微观结构技术

  • 一种压阻式压力传感器压敏电阻的制作方法
    一种压阻式压力传感器压敏电阻的制作方法

    一种压阻式压力传感器压敏电阻的制作方法,该方法主要由清洗工艺、光刻工艺、扩散工艺、电感耦合等离子体刻蚀工艺、退火工艺组成。该发明目的在于将扩散工艺和电感耦合等离子刻蚀工艺相结合,提出一种简化的工艺方案,即配合刻蚀工艺,仅进行一次扩散掺杂工艺即可同时制作压阻式压力传感器轻、重掺杂区域的方法,减少MEMS压阻式压力传感器的工艺步骤及工艺成本。该方法可适用于包括但不限于基于硅衬底的压阻式压力传感器的轻掺杂及重掺杂区域制作,对于简化传感器制作的工艺步骤、降低制作成本具有重要的应用价值。

    2024-04-19
  • MEMS传感器、薄膜力敏谐振元件及其制造方法
    MEMS传感器、薄膜力敏谐振元件及其制造方法

    本发明公开了一种MEMS传感器、薄膜力敏谐振元件及其制造方法。在本发明的技术方案中,在衬底上开设空腔,并将压电层图形化形成沿第一方向间隔设置的第一锚点和第二锚点,以及连接在所述第一锚点和所述第二锚点之间的两个振梁,本申请通过设置两个间隔设置的振梁,两个振梁在振动时会有时间差,因此其产生的电信号也存在时间差,相比于单根振梁,两个交替产生的电信号之间的时间间隔更短,因此提高了电信号的输出频率,同时使第一锚点与衬底连接,第二锚点和两个振梁悬空设置,使得压电层对于环境的变化感知更加灵敏,提高了压电层的压电模量。

    2024-04-11
  • 半导体封装及其制造方法
    半导体封装及其制造方法

    一种半导体封装及其制造方法,半导体封装包括晶粒,此晶粒包含在第一基板上的多个装置,其中第一基板包含第一浓度的掺杂剂,并且其中第一基板沿水平方向具有第一宽度。此半导体封装还包括第二基板,此第二基板与第一基板熔合,其中第二基板包含大于第一浓度的第二浓度的掺杂剂。第二基板沿水平方向具有第二宽度,其中第二宽度大于第一宽度。

    2024-04-11
  • MEMS传感器结构的形成方法
    MEMS传感器结构的形成方法

    本申请公开一种MEMS传感器结构的形成方法,能够避免封装晶圆的第一空腔被污染影响器件的使用效果的问题。本申请提供的一种MEMS传感器结构的形成方法,包括以下步骤:提供第一晶圆,所述第一晶圆具有相对的第一表面和第二表面;在所述第一晶圆的第一表面形成阻挡层;提供封盖晶圆,封盖晶圆表面形成有第一空腔;将所述封盖晶圆与阻挡层键合,密封第一空腔;自第二表面对第一晶圆进行第一刻蚀,形成凸台,所述凸台包括上台面和下台面;对第一晶圆进行第二刻蚀,在下台面形成贯穿第一晶圆的初始沟槽;刻蚀初始沟槽底部的阻挡层形成沟槽,所述沟槽位于第一空腔上方,且与第一空腔连通,所述沟槽分离的第一晶圆部分形成为功能层的悬浮结构和/或叉指结构。

    2024-04-08
  • 适于MEMS器件的悬挂绝热封装结构及制备方法
    适于MEMS器件的悬挂绝热封装结构及制备方法

    本发明涉及一种适于MEMS器件的悬挂绝热封装结构及制备方法。按照本发明提供的技术方案,一种适于MEMS器件的悬挂绝热封装结构,所述悬挂绝热封装结构包括:MEMS器件本体,包括若干用于将所述MEMS器件本体引出的器件焊盘;绝缘绝热薄膜,覆盖于MEMS器件本体的正面,并与所述MEMS器件本体的正面固定连接,器件焊盘包裹于所述绝缘绝热薄膜内;引出金属单元,包括若干金属引出铆钉,其中,金属引出铆钉与器件焊盘呈一一对应,一金属引出铆钉通过绝缘绝热薄膜内的薄膜引出孔与正对应的器件焊盘电连接。本发明能有效实现对MEMS器件的绝热封装,且在满足绝热封装情况下,有效实现电信号的引出,安全可靠。

    2024-04-06
  • 一种表面加工工艺和半导体器件
    一种表面加工工艺和半导体器件

    本发明公开了一种表面加工工艺和半导体器件,表面加工工艺包括:提供第一基板和第二基板;在第一基板的一侧沉积第一氧化层;在第二基板的一侧沉积第一加工材料;图形化第一加工材料,形成多个第一结构;在第一结构的间隙填充第一介质材料;对第一基板的第一氧化层和/或第二基板的第一介质材料进行表面活化处理;将第一基板的第一氧化层与第二基板的第一介质材料键合;剥离第二基板,得到表面加工有第一结构的第一基板。第一个独权。第一个独权的有益效果。采用上述技术方案,可进行低温键合,避免对温度敏感的电路和微结构的破坏,对器件损伤小;可使得所有衬底或器件表面均可以进行表面微观结构的加工,降低了器件表面加工的难度。

    2024-04-03
  • 制造MEMS装置的方法
    制造MEMS装置的方法

    本发明涉及制造MEMS装置的方法。在所描述的实例中,微机电系统MEMS包含附接到半导体装置(602)的微镜装置(604)。第一间隔层(700)经形成且经图案化以形成铰链(622)通孔开口。铰链金属沉积于第一间隔层(700)上方以形成所述铰链(622)及铰链通孔(620)。覆盖层(702)形成于所述铰链金属上方。第二间隔层(704)形成于所述覆盖层(702)上方且经图案化以形成镜通孔(624)。使用显影液清洗所述装置。所述覆盖层(702)保护所述铰链金属不受所述显影液的影响。将所述覆盖层(702)从所述镜通孔(624)开口内移除。另一金属层沉积于所述第二间隔层(704)上方及所述镜通孔(624)内以形成镜(626)。

    2024-03-28
  • 一种超滑器件及其加工方法
    一种超滑器件及其加工方法

    本申请涉及结构超滑领域,公开了一种超滑器件及其加工方法,包括获得导电连接体;将至少两个超滑片转移至过渡基板的上表面,在过渡基板上形成超滑片阵列;将带有超滑片阵列的过渡基板与导电连接体键合,软化导电连接体,并使超滑片与软化的导电连接体连接;去除过渡基板,得到超滑器件。本申请中的加工方法将带有超滑片的过渡基板与导电连接体键合,导电连接体在高温下发生熔融变软,超滑片从而与导电连接体连在一起,有效解决因超滑片高度不均一引起的组装困难的问题,同时导电连接体使得超滑器件可以与其他器件之间实现电连接。加工中利用键合的方式,可以实现超滑器件的大规模制备,并且可以将多个超滑片组装在一起,得到大尺寸的超滑器件。

    2024-03-28
  • 基于MEMS的耐高温柔性流速传感器芯片及其制备方法
    基于MEMS的耐高温柔性流速传感器芯片及其制备方法

    本发明公开了基于MEMS的耐高温柔性流速传感器芯片及其制备方法,所述流速传感器芯片包括柔性衬底和布置在柔性衬底上的温度补偿电阻对、测温电阻对和加热电阻,所述柔性衬底背面开设有空腔。本发明在热电阻周围对称布置测温电阻对,通过公用中央的加热电阻的方式,实现热损失和热温差两种测温原理的结合,有效提高了传感器的测速范围,该MEMS热式流速传感器具有测量范围广,具备更广泛的应用领域。本发明所述的传感器芯片的制备方法,制作方法简单、可靠性高、易于批量化生产、成本低。

    2024-03-25
  • 微流路器件、油滴的制造方法、气泡的制造方法、微胶囊的制造方法、多重乳液的制造方法、内含气泡的液滴的制造方法及微流路器件的制造方法
    微流路器件、油滴的制造方法、气泡的制造方法、微胶囊的制造方法、多重乳液的制造方法、内含气泡的液滴的制造方法及微流路器件的制造方法

    本发明提供一种微流路器件及其应用,该微流路器件包括基部,该基部具有划定流路的划定面,并且含有硅酮,上述基部的上述划定面包括吸附有表面活性剂的区域,通过飞行时间型二次离子质谱分析检测出的吸附于上述基部的上述划定面上的上述表面活性剂的二次离子量与总离子量之比为0.01以上。

    2024-03-20
  • 同一管芯上具有不同膜厚度的谐振器
    同一管芯上具有不同膜厚度的谐振器

    声学谐振器通过将第一压电板接合到基板并跨越基板中的第一空腔和第二空腔的位置来制造。将第一压电板的顶表面平坦化至第一厚度。接合层形成在第一压电板上并且跨越第一空腔和第二空腔位置。第二压电板接合到接合层并且跨越第一空腔和第二空腔位置。蚀刻掉第二压电板的跨越第二空腔位置的部分,以在第一空腔位置上方形成第一膜并且在第二空腔位置上方形成第二膜。叉指换能器形成在第一空腔和第二空腔位置上方的第一膜和第二膜上,以在同一管芯上形成第一谐振器和第二谐振器。

    2024-03-19
  • 气密性密封的封装件及其生产方法
    气密性密封的封装件及其生产方法

    本发明涉及一种气密性密封的封装件,其包括:至少一个片状覆盖基板,该片状覆盖基板具有平坦外表面和周向窄侧;第二基板,该第二基板被设置成与覆盖基板邻接并且与片状覆盖基板直接接触;由该封装件封闭的至少一个功能区域,所述功能区域具体被设置在覆盖基板与第二基板之间;以及激光结合线,该激光焊接线将覆盖基板与邻接覆盖基板的第二基板直接以气密方式连接,其中,所述覆盖基板呈透明薄膜基板的形式,且其中覆盖基板具有小于200μm的厚度。

    2024-03-18
  • 一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法
    一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法

    本发明属于半导体技术领域,涉及MEMS材料制备,具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法,LN/SiO2/Cr/LN的铌酸锂键合片上,在Single Frequency PFM模式下将针尖输出电压调整为交流电压,利用两次交流极化调控成约90°夹角畴结构,制备“钩型”电畴结构,并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾角的特性,制备倾角约为90°的“钩型”畴结构,利用纳米级带电畴壁高开关比特性,有效解决了传统的逻辑器件尺寸大、功耗高等问题,制得产物不惧各种恶劣环境,功耗低、开关比高、重复性强,具有稳定性、低能耗、可重复等优点。

    2024-03-15
  • 一种金属纳米颗粒微图案结构及其制备方法
    一种金属纳米颗粒微图案结构及其制备方法

    本发明属于微纳米表面涂层技术领域,具体涉及一种金属纳米颗粒微图案结构及其制备方法。本发明提供的一种金属纳米颗粒微图案结构的制备方法,包括如下步骤:(1)得到改性纳米颗粒分散液和改性基底;(2)得到表面覆盖金属纳米颗粒自组装层的微图案基底;(3)在目标基底表面制备形成可诱导固化的粘结层,得到粘结基底;(4)将金属纳米颗粒自组装层部分与粘结基底的粘结层部分相贴合压紧,并诱导粘结层固化;(5)将微图案基底的基底进行剥离,即得所需金属纳米颗粒微图案结构。本发明提供的制备方法可以兼顾生产效率高、生产成本低,并且制备得到的金属纳米颗粒微图案结构分辨率且质量高。

    2024-03-11
  • 一种深硅蚀刻精雕功能的干法脉冲等离子蚀刻去胶方法
    一种深硅蚀刻精雕功能的干法脉冲等离子蚀刻去胶方法

    本发明公开了一种深硅蚀刻精雕功能的干法脉冲等离子蚀刻去胶方法,包括以下操作步骤:控制系统操控等离子电源控制等离子反应腔室里等离子体的打起和熄灭,在TON时间段里等离子电源功率输出,等离子启辉,进而刻蚀掉一薄层光刻胶,在TOFF时间段里等离子电源停止输出,等离子熄灭,膜厚测量模块分别测量蚀刻前后的膜厚,重复此过程进行刻蚀。本发明所述的一种深硅蚀刻精雕功能的干法脉冲等离子蚀刻去胶方法,通过脉冲等离子技术,间歇性地打起或熄灭等离子,使产生的反应物能够及时和完全地被真空泵抽走,杜绝残留,并配合光刻胶膜厚测量技术,刻蚀掉所需厚度的光刻胶以实现精雕功能。

    2024-03-04
  • 微纳层结构的制作方法、加工装置以及电子器件
    微纳层结构的制作方法、加工装置以及电子器件

    本申请实施例提供一种微纳层结构的制作方法、加工装置以及电子器件,制作方法包括提供掩膜件,掩膜件包括第一区域和第二区域,第一区域大于第二区域的磁场强度;提供基板,基板包括基体以及原胶层,原胶层包括胶体和磁性粒子;将掩膜件与基板相对,且所述掩膜件与所述基板之间具有预设距离,第一区域的磁性力驱动磁性粒子移动,以使原胶层形成图案化掩膜层;图案化掩膜层包括掩膜部和间隔区,以图案化掩膜层为掩膜,蚀刻基体,以使基体形成图案化的介质层;去除图案化的介质层上剩余的图案化掩膜层以形成介质层。利用磁性力驱动磁性粒子,掩膜件与原胶层不接触,加工清洁度较高,成品率提升,制作过程简单,提升了加工效率。

    2024-02-29
  • 一种改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触的方法
    一种改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触的方法

    本发明公开了一种改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触的方法,该方法可以用来改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触。首先,该方法通过离子注入技术,将钨与钛作为掺杂元素,注入区域为氧化钒薄膜中与钛电极接触的区域。其次,注入元素选择钨与钛可以有效降低氧化钒接触区域的电阻,获得优异的金半接触,从而降低氧化钒本身的1/f噪声,有助于获得低噪声器件;此外通过掺杂钨元素还可以提高氧化钒薄膜TCR,提升器件信噪比。第三,离子注入后的热处理方式为脉冲电流快速退火,可以实现晶格修复,同时快速退火可以避免升温过程中的失氧,从而减小氧空位,使氧化钒电阻不会降低太多。

    2024-02-26
  • 一种表面微结构的液膜转印方法
    一种表面微结构的液膜转印方法

    本发明公开了一种表面微结构的液膜转印方法,属于功能表面制备技术领域,本发明方法包括如下步骤:制备微结构表面;准备附着微细物质的液膜;液膜附着的微细物质与微结构表面接触;振动液膜向微结构表面转移微细物质;对附着有微细物质的微结构表面进行处理。通过在振动液膜时使微结构表面上凹陷或者凸起位置对应的微细物质失稳转移,从而实现液膜上的微细物质向微结构表面的转印。

    2024-01-16
  • 电容式压力传感器及其制备方法
    电容式压力传感器及其制备方法

    本发明涉及压力传感器技术领域,提供了一种电容式压力传感器的制备方法,包括如下步骤:S1,于衬底上依次沉积牺牲层和介质层,所述介质层作为所述牺牲层的边界槽;S2,在位于所述牺牲层上的介质层上继续沉积上电极;S3,接着在介质层上形成牺牲层释放孔;S4,从所述牺牲层释放孔对牺牲层进行选择性地释放;S5,接着再在介质层上形成下电极引出孔,并将下电极从该引出孔引出至器件表面;S6,最后将所述牺牲层释放孔密封,从而形成密封腔体。还提供一种电容式压力传感器,由上述方法制备得到。发明由于工艺成熟,其所形成的硅微结构机械性能良好,采用先淀积上电极的步骤保证空腔结构稳定且性能优异。

    2024-01-15
  • 一种微流控管道热压拉伸装置及其控制方法
    一种微流控管道热压拉伸装置及其控制方法

    本发明公开了一种微流控管道热压拉伸装置及其控制方法,装置包括:底座;加压组件,包括顶板、弹性连接件以及负载,顶板的下表面通过弹性连接件连接至底座的上表面,负载设置在顶板的上表面;加热组件,包括上加热板和下加热板,上加热板设置在顶板的下表面,下加热板设置在底座的上表面,上加热板和下加热板内均设置有加热器,下加热板的上表面设置有热压槽;传动组件,包括主动轮、从动轮以及牵引电机,主动轮和从动轮分别靠近热压槽的两端设置,主动轮与牵引电机传动连接;主控制器,加热器和牵引电机均与主控制器电连接。本发明保证了微流控管道拉伸和热压的均匀性,提高了微流控管道的品质,可广泛应用于微流控管道加工技术领域。

    2024-01-14
  • 一种微型原子气室、玻璃泡壳及其制备方法
    一种微型原子气室、玻璃泡壳及其制备方法

    本申请公开了一种用于微型原子气室的玻璃泡壳制备方法:将可以拼接为一个密封腔整体的玻璃片粘接处端面研磨到表面粗糙度小于0.05μm;去除杂质后将玻璃片用分子力粘接到一起。还公开一种微型原子气室,包含密封腔,所述密封腔为玻璃泡壳。还公开一种微型原子气室的制备方法:用排气管将玻璃泡壳和充铷排气台连接;真空除气后将高温蒸馏的铷蒸汽和缓冲气体充入玻璃泡壳内,最后拔出排气管,玻璃泡壳自动收口。本发明通过玻璃光封接工艺制成微型原子气室泡壳,将其接入传统充铷排气台上,获得高洁净度、高精度的微型原子气室。与现有技术相比本申请具有真空洁净度高、气压参数精度高及优异的通光性,能够提高CPT稳定度指标和寿命。

    2024-01-12
  • 一种岛桥结构柔性器件的软压封装结构及其制备方法
    一种岛桥结构柔性器件的软压封装结构及其制备方法

    本发明涉及柔性电子器件的封装领域,具体涉及一种岛桥结构柔性器件的软压封装结构,其在柔性器件的两面分别覆盖有封装薄膜,封装薄膜与柔性器件的表面共形贴合;在封装薄膜和柔性器件之间的缝隙中形成有弹性层,柔性器件通过弹性层与封装薄膜粘接。本申请的软压封装结构成本低且制备方法简单,其使用封装薄膜与柔性器件表面共形贴合,同时使用弹性层填充两者之间的空隙,不仅有效保证器件的稳健性,还没有大幅度增加“桥”部分的厚度,极大程度地保持了岛桥结构的凹凸构型,使得封装后的岛桥结构器件仍具有高的柔性和可拉伸性,可以很好地与各种复杂表面的共形贴合。本发明还涉及一种岛桥结构柔性器件的软压封装结构的制备方法。

    2024-01-09
  • 一种中空纤维驱动器及其制备方法及在微流体操控中的应用
    一种中空纤维驱动器及其制备方法及在微流体操控中的应用

    一种中空纤维驱动器及其制备方法及在微流体操控中的应用,属于柔性驱动材料领域,可通过感测输送液体的温度控制液体流出位置。中空纤维经过加捻后,热退火后固定该形状,一端连接流体入口,充入热流体,所述热流体可以是水或其他液体;中空纤维驱动器通入热流体时即发生轴向旋转或伸长/收缩,常温流体冷却时立即复原,可通过控制热流体温度调节旋转伸缩程度,具有高驱动行程(87.5%)、快速响应速度(0.88s)和高温度灵敏度(0.5℃温度变化时旋转20°);本发明所述驱动器做功能力和功率密度分别是空气驱动固体纤维的1.5倍和90倍,最大做功高达1.73J/g;在万次循环中实验中高度稳定。所述驱动器具有结构简单、尺寸小、响应速度快等优点。

    2024-01-07
  • 一种高度可控的聚合物微米线阵列的制备方法
    一种高度可控的聚合物微米线阵列的制备方法

    本发明公开一种高度可控的聚合物微米线阵列的制备方法,包括以下步骤:将聚合物溶液滴加在柔性光刻胶模板和基底之间,形成三明治结构,将该三明治结构置于压力可调的施压装置中,然后施压、加热干燥、冷却,拆下柔性光刻胶模板,在基底上得到高度可控的聚合物微米线阵列。当施加的压力改变时,光刻胶模板和基底之间的间距发生变化,使扎钉在基底和光刻胶模板之间的聚合物溶液毛细液桥的高度发生改变,同时柔性光刻胶模板也会发生轻微形变,溶剂完全挥发后得到高度可控的聚合物微米线。因此,聚合物微米线阵列在长、宽、高三个尺度上均是可控的,微米线阵列均一性更高;同时该制备方法为图案化制备聚合物并将其用于微电子电路中提供了新思路。

    2024-01-06
  • 基于肖特基MOSFET的单片集成式光电耦合器及制备方法
    基于肖特基MOSFET的单片集成式光电耦合器及制备方法

    本发明提供一种基于肖特基MOSFET的单片集成式光电耦合器及制备方法,在同一半导体基底上制备肖特基MOSFET外围电路和光子集成电路,通过外围电路控制光子集成电路中可见光的发射与检测,实现完整的信号片内传输功能,以同时制备高性能的光电器件和电子器件;硅基衬底可利用成熟的MEMS工艺线进行加工,对批量化生产和降低生产成本具有重要意义;肖特基MOSFET的栅极漏电流小,源漏区域的结深较浅,结电容小,短沟道效应不明显,易替代现有的硅基MOSFET实现集成电路的移植;肖特基MOSFET的制备无需复杂的离子注入技术,加工过程中无需引入外延材料的生长,同时可与光子集成电路的制备工艺完全兼容,降低了单片光电子集成电路加工的难度。

    2024-01-02
  • 用于感测的封装结构及其制作方法
    用于感测的封装结构及其制作方法

    本发明提供了用于感测的封装结构及其制作方法,其中,用于感测的封装结构包括衬底、器件结构、以及具有环形开口部的顶盖体,旨在通过设置贯穿于器件结构、氧化层以及部分顶盖体的至少一个导电结构,以将所述顶盖体通过至少一个导电结构与位于所述衬底上的接地端子电连接,以解决由于SOI键合技术中的氧化层的存在所导致的氧化层的上下层电互联困难的问题,实现了将所述顶盖体与位于衬底上的接地端子电连接,从而显著提升了用于感测的封装结构产品的屏蔽性能以及提升了用于感测的封装结构的可靠性。

    2024-01-01
  • 一种聚合物微结构的超精密制造方法
    一种聚合物微结构的超精密制造方法

    本发明涉及一种聚合物微结构的超精密制造方法,步骤S1、采用金刚石铣削接触式工艺对聚合物表面进行加工,以实现对微结构的毫微级控形;步骤S2、对步骤S1得到的聚合物微结构采用激光束非接触式工艺,实现微米级调形;步骤S3、在步骤S2得到的聚合物外设置导电层,导电层具有使聚合物的微结构外露的镂空部,然后采用非接触式离子束加工,离子束直接对聚合物微结构进行纳米级精调。最终产品可以达到需要的精度要求及表面质量要求,并且加工效率较高。

    2023-12-23
  • 用于粘附/脱附快速切换的温控时变仿生粘附结构及调控方法
    用于粘附/脱附快速切换的温控时变仿生粘附结构及调控方法

    一种用于粘附/脱附快速切换的温控时变仿生粘附结构及调控方法,结构包含两层,顶层为干粘附结构层,底层为外场驱动层,底层的四周为支撑结构;干粘附结构层为蘑菇状阵列结构,外场驱动层为提供温度变化的电热膜;干粘附结构层采用液晶弹性聚合物LCE;调控方法是无电场作用下,干粘附结构层保持初始形貌,干粘附结构层具备高强度粘附特性;施加电场,电热膜发生电热效应,导致干粘附结构层发生热致收缩变形,干粘附结构层和被粘附物的粘附界面发生分离,实现脱附;撤去电场,电热膜的电热效应消失,干粘附结构层在弹性作用下还原初始形貌,干粘附结构层恢复高强度粘附特性;本发明实现高强度粘附和可控脱附的有机统一。

    2023-12-22
  • 一种基于横向复合介电膜的MEMS微热板及制造方法
    一种基于横向复合介电膜的MEMS微热板及制造方法

    本发明公开了一种基于横向复合介电膜的MEMS微热板,所述微热板以硅衬底背面刻蚀为基础,在底部隔离支撑层上,中心区域为高导热系数的传热材料,外围区域为低导热系数材料的构成横向复合膜作为复合介电层,有效降低平面式微热板的横向热传导损失,提高热板的加热效率,并且降低热应力引起的机械形变,同时可在外部低导热系数材料区域刻蚀冲孔形成冲孔网格结构,进一步阻隔微热板的横向热传导损失,降低加热功耗。本发明还公开了一种基于横向复合介电膜的MEMS微热板的制作方法。

    2023-12-21
  • 一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器、制备方法
    一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器、制备方法

    本申请公开了一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器其封装结构、制备方法,红外探测器芯片晶圆包括衬底晶圆、外延层、层间介质、集成电路、与集成电路相连的微测辐射热计;集成电路处设有贯穿层间介质、外延层及衬底晶圆的通孔,通孔的侧壁设有绝缘层,通孔内填充有导电材料,以使集成电路与导电材料相连;衬底晶圆下表面设有与导电材料相连的导电结构,以使集成电路通过导电结构与外部电路相连。本申请公开的技术方案,在集成电路处设置通孔,在通孔内填充导电材料,以使集成电路通过导电材料及导电结构与外部电路相连,而不再需要通过从集成电路引出互连线来与外部电路相连,从而缩短电互联长度,提高互连可靠性,降低信号传输延迟和封装体积。

    2023-12-17
  • 惯性传感器的封装方法及惯性传感器
    惯性传感器的封装方法及惯性传感器

    本发明提供了一种惯性传感器的封装方法,包括步骤:破坏MEMS晶圆中第一键合面的第一介质部和盖体晶圆中第二键合面的第二介质部中至少一个的Si‑O键;将所述第一键合面和所述第二键合面对准并贴合吸附在一起,使所述第一介质部与所述第二介质部通过悬挂键实现预键合,以得到预键合晶圆;对所述预键合晶圆进行热处理,以使所述第一介质部和所述第二介质部,以及所述第一键合面中的第一金属部和所述第二键合面中的第二金属部实现永久键合。本发明在保证MEMS结构密封性的同时,实现了键合面之间的电连接,而且简化工艺步骤,兼顾了高效率与高可靠性。本发明还提供了一种惯性传感器。

    2023-12-12
  • 单晶硅振膜的MEMS电容式声传感器结构及制备方法
    单晶硅振膜的MEMS电容式声传感器结构及制备方法

    本发明为一种单晶硅振膜的MEMS电容式声传感器结构,属于超声换能器技术领域。本发明包括自上而下叠层设置的振膜层、环状支撑壁层和衬底层,振膜层形成有若干个呈阵列排布的振膜,振膜层和衬底层之间的环状支撑壁层上形成有若干个呈阵列排布的空腔,空腔与振膜相互对应;振膜上均布设置有若干通孔,衬底层的顶面上形成有延伸孔;振膜层、通孔、衬底层、延伸孔上均形成有绝缘层;振膜层上设置有上电极层,衬底层底面设置有下电极层。本发明电容式声传感器结构整体尺寸小,便于后续的封装和使用;本发明电容式声传感器结构制备方法简单,整体工艺流程少,制造成本低,便于后续的批量生产。

    2023-12-11
  • 一种硅针阵列制备方法以及一种消杀因子发生装置
    一种硅针阵列制备方法以及一种消杀因子发生装置

    本发明属于空气消毒净化技术领域,特别涉及一种硅针阵列制备方法以及一种消杀因子发生装置,所述一种硅针阵列制备方法包括在硅基材的顶面和底面分别制备一层电连接层;采用机械切割在顶面的电连接层上切割出掩膜图案,同时采用机械切割在硅基材上切割出硅微柱阵列;采用湿法刻蚀对硅微柱进行刻蚀,得到硅微针阵列;本发明制备硅针阵列结构的方法不依赖昂贵的大型设备,加工成本低、工艺周期短、尺寸稳定性好,实现硅微针阵列晶圆级制备,满足小批量试制和大批量量产,具有良好的经济效益;本发明消杀因子发生装置以硅微针阵列为核心发生结构,在环境空气中提取水分,通过高压放电,产生包含含氧自由基等活性物质的纳米级粒子,用来进行空气消毒。

    2023-11-28
  • 圆片级封装的真空度测试方法及圆片级封装结构
    圆片级封装的真空度测试方法及圆片级封装结构

    本发明提供一种圆片级封装的真空度测试方法及圆片级封装结构。该方法包括:将盖板圆片与结构圆片键合,在盖板圆片与结构圆片之间形成空腔,将键合后的圆片置于真空测试系统中抽真空,在不同真空度下激励谐振器,得到真空度与谐振器品质因数值的对应关系,在预设真空度下对键合后的圆片进行真空封装,并激活吸气剂,再次激励谐振器,得到对应的谐振器的第二品质因数值,根据真空度与谐振器品质因数值的对应关系和第二品质因数值,反推出圆片级真空封装的器件的空腔内部的真空度。本发明能够实现对圆片级真空封装的真空度的测试,解决现有技术中无法直接测试出芯片内部真空度大小的问题,有利于相关MEMS器件的进一步推广应用。

    2023-11-24
  • 封装结构、基板、封装方法
    封装结构、基板、封装方法

    本申请提供了一种封装结构、基板、封装方法。该封装结构可以包括:MEMS器件;基板,组成基板的材料至少包括第一类材料和第二类材料,第一类材料的热膨胀系数小于MEMS器件的基体材料的热膨胀系数,第二类材料的热膨胀系数大于MEMS器件的基体材料的热膨胀系数;粘接材料,位于MEMS器件和基板之间,用于将MEMS器件粘接在基板上。通过设计基板可以由多种不同的材料组成,这样可以可控地调节基板的材料属性。通过可控地调节基板的材料属性,可实现调节和减小MEMS器件(如微传感器)在粘接过程中由于MEMS器件与基板热膨胀系数失配所产生的封装应力,进而调节MEMS器件的形变。

    2023-11-24
  • 一种自加热的MEMS红外光源及其制备方法
    一种自加热的MEMS红外光源及其制备方法

    本发明公开了一种自加热的MEMS红外光源及其制备方法,该MEMS红外光源包括由下到上依次设置的硅衬底、第一氧化层、自加热层、第二氧化层、加热电阻层和电极层,加热电阻层通过金属剥离工艺形成图形化的电阻结构,电阻结构包括位于中心的加热区域和两端延伸的焊盘区域;电极层位于焊盘区域,硅衬底背面通过刻蚀形成贯穿硅衬底的背洞区域。本发明所公开的红外光源采用悬浮式自加热膜结构,悬浮结构能减少向硅衬底的热量传输,自加热层具有低传热速率的性能,实现发光薄膜背向红外辐射的自吸收、达到热量储存目的,从而可以有效降低红外光源器件的能量损耗,提高电光转化效率,显著提高MEMS光源的性能,降低MEMS光源的功耗。

    2023-11-18
  • 一种表面增强红外吸收衬底及其制备方法
    一种表面增强红外吸收衬底及其制备方法

    本发明提供了一种表面增强红外吸收衬底及其制备方法,属于功能材料技术领域。本发明利用模板微球光刻加等离子体刻蚀的方式,能够简单、低成本、大面积的制备表面增强红外吸收(SEIRA)衬底,且制备得到的SEIRA衬底中柱体阵列周期性好,保证SEIRA衬底具有较高的增强效率,解决了现有技术中SEIRA衬底无法兼顾低成本和高增强效率的问题。

    2023-11-05
  • 一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法
    一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法

    本发明公开了一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法,该MEMS真空计包括真空计主体和键合于其上方的硅帽,所述真空计主体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层、绝缘介质层一和铂金电极,所述铂金电极分布于所述绝缘介质层一的局部区域上;所述硅衬底上通过电化学刻蚀方法形成多孔硅隔热层,所述多孔硅隔热层上方依次沉积有绝缘介质层一和铂金电极,所述硅帽位于所述多孔硅隔热层的上方,并与所述真空计主体形成检测腔体,所述硅帽具有空气微流道。本发明所公开的MEMS真空计及制备方法可以解决薄膜型MEMS真空计在强烈的气体对流中易造成薄膜损坏的问题,能够增强MEMS真空计的鲁棒性,提高在实际工作环境中的稳定性。

    2023-11-04
  • MEMS热泡打印头加热结构的制作方法
    MEMS热泡打印头加热结构的制作方法

    本发明提供一种MEMS热泡打印头加热结构的制作方法,包括:基底,基底表面具有下绝缘层;电阻材料层及导电材料层,形成于基底上;第一腐蚀槽,形成于导电材料层中并显露电阻材料层,第一腐蚀槽的侧壁呈具有第一倾角的斜面;腐蚀槽,形成于导电材料层中并显露电阻材料层,腐蚀槽的侧壁呈具有第二倾角的斜面;第一刻蚀槽,形成于第一腐蚀槽显露的电阻材料层中;以及第二刻蚀槽,形成于腐蚀槽显露的电阻材料层中。本发明可大大提高加热结构刻蚀均匀性,并有效节约成本。

    2023-11-02
  • 一种基于单分子微阵列芯片基片的盲孔状微孔制作方法
    一种基于单分子微阵列芯片基片的盲孔状微孔制作方法

    一种基于单分子微阵列芯片基片的盲孔状微孔制作方法,以单分子检测芯片上所需盲孔状微孔的深度为界线,对的盲孔状微孔进行拆解,将盲孔状微孔的整体分成两部分;一部分为微孔部分基体,另一部分为底层部分基体,其中微孔部分基体上有单分子检测所需的通孔状微孔阵列;先分别制作好微孔部分基体和底层部分基体,在微孔部分基体上加工好所需大小的微孔通孔,再将微孔部分基体和底层部分基体复合在一起,形成带有盲孔状微孔的单分子检测芯片基片。本发明将单分子检测芯片基片的盲孔状微孔拆解成两部分,分别制作微孔部分基体和底层部分基体,再复合成整体,形成盲孔,这样能简化微孔盲孔的加工制作方法,降低工艺难度,适合大规模工业化批量生产。

    2023-11-02
  • 一种低应力的耐高温压力传感器芯片封装方法
    一种低应力的耐高温压力传感器芯片封装方法

    本发明涉及封装技术领域,具体涉及一种低应力的耐高温压力传感器芯片封装方法,包括压力传感器芯片、基座层和信号传输线,所述信号传输线穿过所述基座层与所述传感器芯片的电极连接,所述信号传输线用于信号传输,所述压力传感器芯片与所述基座层烧结为一体。目前的封装方式为引线键合,这种封装方式高温下也会发生“金脆”现象导致金线断裂,耐振动性能很低,因此使用温度和环境受到限制,本发明就引线键合的封装方式改为烧结的封装方式,不使用引线进行键合,避免了高温振动下引线断裂的问题,可有效提高器件的可靠性。

    2023-10-20
  • 一种微纳结构激光窗口及其制备方法
    一种微纳结构激光窗口及其制备方法

    本发明公开了一种具有高透过高阈值抗激光损伤性能的微纳结构激光窗口的制备方法,其步骤包括:(1)利用化学试剂超声清洗抛光后的石英玻璃;(2)利用微量注射泵进行聚苯乙烯微球自组装并将其转移到超声清洗后的石英玻璃上;(3)利用反应离子刻蚀技术对带有聚苯乙烯微球的石英基底进行刻蚀,在石英基底上制备微纳结构;(4)利用化学试剂对石英基底进行清洗,除去未完全反应的聚苯乙烯微球;(5)对制备的石英微纳结构激光窗口进行透过率测试,并利用强激光对其进行辐射检测其性能,证明具有高透过高阈值抗激光损伤的微纳结构激光窗口的成功制备。该方法制备的微纳结构激光窗口透过率高,增透波段宽,抗激光损伤性能强,并且方法简单。

    2023-10-19
  • 基于MEMS工艺微尺度流动换热高精度集成测试方法
    基于MEMS工艺微尺度流动换热高精度集成测试方法

    基于MEMS工艺的微尺度流动换热高精度集成测试方法,包括:基于MEMS工艺的实验件加工;测试系统的集成;本发明通过玻璃激光打孔和硅晶圆的等离子体刻蚀技术,完成测压点的原位引出测量,避免了局部压力损失;利用金属电阻温度系数特性,通过电阻变化测量当前薄膜热电阻处的温度大小,将薄膜热电阻置于加热膜上方,使其更加贴近通道壁面,获得的温度数据更加准确;通过多层晶圆键合技术,将带测压孔的玻璃片、带微通道及测温热电阻的上硅片、带加热膜的下硅片进行分别依次进行多晶圆依次键合,保证微通道的密封性以及带金属薄膜硅表面的精确对准键合,结合测试系统的集成最终实现了测压、测温、加热与可视化的一体化设计。

    2023-10-15
  • 气密密封的玻璃封装件
    气密密封的玻璃封装件

    本发明提供了一种用于热封装功能区域的封装件,包括:底部基板;覆盖基板,所述底部基板与所述覆盖基板一起形成所述封装件的至少一部分或形成所述封装件;通过所述封装件气密密封的至少一个功能区域,例如空腔,其中,所述封装件包括至少一条激光接合线,并且所述封装件的基板通过所述至少一条激光接合线彼此气密结合;其中,所述激光接合线具有垂直于其接合面的高度HL;其中,在所述封装件的所述功能区域内可以产生热量;并且,其中,至少所述底部基板和/或所述覆盖基板为热绝缘体的形式。

    2023-10-14
  • 皮层内植入式微针电极阵列装置的生产工艺及装置
    皮层内植入式微针电极阵列装置的生产工艺及装置

    本发明提供了一种皮层内植入式微针电极阵列装置的生产工艺及装置,属于侵入式神经接口技术领域,生产工艺包括以下步骤:衬底基板制造;加工电极互联结构;微针电极阵列增材制造;微针电极阵列导电层镀膜;绝缘层淀积与刻蚀。本发明提供的皮层内植入式微针电极阵列装置的生产工艺,此种工艺只需要通过增材制造技术加工微针电极阵列部分,有效减少了增材制造工序的加工工时,降低了制造成本,生产效率更高,并且,电极互联结构加工工序在微针电极增材制造工序之前,电极互联结构加工时工艺面为平面,避免受微针电极影响,可以降低工艺难度,提高制造良品率。

    2023-10-08
  • 一种双振动模式的单芯片MEMS三维电场传感器
    一种双振动模式的单芯片MEMS三维电场传感器

    本发明公开了一种双振动模式的单芯片MEMS(Micro Electro Mechanical System,微机电系统)三维电场传感器,包括衬底和设置在衬底上的固定感应单元、可动屏蔽单元以及压电驱动单元;其中,固定感应单元与外部检测电路电连接;可动屏蔽单元与压电驱动单元机械连接,压电驱动单元与外部驱动电路电连接;在驱动电压的控制下,可动屏蔽单元在压电驱动单元的带动下,按照两种振动模式相对于固定感应单元振动,从而将被测三维电场信息以感应电流的方式输出,由外部检测电路根据固定感应单元输出的感应电流,计算得到被测三维电场。本发明可以实现三维电场测量,利于三维电场传感器的微型化。

    2023-10-07
  • 一种封装结构及其制作方法、电子设备
    一种封装结构及其制作方法、电子设备

    本申请实施例提供一种封装结构及其制作方法、电子设备,涉及封装技术领域,可以解决声学滤波器的封装结构的厚度较大、尺寸较大和制作工艺复杂等问题。封装结构包括芯片,芯片包括衬底、功能器件和焊盘;第一介质薄膜设置于焊盘远离衬底的一侧;第二介质薄膜设置于第一介质薄膜上,第二介质薄膜在衬底上的投影覆盖功能器件在衬底上的投影,焊盘远离衬底的至少部分表面露出于第一介质薄膜和第二介质薄膜;芯片、第二介质薄膜以及设置在芯片和第二介质薄膜之间的第一介质薄膜构成空腔结构;连接层设置于第二介质薄膜远离衬底的一侧、第二介质薄膜的侧面、第一介质薄膜的侧面以及焊盘远离衬底且露出于第一介质薄膜和第二介质薄膜的表面上。

    2023-10-06
  • 一种3D-MEMS探针及其制备方法
    一种3D-MEMS探针及其制备方法

    本发明提供一种3D‑MEMS探针及其制备方法,所述探针包括陶瓷基板、圆柱、悬臂梁结构以及针尖;所述针尖通过悬臂梁结构与圆柱固定连接,圆柱与陶瓷基板固定连接。其制备方法包括:(1)对衬底进行光刻以及湿法腐蚀,得到针尖结构坯件;而后在衬底表面溅射种子层;(2)利用电镀的技术在种子层上生长高强度金属,而后利用研磨得到针尖结构;(3)在针尖结构上光刻、电镀、剥离制造悬臂梁结构;(4)在悬臂梁结构上焊接圆柱,之后固定连接陶瓷基板;(5)利用湿法去除种子层,将3D结构探针从衬底上面剥离后,收集并清洗。本发明提供的3D‑MEMS探针结构简单,可靠性良好;且制备工艺简单,易于加工与量产。

    2023-10-04
  • 用于MEMS器件的系统和方法
    用于MEMS器件的系统和方法

    本申请公开了用于MEMS器件的系统和方法。一种微机电系统(MEMS)器件(104、400、500)包括衬底(202、418、518、1602)以及由衬底(202,418,518,1602)支撑的MEMS结构(213、402、502、800、900、1000、1100、1200)。该MEMS结构(213、402、502、800、900、1000、1100、1200)包括包含钛铝合金的第一材料的第一层(802、902、908、1004、1102、1108、1202、1204、1902、2102)。该MEMS结构(213、402、502、800、900、1000、1100、1200)还包括在第一层上的铝层(804、806、904、906、1002、1006、1104、1106、1206、1208、2002、2302)。

    2023-10-02
  • 电子装置
    电子装置

    本发明提供了一种电子装置,其包括一覆盖层以及一可拉伸感测单元。覆盖层具有一曲面,曲面具有一第一区域,第一区域具有一第一高斯曲率,而第一高斯曲率不等于0。可拉伸感测单元贴附到覆盖层,其中可拉伸感测单元包括一可拉伸基板和一第一感测元件,设置在可拉伸基板上。第一感测元件设置在曲面的第一区域与可拉伸基板之间。

    2023-09-26
技术分类