对金属材料的镀覆、用金属材料对材料的镀覆、表面化学处理、金属材料的扩散处理、真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆、金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

  • 支撑组件及其拆除方法、镀膜设备
    支撑组件及其拆除方法、镀膜设备

    本申请涉及一种支撑组件及其拆除方法、镀膜设备。支撑组件用于镀膜设备的炉管内。支撑组件包括支撑杆及支撑套杆。支撑套杆可拆卸地套设于支撑杆,并用于连接镀膜设备的电极组件。上述支撑组件,其通过支撑套杆与电极组件连接,且支撑套杆能够相对支撑杆完成单独拆离。因此,当需要拆装电极组件的时候,只需要将支撑套杆单独拆下,并相应地将电极组件相对支撑套杆完成拆装,再将支撑套杆套回支撑杆即可。如此,在拆装电极组件的过程中,用户只需将支撑套杆单独自炉管内抽出,而并不需要将支撑杆整个从炉管内拆除,降低了用户的操作难度,便于电极组件的拆装。同时,由于拆装动作范围更小,炉管内石英、陶瓷等易碎件的损坏概率也因此而得到降低。

    2024-07-23
  • 一种中部槽合金涂层及其激光熔覆工艺
    一种中部槽合金涂层及其激光熔覆工艺

    本申请涉及高熵合金涂层技术领域,具体公开了一种中部槽合金涂层及其激光熔覆工艺,包括如下步骤:S1:预处理;S2:取金属醋酸盐、无水乙醇混合均匀,然后加入草酸、三乙胺、1,3‑丙烷磺内酯搅拌,煮沸后得到前驱液;S3:向前驱液内加入季铵碱、硫代二甘醇搅拌,然后过滤、洗涤、干燥后得到金属盐寡聚体;S4:取松节油、松香、磷脂酰胆碱混合制得粘结剂;然后取金属盐寡聚体、高纯铝粉、高纯钴粉、高纯铬粉、高纯铁粉、高纯镍粉、高纯铜粉混合均匀制得高熵合金粉末;S5:取粘结剂和高熵合金粉末混合均匀涂抹至中部槽表面形成涂覆层;S6:对涂覆层进行熔覆处理。本申请制得的中部槽合金涂层具有力学性好的优点。

    2024-07-22
  • 一种基于MPCVD法的金刚石膜生产设备
    一种基于MPCVD法的金刚石膜生产设备

    本发明公开了一种基于MPCVD法的金刚石膜生产设备,包括壳体、支撑装置、冷却装置和衬底,支撑装置和壳体紧固连接,壳体上从上到下依次设有反应腔和支撑槽,反应腔和支撑槽连通,支撑装置置于支撑槽内,支撑装置上端插入反应腔内,冷却装置和支撑装置管道连通,支撑装置上端设有若干衬底,若干衬底呈环形等间距设置,壳体作为主要的安装基础,通过支撑槽对支撑装置进行安装,并通过反应腔提供反应空间,支撑装置上端对衬底进行支撑,便于进行金刚石沉积,通过冷却装置对衬底进行温度调节,使金刚石沉积在较适宜的温度区间内,通过衬底环形等间距设置,提高金刚石沉积均匀性。

    2024-07-22
  • 梯度陶瓷增强银基复合低红外发射率涂层及其制备方法
    梯度陶瓷增强银基复合低红外发射率涂层及其制备方法

    本申请提供一种梯度陶瓷增强银基复合低红外发射率涂层及其制备方法,涉及金属镀覆技术领域。梯度陶瓷增强银基复合低红外发射率涂层,包括依次层叠设置的基础层、过渡层和顶层;基础层、过渡层和顶层均包括陶瓷和银;基础层的陶瓷含量为50‑70vol%,过渡层的陶瓷含量为30‑50vol%,顶层的陶瓷含量为5‑15vol%。其制备方法包括:对金属基体进行预处理,然后采用超速火焰喷涂技术对所述金属基体进行喷涂处理;喷涂处理的过程中,陶瓷粉和银粉同时且独立送粉。本申请提供的梯度陶瓷增强银基复合低红外发射率涂层,孔隙率低、结合强度高,具有高温环境稳定性和低发射率特性,实现物体高温环境下长期有效的红外隐身能力。

    2024-07-22
  • 一种提高轧钢轧辊耐磨性的方法
    一种提高轧钢轧辊耐磨性的方法

    本发明涉及冶金技术领域,具体涉及一种提高轧钢轧辊耐磨性的方法,包括将轧辊进行表面感应加热淬火,得到基材;在合金粉末中加入碳化物硬质相或稀土氧化物,得到涂层材料;将所述涂层材料以熔化或半熔化状态沉积到所述基材表面,形成沉积层;利用激光表面改性技术加热熔化所述基材的表层和所述沉积层,使两相混合熔化后凝固,形成新的表面合金层,得到耐磨轧辊,解决了现有的轧辊容易受到磨损从而降低使用寿命的问题。

    2024-07-22
  • 溅镀装置
    溅镀装置

    本发明的溅镀装置(10)具备:第1靶架(111)及第2靶架(112),它们分别保持第1靶(T1)及第2靶(T2)使所述第1靶(T1)及第2靶(T2)的表面相互对向;基板保持具(16),其设于作为分别保持于第1靶架(111)及第2靶架(112)的第1靶(T1)及第2靶(T2)之间的区域的电浆生成区域(R)的侧方;第1主磁场生成部(121)及第2主磁场生成部(122),它们设于第1靶架(111)及第2靶架(112)各者的背面侧,以相互相反的极对向的方式配置有磁铁,于保持于各者的第1靶(T1)及第2靶(T2)的表面分别生成第1主磁场及第2主磁场;电源,其通过对第1靶架(111)及第2靶架(112)分别赋予特定电位而于电浆生成区域(R)内生成电场;高频电磁场生成部(17),其设于电浆生成区域(R)的隔着该电浆生成区域(R)与基板保持具(16)对向的侧方,于该电浆生成区域(16)内生成高频电磁场;及电浆原料气体导入部(15),其将电浆原料气体导入至电浆生成区域(R)内;且于第1靶架(111)及第2靶架(112)的高频电磁场生成部(17)侧的端部不存在生成磁场的手段。

    2024-07-22
  • 一种具有多模式红外防伪效果的温敏多层膜结构的制备方法
    一种具有多模式红外防伪效果的温敏多层膜结构的制备方法

    本发明涉及一种具有多模式红外防伪效果的温敏多层膜结构的制备方法,具体步骤如下:将硅片衬底洗净后用吹干;在硅片衬底层上沉积Al作为金属高反射层;然后在金属高反层上沉积Si作为间隔层并退火处理;再在间隔层上沉积V2O5作为相变材料层,并退火处理;最后在结构表面上根据图案需要沉积不同厚度的Al构成的的Al顶层图案层,获得温敏多层膜。本发明的温敏多层膜能够根据温度自行调节热发射图案,无需荧光激发,且不易洗脱。本发明针对相变材料层的过渡态也设计了防伪图案,构建了多种模式的防伪效果,增强伪装效果。本发明的制备工艺简单,无需进行刻蚀等微纳加工,成本低,适合批量应用,在防伪加密和隐身领域均具有广泛的应用前景。

    2024-07-22
  • 一种供气杯和气体歧管组件
    一种供气杯和气体歧管组件

    本发明涉及一种供气杯(1),所述供气杯(1)可拆卸地设置在原子层沉积装置的固定气体歧管结构(2)中,并且包括:杯底(10),包括穿过所述杯底(10)从杯底外表面(11)延伸到所述杯底(10)另一侧的杯底内表面(12)的供气通道(13);以及杯壁(20),围绕所述杯底(10),并且在所述杯底(10)的内表面侧沿远离所述杯底(10)的方向相对于所述杯底(10)横向延伸,使得所述杯壁(20)和所述杯底内表面(12)形成供气空间(30)。

    2024-07-21
  • 用于等离子体辅助的化学气相沉积的设备、系统和方法
    用于等离子体辅助的化学气相沉积的设备、系统和方法

    本发明涉及用于等离子体辅助的化学气相沉积的设备(1)、系统(50)和方法(100)。在此,处理室(2)被配置成用于接纳至少一个工件载体(30)。根据本发明,该设备(1)被配置为用于借助于至少一个能够被该处理室(2)接纳的工件载体(30)来加热该处理室(2)。

    2024-07-21
  • 锡酸锌单晶薄膜及其制备方法
    锡酸锌单晶薄膜及其制备方法

    本发明属于半导体薄膜材料技术领域,具体涉及锡酸锌单晶薄膜及其制备方法。所述的制备方法步骤如下:选取C面蓝宝石作为衬底,通过磁控溅射轰击锡酸锌靶材在C面蓝宝石衬底上生长锡酸锌薄膜,将所生长的锡酸锌薄膜进行退火,得到锡酸锌单晶薄膜。采用本发明所述的制备方法制得的锡酸锌单晶薄膜具有单晶结构,晶格结构完整,缺陷少,可见光范围的平均相对透过率超过88%,光电性能优良,附着性能好,适用于制造半导体量子阱器件。

    2024-07-21
  • 一种半导体磁控溅射装置及溅射方法
    一种半导体磁控溅射装置及溅射方法

    本发明公开了一种半导体磁控溅射装置及溅射方法,涉及半导体生产设备技术领域;磁控溅射装置,包括多个第一磁体和第二磁体,所述第一磁体和所述第二磁体依次间隔交错设置,且所述第一磁体和所述第二磁体的磁极方向相同;所述第一磁体和所述第二磁体均可绕一预设轴线旋转,且所述第一磁体和所述第二磁体均可沿自身磁极方向移动,所述预设轴线与所述第一磁体的磁极方向平行,可在不移动靶材的情况下,通过控制磁体位置的变换控制靶材的溅击区域,能够提高靶材的利用率,从而节约靶材、降低半导体的生产成本,并提高半导体的成品质量。磁控溅射方法,基于前述的磁控溅射装置,以控制磁体位置的变换控制靶材的溅击区域,能够提高靶材的利用率。

    2024-07-20
  • 一种GH4698高温合金表面渗铝防护涂层制备方法
    一种GH4698高温合金表面渗铝防护涂层制备方法

    一种GH4698高温合金表面渗铝防护涂层制备方法,包括以下步骤:S1、材料预处理:对GH4698材料进行标准热处理并检测力学性能;S2、氯化铵干燥;S3、铝铁粉的活化处理;S4、渗剂配制:渗剂由活化后的铝铁粉、与0.5~4.0wt.%的活化剂氯化铵搅拌均匀而成;S5、装包;S6、渗铝:将渗铝包放入加热炉内渗铝;S7、拆包;S8、扩散退火:清洗及干燥后的GH4698材料放入加热炉内进行扩散退火;S9、渗铝质量检查:金相法检测渗铝层厚度,渗铝层厚度要求为20~70μm。本发明所述铝铁粉中加入了活化剂氯化铵,活化剂氯化铵在加热状态下与铝铁粉发生反应析出铝原子,为渗铝层提供材料,加快了渗铝防护层的形成。

    2024-07-20
  • 适用于不同海水流速环境的参比电极装置
    适用于不同海水流速环境的参比电极装置

    本发明提供一种适用于不同海水流速环境的参比电极装置,包括参比电极组件、外壳、安装件和信号线缆,外壳包括多孔陶瓷壳体、半透膜和天然海绵,天然海绵设置于多孔陶瓷壳体内,半透膜设置于多孔陶瓷壳体的内壁上,且半透膜位于多孔陶瓷壳体的内壁与天然海绵之间;参比电极组件包括高纯锌参比电极,高纯锌参比电极至少部分位于天然海绵内,信号线缆与高纯锌参比电极电连接;多孔陶瓷壳体与安装件固定连接,安装件用于与被保护体固定连接。该适用于不同海水流速环境的参比电极装置能够减小或避免海水流动的影响,在不同海水流速环境中均具有良好的电位稳定性,而且能够减少或避免海洋微生物的附着,使用寿命长。

    2024-07-20
  • 一种碳化硅外延设备及控制方法
    一种碳化硅外延设备及控制方法

    本申请公开一种碳化硅外延设备及控制方法。该反应腔包括壳体,其顶部配置有喷淋部件,包括中间区域及周边区域;该壳体的靠近喷淋部件侧设有穿孔,其通过管路连接至外部气源,用于通入侧壁吹扫气体;所述壳体内的底部侧配置有旋转支撑部件,所述旋转支撑部件内配置有第一加热器;所述壳体内配置有沿其轴向设置的中空的引导部件、第二加热器、第一石墨筒及第二石墨筒,且所述第二加热器位于所述第一石墨筒或所述第一石墨筒及第二石墨筒的外侧,所述引导部件呈喇叭状,其将所述喷淋部件与所述第一石墨筒连通,且所述引导部件与所述第一石墨筒的表面间具有间隙。通过该方法提高了PM复机时间,节省了维护时间和试验片的成本。

    2024-07-20
  • 一种无裂纹无重熔带热障涂层气膜冷却孔及其制备和应用
    一种无裂纹无重熔带热障涂层气膜冷却孔及其制备和应用

    本发明公开了一种无裂纹无重熔带热障涂层气膜冷却孔及其制备和应用,包括:在基体上制备YSZ涂层,然后再通过飞秒激光对基体上的YSZ涂层进行打孔,即得到无裂纹无重熔带热障涂层气膜冷却孔;所述的YSZ涂层是由球形薄壁空壳纳米t′‑YSZ粉体经大气等离子喷涂工艺喷涂在基体的粘结层上形成陶瓷层制备而成;其中,在航空发动机的涡轮叶片的热障涂层上通过飞秒激光制备无裂纹无重熔带热障涂层气膜冷却孔。本发明采用“先涂层,后打孔”的加工工艺不会出现缩孔、堵孔现象;通过飞秒激光在球形薄壁空壳纳米t′‑YSZ粉体APS涂层上加工气膜冷却孔,能得到形状规则的气膜孔,且孔壁周围未出现重熔层、微裂纹、热影响区等缺陷而各层间,也未出现分层现象。

    2024-07-19
  • 一种高温耐磨耐蚀复合涂层及其制备方法和用途
    一种高温耐磨耐蚀复合涂层及其制备方法和用途

    本发明公开了一种高温耐磨耐蚀复合涂层及其制备方法和用途。所述高温耐磨耐蚀复合涂层包括富镍区、富铬区、氧化物和MxCy,其中,M为Cr和Ti中的至少一种,x和y满足化学式的化合价平衡,所述氧化物为氧化铝和氧化硅中的至少一种,所述富镍区主要包括镍,所述富铬区主要包括铬。本发明的高温耐磨耐蚀涂层具有良好的硬度和耐磨性,在室温下的显微硬度和平均拉伸结合强度高,对比未设置复合涂层的基体(材质为高温合金),在室温下、400℃、600℃、800℃的平均有效的耐磨性可提高10倍以上。

    2024-07-19
  • 一种真空镀膜设备
    一种真空镀膜设备

    本发明是真空镀膜设备,包括一端设可开闭外腔前门的真空外腔,为镀膜过程提供所需真空环境,工艺加热组件固定在真空外腔内,用于提供镀膜工艺所需要的温度,工艺加热组件一端设内腔抽真空组件,用于抽取工艺内腔真空及工艺内腔反应剩余气体,外腔前门上设有工艺气体匀流组件,用于保证工艺反应用的气体在工艺内腔内均匀分布,工艺气体匀流组件连接两端开口的晶圆载具其中一端开口,晶圆载具放置在与工艺气体匀流组件相连的伸缩滑轨上,工艺气体匀流组件与真空外腔内壁之间连接有压缩连杆,用于为工艺气体匀流组件提供驱动力控制开闭,外腔前门关闭时,晶圆载具另一端开口接触内腔抽真空组件,匀流组件、载具和内腔抽真空组件组成工艺内腔。

    2024-07-19
  • 一种后处理真空无机物镀层及制备方法置
    一种后处理真空无机物镀层及制备方法置

    本发明提供了一种后处理真空无机物镀层及制备方法置。在制备高阻隔性薄膜时,需在有机聚合物衬底的表面上通过气相沉积方法形成无机氧化层。对以上所述经气相沉积获得的具有无机氧化层的阻隔性薄膜进行退火处理。该退火处理的方式是在55℃至150℃的温度范围内进行加热处理,可以引起衬底薄膜的热收缩并增加气相沉积的无机氧化物薄膜的密度,经热处理后的薄膜将拥有更好的阻隔性能和更高的透明度,最终得到水蒸汽透过率在2.0~0.01g/(m2*day)范围内,氧气透过率在2.0~0.01cc/(m2*day)的范围内,可见光范围透光率高于85%的高阻隔薄膜。

    2024-07-19
  • 一种多功能集成的PVD镀膜设备
    一种多功能集成的PVD镀膜设备

    本发明属于PVD真空镀膜设备技术领域,具体公开了一种多功能集成的PVD镀膜设备,包括传送系统,单靶磁控垂直溅射室,多靶磁控共焦溅射室,电子束蒸发室,电阻蒸发室;四个工艺腔室均和传送系统连接。所述传送系统块包括进样室和传送室;进样室内部含有用于承载工件的多片装置,进样室和传送室之间由高真空隔离阀连接;传送室中设有可将工件传送至单个工艺腔室或进样室的机械手;进样室、传送室和四个工艺腔室均设有独立真空系统;四个工艺腔室由高真空隔离阀和传送室进行连接或隔离并可独立进行镀膜工艺,本发明可同时实现磁控垂直溅射、共焦溅射、电阻蒸发、电子束蒸发工艺,可不间断生产,提高了生产效率。

    2024-07-19
  • 一种半导体器件中的互连金属的沉积方法
    一种半导体器件中的互连金属的沉积方法

    本申请提供了一种半导体器件中的互连金属的沉积方法,其中,该方法包括:在待沉积衬底的表面上按照第一预设沉积条件执行互连金属的第一次沉积操作,以得到在所述待沉积衬底的表面上沉积的第一沉积层,第一预设沉积条件用于限制第一沉积层的互连金属的晶粒尺寸;在所述第一沉积层的表面按照第二预设沉积条件执行互连金属的第二次沉积操作,以在所述第一沉积层的表面沉积第二沉积层,第二预设沉积条件用于限制沉积过程中互连金属的原子迁移率及沉积速率;在所述第二沉积层的表面按照第三预设沉积条件执行互连金属的第三次沉积操作,以在所述第二沉积层的表面沉积的第三沉积层,第三预设沉积条件用于限制沉积操作形成的沉积层厚度及沉积速率。

    2024-07-18
  • 磁控溅射镀膜中的镀膜监控方法、装置及系统
    磁控溅射镀膜中的镀膜监控方法、装置及系统

    本发明公开了磁控溅射镀膜中的镀膜监控方法、装置及系统,涉及磁控溅射镀膜技术领域。所述方法包括:在镀膜腔室中对应着磁控溅射基材布置检测拉丝,检测拉丝设置在靶材与基材之间的间隙通道中;在镀膜过程中,检测拉丝与磁控溅射基材同时进行镀膜;还包括拉丝操控装置和拉丝检测机构,拉丝操控装置用于布置检测拉丝,以及控制检测拉丝的放丝和收丝;拉丝检测机构用于对检测拉丝的镀膜情况进行检测以获取磁控溅射镀膜信息,并将磁控溅射镀膜信息发送给关联的处理器。本发明能够对基材的连续区域进行实时镀膜数据监控,在基本不影响基材镀膜操作的基础上及时、精确地获取基材大范围区域的镀膜效果信息,结构简单且易于实现。

    2024-07-18
  • 真空压力平衡系统及平衡工艺
    真空压力平衡系统及平衡工艺

    本申请涉及真空镀膜领域,尤其是涉及一种真空压力平衡系统及平衡工艺,包括真空箱和一级平衡装置,一级平衡装置包括平衡桶和第一真空泵,真空箱通过第一真空管与第一真空泵相连,真空箱与平衡桶通过平衡管相连,平衡桶通过第一抽气管与第一真空管相连,第一抽气管与第一真空管的连接部位设有密封装置,本申请改善了传统方式中真空箱抽真空所需的时间较长的问题,能够达到缩短真空箱抽真空所需的时间的效果。

    2024-07-18
  • 一种非晶合金薄膜及其制备方法与应用
    一种非晶合金薄膜及其制备方法与应用

    本发明涉及一种非晶合金薄膜及其制备方法与应用,薄膜为钛、银元素共掺杂的锆基非晶合金薄膜,制备薄膜所用的靶材为锆钛合金靶、单质银靶;薄膜通过磁控溅射的方法对Zr‑Ti合金靶、纯Ag单质靶进行直流共溅射获得。本发明的锆基非晶合金薄膜,由于其原子具备短程有序、长程无序的排列特点,而使其不具备晶界、位错、第二相等晶体缺陷。此外,相较于传统锆基非晶薄膜,本发明的锆基非晶合金薄膜不仅具有较好的韧性,而且表现出了高硬度、低弹性模量、良好的耐腐蚀性、生物相容性及抗菌性,具有较大的医学应用价值。

    2024-07-18
  • 一种常温磁控溅射金薄膜的方法
    一种常温磁控溅射金薄膜的方法

    本发明磁控溅射领域,公开了一种常温磁控溅射金薄膜的方法,包括以下步骤:S1:清洗需要磁控溅射金薄膜的陶瓷基片;S2:为陶瓷基片表面做活化处理,表面做活化处理方式选自使用离子源轰击陶瓷基片表面10~200秒;S3:磁控溅射过渡层一,所述过渡层一选自Cr,溅射温度为常温;S4:磁控溅射过渡层二,所述过渡层二选自Cu,溅射温度为常温;S5:磁控溅射功能层,所述功能层为Au,溅射温度为常温。本发明改变传统的磁控溅射金过渡层,常温下,采用Cr过渡层的基础上再溅射Cu过渡层,最后溅射Au功能层;基底和Cr过渡层、Cr过渡层和Cu过渡层、Cu过渡层和Au功能层都有良好的结合力,实现了常温下在避免加热材料的表面上制备具有良好结合力的金薄膜。

    2024-07-17
  • 一种基于激光位移传感器位姿引导的激光熔覆装置及方法
    一种基于激光位移传感器位姿引导的激光熔覆装置及方法

    本发明涉及基于激光位移传感器位姿引导的激光熔覆装置,包括:激光熔覆头、激光位移传感器、一级运动机构以及固定在一级运动机构末端的二级运动机构;激光熔覆头固定在二级运动机构的末端,并由二级运动机构调整其角度以及距离目标物的距离;激光位移传感器由夹持装置固定在一级运动机构的末端,激光熔覆头和激光位移传感器均朝向目标物。本发明的有益效果为:本发明采用先测量后熔覆,以测量数据指导熔覆的方式进行,相对于传统复杂异形曲面零件的熔覆,可以提升复杂曲面零部件的激光熔覆效率,解决因热形变带来的加工误差,提高熔覆质量。

    2024-07-17
  • 一种提高MCrAlY涂层抗高温氧化性能的预处理方法
    一种提高MCrAlY涂层抗高温氧化性能的预处理方法

    一种提高MCrAlY涂层抗高温氧化性能的预处理方法,包括以下步骤:步骤S1,用经除油除湿的压缩空气将热喷涂/激光增材制造制备的MCrAlY(M=Ni、Co、Fe,或其组合)涂层表面灰尘和杂质去除;步骤S2,采用复合电沉积的方法在MCrAlY涂层表面预制一层厚度为0.3~0.7μm、Al粉复合量为13%~45%的Ni‑Al复合薄膜(Al颗粒弥散分布于Ni中),提高涂层表面飞溅颗粒与其下部涂层的结合,消除飞溅颗粒的不良影响;步骤S3,对经步骤S2处理后的涂层进行可控气氛预氧化处理,在涂层表面预制一层厚度为0.3~0.6μm的α‑Al2O3膜。本发明的方法,消除飞溅颗粒的不良影响,减缓离子在氧化膜中扩散速率,降低涂层表面氧化膜生长速率,显著提高涂层抗高温氧化性能。

    2024-07-17
  • 一种GLC涂层及其制备方法
    一种GLC涂层及其制备方法

    本申请公开了一种GLC涂层及其制备方法,涉及固体材料表面处理技术领域,该制备方法包括:将预处理后的基体放入镀膜设备内进行等离子清洗;在清洗后的基体表面依次沉积Cr打底层、过渡层、以及掺杂有Cr的GLC层;过渡层包括依次沉积的多层CrC层,每层CrC层均采用石墨靶和Cr靶共溅射的方式沉积,且石墨靶功率逐渐增加,Cr靶功率逐渐降低;同时多层CrC层依次沉积时,Cr靶起始功率依次降低。本申请在一定程度上增加涂层中SP3的成分,同时Cr靶起始功率依次降低,使多层CrC层中的Cr含量逐渐降低,因此,多层CrC层的硬度逐渐升高,硬度过渡较为平缓,涂层内应力较小,大大提高涂层的结合力。

    2024-07-17
  • 一种电场辅助超音速激光沉积的工艺方法
    一种电场辅助超音速激光沉积的工艺方法

    本发明公开了一种电场辅助超音速激光沉积的工艺方法,本发明是基于超音速激光沉积和电场辅助冷喷技术而提出的一种新的表面工程技术,旨在解决难以沉积或不可能沉积的亚微米级材料和因基板弓形激波影响在传统冷喷环境下纳米材料难以有效沉积的难题;选用一定粒径尺寸和形状的金刚石颗粒和高导热金属粉末,通过球磨法将高导热的金属粉末和金刚石颗粒进行混合后,在喷涂中使用直流高压发生器分别给粉末和基体带上正电和负电,使带电粒子在电场中在库仑力的作用下在基体上进行沉积;本发明电场辅助超音速激光沉积,不仅可以对亚微米和纳米颗粒实现有效沉积,大大扩大了喷涂颗粒的粒径范围,还可实现对超高硬度材料沉积。

    2024-07-16
  • 一种利用电子束物理气相沉积技术制备高铁轴承用高熵涂层的方法
    一种利用电子束物理气相沉积技术制备高铁轴承用高熵涂层的方法

    本发明公开了一种利用电子束物理气相沉积技术制备高铁轴承用高熵涂层的方法,采用EB‑PVD工艺在轴承钢表面制备FeCrCoNiAlMox涂层,涂层与基体的界面以冶金结合为主,结合力强,稳定性好,表面光洁,涂层组织以单一的枝晶为主,涂层制备过程在真空条件下进行,有效防止涂层被污染和氧化,赋予了涂层优异的耐磨性和高使用寿命。

    2024-07-16
  • 无取向性电磁钢板及其制造方法
    无取向性电磁钢板及其制造方法

    本发明的一种实施方式的无取向性电磁钢板是具备母材钢板以及在所述母材钢板的表面形成的含Zn磷酸盐与有机树脂的复合皮膜的无取向性电磁钢板,在用广角X射线衍射法测定所述复合皮膜时,含有表示归属于ICDD编号01‑074‑3256的衍射线的结晶性磷酸铝。

    2024-07-16
  • 一种纳米多孔薄膜材料及其制备方法和应用
    一种纳米多孔薄膜材料及其制备方法和应用

    一种纳米多孔薄膜材料及其制备方法和应用,涉及功能材料技术领域,解决了现有纳米多孔薄膜无法满足高性能红外发射需求的问题。材料结构通式为AxByO3,其中,A为Gd、Sm、Eu、Er、Nd、Dy、Lu、La、Tm、Sc、Y中的至少一种,B为Co、Fe、Ni、Mn中的至少一种;x=0.95~1.05,y=0.95~1.05;纳米多孔薄膜材料的孔径为10nm~300nm,厚度为150nm~450nm。纳米多孔薄膜材料的红外热辐射率60%~90%。本发明利用高分子辅助沉积法制备AxByO3前驱体溶液;利用旋涂法在衬底上沉积AxByO3,并煅烧得到纳米多孔薄膜材料。本发明可应用于红外辐射领域。

    2024-07-16
  • 一种铝硅铜溅射靶材的制备方法
    一种铝硅铜溅射靶材的制备方法

    本发明提供了一种铝硅铜溅射靶材的制备方法,所述的制备方法包括:(Ⅰ)提供铝原料、硅原料与铜原料,并将所述铝原料分为两部分;(Ⅱ)将一部分铝原料熔化,得到铝熔液,再将硅原料与铜原料添加至所述铝熔液中,在第一温度下进行一次熔化,得到一次合金熔液,将剩余的铝原料加入到铝硅铜合金熔液内,在第二温度下进行二次熔化,得到二次合金熔液;(Ⅲ)对所述二次合金熔液依次进行除气精炼和扒渣,得到净化合金熔液;(Ⅳ)将所述净化合金熔液依次进行铸造与冷却,得到铝硅铜铸锭;所述第一温度大于所述第二温度。本发明解决了高纯铝硅铜合金中Si元素聚集的问题,能够避免合金铸锭出现硅偏析现象。

    2024-07-16
  • 一种金刚石-碳化钨硬度梯度耐磨涂层的制备方法
    一种金刚石-碳化钨硬度梯度耐磨涂层的制备方法

    本发明的一种金刚石‑碳化钨硬度梯度耐磨涂层的制备方法属于硬质耐磨涂层材料制备技术领域,步骤包括:基础粉末称取、金刚石表面镀铬、碳化钨表面复合镀镍/铬、配料、激光熔覆制备耐磨涂层等。本发明采用了镀铬金刚石、复合镀镍/铬的碳化钨与气雾化的Fe‑Cr‑B‑Si合金粉末进行功能化组合,得到超耐磨的硬度梯度功能化复合材料,通过中间硬度相WC的居中调节作用,可以进一步提高金刚石‑金属组分体系的耐磨涂层的耐磨性。

    2024-07-16
  • 一种不锈钢焊缝自动酸洗钝化设备和方法
    一种不锈钢焊缝自动酸洗钝化设备和方法

    本发明提供一种不锈钢焊缝自动酸洗钝化设备,属于钢材表面处理技术领域,包括车体,车体内部设有清洗液储罐、供电装置、中和液储罐、废液回收储罐和控制器,车体的左侧由前往后依次设置有清洗液喷头、酸洗刷头、中和液喷头和废液回收装置,由控制器控制喷头喷洒对应的液体,以及控制回收装置回收废液;车体底部设有若干车轮,不锈钢板上可拆卸连接有与车轮相匹配的轨道;车体底部设有限位装置用于将车体卡接在轨道上;所述限位装置连接有偏心轮锁紧机构;以及对应的酸洗钝化方法;本发明提供的装置和方法,操作流程简单,工作效率高,无需操作人员直接接触强酸,有效保证作业人员的健康和安全,且无废液产生。

    2024-07-16
  • 一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法
    一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法

    本发明涉及一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法,在衬底层的表面采用等离子体增强化学气相沉积法生长多层石墨烯层;将石墨烯层通过光刻和刻蚀制备图案化六方石墨烯掩膜结构;对掩膜结构进行无机清洗,去除窗口区域内刻蚀残留的氧化物,采用金属有机化学气相沉积法两步生长氮化镓外延层,氮化镓第一步先在六方掩膜的窗口成核生长,氮化镓第二步再横向生长向掩膜中心聚合,得到完整的氮化镓薄膜。采用本发明提供的技术方案,通过调控温度、压强和Ⅴ/Ⅲ比等生长参数改变氮化镓的生长模式,生长的氮化镓最终侧向合并,得到高质量的氮化镓薄膜。结果显示图案化六方石墨烯掩膜能有效降低氮化镓因失配而产生的高位错密度,弛豫氮化镓的应力,提高氮化镓的晶体质量。

    2024-07-16
  • 不锈钢网蚀刻加工装置及加工方法
    不锈钢网蚀刻加工装置及加工方法

    本申请涉及不锈钢蚀刻技术领域,提供一种不锈钢网蚀刻加工装置及加工方法,不锈钢网蚀刻加工装置包括:多个溶液罐;混合罐,混合罐的输入端通过第一管路分别与各溶液罐的输出端相连通;蚀刻箱,蚀刻箱的第一输入端通过第二管路与混合罐的输出端相连通,用于传输不锈钢网并通过混合罐的输出端输出的蚀刻液对不锈钢网进行第一次蚀刻;以及回收装置,回收装置包括过滤器和回收罐,回收罐的第一输入端与过滤器的输出端相连通,过滤器的输入端通过第三管路与蚀刻箱的输出端相连通。本申请提供的不锈钢网蚀刻加工装置,在添加蚀刻液各组分溶液过程中,工作人员可以通过控制管路通断进行蚀刻液的配置,而无须工作人员直接接触蚀刻液各组分溶液。

    2024-07-16
  • 卷绕式处理设备
    卷绕式处理设备

    本发明提供了一种卷绕式处理设备,该设备包括放卷装置、收卷装置、处理装置和导向装置;放卷装置设有待处理的基材,放卷装置用于对基材进行放卷,基材经过导向装置至收卷装置,导向装置用于调整基材的运动方向;处理装置与第一段部的基材对应设置,导向装置与第一段部至收卷装置的基材的非处理表面抵接。本发明的卷绕式处理设备通过收卷装置和放卷装置提供输送基材的动力,通过导向装置对基材的运动方向进行调整,通过处理装置对基材进行处理,通过将处理装置与第一段部基材对应设置,并将导向装置与第一段部至收卷装置的基材的非处理表面抵接,使得导向装置不会与基材的处理表面接触,对基材的影响有限,保证处理后基材的质量。

    2024-07-15
  • 生物医用钛板的表面改性方法
    生物医用钛板的表面改性方法

    本发明公开了一种生物医用钛板的表面改性方法,属于生物医用材料领域。生物医用钛板的表面改性方法通过使用层层自组装等表面处理方法,使用PSS和PAH等聚电解质进行修饰后的亲水性纳米二氧化钛颗粒沉积在预处理后的纯钛基板上,通过沉积经过不同聚电解质修饰的纳米二氧化钛和不同层数的纳米二氧化钛薄膜,以获得其对钛板表面亲水性的有效改善,可有效解决现有的钛及其合金作为生物医用替换材料的生物相容性较差的问题。

    2024-07-15
  • 一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜及其制备方法
    一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜及其制备方法

    本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜,钙稳定氧化锆薄膜是晶粒形貌为柱状的单一相结构钙稳定氧化锆。本发明还提供了一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜的制备方法,包括以P型重掺杂硅为衬底,以锆酸钙陶瓷靶为靶材,对P型重掺杂硅通过工业标准湿法清洗工艺进行清洗,并使用氮气吹干,采用脉冲激光沉积法在P型重掺杂硅上沉积钙稳定氧化锆薄膜,沉积条件是激光能量密度为1.4‑1.6J/cm2,氧气压强为18‑22mpa,衬底温度550‑600℃,所述靶材和所述衬底的距离为4.5‑5.5cm。本发明属于电容器薄膜技术领域。本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜及其制备方法,可以得到一种介电常数高,介电常数温度系数小、偏压稳定性高的单一相结构的钙稳定氧化锆薄膜。

    2024-07-15
  • 一种生产涂碳铝箔用清洗装置及其使用方法
    一种生产涂碳铝箔用清洗装置及其使用方法

    本申请涉及涂碳铝箔清洁领域,具体公开了一种生产涂碳铝箔用清洗装置及其使用方法。一种生产涂碳铝箔用清洗装置,包括上料机构、清洗机构、干燥机构、收卷机构以及体外净化机构,所述清洗机构包括碱洗槽体以及水洗槽体,碱洗槽体上设置有刮液辊组以及清洗刮液辊组的清洗组件,水洗槽体上设置有刮水组件以及备用刮水组件;其使用方法为:将铝箔用上料机构上料,用清洗机构的碱洗槽体、水洗槽体分别碱洗和纯水洗,用干燥机构吹铝箔并烘干铝箔,使用收卷机构收卷,使用体外净化装置将使用后的碱洗液去除油污和沉淀物以备回收利用。本申请具有改善清洗后的铝箔常有箔面油斑、压痕、污印、刮痕等问题的优点。

    2024-07-14
  • 一种钛铝金属旋转靶及其制备方法
    一种钛铝金属旋转靶及其制备方法

    本发明公开了一种钛铝金属旋转靶及其制备方法,属于靶材技术领域。该制备方法包括以下步骤:利用常规冷喷涂方式于不锈钢背管表面制备纯银涂层;利用真空冷喷涂方式于纯银涂层表面沉积钛铝沉积层,且,在沉积钛铝沉积层的同时,利用激光冲击强化工艺对沉积层进行激光冲击;不断重复进行上述步骤直至钛铝沉积层的总厚度达到预设厚度。该方法操作简单,材料利用率高,靶材尺寸不受限,可制备大型旋转靶材,制备所得的靶材致密度高、晶粒小、组织均匀、气体含量低、与背管结合强度高,其中,纯银涂层可使靶材导电和溅射更加均匀。

    2024-07-14
  • 一种多级纳米结构及其制备方法
    一种多级纳米结构及其制备方法

    本发明公开了属于光学器件技术领域的及一种多级纳米结构及其制备方法。所述方法使用磁控溅射工艺,通过对溅射压强、溅射功率、溅射时间的工艺参数调控制备出不同间距、大小的纳米贵金属颗粒。采用贵金属在纳米硅柱表面修饰二级纳米结构,可实现晶圆级大面积制备,克服了传统单一硅基纳米结构在1.1μm~5μm红外波段的低吸收问题,可达到更高的红外吸收效果。本发明方法制备的多级纳米结构可实现晶圆级大面积制备,相比传统单一硅基纳米结构,可达到更高的红外吸收效果。

    2024-07-14
  • 一种半导体沉积腔室的加热盘预处理方法
    一种半导体沉积腔室的加热盘预处理方法

    本发明提供了一种半导体沉积腔室的加热盘预处理方法,该加热盘预处理方法包括:在通入前驱体沉积薄膜之前,在沉积腔室内采用原位等离子体方式预处理该加热盘,从而在该加热盘的表面形成氧化涂层以阻隔颗粒物的产生。

    2024-07-13
  • 石墨表面复熔和CVD联合处理方法及其应用
    石墨表面复熔和CVD联合处理方法及其应用

    本发明涉及一种石墨表面CVD处理后再进行复熔的方法及其应用。该方法包括以下步骤:首先,对石墨表面进行化学气相沉积(CVD)处理,生长特定的沉积薄膜或引入特定的化学功能基团;接下来,在CVD处理后的石墨表面进行适当的清洗和处理,以保证表面的纯净度和化学状态;最后,将处理后的石墨表面置于高温条件下,使其表面局部区域发生熔化,实现复熔。本发明的优点在于通过先进行CVD处理,实现了特定的表面改性或功能引入,然后再进行复熔,使得石墨表面具有更多的结构和性质调控的可能性。

    2024-07-13
  • 一种镀层附着力优良的锌铝镁镀层钢板及其制造方法
    一种镀层附着力优良的锌铝镁镀层钢板及其制造方法

    本发明公开了一种镀层附着力优良的锌铝镁镀层钢板,其包括钢板和锌铝镁镀层,所述钢板浸镀锌铝镁镀浴后形成所述锌铝镁镀层,所述锌铝镁镀层包括表面的镀覆层和钢板‑镀覆层间的合金层;所述锌铝镁镀浴的化学组成按质量百分数计为:Al 4.0%~15.0%,Mg2.0%~5.0%,Si 0.005%~0.09%,余量为Zn及不可避免的杂质。本发明通过对锌铝镁镀浴化学成分的优化设计以及对热浸镀工艺参数的控制,在制得的锌铝镁镀层中形成了具有上下层结构的合金层,合金层整体厚度为80~150nm,其厚度适中,且镀覆层中无脆性含Si合金相,使制得的锌铝镁镀层钢板具有优良的镀层附着力和加工成型性能。

    2024-07-13
  • 一种微蚀液合成工艺以及循环再生方法
    一种微蚀液合成工艺以及循环再生方法

    本发明公开一种微蚀液合成工艺以及循环再生方法,属于铜板微蚀技术领域。本发明的微蚀液合成工艺将硫酸、硫酸亚铁、硫酸铁、硫酸铜、盐酸以及聚乙二醇依次按配方量与水混合即可,无需双氧水,微蚀过程更加稳定,且成本更加低廉。微蚀液循环再生方法包括放置微蚀液的添加槽、再生循环槽以及减铜微蚀槽,再生循环槽中设有阴阳电极,微蚀液添加槽通过泵体向再生循环槽输送微蚀液。再生循环槽的阳极区域通过泵体向减铜微蚀槽的一端输送富含Fe3+的氧化剂,减铜微蚀槽的另一端通过泵体向再生循环槽的输送含有Fe2+、Cu2+的液体。整个减铜微蚀过程中只在阴极产出金属铜,无任何废水废料产生,并只需添加少量的微蚀液即可完成整个微蚀工作的循环。

    2024-07-13
  • 一种碳化硅涂层石墨载盘支撑装置
    一种碳化硅涂层石墨载盘支撑装置

    本发明公开了一种碳化硅涂层石墨载盘支撑装置,涉及气相沉积设备技术领域。本发明,包括支撑底盘与石墨载盘,所述支撑底盘的顶部环形设置有多组伸缩底杆,所述伸缩底杆的内部滑动连接有离心滑块,所述离心滑块的顶部设置有夹杆,所述夹杆的内部设置有能伸缩的刷毛,还包括设置在MOCVD设备反应腔中的转环与从动吸盘。本发明,通过环形设置在石墨载盘四周夹杆的设置,控制夹杆的摆动角度,即可控制石墨载盘的悬空高度,拿取方便,且夹取时,机械夹爪只需夹持在夹杆上,夹持半径更小,夹持稳定性更高,且夹杆在离心的作用下,下半部分自动展开,石墨载盘自动落至下方,不影响石墨载盘耦合加热,反应稳定。

    2024-07-13
  • 一种钣金件单面多弧离子镀快卸保护装置
    一种钣金件单面多弧离子镀快卸保护装置

    本发明提供了一种钣金件单面多弧离子镀快卸保护装置,框架上下均设计轴,二者同轴,用于与设备间的连接,每个工位安装一个框架。二者保持横梁中梁的厚度大小的间隙,横梁上设计U型槽,实现了横梁与框架间悬挂装配,无需旋拧螺纹,操作简单,一步到位。支板与支撑轴销之间采用穿插连接,插销与侧板组件、托板之间采用穿插连接,侧板组件与支板之间、支撑轴销与横梁之间、横梁与框架之间均采用悬挂连接。本发明优点:被加工零件对装式结构,一次装夹零件数量翻倍,提高加工效率。轴销与钣金框架间穿插、悬挂式连接方式,提高了装卸效率。效果良好,操作性强,装夹效率大幅度提高,缩短生产准备时间。

    2024-07-13
  • 一种纳米TiO2-SiO2共掺杂HA温喷涂层的制备方法
    一种纳米TiO2-SiO2共掺杂HA温喷涂层的制备方法

    本发明公开了一种纳米TiO2‑SiO2共掺杂HA温喷涂层的制备方法,包括如下步骤:S1、通过采用球磨、喷雾干燥技术制备呈球形的纳米TiO2‑SiO2共掺杂HA复合粉末,其中HA粉末粒径控制在10‑20nm、TiO2粉末粒径15‑30nm、SiO2粉末粒径15‑30nm,纳米TiO2含量10‑20wt.%,纳米SiO2含量控制在5‑10wt.%之间;S2、通过温喷涂技术沉积步骤S1中所制备的纳米TiO2‑SiO2共掺杂HA复合粉末复合粉末,最终形成厚度为100μm‑200μm的纳米TiO2‑SiO2共掺杂HA复合粉末复合涂层。本发明基于结合球磨和喷雾干燥技术制备的纳米TiO2‑SiO2共掺杂HA复合粉末,可实现温喷涂制备获得纳米TiO2‑SiO2共掺杂HA复合涂层,有利于提高粒子间及各相层间结合,实现各相粒子均匀分布,制备的涂层致密性高,工艺操作简单、成本较低,适用于工业应用推广。

    2024-07-13
  • 一种金刚石/铜复合材料镀覆工艺
    一种金刚石/铜复合材料镀覆工艺

    本发明属于表面处理技术领域,尤其是一种金刚石/铜复合材料镀覆工艺。本发明工艺为:脱脂、干燥、喷砂、脱脂、酸洗、敏化、活化、化学镀镍、冲击镍、电镀镍、预镀金、电镀金、低温退火。本发明针对金刚石粒径大小对应不同电镀前处理工艺参数,使其表面沉积上均匀致密的镀覆层,通过阶梯式升温方式降低复合材料表面与镀层间的应力,从而提高结合力,满足金刚石/铜焊接技术要求。

    2024-07-12
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