晶体生长

本发明公开了一种单晶硅制备方法，包括以下步骤：获取放肩过程中历史放肩数据，历史放肩数据包括第一放肩时长、第一放肩长度和第一放肩直径；将历史放肩数据进行筛选，得到筛选后的历史放肩数据，将筛选后的历史放肩数据构建拟合模型；获取当前实际放肩数据，当前实际放肩数据包括第二放肩时长、第二放肩长度和第二放肩直径；将当前实际放肩数据输入至拟合模型，得到加热器功率修正值，根据加热器功率修正值和第一加热器功率的增量，得到第二加热器功率的增量。本发明通过改变原有的放肩参数设计理念，优化了放肩参数和放肩闭环控制系统，提升了放肩工序的自动化水平，减少了放肩断苞、断棱的现象，提高了晶棒的品质及生产效率。

本发明公开一种基于人工智能对拉晶工艺参数进行自动调节的拉晶方法及系统，包括：采集炉台内晶棒的等径状态相片并进行数据标注，得到标注等径状态相片；根据标注等径状态相片对计算机进行深度学习，得出不同长度晶棒的最佳状态，并建立变元函数，从而得到拉晶识别模型；拉晶开始时AI自动检测晶棒状态；符合标准，则保持当前的拉晶工艺参数进行拉晶，同时拉晶识别模型继续进行判断，直至拉晶结束；不符合标准，则根据变元函数对当前的拉晶工艺参数进行调节，直至晶棒状态恢复到标准状态后，按照标准拉晶工艺参数进行拉晶，同时拉晶识别模型继续进行判断，直至拉晶结束。本发明达到使整个拉晶过程省时省力，并且完全消除异常的目的。

本发明属于单晶金刚石表面修复技术领域，具体涉及一种修复大尺寸金刚石单晶片表面裂纹的CVD方法。本发明的方法以大尺寸金刚石单晶片作为晶种，采用CVD法对晶种内部延伸至表面的裂纹进行修复，晶种表面经过H‑O等离子高温刻蚀后，通过对CH4和N2通入量和保温时间的调整，对裸露在晶种表面的裂纹“沟槽”进行填充，同时利用金刚石的横向外延生长，实现晶种表面质量的改善，进而达到对裂纹修复的目的。该方法直接解决了大尺寸金刚石单晶片因存在表面裂纹而不利于生长的难题。当外延层达到一定厚度后，可通过激光切割将其分离并制成新晶种，且新晶种表面质量良好，证明该修复工艺的有效性和稳定性，具有较高的应用前景和经济价值。

本发明实施例涉及一种高镍单晶材料及其制备方法和应用，制备方法包括：将部分或者全部锂源与镍前驱体混合得到混合物；在富氧气氛下，将混合物于150‑500℃下预热保温2‑5h，再升温至低温段600‑750℃烧结2‑15h，得到高镍多晶材料；根据唯象动力学关系G∝exp(‑Q/RT)t1/n和缺陷浓度与缺陷生成能、温度之间的关系确定烧结温度和保温时间，将高镍多晶材料以10℃/min‑30℃/min继续升温至所述烧结温度，在所述烧结温度下维持保温时间得到高温烧结材料，之后降温；根据热力学稳定性与离子扩散系数D的计算公式D＝(1/2d)a2ν0exp(‑EA/kBT)确定混排控制烧结的温度与时间，将高温烧结材料在所述混排控制烧结的温度下进行混排控制烧结，得到所述的高镍单晶材料；高镍单晶材料中，锂镍混排率在4％以下。

本发明公开一种直拉单晶硅主抽管道及提高其气体流速的方法，包括：获取抽气管道的内径；确定多个椭圆形挡板的安装角度，并根据安装角度和内径得到多个椭圆形挡板的最大斜角距离，进一步确定多个椭圆形挡板的挡板长度；获取多个椭圆形挡板在椭圆中心点处的长径，进一步得到多个椭圆形挡板在椭圆中心点处的延长距离；根据短径、椭圆中心点处的长径以及在椭圆中心点处的延长距离确定最终的椭圆形挡板；根据安装角度和安装距离将多个最终的椭圆形挡板两两间呈镜像安装在抽气管道内，形成交错通路；将惰性气体通入抽气管道内，通过交错通路提高惰性气体流速。本发明通过改进的管道件显著提高管道内部惰性气体流速，达到直拉单晶生产中有效降氧的目的。

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种SiC单晶的制备装置及制备方法，该制备装置包括：石墨坩埚，所述石墨坩埚内壁涂覆有防止石墨被腐蚀的涂料层；所述石墨坩埚内部从底部往顶部开口方向依次设置有第一SiC粉料层、第一间隔层、含活性炭的第二SiC粉料层、第二间隔层、碳吸附层和第三间隔层，所述第一间隔层、第二间隔层、第三间隔层具有孔隙；石墨坩埚的顶部设置有SiC籽晶。本发明在石墨坩埚内壁涂覆TaC涂料层以减少碳颗粒对晶体生长影响的基础上，进一步通过在第一SiC粉料层上设置含活性炭的第二SiC粉料层，以掺入活性炭作为补充碳源，稳定了气相组分中的Si/C值，减少晶体缺陷。

本发明公开了一种可提升CVD单晶生长数目的单晶金刚石制造装置，涉及单晶金刚石制造技术领域，包括主体，所述主体内部设置有隔板，所述隔板将主体内部分割为内腔室和外腔室，所述隔板的上方活动安装有上盖板，所述上盖板的中部设置有输出管，所述输出管的下方设置有驱动盘，所述驱动盘内部设置有若干个安装槽，所述安装槽内部安装有载物台，其中一个所述载物台位于所述输出管的正下方。本发明通过相邻边板之间的位置变化，同时配合下方的驱动环，使籽晶在接受沉积过程中，边板对输出管机构、主体内壁、上盖板、中空板以及自身的清理效果，避免过多的石墨沉积在形成腔的内壁上，使得气体内部的碳原子浓度降低，导致籽晶的伸展速度减缓。

本发明公开一种铋基氧硒化物及其利用化学气相沉积生长的方法与应用，该方法包括：将含硒元素的前驱体和含铋元素的前驱体沿管式炉的气流方向上游端区域依次放置，生长基底置于反应炉的气流方向下游端区域，在保护性气体环境下对所述含硒元素的前驱体和含铋元素的前驱体进行热处理，热处理后在通入保护性气体的条件下将反应体系自然冷却，得到Bi2O2Se纳米片或Bi3O2.5Se2纳米片。本发明可制备出Bi2O2Se纳米片或Bi3O2.5Se2纳米片，制备方法简单，可重复性高，并且可应用于微纳电子器件或化学生物传感器领域。

本发明涉及降低金刚石材料表面粗糙度的方法，将金刚石放置在真空腔体中的基片台上；水平射入激光，确定加工工艺过程；向真空腔体中通入工作气体，在金刚石上方激发等离子体；在等离子体放电区域内施加径向磁场；调整激光功率为高功率，同时使高功率激光在水平位置做往复位移，并执行加工工艺过程，以使金刚石被去除降低金刚石表面粗糙度所需要去除的厚度，停止基片台；关闭激光和磁场，熄灭等离子体，切断通入的工作气体，放空腔体，取出金刚石；检测金刚石表面粗糙度是否达到预期要求，若没有达到预期要求，则重复上述步骤，若达到预期要求，则加工结束。可以有效的降低金刚石表面的粗糙度，并提高加工的效率，增加金刚石加工的良品率。

本发明涉及一种常压下生长钙钛矿镍氧化合物单晶的方法，以Ni源、La2O3为原料，采用无水K2CO3或Na2CO3和NaCl的混合物作为助熔剂，先升温使原料熔化，然后降温至生长温度，常压条件下进行晶体生长，生长结束后去除助熔剂得到Lan+1NinO3n+1(n＝2,3)晶体。本发明利用助熔剂法，无需高压，首次脱离高氧压条件，实现了在常压下生长出钙钛矿镍氧化合物Rn+1NinO3n+1(n＝2～7)单晶，大大降低了晶体生长门槛，并减小了生长过程中的危险性，为镍基高温超导机理研究解决了材料平台的关键问题，具有重要的基础研究价值和潜在应用前景。

本发明涉及层状二维材料制备技术领域，主要是一种硫化钼二维材料的制备方法。本发明通过石英管喷嘴精确引导金属有机物蒸气到蓝宝石衬底指定区域生长大尺寸单层硫化钼，提供了一种稳定高效的单层硫化钼二维材料生长方法，采用金属有机化学气相沉积技术、反应条件可控且能一步实现单层硫化钼的大尺寸单晶，相比于已有的金属有机化学气相沉积制备技术，畴区尺寸提升约2个数量级，更加有利于器件的加工，在芯片集成、光学领域具有良好的应用前景。

本发明提供一种提高掺硼单晶硅BMD的单晶炉、方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，将掺硼的多晶硅放置在石英坩埚中熔化，下降籽晶以拉制单晶硅棒；在等径时，晶棒通过热屏进入石墨导流筒时，石墨导流筒将温度稳定使得BMD有充足的时间成核、生长，掺硼单晶硅的BMD达到1E9 ea/cm3以上，达到规格要求，提高良率。

本申请属于单晶硅棒生产技术领域，具体涉及单晶炉和单晶硅棒生产方法。本申请中的单晶炉包括：主室、副室、第一制冷模块、真空模块、第二制冷模块、温控模块和控制模块。本申请的单晶炉在拉制单晶硅棒的过程中，在副室中的第一分段处设置的第一制冷模块能够对单晶硅棒冷却降温，例如预先使得单晶硅棒的温度下降至800℃左右，在副室中的第二分段处设置的真空模块能够对副室中的第二中空空间抽真空，从而对被第一制冷模块冷却降温后的单晶硅棒保温处理；当单晶硅棒整体进入第二分段的第二通道后，通过第二制冷模块对单晶硅棒整体快速降温，例如使得单晶硅棒快速地从700℃冷却到600℃，从而降低单晶硅棒中的氧沉淀产生，减少单晶硅棒的同心圆现象。

本发明公开了一种核辐射探测器用碲锌镉晶体表面的处理方法，实现了晶体与金属电极之间的欧姆接触，显著降低了晶体表面漏电流。采用K2S2O8、NH4F/H2O2溶液进行两步钝化处理，在晶体表面形成特殊的CdS、TeO2的双层结构，有效的抑制了{111}晶体表面富Cd/Te高电导层对载流子输运影响。

本发明公开了一种氮化铝晶体生长的籽晶固定方法，步骤包括：(1)将氮化铝籽晶片和支撑片表面抛光；(2)对氮化铝籽晶片和支撑片表面做活化处理；(3)将氮化铝籽晶片和支撑片以活化面叠放，在高真空下施加面压，常温下进行范德华力粘合；(4)将粘合后的籽晶片和支撑片在高温真空炉内保温；(5)降温取出，氮化铝籽晶片与支撑片完全面结合并相互固定。本发明采用常温下高真空高面压的方法，利用范德华力将低粗糙度的氮化铝籽晶片与支撑件粘合并牢固固定，再通过高温真空方法吸附与粘合。将粘合好的籽晶应用于物理气相传输法同质外延生长氮化铝晶体，完全消除了传统固定方法带来的氮化铝籽晶片背部升华而产生的孔洞缺陷，提高生产质量与良率。

提供一种n型SiC单晶基板，是8英寸的SiC单晶基板，掺杂剂浓度高且抑制了浓度分布偏差。本发明的SiC单晶基板(1)是8英寸的n型SiC单晶基板，直径处于195～205mm的范围，厚度处于300～650μm的范围，表背两面的加工变性层的厚度为0.1nm以下，在深度方向上距主面为板厚的5％以内的面内的、任意地选择的至少5个点处，掺杂剂浓度为2×1018/cm3以上且6×1019/cm3以下。

本发明涉及量子光源技术领域，特别涉及一种利用聚焦氦离子束制备位置可控量子光源的方法。上述方法包括机械剥离制备六方氮化硼样品，利用聚焦氦离子束在六方氮化硼样品上加工空位缺陷，管式炉中氧气氛热退火处理形成位置可控的量子光源。本发明制得的位置可控量子光源，位置精度小于50nm，低于光学衍射极限，相比于其他技术位置精度得到显著提高；同时制备方法避免了其他技术加工带来的孔洞、重金属离子残留等问题，保证了氮化硼材料结构的完整，有助于其与光学微腔耦合提升耦合提取效率，进一步促进集成光量子器件的应用。

本发明提供一种在激光加工时容易加工的SiC基板和SiC晶锭。本实施方式的SiC基板，在包括中心以及从所述中心开始在[11‑20]方向或[‑1‑120]方向上相距10mm的多个测定点在内的多个第1测定点之中，相邻的任意2个测定点对于波长1064nm的光的吸收系数之差为0.25cm‑1以下。

本发明公开了一种提高碳化硅单晶生长速率的方法，该方法是基于多元相图，通过稀土元素Ce的含量控制助溶液中碳的溶解度。在液相法生长碳化硅晶体过程中采用Si‑Cr‑Ce三元助溶熔体，将三元助溶熔体中Si的含量固定为60％，Ce含量为6％～12％，以此控制碳化硅单晶的生长速率。本发明设计的助溶液在保证单晶稳定生长的同时，能够显著提升单晶生长速率，利用高Ce含量助溶液生长碳化硅单晶的生长速率可达150μm/h。此外，该助溶液能够实现在相对较低的1700至1850℃温区生长碳化硅晶体。在液相法生长碳化硅单晶的过程中，以多元相图为指导，利用调节Ce的成分优化设计助溶液，在实现晶体稳态生长的同时，提升晶体生长速率，并降低生长温度，从而达到节约能耗的目的。

本发明公开了一种基于高温高压设备制备粉色钻石的方法，通过将合金粉Ⅳ和合金粉Ⅴ混合并压制成型，得到无色钻石的原料芯柱；对原料芯柱进行纯化处理，得到无色钻石合成芯柱；将无色钻石合成芯柱和合成块组装好得到无色钻石合成块；将无色钻石合成块放入高温高压设备中进行合成，合成制得无色钻石；对无色钻石进行辐照处理，使得钻石呈现粉色；将得到的粉色钻石经电解、提纯处理后得到粉色钻石颗粒。本发明先合成制得无色钻石，保证了无色钻石的晶型一致、晶体无色透明，可完全替代天然钻石，具有较强市场优势，然后再利用辐照处理使其呈现粉色，工艺路线明确，制备方法简单、简便，可重复性强，有效实现了粉色钻石的规模化生产。

本申请提供了一种取晶设备及方法，取晶设备包括安装支架、导向机构、承托机构和夹持机构，导向机构可升降设置在安装支架上。承托机构包括承托部和第一驱动组件，承托部可升降设置在导向机构上，第一驱动组件设置在安装支架上，第一驱动组件驱动承托部在导向机构上升降运动并使承托部停靠在导向机构上的任一位置，以适配不同长度的晶棒取晶；夹持机构设置在安装支架上，被配置为夹持由承托部托载、由导向机构支撑导向的晶棒。本申请能够实施对不同长度尺寸的晶棒，尤其是长晶棒的取晶操作，提升了取晶设备的兼容性。此外，通过承托机构、导向机构及夹持机构的配合，实现了自动化取晶，相比于现有的人工取晶方式，提升了取晶效率。

本申请公开了一种碳化硅晶体生长装置及方法，所述装置包括：底托盖、石墨板和坩埚，底托盖上包括气孔，底托盖位于石墨板的上方，石墨板位于坩埚的上方。底托盖，用于固定石墨板，并通过底托盖上的气孔进行通气；石墨板，用于粘接碳化硅籽晶；坩埚，用于放置生长碳化硅晶体的原料。通过底托盖和石墨板替换了传统方法中的石墨底托，然后通过底托盖上的气孔在碳化硅晶体的生长冷却过程中进行通气，使得气体在底托盖和石墨板之间充分接触实现了均匀降温，由于气体处于流动状态，可带走额外的热量，增强了晶体散热，从而维持了径向温度梯度的一致性，减少了晶体生长过程中出现位错、层错等缺陷的风险，提升了碳化硅晶体的生长质量。

一种高压气氛无坩埚直拉生长氧化镓单晶的装置及方法，涉及半导体晶体材料的制备，所述装置包括炉体，设置在炉体底部的支撑盘、支撑盘上方的连接铱杆的铱盘、铱盘周边的感应线圈、感应线圈周边设置的冷却风扇和设置在炉体上部的退火装置。感应加热配合铱盘进行加热，实现多晶的初步熔化，利用高压气氛下的强对流效应带走氧化镓多晶表面的热量，使得熔池仅仅产生在氧化镓多晶的中心区域，利用直拉法生长晶体。本发明实现无坩埚生长氧化镓，熔体污染少，且生长界面的温度梯度高，可以实现高成品率且低应力的氧化镓单晶生长。

本发明公开了一种六边形柱状氧化镓导模生长的籽晶及其使用方法，涉及晶体生长技术领域，为解决现有片状导模法在生产β‑Ga2O3时，需要根据β‑Ga2O3的不同主面，需要频繁更换氧化镓籽晶的问题。所述六边形柱状氧化镓籽晶，截面为非正六边形，所述六边形柱状氧化镓籽晶侧面包含三个主流晶面，所述三个主流晶面分别为第一晶面，第二晶面和第三晶面。所述使用方法即将所述六边形柱状氧化镓籽晶放入氧化镓熔融坩埚的模具板上表面，通过旋转六边形柱状氧化镓籽晶，将六边形柱状氧化镓籽晶不同侧面对齐模具长边，满足不同晶面氧化镓生产需求。

本申请实施例提供的一种物料流转方法及拉晶配料系统，物料流转方法包括控制系统向配方系统提出初始加料需求；配方系统响应于初始加料需求输出初始加料配方；物料系统根据初始加料配方进行配料并向炉台加料；控制系统向配方系统提出二次加料需求；配方系统响应于二次加料需求输出二次加料配方；物料系统根据二次加料配方进行配料；物料编码系统对二次加料配方中的物料进行编码；对二次加料配方中的物料进行扫码验证；向炉台进行二次加料。本申请所提供的物料流转方法具有较高的自动化程度，能够进行自动化拉晶生产，相较于人工配料，失误率更低，拉晶产品的质量更高。

本发明的实施例提供了一种气动补料长晶设备和方法，涉及长晶设备技术领域。气动补料长晶设备包括单向阀、送粉器、第一气体支路、第二气体支路和旁通支路；单向阀安装在坩埚的底部，送粉器通过管路连接到单向阀、且与坩埚的内部连通，第一气体支路和第二气体支路均连接到送粉器、用于分别向送粉器中通入氩气和氮气，送粉器中用于装入硅粉，送粉器中的硅粉在氩气或氮气的冲力作用下补入到坩埚内，第一气体支路和第二气体支路输入的气体可通过旁通支路越过送粉器进入坩埚；该设备和方法能够在长晶过程中向坩埚内补入硅粉，改善坩埚内碳与硅的浓度比，提高长晶的良率，还能够使碳化硅粉末原料利用率提高，减少原料浪费。

本申请公开了一种拉晶过程中熔料检测方法、装置及电子设备，包括：获得熔料工艺时坩埚内待检测图像；基于图像分割模型对待检测图像进行处理，得到与待检测图像对应的熔料形态特征以及与每一熔料形态特征对应的图像像素信息；基于每一熔料形态特征对应的图像像素信息进行计算，得到固液占比参数；根据固液占比参数，确定熔料所处的目标阶段。其中，熔料形态特征至少包括固态特征、薄膜态特征或液态特征中的一种或多种，本申请能够基于图像分割模型进行熔料形态特征进行自动识别，解决了人工识别的不足，提升了后续控制的精准性，进而提升了生产效率。

本发明涉及一种快速单晶硅制绒添加剂、及包含其的制绒液、其制备方法及用途。上述快速单晶硅制绒添加剂，按照重量份计算，包括如下组分：大分子多糖0.01‑0.2份；天然抗氧化剂0.1‑2份；清洗助剂0.2‑5份；清洗协同剂0.5‑10份；无机碱溶液30‑70份；去离子水60‑90份。本发明还公开了上述快速单晶硅制绒添加剂的制备方法和用途。本发明的制绒添加剂对于来源不同的返工片的制绒效果基本等同于原切硅片，显著地提高了返工片的回收利用率。因此，本发明提出的全新的制绒添加剂不仅显著地提高了制绒效率和制绒质量，同时有效地降低了制绒成本。

本发明公开了一种微波烧结制备碳化钽晶须的方法及其应用，涉及碳化钽材料制备技术领域。具体制备步骤如下：将五氧化二钽与活性炭、氯化钠和镍粉混合得混合物；将混合物研磨后置于氧化铝坩埚中，然后铺上活性炭粉防止烧结过程中产物氧化，之后盖上坩埚配套的盖子；最后将坩埚置于保温装置中进行微波烧结，得到碳化钽晶须。本发明的微波烧结制备碳化钽晶须的方法可以降低烧结反应温度，显著缩短烧结的保温时间，提高烧结效率，同时不需要额外的氩气气氛保护，减少资源浪费，克服了传统工艺能耗高、周期长、效率低的难题，本发明所得碳化钽晶须中无杂质出现，可以作为碳化钽陶瓷基材料和C/C复合材料的增韧材料，提高其强度。

本申请提供一种长晶炉硅晶加工监控方法、装置及系统，其中的方法包括：获取长晶炉内部的硅晶生长监测图像；对所述硅晶生长监测图像进行解析，确定所述硅晶生长监测图像中包括的硅晶的直径和生长高度；根据所述硅晶的直径和所述生长高度生成硅晶生长图像并显示。由此，本申请提供的技术方案能够对长晶炉内的硅晶加工过程的实时监控，便于根据硅晶生长过程对工艺过程进行控制和调节，确保硅晶生长结果满足需求。

本发明公开了一种低位错密度AlN单晶的生长方法，包括步骤：1)AlN衬底和AlN原料分置于坩埚系统顶部和底部，置于高温炉内；2)高温炉抽真空；3)充入氮气至高压，加热衬底及原料，衬底T1>原料T2；4)衬底温度至T3，保温时间t1，形成小凹面V型衬底；5)降氮气压至P2，保温时间t2，形成大凹面V型衬底；6)增加氮气压，加热衬底和原料至T4、T5，T4>T5；7)降衬底温度至T6，T5>T6，形成小轴向温差，保温时间t3，形成初始形核层；8)降低氮气压，原料温度至T7，开始增厚长晶，保温至长晶结束。本发明的技术方案，在AlN生长初期形成三维倾斜侧壁，使向上延伸的位错发生弯曲，从而阻止位错沿C方向延伸，实现AlN单晶位错密度降低。

本申请涉及晶体加工设备的技术领域，具体涉及一种连续直拉单晶加料坩埚及单晶炉，单晶炉包括炉体；导流筒，其可升降支撑设于炉体内，直拉单晶时，导流筒底端距离石英坩埚内生长液面20~30 mm；加料坩埚包括石英坩埚和石英环，石英环吊装于导流筒上，且直拉单晶时，石英环底端没入石英坩埚内生长液面至少50 mm。本申请具有在保证生长的晶体周围液面平稳、温度稳定的前提下，降低熔体内溶解氧，达到高品质连续拉棒的效果。

本发明涉及一种稳定单晶硅制绒添加剂、及包含其的制绒液、其制备方法及用途。稳定单晶硅制绒添加剂按照重量份数计算，包括小分子糖或糖醇1‑10份，天然抗氧化剂1‑2份，表面活性剂0.1‑0.5份，清洗助剂0.1‑1份，无机碱溶液50‑70份，去离子水30‑50份。本发明设计了一种全新的小分子糖或糖醇类化合物协同天然抗氧化剂、同时复配高效清洗助剂和低泡聚醚类表面活性剂的制绒添加剂。可获得较佳的制绒效果，且该制绒添加剂对于来源不同的返工片的制绒效果也表现出较好的制绒效果，明显好于对比例，这大大地提高了返工片的回收利用率。

本发明涉及一种制备层状磁性材料CoBr2单晶的方法，属于单晶材料技术领域。通过将Co粉、BiBr3粉和Bi颗粒真空密封在石英管中，然后置于高温炉中，首先室温升温到450~600℃，恒温保持5h以上，随后以1~6℃/h的速度降温到270~320℃，快速打开高温炉将石英管倒置放入离心机中离心，将多余助熔剂Bi与晶体分离；取出晶体，得到一种层状磁性材料CoBr2单晶。生长出的CoBr2材料是（001）晶面的薄层，成分均匀且纯度较高。

本发明涉及金属单晶制备技术领域，具体为一种金属单晶制备装置，包括：主机座、废气回收组件和单晶炉组件，主机座的顶端固定安装有提升轨架，提升轨架的输出端固定连接有运动座，废气回收组件包括废气导箱、驱动盒和攀升架以及固定安装于炉体底面的闭烟阀，驱动盒固定安装于废气导箱的顶面且滑动套接于攀升架的外侧，驱动盒的内侧固定安装有外转子电机。通过采用炉体上升式运动结构，在封堵阀头控制下实现攀升架与炉体的接合，并利用废气导箱攀升运动带动炉体进行提升工作，坩埚底部暴露于室外环境中，内部材料温度降低逐渐低于熔点以下，并开始结晶，晶体随炉体上升而持续长大，废气导箱和炉体在尾气排放工作中稳定上升避免外界环境气流干扰。

本发明公开了一种可用于不同形状籽晶生长低应力晶体设备及其方法，属于籽晶生长领域。一种可用于不同形状籽晶生长低应力晶体设备及其方法，包括坩埚盖，所述坩埚盖的底部设置有坩埚壳，所述坩埚壳的顶部开设有安装槽并在安装槽内设置有柱形固定台，所述坩埚盖的底部处设置有籽晶主体，所述坩埚盖的底部设置有石墨线，所述石墨线缠绕在籽晶主体处，并且两端与柱形固定台处连接；本发明通过对籽晶主体处和柱形固定台的设置，使得整个结构在进行使用的时候，可以有效避免随着生长晶体的质量增加对柱形固定台拉力增加而导致其在高温生长过程中移动石墨线松弛情况，同时还可以充分利用了籽晶主体长晶面的面积和避免了晶体与石墨板接触导致的应力。

本发明公开了一种单晶炉热场固定防偏移的保护装置，涉及单晶炉防护设备技术领域，主要目的是提供一种能够减少因单晶炉热场发生偏移导致的事故，保持热场的对中性的单晶炉热场固定防偏移的保护装置。本发明的主要技术方案为：一种单晶炉热场固定防偏移的保护装置，包括：第一支撑部件，第一支撑部件设置在热场保温毡的上部外侧，第一连接部件的一端可拆卸连接于第一支撑环的内侧，另一端可拆卸连接于其中一个第一支撑片的外侧；第二支撑部件，第二支撑部件设置在热场保温毡的中部外侧和下部外侧，第二连接部件的一端可拆卸连接于第二支撑环的内侧，另一端可拆卸连接于其中一个第二支撑片的外侧。本发明主要用于支撑热场。

本发明涉及蓝宝石晶体技术领域，尤其涉及一种蓝宝石热处理方法及系统，包括热处理箱、固定组件和取料机构，取料机构包括安装板、第一电机、圆盘、杆体、块体、连接件、连杆和支板，支板与固定组件固定连接，连杆的一端与连接件固定连接，连杆的另一端插入至热处理箱内，并与支板固定连接，连杆的另一端与连接件固定连接，块体与连接件固定连接，块体设置有抵持槽，安装板与热处理箱固定连接，杆体的一端与圆盘固定连接，并位于圆盘远离第一电机的一面，杆体的另一端插入至抵持槽内，杆体偏心设置于圆盘上，以此方式不再需要人工拉动底板取出蓝宝石，在热处理箱内温度较高时仍能够更方便的带动固定组件移动来取出蓝宝石。

本发明公开了一种用于SiC外延工艺的智能温度控制方法、装置及系统，方法包括以下步骤：获取SiC外延工艺中的加热对象的实际温度；将加热对象的实际温度与预设切换温度进行比对；当实际温度小于预设切换温度时，采用功率控制模式进行加热；当实际检测温度不小于预设切换温度时，采用变斜率温度控制模式进行加热。本发明在冷态启动时慢速升温，减小对反应室的冲击，延长了反应室硬件使用寿命，减小了使用成本；在大于预设切换温度时，确保升降温速率的前提下，大大减小过冲温度。

本发明提供一种用于制备氟硼铍酸钾族非线性光学晶体的晶体生长炉及方法。所述晶体生长炉包括炉盖以及内部中空而形成炉腔的炉体，在所述炉腔内设置有坩埚；所述炉体底部设置有与炉腔相通，并延伸至坩埚底部中心的竖直通孔，所述竖直通孔内设置有用以供气体流动的导气组件；所述导气组件包括两端开口的输气管以及一端开口的排气管；排气管封端的外壁与坩埚底部相接触，输气管的一端开口伸入到排气管内，并延伸至排气管封端处。该晶体生长炉可以在排气管封端附近形成气体滞留区，利用这种特殊的区域设计，可以使晶体生长过程中保持坩埚底部中心一直处于炉腔的最低温，从而有效避免了多核生长，有利于获得大尺寸的氟硼铍酸钾族非线性光学晶体。

本发明涉及单晶硅制造技术领域，且公开了一种单晶硅制造设备及其制备工艺，其中一种单晶硅制造设备，包括罐体和罐体内的磁力支撑结构，所述磁力支撑结构的内部安装有加热罐体，所述加热罐体包括坩埚、导热底盘、导热凸环、安装底座、平面加热线圈、内环壳体和垂直电磁线圈，所述坩埚的下端安装有导热底盘，所述导热底盘的上表面设有导热凸环，所述导热底盘的下端安装有位于罐体底面的安装底座。本发明隔温保护结构能够实现温度隔离、保温的效果，能够保护坩埚内部高温向外蔓延，并减少了温度的流失，与加热罐体配合，可起到隔绝温度的流失以及减少长久锁温的效果，使坩埚内部始终保持在合适高温工作状态下使用。

本发明提供一种功率法拉晶防止拉速过冲的方法，步骤为：获取一段时间内等径生长阶段的实际拉速变化值；基于设定拉速确定实际拉速相对于所述设定拉速的变化趋势；根据一段时间内实际拉速相对于设定拉速的变化趋势确定温度补偿值，调节实际拉晶功率。本发明的有益效果是采用功率法拉晶，通过P/I值计算自动给定温度补偿值，并通过维持功率拉速偏差的设定，便于及时停止温度补偿，从而控制熔体温度，保证单晶正常生长，有效避免拉速过冲现现象产生，避免功率波动造成单晶断苞；同时本发明逻辑简单且容易实现，适用性强，可适用不同炉型，不同热场，同时解决了大尺寸拉晶过程中断苞损失的问题，适配性更高，具有良好的市场前景。

本发明公开一种导模法生长晶体的热场结构及装置，涉及人工晶体技术领域。热场结构包括：第一保温体，第一保温体包括：第一通孔，设置在第一保温体的中心轴上；若干个第二通孔，两两对称设置在第一保温体的侧壁上，第一通孔与若干个第二个通孔连通；罩体，罩设在第一保温体外，第一保温体的四周及顶部均与罩体之间具有空隙；罩体的侧壁上设置有透明观察窗，用于通过若干个第二通孔观察氧化镓晶体的生长。本发明中的热场结构能够有效引导热气流的走向，第一保温体的四周和罩体之间的空隙中能够形成稳定的自上而下的热气流，同时第二通孔中能够形成自外朝内的热气流，有效抑制挥发物在观察窗上的沉积，使得技术人员能够观察到晶体生长过程。

本发明提供一种外延晶片及其制备方法，所述制备方法，至少包括：提供一衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在所述第二表面上形成环形碳层，所述环形碳层设置在所述第二表面的边缘；翻转所述衬底，暴露所述第一表面；在所述第一表面上生长外延层；以及去除所述环形碳层，得到外延晶片。通过本发明提供的制备方法，能够确保第一表面上的外延层的质量，获得高质量的外延晶片。

本发明涉及半导体领域，提供一种自动化补料装置、晶体生长装置及晶体生长方法。自动化补料装置在碳化硅晶体生长过程中通过液面高度检测控制结构检测石墨坩埚内的碳化硅溶液液面高度，根据碳化硅溶液液面高度相对于设定液面生长高度，通过自动化补料结构向石墨坩埚中添加或者停止添加硅原料，从而在不打开坩埚的条件下，维持碳化硅溶液体系的一致性，保证了碳化硅晶体生长条件的稳定，实现碳化硅晶体的稳定生长。同时，通过液面高度检测控制结构的触点高度和籽晶轴高度的控制，控制碳化硅溶液液面高度使得碳化硅溶液液面与碳化硅晶体接触处的弯月面高度保持于一定范围内，避免弯月面的高度变化对碳化硅晶体生长产生影响。

本发明公开了一种采用多温区控温生长氟化物晶体的晶体生长炉，涉及晶体生长炉领域，其技术方案要点包括：上盖、炉体和底座，所述上盖安装在所述炉体的顶部，所述底座安装在所述炉体的底部，所述底座的顶部固定安装有底部加热装置，所述炉体的内侧固定安装有中间加热装置。一种采用多温区控温生长氟化物晶体的晶体生长炉，通过分别设置底部加热装置、中间加热装置和顶部加热装置三组加热装置，改变了环形加热体形式，构成均匀分布的加热体系，可实现温梯调整精确，有利于保持热场稳定，大大提升了结晶的动力，适合于生长大尺寸的氟化物晶体。

本发明涉及半导体技术领域。本发明提供了一种AlN‑ScN超晶格材料及其制备方法。本发明的制备方法，通过控制AlN薄膜层、ScN薄膜层的叠加层数，结合提供范德华相互作用的二维材料插入层以及高温退火，得到AlN‑ScN超晶格材料。对AlN‑ScN超晶格结构的不同晶相进行势能面扫描，确定不同AlN薄膜层、ScN薄膜层的叠加层数条件下的最稳定晶相；进行AlN薄膜层、ScN薄膜层的叠加层数控制的AlN‑ScN超晶格结构生长；本发明可以实现大范围Al/Sc组分比的可控晶相AlN‑ScN材料，并且可以实现一种新的纤锌矿‑岩盐矿混合结构AlN‑ScN材料。

本发明提供一种提高掺硼单晶硅BMD的方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，在等径拉晶过程中，降低拉速为预定值进行拉晶，以延长BMD形成的时间，使得BMD有充足的时间成核、生长，使得掺硼单晶硅的BMD增加达到1E9 ea/cm3以上，达到规格要求，提高良率。

本发明涉及晶体生长技术领域，尤其涉及碳化硅单晶生长，具体涉及石墨坩埚、其制备方法及碳化硅单晶长晶方法技术领域。石墨坩埚，所述石墨坩埚内壁设有石墨‑铝复合层。还包括石墨坩埚的制备方法，制备铝、石墨浆料；将铝、石墨浆料置于石墨坩埚内壁上，烧结所述石墨坩埚，烧结后冷却，制得具有石墨‑铝复合层的石墨坩埚。及采用上述石墨坩埚的单晶碳化硅长晶方法。生长出的单晶碳化硅表面能够长时间维持光滑，减少溶剂夹杂及二维成核，利于制造大厚度的高质量的单晶碳化硅晶体。

本发明公开了一种碳化硅晶体生长炉温场调节装置及方法，具体涉及碳化硅晶体生长技术领域，包括调节组件，所述调节组件包括转环、齿环、齿轮、两个导向杆、安装环、加热器、四个滑动座、伺服电机、四个螺纹杆、控制盒、透镜片、两个限位杆、温度传感器、清理刮板、电动推杆和控制器。本发明通过伺服电机带动一个螺纹杆转动，一个螺纹杆通过一个齿轮带动转环，转环通过齿牙带动另三个齿轮，可以实现四个螺纹杆的同步转动，螺纹杆带动滑动座，滑动座带动加热器，可以使四个加热器同步靠近或远离坩埚，以实现对温场的精准调节，通过对加热器的位置进行调节，可以实现对温场的快速调节。