晶体生长

本发明公开了一种应用于水平液相外延技术的石墨舟，该石墨舟包括：底托，具有连通底托内部与外部的贯通通道；盖板，适于盖设于底托以构造形成贯通的安装空间；滑条，适于穿设于安装空间并置于底托上，滑条朝向底托的一侧具有栓块凹槽；母液槽，适于置于滑条上且位于安装空间内；锁紧组件，适于装配至贯通通道内并与栓块凹槽配合，以锁紧滑条。采用本发明，在将石墨舟送进液相外延设备前，或将石墨舟从液相外延设备中取出后运送石墨舟的过程中，可以锁紧滑条，使得滑条与底托间的相对位置锁定，避免因滑条滑动所造成的衬底或者外延片划伤的问题，提高成品率。

磷化铟多晶料VGF或VB法生长单晶的装料方法，涉及半导体材料单晶生长技术领域，具体涉及一种VGF法磷化铟单晶生长所需的多晶料及辅料的装料方法。本发明通过合理分配磷化铟多晶料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于磷化铟多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制，有效提高磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的均匀性。

本发明涉及晶锭生产技术领域，特别涉及一种具有梯度电阻的CZT晶锭生产方法，通过间隔一定的距离设置激光器加热或者环形加热器，使得晶体形成不同的温度区，激光器加热或者环形加热器作用到的区域温度高，铟的掺杂浓度也较其他区域高，从而电阻也高，从而形成…高阻‑低阻‑高阻…型的晶锭结构，可以将晶锭按照需要切割成所需尺寸的晶片，两侧是高阻区域，中间是低阻区域，形成一个三明治结构，电极位于两个或一个高阻区外侧，这种结构可以保证低漏电流的同时，提高中心区域载流子的迁移能力，从而增强了探测能力。

本发明提供了Pb掺杂二维钒基单晶超导体的制备方法，步骤如下：1）在保护气体氛围中，将金属铯、钒粉、锑粉、铅粉按照摩尔比为Cs:V:Sb:Pb=1:3:4～5:0～1进行计算、称量和研磨，得到混合粉末；2）将混合粉末放入氧化铝坩埚中，再将坩埚放入石英管里，最后封住石英管的管口；3）将整套装置从保护气体环境中取出并进行真空封管；4）将封好的石英管放入马弗炉中烧结；5）烧结结束后将石英管从马弗炉中取出，将多余的锑与所需的单晶分离；6）待石英管冷却后，将单晶从石英管里的坩埚中取出。本发明方法可以制备高质量的单晶，而且通过金属Pb的掺杂，使得CsV3Sb5材料的超导性能得到了提升。

本发明提供了一种在导电型氧化镓衬底上制备同质外延氧化镓薄膜的方法及分子束外延设备，所述分子束外延设备包括MEB生长室、设置在所述MEB生长室内的不锈钢托盘，以及设置在所述不锈钢托盘底端的导电型氧化镓衬底，其特征在于，所述导电型氧化镓衬底的下方对应设置有激光器，所述激光器发出的激光波长为1800‑2200nm，且所述激光器发出的激光光斑覆盖对应导电型氧化镓衬底的整个底部。本发明通过所述激光器以激光加热的方法直接加热MEB生长室内的导电型氧化镓衬底，使导电型氧化镓衬底均匀受热，制备出高质量、厚度均匀的非故意掺杂氧化镓同质外延片。

本发明公开了一种以沙漠黄砂为原料低温合成的莫来石晶须及其制备方法，以沙漠黄砂引入硅源，硫酸铝引入铝源，基于莫来石理论化学式配比以及富铝与富硅的不同比例称取相应的原料，以无水硫酸钠作为熔盐介质，混合后置于行星球磨机中球磨30min，再将混合物置于坩埚内于800～1100℃煅烧1‑5 h，随炉冷却至室温，用水去除熔盐，过滤干燥后即可得到莫来石晶须。本发明优点在于：大幅度降低了沙漠黄砂合成莫来石晶须的能源消耗，较固相法合成莫来石晶须降低了300℃左右，且无需价格昂贵的晶须促进剂氟化铝和有毒物质烧结助剂五氧化二钒，制备过程简单，成本低，有力地推动了沙漠黄砂在低温合成莫来石晶须的资源化利用，具有较大的经济和社会价值。

本发明属于多晶铸锭炉技术领域，具体为一种用于多晶铸锭炉的导流装置及其使用方法，所述空心承重杆的外端下侧活动套设有空腔转盘，所述空心承重杆的外端下侧套设有恒星齿轮，所述空腔转盘的内腔中活动安装有行星齿轮，所述行星齿轮与恒星齿轮啮合，所述空腔转盘的外侧连接有分气板，所述分气板的本体上活动安装有转向轮，所述转向轮与行星齿轮之间铰接有传动杆，所述转向轮伸出分气板的一侧安装有活动喷头，所述转向轮的本体上开设有导气孔，本装置通过导入的惰性气体带动分气板及空腔转盘旋转，分气板会带动固定喷头和活动喷头旋转，固定喷头和活动喷头在转动中进行吹风，可以避免单一点的液态硅的温度过低。

本发明涉及单晶炉部件领域，具体公开了一种带自动冷却设备的单晶炉底盘组件及其使用方法，包括底盘和下炉膛，下炉膛上设有降温装置，降温装置包括套设于下炉膛外的环形固定架；套设于下炉膛外围、开口朝上的水箱，该水箱位于环形固定架的下方；套设于水箱外的环形引风套，该环形引风套下部连接水箱，环形引风套开口朝上，环形引风套的底部设有进风口；环形固定架外圈设有自由转动的环形齿圈，该环形齿圈外圈啮合若干小齿轮，小齿轮连接第一转轴，第一转轴伸入环形引风套内连接风扇；其中一个小齿轮连接电机。本发明只需一个电机即可促进水的旋转循环、水平循环、上下循环、喷水降温，利用风扇降温等等，提高水的散热效率。

本发明公开了检测块状多晶硅杂质的装置及其用途、检测方法。该装置包括区熔炉，区熔炉包括硅棒基底、硅棒底座、第一籽晶旋转固定件、加热线圈和旋转支撑部。硅棒基底上部设有凹槽；硅棒底座设在所述硅棒基底下部并支撑所述硅棒基底；第一籽晶旋转固定件包括第一螺杆和第一籽晶夹头，设在区熔炉上部；加热线圈设在第一籽晶旋转固定件与硅棒基底之间，且加热线圈在水平面上的投影位于硅棒基底在水平面上的投影区域外；旋转支撑部设在所述区熔炉底部并支撑所述硅棒底座。该装置结构简单、操作方便，能够实现块状多晶硅向多晶硅棒的转变，进而通过对多晶硅棒杂质含量进行检测能获得块状多晶硅的杂质含量，具有检测结果准确度高且易于实现的优点。

本发明提供一种晶圆加热设备的参数确定模型训练方法、加热方法和装置，利用参数确定模型确定任一目标加热温度对应的主加热管和辅加热管的加热参数，获取多个热电偶测得的样本热电偶温度，随后基于晶圆各个部位对应的样本热电偶温度、热电偶与晶圆之间的距离，以及工艺腔体的工艺类型，对样本热电偶温度进行修正，得到晶圆各个部位对应的样本实际温度，以更精确地反映不同样本参数配置下晶圆加热设备的加热效果是否足以将晶圆各个部位准确加热到目标加热温度，从而优化参数确定模型的训练效果；随后对参数确定模型进行反向参数更新；利用该参数配置晶圆加热设备，可以准确地将晶圆各个部位加热到工程师指定的晶圆理想温度。

本发明涉及一种氧硫化物非线性光学晶体及其制备方法和应用，红外非线性光学晶体化学通式为A

本发明公开一种用于导电型碳化硅晶片的电流加热装置，包括电源控制模块、测温单元、第一电极、第二电极及托盘结构，托盘结构上设有容置槽，第一、第二电极分别对应于托盘结构的中心和边缘设置，且第一、第二电极分别电连接于电源控制模块的正负极，测温单元设于托盘结构的上方并电连接于电源控制模块，当容置槽内容纳碳化硅晶片时，碳化硅晶片使第一、第二电极导通从而形成加热电路，利用导电型碳化硅晶片的内部电阻发热来实现热退火，并根据测温单元的检测结果控制施加于第一、第二电极之间的电压以调节加热温度，该电流加热装置的升、降温速率远快于现有的炉腔加热装置，在小批量处理导电型碳化硅晶片时，具有较大时间成本和能耗成本优势。

本发明公开了一种无钴单晶材料及其制备方法，所述无钴单晶材料的分子式为：LixNiyMn1‑yO2，其中1.01≤x≤1.09，0.5≤y<1；所述无钴单晶材料的D003特征值为a，D104特征值为b，其中a和b的值满足：75≤b≤85，2≤a/b≤3；所述无钴单晶材料的颗粒为椭球体形貌，单晶尺寸为1.6～1.7微米，D50为2.8～3.5微米。本发明的有益效果为：无钴单晶材料在制备过程中，单晶材料表面经刻蚀修饰处理，材料表面变得很粗糙且形成了许多的刻蚀修饰位点，这使得包覆剂可以更好的粘结包覆在单晶材料表面，从而发挥出更好的包覆效果，有效的改善了无钴单晶材料的倍率性能和循环稳定性能。

本发明提供一种氧化镓晶体的制造装置以及使用该装置的氧化镓晶体的制造方法，该装置是应用了垂直布里奇曼法的晶体制造装置，其能够将炉内空间维持在特定温度，防止因坩埚的骤冷所致的晶体品质的降低，将氧化镓晶体稳定地取出到装置外。本发明的氧化镓晶体的制造装置(10)具备：由耐热材料(14a)构成的炉主体(14)；坩埚支承轴(16)，其沿上下方向贯通炉主体(14)的底部而在炉主体(14)内延伸设置，构成为上下移动自如；坩埚(22)，其配置在坩埚支承轴(16)上，存储氧化镓晶体的原料；主体加热器(34)，其配设在坩埚(22)的周围，对坩埚(22)进行加热；以及缓冷室(36)，其与炉主体(14)的炉内空间(15)连通地设置在炉主体(14)的下方，将坩埚(22)缓慢冷却。

本发明公开一种基于液桥现象制备大面积有机单晶阵列的方法，包括如下步骤：将包括有有机半导体材料的溶液滴加至疏水模板上，使亲水基底靠近疏水模板，直至与溶液相接触，在疏水模板和亲水基底之间形成液桥；在溶剂气氛下，烘干溶液中的溶剂，取下疏水模板，可得到大面积有机单晶阵列。该方法通过控制含有有机半导体材料的溶液在亲水基底和疏水模板的限域界面中的空间分布状态、呈现的形态以及浸润状态，实现有机半导体分子的有序可控取向，得到有序的高质量有机单晶阵列，获得较高迁移率的有机单晶阵列，从而制备出有机场效应晶体管和光响应器件，同时该制备方法可实现大面积的制备。

本发明适用于半导体生产技术领域，提供了一种磷化铟多晶生产的压力控制装置，包括：外部容器，密封反应容器，温度传感器，压力传感器和控制单元。与现有技术相比，本发明通过温度传感器获取密封反应容器内的温度数据，控制单元根据温度传感器所获取的温度数据以及元素磷在不同温度下的饱和蒸气压曲线计算出密封反应容器内的压力数据，并根据计算出的压力数据与调压空间的压力数据的差值，控制惰性气体充入或排出所述调压空间，从而实现密封反应容器内外侧压力的动态平衡控制，避免了温度的突然升高或波动导致的密封反应容器“炸管”的风险，保证了磷化铟多晶的平稳生产。本发明还提供了一种磷化铟多晶生产的压力控制方法。

本发明提供一种可以获得晶体内的添加元素的偏差小的晶体的坩埚、使用该坩埚而获得的晶体以及使用该晶体的光学元件。坩埚具有蓄积成为结晶的原料的熔液的熔液贮存部(24)和控制结晶的形状的喷嘴部(34)。喷嘴部(34)具有使熔液从熔液贮存部(24)流出到喷嘴部(34)的端面(35)的喷嘴孔(36)。喷嘴孔(36)的内周面的表面粗糙度为10μm以下。

本发明提供一种非线性光学晶体及其制备方法和应用，所述非线性光学晶体化学式为XY，其中，X为极性有机阳离子，具有含

本发明涉及晶圆制造领域，特别是涉及一种衬底改性处理方法。本发明提供一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法，通过在衬底表面涂覆反应溶液，生成多晶层铝酸钙的同时又利于相邻衬底间的分离。含有钠离子的第二反应物经过化学反应后生成氧化钠，具有较多优点：氧化钠能够与衬底中的氧化铝反应生成偏铝酸钠，偏铝酸钠溶于水后实现相邻衬底间的分离；偏铝酸钠进一步分解为氧化钠及氧化铝中间产物，该产物能够与氧化钙以较高的反应速率生成铝酸钙，加速多晶层的生成；氧化钠在与衬底中的氧化铝发生反应时，会在衬底表面形成微凹坑，加速反应并释放应力；此外，衬底表面残余的氧化钠还能进一步溶于水，从而促进相邻衬底之间的分离。

本申请涉及晶体生长领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。包括以下步骤单晶生长：装有GaAs熔体的坩埚逐渐下降，并依次经过高温区、晶体生长区、低温区，单晶生长的过程中，结晶界面始终处于晶体生长区内；所述高温区的温度区间为1260‑1250℃，所述晶体生长区的温度区间为1250‑1200℃，所述低温区的温度区间为1200‑780℃；所述晶体生长区的温度随高度的降低逐渐降低。本申请的制备方法具有提高砷化镓生长品质的优点。

本发明适用于半导体材料生产技术领域，提供了一种用于磷化铟多晶生长的加热装置。所述加热装置包括：多件发热体，设置在用于磷化铟多晶生长的晶体生长装置上；与所述发热体数目一致的多组电极；每组电极包括正极和负极，分别与加热体的两端连接；当所述电极通电后，晶体生长装置上对应于发热体的部位形成用于加热元素磷或元素铟以及磷化铟多晶生长的加热区。与现有技术相比，本发明通过采用每组电极分别对每件加热体进行供电，使得每个加热体所形成的加热区和生长区都能被独立控制，从而获得满足元素磷、元素铟及磷化铟多晶生长的工艺控温曲线要求的温度范围，最大可能地减小各加热体形成的加热区之间的相互影响。

本发明提供了一种二维单晶四氧化三铁纳米材料及制备方法，步骤如下：（1）将生长衬底水平放置于高温管式炉中，将铁源与分子筛混合放置于生长衬底下方；（2）在一定压力和载气条件下，将管式炉升温并维持一定温度，然后通入氧气并保持一定时间，使挥发至衬底表面的铁源与氧源反应生长得到二维单晶四氧化三铁纳米片。本发明制备方法简单、耗时短、可批量化、厚度尺寸均匀可控制备等优点。通过光学显微镜、拉曼光谱表征、扫描电子显微镜以及原子力显微镜等数据确定样品是高质量的二维四氧化三铁纳米片。

本发明提供一种扫描电镜用小尺寸的LaB

本申请公开了一种对称型高温相偏硼酸钡(α‑BBO)晶体的制备方法、对称型高温相偏硼酸钡晶体及应用，所述制备方法包括：将含有碳酸钡、硼酸的原料，采用固相合成法，得到偏硼酸钡化合物多晶粉末；在三方对称型温场中，采用提拉法生长，将含有碳酸钡、硼酸的原料，熔化进行晶体生长，得到所述对称型高温相偏硼酸钡晶体。本申请制备的对称型高温相偏硼酸钡晶体为三方对称型且等径处晶面完整的α‑BBO晶体能够有效的避免晶体开裂，容易量产得到大尺寸高质量不开裂的α‑BBO晶体。

本发明公开了一种在提拉法生长晶体过程中测量晶体塞贝克系数的方法和装置，其中方法如下：在晶体生长过程中，通过对籽晶杆造成可调的周期性温度波动，记录晶体生长过程中籽晶的周期性波动的温度T和周期性波动的界面相本征电动势U；通过多个波动周期的叠加，将晶体的电信号和熔体的电信号以及其他的干扰信号区分开，然后根据周期性波动的温度T和对应周期性波动的界面相本征电动势U求得晶体塞贝克系数。本发明通过在籽晶端造成周期性温度波动的方式，可以将晶体和熔体的电信号区分开，从而求得晶体的塞贝克系数。这种方法不会干扰到晶体的正常生长，而且在较短时间内通过数据的叠加就能获得晶体的塞贝克系数，能在生长过程中实时的测量。

本发明提供一种改善单晶硅微缺陷的方法，涉及晶棒拉制方法技术领域，在晶棒拉制过程中，具有冷却系统的热场包括水冷热屏，所述水冷热屏内开设环形水冷空腔，所述环形水冷空腔与所述水冷热屏的形状相同，在所述水冷热屏内的环形水冷空腔通入预定温度的冷水，使得在拉速V相同的情况下，固液界面中心与边缘温度梯度G近似为1，使得单晶横截面不会存在两种不同点缺陷的富积区，进而使得COP缺陷的形成得到了抑制，有效的减少单晶中的粒子缺陷（COP)。

本发明公开了一种碳化硅长晶炉感应线圈升降机构及其使用方法，包括感应线圈组件和升降组件；升降组件包括伺服电机、行星减速机、离合减速机、第一联轴器、直角减速机、第二联轴器、线圈连接板、直线模组和安装板；所述感应线圈组件固定于线圈连接板上，所述线圈连接板固定于直线模组的滑块上，所述直线模组安装于安装板上，所述安装板可调节式固定于机架上；所述伺服电机、行星减速机和离合减速机顺序连接后，通过第一联轴器将离合减速机的输出轴与直角减速机的输入轴相连接，通过第二联轴器将直角减速机的输出轴与直线模组的丝杆相连，通过升降组件带动感应线圈组件实现升降运动。更加简洁、高效、低成本地实现对感应线圈升降的高低速精确控制。

本发明提供一种磁致伸缩常数以及平行磁致伸缩量较高、构件间的磁致伸缩常数以及平行磁致伸缩量的偏差较小的磁致伸缩构件以及磁致伸缩构件的制造方法。所述磁致伸缩构件由具有磁致伸缩特性的铁系合金的单晶构成，所述磁致伸缩构件是具有长边方向以及短边方向的板状体，所述磁致伸缩构件的短边方向的方位的晶格常数比长边方向的方位的晶格常数大。

本发明的课题在于提供一种金属氧化物单晶制造装置，其能够防止在氧化气氛的高温炉内生成的以氮氧化物为例的有害物质向炉周围的扩散。本发明的金属氧化物单晶制造装置(10)是在氧化气氛下以1500℃以上的温度将炉(14)内加热的金属氧化物单晶制造装置(10)，其具备：对炉(14)内进行加热的发热体(34)；设置在上述炉(14)中的下部侧、将上述炉(14)的内外连通的吸气管(24)；设置在上述炉(14)中的上部侧、将上述炉(14)的内外连通的排气管(26)；设置在比上述炉(14)靠上方的位置的管道(36)；以及设置在上述管道(36)的中途的排气扇(38)和有害物质除去装置(40)。

本发明提供了一种优化化合物半导体晶体中空位缺陷的掺杂方法，解决现有化合物半导体晶体中空位缺陷的优化效果不好的技术问题，本发明在现有装料和晶体生长方法的基础上，摒弃了直接将掺杂元素In加入到Cd、Zn、Te等原料中或是CdTe、CZT多晶料中的方法，而是先将计算好掺杂比例的In和Te元素提前在高温下反应化合，再按照晶体中各元素的比例装料，重新在高温下混合均匀得到CZT或CdTe多晶料，最后采用晶体生长设备制备CZT和CdTe单晶体。

本发明属于核燃料制备领域以及晶体制备技术领域，涉及一种利用共晶盐助熔剂制备二氧化铀单晶的方法。包括以下步骤S1、将U

本发明公开了一种硫酸钙晶须制备方法，将柠檬酸渣先研磨、溶解，再经酸化、磁化后，接着加入晶种，经水热反应，再加入稳定剂稳定，经过滤冲洗后烘干脱水、煅烧，得硫酸钙晶须。本发明的制备方法是以柠檬酸渣为原料生产硫酸钙晶须，明确其生产工艺参数，使得柠檬酸渣资源更大化。

本发明公开了一种圆柱状硅芯的制备方法，涉及硅芯生长技术领域，包括以下步骤：装料：将多晶硅料装入石英坩埚中，并将多根籽晶装到籽晶夹头上，合炉后进行抽真空检漏；化料：将物料通过加热器全部熔化，由CCD影像系统采集分析数据，并调整加热器的功率，使液面温度维持在最佳引晶温度；缩颈：将籽晶下降至液面以下，再以一定速度快速提拉多根籽晶；放肩：将籽晶按一定速度往上提拉，并旋转籽晶，使每根籽晶的直径逐渐变大成为硅芯；等径生长：由CCD影像系统分析得出最佳拉速，将硅芯保持最佳拉速往上提拉，并将坩埚反向旋转且向上提升，保持长晶液面维持不变；提出：将硅芯提出液面，自然冷却后开炉取出。本发明可同时拉制多根高纯度硅芯。

本申请涉及材料生长处理领域，尤其涉及一种结晶硫化方法，将待结晶材料置于硫氛围中进行加热至预设温度，以实现所述待结晶材料的结晶硫化，得到结晶材料，其中，所述待结晶材料为含钼物质，所述硫氛围包含气态有机硫源。待结晶材料在有机硫源的硫氛围中加热，可以减少硫的逸出，使在结晶的晶体中硫空位被填补，获得硫空位缺陷少的结晶材料，也避免了其他硫源污染二硫化钼的晶体，如硫粉；同时，有机硫源在使用过程中毒性较低；得到的结晶材料具有较高的结晶率和晶体均匀性，降低了晶体缺陷，从而具有很好的电学性能，包括较高的导电性。

本发明实施例提供了一种拉晶方法及单晶炉，涉及单晶炉拉晶技术领域，单晶硅棒包括籽晶和通过籽晶引出的等径部，等径部靠近籽晶的一端沿自身径向延伸形成凸出部，凸出部的直径大于等径部的直径，拉晶方法包括：控制第一限位件和第二限位件处于第一相对位置，其中，第一相对位置表示第一限位件和第二限位件之间的距离大于凸出部直径时所处的位置；获取单晶硅棒的状态参数；在状态参数满足预设条件时，控制第一限位件和第二限位件处于第二相对位置，其中，第二相对位置表示第一限位件和所述第二限位件之间的距离小于凸出部直径，且大于等径部直径时所处的位置。

提供一种单晶纤维制造装置及单晶纤维制造方法，该装置及方法完全不需要在以往的单晶纤维制造装置中所需的高精度的控制性，而且，使在长时间内维持稳定的稳定状态变得极为容易，并能稳定地制造数百m以上的长的单晶纤维。一种单晶纤维制造装置，在腔室内将激光照射到原料棒的上表面以形成熔融液，将种晶单晶浸于该熔融液并向上方提起，从而制造单晶纤维，包括：激光光源，其将激光以平行光的形式照射；提起装置，其构成为能在保持种晶单晶的状态下使种晶单晶沿铅垂方向上下移动；以及平面反射镜，其以使激光垂直入射到原料棒的上表面的形式使激光反射，构成为以使熔融液的温度呈环状温度分布的形式将激光照射到原料棒的上表面。

本发明公开了一种InN自组装纳米柱制备方法及其产物，包括以下步骤：(1)对表面有二氧化硅薄层的衬底进行低温退火处理；(2)采用氮等离子体对二氧化硅薄层进行低温氮化处理形成成核点；(3)采用低温外延形成InN纳米柱形貌；(4)升高衬底温度后，继续生长InN纳米柱。本发明提供的制备方法采用对衬底表面二氧化硅薄层进行氮化处理，在氮化处理后形成的成核层上低温获得InN纳米柱形貌，并且本发明采用的SiO

本发明涉及光电功能材料与器件技术领域，具体涉及一种混合卤化物钙钛矿单晶及多晶薄膜的制备方法。所述混合卤化物钙钛矿单晶和混合卤化物钙钛矿多晶薄膜中的卤原子包括氯、溴、碘中的两种或三种；使用添加有添加剂的二甲基亚砜溶液作为配制混合卤化物钙钛矿单晶生长的前驱体溶液的溶剂；本发明通过溶剂工程、组分工程，首次实现混合卤化物钙钛矿材料中不同卤素原子的有序排布以及晶体生长取向调控，以改善该材料的晶体缺陷、稳定性以及其太阳能电池的性能。

本申请公开了一种碳化硅籽晶及由其制得的碳化硅单晶片、单晶锭。其中，所述碳化硅单晶片包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面和第二表面的不同位置处的XRD半高宽均不大于16arcsec；所述第一表面和第二表面的不同位置处的XRD半高宽的差值不大于5arcsec。本申请的碳化硅单晶片质量较高且不同位置处结晶质量均匀，晶型一致性好。

本发明涉及一种碲锌镉单晶圆片制备工艺，包括如下步骤：制备多晶棒、富碲合金；取一个石英管，在其内部放入籽晶，再依次放入上述得到的多晶棒、富碲合金；对石英管中放置富碲合金的区域施加不超过1000℃的高温；继续保温5‑100h后以0.02‑2mm/h的速度朝向籽晶一侧移动热源，直至热源高度低于步骤三的步骤三的最低端为止，同时待多晶棒与熔融的富碲合金熔体脱离后，以0.001‑1mm/min的速度向上提拉多晶棒；步骤五：降温，得到碲锌镉单晶晶棒；步骤六：对得到的碲锌镉单晶晶棒经切片、腐蚀、抛光和清洗处理，即得到所述碲锌镉单晶圆片。本发明实施例制备工艺过程简单，所需温度低，便于实施，得到的碲锌镉单晶圆片纯度高，因此应用价值高。

本发明公开了一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法，属于新材料与太阳能技术领域，包括如下步骤：(1)将表面清洁的晶体硅片放入含有处理液的容器中；(2)在20℃下反应10分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米倒金字塔结构绒面；(3)在20℃下反应20分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔结构绒面；(4)将腐蚀后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面残存的金属。本申请方法腐蚀的硅片表面铜沉积量极少，所腐蚀的微纳米倒金字塔结构宏观均匀，微观表面光滑、缺陷少，因此在太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。

本发明提供一种单晶多孔高熵羟基氧化物及其制备方法，属于电化学催化技术领域，所述单晶多孔高熵羟基氧化物的分子式为Zn

本发明公开了一种长晶过程中监控固液界面温度系统及微控方法，本发明涉及长晶温度监控技术领域。该长晶过程中监控固液界面温度系统及微控方法，通过温度检测组件的设置，当晶体凝结固液界面生成时，通过探测板以及探测板端部两侧下压板的配合，将对应的温度采集模块推动至固液界面，并将检测值通过温度信息接收模块以及信息传输模块输送至温度监控模块进行显示，且通过调节组件的设置，能够在固液界面生成的过程中对顶面多处位置进行温度、高度的测量监控，并将取得的平均温度值进行对比，提升了固液界面的检测精准度，提升了晶体凝结的效果。

本发明涉及一种八面体魔方状Keggin型磷钼酸铜基晶态材料的制备及应用。本发明的目的是要解决一些多酸类晶态材料作为超级电容器电极材料在溶液中稳定性差，导电性能不高的问题，提供一种可以提高其电容性能作为超级电容器电极材料的制备方法。本发明的一种八面体魔方状Keggin型磷钼酸铜基晶态材料的化学式为[Cu(H

本发明公开一种晶体生长控制方法以及装置、晶体生长设备，涉及晶体拉制技术领域，以提供一种在提拉生长晶体的过程中，形成电池端所需形状晶体的技术方案。包括：在提拉生长晶体的过程中，实时获取晶体的生长图像，并从生长图像中提取晶体在生长界面处的形状信息。其中，生长界面为晶体与原料熔体液面相交处；将晶体在生长界面处的形状信息，与预设形状的形状信息进行对比，获得对比结果。基于对比结果，利用激光器调整晶体在生长界面处的形状。

本发明提供一种改善外延层异常生长的方法，提供基底，在基底上形成外延层；在外延层上形成硬掩模层；对硬掩模层进行等离子氦气处理；对外延层进行光刻和刻蚀；湿法清洗；进行表面预清洗，之后进行外延层的再沉积。本发明对硬掩模层进行等离子氦气处理，降低SiN刻蚀速率，有利于保护硬掩模版结构不被破坏，提高其对SiP及SiGe的保护作用，减少外延层SiGe或SiP在NMOS或PMOS源漏的异常生长，提升EPI流程的工艺窗口。

本发明提供了一种掺杂氮化铝晶体的生长方法及生长装置，该生长方法采用气相生长以及气相掺杂的方式，不仅可以通过调节组分来提高掺杂浓度，并且气相掺杂还可以保证掺杂的均匀性，且可以使掺杂原子在氮化铝晶体中的浓度接近其固溶上线，总体过饱和蒸汽压和各组分分压实现量化控制；进一步的，在本申请中生成氮化铝晶体时进行双元素掺杂，同时为了掺杂效率以气态形式将掺杂剂通入到生长腔体内，并通过控制Al、N比来辅助提升掺杂效率，增加C的掺杂提高Be、Mg的掺杂效率。

本发明公开了控制生长完美硅晶体的方法及硅晶体，该制备方法包括：获取完美晶棒生长过程中，晶棒上任一指定位置在不同长晶长度时对应的温度；根据晶棒上所述指定位置在不同长晶长度时对应的温度，计算指定温度对应的晶棒长度；根据所述指定温度对应的晶棒长度计算指定温度范围对应的温度带的宽度；根据所述温度带的宽度以及长晶拉速，计算所述指定位置通过所述温度带所需的时间；根据所述指定位置通过所述温度带所需的时间，在所述指定位置经过所述温度带时调节长晶炉中冷却装置的冷却效率。该方法为完美晶体的长晶过程中如何调节长晶炉中冷却装置的冷却效率提供了理论依据，从而提高了晶体品质和完美晶体的良率。

本发明属于多晶硅铸锭设备技术领域，具体为一种用于多晶铸锭炉的温度输出功率控制系统及控制方法，一种用于多晶铸锭炉的温度输出功率控制系统，包括温度测量模块、高度统计模块、加热模块、功率调节模块、数据统计模块、温度对比模块和时间记录模块；所述温度测量模块包括炉内温度测量模块和炉表温度测量模块，所述炉内温度测量模块用于测量所述加热模块的温度，所述炉表温度测量模块用于测量多晶铸锭炉外表的温度；所述高度统计模块，用于带动所述炉表温度测量模块进行上下移动，本发明利用固液界面的增长速度来对加热模块需求的输出功率进行控制，进而避免对硅液的温度进行采集，从而提高温度输出功率的精准性。

本发明公开了一种氮化物外延层的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一具有氮化物缓冲层的衬底；S2、通入不含氧前驱体源，在所述氮化物缓冲层上生长第一非掺杂氮化物层；S3关闭不含氧前驱体源，通入含氧前驱体源，在所述第一非掺杂氮化物层上生长含氧氮化物层；S4、关闭氮源，通入含氧前驱体源，进行热退火处理；S5、关闭含氧前驱体源，通入还原性气体对所述含氧氮化物层进行刻蚀处理以形成坑洞结构；S6、通入不含氧前驱体源，在刻蚀处理后的含氧氮化物层上生长第二非掺杂氮化物层，得到具有坑洞结构的氮化物外延层。本发明通过坑洞结构促进氮化物外延层横向生长，改善位错密度走向，降低氮化物外延层位错密度，提高晶体质量。