微观结构技术

  • 同一管芯上具有不同膜厚度的谐振器
    同一管芯上具有不同膜厚度的谐振器

    声学谐振器通过将第一压电板接合到基板并跨越基板中的第一空腔和第二空腔的位置来制造。将第一压电板的顶表面平坦化至第一厚度。接合层形成在第一压电板上并且跨越第一空腔和第二空腔位置。第二压电板接合到接合层并且跨越第一空腔和第二空腔位置。蚀刻掉第二压电板的跨越第二空腔位置的部分,以在第一空腔位置上方形成第一膜并且在第二空腔位置上方形成第二膜。叉指换能器形成在第一空腔和第二空腔位置上方的第一膜和第二膜上,以在同一管芯上形成第一谐振器和第二谐振器。

    2024-03-19
  • 气密性密封的封装件及其生产方法
    气密性密封的封装件及其生产方法

    本发明涉及一种气密性密封的封装件,其包括:至少一个片状覆盖基板,该片状覆盖基板具有平坦外表面和周向窄侧;第二基板,该第二基板被设置成与覆盖基板邻接并且与片状覆盖基板直接接触;由该封装件封闭的至少一个功能区域,所述功能区域具体被设置在覆盖基板与第二基板之间;以及激光结合线,该激光焊接线将覆盖基板与邻接覆盖基板的第二基板直接以气密方式连接,其中,所述覆盖基板呈透明薄膜基板的形式,且其中覆盖基板具有小于200μm的厚度。

    2024-03-18
  • 一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法
    一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法

    本发明属于半导体技术领域,涉及MEMS材料制备,具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法,LN/SiO2/Cr/LN的铌酸锂键合片上,在Single Frequency PFM模式下将针尖输出电压调整为交流电压,利用两次交流极化调控成约90°夹角畴结构,制备“钩型”电畴结构,并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾角的特性,制备倾角约为90°的“钩型”畴结构,利用纳米级带电畴壁高开关比特性,有效解决了传统的逻辑器件尺寸大、功耗高等问题,制得产物不惧各种恶劣环境,功耗低、开关比高、重复性强,具有稳定性、低能耗、可重复等优点。

    2024-03-15
  • 一种金属纳米颗粒微图案结构及其制备方法
    一种金属纳米颗粒微图案结构及其制备方法

    本发明属于微纳米表面涂层技术领域,具体涉及一种金属纳米颗粒微图案结构及其制备方法。本发明提供的一种金属纳米颗粒微图案结构的制备方法,包括如下步骤:(1)得到改性纳米颗粒分散液和改性基底;(2)得到表面覆盖金属纳米颗粒自组装层的微图案基底;(3)在目标基底表面制备形成可诱导固化的粘结层,得到粘结基底;(4)将金属纳米颗粒自组装层部分与粘结基底的粘结层部分相贴合压紧,并诱导粘结层固化;(5)将微图案基底的基底进行剥离,即得所需金属纳米颗粒微图案结构。本发明提供的制备方法可以兼顾生产效率高、生产成本低,并且制备得到的金属纳米颗粒微图案结构分辨率且质量高。

    2024-03-11
  • 一种深硅蚀刻精雕功能的干法脉冲等离子蚀刻去胶方法
    一种深硅蚀刻精雕功能的干法脉冲等离子蚀刻去胶方法

    本发明公开了一种深硅蚀刻精雕功能的干法脉冲等离子蚀刻去胶方法,包括以下操作步骤:控制系统操控等离子电源控制等离子反应腔室里等离子体的打起和熄灭,在TON时间段里等离子电源功率输出,等离子启辉,进而刻蚀掉一薄层光刻胶,在TOFF时间段里等离子电源停止输出,等离子熄灭,膜厚测量模块分别测量蚀刻前后的膜厚,重复此过程进行刻蚀。本发明所述的一种深硅蚀刻精雕功能的干法脉冲等离子蚀刻去胶方法,通过脉冲等离子技术,间歇性地打起或熄灭等离子,使产生的反应物能够及时和完全地被真空泵抽走,杜绝残留,并配合光刻胶膜厚测量技术,刻蚀掉所需厚度的光刻胶以实现精雕功能。

    2024-03-04
  • 微纳层结构的制作方法、加工装置以及电子器件
    微纳层结构的制作方法、加工装置以及电子器件

    本申请实施例提供一种微纳层结构的制作方法、加工装置以及电子器件,制作方法包括提供掩膜件,掩膜件包括第一区域和第二区域,第一区域大于第二区域的磁场强度;提供基板,基板包括基体以及原胶层,原胶层包括胶体和磁性粒子;将掩膜件与基板相对,且所述掩膜件与所述基板之间具有预设距离,第一区域的磁性力驱动磁性粒子移动,以使原胶层形成图案化掩膜层;图案化掩膜层包括掩膜部和间隔区,以图案化掩膜层为掩膜,蚀刻基体,以使基体形成图案化的介质层;去除图案化的介质层上剩余的图案化掩膜层以形成介质层。利用磁性力驱动磁性粒子,掩膜件与原胶层不接触,加工清洁度较高,成品率提升,制作过程简单,提升了加工效率。

    2024-02-29
  • 一种改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触的方法
    一种改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触的方法

    本发明公开了一种改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触的方法,该方法可以用来改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触。首先,该方法通过离子注入技术,将钨与钛作为掺杂元素,注入区域为氧化钒薄膜中与钛电极接触的区域。其次,注入元素选择钨与钛可以有效降低氧化钒接触区域的电阻,获得优异的金半接触,从而降低氧化钒本身的1/f噪声,有助于获得低噪声器件;此外通过掺杂钨元素还可以提高氧化钒薄膜TCR,提升器件信噪比。第三,离子注入后的热处理方式为脉冲电流快速退火,可以实现晶格修复,同时快速退火可以避免升温过程中的失氧,从而减小氧空位,使氧化钒电阻不会降低太多。

    2024-02-26
  • 一种表面微结构的液膜转印方法
    一种表面微结构的液膜转印方法

    本发明公开了一种表面微结构的液膜转印方法,属于功能表面制备技术领域,本发明方法包括如下步骤:制备微结构表面;准备附着微细物质的液膜;液膜附着的微细物质与微结构表面接触;振动液膜向微结构表面转移微细物质;对附着有微细物质的微结构表面进行处理。通过在振动液膜时使微结构表面上凹陷或者凸起位置对应的微细物质失稳转移,从而实现液膜上的微细物质向微结构表面的转印。

    2024-01-16
  • 电容式压力传感器及其制备方法
    电容式压力传感器及其制备方法

    本发明涉及压力传感器技术领域,提供了一种电容式压力传感器的制备方法,包括如下步骤:S1,于衬底上依次沉积牺牲层和介质层,所述介质层作为所述牺牲层的边界槽;S2,在位于所述牺牲层上的介质层上继续沉积上电极;S3,接着在介质层上形成牺牲层释放孔;S4,从所述牺牲层释放孔对牺牲层进行选择性地释放;S5,接着再在介质层上形成下电极引出孔,并将下电极从该引出孔引出至器件表面;S6,最后将所述牺牲层释放孔密封,从而形成密封腔体。还提供一种电容式压力传感器,由上述方法制备得到。发明由于工艺成熟,其所形成的硅微结构机械性能良好,采用先淀积上电极的步骤保证空腔结构稳定且性能优异。

    2024-01-15
  • 一种微流控管道热压拉伸装置及其控制方法
    一种微流控管道热压拉伸装置及其控制方法

    本发明公开了一种微流控管道热压拉伸装置及其控制方法,装置包括:底座;加压组件,包括顶板、弹性连接件以及负载,顶板的下表面通过弹性连接件连接至底座的上表面,负载设置在顶板的上表面;加热组件,包括上加热板和下加热板,上加热板设置在顶板的下表面,下加热板设置在底座的上表面,上加热板和下加热板内均设置有加热器,下加热板的上表面设置有热压槽;传动组件,包括主动轮、从动轮以及牵引电机,主动轮和从动轮分别靠近热压槽的两端设置,主动轮与牵引电机传动连接;主控制器,加热器和牵引电机均与主控制器电连接。本发明保证了微流控管道拉伸和热压的均匀性,提高了微流控管道的品质,可广泛应用于微流控管道加工技术领域。

    2024-01-14
  • 一种微型原子气室、玻璃泡壳及其制备方法
    一种微型原子气室、玻璃泡壳及其制备方法

    本申请公开了一种用于微型原子气室的玻璃泡壳制备方法:将可以拼接为一个密封腔整体的玻璃片粘接处端面研磨到表面粗糙度小于0.05μm;去除杂质后将玻璃片用分子力粘接到一起。还公开一种微型原子气室,包含密封腔,所述密封腔为玻璃泡壳。还公开一种微型原子气室的制备方法:用排气管将玻璃泡壳和充铷排气台连接;真空除气后将高温蒸馏的铷蒸汽和缓冲气体充入玻璃泡壳内,最后拔出排气管,玻璃泡壳自动收口。本发明通过玻璃光封接工艺制成微型原子气室泡壳,将其接入传统充铷排气台上,获得高洁净度、高精度的微型原子气室。与现有技术相比本申请具有真空洁净度高、气压参数精度高及优异的通光性,能够提高CPT稳定度指标和寿命。

    2024-01-12
  • 一种岛桥结构柔性器件的软压封装结构及其制备方法
    一种岛桥结构柔性器件的软压封装结构及其制备方法

    本发明涉及柔性电子器件的封装领域,具体涉及一种岛桥结构柔性器件的软压封装结构,其在柔性器件的两面分别覆盖有封装薄膜,封装薄膜与柔性器件的表面共形贴合;在封装薄膜和柔性器件之间的缝隙中形成有弹性层,柔性器件通过弹性层与封装薄膜粘接。本申请的软压封装结构成本低且制备方法简单,其使用封装薄膜与柔性器件表面共形贴合,同时使用弹性层填充两者之间的空隙,不仅有效保证器件的稳健性,还没有大幅度增加“桥”部分的厚度,极大程度地保持了岛桥结构的凹凸构型,使得封装后的岛桥结构器件仍具有高的柔性和可拉伸性,可以很好地与各种复杂表面的共形贴合。本发明还涉及一种岛桥结构柔性器件的软压封装结构的制备方法。

    2024-01-09
  • 一种中空纤维驱动器及其制备方法及在微流体操控中的应用
    一种中空纤维驱动器及其制备方法及在微流体操控中的应用

    一种中空纤维驱动器及其制备方法及在微流体操控中的应用,属于柔性驱动材料领域,可通过感测输送液体的温度控制液体流出位置。中空纤维经过加捻后,热退火后固定该形状,一端连接流体入口,充入热流体,所述热流体可以是水或其他液体;中空纤维驱动器通入热流体时即发生轴向旋转或伸长/收缩,常温流体冷却时立即复原,可通过控制热流体温度调节旋转伸缩程度,具有高驱动行程(87.5%)、快速响应速度(0.88s)和高温度灵敏度(0.5℃温度变化时旋转20°);本发明所述驱动器做功能力和功率密度分别是空气驱动固体纤维的1.5倍和90倍,最大做功高达1.73J/g;在万次循环中实验中高度稳定。所述驱动器具有结构简单、尺寸小、响应速度快等优点。

    2024-01-07
  • 一种高度可控的聚合物微米线阵列的制备方法
    一种高度可控的聚合物微米线阵列的制备方法

    本发明公开一种高度可控的聚合物微米线阵列的制备方法,包括以下步骤:将聚合物溶液滴加在柔性光刻胶模板和基底之间,形成三明治结构,将该三明治结构置于压力可调的施压装置中,然后施压、加热干燥、冷却,拆下柔性光刻胶模板,在基底上得到高度可控的聚合物微米线阵列。当施加的压力改变时,光刻胶模板和基底之间的间距发生变化,使扎钉在基底和光刻胶模板之间的聚合物溶液毛细液桥的高度发生改变,同时柔性光刻胶模板也会发生轻微形变,溶剂完全挥发后得到高度可控的聚合物微米线。因此,聚合物微米线阵列在长、宽、高三个尺度上均是可控的,微米线阵列均一性更高;同时该制备方法为图案化制备聚合物并将其用于微电子电路中提供了新思路。

    2024-01-06
  • 基于肖特基MOSFET的单片集成式光电耦合器及制备方法
    基于肖特基MOSFET的单片集成式光电耦合器及制备方法

    本发明提供一种基于肖特基MOSFET的单片集成式光电耦合器及制备方法,在同一半导体基底上制备肖特基MOSFET外围电路和光子集成电路,通过外围电路控制光子集成电路中可见光的发射与检测,实现完整的信号片内传输功能,以同时制备高性能的光电器件和电子器件;硅基衬底可利用成熟的MEMS工艺线进行加工,对批量化生产和降低生产成本具有重要意义;肖特基MOSFET的栅极漏电流小,源漏区域的结深较浅,结电容小,短沟道效应不明显,易替代现有的硅基MOSFET实现集成电路的移植;肖特基MOSFET的制备无需复杂的离子注入技术,加工过程中无需引入外延材料的生长,同时可与光子集成电路的制备工艺完全兼容,降低了单片光电子集成电路加工的难度。

    2024-01-02
  • 用于感测的封装结构及其制作方法
    用于感测的封装结构及其制作方法

    本发明提供了用于感测的封装结构及其制作方法,其中,用于感测的封装结构包括衬底、器件结构、以及具有环形开口部的顶盖体,旨在通过设置贯穿于器件结构、氧化层以及部分顶盖体的至少一个导电结构,以将所述顶盖体通过至少一个导电结构与位于所述衬底上的接地端子电连接,以解决由于SOI键合技术中的氧化层的存在所导致的氧化层的上下层电互联困难的问题,实现了将所述顶盖体与位于衬底上的接地端子电连接,从而显著提升了用于感测的封装结构产品的屏蔽性能以及提升了用于感测的封装结构的可靠性。

    2024-01-01
  • 一种聚合物微结构的超精密制造方法
    一种聚合物微结构的超精密制造方法

    本发明涉及一种聚合物微结构的超精密制造方法,步骤S1、采用金刚石铣削接触式工艺对聚合物表面进行加工,以实现对微结构的毫微级控形;步骤S2、对步骤S1得到的聚合物微结构采用激光束非接触式工艺,实现微米级调形;步骤S3、在步骤S2得到的聚合物外设置导电层,导电层具有使聚合物的微结构外露的镂空部,然后采用非接触式离子束加工,离子束直接对聚合物微结构进行纳米级精调。最终产品可以达到需要的精度要求及表面质量要求,并且加工效率较高。

    2023-12-23
  • 用于粘附/脱附快速切换的温控时变仿生粘附结构及调控方法
    用于粘附/脱附快速切换的温控时变仿生粘附结构及调控方法

    一种用于粘附/脱附快速切换的温控时变仿生粘附结构及调控方法,结构包含两层,顶层为干粘附结构层,底层为外场驱动层,底层的四周为支撑结构;干粘附结构层为蘑菇状阵列结构,外场驱动层为提供温度变化的电热膜;干粘附结构层采用液晶弹性聚合物LCE;调控方法是无电场作用下,干粘附结构层保持初始形貌,干粘附结构层具备高强度粘附特性;施加电场,电热膜发生电热效应,导致干粘附结构层发生热致收缩变形,干粘附结构层和被粘附物的粘附界面发生分离,实现脱附;撤去电场,电热膜的电热效应消失,干粘附结构层在弹性作用下还原初始形貌,干粘附结构层恢复高强度粘附特性;本发明实现高强度粘附和可控脱附的有机统一。

    2023-12-22
  • 一种基于横向复合介电膜的MEMS微热板及制造方法
    一种基于横向复合介电膜的MEMS微热板及制造方法

    本发明公开了一种基于横向复合介电膜的MEMS微热板,所述微热板以硅衬底背面刻蚀为基础,在底部隔离支撑层上,中心区域为高导热系数的传热材料,外围区域为低导热系数材料的构成横向复合膜作为复合介电层,有效降低平面式微热板的横向热传导损失,提高热板的加热效率,并且降低热应力引起的机械形变,同时可在外部低导热系数材料区域刻蚀冲孔形成冲孔网格结构,进一步阻隔微热板的横向热传导损失,降低加热功耗。本发明还公开了一种基于横向复合介电膜的MEMS微热板的制作方法。

    2023-12-21
  • 一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器、制备方法
    一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器、制备方法

    本申请公开了一种红外探测器芯片晶圆及红外探测器其封装结构、制备方法,红外探测器芯片晶圆包括衬底晶圆、外延层、层间介质、集成电路、与集成电路相连的微测辐射热计;集成电路处设有贯穿层间介质、外延层及衬底晶圆的通孔,通孔的侧壁设有绝缘层,通孔内填充有导电材料,以使集成电路与导电材料相连;衬底晶圆下表面设有与导电材料相连的导电结构,以使集成电路通过导电结构与外部电路相连。本申请公开的技术方案,在集成电路处设置通孔,在通孔内填充导电材料,以使集成电路通过导电材料及导电结构与外部电路相连,而不再需要通过从集成电路引出互连线来与外部电路相连,从而缩短电互联长度,提高互连可靠性,降低信号传输延迟和封装体积。

    2023-12-17
  • 惯性传感器的封装方法及惯性传感器
    惯性传感器的封装方法及惯性传感器

    本发明提供了一种惯性传感器的封装方法,包括步骤:破坏MEMS晶圆中第一键合面的第一介质部和盖体晶圆中第二键合面的第二介质部中至少一个的Si‑O键;将所述第一键合面和所述第二键合面对准并贴合吸附在一起,使所述第一介质部与所述第二介质部通过悬挂键实现预键合,以得到预键合晶圆;对所述预键合晶圆进行热处理,以使所述第一介质部和所述第二介质部,以及所述第一键合面中的第一金属部和所述第二键合面中的第二金属部实现永久键合。本发明在保证MEMS结构密封性的同时,实现了键合面之间的电连接,而且简化工艺步骤,兼顾了高效率与高可靠性。本发明还提供了一种惯性传感器。

    2023-12-12
  • 单晶硅振膜的MEMS电容式声传感器结构及制备方法
    单晶硅振膜的MEMS电容式声传感器结构及制备方法

    本发明为一种单晶硅振膜的MEMS电容式声传感器结构,属于超声换能器技术领域。本发明包括自上而下叠层设置的振膜层、环状支撑壁层和衬底层,振膜层形成有若干个呈阵列排布的振膜,振膜层和衬底层之间的环状支撑壁层上形成有若干个呈阵列排布的空腔,空腔与振膜相互对应;振膜上均布设置有若干通孔,衬底层的顶面上形成有延伸孔;振膜层、通孔、衬底层、延伸孔上均形成有绝缘层;振膜层上设置有上电极层,衬底层底面设置有下电极层。本发明电容式声传感器结构整体尺寸小,便于后续的封装和使用;本发明电容式声传感器结构制备方法简单,整体工艺流程少,制造成本低,便于后续的批量生产。

    2023-12-11
  • 一种硅针阵列制备方法以及一种消杀因子发生装置
    一种硅针阵列制备方法以及一种消杀因子发生装置

    本发明属于空气消毒净化技术领域,特别涉及一种硅针阵列制备方法以及一种消杀因子发生装置,所述一种硅针阵列制备方法包括在硅基材的顶面和底面分别制备一层电连接层;采用机械切割在顶面的电连接层上切割出掩膜图案,同时采用机械切割在硅基材上切割出硅微柱阵列;采用湿法刻蚀对硅微柱进行刻蚀,得到硅微针阵列;本发明制备硅针阵列结构的方法不依赖昂贵的大型设备,加工成本低、工艺周期短、尺寸稳定性好,实现硅微针阵列晶圆级制备,满足小批量试制和大批量量产,具有良好的经济效益;本发明消杀因子发生装置以硅微针阵列为核心发生结构,在环境空气中提取水分,通过高压放电,产生包含含氧自由基等活性物质的纳米级粒子,用来进行空气消毒。

    2023-11-28
  • 圆片级封装的真空度测试方法及圆片级封装结构
    圆片级封装的真空度测试方法及圆片级封装结构

    本发明提供一种圆片级封装的真空度测试方法及圆片级封装结构。该方法包括:将盖板圆片与结构圆片键合,在盖板圆片与结构圆片之间形成空腔,将键合后的圆片置于真空测试系统中抽真空,在不同真空度下激励谐振器,得到真空度与谐振器品质因数值的对应关系,在预设真空度下对键合后的圆片进行真空封装,并激活吸气剂,再次激励谐振器,得到对应的谐振器的第二品质因数值,根据真空度与谐振器品质因数值的对应关系和第二品质因数值,反推出圆片级真空封装的器件的空腔内部的真空度。本发明能够实现对圆片级真空封装的真空度的测试,解决现有技术中无法直接测试出芯片内部真空度大小的问题,有利于相关MEMS器件的进一步推广应用。

    2023-11-24
  • 封装结构、基板、封装方法
    封装结构、基板、封装方法

    本申请提供了一种封装结构、基板、封装方法。该封装结构可以包括:MEMS器件;基板,组成基板的材料至少包括第一类材料和第二类材料,第一类材料的热膨胀系数小于MEMS器件的基体材料的热膨胀系数,第二类材料的热膨胀系数大于MEMS器件的基体材料的热膨胀系数;粘接材料,位于MEMS器件和基板之间,用于将MEMS器件粘接在基板上。通过设计基板可以由多种不同的材料组成,这样可以可控地调节基板的材料属性。通过可控地调节基板的材料属性,可实现调节和减小MEMS器件(如微传感器)在粘接过程中由于MEMS器件与基板热膨胀系数失配所产生的封装应力,进而调节MEMS器件的形变。

    2023-11-24
  • 一种自加热的MEMS红外光源及其制备方法
    一种自加热的MEMS红外光源及其制备方法

    本发明公开了一种自加热的MEMS红外光源及其制备方法,该MEMS红外光源包括由下到上依次设置的硅衬底、第一氧化层、自加热层、第二氧化层、加热电阻层和电极层,加热电阻层通过金属剥离工艺形成图形化的电阻结构,电阻结构包括位于中心的加热区域和两端延伸的焊盘区域;电极层位于焊盘区域,硅衬底背面通过刻蚀形成贯穿硅衬底的背洞区域。本发明所公开的红外光源采用悬浮式自加热膜结构,悬浮结构能减少向硅衬底的热量传输,自加热层具有低传热速率的性能,实现发光薄膜背向红外辐射的自吸收、达到热量储存目的,从而可以有效降低红外光源器件的能量损耗,提高电光转化效率,显著提高MEMS光源的性能,降低MEMS光源的功耗。

    2023-11-18
  • 一种表面增强红外吸收衬底及其制备方法
    一种表面增强红外吸收衬底及其制备方法

    本发明提供了一种表面增强红外吸收衬底及其制备方法,属于功能材料技术领域。本发明利用模板微球光刻加等离子体刻蚀的方式,能够简单、低成本、大面积的制备表面增强红外吸收(SEIRA)衬底,且制备得到的SEIRA衬底中柱体阵列周期性好,保证SEIRA衬底具有较高的增强效率,解决了现有技术中SEIRA衬底无法兼顾低成本和高增强效率的问题。

    2023-11-05
  • 一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法
    一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法

    本发明公开了一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法,该MEMS真空计包括真空计主体和键合于其上方的硅帽,所述真空计主体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层、绝缘介质层一和铂金电极,所述铂金电极分布于所述绝缘介质层一的局部区域上;所述硅衬底上通过电化学刻蚀方法形成多孔硅隔热层,所述多孔硅隔热层上方依次沉积有绝缘介质层一和铂金电极,所述硅帽位于所述多孔硅隔热层的上方,并与所述真空计主体形成检测腔体,所述硅帽具有空气微流道。本发明所公开的MEMS真空计及制备方法可以解决薄膜型MEMS真空计在强烈的气体对流中易造成薄膜损坏的问题,能够增强MEMS真空计的鲁棒性,提高在实际工作环境中的稳定性。

    2023-11-04
  • MEMS热泡打印头加热结构的制作方法
    MEMS热泡打印头加热结构的制作方法

    本发明提供一种MEMS热泡打印头加热结构的制作方法,包括:基底,基底表面具有下绝缘层;电阻材料层及导电材料层,形成于基底上;第一腐蚀槽,形成于导电材料层中并显露电阻材料层,第一腐蚀槽的侧壁呈具有第一倾角的斜面;腐蚀槽,形成于导电材料层中并显露电阻材料层,腐蚀槽的侧壁呈具有第二倾角的斜面;第一刻蚀槽,形成于第一腐蚀槽显露的电阻材料层中;以及第二刻蚀槽,形成于腐蚀槽显露的电阻材料层中。本发明可大大提高加热结构刻蚀均匀性,并有效节约成本。

    2023-11-02
  • 一种基于单分子微阵列芯片基片的盲孔状微孔制作方法
    一种基于单分子微阵列芯片基片的盲孔状微孔制作方法

    一种基于单分子微阵列芯片基片的盲孔状微孔制作方法,以单分子检测芯片上所需盲孔状微孔的深度为界线,对的盲孔状微孔进行拆解,将盲孔状微孔的整体分成两部分;一部分为微孔部分基体,另一部分为底层部分基体,其中微孔部分基体上有单分子检测所需的通孔状微孔阵列;先分别制作好微孔部分基体和底层部分基体,在微孔部分基体上加工好所需大小的微孔通孔,再将微孔部分基体和底层部分基体复合在一起,形成带有盲孔状微孔的单分子检测芯片基片。本发明将单分子检测芯片基片的盲孔状微孔拆解成两部分,分别制作微孔部分基体和底层部分基体,再复合成整体,形成盲孔,这样能简化微孔盲孔的加工制作方法,降低工艺难度,适合大规模工业化批量生产。

    2023-11-02
  • 一种低应力的耐高温压力传感器芯片封装方法
    一种低应力的耐高温压力传感器芯片封装方法

    本发明涉及封装技术领域,具体涉及一种低应力的耐高温压力传感器芯片封装方法,包括压力传感器芯片、基座层和信号传输线,所述信号传输线穿过所述基座层与所述传感器芯片的电极连接,所述信号传输线用于信号传输,所述压力传感器芯片与所述基座层烧结为一体。目前的封装方式为引线键合,这种封装方式高温下也会发生“金脆”现象导致金线断裂,耐振动性能很低,因此使用温度和环境受到限制,本发明就引线键合的封装方式改为烧结的封装方式,不使用引线进行键合,避免了高温振动下引线断裂的问题,可有效提高器件的可靠性。

    2023-10-20
  • 一种微纳结构激光窗口及其制备方法
    一种微纳结构激光窗口及其制备方法

    本发明公开了一种具有高透过高阈值抗激光损伤性能的微纳结构激光窗口的制备方法,其步骤包括:(1)利用化学试剂超声清洗抛光后的石英玻璃;(2)利用微量注射泵进行聚苯乙烯微球自组装并将其转移到超声清洗后的石英玻璃上;(3)利用反应离子刻蚀技术对带有聚苯乙烯微球的石英基底进行刻蚀,在石英基底上制备微纳结构;(4)利用化学试剂对石英基底进行清洗,除去未完全反应的聚苯乙烯微球;(5)对制备的石英微纳结构激光窗口进行透过率测试,并利用强激光对其进行辐射检测其性能,证明具有高透过高阈值抗激光损伤的微纳结构激光窗口的成功制备。该方法制备的微纳结构激光窗口透过率高,增透波段宽,抗激光损伤性能强,并且方法简单。

    2023-10-19
  • 基于MEMS工艺微尺度流动换热高精度集成测试方法
    基于MEMS工艺微尺度流动换热高精度集成测试方法

    基于MEMS工艺的微尺度流动换热高精度集成测试方法,包括:基于MEMS工艺的实验件加工;测试系统的集成;本发明通过玻璃激光打孔和硅晶圆的等离子体刻蚀技术,完成测压点的原位引出测量,避免了局部压力损失;利用金属电阻温度系数特性,通过电阻变化测量当前薄膜热电阻处的温度大小,将薄膜热电阻置于加热膜上方,使其更加贴近通道壁面,获得的温度数据更加准确;通过多层晶圆键合技术,将带测压孔的玻璃片、带微通道及测温热电阻的上硅片、带加热膜的下硅片进行分别依次进行多晶圆依次键合,保证微通道的密封性以及带金属薄膜硅表面的精确对准键合,结合测试系统的集成最终实现了测压、测温、加热与可视化的一体化设计。

    2023-10-15
  • 气密密封的玻璃封装件
    气密密封的玻璃封装件

    本发明提供了一种用于热封装功能区域的封装件,包括:底部基板;覆盖基板,所述底部基板与所述覆盖基板一起形成所述封装件的至少一部分或形成所述封装件;通过所述封装件气密密封的至少一个功能区域,例如空腔,其中,所述封装件包括至少一条激光接合线,并且所述封装件的基板通过所述至少一条激光接合线彼此气密结合;其中,所述激光接合线具有垂直于其接合面的高度HL;其中,在所述封装件的所述功能区域内可以产生热量;并且,其中,至少所述底部基板和/或所述覆盖基板为热绝缘体的形式。

    2023-10-14
  • 皮层内植入式微针电极阵列装置的生产工艺及装置
    皮层内植入式微针电极阵列装置的生产工艺及装置

    本发明提供了一种皮层内植入式微针电极阵列装置的生产工艺及装置,属于侵入式神经接口技术领域,生产工艺包括以下步骤:衬底基板制造;加工电极互联结构;微针电极阵列增材制造;微针电极阵列导电层镀膜;绝缘层淀积与刻蚀。本发明提供的皮层内植入式微针电极阵列装置的生产工艺,此种工艺只需要通过增材制造技术加工微针电极阵列部分,有效减少了增材制造工序的加工工时,降低了制造成本,生产效率更高,并且,电极互联结构加工工序在微针电极增材制造工序之前,电极互联结构加工时工艺面为平面,避免受微针电极影响,可以降低工艺难度,提高制造良品率。

    2023-10-08
  • 一种双振动模式的单芯片MEMS三维电场传感器
    一种双振动模式的单芯片MEMS三维电场传感器

    本发明公开了一种双振动模式的单芯片MEMS(Micro Electro Mechanical System,微机电系统)三维电场传感器,包括衬底和设置在衬底上的固定感应单元、可动屏蔽单元以及压电驱动单元;其中,固定感应单元与外部检测电路电连接;可动屏蔽单元与压电驱动单元机械连接,压电驱动单元与外部驱动电路电连接;在驱动电压的控制下,可动屏蔽单元在压电驱动单元的带动下,按照两种振动模式相对于固定感应单元振动,从而将被测三维电场信息以感应电流的方式输出,由外部检测电路根据固定感应单元输出的感应电流,计算得到被测三维电场。本发明可以实现三维电场测量,利于三维电场传感器的微型化。

    2023-10-07
  • 一种封装结构及其制作方法、电子设备
    一种封装结构及其制作方法、电子设备

    本申请实施例提供一种封装结构及其制作方法、电子设备,涉及封装技术领域,可以解决声学滤波器的封装结构的厚度较大、尺寸较大和制作工艺复杂等问题。封装结构包括芯片,芯片包括衬底、功能器件和焊盘;第一介质薄膜设置于焊盘远离衬底的一侧;第二介质薄膜设置于第一介质薄膜上,第二介质薄膜在衬底上的投影覆盖功能器件在衬底上的投影,焊盘远离衬底的至少部分表面露出于第一介质薄膜和第二介质薄膜;芯片、第二介质薄膜以及设置在芯片和第二介质薄膜之间的第一介质薄膜构成空腔结构;连接层设置于第二介质薄膜远离衬底的一侧、第二介质薄膜的侧面、第一介质薄膜的侧面以及焊盘远离衬底且露出于第一介质薄膜和第二介质薄膜的表面上。

    2023-10-06
  • 一种3D-MEMS探针及其制备方法
    一种3D-MEMS探针及其制备方法

    本发明提供一种3D‑MEMS探针及其制备方法,所述探针包括陶瓷基板、圆柱、悬臂梁结构以及针尖;所述针尖通过悬臂梁结构与圆柱固定连接,圆柱与陶瓷基板固定连接。其制备方法包括:(1)对衬底进行光刻以及湿法腐蚀,得到针尖结构坯件;而后在衬底表面溅射种子层;(2)利用电镀的技术在种子层上生长高强度金属,而后利用研磨得到针尖结构;(3)在针尖结构上光刻、电镀、剥离制造悬臂梁结构;(4)在悬臂梁结构上焊接圆柱,之后固定连接陶瓷基板;(5)利用湿法去除种子层,将3D结构探针从衬底上面剥离后,收集并清洗。本发明提供的3D‑MEMS探针结构简单,可靠性良好;且制备工艺简单,易于加工与量产。

    2023-10-04
  • 用于MEMS器件的系统和方法
    用于MEMS器件的系统和方法

    本申请公开了用于MEMS器件的系统和方法。一种微机电系统(MEMS)器件(104、400、500)包括衬底(202、418、518、1602)以及由衬底(202,418,518,1602)支撑的MEMS结构(213、402、502、800、900、1000、1100、1200)。该MEMS结构(213、402、502、800、900、1000、1100、1200)包括包含钛铝合金的第一材料的第一层(802、902、908、1004、1102、1108、1202、1204、1902、2102)。该MEMS结构(213、402、502、800、900、1000、1100、1200)还包括在第一层上的铝层(804、806、904、906、1002、1006、1104、1106、1206、1208、2002、2302)。

    2023-10-02
  • 电子装置
    电子装置

    本发明提供了一种电子装置,其包括一覆盖层以及一可拉伸感测单元。覆盖层具有一曲面,曲面具有一第一区域,第一区域具有一第一高斯曲率,而第一高斯曲率不等于0。可拉伸感测单元贴附到覆盖层,其中可拉伸感测单元包括一可拉伸基板和一第一感测元件,设置在可拉伸基板上。第一感测元件设置在曲面的第一区域与可拉伸基板之间。

    2023-09-26
  • 具有雾水收集功能和微纳米分级结构的超滑表面的制备方法
    具有雾水收集功能和微纳米分级结构的超滑表面的制备方法

    本发明提供具有雾水收集功能和微纳米分级结构的超滑表面的制备方法,属于超滑材料制备领域,可应用于雾水收集。通过激光刻蚀灵活调整微米级柱体结构的形状和尺寸,通过氨刻将纳米线均匀地生长在微米级的柱体、凹槽结构上,通过旋涂法注入硅油,得到具有微纳米分级结构的液滴注入表面。在我们构建的微纳米结构的协同作用下,注入润滑油的超疏水表面表现出高效的液滴捕获、聚集和清除性能,从而大大提高了雾气收集效率。更重要的是,该表面具有优异的稳定性、耐高温性、抗结冰性和耐酸碱性,有望在各种极端环境下使用。

    2023-09-25
  • 一种无引线封装的压力传感器
    一种无引线封装的压力传感器

    本发明公开了一种无引线封装的压力传感器,包括上下两层结构形成的压力芯片,上层结构为硅层,在硅层上表面制作有传感器电极,所述传感器电极的外侧设有用于穿过封装电极的硅通孔;下层结构为玻璃层,所述玻璃层与硅层对应的位置也设置有玻璃通孔,还包括基座,所述基座包括传感器电极、玻璃基座以及外壳,所述传感器电极穿过玻璃通孔和硅通孔且略高出压力芯片表面,所述压力芯片表面设置有电极连接部。本发明设计了一种适合无引线封装的特殊结构压力芯片;通过硅层、玻璃层组成压力芯片主体机构,并对应设计便于传感器电极通过的硅通孔和玻璃通孔,仅通过涂敷导电银浆或导电浆料的方式即可实现电气连接,可以较为容易的实现无引线封装压力传感器。

    2023-09-24
  • MEMS器件的制造方法
    MEMS器件的制造方法

    本发明公开了一种MEMS器件的制造方法,包括:提供一半导体晶片,半导体晶片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的牺牲层、结构薄膜层和金属层;在半导体晶片上形成包覆金属层的抗腐蚀绝缘层;将半导体晶片浸没到腐蚀溶液中,以去除牺牲层,在衬底和结构薄膜层之间形成空腔;去除抗腐蚀绝缘层。在该制造方法无需减少牺牲层的释放时间,保证了结构薄膜层能够完全释放。且通过在半导体晶片上形成包覆金属层的抗腐蚀绝缘层,当将半导体晶片浸没到腐蚀溶液中后,抗腐蚀绝缘层可以抵抗住腐蚀溶液的腐蚀。同时由于抗腐蚀绝缘层不导电,可以阻止电化学腐蚀回路的产生,从根本上阻断电化学腐蚀,提高了MEMS器件的产品良率和可靠性。

    2023-09-22
  • 一种用于原子传感器的MEMS封装及吸气剂激活装置及方法
    一种用于原子传感器的MEMS封装及吸气剂激活装置及方法

    本发明属于MEMS封装及吸气剂激活技术领域,并具体公开了一种用于原子传感器的MEMS封装及吸气剂激活装置及方法。包括真空腔、电控三维位移台、上加热板、冷却、底座焊接模块,该底座焊接模块包括从上至下依次布置的焊环、底座夹具、下加热板以及下冷板,其中,所述电控三维位移台将经所述冷却块冷却后的封帽移动至所述焊环上,并与所述焊环对准,所述下加热板加热所述焊环至融化,当焊料与封帽的封装界面润湿后,开启下冷板对封装界面进行降温,完成所述封帽的封装。本发明可以实现双温区或多温区控制,实现钎焊和吸气剂激活所需的不同温度,保障加热、降温效果,且适应性强,可以适用于各种温度的低温钎焊焊接。

    2023-09-20
  • 一种多功能影像光感封装设备
    一种多功能影像光感封装设备

    本发明公开了一种多功能影像光感封装设备,其中,该装置解决了当前装置散热不彻底的问题,包括封装设备、硅基板,所述封装设备的内部设置有第一散热管、第二散热管、第三散热管、第四散热管,所述第一散热管的一端贯穿封装设备的侧壁延伸进内部,另一端延伸进硅基板的内部,所述第二散热管、第三散热管的一端设置在封装设备内,另一端贯穿硅基板延伸至外部,所述第四散热管的一端设置在封装设备内,另一端贯穿硅基板延伸至外部,通过四组散热管将封装设备背面的热量导出至硅基板上,再将热量全部导出至外部进行散热,使热量传导的更加全面,散热的更加彻底,有效提高了封装设备内部装置的使用寿命,减少了工厂的维护成本。

    2023-09-19
  • 一种集成反应键合体系及制备方法
    一种集成反应键合体系及制备方法

    本申请公开一种集成反应键合体系,包括:上基片、反应放热系统、下基片;其中,所述反应放热系统垂直于上基片和下基片之间;所述反应放热系统包括至少两种组元;所述至少两种组元具有底端和开放端;所述底端附着于所述下基片表面;所述至少两种组元的侧面互相接触。上述反应键合体系作为热源,易点燃,放热稳定,不产生形成界面原子互混导致热量减低的问题。特别适合于半导体、MEMS等微系统中导热性较差的基片上集成热源。通过改变组元比例,调整体系放热量,实现片上器件的低温、低应力键合。

    2023-09-19
  • 一种MEMS环行器的批量共晶工装及方法
    一种MEMS环行器的批量共晶工装及方法

    本申请适用于MEMS环行器生产技术领域,提供了一种MEMS环行器的批量共晶工装及方法,该批量共晶工装包括:堆叠限位结构、磁力施加结构和手持结构;堆叠限位结构上设置有呈阵列分布的凹槽和定位孔,每一凹槽用于盛放堆叠结构;磁力施加结构位于堆叠限位结构上方,用于将永磁体置于堆叠结构上;磁力施加结构设置有多组磁铁定位孔;多组磁铁定位孔中放置有永磁体;每组磁铁定位孔正对于堆叠结构;磁力施加结构通过定位销钉与堆叠限位结构的定位孔对齐;手持结构位于磁力施加结构的上方,用于施加压力给到堆叠结构。本申请的批量共晶工装能够降低堆叠固定MEMS环形器的操作难度,实现MEMS环形器的批量生产。

    2023-09-16
  • 一种准周期微纳结构的图案化制备方法
    一种准周期微纳结构的图案化制备方法

    本发明公开了一种准周期微纳结构的图案化制备方法,包括以下步骤:1)在基底上制备光刻胶薄膜,再通过光刻工艺制作图案化光刻胶薄膜;2)在经步骤1)处理后的基底上沉积带有图形化光刻胶的导电薄膜,然后去除光刻胶,得带有图形化导电薄膜;3)在具有带有图形化导电薄膜的基底上沉积可溶性材料层,风干后,得可溶性材料薄膜;4)将带有图形化导电薄膜接地或连接于与静电雾化电压相反的偏压,然后通过电雾化可溶性材料薄膜对应的溶剂,在可溶性材料薄膜的表面沉积微纳尺度液滴,形成具有图案化准周期微纳结构的薄膜,该方法能够实现大面积图案化制造的准周期微纳结构,且具有工艺简单、成本低的特点。

    2023-09-15
  • 用于MEMS惯性传感器的热电制冷基板结构及其制造方法
    用于MEMS惯性传感器的热电制冷基板结构及其制造方法

    本发明公开了一种用于MEMS惯性传感器的热电制冷基板结构及其制造方法,首先将刻有深槽的硅晶圆与玻璃晶圆键合,通过玻璃回流工艺填充深槽,并进行双面减薄抛光形成硅衬底内嵌玻璃环的结构,然后在基板外围加工面内热电制冷元件,最后在基板正面刻浅槽、背面刻深槽。面内热电制冷元件根据电流方向不同分为加热和制冷两种模式,实现恒温控制系统的室温工作点设置。相比单加热模式,温控系统的功耗降低,MEMS惯性传感器的品质因数提升。内嵌玻璃环位于热电制冷元件热端与冷端之间,有效提升了热电制冷元件的加热制和冷效率,而基板背面的深槽则抑制了玻璃环内结构与环境之间通过封装管壳进行的热量传递,进一步提升了加热和制冷效率。

    2023-09-15
  • MEMS传感器的制备方法及传感器
    MEMS传感器的制备方法及传感器

    本发明公开了一种MEMS传感器的制备方法及传感器,属于传感器技术领域。方法包括:提供一第三晶圆层,第三晶圆层上具有垂直于第三晶圆层的至少一个第二功能电极,第三晶圆层的用于与第二晶圆层键合的一面上具有第一凹槽;在第一凹槽内形成至少一个凸起支撑结构;在第三晶圆层和至少一个凸起支撑结构的用于与第二晶圆层键合的一面上分别形成第二绝缘层和第三绝缘层。通过在第一凹槽内形成凸起支撑结构可以起到加强第二晶圆层和第三晶圆层之间的结构强度的作用。且第三晶圆层上形成有至少一个第二功能电极,可以充分利用第三晶圆层的空间,满足MEMS传感器对功能电极的设置需求。

    2023-09-08
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