微观结构技术

本发明提供一种MEMS敏感结构及其制备方法，它包括在硅衬底（8）上从上到下依次包括引线层（5）、绝缘层（3）、第一氧化层（1）、压敏电阻（2）、敏感膜片（9）、第二腔体（7）、第一腔体（6）和第二氧化层（11）。本发明提供的MEMS敏感结构具有开口小的优点，有效的保持了芯片小面积，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS敏感结构芯片制造。

本发明提供一种晶圆级真空封装的MEMS器件及其制作方法，所述制作方法包括对SOI硅晶圆的顶层硅和埋氧层进行深刻蚀，形成顶部深孔；于顶层硅表面沉积导电材料并填满顶部深孔；去除顶层硅表面多余的导电材料实现平坦化，于顶部深孔内形成锚点；于顶层硅中形成梳齿结构，再腐蚀掉梳齿结构下方的埋氧层，释放梳齿结构，得到晶圆级MEMS器件结构；使该结构与晶圆盖板进行高真空键合，键合后盖板的凹槽和梳齿结构形成气密腔室；于衬底硅内形成隔离孤岛，且隔离孤岛与锚点形成垂直电连接；于隔离孤岛下表面的钝化层处开窗，于开窗中制作衬底电极引线。本发明降低了工艺难度和封装成本，可实现小体积封装，提高产品的成品率。

本发明公开一种芯片封装结构、扬声器以及芯片封装方法，涉及芯片封装技术领域，以解决芯片堆叠较高的问题。所述芯片封装结构包括基板、封盖组件、第一芯片以及第二芯片，基板具有安装槽，封盖组件与基板相连并合围形成腔体，安装槽位于腔体中，第一芯片位于安装槽内，第二芯片位于腔体中，第二芯片由第一部分和第二部分组成，第一部分位于基板中未设置安装槽的部分上，第二部分位于第一芯片上。所述扬声器包括上述方案所提的芯片封装结构。所述芯片封装方法使用上述方案所提的芯片封装结构。

本发明公开了一种芯片间的导电桥结构及制造方法，可以在桥接区域中的待刻蚀层和层面结构中的至少一层中刻蚀形成开口，所述开口的下面设置有曲面，所述曲面为至少包含一对相邻两条边为非直角的面，优选地，曲面为含有圆角的面，所述开口可以使得其中的光刻胶不被甩出，在光刻胶涂覆和显影时，所述开口可以确保层面结构顶面上的光刻胶以合适的厚度、宽度以及较佳的形貌被有效保留下来，进而在以该光刻胶层为掩膜刻蚀待刻蚀层而形成导电桥时，光刻胶可以有效保护层面结构及其顶面上的待刻蚀层，进而达到所需的导电桥形貌和宽度，性能可靠，避免形成的导电桥出现短路或断路，进而提高产品制造良率和测试的准确性。

本发明提供一种微机电系统器件的惯性测试装置，其包括：离心机，其包括离心机转轴和离心机样品台，离心机转轴受控转动；离心机样品台固定于离心机转轴的一端；三轴定位基座，其固定于离心机样品台上；测试板，其用于放置参考惯性器件和若干待测微机电系统惯性器件，测试板可拆卸的固定于三轴定位基座的不同面，以实现对放置于所述测试板上的惯性器件在三个轴上运动方向的切换；上位机，其与离心机通信连接，以控制离心机转轴转动；上位机与测试板通信连接，当离心机转轴受控转动时，参考惯性器件和若干待测微机电系统惯性器件输出实际测量的加速度数据至上位机。与现有技术相比，本发明可以对微机电系统惯性器件进行高精度、高效率的的测试。

本发明涉及一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法，其特征在于将MEMS悬浮结构的深硅刻蚀程序设置为两个刻蚀阶段：刻蚀第一阶段，采用n次沉积步骤—刻蚀步骤的循环，其中n大于20；刻蚀第二阶段，采用m次沉积步骤—刻蚀步骤—停止冷却步骤的循环，其中m大于20。本发明提高MEMS悬浮可动结构深硅刻蚀时的散热效果，避免刻蚀局部温度过高导致的结构损伤，提升MEMS悬浮可动结构释放的可靠性。

本发明提供一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法，它包括以下步骤a）晶圆清洗；b）通过光刻在晶圆表面制备需要的图形；c）在晶圆上形成金属膜；d）通过剥离得到图形化的金属膜层。本发明适合用于金属溅射工艺中，更适合用在金属蒸镀工艺，能有效保证金属薄膜剥离效果，确保线宽均匀性等优点。

一种真空封装结构的谐振温度敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低的问题，封装方法存在测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在密封管座的引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安在密封管座的芯片粘接面上，且硅谐振压力敏感芯片与阶梯槽的侧壁之间留有空隙，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接；密封盖板安在密封盖板接触面上，探头介质传递通道和密封管座的三级阶梯槽之间形成保护谐振压力敏感芯片的密闭空腔。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。

一种真空封装结构的谐振压力敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低，测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安装在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安装在芯片粘接面上，且硅谐振压力敏感芯片与阶梯槽的侧壁之间留有空隙，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接；密封盖板安装在密封盖板接触面上，探头介质传递通道和密封管座的三级阶梯槽之间形成保护谐振压力敏感芯片的密闭空腔。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于真空介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。

本发明公开了一种基于硝化石墨烯的氨气传感器及其制备方法，通过在所述基底沉积金属结构，再采用湿法刻蚀技术将石墨烯转移至金属结构表面，接着利用光刻技术以及等离子去胶机设备去除多余部分石墨烯，实现图案化石墨烯，将形成的石墨烯器件置于硝酸溶液中，控制硝酸浓度、处理温度及时间等制备参数，获得所述的基于硝化石墨烯的氨气传感器，制备的传感器结构简单，成本低廉，同时具有灵敏度高、响应速度快、重复性好、常温下工作、测量浓度下限低等特点，解决了现有技术中石墨烯氨气传感器存在的技术问题。

一种微机电系统(MEMS)器件可以包括第一层，其包括定子梳状致动器；第二层，其包括转子梳状致动器；包括反射镜的反射镜结构；以及第一组铰链和第二组铰链，该第一组铰链和第二组铰链被配置为基于由定子梳状致动器与转子梳状致动器接合引起的驱动扭矩，使反射镜结构围绕微机电系统器件的第一轴线倾斜。第一组铰链可以被配置成抵抗由定子梳状致动器与转子梳状致动器接合引起的在与第一轴线相关联的方向上在反射镜结构上的横向线性力。第二组铰链可以被配置为抵抗由定子梳状致动器与转子梳状致动器接合引起的围绕微机电系统器件的第二轴线在反射镜结构上的平面内扭矩。

气密密封部件可以包括玻璃基底、具有与玻璃基底相关联的至少一个电端口的器件、以及玻璃帽。玻璃帽可以具有至少一个侧壁。玻璃帽可以具有从玻璃帽的顶面到玻璃柱的底面延伸通过的成形孔洞。导电插塞可以被设置在孔洞内，该插塞被构造成气密地密封孔洞。导电插塞可以电联接到电端口。玻璃帽可以被设置在玻璃基底上，其中至少一个侧壁被设置在玻璃帽与玻璃基底之间，以形成包围器件的腔。侧壁可以与玻璃基底和玻璃帽接触，以提供气密密封，使得腔内的第一环境与腔外的第二环境隔离。

本申请实施例公开了一种光芯片封装结构与封装方法，涉及封装技术，可用于光通信领域。本申请实施例提供的光芯片封装结构包括：光学窗片、光芯片和底部盖板；所述光芯片固定于所述光学窗片与所述底部盖板之间，所述光芯片包括第一区域和所述第二区域，所述第一区域包括所述光芯片的功能元件，所述光芯片的第二区域通过第一凸台与所述光学窗片连接；该封装结构利用第一凸台将光芯片与光学窗片进行贴装，既保留了光芯片所需要的活动空间，又为其增加了新的散热路径，提高了芯片的工作性能。

本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；形成填充所述沟槽并覆盖所述半导体衬底表面的填充层；形成覆盖所述填充层的阻挡层；执行化学机械研磨工艺，以移除所述半导体衬底表面的阻挡层，并使所述半导体衬底表面至少剩余部分所述填充层，其中，所述半导体衬底上的所述填充层的表面不高于所述沟槽中的所述填充层表面；执行刻蚀工艺，以去除所述半导体衬底表面的剩余的所述填充层。根据本发明，使沟槽隔离结构中的碟型凹陷显著减小，也避免了半导体衬底表面的颗粒污染等缺陷，获得高光洁、无损伤的均匀表面。

本发明公开了基于柔性衬底的有机半导体阵列转移方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱进行表面处理，使所述硅柱的表面顶端亲水且侧壁疏水；在表面处理后的所述硅柱的顶端表面覆盖有机半导体溶液；将中间衬底镀有金属薄膜的表面与覆盖有机半导体溶液的所述顶端表面贴合后进行处理，使所述有机半导体溶液自组装在所述金属薄膜的表面，在所述金属薄膜的表面形成半导体阵列；然后，将所述半导体阵列转移到柔性衬底上。该方法通过中间衬底上的金属薄膜为中间媒介，解决了柔性衬底不耐高温不能直接作为衬底制备有机微纳阵列的问题，从而提供了一种新的有机半导体阵列制备方法。

本发明提供一种带腔体器件的气密封装结构，其包括：半导体部件；盖板；键合层，其位于所述半导体部件和盖板之间，以将所述半导体部件和盖板键合在一起；第一腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且被所述键合层围绕并被完全密封；第二腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且所述第二腔体位于所述第一腔体的一侧，所述第二腔体被所述键合层围绕并被部分密封；若干通孔，其贯穿所述盖板至第二腔体；密封薄膜，其贴附在所述盖板远离所述半导体部件的一侧表面上，以密封所述若干通孔，使所述第二腔体完全密封。与现有技术相比，本发明不仅可以实现双腔体不同气压的封装，而且还可以大大降低封装成本。

本发明公开了一种电容压力传感器及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有注入层；在所述注入层上依次形成氧化物层和顶硅层；刻蚀所述顶硅层以形成深槽矩阵；刻蚀所述氧化物层以形成空腔；使顶硅层形成连续的硅膜以封口所述空腔。本发明采用硅迁移技术进行封口，形成连续且封闭的上电极，并利用深槽做为空腔形成过程中的释放孔，工艺简单且效率更高，能够极大的提升产能和可靠性。

本发明提供一种带腔体器件的气密封装结构和制造方法，带腔体器件的气密封装结构包括：半导体部件；盖板；键合层，其位于半导体部件和盖板之间；第一腔体，其位于半导体部件和盖板之间且被部分密封；第二腔体，其位于半导体部件和盖板之间且被部分密封；若干第一通孔，其贯穿盖板至第一腔体；若干第二通孔，其贯穿盖板至第二腔体；第一密封层，其设置于盖板远离所述半导体部件的一侧表面，以密封所述若干第一通孔；第二密封层，其设置于所述第一密封层远离所述盖板的一侧表面，以密封所述若干第二通孔。与现有技术相比，本发明可以为带腔体器件提供更高的真空度，且不同芯片气压的均匀度好，进而提高带腔体器件的性能，改善良率。

本发明涉及微系统异质集成技术领域，尤其涉及一种微纳件的转移方法，包括对微型件的拾取以及对微型件的放置两个步骤，对微型件的拾取步骤为通过金属球沾取粘附介质，将微型件从其生长基底精准拾取；所述微型件的放置步骤将拾取的微型件精准转移至含粘性表面的目标基底位置；所述金属球的制备以及微型件的拾取和放置步骤均通过标准引线键合仪完成，从而实现了微型件的规模化高效转移，有效克服了传统转移印刷等微型件转移方法因采用非标准化设备而难以规模化应用的不足。

本发明公开了一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域。本发明提出具有悬空硅压阻纳米线结构的硅应变膜，压敏电阻分别悬空排布于应变膜边缘与梁凸台之间、中心凸台与梁凸台之间，极大提高了压阻式压力传感器的灵敏度；硅压阻纳米线表面热氧化形成包覆的SiO层，一方面可以有效减小漏电流的产生，另一方面，热氧化可以压阻的浓度分布更加均匀；SiO/SiN作为KOH腐蚀工艺的掩膜对KOH腐蚀工艺中的K的阻挡特性较好，加工的器件具有较高的可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中玻璃对压力感应膜起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。

本公开涉及一种辐射热流调控器件及其应用，该辐射热流调控器件至少包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体包括一相变材料层，所述相变材料层采用微纳米结构阵列。所述微纳米结构阵列为柱状阵列、二维光栅、叠层结构、微粒填充的基质所组成群组中的任一种或多种的组合。本公开主要是利用相变材料层采用的微纳米结构阵列在相变前后导致的近场局域电磁态密度的显著差异，从而实现了对近场辐射热流的高效调控。

本发明属于半导体MEMS器件加工领域，尤其涉及一种结构辅助的电磁MEMS微镜加工方法，改善现有加工方法存在的加工工艺复杂度高和加工成本高的问题。利用局部粗糙化后的选择性硅‑硅键合、基于常规硅‑硅键合的厚硅MEMS加工工艺、融合高精度激光裁切于MEMS加工流程、增加临时性的支撑和散热结构等方案，可以减少MEMS微镜加工过程对薄片加工所需的临时键合和解键合设备和工艺的依赖，降低单晶硅干法刻蚀设备的机时占用从而控制加工成本，提高工艺流程中各单步工艺的相互兼容性，只需要采用常规设备及其工艺的组合就可以实现加工，降低了加工过程的复杂度、降低了加工成本，使电磁MEMS微镜具备良好的可制造性。

本发明提供一种超滑片的加工方法，所述加工方法包括：在石墨材料的表面图案化形成石墨岛图形；按所述石墨岛图形刻蚀所述石墨材料，形成石墨岛；对所述石墨岛进行加热，并通入氧化性气体，使所述石墨岛的侧壁外缘与所述氧化性气体接触；推动所述石墨岛的上层，若上层的石墨岛自回复，则转移上层的石墨岛为超滑片。所述加工方法可以有效改善石墨岛的性能，提高石墨岛的自回复率，同时大大降低其超滑接触摩擦力，使得石墨岛的超滑性能大幅度提升。

本发明公开一种芯片封装结构、扬声器以及芯片封装方法，涉及芯片封装技术领域，以解决芯片堆叠较高的问题。所述芯片封装结构包括基板、封盖组件、第一芯片以及第二芯片，基板具有安装槽，封盖组件与基板相连并合围形成腔体，安装槽位于腔体中，第一芯片位于安装槽内，第二芯片位于腔体中，第二芯片由第一部分和第二部分组成，第一部分位于基板中未设置安装槽的部分上，第二部分位于第一芯片上。所述扬声器包括上述方案所提的芯片封装结构。所述芯片封装方法使用上述方案所提的芯片封装结构。

本发明提供一种MEMS敏感结构及其制备方法，它包括在硅衬底（8）上从上到下依次包括引线层（5）、绝缘层（3）、第一氧化层（1）、压敏电阻（2）、敏感膜片（9）、第二腔体（7）、第一腔体（6）和第二氧化层（11）。本发明提供的MEMS敏感结构具有开口小的优点，有效的保持了芯片小面积，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS敏感结构芯片制造。

本发明提供一种晶圆级真空封装的MEMS器件及其制作方法，所述制作方法包括对SOI硅晶圆的顶层硅和埋氧层进行深刻蚀，形成顶部深孔；于顶层硅表面沉积导电材料并填满顶部深孔；去除顶层硅表面多余的导电材料实现平坦化，于顶部深孔内形成锚点；于顶层硅中形成梳齿结构，再腐蚀掉梳齿结构下方的埋氧层，释放梳齿结构，得到晶圆级MEMS器件结构；使该结构与晶圆盖板进行高真空键合，键合后盖板的凹槽和梳齿结构形成气密腔室；于衬底硅内形成隔离孤岛，且隔离孤岛与锚点形成垂直电连接；于隔离孤岛下表面的钝化层处开窗，于开窗中制作衬底电极引线。本发明降低了工艺难度和封装成本，可实现小体积封装，提高产品的成品率。

本发明涉及微观机械系统的技术领域，公开了一种器件芯片、微机电系统及其封装结构，器件芯片包括基衬底、盖衬底以及器件层，其中，盖衬底与基衬底间隔设置，器件层设置在基衬底和盖衬底之间；器件层包括电极、连接部以及致动部，连接部分别与基衬底和盖衬底固定连接，电极与基衬底固定连接并与盖衬底电连接，致动部与连接部耦合；致动部与电极之间设置有间隙，以使在致动部和电极之间形成电容；电极用于接收电信号，并根据电信号驱动致动部；电极上设置有凹槽，凹槽沿电极的厚度方向延伸，且凹槽的开口朝向盖衬底。在电极上沿厚度方向设置有凹槽，解决了现有技术中器件层受挤压后电学性能变差而影响致动部动作的问题。

本发明公开一种红外热电堆传感器及其制造方法，涉及微电子机械系统技术领域，以解决现有吸收层面积较小、传感器的响应率较低的问题。所述红外热电堆传感器包括基底、支撑层、热电堆层和吸收层，基底内具有空腔，支撑层设置于基底上方，热电堆层设置于支撑层上方，热电堆层包括多个串联设置的热电臂，热电臂具有冷端和热端，热电臂的冷端与基底相连，热电臂的冷端和热端之间存在弯折段，吸收层设置于热电堆层上方，吸收层与热电臂的热端相连，吸收层用于接收外部能量并将能量传递至热电臂的热端。所述红外热电堆传感器的制造方法包括上述技术方案所提的红外热电堆传感器。

本发明涉及基于栅极调控的硅纳米线阵列式加速度计及其加工工艺。硅纳米线阵列式加速度计包括硅纳米线阵列、氮化硅薄膜、质量块、金电极、栅极和硅基底。当加速度计受到外界的加速度作用时，质量块位移会使得硅纳米线发生形变，硅纳米线形变会导致电导发生变化，进而输出变化的信号；同时，栅极能够调制硅纳米线阵列沟道，进而寻找出器件的最佳工作点。另外，本发明工艺简单、成本低廉。

本发明涉及一种MEMS器件的形成方法和MEMS器件。所述方法包括：在衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成功能层和与所述功能层电连接的导电连接层；形成贯穿所述导电连接层的导通槽；形成保护层，所述保护层至少覆盖经由所述导通槽暴露出的所述导电连接层的侧壁；形成暴露出所述牺牲层的释放槽，所述释放槽在所述衬底平面上的垂直投影落入所述导通槽在所述衬底平面上的垂直投影内，以使所述导通槽的侧壁保留有部分厚度的所述保护层；经由所述释放槽去除所述牺牲层。本发明所提供的MEMS器件的形成方法和MEMS器件，使空气桥的结构更坚固，性能更稳定。

本发明提供具有可控视场的超声波芯片封装结构，包括MEMS芯片，所述MEMS芯片具有相对的正面及背面，所述背面具有背腔，所述正面具有焊盘；号筒，所述号筒具有相对的正面及背面，所述号筒的正面与MEMS芯片的背面固定连接，所述号筒的正面和背面贯穿开设有用于限定声波视场的开口；制备工艺，包括：刻蚀号筒；图形化薄膜材料；键合MEMS芯片与号筒；划片。根据本发明提出的具有可控视场的超声波芯片封装结构，在MEMS芯片上键合号筒，号筒可用于限定芯片发出的声波传递的视场，代替了在外围加装结构限定视场的方式，减小传感器整体的结构尺寸，具有易装配、一致性高等特点，且号筒与背硅键合连接，背腔与号筒共同形成芯片的视场，进一步减小了封装传感器的尺寸。

本发明公开一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法及产品,微结构图形制备方法包括以下步骤：S1：清洗基板；S2：在基板的表面涂覆一层光刻胶掩膜层；S3：对基板进行纳米压印，在基板的表面形成微纳米压印掩膜图形；S4：将带有光刻胶微纳米压印掩膜图形的基板进行刻蚀，刻蚀完成后，在基板表面形成微结构图形；微结构图形包括多个微结构单元，微结构单元的宽度范围为0.5～30um，高度范围为1.5～30um，深宽比范围为1：1～1：16，雾度范围为30％～80％，透过率范围为10％～60％。本发明通过在基板进行特殊处理，使其表面具有特定的微结构图形，得到良好且触觉感各异的顺滑感知。

本公开的实施例涉及用于制造电声模块的改进方法。一种用于制造电声模块的方法，包括：形成具有再分布结构和布置在介电区域中的多个管芯的组件；形成具有半导体本体和横向交错的多个相应单元部分的晶片，单元部分中的每一个单元部分包括被设置成与半导体本体接触的相应支撑区域和多个致动器；减小半导体本体的厚度，然后选择性地去除部分半导体本体，以便从晶片开始单片化多个换能结构，每一个换能结构包括半导体衬底，该半导体衬底接触对应的支撑区域并且被腔体穿过，该腔体由形成与致动器机械耦接的膜的支撑区域的部分来界定；然后将换能结构耦接到组件再分布结构。

在所描述的示例中，一种微机电系统(MEMS)(100)位于衬底(102)上。硅氮化物(SiN)层(104、134)在衬底的一部分上。机械结构(120、132)具有嵌入SiN层中的第一端(125)和从SiN层悬挑出的第二端(124)。

本公开提供一种移相器及天线，属于通信技术领域。本公开的移相器，其包括：衬底基板，信号电极、第一参考电极和第二参考电极，均设置在衬底基板上，且第一参考电极和第二参考电极分设在信号电极长度方向的两侧；层间绝缘层，设置在信号电极所在层背离衬底基板的一侧；至少一个相控单元，至少一个相控单元中的每个包括设置在层间绝缘层背离衬底基板一侧的膜桥；信号电极的至少部分位于衬底基板与膜桥所围成的空间中，且膜桥的两端分别与第一参考电极和第二参考电极在衬底基板上的正投影存在交叠；其中，膜桥划分为第一锚点区、第二锚点区，以及位于第一锚点区和第二锚点区之间的功能区；膜桥具有位于功能区的镂空图案。

本发明属于陀螺仪设计技术领域，具体涉及一种工作状态可调的硅纳米线陀螺仪及其制备方法。其中，硅纳米线陀螺仪采用氮化硅薄膜、栅极和硅纳米线共同支撑质量块，采用单晶硅纳米线代替传统的压敏电阻作为角加速度的检测方式。本发明巧妙地在氮化硅薄膜上制备的栅极不仅能够有效的调制硅纳米线沟道，进而寻找出器件的最佳工作点，同时也能有效地保护硅纳米线不因各种原因断裂，大大提高了硅纳米线器件的长期稳定性。

本发明公开了一种抗高过载MEMS惯性微模组及制备方法，该MEMS惯性微模组对ASIC芯片进行双面PAD工艺，将ASIC的两种互联信号进行上下面的分别引出，ASIC芯片顶面PAD设计为与MEMS敏感结构芯片互联信号接口，底面PAD设计为与封装管壳互联的引出信号接口，ASIC芯片与MEMS敏感结构芯片进行堆叠。本发明将MEMS敏感结构芯片放置于ASIC芯片上方，可在一定程度上减少高过载冲击带来的应力传递，提高MEMS惯性微模组整体抗高过载能力。同时将ASIC芯片置于MEMS敏感结构下方，可直接通过植微球焊接的方式将引出信号直接连接到封装管壳上，减少额外的信号互联形式，降低工艺组装复杂度，提升高过载环境下的可靠性。

本发明公开了一种贵金属修饰晶圆级MEMS气体传感器、制备方法及应用，属于气敏薄膜制备领域。方法包括：步骤S1、在硅晶圆基片上制备MEMS微加热板阵列；步骤S2、在所述MEMS微加热板阵列的每个传感单元中心区域制备气敏薄膜；步骤S3、在所述气敏薄膜表面均匀沉积贵金属，用于修饰所述气敏薄膜，形成MEMS气体传感器阵列；步骤S4、将所述MEMS气体传感器阵列进行空气‑氢气‑空气循环高温烧结退火；步骤S5、将退火后的MEMS气体传感器阵列划片、封装，形成单个MEMS气体传感器。通过本发明的方法制备得到的传感器能够同时提升MEMS气体传感器的灵敏性、一致性和稳定性。

本申请涉及微系统领域，具体公开了一种三轴MEMS陀螺集成微系统，包括：三轴MEMS陀螺芯片，包括陀螺机械结构；转接板芯片，与陀螺机械结构键合连接，具有转接板凹槽，与陀螺机械结构相对设置，以形成陀螺机械结构的陀螺保护腔体。本申请还公开一种三轴MEMS陀螺集成微系统，包括转接板芯片和三轴MEMS陀螺芯片，三轴MEMS陀螺芯片包括陀螺盖帽，陀螺盖帽面向转接板芯片设置，陀螺盖帽的靠近陀螺机械结构的一侧具有盖帽凹槽，盖帽凹槽与陀螺机械结构相对设置，以形成陀螺机械结构的陀螺保护腔体。本申请的方案解决集成密度不够高、厚度大、不利于散热等问题。

本申请公开了一种空气桥的制备方法，属于量子信息领域，尤其是量子计算技术领域。所述方法包括：提供形成有外延层的衬底，所述外延层包括分隔的第一子层和第二子层；形成桥支撑层于所述第一子层和所述第二子层之间；形成金属层于所述衬底在所述桥支撑层一侧的表面，所述金属层包括覆盖所述桥支撑层且连接所述第一子层和所述第二子层的空气桥；形成抗蚀层覆盖所述空气桥；依次利用第一刻蚀液和第二刻蚀液刻蚀去除裸露的所述金属层，且所述第二刻蚀液的浓度小于所述第一刻蚀液的浓度；去除所述抗蚀层和所述桥支撑层获得所述空气桥。本方案能够制备出将分隔的第一子层和第二子层连接的空气桥，且不易对外延层造成损伤。