适合工业化生产应用。

本发明公开一种钙钛矿CsPbX纳米晶及其制备方法和应用。该制备方法包括：在惰性氛围下，加热具有等效化学计量比的金属卤化物APbX前驱体溶液，其中A为H和/或DMA离子，X为一种或多种卤素，加入铯前驱体溶液到混合溶液中，进行反应并迅速冷却，得到CsPbX纳米晶。采用易制备、易保存的APbX化合物作为铅和卤素源，合成的CsPbX纳米晶缺陷少，避免了卤素缺陷导致钙钛矿结构受光、热、氧和水的影响而降解，展现了优异的物化稳定性，并且进一步提高纳米晶的发光效率。该方法原料便宜易得、制备简单，得到的纳米晶更稳定、实验重现性好，适合工业化推广制备。