微观结构技术

本发明为一种单晶硅振膜的MEMS电容式声传感器结构，属于超声换能器技术领域。本发明包括自上而下叠层设置的振膜层、环状支撑壁层和衬底层，振膜层形成有若干个呈阵列排布的振膜，振膜层和衬底层之间的环状支撑壁层上形成有若干个呈阵列排布的空腔，空腔与振膜相互对应；振膜上均布设置有若干通孔，衬底层的顶面上形成有延伸孔；振膜层、通孔、衬底层、延伸孔上均形成有绝缘层；振膜层上设置有上电极层，衬底层底面设置有下电极层。本发明电容式声传感器结构整体尺寸小，便于后续的封装和使用；本发明电容式声传感器结构制备方法简单，整体工艺流程少，制造成本低，便于后续的批量生产。

本发明属于空气消毒净化技术领域，特别涉及一种硅针阵列制备方法以及一种消杀因子发生装置，所述一种硅针阵列制备方法包括在硅基材的顶面和底面分别制备一层电连接层；采用机械切割在顶面的电连接层上切割出掩膜图案，同时采用机械切割在硅基材上切割出硅微柱阵列；采用湿法刻蚀对硅微柱进行刻蚀，得到硅微针阵列；本发明制备硅针阵列结构的方法不依赖昂贵的大型设备，加工成本低、工艺周期短、尺寸稳定性好，实现硅微针阵列晶圆级制备，满足小批量试制和大批量量产，具有良好的经济效益；本发明消杀因子发生装置以硅微针阵列为核心发生结构，在环境空气中提取水分，通过高压放电，产生包含含氧自由基等活性物质的纳米级粒子，用来进行空气消毒。

本发明提供一种圆片级封装的真空度测试方法及圆片级封装结构。该方法包括：将盖板圆片与结构圆片键合，在盖板圆片与结构圆片之间形成空腔，将键合后的圆片置于真空测试系统中抽真空，在不同真空度下激励谐振器，得到真空度与谐振器品质因数值的对应关系，在预设真空度下对键合后的圆片进行真空封装，并激活吸气剂，再次激励谐振器，得到对应的谐振器的第二品质因数值，根据真空度与谐振器品质因数值的对应关系和第二品质因数值，反推出圆片级真空封装的器件的空腔内部的真空度。本发明能够实现对圆片级真空封装的真空度的测试，解决现有技术中无法直接测试出芯片内部真空度大小的问题，有利于相关MEMS器件的进一步推广应用。

本申请提供了一种封装结构、基板、封装方法。该封装结构可以包括：MEMS器件；基板，组成基板的材料至少包括第一类材料和第二类材料，第一类材料的热膨胀系数小于MEMS器件的基体材料的热膨胀系数，第二类材料的热膨胀系数大于MEMS器件的基体材料的热膨胀系数；粘接材料，位于MEMS器件和基板之间，用于将MEMS器件粘接在基板上。通过设计基板可以由多种不同的材料组成，这样可以可控地调节基板的材料属性。通过可控地调节基板的材料属性，可实现调节和减小MEMS器件(如微传感器)在粘接过程中由于MEMS器件与基板热膨胀系数失配所产生的封装应力，进而调节MEMS器件的形变。

本发明公开了一种自加热的MEMS红外光源及其制备方法，该MEMS红外光源包括由下到上依次设置的硅衬底、第一氧化层、自加热层、第二氧化层、加热电阻层和电极层，加热电阻层通过金属剥离工艺形成图形化的电阻结构，电阻结构包括位于中心的加热区域和两端延伸的焊盘区域；电极层位于焊盘区域，硅衬底背面通过刻蚀形成贯穿硅衬底的背洞区域。本发明所公开的红外光源采用悬浮式自加热膜结构，悬浮结构能减少向硅衬底的热量传输，自加热层具有低传热速率的性能，实现发光薄膜背向红外辐射的自吸收、达到热量储存目的，从而可以有效降低红外光源器件的能量损耗，提高电光转化效率，显著提高MEMS光源的性能，降低MEMS光源的功耗。

本发明提供了一种表面增强红外吸收衬底及其制备方法，属于功能材料技术领域。本发明利用模板微球光刻加等离子体刻蚀的方式，能够简单、低成本、大面积的制备表面增强红外吸收(SEIRA)衬底，且制备得到的SEIRA衬底中柱体阵列周期性好，保证SEIRA衬底具有较高的增强效率，解决了现有技术中SEIRA衬底无法兼顾低成本和高增强效率的问题。

本发明公开了一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法，该MEMS真空计包括真空计主体和键合于其上方的硅帽，所述真空计主体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层、绝缘介质层一和铂金电极，所述铂金电极分布于所述绝缘介质层一的局部区域上；所述硅衬底上通过电化学刻蚀方法形成多孔硅隔热层，所述多孔硅隔热层上方依次沉积有绝缘介质层一和铂金电极，所述硅帽位于所述多孔硅隔热层的上方，并与所述真空计主体形成检测腔体，所述硅帽具有空气微流道。本发明所公开的MEMS真空计及制备方法可以解决薄膜型MEMS真空计在强烈的气体对流中易造成薄膜损坏的问题，能够增强MEMS真空计的鲁棒性，提高在实际工作环境中的稳定性。

本发明提供一种MEMS热泡打印头加热结构的制作方法，包括：基底，基底表面具有下绝缘层；电阻材料层及导电材料层，形成于基底上；第一腐蚀槽，形成于导电材料层中并显露电阻材料层，第一腐蚀槽的侧壁呈具有第一倾角的斜面；腐蚀槽，形成于导电材料层中并显露电阻材料层，腐蚀槽的侧壁呈具有第二倾角的斜面；第一刻蚀槽，形成于第一腐蚀槽显露的电阻材料层中；以及第二刻蚀槽，形成于腐蚀槽显露的电阻材料层中。本发明可大大提高加热结构刻蚀均匀性，并有效节约成本。

一种基于单分子微阵列芯片基片的盲孔状微孔制作方法，以单分子检测芯片上所需盲孔状微孔的深度为界线，对的盲孔状微孔进行拆解，将盲孔状微孔的整体分成两部分；一部分为微孔部分基体，另一部分为底层部分基体，其中微孔部分基体上有单分子检测所需的通孔状微孔阵列；先分别制作好微孔部分基体和底层部分基体，在微孔部分基体上加工好所需大小的微孔通孔，再将微孔部分基体和底层部分基体复合在一起，形成带有盲孔状微孔的单分子检测芯片基片。本发明将单分子检测芯片基片的盲孔状微孔拆解成两部分，分别制作微孔部分基体和底层部分基体，再复合成整体，形成盲孔，这样能简化微孔盲孔的加工制作方法，降低工艺难度，适合大规模工业化批量生产。

本发明涉及封装技术领域，具体涉及一种低应力的耐高温压力传感器芯片封装方法，包括压力传感器芯片、基座层和信号传输线，所述信号传输线穿过所述基座层与所述传感器芯片的电极连接，所述信号传输线用于信号传输，所述压力传感器芯片与所述基座层烧结为一体。目前的封装方式为引线键合，这种封装方式高温下也会发生“金脆”现象导致金线断裂，耐振动性能很低，因此使用温度和环境受到限制，本发明就引线键合的封装方式改为烧结的封装方式，不使用引线进行键合，避免了高温振动下引线断裂的问题，可有效提高器件的可靠性。

本发明公开了一种具有高透过高阈值抗激光损伤性能的微纳结构激光窗口的制备方法，其步骤包括：(1)利用化学试剂超声清洗抛光后的石英玻璃；(2)利用微量注射泵进行聚苯乙烯微球自组装并将其转移到超声清洗后的石英玻璃上；(3)利用反应离子刻蚀技术对带有聚苯乙烯微球的石英基底进行刻蚀，在石英基底上制备微纳结构；(4)利用化学试剂对石英基底进行清洗，除去未完全反应的聚苯乙烯微球；(5)对制备的石英微纳结构激光窗口进行透过率测试，并利用强激光对其进行辐射检测其性能，证明具有高透过高阈值抗激光损伤的微纳结构激光窗口的成功制备。该方法制备的微纳结构激光窗口透过率高，增透波段宽，抗激光损伤性能强，并且方法简单。

基于MEMS工艺的微尺度流动换热高精度集成测试方法，包括：基于MEMS工艺的实验件加工；测试系统的集成；本发明通过玻璃激光打孔和硅晶圆的等离子体刻蚀技术，完成测压点的原位引出测量，避免了局部压力损失；利用金属电阻温度系数特性，通过电阻变化测量当前薄膜热电阻处的温度大小，将薄膜热电阻置于加热膜上方，使其更加贴近通道壁面，获得的温度数据更加准确；通过多层晶圆键合技术，将带测压孔的玻璃片、带微通道及测温热电阻的上硅片、带加热膜的下硅片进行分别依次进行多晶圆依次键合，保证微通道的密封性以及带金属薄膜硅表面的精确对准键合，结合测试系统的集成最终实现了测压、测温、加热与可视化的一体化设计。

本发明提供了一种用于热封装功能区域的封装件，包括：底部基板；覆盖基板，所述底部基板与所述覆盖基板一起形成所述封装件的至少一部分或形成所述封装件；通过所述封装件气密密封的至少一个功能区域，例如空腔，其中，所述封装件包括至少一条激光接合线，并且所述封装件的基板通过所述至少一条激光接合线彼此气密结合；其中，所述激光接合线具有垂直于其接合面的高度HL；其中，在所述封装件的所述功能区域内可以产生热量；并且，其中，至少所述底部基板和/或所述覆盖基板为热绝缘体的形式。

本发明提供了一种皮层内植入式微针电极阵列装置的生产工艺及装置，属于侵入式神经接口技术领域，生产工艺包括以下步骤：衬底基板制造；加工电极互联结构；微针电极阵列增材制造；微针电极阵列导电层镀膜；绝缘层淀积与刻蚀。本发明提供的皮层内植入式微针电极阵列装置的生产工艺，此种工艺只需要通过增材制造技术加工微针电极阵列部分，有效减少了增材制造工序的加工工时，降低了制造成本，生产效率更高，并且，电极互联结构加工工序在微针电极增材制造工序之前，电极互联结构加工时工艺面为平面，避免受微针电极影响，可以降低工艺难度，提高制造良品率。

本发明公开了一种双振动模式的单芯片MEMS(Micro Electro Mechanical System，微机电系统)三维电场传感器，包括衬底和设置在衬底上的固定感应单元、可动屏蔽单元以及压电驱动单元；其中，固定感应单元与外部检测电路电连接；可动屏蔽单元与压电驱动单元机械连接，压电驱动单元与外部驱动电路电连接；在驱动电压的控制下，可动屏蔽单元在压电驱动单元的带动下，按照两种振动模式相对于固定感应单元振动，从而将被测三维电场信息以感应电流的方式输出，由外部检测电路根据固定感应单元输出的感应电流，计算得到被测三维电场。本发明可以实现三维电场测量，利于三维电场传感器的微型化。

本申请实施例提供一种封装结构及其制作方法、电子设备，涉及封装技术领域，可以解决声学滤波器的封装结构的厚度较大、尺寸较大和制作工艺复杂等问题。封装结构包括芯片，芯片包括衬底、功能器件和焊盘；第一介质薄膜设置于焊盘远离衬底的一侧；第二介质薄膜设置于第一介质薄膜上，第二介质薄膜在衬底上的投影覆盖功能器件在衬底上的投影，焊盘远离衬底的至少部分表面露出于第一介质薄膜和第二介质薄膜；芯片、第二介质薄膜以及设置在芯片和第二介质薄膜之间的第一介质薄膜构成空腔结构；连接层设置于第二介质薄膜远离衬底的一侧、第二介质薄膜的侧面、第一介质薄膜的侧面以及焊盘远离衬底且露出于第一介质薄膜和第二介质薄膜的表面上。

本发明提供一种3D‑MEMS探针及其制备方法，所述探针包括陶瓷基板、圆柱、悬臂梁结构以及针尖；所述针尖通过悬臂梁结构与圆柱固定连接，圆柱与陶瓷基板固定连接。其制备方法包括：(1)对衬底进行光刻以及湿法腐蚀，得到针尖结构坯件；而后在衬底表面溅射种子层；(2)利用电镀的技术在种子层上生长高强度金属，而后利用研磨得到针尖结构；(3)在针尖结构上光刻、电镀、剥离制造悬臂梁结构；(4)在悬臂梁结构上焊接圆柱，之后固定连接陶瓷基板；(5)利用湿法去除种子层，将3D结构探针从衬底上面剥离后，收集并清洗。本发明提供的3D‑MEMS探针结构简单，可靠性良好；且制备工艺简单，易于加工与量产。

本申请公开了用于MEMS器件的系统和方法。一种微机电系统(MEMS)器件(104、400、500)包括衬底(202、418、518、1602)以及由衬底(202，418，518，1602)支撑的MEMS结构(213、402、502、800、900、1000、1100、1200)。该MEMS结构(213、402、502、800、900、1000、1100、1200)包括包含钛铝合金的第一材料的第一层(802、902、908、1004、1102、1108、1202、1204、1902、2102)。该MEMS结构(213、402、502、800、900、1000、1100、1200)还包括在第一层上的铝层(804、806、904、906、1002、1006、1104、1106、1206、1208、2002、2302)。

本发明提供了一种电子装置，其包括一覆盖层以及一可拉伸感测单元。覆盖层具有一曲面，曲面具有一第一区域，第一区域具有一第一高斯曲率，而第一高斯曲率不等于0。可拉伸感测单元贴附到覆盖层，其中可拉伸感测单元包括一可拉伸基板和一第一感测元件，设置在可拉伸基板上。第一感测元件设置在曲面的第一区域与可拉伸基板之间。

本发明提供具有雾水收集功能和微纳米分级结构的超滑表面的制备方法，属于超滑材料制备领域，可应用于雾水收集。通过激光刻蚀灵活调整微米级柱体结构的形状和尺寸，通过氨刻将纳米线均匀地生长在微米级的柱体、凹槽结构上，通过旋涂法注入硅油，得到具有微纳米分级结构的液滴注入表面。在我们构建的微纳米结构的协同作用下，注入润滑油的超疏水表面表现出高效的液滴捕获、聚集和清除性能，从而大大提高了雾气收集效率。更重要的是，该表面具有优异的稳定性、耐高温性、抗结冰性和耐酸碱性，有望在各种极端环境下使用。

本发明公开了一种无引线封装的压力传感器，包括上下两层结构形成的压力芯片，上层结构为硅层，在硅层上表面制作有传感器电极，所述传感器电极的外侧设有用于穿过封装电极的硅通孔；下层结构为玻璃层，所述玻璃层与硅层对应的位置也设置有玻璃通孔，还包括基座，所述基座包括传感器电极、玻璃基座以及外壳，所述传感器电极穿过玻璃通孔和硅通孔且略高出压力芯片表面，所述压力芯片表面设置有电极连接部。本发明设计了一种适合无引线封装的特殊结构压力芯片；通过硅层、玻璃层组成压力芯片主体机构，并对应设计便于传感器电极通过的硅通孔和玻璃通孔，仅通过涂敷导电银浆或导电浆料的方式即可实现电气连接，可以较为容易的实现无引线封装压力传感器。

本发明公开了一种MEMS器件的制造方法，包括：提供一半导体晶片，半导体晶片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的牺牲层、结构薄膜层和金属层；在半导体晶片上形成包覆金属层的抗腐蚀绝缘层；将半导体晶片浸没到腐蚀溶液中，以去除牺牲层，在衬底和结构薄膜层之间形成空腔；去除抗腐蚀绝缘层。在该制造方法无需减少牺牲层的释放时间，保证了结构薄膜层能够完全释放。且通过在半导体晶片上形成包覆金属层的抗腐蚀绝缘层，当将半导体晶片浸没到腐蚀溶液中后，抗腐蚀绝缘层可以抵抗住腐蚀溶液的腐蚀。同时由于抗腐蚀绝缘层不导电，可以阻止电化学腐蚀回路的产生，从根本上阻断电化学腐蚀，提高了MEMS器件的产品良率和可靠性。

本发明属于MEMS封装及吸气剂激活技术领域，并具体公开了一种用于原子传感器的MEMS封装及吸气剂激活装置及方法。包括真空腔、电控三维位移台、上加热板、冷却、底座焊接模块，该底座焊接模块包括从上至下依次布置的焊环、底座夹具、下加热板以及下冷板，其中，所述电控三维位移台将经所述冷却块冷却后的封帽移动至所述焊环上，并与所述焊环对准，所述下加热板加热所述焊环至融化，当焊料与封帽的封装界面润湿后，开启下冷板对封装界面进行降温，完成所述封帽的封装。本发明可以实现双温区或多温区控制，实现钎焊和吸气剂激活所需的不同温度，保障加热、降温效果，且适应性强，可以适用于各种温度的低温钎焊焊接。

本发明公开了一种多功能影像光感封装设备，其中，该装置解决了当前装置散热不彻底的问题，包括封装设备、硅基板，所述封装设备的内部设置有第一散热管、第二散热管、第三散热管、第四散热管，所述第一散热管的一端贯穿封装设备的侧壁延伸进内部，另一端延伸进硅基板的内部，所述第二散热管、第三散热管的一端设置在封装设备内，另一端贯穿硅基板延伸至外部，所述第四散热管的一端设置在封装设备内，另一端贯穿硅基板延伸至外部，通过四组散热管将封装设备背面的热量导出至硅基板上，再将热量全部导出至外部进行散热，使热量传导的更加全面，散热的更加彻底，有效提高了封装设备内部装置的使用寿命，减少了工厂的维护成本。

本申请公开一种集成反应键合体系，包括：上基片、反应放热系统、下基片；其中，所述反应放热系统垂直于上基片和下基片之间；所述反应放热系统包括至少两种组元；所述至少两种组元具有底端和开放端；所述底端附着于所述下基片表面；所述至少两种组元的侧面互相接触。上述反应键合体系作为热源，易点燃，放热稳定，不产生形成界面原子互混导致热量减低的问题。特别适合于半导体、MEMS等微系统中导热性较差的基片上集成热源。通过改变组元比例，调整体系放热量，实现片上器件的低温、低应力键合。

本申请适用于MEMS环行器生产技术领域，提供了一种MEMS环行器的批量共晶工装及方法，该批量共晶工装包括：堆叠限位结构、磁力施加结构和手持结构；堆叠限位结构上设置有呈阵列分布的凹槽和定位孔，每一凹槽用于盛放堆叠结构；磁力施加结构位于堆叠限位结构上方，用于将永磁体置于堆叠结构上；磁力施加结构设置有多组磁铁定位孔；多组磁铁定位孔中放置有永磁体；每组磁铁定位孔正对于堆叠结构；磁力施加结构通过定位销钉与堆叠限位结构的定位孔对齐；手持结构位于磁力施加结构的上方，用于施加压力给到堆叠结构。本申请的批量共晶工装能够降低堆叠固定MEMS环形器的操作难度，实现MEMS环形器的批量生产。

本发明公开了一种准周期微纳结构的图案化制备方法，包括以下步骤：1)在基底上制备光刻胶薄膜，再通过光刻工艺制作图案化光刻胶薄膜；2)在经步骤1)处理后的基底上沉积带有图形化光刻胶的导电薄膜，然后去除光刻胶，得带有图形化导电薄膜；3)在具有带有图形化导电薄膜的基底上沉积可溶性材料层，风干后，得可溶性材料薄膜；4)将带有图形化导电薄膜接地或连接于与静电雾化电压相反的偏压，然后通过电雾化可溶性材料薄膜对应的溶剂，在可溶性材料薄膜的表面沉积微纳尺度液滴，形成具有图案化准周期微纳结构的薄膜，该方法能够实现大面积图案化制造的准周期微纳结构，且具有工艺简单、成本低的特点。

本发明公开了一种用于MEMS惯性传感器的热电制冷基板结构及其制造方法，首先将刻有深槽的硅晶圆与玻璃晶圆键合，通过玻璃回流工艺填充深槽，并进行双面减薄抛光形成硅衬底内嵌玻璃环的结构，然后在基板外围加工面内热电制冷元件，最后在基板正面刻浅槽、背面刻深槽。面内热电制冷元件根据电流方向不同分为加热和制冷两种模式，实现恒温控制系统的室温工作点设置。相比单加热模式，温控系统的功耗降低，MEMS惯性传感器的品质因数提升。内嵌玻璃环位于热电制冷元件热端与冷端之间，有效提升了热电制冷元件的加热制和冷效率，而基板背面的深槽则抑制了玻璃环内结构与环境之间通过封装管壳进行的热量传递，进一步提升了加热和制冷效率。

本发明公开了一种MEMS传感器的制备方法及传感器，属于传感器技术领域。方法包括：提供一第三晶圆层，第三晶圆层上具有垂直于第三晶圆层的至少一个第二功能电极，第三晶圆层的用于与第二晶圆层键合的一面上具有第一凹槽；在第一凹槽内形成至少一个凸起支撑结构；在第三晶圆层和至少一个凸起支撑结构的用于与第二晶圆层键合的一面上分别形成第二绝缘层和第三绝缘层。通过在第一凹槽内形成凸起支撑结构可以起到加强第二晶圆层和第三晶圆层之间的结构强度的作用。且第三晶圆层上形成有至少一个第二功能电极，可以充分利用第三晶圆层的空间，满足MEMS传感器对功能电极的设置需求。

本发明公开了一种MEMS气体传感器晶圆级封装微加热板，包括上层硅片和下层硅片；上层硅片和下层硅片相互键合，上层硅片和下层硅片之间形成气敏反应腔；上层硅片设有气体通路，气体通路连通外部环境和气敏反应腔；下层硅片的正面设有微加热板，微加热板位于气敏反应腔中，下层硅片的背面设有背面植球。本发明还公开上述微加热板的其制造方法，本发明方法简单，能够有效减小气体传感器晶圆级封装微加热板尺寸。

本发明涉及一种振动发电元件，其具备：固定电极，其固定于基座部；可动电极，其能够相对于所述固定电极移动；以及弹性支承部，其一端固定于所述基座部，并且另一端固定于所述可动电极，且弹性地支承所述可动电极，其中，所述弹性支承部包括：多个弹性结构体，其分别具有连结部、一端固定于所述连结部并且另一端固定于所述可动电极且在与所述可动电极振动的第一方向正交的第二方向上延伸的第一弹性部、以及一端固定于所述连结部并且另一端固定于所述基座部且在所述第二方向上延伸的第二弹性部，且分别配置于所述可动电极的所述第一方向的两侧；以及连接部件，其将所述多个弹性结构体所包含的所述连结部相互连接。

提供一种能够高效地发电的发电元件。发电元件是通过振动进行发电的发电元件，具有：第一电极和第二电极；部件，其设置于所述第一电极及所述第二电极之间，具有与所述第二电极电连接且与所述第一电极对置的第三电极、不与所述第三电极电连接而相对地固定于所述第三电极且与所述第一电极电连接并与所述第二电极对置的第四电极；以及驻极体，其设置于所述第一电极和所述第三电极中的一个以及所述第二电极和所述第四电极中的一个。

本申请涉及一种像元结构及红外探测器。所述像元结构包括基底及转化元件。转化元件用于将光信号转化为电信号，转化元件包括转化主体，设于基底之上并能够支撑转化主体的转化支撑结构，以及连接于转化支撑结构和转化主体的连接结构，沿像元结构的厚度方向，转化主体与基底间隔设置；连接结构包括沿第一方向延伸的多条间隔并首尾依序连接的连接臂，相邻两个连接臂平滑过渡连接，和/或连接结构与转化主体之间平滑过渡连接。上述结构，在不增加器件封装体积及不引入额外部件的前提下，能够有效降低因静电作用集中于像元结构的敏感结构上的应力，从而提高连接结构及整个器件的结构强度以及器件的抗静电能力。

本发明涉及一种基于激光的单颗粒微电极制备方法，控制探针的尖端和颗粒体相互靠近，在探针的尖端和颗粒体之间施加连接材料，向连接材料投射激光，利用激光将连接材料融化，利用连接材料将探针的尖端和颗粒体导电连接。上述基于激光的单颗粒微电极制备方法中，利用激光融化连接材料的过程中，并不需要真空环境，连接材料融化至冷却凝固的过程也不需要真空环境，摒弃了借助于FIB/SEM系统的真空环境，在探针上沉积金属后完成单颗粒微电极的制备方案，不需要在每制备出一个单颗粒微电极后都需要更换探针，再次对FIB/SEM系统的操作室重新抽真空的步骤，从制备原理的根本上解决了单颗粒微电极制备过程耗时长的技术问题。

本公开涉及混合超声换能器系统。本公开涉及一种集成芯片结构。该集成芯片结构包括设置在衬底上的电介质堆叠。集成芯片结构还包括一个或多个压电式微机械超声换能器(PMUT)和一个或多个电容式微机械超声换能器(CMUT)。一个或多个PMUT包括设置在所述电介质堆叠内、位于一个或多个PMUT腔之上的压电堆叠。一个或多个CMUT包括设置在所述电介质堆叠内并由一个或多个CMUT腔分隔开的电极。隔离室被布置在所述电介质堆叠内、横向位于所述一个或多个PMUT和所述一个或多个CMUT之间。所述隔离室在竖直方向上延伸经过所述一个或多个PMUT和所述一个或多个CMUT两者的至少一部分。

本发明提供了一种MEMS器件及其制备方法。在MEMS器件的制备方法中，通过预先形成的连接振动区和切割道区的第二牺牲层，用于在刻蚀振动区内的第一牺牲层时可以同时去除第二牺牲层，从而释放出连通第一空腔和外界的流通通道，进而使得第一空腔内的刻蚀液不仅可以通过背腔导出，还可以经由该流通通道导出，有效缓解了第一空腔内的刻蚀液难以导出的问题，降低刻蚀液残留于第一空腔内的风险。

能够防止大的力作用于MEMS振动发电元件的弹性支承部。振动发电元件具备：固定电极，其固定在基座部；可动电极，其能够相对于所述固定电极移动；弹性支承部，其一端与所述基座部连接，并且另一端与所述可动电极连接，弹性支承所述可动电极；以及第一部件和第二部件中的至少一方，所述第一部件固定在所述可动电极，并在与所述可动电极进行振动的振动平面正交的方向上与所述基座部或固定在所述基座部的部件分离地相对，所述第二部件固定在所述基座部，并在与所述振动平面正交的方向上与所述可动电极或固定在所述可动电极的部件分离地相对。

本发明公开了一种金属微纳结构的制备及转印方法，包括以下步骤：S1、采用旋涂设备在洁净的单晶硅表面涂覆形成掩膜层；S2、采用机械刻划设备在经步骤S1处理后的单晶硅表面进行刻划（图案化）；S3、采用混合镀液在单晶硅表面进行金属定向沉积，沉积完成后对掩膜表面进行清洗，去除多余镀液；S4、采用液态PDMS浇铸于单晶硅表面，再加热固化；固化完成后与单晶硅分离，获得高质量的金属微纳结构。该方法能够实现PDMS表面任意二维结构的加工，操作较为简单，成本较低；同时，本方法的加工过程在常温常压下进行，加工后的金属镀液易处理；此外，本方法制备的图案化单晶硅可作为模板重复使用，且能保证金属微纳结构较高的重现性。

本发明提供一种运动传感器及其制造方法，由于在MEMS晶圆上的第一键合层上又形成第二键合层，并使形成第二键合层的材料与形成在CMOS上的第三键合层的材料相同，如此以使通过执行光刻和刻蚀工艺形成第一键合层和第二键合层时，第二键合层能够保护第一键合层以避免第一键合层在光刻或刻蚀工艺中出现厚度损失的问题，从而保证了相互键合的第二键合层和第三键合层的总厚度与第一键合层的厚度的比值保持稳定，进而提升键合效果，避免器件失效。

本发明涉及纳米技术领域，具体涉及一种微纳米结构材料间的电互连方法。本发明涉及一种基于空间电势诱导，实现微纳米结构材料间电互连的方法，该方法包括打开电子束，利用电子束和材料表面间的电势差，在材料表面产生低电势点，从而诱导材料表面的荷电原子流向该低电势点，固化为连线结构；控制电子束使连线结构在纳米结构材料间形成连接；本发明能有效克服现有电互连技术的局限性，为微纳结构的组装、复杂微纳系统及其集成等提供有效的电连接手段。

本发明涉及一种微电极制备方法及微电极。该微电极制备方法包括：将金属探针放置于绝缘套管中；在所述金属探针的针尖处对所述绝缘套管加热；沿所述绝缘套管的轴向拉动所述绝缘套管，使所述绝缘套管在所述针尖处断裂，并露出所述针尖；剩余的所述绝缘套管熔化并粘接于所述金属探针的外壁，形成绝缘层。采用金属探针制备微电极，金属探针具有针尖，采用加热拉伸方法将绝缘套管套设在金属探针的外壁，以在金属探针的外壁形成绝缘层，并使得金属探针的针尖露出，无需进行打磨即可作为微电极使用，简化制备过程，避免出现打磨导致的断裂问题，降低制备难度。同时还能降低制作成本，便于微电极的制备。

本发明提供一种压电元件以及该压电元件的制造方法。压电元件(30)具备：设置在Si基板(20)的平面上的下部电极的Pt膜(23)；设置在Pt膜(23)上的PZT膜(25)；设置在PZT膜(25)上的上部电极的Pt膜(26)。PZT膜(25)包含垂直取向部(25a)和倾斜取向部(25b)，垂直取向部(25a)具有在与Pt膜(23)正交的方向上的c轴；倾斜取向部(25b)具有相对于垂直取向部(25a)的c轴倾斜的c轴，倾斜取向部(25b)的c轴分布相对于垂直取向部(25a)的c轴分布离散。

本发明公开了一种含空气桥芯片的SIP塑封件及其制作方法，方法包括将至少一个待封装芯片键合在基板上，形成第一半成品封装件；在目标芯片的外表面上进行点胶形成牺牲层，得到第二半成品封装件；目标芯片为含空气桥芯片；对第二半成品封装件进行塑封得到第三半成品封装件；在第三半成品封装件上进行钻孔形成贯穿牺牲层外表面的阵列孔，得到第四半成品封装件；阵列孔为牺牲层提供挥发通道，使得牺牲层通过阵列孔挥发后，目标芯片与第四半成品封装件的外表面之间形成空腔；对第四半成品封装件进行表面处理得到目标SIP塑封件。本发明能在不含空气桥的芯片仍被塑封的前提下，保证含空气桥芯片中空气桥的完整性，确保整个SIP塑封件的功能性。

本发明涉及一种拥有超窄表面晶格共振的无机纳米粒子阵列及其大面积制备方法，该方法包括以下步骤：利用厘米级的硅纳米柱印章翻模得到聚二甲基硅氧烷纳米孔阵列模板；将纳米孔阵列模板置入聚合物有机溶液中蘸取后，再将纳米孔阵列模板放置于表面羟基化的硅片之上形成紧密接触，待溶剂完全挥发后，得到聚合物纳米柱阵列；利用静电作用在聚合物表面吸附金属前驱体，并用氧气等离子体还原金属离子并且刻蚀掉聚合物，最后利用热退火，得到拥有超窄表面晶格共振的无机纳米粒子阵列。与现有技术相比，本发明为无机纳米粒子阵列的制备提供了一个低成本和高效率的通用平台，使下一代纳米光子和电子器件的规模化制备成为可能。

本发明涉及一种用于声换能器设备的微机械构件。微机械构件包括衬底、膜片、至少一个压电元件和至少一个电接通连接。膜片以可振动的方式构型并与衬底连接。至少一个压电元件布置在膜片与衬底之间并与膜片连接。至少一个压电元件构造用于产生和/或探测膜片的在超声波范围中的振动。至少一个电接通连接与至少一个压电元件电连接。微机械构件能够以倒装芯片技术与操控电路如此连接，使得至少一个压电元件能够通过至少一个电接通连接与操控电路电连接。

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述半导体器件包括：第一晶圆，在所述第一晶圆的表面具有第一键合层、阻挡件以及位于所述阻挡件顶部的限位件，其中所述阻挡件设置在所述第一键合层外围；第二晶圆，在所述第二晶圆的表面具有与所述第一键合层相对应的第二键合层，并在所述第二晶圆内具有与所述限位件对应的限位槽；所述第一晶圆的所述第一键合层和所述第二晶圆的所述第二键合层彼此共晶键合。与传统器件相比，通过在阻挡件的基础上增加限位件及限位槽，在控制反应量的同时可以控制共晶键合过程中的键合层的滑动，减小了键合偏移，提高了器件可靠性。

本发明涉及微机电系统封装技术领域，特别涉及一种MEMS器件的封装方法及其结构。其中MEMS器件的封装方法包括：通过刻蚀工艺制作基体晶圆、玻璃封盖晶圆和键合环晶圆；基于第一键合方式，根据第二对准标识和第三对准标识将玻璃封盖晶圆和键合环晶圆进行键合，形成盖帽晶圆；在盖帽晶圆的键合环台阶的表面制作金属中间层；基于第二键合方式，根据第一对准标识和第二对准标识通过金属中间层将盖帽晶圆和基体晶圆进行键合，形成具有真空密闭腔室的封装晶圆；分别沿第一划片槽和第二划片槽对封装晶圆进行晶圆划片，得到MEMS芯片单元。根据本发明的技术方案，既能够实现高气密性、高可靠性和低成本的封装效果，又能够提高MEMS器件的封装效率和封装良率。

本发明公开了一种基于电泵浦片上InGaN量子肼梁三轴加速度计的设计及其制备方法，该三轴加速度计以硅基氮化物为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、n型氮化镓层、量子肼层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层进行悬空，形成一个位于氮化铝层下方的上窄下宽的梯形底座。整个三轴加速度计由2个p型和2个n型电极首尾相连，构成一个正四边形，可以测量水平方向x轴和y轴以及垂直方向z轴的加速度。

本发明涉及一种基于显微毛细管注射的单颗粒微电极制备方法，控制探针的尖端和颗粒体相互靠近，向毛细输送管的输入进口端注入粘接物质，从毛细输送管的输送出口端施加在探针和颗粒体之间，利用粘接物质将探针和颗粒体导电连接。利用输送组件的毛细输送管输送粘接物质将探针和颗粒体导电连接的过程中，整个工艺过程不再需要真空环境，摒弃了借助于FIB/SEM系统的真空环境，在探针上沉积金属后完成单颗粒微电极的制备方案，不需要在每制备出一个单颗粒微电极后都需要更换探针，再次对FIB/SEM系统的操作室重新抽真空的步骤，从制备原理的根本上解决了单颗粒微电极制备过程耗时长的技术问题，也根本上地解决了频繁打开操作室导致灰尘进入，导致系统损坏的问题。

本发明涉及一种用于焊接构件(1)的方法，该构件具有至少一个第一和/或第二结构元件区段(2a、b)，其中，腔(5)尤其构造在第一和第二结构元件区段(2a、b)之间，其中，第一和/或第二结构元件区段(2a、b)具有用于将腔(5)与构件(1)的环境U进行压力连接的开口(7)，其中，由填充材料制成的填充件(8)布置在具有开口(7)的相应的结构元件区段(2a、b)上，从而开口(7)至少被填充件(8)覆盖和/或填充，并且其中，填充件(8)与相应的结构元件区段(2a、b)通过激光焊接方法焊接，使得结构元件区段(2a、b)中的开口(7)通过填充件(8)的填充材料封闭，用以不透气地密封腔(5)。