微观结构技术

本发明公开了一种基于结构浸蘸‑原位拖拽成形的超疏油表面制备方法，涉及功能表面制备技术领域。按照下述步骤进行：(1)通过复制模塑法或热压成形法制备出普通的聚合物材料微纳柱状结构表面，并通过等离子体处理微纳结构表面，提升表面的表面能；(2)在经硅烷化处理的辅助光滑平面上涂覆一定厚度的聚合物材料；将经等离子体处理后的微纳柱状结构表面浸蘸到聚合物材料内，抬升微纳柱状结构表面使所浸蘸的聚合物材料同时与微纳柱状结构和辅助光滑平面接触并实现缩颈，对聚合物材料进行固化处理，分离表面从而实现二次凹槽结构的制备。本发明制备的二次凹槽结构在微纳柱状结构的顶端，可使油液接触时距离微纳柱状结构根部位置的距离得到保证。

本发明提供了一种元件组装方法及电子装置，通过控制形成的呈流体状的第一胶粘层伸入到所述通孔中的深度，并在装配第二元件之前对所述第一胶粘层进行半固化或者全固化处理，能够实现对通孔的堵孔的目的，进而在将第二元件粘接到第一胶粘层上时，能避免第一胶粘层被挤到第二部件通孔下方的第一部件上，进而可以避免在第二元件组装到第一元件上后造成第一元件失效的问题，能够适用于镜头模组或者具有镜头模组的电子产品等电子装置的组装。

设备包括包含传感器的管芯。该设备还包括基材，该基材通过电耦合件耦合至管芯。设备还包括包装容器。包装容器和基材形成管芯的壳体。包装容器包括开口，该开口使管芯的至少一部分暴露于壳体外部的环境。通过开口暴露于壳体外部环境的管芯、壳体内部、电耦合件以及基材的暴露表面均涂覆有共形膜。该共形膜防止液体(例如水、气体等)与管芯、电耦合件和基材的暴露表面接触。

一种晶片级封装件包括具有第一表面的功能晶片、连接到第一表面上布置的器件焊盘的器件结构。具有内表面和外表面的盖晶片利用内表面被键合到功能晶片的第一表面。围绕器件结构的框架结构被布置在功能晶片与盖晶片之间。连接柱将第一表面上的器件焊盘连接到内表面上的内部盖焊盘。导电过孔被引导穿过盖晶片，连接盖晶片的内表面上的内部盖焊盘和外表面上的封装焊盘。

本申请公开了一种MEMS(微机电系统)结构的制造方法，包括：在衬底内形成贯穿所述衬底的空腔；在所述衬底的正面上方形成第一电极层，所述第一电极层覆盖所述空腔，其中，所述第一电极层的材料包括单层或多层二维材料；在所述第一电极层上方依次形成第一压电层和第二电极层。与传统的制造方法相比，本申请可以采用激光穿孔或是其他方式先在衬底上形成空腔，从而降低了制造成本，而且降低了传统的背面蚀刻给MEMS结构造成的损伤或性能退化的几率。

本发明为一种基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件的制备方法。该方法包括如下步骤：前驱体溶液于所得的衬底上旋涂，获得氧化物薄膜；再在氧化物薄膜上旋涂聚合物电解质，退火得到该聚合物电解质薄膜；最后再聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件。本发明制备得到的纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件实现了兴奋性突触后电流等可塑性的模拟。

本发明涉及一种MEMS器件及其形成方法，所述MEMS器件包括检验质量块、设为四组并分别设置于所述检验质量块的四侧的感测梳，以及设为四组并一一对应设置于四个所述感测梳远离所述检验质量块的一侧的驱动梳，通过在检验质量块的四侧设置感测梳，并在四个所述感测梳远离所述检验质量块的一侧一一对应设置四组驱动梳，使得所述MEMS器件单个器件既能够感应旋转，也能够感应加速度，实现相关技术中至少两个MEMS传感器才能达到的等效功能，从而降低生产成本。

本发明涉及一种MEMS器件的应力隔离封装结构，属于芯片的封装领域，具体是：在封装管壳的封装底板上制作台阶，将应力隔离基板的固定区固定在台阶上，应力隔离基板的悬空区悬空在封装底板上方，与封装底板间形成空隙区，固定区与悬空区通过刚性的基板颈部连接，悬空区和固定区之间制作基板隔离槽，基板隔离槽处于台阶外，不与台阶接触，MEMS芯片固定在悬空区，不与封装管壳直接接触，通过基板隔离槽隔离封装管壳传递给MEMS芯片的机械应力，同时又保证隔离系统不引入外来的、影响MEMS芯片性能的其他干扰因素，这样MEMS芯片的性能就不会受环境应力影响而劣化。

本发明实施例公开了一种压力模块及其制作方法。该压力模块包括：线路基板、MEMS芯片、ASIC芯片、第一封装电路板、灌封胶、第二封装电路板。本发明提供的技术方案，将MEMS芯片和ASIC芯片融合在一起设置于线路基板、第一封装电路板与第二封装电路板构成的腔体内，并采用灌封胶填充，实现芯片密封不泄露的目的，并且可以确保在大压力下，MEMS芯片和ASIC芯片无损坏且键合处不脱落，提高整个结构紧凑性，另外，MEMS芯片和ASIC芯片只做感压元件，提高了产品的可靠性和稳定性，降低了压力模块的成本和可制造装配成本，实现大规模自动化生产。

本发明提供了一种光驱动复合微米片阵列马达系统，包括基底和复合微米片层，复合微米片层置于基底上，复合微米片层由周期排列的复合微米片单元构成，复合微米片单元包括贵金属片和热膨胀片，贵金属片和热膨胀片固定连接，贵金属片和热膨胀片的侧面固定在基底上。应用时，应用脉冲激光从基底一侧照射，导致复合微米片单元弯曲，从而实现从而光能到机械能的转化。本发明中能够实现更高效率的光能机械能转化，在光催化、环境治理等领域具有较好的应用价值。

本发明一种基于空气模法的近圆柱面微凹槽阵列表面制备方法，涉及功能表面制备技术领域，按照下述步骤进行：(1)制备出具有微凹槽阵列的表面；再在一辅助平板上均匀地铺展一层待成形的液态聚合物薄膜；在微凹槽阵列表面的空白处放置间隙块；(2)将铺展有液态聚合物薄膜的辅助平板放置于微凹槽阵列表面上的间隙块上，保持该状态送入真空干燥箱；(3)根据设计的压强值设置真空干燥箱压强，进而加热固化聚合物材料，分离表面从而实现近圆柱面微凹槽阵列表面的制备。本发明通过辅助平板实现液态聚合物的预铺展，解决了液态聚合物在微凹槽阵列表面铺展时对微凹槽的填充排气导致空气模法难以适用的问题。

本发明的课题在于提供一种薄膜的制造方法，在薄膜上形成图案时，能够防止应用的掩模部件在干蚀刻时的掩模的磨损或缺损，并且能够以高精度形成具有微细结构的细孔的薄膜。本发明的薄膜的制造方法是具有细孔的薄膜的制造方法，其特征在于，在基板上形成薄膜之后，在该薄膜上依次层叠至少由自组织化材料构成的第一掩模和与所述第一掩模相比对反应性蚀刻处理或物理蚀刻处理具有耐性的第二掩模，通过干蚀刻处理在所述薄膜上形成细孔。

本发明实施例公开了一种微孔制备方法，其具体包括提供待制孔的基材，且基材具有供印刷的印刷面，在印刷面上印刷耐腐蚀的第一保护层，且第一保护层上留有多个孔位，在印刷面上喷淋腐蚀液，以使腐蚀液穿过孔位腐蚀基材；采用本发明提供的微孔制备方法制备微孔，可精准控制微孔与其它微孔之间的距离，进而提高基材的合格率，降低生产成本。

本发明公开了一种基于温度调控的液滴成型法表面双级微结构制备方法，首先通过温度梯度增强转印法在第一基板表面得到第一聚合物液滴阵列，然后通过主动制冷蒸气凝结法在第一聚合物液滴曲面上凝结自组装得到第二液滴阵列，接着引入第三聚合物实现第二液滴形貌调控，从而得到双级液滴阵列，最后固化第一聚合物液滴阵列得到第一聚合物微结构阵列，同时由于第二液滴阵列压印作用，在第一聚合物微结构阵列表面得到与第二液滴阵列对应的曲面第二微结构阵列，从而获得表面双级微结构阵列。本发明采用先增材制造再减材制造的思路，基于温度调控双级液滴成型法制备双级微结构阵列，通过双级液滴成型工艺参数调节，实现双级微结构形貌参数的灵活调控。

本发明公开了一种单片六轴IMU的双面电极制作及圆片级真空封装方法。本发明方法所形成的整体结构包括基底层、器件层和盖帽层，在基底层上实现多层互联结构，优化走线布局，减小寄生电容，便于后续和外部电路之间的连接；器件层包括敏感结构、硅柱以及硅墙，硅柱用于连接盖帽层上的与基底层金属电极；硅墙分别与基底层和盖帽层键合形成真空封闭腔室。本发明方法将真空封装与MEMS敏感结构的加工合并，避免对裸芯片二次真空封装时可能带来的污染，同时可实现双面电极制作，为非平面运动信号的检测提供可能。

本发明提供了一种惯性传感器及其形成方法。通过在第二导电材料层中形成凹槽，以使所形成的可动梳齿结构能够间隔于第二导电材料层，并在凹槽的底部还设置有薄膜层，该薄膜层不仅可用于实现刻蚀阻挡，并且在执行刻蚀工艺以形成可动梳齿结构时还可用于固定可动梳齿结构的各个梳齿，避免由于梳齿发生扭转而导致梳齿的侧壁受到损伤。此外，本发明提供的形成方法中，可以使薄膜层的厚度较小，相应的可以在较小的刻蚀量下即能够实现薄膜层的去除，此时并不会对其他膜层造成大量侵蚀，有利于保障器件中的各个组件的稳定性。

本发明公开了一种基于MEMS的压电式仿生耳蜗纤毛感受器及其加工方法，涉及MEMS在助听方面的应用技术领域，压电式仿生耳蜗纤毛感受器，包括基底和聚丙烯纤毛，基底包括金属铜上电极、聚偏氟乙烯薄膜与金属铝下电极，聚偏氟乙烯薄膜位于金属铜上电极与金属铝下电极之间，三者固定连接且外围呈方框状，外围的方框内部其中一对相对的边之间为波浪形状的纤毛固定梁，聚丙烯纤毛垂直固定于纤毛固定梁的中心处。本发明通过刻蚀以及腐蚀等工艺在上下具有金属电极铜和铝的PVDF薄膜上进行蚀刻，可以有效提高传感器的电压信号输出并且在体积更小，功耗更低的基础上实现耳蜗基底膜的频率分选功能，而且加工工艺简单，加工成本低廉。

本申请属于微波电子产品技术领域，具体涉及一种基于硅基MEMS技术的小型化射频同轴结构，包括硅基晶圆本体，所述硅基本体中间设置有TSV信号孔，外围设置有TSV接地孔，所述硅基本体上还设置有槽孔。本申请在现有的硅基工艺基础上，利用硅基通腔加工工艺实现射频垂直过渡结构的小型化设计。本申请利用TSV信号孔作为同轴线结构的内导体，四个TSV接地孔作为同轴线结构的外导体，同轴线内部的填充物质为硅介质和四个扇形结构内的空气。该种结构将同轴结构内部挖腔相当于将一部分硅介质替换为空气介质，平均介电常数减小，在同轴线的特性阻抗保持不变的情况下，使得硅片半径减小，减少了硅片的结构体积。

本发明涉及一种高温压力传感器芯片及其制备方法，高温压力传感器芯片包括顶层硅结构和底层SOI结构；底层SOI结构由上至下依次分布的信号处理层硅、绝缘层氧化硅和感压层硅，顶层硅结构上设置有信号引出孔和位于下表面的压力腔，感压层硅的下表面设置有引压腔；信号处理层硅包括四个惠斯通电桥桥臂电阻R1、R2、R3、R4、四个惠斯通电桥电极E1、E2、E3、E4以及隔离键合层，信号处理层硅用于将压力信号转换为电信号。本发明提供的压力传感器基于SOI基底制成，使用氧化硅代替PN结作为其绝缘层，其最高使用温度达到500℃。

本发明涉及一种仿猪笼草结构的超疏水高疏油表面的制备方法。该方法通过共混聚合物相分离的技术构建多孔纳米结构基底，利用全氟烷基氯硅烷进行表面修饰后，真空条件下填充低表面能、无毒害的润滑油，制备得到超疏水高疏油的新型功能表面。本发明采用的共混聚合物相分离技术结合干法刻蚀法，依托相分离技术可以简单方便地调控孔径大小、孔分布密度等参数，因此可以制备出占空比大、密集分布的纳米孔，从而实现了润滑液在孔中的高填充率，克服了传统疏水结构处于亚稳态，机械稳定性差的关键缺陷，具有良好的持久性、耐磨损性以及自我修复性能。

本发明公开一种组合式传感器、电子设备以及组合式传感器的制作方法，组合式传感器包括第一传感器，第一传感器包括第一封装结构和第一传感器芯片，第一封装结构包括分体设置的第一基板、第一支撑件以及第二基板，第一基板、第二基板及第一支撑件围合形成第一空腔，第一传感器芯片设于第一空腔内，并与第一基板电连接；和第二传感器，第二传感器包括第二传感器芯片，第二传感器芯片与第一传感器芯片在垂直于第二基板的方向上对应排列设置，并通过第二基板、第一支撑件与第一基板电连接。本发明技术方案提供了一种组合式传感器的批量化、低成本、一致性的加工方法，且能够有效节省横向空间。

本发明实施例涉及半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件及其制作方法。本发明中，上述半导体器件的制作方法包括：在形成有突出结构和/或凹陷结构的衬底的表面形成牺牲层；其中，所述牺牲层覆盖所述突出结构和/或凹陷结构，形成所述牺牲层的材料为碳涂层材料；在所述牺牲层上形成结构层；释放所述牺牲层，形成所述半导体器件，使得即使在衬底的表面不平整时，也不会影响衬底表面上形成的牺牲层的平整度，牺牲层的平整度较好。

本发明公开一种传感器、传感器封装方法、晶圆及小尺寸气压传感器，涉及传感器封装技术领域。所述传感器包括壳体，采用封装工艺将微机电系统芯片和信号处理芯片进行3D堆叠封装在所述壳体内部。传感器的封装方法包括：将信号处理芯片通过FC的方式贴装至基板，在信号处理芯片和基板之间进行底填胶保护；将微机电系统芯片3D叠封到所述信号处理芯片上；将壳体与所述基板通过锡膏回流焊或胶水粘结的方式封装到一起。导电性好，功耗低。封装效率高。

本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片，解决了现有技术中硅片的光滑表面与其他膜层的表面接近时，容易产生粘滞力的技术问题。本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法，在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层多孔氧化物膜层，然后采用XeF气相刻蚀的方式对第一硅平面层进行刻蚀，XeF气体穿过多孔氧化物膜层后再对第一硅平面层进行刻蚀时，不规则的刻蚀第一硅平面层，因此，经过第一次刻蚀后的第一硅平面层的表面粗糙度较大，因此，当该硅片在与其他膜层相近时，降低了两个接近的表面之间产生的粘滞力，提高了MEMS器件的灵敏度，降低了MEMS器件无法使用的概率。

本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片，解决了现有技术中硅片容易产生粘滞力的技术问题。本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法，在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层表面粗糙度较大的第一膜层，然后采用全刻蚀的方法对第一膜层刻蚀，此时，全刻蚀掉第一膜层后，第一硅平面层远离衬底基板的表面的粗糙度变大，然后再利用刻蚀的方式在第一硅平面层远离衬底基板的表面上进行刻蚀，产生凹槽和凸起，凸起的表面则具有粗糙的表面，形成具有粗糙表面的硅片。当该硅片在与其他膜层相近时，降低了两个接近的表面之间产生的粘滞力，提高了MEMS器件的灵敏度，降低了MEMS器件不能使用的概率。

本发明涉及传感器芯片封装领域，尤其涉及一种适用于MEMS加速度传感器芯片的低应力封装结构，包括MEMS传感器芯片和管壳，传感器芯片底部两端设有金属层区域，管壳腔体底部两端也设有对应的金属层区域；传感器芯片底部一端金属层与管壳腔体底部一端金属层粘接，芯片底部另一端金属层与管壳腔体底部另一端金属层仅接触但不粘接；为阻止粘接材料高温封装时溢向另一侧金属层区域，在传感器芯片底部两侧金属层之间，靠近其中一侧设有凹槽；MEMS传感器芯片仅底部一端与管壳封装为一体，另一端呈自由状态，且芯片与管壳侧壁留有一定的间隙，保证了高温封装时，芯片材料有一定裕度的膨胀空间，从而将传感器的封装应力降低到最小。

本发明公开一种传感器封装结构及其封装方法、电子设备，其中，该传感器封装结构包括基板、第一传感器组件、注塑胶封装结构和第二传感器组件，所述第一传感器组件至少部分设于所述基板的表面。所述注塑胶封装结构封装所述第一传感器组件中设于所述基板表面的部分，所述注塑胶封装结构与所述基板围成安装腔，所述安装腔与所述第一传感器组件间隔设置。所述第二传感器组件至少部分设于所述基板的表面，且所述第二传感器组件中设于所述基板表面的部分位于所述安装腔。本发明技术方案能够避免注塑胶对敏感传感器的应力作用。

一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜探针阶梯型基底的方法，属于微纳机械传感器技术领域。包括以下步骤：1）选用SOI晶片作为原料；2）掩模旋涂完成后，利用光刻机进行曝光，曝光完成后在室温下将样品于专用显影剂下显影，然后将样品坚膜；3）分四步进行反应离子刻蚀。上述一种采用等离子体刻蚀制备原子力显微镜探针阶梯型基底的方法，利用刻蚀图形的不同大小得到不同刻蚀深度，从而通过等离子体刻蚀制造阶梯型结构，实现了等离子体刻蚀的三阶梯AFM探针基底，并且可通过调节曝光图形矩形阵列的边长调控阶梯深度；具有此种阶梯型基底的AFM探针不会阻挡反射激光的光路。

本发明公开了一种晶片键合过程中对准检测方法，包括：在上晶片非键合面制作上晶片辅助对准标记和上晶片主对准标记；在下晶片键合面制作下晶片辅助对准标记和下晶片主对准标记；利用主对准标记进行上下晶片的对准后上下晶片错开，露出下晶片辅助对准标记，测量露出的下晶片辅助对准标记与上晶片辅助对准标记的横纵向的位置偏差，计算出对准标记偏差，合理控制对准偏差范围。本发明可以加工出对准精度高的敏感芯片，实现非透明晶片键合前对准的定量测试，本发明能确保芯片的质量和成品率。