微观结构技术

本发明提供了一种电子装置，其包括一覆盖层以及一可拉伸感测单元。覆盖层具有一曲面，曲面具有一第一区域，第一区域具有一第一高斯曲率，而第一高斯曲率不等于0。可拉伸感测单元贴附到覆盖层，其中可拉伸感测单元包括一可拉伸基板和一第一感测元件，设置在可拉伸基板上。第一感测元件设置在曲面的第一区域与可拉伸基板之间。

本发明提供具有雾水收集功能和微纳米分级结构的超滑表面的制备方法，属于超滑材料制备领域，可应用于雾水收集。通过激光刻蚀灵活调整微米级柱体结构的形状和尺寸，通过氨刻将纳米线均匀地生长在微米级的柱体、凹槽结构上，通过旋涂法注入硅油，得到具有微纳米分级结构的液滴注入表面。在我们构建的微纳米结构的协同作用下，注入润滑油的超疏水表面表现出高效的液滴捕获、聚集和清除性能，从而大大提高了雾气收集效率。更重要的是，该表面具有优异的稳定性、耐高温性、抗结冰性和耐酸碱性，有望在各种极端环境下使用。

本发明公开了一种无引线封装的压力传感器，包括上下两层结构形成的压力芯片，上层结构为硅层，在硅层上表面制作有传感器电极，所述传感器电极的外侧设有用于穿过封装电极的硅通孔；下层结构为玻璃层，所述玻璃层与硅层对应的位置也设置有玻璃通孔，还包括基座，所述基座包括传感器电极、玻璃基座以及外壳，所述传感器电极穿过玻璃通孔和硅通孔且略高出压力芯片表面，所述压力芯片表面设置有电极连接部。本发明设计了一种适合无引线封装的特殊结构压力芯片；通过硅层、玻璃层组成压力芯片主体机构，并对应设计便于传感器电极通过的硅通孔和玻璃通孔，仅通过涂敷导电银浆或导电浆料的方式即可实现电气连接，可以较为容易的实现无引线封装压力传感器。

本发明公开了一种MEMS器件的制造方法，包括：提供一半导体晶片，半导体晶片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的牺牲层、结构薄膜层和金属层；在半导体晶片上形成包覆金属层的抗腐蚀绝缘层；将半导体晶片浸没到腐蚀溶液中，以去除牺牲层，在衬底和结构薄膜层之间形成空腔；去除抗腐蚀绝缘层。在该制造方法无需减少牺牲层的释放时间，保证了结构薄膜层能够完全释放。且通过在半导体晶片上形成包覆金属层的抗腐蚀绝缘层，当将半导体晶片浸没到腐蚀溶液中后，抗腐蚀绝缘层可以抵抗住腐蚀溶液的腐蚀。同时由于抗腐蚀绝缘层不导电，可以阻止电化学腐蚀回路的产生，从根本上阻断电化学腐蚀，提高了MEMS器件的产品良率和可靠性。

本发明属于MEMS封装及吸气剂激活技术领域，并具体公开了一种用于原子传感器的MEMS封装及吸气剂激活装置及方法。包括真空腔、电控三维位移台、上加热板、冷却、底座焊接模块，该底座焊接模块包括从上至下依次布置的焊环、底座夹具、下加热板以及下冷板，其中，所述电控三维位移台将经所述冷却块冷却后的封帽移动至所述焊环上，并与所述焊环对准，所述下加热板加热所述焊环至融化，当焊料与封帽的封装界面润湿后，开启下冷板对封装界面进行降温，完成所述封帽的封装。本发明可以实现双温区或多温区控制，实现钎焊和吸气剂激活所需的不同温度，保障加热、降温效果，且适应性强，可以适用于各种温度的低温钎焊焊接。

本发明公开了一种多功能影像光感封装设备，其中，该装置解决了当前装置散热不彻底的问题，包括封装设备、硅基板，所述封装设备的内部设置有第一散热管、第二散热管、第三散热管、第四散热管，所述第一散热管的一端贯穿封装设备的侧壁延伸进内部，另一端延伸进硅基板的内部，所述第二散热管、第三散热管的一端设置在封装设备内，另一端贯穿硅基板延伸至外部，所述第四散热管的一端设置在封装设备内，另一端贯穿硅基板延伸至外部，通过四组散热管将封装设备背面的热量导出至硅基板上，再将热量全部导出至外部进行散热，使热量传导的更加全面，散热的更加彻底，有效提高了封装设备内部装置的使用寿命，减少了工厂的维护成本。

本申请公开一种集成反应键合体系，包括：上基片、反应放热系统、下基片；其中，所述反应放热系统垂直于上基片和下基片之间；所述反应放热系统包括至少两种组元；所述至少两种组元具有底端和开放端；所述底端附着于所述下基片表面；所述至少两种组元的侧面互相接触。上述反应键合体系作为热源，易点燃，放热稳定，不产生形成界面原子互混导致热量减低的问题。特别适合于半导体、MEMS等微系统中导热性较差的基片上集成热源。通过改变组元比例，调整体系放热量，实现片上器件的低温、低应力键合。

本申请适用于MEMS环行器生产技术领域，提供了一种MEMS环行器的批量共晶工装及方法，该批量共晶工装包括：堆叠限位结构、磁力施加结构和手持结构；堆叠限位结构上设置有呈阵列分布的凹槽和定位孔，每一凹槽用于盛放堆叠结构；磁力施加结构位于堆叠限位结构上方，用于将永磁体置于堆叠结构上；磁力施加结构设置有多组磁铁定位孔；多组磁铁定位孔中放置有永磁体；每组磁铁定位孔正对于堆叠结构；磁力施加结构通过定位销钉与堆叠限位结构的定位孔对齐；手持结构位于磁力施加结构的上方，用于施加压力给到堆叠结构。本申请的批量共晶工装能够降低堆叠固定MEMS环形器的操作难度，实现MEMS环形器的批量生产。

本发明公开了一种准周期微纳结构的图案化制备方法，包括以下步骤：1)在基底上制备光刻胶薄膜，再通过光刻工艺制作图案化光刻胶薄膜；2)在经步骤1)处理后的基底上沉积带有图形化光刻胶的导电薄膜，然后去除光刻胶，得带有图形化导电薄膜；3)在具有带有图形化导电薄膜的基底上沉积可溶性材料层，风干后，得可溶性材料薄膜；4)将带有图形化导电薄膜接地或连接于与静电雾化电压相反的偏压，然后通过电雾化可溶性材料薄膜对应的溶剂，在可溶性材料薄膜的表面沉积微纳尺度液滴，形成具有图案化准周期微纳结构的薄膜，该方法能够实现大面积图案化制造的准周期微纳结构，且具有工艺简单、成本低的特点。

本发明公开了一种用于MEMS惯性传感器的热电制冷基板结构及其制造方法，首先将刻有深槽的硅晶圆与玻璃晶圆键合，通过玻璃回流工艺填充深槽，并进行双面减薄抛光形成硅衬底内嵌玻璃环的结构，然后在基板外围加工面内热电制冷元件，最后在基板正面刻浅槽、背面刻深槽。面内热电制冷元件根据电流方向不同分为加热和制冷两种模式，实现恒温控制系统的室温工作点设置。相比单加热模式，温控系统的功耗降低，MEMS惯性传感器的品质因数提升。内嵌玻璃环位于热电制冷元件热端与冷端之间，有效提升了热电制冷元件的加热制和冷效率，而基板背面的深槽则抑制了玻璃环内结构与环境之间通过封装管壳进行的热量传递，进一步提升了加热和制冷效率。

本发明公开了一种MEMS传感器的制备方法及传感器，属于传感器技术领域。方法包括：提供一第三晶圆层，第三晶圆层上具有垂直于第三晶圆层的至少一个第二功能电极，第三晶圆层的用于与第二晶圆层键合的一面上具有第一凹槽；在第一凹槽内形成至少一个凸起支撑结构；在第三晶圆层和至少一个凸起支撑结构的用于与第二晶圆层键合的一面上分别形成第二绝缘层和第三绝缘层。通过在第一凹槽内形成凸起支撑结构可以起到加强第二晶圆层和第三晶圆层之间的结构强度的作用。且第三晶圆层上形成有至少一个第二功能电极，可以充分利用第三晶圆层的空间，满足MEMS传感器对功能电极的设置需求。

本发明公开了一种MEMS气体传感器晶圆级封装微加热板，包括上层硅片和下层硅片；上层硅片和下层硅片相互键合，上层硅片和下层硅片之间形成气敏反应腔；上层硅片设有气体通路，气体通路连通外部环境和气敏反应腔；下层硅片的正面设有微加热板，微加热板位于气敏反应腔中，下层硅片的背面设有背面植球。本发明还公开上述微加热板的其制造方法，本发明方法简单，能够有效减小气体传感器晶圆级封装微加热板尺寸。

本发明涉及一种振动发电元件，其具备：固定电极，其固定于基座部；可动电极，其能够相对于所述固定电极移动；以及弹性支承部，其一端固定于所述基座部，并且另一端固定于所述可动电极，且弹性地支承所述可动电极，其中，所述弹性支承部包括：多个弹性结构体，其分别具有连结部、一端固定于所述连结部并且另一端固定于所述可动电极且在与所述可动电极振动的第一方向正交的第二方向上延伸的第一弹性部、以及一端固定于所述连结部并且另一端固定于所述基座部且在所述第二方向上延伸的第二弹性部，且分别配置于所述可动电极的所述第一方向的两侧；以及连接部件，其将所述多个弹性结构体所包含的所述连结部相互连接。

提供一种能够高效地发电的发电元件。发电元件是通过振动进行发电的发电元件，具有：第一电极和第二电极；部件，其设置于所述第一电极及所述第二电极之间，具有与所述第二电极电连接且与所述第一电极对置的第三电极、不与所述第三电极电连接而相对地固定于所述第三电极且与所述第一电极电连接并与所述第二电极对置的第四电极；以及驻极体，其设置于所述第一电极和所述第三电极中的一个以及所述第二电极和所述第四电极中的一个。

本申请涉及一种像元结构及红外探测器。所述像元结构包括基底及转化元件。转化元件用于将光信号转化为电信号，转化元件包括转化主体，设于基底之上并能够支撑转化主体的转化支撑结构，以及连接于转化支撑结构和转化主体的连接结构，沿像元结构的厚度方向，转化主体与基底间隔设置；连接结构包括沿第一方向延伸的多条间隔并首尾依序连接的连接臂，相邻两个连接臂平滑过渡连接，和/或连接结构与转化主体之间平滑过渡连接。上述结构，在不增加器件封装体积及不引入额外部件的前提下，能够有效降低因静电作用集中于像元结构的敏感结构上的应力，从而提高连接结构及整个器件的结构强度以及器件的抗静电能力。

本发明涉及一种基于激光的单颗粒微电极制备方法，控制探针的尖端和颗粒体相互靠近，在探针的尖端和颗粒体之间施加连接材料，向连接材料投射激光，利用激光将连接材料融化，利用连接材料将探针的尖端和颗粒体导电连接。上述基于激光的单颗粒微电极制备方法中，利用激光融化连接材料的过程中，并不需要真空环境，连接材料融化至冷却凝固的过程也不需要真空环境，摒弃了借助于FIB/SEM系统的真空环境，在探针上沉积金属后完成单颗粒微电极的制备方案，不需要在每制备出一个单颗粒微电极后都需要更换探针，再次对FIB/SEM系统的操作室重新抽真空的步骤，从制备原理的根本上解决了单颗粒微电极制备过程耗时长的技术问题。

本公开涉及混合超声换能器系统。本公开涉及一种集成芯片结构。该集成芯片结构包括设置在衬底上的电介质堆叠。集成芯片结构还包括一个或多个压电式微机械超声换能器(PMUT)和一个或多个电容式微机械超声换能器(CMUT)。一个或多个PMUT包括设置在所述电介质堆叠内、位于一个或多个PMUT腔之上的压电堆叠。一个或多个CMUT包括设置在所述电介质堆叠内并由一个或多个CMUT腔分隔开的电极。隔离室被布置在所述电介质堆叠内、横向位于所述一个或多个PMUT和所述一个或多个CMUT之间。所述隔离室在竖直方向上延伸经过所述一个或多个PMUT和所述一个或多个CMUT两者的至少一部分。

本发明提供了一种MEMS器件及其制备方法。在MEMS器件的制备方法中，通过预先形成的连接振动区和切割道区的第二牺牲层，用于在刻蚀振动区内的第一牺牲层时可以同时去除第二牺牲层，从而释放出连通第一空腔和外界的流通通道，进而使得第一空腔内的刻蚀液不仅可以通过背腔导出，还可以经由该流通通道导出，有效缓解了第一空腔内的刻蚀液难以导出的问题，降低刻蚀液残留于第一空腔内的风险。

能够防止大的力作用于MEMS振动发电元件的弹性支承部。振动发电元件具备：固定电极，其固定在基座部；可动电极，其能够相对于所述固定电极移动；弹性支承部，其一端与所述基座部连接，并且另一端与所述可动电极连接，弹性支承所述可动电极；以及第一部件和第二部件中的至少一方，所述第一部件固定在所述可动电极，并在与所述可动电极进行振动的振动平面正交的方向上与所述基座部或固定在所述基座部的部件分离地相对，所述第二部件固定在所述基座部，并在与所述振动平面正交的方向上与所述可动电极或固定在所述可动电极的部件分离地相对。

本发明公开了一种金属微纳结构的制备及转印方法，包括以下步骤：S1、采用旋涂设备在洁净的单晶硅表面涂覆形成掩膜层；S2、采用机械刻划设备在经步骤S1处理后的单晶硅表面进行刻划（图案化）；S3、采用混合镀液在单晶硅表面进行金属定向沉积，沉积完成后对掩膜表面进行清洗，去除多余镀液；S4、采用液态PDMS浇铸于单晶硅表面，再加热固化；固化完成后与单晶硅分离，获得高质量的金属微纳结构。该方法能够实现PDMS表面任意二维结构的加工，操作较为简单，成本较低；同时，本方法的加工过程在常温常压下进行，加工后的金属镀液易处理；此外，本方法制备的图案化单晶硅可作为模板重复使用，且能保证金属微纳结构较高的重现性。

本发明提供一种运动传感器及其制造方法，由于在MEMS晶圆上的第一键合层上又形成第二键合层，并使形成第二键合层的材料与形成在CMOS上的第三键合层的材料相同，如此以使通过执行光刻和刻蚀工艺形成第一键合层和第二键合层时，第二键合层能够保护第一键合层以避免第一键合层在光刻或刻蚀工艺中出现厚度损失的问题，从而保证了相互键合的第二键合层和第三键合层的总厚度与第一键合层的厚度的比值保持稳定，进而提升键合效果，避免器件失效。

本发明涉及纳米技术领域，具体涉及一种微纳米结构材料间的电互连方法。本发明涉及一种基于空间电势诱导，实现微纳米结构材料间电互连的方法，该方法包括打开电子束，利用电子束和材料表面间的电势差，在材料表面产生低电势点，从而诱导材料表面的荷电原子流向该低电势点，固化为连线结构；控制电子束使连线结构在纳米结构材料间形成连接；本发明能有效克服现有电互连技术的局限性，为微纳结构的组装、复杂微纳系统及其集成等提供有效的电连接手段。

本发明涉及一种微电极制备方法及微电极。该微电极制备方法包括：将金属探针放置于绝缘套管中；在所述金属探针的针尖处对所述绝缘套管加热；沿所述绝缘套管的轴向拉动所述绝缘套管，使所述绝缘套管在所述针尖处断裂，并露出所述针尖；剩余的所述绝缘套管熔化并粘接于所述金属探针的外壁，形成绝缘层。采用金属探针制备微电极，金属探针具有针尖，采用加热拉伸方法将绝缘套管套设在金属探针的外壁，以在金属探针的外壁形成绝缘层，并使得金属探针的针尖露出，无需进行打磨即可作为微电极使用，简化制备过程，避免出现打磨导致的断裂问题，降低制备难度。同时还能降低制作成本，便于微电极的制备。

本发明提供一种压电元件以及该压电元件的制造方法。压电元件(30)具备：设置在Si基板(20)的平面上的下部电极的Pt膜(23)；设置在Pt膜(23)上的PZT膜(25)；设置在PZT膜(25)上的上部电极的Pt膜(26)。PZT膜(25)包含垂直取向部(25a)和倾斜取向部(25b)，垂直取向部(25a)具有在与Pt膜(23)正交的方向上的c轴；倾斜取向部(25b)具有相对于垂直取向部(25a)的c轴倾斜的c轴，倾斜取向部(25b)的c轴分布相对于垂直取向部(25a)的c轴分布离散。

本发明公开了一种含空气桥芯片的SIP塑封件及其制作方法，方法包括将至少一个待封装芯片键合在基板上，形成第一半成品封装件；在目标芯片的外表面上进行点胶形成牺牲层，得到第二半成品封装件；目标芯片为含空气桥芯片；对第二半成品封装件进行塑封得到第三半成品封装件；在第三半成品封装件上进行钻孔形成贯穿牺牲层外表面的阵列孔，得到第四半成品封装件；阵列孔为牺牲层提供挥发通道，使得牺牲层通过阵列孔挥发后，目标芯片与第四半成品封装件的外表面之间形成空腔；对第四半成品封装件进行表面处理得到目标SIP塑封件。本发明能在不含空气桥的芯片仍被塑封的前提下，保证含空气桥芯片中空气桥的完整性，确保整个SIP塑封件的功能性。

本发明涉及一种拥有超窄表面晶格共振的无机纳米粒子阵列及其大面积制备方法，该方法包括以下步骤：利用厘米级的硅纳米柱印章翻模得到聚二甲基硅氧烷纳米孔阵列模板；将纳米孔阵列模板置入聚合物有机溶液中蘸取后，再将纳米孔阵列模板放置于表面羟基化的硅片之上形成紧密接触，待溶剂完全挥发后，得到聚合物纳米柱阵列；利用静电作用在聚合物表面吸附金属前驱体，并用氧气等离子体还原金属离子并且刻蚀掉聚合物，最后利用热退火，得到拥有超窄表面晶格共振的无机纳米粒子阵列。与现有技术相比，本发明为无机纳米粒子阵列的制备提供了一个低成本和高效率的通用平台，使下一代纳米光子和电子器件的规模化制备成为可能。

本发明涉及一种用于声换能器设备的微机械构件。微机械构件包括衬底、膜片、至少一个压电元件和至少一个电接通连接。膜片以可振动的方式构型并与衬底连接。至少一个压电元件布置在膜片与衬底之间并与膜片连接。至少一个压电元件构造用于产生和/或探测膜片的在超声波范围中的振动。至少一个电接通连接与至少一个压电元件电连接。微机械构件能够以倒装芯片技术与操控电路如此连接，使得至少一个压电元件能够通过至少一个电接通连接与操控电路电连接。

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述半导体器件包括：第一晶圆，在所述第一晶圆的表面具有第一键合层、阻挡件以及位于所述阻挡件顶部的限位件，其中所述阻挡件设置在所述第一键合层外围；第二晶圆，在所述第二晶圆的表面具有与所述第一键合层相对应的第二键合层，并在所述第二晶圆内具有与所述限位件对应的限位槽；所述第一晶圆的所述第一键合层和所述第二晶圆的所述第二键合层彼此共晶键合。与传统器件相比，通过在阻挡件的基础上增加限位件及限位槽，在控制反应量的同时可以控制共晶键合过程中的键合层的滑动，减小了键合偏移，提高了器件可靠性。

本发明涉及微机电系统封装技术领域，特别涉及一种MEMS器件的封装方法及其结构。其中MEMS器件的封装方法包括：通过刻蚀工艺制作基体晶圆、玻璃封盖晶圆和键合环晶圆；基于第一键合方式，根据第二对准标识和第三对准标识将玻璃封盖晶圆和键合环晶圆进行键合，形成盖帽晶圆；在盖帽晶圆的键合环台阶的表面制作金属中间层；基于第二键合方式，根据第一对准标识和第二对准标识通过金属中间层将盖帽晶圆和基体晶圆进行键合，形成具有真空密闭腔室的封装晶圆；分别沿第一划片槽和第二划片槽对封装晶圆进行晶圆划片，得到MEMS芯片单元。根据本发明的技术方案，既能够实现高气密性、高可靠性和低成本的封装效果，又能够提高MEMS器件的封装效率和封装良率。

本发明公开了一种基于电泵浦片上InGaN量子肼梁三轴加速度计的设计及其制备方法，该三轴加速度计以硅基氮化物为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、n型氮化镓层、量子肼层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层进行悬空，形成一个位于氮化铝层下方的上窄下宽的梯形底座。整个三轴加速度计由2个p型和2个n型电极首尾相连，构成一个正四边形，可以测量水平方向x轴和y轴以及垂直方向z轴的加速度。

本发明涉及一种基于显微毛细管注射的单颗粒微电极制备方法，控制探针的尖端和颗粒体相互靠近，向毛细输送管的输入进口端注入粘接物质，从毛细输送管的输送出口端施加在探针和颗粒体之间，利用粘接物质将探针和颗粒体导电连接。利用输送组件的毛细输送管输送粘接物质将探针和颗粒体导电连接的过程中，整个工艺过程不再需要真空环境，摒弃了借助于FIB/SEM系统的真空环境，在探针上沉积金属后完成单颗粒微电极的制备方案，不需要在每制备出一个单颗粒微电极后都需要更换探针，再次对FIB/SEM系统的操作室重新抽真空的步骤，从制备原理的根本上解决了单颗粒微电极制备过程耗时长的技术问题，也根本上地解决了频繁打开操作室导致灰尘进入，导致系统损坏的问题。

本发明涉及一种用于焊接构件(1)的方法，该构件具有至少一个第一和/或第二结构元件区段(2a、b)，其中，腔(5)尤其构造在第一和第二结构元件区段(2a、b)之间，其中，第一和/或第二结构元件区段(2a、b)具有用于将腔(5)与构件(1)的环境U进行压力连接的开口(7)，其中，由填充材料制成的填充件(8)布置在具有开口(7)的相应的结构元件区段(2a、b)上，从而开口(7)至少被填充件(8)覆盖和/或填充，并且其中，填充件(8)与相应的结构元件区段(2a、b)通过激光焊接方法焊接，使得结构元件区段(2a、b)中的开口(7)通过填充件(8)的填充材料封闭，用以不透气地密封腔(5)。

本发明公开了一种单分散微球腔耦合的封装方法及器件，其中封装方法包括：制备光纤锥；制备拉锥光纤；使用光纤锥与单分散微球腔静电吸附转移单分散微球腔至拉锥光纤；将单分散微球腔与拉锥光纤的锥区耦合；转移低折射率胶水至拉锥光纤和单分散微球腔，进而封装；其中，低折射率胶水的折射率小于拉锥光纤和单分散微球腔的折射率。本发明实施例的技术方案，开拓了一种小模式体积光学微球腔的封装方法，保证封装后的光学微球腔与外界环境隔绝，同时具有对超声传感具有极高的灵敏度和很大的带宽响应。

本发明公开了一种MEMS开关、制备方法及功率放大器芯片，所述开关包括：衬底层，所述衬底层的上表面形成有第一Si

本发明公开了一种高过载水平的微波功率传感器及其控制方法。该传感器由衬底、共面波导传输线、悬臂梁、预设锚点和电容极板组成。预设锚点设置在悬臂梁固定锚点与共面波导传输线之间，电容极板被安置于悬臂梁的下方，与预设锚点分列共面波导传输线两侧，有一个输出端与电容极板相连用于检测电容。当微波信号进入的时候会引起电容的变化，通过测量变化值即可间接得到微波信号的功率。此传感器采用长度可变悬臂梁结构，克服了传统悬臂梁结构为了提高灵敏度导致过载功率过小的问题，不仅极大地提高了传感器的过载功率，扩展了传感器的量程，并且由于增加了锚点，还能在一定程度上保护悬臂梁避免因输入功率过大导致结构坍塌。

一种基于PVA薄膜搭建多层二维层状材料的方法，包括PVA溶液的制备；PVA薄膜的制备；搭建二维层状材料扭转同质结构及异质结构；转移二维异质结构到目标衬底上等步骤。本发明具有以下技术效果：（1）使用的PVA膜的水溶性确保了材料界面不会引入污染，对样品损害极小；（2）PVA的高粘性足以将同一片材料一分为二，因此转移过程可以精确控制材料的位置和结构排列原始取向，满足了扭转角同质结构与异质结构等的制备等需求；（3）为二维层状材料提供了一种灵活性高、高效简单、无损、低成本的转移方案。

一种单片集成MEMS压力和加速度复合传感器及其制备方法，复合传感器包括通过硅基垂直互连集成的MEMS压力传感器和MEMS加速度传感器，二者分别布置在硅基相背的工作面上；MEMS压力传感器为压阻式传感器，包括一个多翼型敏感膜，多翼型敏感膜形成于所述硅基的上表面，多翼型敏感膜的表面形成有半岛结构、孤岛结构及中央凸台结构，半岛结构的上表面均设置一个第一压阻器件；MEMS加速度传感器包括设置于所述硅基下表面的多悬臂梁结构，多悬臂梁结构包括多个悬臂梁和一个中央质量块；悬臂梁上设置第二压阻器件。本发明不仅能够解决现有微机械复合压力传感器灵敏度低、集成度低的问题，而且制备工艺更合理，通用性更强。

一种基于非等离子体实现金刚石可控刻蚀的方法，1)金刚石表面预处理，使用强酸混合液对金刚石衬底进行加热处理，然后依次用丙酮、乙醇和去离子水对金刚石衬底进行超声清洗，去除表面油污和其他杂质，烘干备用；2)金刚石刻蚀前准备，采用带有指定图案的掩模版，通过物理气相沉积法在金刚石衬底表面沉积相应图案的金属薄膜；3)金刚石的刻蚀，将带有镍金属薄膜的金刚石样品放入快速退火炉中，在加热前先通入一段时间的惰性气体和反应气体的混合气，用以排出装置里的空气；在流动的混合气体气氛下加热至指定刻蚀温度；反应完成后停止加热，继续通入混合气体，直至装置冷却至室温。

本公开涉及用于微机电装置的早期碰撞平面外运动限制器。一种微机电装置，该微机电装置包括位于装置平面中的可移动转子和固定定子以及运动限制器，该运动限制器防止可移动转子与固定壁在垂直于装置平面的竖向方向上发生接触。运动限制器在转子与定子之间延伸并且包括能够旋转出装置平面的止挡杆。

本发明涉及一种微电极制备方法及微电极。该微电极制备方法包括：将金属探针置于喷涂面；使用喷涂装置将喷涂溶液喷涂于所述金属探针的外壁，使所述金属探针的喷涂部分涂覆喷涂溶液；转动所述金属探针，使所述喷涂部分的表面覆盖喷涂溶液；将喷涂后的所述金属探针进行干燥处理，使所述喷涂溶液在所述金属探针的外表面形成绝缘层，同时，所述金属探针的针尖露出所述绝缘层，以形成微电极。这样，金属探针的针尖露出，无需进行打磨即可作为微电极使用，简化制备过程，避免出现打磨导致的断裂问题，降低制备难度。同时还能够控制喷涂溶液均匀分布，实现更均匀的包覆，保证绝缘效果，降低制作成本，便于微电极的制备。

本发明公开了一种基于飞秒激光直写的集成微纳电极及制备方法，其制备方法包括铌酸锂光子芯片上镀金属铬膜、化学气相沉积镀二氧化硅膜、飞秒光刻铬掩膜、反应离子刻蚀、电子束蒸发金膜及湿法腐蚀等步骤。本发明使用介质膜及金属膜代替传统光刻胶，利用飞秒光刻的低成本、高效率等技术优势，可大规模于光子芯片上制备高度集成、电极性能优异的大尺寸微纳电极结构，可应用于片上微型激光器、微波光子学及高速调制器等领域。

本申请涉及一种MEMS封装光学相控阵芯片，包括扩束阵列，用于改变入射光的传播路径，扩束阵列包括绝缘层以及呈阵列分布在绝缘层上的若干通孔；两层导光层，相对设置在扩束阵列的两侧，两层导光层分别位于若干通孔的两端，以与若干通孔配合形成若干封闭的容纳腔，每个容纳腔内填充有碱金属气体；折射率调节机构，用于改变碱金属气体的折射率，折射率调节机构包括控制电路和与控制电路连接的若干磁场发生单元，若干磁场发生单元与若干通孔呈一对一设置。本申请的MEMS封装光学相控阵芯片使出射光的偏折角度不受硅材料对电场的敏感系数的限制，使得出射光的偏折角度更大，以增大激光雷达视场范围，且结构更加简单。

本发明公开了一种应用于MEMS力敏感传感器的封装级应力隔离结构，基于MEMS工艺一体加工成形，包括隔离结构外围框架及位于外围框架内的隔离结构内部框架。外围框架和内部框架之间通过等厚正六边形蜂窝状的阵列支撑悬臂梁连接，外围框架和内部框架上具有不同数量的凸台分别与陶瓷底座和芯片基底相连。本发明能有效减小芯片贴片与封装过程中产生的应力对MEMS力敏感传感器的影响，同时能大幅提升整体隔离结构的稳定性和刚度，抵抗环境振动与冲击，维持传感器芯片的鲁棒性。该结构具有尺寸小、成本低、易于批量生产、与IC制作工艺兼容性好等优点，可广泛应用于MEMS力敏感传感器集成封装，可广泛应用于MEMS力敏感传感器集成封装。

本发明属于传感器封装技术领域，公开了一种在硅胶中定位置入柔性传感器的封装方法，包括：柔性封装体预封装传感器或者传感器与增强部的组合体，获得柔性预封传感器；开设定位槽，以定位槽为中心构建感应区域；将所述柔性预封传感器按预设方式置入封装于所述定位槽内，并保证所述传感器在所述感应区域内满足预设感应门限；其中，所述增强部为锥型件，且通过所述预设方式使所述传感器内嵌置入于所述定位槽内、使所述增强部的尖端外凸于所述定位槽外；综上，通过本发明所提供的方法将柔性封装传感器，并将封装后的传感器通过开槽置入的方式封装于柔性产品中，由此实现传感器与产品的稳定装配，并且不会使用摩擦而影响传感器的定位位置。

本发明公开了一种MEMS器件及其制备方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底上设置有金属层，所述金属层包括延远离所述衬底的方向依次设置的粘附金属层和引线金属层；刻蚀所述引线金属层，形成图形化的所述引线金属层；形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层；以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层，刻蚀所述粘附金属层，形成图形化的双层金属走线。这样能有效避免对粘附金属层的过刻蚀，避免出现底切现象，保证金属引线的可靠性，进一步保证MEMS器件的可靠性、电学性能和良率。

本公开公开了一种纳米粒子可调控组装方法，该方法通过构筑一种“三明治”结构来实现纳米粒子的可调控自组装，其中，“三明治”结构的组成为：图案化硅基板‑纳米粒子和表面活性剂的混合胶体溶液‑平整基片。超疏水结构化硅基板和超亲水平整基片之间大的表面能差，使得混合胶体溶液在两基片的接触面形成微米级的液桥对纳米粒子进行定向诱导组装。利用液桥收缩的方式使纳米粒子形成大面积的规则的纳米结构，在上基片形成与硅基板相同的任意形状的自组装结构。

本发明涉及新能源及节能技术领域，尤其涉及一种超疏水/亲水双特性图案化表面及其制备方法。包括：采用DMD无掩模光刻技术在基底表面制备光刻胶结构，制得含有光刻胶结构的基底；将含有光刻胶结构的基底依次在HF溶液、HF与AgNO

本发明涉及一种超亲/超滑区域分布的硅基表面及其制备方法，属于表面处理技术领域。制备方法为在硅基底表面旋涂光刻胶，光刻后进行银辅助化学刻蚀处理，得到具有条纹状微米级粗糙结构的样品；对样品再次进行银辅助化学刻蚀处理，在微米级粗糙结构基础上增加纳米线结构，得到具有微纳复合结构的样品；在样品表面再次旋涂光刻胶，通过磁控溅射技术在样品的凹处条纹表面镀银，得到具有阻挡层及微纳复合结构的样品；在样品表面浸润润滑油，酸洗得到硅基表面。硅基表面具有优良地亲水性和超滑特性，超亲水表面具有液滴快速成核及输运地特点，超滑表面具有较小的滞后角，所得区域分布表面能够快速地收集以及输运雾气中的水。

本发明提供一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：提供基底，在基底上形成有第一牺牲层，在第一牺牲层上形成有振膜，在振膜上形成有第二牺牲层；在第二牺牲层上形成界面层；在第二牺牲层和界面层上形成第三牺牲层；在第三牺牲层上形成背板层，背板层中形成有释放孔；去除部分第二牺牲层和部分第三牺牲层，以形成空腔，使部分背板层悬置于振膜上方；在基底的第二表面形成背腔。本发明的方法通过设置界面层，在刻蚀时减少对于界面处材料的刻蚀损伤，从而改善界面性质，进而减少界面处裂缝。

本发明属于微纳米表面涂层技术领域，具体涉及一种金属纳米颗粒微图案化学镀结构及其制备方法。本发明提供的一种金属纳米颗粒微图案化学镀结构的制备方法，包括如下步骤：(1)得到改性纳米颗粒分散液和改性基底；(2)得到金属纳米颗粒自组装层的微图案基底；(3)在目标基底上形成可诱导固化的粘结层，得到粘结基底；(4)将金属纳米颗粒自组装层部分与粘结层部分相贴合压紧，诱导粘结层固化；(5)将基底进行剥离，得金属纳米颗粒微图案结构；(6)将金属纳米颗粒微图案结构进行化学镀处理，得到金属纳米颗粒微图案化学镀结构。本发明提供的制备方法可以得到分辨率高、缺陷较少、导电性较好、质量较好且稳定性较高的微电路结构。