对金属材料的镀覆、用金属材料对材料的镀覆、表面化学处理、金属材料的扩散处理、真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆、金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

本发明属于材料制备技术领域，具体涉及基于Ge2Sb2Te5的红外隐身与辐射散热薄膜及其制备方法。本发明的红外隐身与辐射调控选择性发射薄膜材料为Ni和Ge2Sb2Te5，衬底为高纯硅片。选择性发射薄膜包含为Ni/晶态Ge2Sb2Te5/Ni/非晶态Ge2Sb2Te5四层结构，中间层晶态Ge2Sb2Te5通过沉积后退火得到。该结构可同时实现在3‑5、8‑13μm的“大气窗口”区间低发射，和在窗口外5‑8μm的高发射，同时实现了隐身和散热的双功能效果。

本发明提供了一种原子层、分子层沉积设备及沉积方法。本发明的原子层、分子层沉积设备，沉积腔体外壁面对应样品台处设有第一加热部件，沉积腔体外壁面位于样品台之外的位置设有至少一个第二加热部件，即沉积腔体采用多温区加热方式，第一加热部件对应的加热温度为待沉积样品薄膜生长的温度，而第二加热部件对应的加热温度则低于待沉积样品薄膜生长的温度，采用多温区加热方式，降低了设备对于密封胶圈的耐温需求；多个前驱体源瓶通过一转多转接件与第一管道另一端连通，前驱体源瓶之间为并联方式，由于每个前驱体源瓶均连通有载气管路，因此，每一个前驱体都会进行载气负载，避免了前驱体源之间的交叉污染。

本发明公开一种用于EB‑PVD多自由度输出的涂层工装，包括连接轴、主动轮、从动轮、齿环、夹持机构；所述连接轴的一端套设在齿环的内部，所述连接轴设置在齿环的轴线上，所述连接轴的外侧连接主动轮，所述主动轮和齿环之间设置从动轮，所述从动轮在齿环内和主动轮连接，所述连接轴的另一端和设备主轴连接，所述从动轮连接夹持机构，所述夹持机构内设置涡轮叶片，所述涡轮叶片的中心点和连接轴保持在同一直线上，其中，所述从动轮能够自转。通过单动力输入实现多自由度输出的涂层工装，从而实现涡轮叶片的多自由度运动，保证涡轮叶片各部位涂层性能一致，提高涡轮叶片的综合性能和质量稳定性。

本发明公开了一种负极集流体的制备方法，包括有以下步骤：a)在柔性基板上下表面涂覆一层含有钯纳米催化颗粒的有机基础层；b)有机基础层固化；c)有机基础层表面粗化处理；d)镀铜。本发明减少了工艺步骤，提高了生产效率，降低了生产成本，提高了生产良率。纳米钯催化剂与有机固体成分共混，均匀分散在有机固体成分中的催化剂分散均匀，体系稳定，钯纳米粒子在有机基础层中分布更致密，更均匀，进而基于均匀的催化剂成核点促使化学镀生长的铜膜也更均匀和致密。适合柔性基材广泛，有机粘结层中的铜层更均匀，铜膜的附着力也更好。

本发明公开了一种增强涂层与基材表面结合强度的方法，将YF3、不含氟的钇化合物粉末和WO3粉末的混合物在行星式快速球磨机中球磨后得到混合粉末；将混合粉末用等离子喷涂技术喷涂于经预处理的基材表面。本发明的方法所得的涂层组织结构和组成成分上更加均匀，减少了晶界、位错等容易引起局部快速腐蚀的通道，具有极高的强度、韧性和更加优异的耐磨耐腐蚀性能。在高功率等离子侵袭下，具有比单纯的YF3涂层更好的耐等离子刻蚀性能。涂层与基材之间的结合更强，Peeling的风险大大降低，气孔率不足1.5％不容易发生Particle异常现象。

一种可见光‑中红外宽波段透明导电薄膜的制备方法，涉及一种红外透明导电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的红外光学材料无法兼容高红外透射率和高电导率的技术问题。本发明利用磁控溅射共溅射技术结合硫化处理的方式制备了可见光至中红外宽波段P型透明导电LaCuOS薄膜，制备工艺简单。本发明的LaCuOS薄膜的载流子浓度均在1019cm‑3以上，电导率均在30S/cm以上；镀有LaCuOS薄膜的蓝宝石可见光透过率高于60％，中红外透过率也可达约为50％，实现了P型透明半导体材料可见光‑中红外宽波段透过与电学性能的兼容。

本发明公开了一种避免温度骤降的金属化薄膜镀膜机，设置有背板，所述背板的一侧通过螺栓安装有电动机，所述送料辊通过皮带轮机构与引导辊和收卷辊相互连接；包括：清理箱，固定在所述背板的另一侧，所述清理箱的顶部安装有吹吸风机；出料管，固定在所述吹吸风机的另一侧，所述出料管远离吹吸风机的一端连接有收集盒；镀膜箱，固定在所述清理箱的侧面，所述镀膜箱的内部固定有分隔板。该避免温度骤降的金属化薄膜镀膜机，在薄膜传送过程中，可对薄膜镀膜的一面进行清理，防止灰尘和杂质的粘附影响金属物质的贴合性，并且在镀膜之前对薄膜具有预热作用，防止镀膜前后的温度差影响镀膜以及对薄膜造成损坏。

本发明涉及一种高磁感取向电工钢的制备方法，其包括炼钢、连铸、铸坯加热、热轧、常化退火、冷轧、连续退火及涂隔离层、高温退火、热拉伸平整，连续退火过程包括渗氮处理工艺，渗氮处理工艺的渗氮气氛中满足以下关系式：式中T为渗氮温度，单位，℃；为渗氮气氛中H2的分压；t为处理时间，单位，s；为渗氮气氛中NH3的分压；N1为渗氮后钢中含氮量；本发明在渗氮处理工艺中通过调整渗氮参数渗氮后含氮量的关系式，可以高效精准控制渗氮量，提高成材率，提高电工钢生产过程中的渗氮效率。

本申请提供一种高效形成氧化铝介质层的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，在衬底上形成粘合层；步骤S2，对衬底进行清洗预处理；步骤S3，采用原子层沉积工艺在粘合层上形成氧化铝介质层。通过步骤S2，将粘合层表面的无法吸附羟基的尖峰状微粒和杂质去除，可以显著增加粘合层表面的吸附点位，使粘合层的表面可以更多吸附步骤S3中循环实施步骤的第一步所产生的羟基，提升原子层沉积的沉积速率，进而提高产能。

本文中所公开的实施方式包括基板处理模块及移动工件的方法。基板处理模块包括遮件堆叠及两个处理站。遮件堆叠设置在处理站之间。移动工件的方法包括以下步骤：在第一方向上将支撑部分从第一位置移动到遮件堆叠，从遮件堆叠取回工件，及将支撑部分移动至第二位置。传输腔室组件及方法允许将工件移动至遮件堆叠及将工件从遮件堆叠移动到两个处理站。基板处理模块的中心传输机器人被配置为抓取基板及遮挡盘两者，从而在一般会需要两个机器人的时候允许使用一个机器人。

本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟、氯、溴以及碘中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；m为0～2n+1；所述i和j分别为0～3的整数。根据本发明，提供薄膜形成用生长抑制剂、利用其的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，其能够抑制副反应，以降低薄膜生长率，并去除薄膜内工艺副产物，从而即便在结构复杂的基板上形成薄膜，也能够大幅改善台阶覆盖性以及薄膜的厚度均匀度。

本申请公开了一种掩膜板及其制造方法，属于蒸镀技术领域。一种掩膜板包括，包括：硅基框架和金属子掩膜板。由于采用金属材料制成的金属子掩膜板的厚度较小，因此，该掩膜板内的像素开孔的深宽比较小。在采用这种掩膜板进行蒸镀的过程中，蒸镀材料不易附着在像素开孔的内壁上，使得掩膜板中的像素开孔不易被堵塞，有效的提高了采用这种掩膜板在待蒸镀的基板上形成的图案化的膜层的质量，进而可以提高后续制备出的显示面板的显示效果。

提供了一种沉积系统和沉积方法。沉积方法包括：将衬底放置在沉积系统的室中的平台上方。将前体材料引入室。在耦合到室的第一电磁(EM)辐射源前面产生第一气幕。由所述室中的前体材料产生等离子体，其中等离子体包括前体材料的解离组分。使等离子体经受来自第一EM辐射源的第一EM辐射。第一EM辐射进一步解离前体材料。在衬底上方沉积层。该层包括前体材料的解离组分的反应产物。

本发明公开了一种具有卷带式连续进料功能的钙钛矿膜制备系统和方法。该系统包括卷带装置、喷涂装置、预风干装置、抽真空干燥装置和蒸镀装置，卷带装置包括辊轮和卷带，辊轮转动带动卷带循环转动，沿着卷带转动的方向，卷带上依次限定出喷涂区、预风干区、真空干燥区和蒸镀区，设在喷涂区的喷涂装置将前驱体溶液喷涂至卷带上形成湿膜，设在预风干区的预风干装置对进入风干区的湿膜进行预风干，设在真空干燥区的抽真空干燥装置将进入真空干燥区的预风干后湿膜干燥成干膜，设在蒸镀区的蒸镀装置将干膜升华沉积在基片上。该系统实现了将前驱体原料源源不断地运至蒸镀装置制备钙钛矿膜且前驱体原料更换容易，大大提高了设备的利用率和生产效率。

除去液的再生方法包括：在利用半加成法制造印刷线路板时，使用除去液从具备镍铬含有层和铜含有层的基板中除去所述镍铬含有层的工序；回收已使用的所述除去液的工序；以及使在所述回收工序中回收的除去液与螯合树脂接触的工序，所述螯合树脂具有由下述式(1)所表示的官能团。式(1)中，多个R是相同的碳原子数为1～5的2价烃基。所述烃基所具有的氢原子的一部分可以被卤素原子取代。[化学式1]

一种用于更换安装在附接至工业机器人的工具夹具中的浮渣去除工具的工具更换系统及其方法。该工具更换系统包括：工具夹具；具有工具轴的工具，该工具具有沿着工具轴间隔开的多个连接元件；以及工具保持器，用于在工具未连接至工具夹具时存放工具。具有附接的工具夹具的机器人腕端部可与工具的第一连接元件接合，并且在工具轴上施加轴向力和旋转力。保持工具的工具保持器可承受该轴向力和旋转力，从而允许工具夹具中的夹具打开并接合第二连接元件以夹持工具。

本公开提供一种半导体制造设备的控制方法、装置、设备、系统及介质，半导体制造设备的控制方法，接收控制指令，断开或者连通第一气流通路；基于控制指令，断开第一气流通路时，驱动抽气管道的抽气端部与进气管道的出气端部连接，开启负压生成装置对进气管道进行抽气；或者，连通第一气流通路时，驱动抽气端部与进气管道的出气端部断开，关闭负压生成装置停止抽气。本公开中的控制方法中，基于控制指令，并执行于该控制指令，完成第一气流通路的通断，实现了半导体制造设备的自动化。通过控制抽气管道与进气管道的出气端部连接，阻隔大体内的水分子和气体分子，避免进气管道内的沉积反应物与大气内的分子发生反应，进而生成非预期合成物。

本申请公开了电极馈入装置和化学沉积设备，电极馈入装置包括电极导杆、电极块和载片舟。电极块设置于电极导杆上。载片舟具有舟脚，舟脚与电极块抵接，以将二者电性连接。其中，电极块和舟脚的至少其中一者设置有阻挡部，用于阻挡工艺气体进入舟脚与电极块之间的缝隙。通过上述方式，本申请能够增强电场的稳定性。

本发明涉及一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，具体涉及作为由化学式1表示的化合物的蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，[化学式1]AnBmXoYiZj其中，所述A为碳或硅；所述B为氢或碳原子数为1～3的烷基；所述X为氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)以及碘(I)中的一种以上；所述Y与Z各自独立地为选自氧、氮、硫以及氟中的一种以上且彼此不同；所述n为1～15的整数；所述o为1以上的整数；所述m为0～2n+1；所述i和j为0～3的整数。根据本发明，能够提供一种蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂、利用其的蒙版保护薄膜形成方法以及由此制造的掩模，所述蒙版保护薄膜形成用生长抑制剂不仅不会降低蒙版的透射率，而且还能够防止腐蚀或劣化，从而大幅延长采用其的掩模的寿命。

本发明公开了一种低气味黑色金属高温超声波清洗剂，属于清洗剂技术领域，包括水72.3‑86％、清洗助剂12.5‑16％、氢氧化钾0.83‑1.3％、碳酸钾2.4‑3.6％、防锈剂0.6‑1.7％和表面活性剂8.5‑16.1％。本发明制备的清洗剂，使用安全，对环境和人体健康友好，气味温和不刺激皮肤，清洗后无腐蚀变色现象。多种非离子表面活性剂搭配清洗助剂可明显降低界面张力从而快速剥离油污，耐酸碱环境，不会分层，成品稳定，耐硬水不影响清洗效果，可在高温下使用。

本发明实施例公开了一种用于制备掺杂剂的方法，所述方法包括：使含目标掺杂元素的原料与硅片衬底接触；通过化学沉积使所述原料沉积在所述硅片衬底上以形成具有设定厚度的沉积层，其中，形成有所述沉积层的所述硅片衬底能够用作掺杂剂，由于沉积层的参数可以精确地控制，因此可以通过控制沉积层的参数精确控制最终获得的掺杂剂中掺杂元素的含量，进一步地，当使用通过本发明实施例提供方法获得的掺杂剂生产掺杂的单晶时，相比于现有的掺杂剂，可以更为精确地控制掺杂的单晶中的掺杂元素含量，进而提高掺杂的单晶的电阻率稳定性和一致性。

本发明涉及气敏薄膜制备技术领域，具体地说是一种一体化晶圆级硫化氢气敏薄膜及单个MEMS硫化氢气敏薄膜的制备方法，在原子层沉积ALD之前，首先对晶圆MEMS进行清洁和干燥，将MEMS转移至ALD反应器中，以二乙基锌和水为前驱体沉积ZnO薄膜，通过控制ALD ZnO在MEMS上沉积的循环次数，以获得不同厚度ZnO薄膜，同现有技术相比，本发明利用ALD在晶圆MEMS上原位构建一体化ZnO超薄气敏薄膜，实现高结合强度、高灵敏度和长期稳定的MEMS传感器制备，该工艺可有效提高MEMS传感器的一致性，并实现高通量、一致性和均匀性制备，提高MEMS硫化氢传感器的制备效率。

本发明涉及一种用于阻止IC10单晶高温合金和合金粘结层界面互扩散的扩散阻挡层。所述扩散阻挡层的成分为NiCoCrWTaAlA，其中A为Mo、Nb、Re和Hf中的至少一种；以NiCoCrWTaAlA的总质量为100％，Ni为68～71wt.％、Co为11～12.6wt.％、Cr为6.5～7.8wt.％、W为4～5.5wt.％、Ta为6.7～7.5wt.％、Al为4.8～5.5wt.％，A为2.9～4.5wt.％。

本发明实施例公开了一种用于电路板或电池电极的卷绕式铜膜真空镀膜设备，至少包括依次设置的放卷室、工艺室、及收卷室；工艺室至少包括：表面活化工艺室，用于对输送而来的柔性PI基材进行二次烘烤，并通过离子源对柔性PI基材进行材料表面活化处理；改性工艺室，用于通过金属源注入Cu离子，使经表面活化处理的柔性PI基材表面，形成由Cu离子和PI材料表面原子或分子相结合的改性嵌入层；弧靶离子镀膜工艺室，用于通过弧源离子源注入Cu离子，使改性嵌入层上形成Cu过渡层；以及磁控溅射镀膜工艺室，用于通过磁控溅射源以直流溅射的方式在Cu过渡层上形成Cu功能层。本发明实施例，经工艺室真空镀膜制成的铜膜，其表面附着力满足大于0.7N/mm的要求。

本发明公开了一种沉积组件及半导体装置，该沉积组件包括绝缘支撑件、电极板以及绝缘间隔套，电极板为至少两个，电极板套设在绝缘支撑件上，且至少两个电极板间隔设置，绝缘间隔套套设在绝缘支撑件上，且绝缘间隔套的两端分别止抵在相邻的两个电极板上，绝缘间隔套的外周壁上设有沉积槽。该沉积组件能够较好地避免相对设置的电极板导通的现象发生，避免电极板短路的现象发生，从而确保等离子稳定生产以确保产品镀膜效果。

本发明涉及一种三氯化铁蚀刻液再生利用系统及方法，包括：通过置换反应，将蚀刻液中的铜离子以海绵铜的形式从溶液中分离；将置换后的蚀刻液加入至氧气反应釜进行氧化再生三氯化铁蚀刻液；将再生后的蚀刻液补加少量盐酸恢复至蚀刻液原酸度；蚀刻液循环利用，增量的蚀刻液加工成副产品，不产生废蚀刻液。本发明对废蚀刻液进行在线处理，达到循环使用，能够快速有效的再生三氯化铁蚀刻液，可降低氧化剂的使用，且再生过程中不产生危险性气体氯气，能够满足低酸度生产，有效降低车间盐酸酸雾，可在降低生产成本的同时不产生废蚀刻液，实现三氯化铁蚀刻废液在线循环再生。

本申请公开了粉末镀膜设备。粉末镀膜设备包括反应器和混合器。反应器内具有反应腔，反应腔设置有进气口和抽气口。混合器内具有混合腔，混合腔设置有混合进口和混合出口，混合出口与进气口连通。其中，混合腔内设置有混气件，用于改变混合腔内的气体流动状态。通过上述方式，本申请能够提高粉末镀膜的质量。

本发明公开了一种热镀锌工艺方法，包括以下步骤：脱脂：将工件放入脱脂池中，进行脱脂，达到工件完全被水浸润为止，去除表面油污和杂质，水洗：用清水把工件表面的油渍冲洗干净，酸洗：将工件通过起吊走行系统步进式向前输送经过多个酸洗槽进行酸洗处理；本发明通过下锅时遵循“先下先起”的原则进行浸锌作业，使工件整体锌层均匀，出锅后，采用震动或人工敲打方式去除残余锌液，尽量拉大起升角度，使锌液更快的回流到锌锅内，在下锅后震动可利于锌灰上浮和减少浸锌时间，需要锌层厚度的工件采用秒表计时的方式，能够达到镀层均匀、不漏镀、不产生颗粒现象以及附着力强的目的，保证了镀锌的质量，提高了铁塔的使用寿命。

本发明公开了一种镁银合金和镱金属清洗剂及清洗方法，开发了一款在较低的成本下，可以高效的溶解Mask、坩埚上残留的镁银合金、镱等金属，同时不对Mask等基底产生损失，且减少沉淀产生的金属清洗剂。该清洗剂由2‑10%的氧化剂，3‑12%的氧化物溶解剂，3‑15%的pH调节剂，0.1‑1%的缓蚀剂，0.1‑1%的金属螯合剂组成，其余为水。本发明提供的镁银合金、镱金属清洗剂可在较低的成本下，高效的溶解Mask、坩埚上残留的镁银合金、镱等金属，同时不对Mask等基底产生损失，且减少沉淀产生。

本发明公开了一种非规则曲面工件镀膜阴极用伸缩机构，包括矩形阴极、阴极支撑管、安装门板、丝杠副、连接板、驱动装置、控制装置，安装门板与真空腔体密封连接，矩形阴极背板的上下侧各连接有一根阴极支撑管，阴极支撑管的另一端穿过安装门板并通过焊接波纹管与安装门板大气侧密封连接，连接板一侧与阴极支撑管固定连接，另一侧与丝杠副的螺母固定连接，驱动装置用于驱动丝杠副的丝杆正反转动，控制装置用于通过控制驱动装置驱动阴极支撑管往复运动，实现矩形阴极靶面始终和工件保持一个相对稳定的靶基距。本发明解决了非规则曲面工件表面镀膜在生产线直线传输生产时的膜层均匀性难题，保证了曲面工件表面沉积膜层的均匀性。

本发明公开了一种真空腔体碳膜清洁方法，适应于等离子镀膜装置中管道内壁碳膜的去除，所述等离子镀膜装置包括靶材、管道、磁场控制系统、引弧机构和直流弧电源，所述管道呈中空结构，所述磁场控制系统设置在所述管道外侧，包括步骤：(1)将所述直流弧电源的正极与所述管道电连接，所述直流弧电源的负极与所述靶材电连接；(2)利用所述直流弧电源和所述引弧机构在所述靶材表面起弧，在所述管道内产生等离子体；(3)采用所述磁场控制系统控制等离子体轰击管道内壁，以去除管道内壁的碳膜。该方法效率高、环保、便捷、成本低。

本申请公开了一种轴承保持器的热处理方法，包括以下步骤：(1)前处理：将工件进行清洗去掉表面油污；(2)预热：将工件先加热至300‑350℃，保温，然后出炉，5min内进行碳氮共渗；(3)碳氮共渗：将预热后的工件入炉，加热至780‑810℃，到温后通入含碳气体和含氮气体，保温；(4)淬火：将工件浸入淬火油中进行淬火；(5)清洗：清洗掉工件表面残留淬火油污；(6)回火：清洗后将工件装入回火炉，出炉后空冷即可。本申请通过采用预热并限定预热温度和碳氮共渗温度，再配合热油冷却淬火，明显改善了保持器的热处理变形情况，使保持器尺寸合格率提高到97％以上。

本发明涉及一种用于电厂保养的活性胺加注设备，包括联氨加注装置和氨溶液加注装置，所述联氨加注装置包括联氨溶液箱、第一联氨泵、第一联氨泵出口阀、联氨给水泵组、第二联氨泵、第二联氨泵出口阀、联氨凝结水泵和联氨凝水加注阀，所述第一联氨泵和第二联氨泵的输入端均连接至联氨溶液箱，输出端分别连接至第一联氨泵出口阀和第二联氨泵出口阀，所述第一联氨泵出口阀经由联氨给水泵组连接至给水加注口，所述第二联氨泵出口阀通过联氨凝结水泵连接至联氨凝水加注阀，所述氨溶液加注装置包括氨溶液箱、第一氨泵、第一氨泵出口阀、氨液凝结水泵和氨液凝水加注阀，所述第一氨泵的输入端连接至氨溶液箱，输出端连接至第一氨泵出口阀，所述第一氨泵出口阀连接至氨液凝水加注阀。与现有技术相比，本发明具有可靠性高等优点。

本发明提供了一种高温Si1‑xGexFey稀磁半导体薄膜、制备方法及其应用，属于磁性半导体材料领域。本发明的制备方法包括：S1：对本征Ge衬底进行清洗和去除表面氧化物；S2：将处理过的Ge衬底、高纯硅靶、高纯锗靶和高纯铁靶放入背景压强为10‑5Pa的射频多靶共溅磁控溅射生长室中，使薄膜在0.35Pa的高纯氩气气氛中生长；在生长过程中保持衬底温度在250℃并持续旋转；S3：在薄膜生长过程中首先在Ge衬底上生长50nm厚的Ge缓冲层，然后在Ge缓冲层上生长150nm厚的Si1‑xGexFey薄膜；生长结束后自然冷却到室温，得到沉积的Si1‑xGexFey薄膜；S4：用快速退火炉在混合气体气氛下对沉积的Si1‑xGexFey薄膜进行退火处理。本发明制备的Si1‑xGexFey薄膜表面光滑、厚度均匀、各元素分布均匀、具有良好的结晶性和高温铁磁性。

本发明涉及链条加工技术领域，且公开了一种链条加工用磷化装置，包括磷化池，所述磷化池中充满磷化液，所述磷化池内腔的上侧位置设置有升降件，所述升降件与升降机构连接，所述升降件的前侧面转动安装有承载杆，所述升降件的内部设置有一号动力机构，所述承载杆的后端与动力机构的输出杆固定连接，所述承载杆的周向外侧等距固定安装有转动齿，所述承载杆的周向外侧缠绕有链条，所述链条的下侧呈下垂状态，所述链条的两端端头均通过固定机构与链条整体形成固定连接，所述转动齿伸入链条的链环中，所述磷化池内腔中位于承载杆的下方位置固定安装有接触板。本发明通过承载杆、转动齿与接触板的设置，进而进一步增大链条整体与磷化液的接触程度。

本发明涉及一种五金硝挂退镍废液再生方法及其应用；其属于节能环保这一技术领域。其技术要点在于，首先将甲基磺酸剥镍废液中的镍离子在直电流作用下电解：阴电极析出金属镍，阳电极析出氧气；然后，甲基磺酸镍废液提镍后产生的电余液经过添加促进剂和稳定剂后返回退镍生产产线使用。该方法能使药水循环回用的同时产生高价值的镍板，整工艺节约了物料成本的同时剥镍药水可以重新在次使用，为工厂创造更大价值，响应国家“清洁生产、节能减排”的政策。

本发明公开了一种铁基硫酸退铬添加剂，以硫酸溶液为基础液进行退镀，添加剂包括以下组分，200‑400g/L的无机酸盐、10‑50g/L的有机酸醇、2‑10g/L的缓蚀剂、5‑10g/L的润湿剂，制备时先称取60％的去离子水于容器中，然后依次向容器中加入称取的无机酸盐、有机酸醇、缓蚀剂、湿润剂，搅拌60分钟，然后定容到预设容量，充分搅拌均匀进行分装。本发明公开的退铬添加剂属于化学法退镀，对退镀槽设备要求低，操作简单；退镀过程中刺激性气味小，对操作环境影响小；退镀速度快并且稳定，方便操作；使用寿命长，成本低；对钢铁基体有良好的保护作用，退镀过程中，不会腐蚀基体，工件无需再次加工处理，利于工件的再次利用。

本发明公开了一种化学减薄平整钛箔的方法，涉及半导体制备领域，旨在制备一种无褶皱钛箔焊片；其技术方案要点是：一种化学减薄平整钛箔的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：钛箔表面除油清洗，将厚度10~15μm，宽度140~150mm钛箔进行超声清洗，去除表面油污和杂质，备用；S2：钛箔预处理，将步骤S1处理的钛箔，在常压下，置于液氮中过冷处理，浸泡时间30‑60min；S3：钛箔减薄，取步骤S2处理后的钛箔，转运浸没在HNO3/HF混合溶液中进行化学减薄蚀刻，减薄时间为30‑60s取出，所述转运时间3‑5s；S4：表面再次清洗并进行真空烘干。本发明的一种化学减薄平整钛箔的方法能够获得无褶皱超薄的钛箔焊片。

本发明涉及金属表面化学处理领域，具体公开了一种新型成膜发黑工艺,包括以下步骤，步骤S1、除油，将工件放置于除油池浸泡，工件上的杂质与工件分离后，将工件取出；步骤S2、一次水洗；步骤S3、除锈，将工件放置于除锈池，对工件进行除锈；步骤S4、二次水洗；步骤S5、成膜，将工件放置于成膜池内进行一次成膜，将工件取出蘸水后再进行二次成膜，然后对工件进行水冷却；步骤S6、蘸油，将工件蘸油，本发明通过天然气燃烧对除油池以及成膜池进行加热，加工过程中产生的酸雾通过冷凝塔酸雾塔中和进行达标排放，冷凝塔酸雾塔通过管道连接工作区，烟雾通过活性炭进行过滤，在加工的过程中能够保证成膜发黑的效果，提高加工效率，减少加工污染。

本发明公开了一种金属包覆WC硬质合金涂层及其制备方法，具体涉及新材料制备技术领域。具体为：将金属硫酸盐、络合剂、还原剂和稳定剂溶于去离子水制备化学镀溶液，将其和清洗过滤的WC粉末混合，然后经过滤干燥、烧结、球磨和筛分，得到金属包覆的WC粉末；将所得粉末对合金表面进行喷涂、粗磨抛光，得到金属包覆的硬质合金涂层。本发明还提供一种以上述方法制备的金属包覆WC硬质合金涂层。本发明利用超音速火焰喷涂设备将金属包覆的WC粉末制备成了硬质合金涂层，颠覆了目前该设备只能喷涂10‑53μm热喷涂粉末的认知，工艺流程短且可控无污染，制备的涂层有望在高端制造领域得到广泛的应用。