微观结构技术

本发明提供了一种用于提升驱动增益的石英音叉敏感结构的制备方法，该制备方法包括：步骤一，根据音叉驱动梁结构设计上下表面具有凹槽结构的音叉敏感结构减薄光刻版图；步骤二，在石英晶片的正反两面均形成Cr/Au/Cr/Au掩膜；步骤三，形成音叉整体结构的Cr/Au/Cr/Au掩膜图形和挠性支撑的Cr/Au掩膜图形；步骤四，形成镂空的音叉结构及挠性支撑石英结构；步骤五，根据音叉敏感结构减薄光刻版图设计具有镂空区域的音叉敏感结构侧面电极加工用遮挡板；步骤六，制备音叉敏感结构的侧面电极和挠性支撑的表面电极引线。应用本发明的技术方案，能够解决现有技术中石英音叉的制备方法无法有效增加石英音叉敏感结构驱动端三维电极有效面积，导致无法有效提升驱动增益的技术问题。

本申请属于压力传感器领域，涉及一种MEMS压力芯片及其制备方法。该芯片包括：支撑部，具有通腔；感应膜层，悬空于通腔且通过支撑部支撑，感应膜层包括悬空区和搭接区，感应膜层通过搭接区连接于支撑部，悬空区悬空于通腔且悬空区开设有与通腔连通的至少一个应力集中槽；压敏电阻，多个压敏电阻分别设于感应膜层背向支撑部的一侧且分别与应力集中槽对应设置，压敏电阻用于根据感应膜层的形变产生电信号。本申请实施例通过在压敏电阻相对的地方设置应力集中槽，一方面，可以减薄压敏电阻在应力集中槽位置的厚度，提高压敏电阻的灵敏度，另一方面，不需要将压敏电阻整体制备的很薄，降低了制备成本。

本发明提供了一种SOI型MEMS结构及其加工方法，包括上层器件层底层衬底层和中间的锚区层，通过衬底层和器件层晶圆键合与刻蚀技术，形成由锚区支撑的可动质量块结构。首先在器件层晶圆上加工形成锚区，在衬底层晶圆上加工形成电极焊盘和电极引线，通过硅‑硅直接键合的方式形成键合片，减薄键合片至所需厚度，刻蚀形成带电极引出的可动质量块结构。与传统SOG结构的带电极引出的可动质量块结构相比，本发明采用薄顶层硅的SOI晶圆作为衬底层，电极引线采用低阻硅材料，通过硅‑硅直接键合形成键合片，具有更高的键合强度和更好的机械可靠性；结构主要材料为硅材料，具有相同的热膨胀系数，避免了材料间的热失配，从而使所加工的产品具有更好的温度稳定性。

本发明涉及一种纳米锥形阵列结构及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)利用超快激光对基底进行加工，之后清洗得到中间基底；(2)将步骤(1)得到的中间基底进行等离子体刻蚀，得到所述纳米锥形阵列结构。本发明提供的方法，采用超快激光在表面制备微纳结构，在等离子体刻蚀过程中并利用微掩模效应在微纳结构区域的增强效果，即利用现有技术中缺陷制备了高深宽比的纳米锥阵列结构，该方法兼容性好、制备区域灵活可控，可极大提升纳米锥阵列结构的制备工艺精度。

公开了一种集成CMOS电路的热电堆传感器系统及其制造方法，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；CMOS电路，位于第一区域内，包括源极和漏极以及栅叠层；热电堆传感器，位于第二区域内，包括热电偶电极；层间介质层，覆盖CMOS电路和热电堆传感器；金属层，位于层间介质层上，包括第一区域内的金属互联层和第二区域内的热电堆金属层；热电偶电极位于第二区域中的多个子区域内，每个子区域的热电偶电极包括第一电极层和第二电极层，每个子区域的第二电极层位于第一电极层上，由隔离层隔开；第一电极层通过热电堆金属层连接不同子区域的第二电极层。本申请可以降低管芯面积以及堆叠排布引起的噪声，增加热电堆传感器系统的灵敏度。

本发明属于半导体的技术领域，公开了一种新型红外探测器，包括设置在带读取电路的衬底上的多层微桥谐振腔结构，使用一次成型的多个支撑与电连接孔，自上到下贯穿多层微桥谐振腔结构，实现对多层微桥谐振腔结构的支撑，以及多层微桥谐振腔结构与衬底的电连接。还公开了一种新型红外探测器的制备方法。本发明以多层平面堆叠的微桥谐振腔结构为基础，一次成型形成支撑与电连接孔、梁结构和释放孔结构，其工艺简单，成本更低，极具应用前景。

本发明涉及一种具有面内止挡的MEMS可动结构，包括固定锚区、可动结构弹性梁、质量块框架、质量块、止挡弹性梁、止挡块、质量块梳齿、驱动梳齿以及驱动梳齿锚点。采用弹性梁支撑止挡块，当质量块位移过大与弹性梁碰撞时，弹性梁形变提供缓冲，避免结构损伤。止挡块与质量块连接在相同的固定锚区上，具有相同的电位，不会发生电学短路。在弹性梁不同位置设计不同尺寸的止挡块，质量块位移过大时首先与伸长量最大的止挡块接触，位移继续增大时，质量块才与其他止挡块接触，使大冲击下止挡块弹性梁刚度提高，降低冲击位移，满足不同大小冲击止挡需求，避免结构损伤。降低止挡结构与质量块间接触面积，避免结构在清洗过程中由于液体表面张力造成吸附粘连。

本发明公开了一种微棒腔自由频谱宽度的精细控制方法，首先根据目标FSR选择相应尺寸的玻璃棒进行微棒腔的加工，然后根据测得的微棒腔FSR与目标FSR的差值，最后通过激光迭代退火技术对微棒腔FSR进行迭代优化，从而实现FSR的精细控制并获得理想的FSR，这样可以实现不同精度的FSR的控制，并且迭代优化后的微腔能够保持超高Q值，从而有利于耗散克尔孤子的产生及应用。

本发明涉及一种红外传感器及其制备方法，尤其是一种高性能MEMS红外传感器及其制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述高性能MEMS红外传感器，包括衬底，在所述衬底的正面设置正面感应吸收结构体，在所述衬底的背面设置与正面感应吸收结构体正对应的背腔；所述正面感应吸收结构体包括红外吸收层，在所述红外吸收层上设置红外吸收纳米森林，所述红外吸收纳米森林支撑在红外吸收层上。本发明具有宽谱高吸收特性，提高探测精度，与现有工艺兼容，安全可靠。

本发明涉及一种在微电子机械制造工艺中防止立体微结构侧壁底切刻蚀的方法，属于微电子机械系统制造技术领域，包括首先，通过LPCVD工艺在已经生成立体微结构的晶圆衬底表面沉积一层保角薄膜层作为保护层；然后，将不需要保护的区域采用干法刻蚀去除该处的保角薄膜层，并进行后续的湿法/气相腐蚀，保角薄膜层能够在已经刻蚀的立体微结构表面、侧壁、底部和任何的狭小角落形成一层致密的均匀覆盖的保护层从而防止腐蚀性物质的侵入；最后，当完成后续的湿法/气相腐蚀后，采用普通的干法刻蚀技术除去保角薄膜层。本发明保护性强、效果可靠，能够有效防止在后续的氢氟酸湿法腐蚀或气相刻蚀中底切刻蚀的发生，提高波导器件性能。

本发明提供一种底电极红外探测器结构，包括：设于介质结构内的底电极结构，所述底电极结构包括金属互连层和位于所述金属互连层上的金属通孔；设于所述介质结构表面的反射层；设于所述反射层上微桥结构，所述微桥结构包括微桥桥面及支撑结构，所述微桥桥面包括自下而上依次设置的第一红外敏感层和红外保护层，所述支撑结构包括自内向外依次设置的电极柱、第一功能层和第二红外敏感层。通过第二红外敏感层与反射层形成欧姆接触，有效提升器件的性能。

本发明涉及MEMS传感器技术领域，尤其涉及一种MEMS传感器的制作方法。本发明的MEMS传感器的制作方法，在MEMS晶圆的背面涂覆胶水形成胶水层，并对胶水层进行半固化处理；再进行MEMS晶圆切割，切割所得的单颗MEMS芯片背面设有一层半固化的胶水层；再将单颗MEMS芯片设有胶水层的一面与基板结合，对胶水层进行固化；通过上述方式，在基板上安装MEMS芯片时，无需在基板上进行点胶操作，减少了胶水用量，避免了胶水在MEMS芯片周围溢出，有利于降低MEMS芯片的厚度，有利于提高MEMS传感器的性能。

本发明提供了一种芯片封装结构、其制作方法和电子设备，涉及半导体领域。芯片封装结构包括基板、设置于基板的麦克风芯片和处理芯片、将麦克风芯片和处理芯片罩住的保护罩、设置于保护罩外表面的射频芯片、包裹保护罩和射频芯片的封装体以及设置于封装体表面的天线。通过将天线设置在封装体表面，将射频芯片设置在保护罩外，再通过第一传输线路将二者连接起来，实现了天线结构与麦克风芯片和处理芯片的集成，使得该芯片封装结构功能性强大能够满足更多的使用需求；并且结构紧凑，有利于电子设备的小型化。本发明提供的制作方法用于制作上述的芯片封装结构。本发明实施例提供的电子设备包含上述的芯片封装结构。

本申请实施例提供了一种多功能半导体封装结构和多功能半导体封装结构制作方法，多功能半导体封装结构包括基板、MEMS芯片、金属盖、射频芯片、塑封体和天线；所述MEMS芯片位于所述基板的一侧；所述金属盖和所述MEMS芯片位于所述基板同一侧，所述金属盖用于保护所述MEMS芯片并形成容置所述MEMS芯片的空腔；所述射频芯片位于所述金属盖远离所述MEMS芯片的一侧；所述塑封体和所述金属盖位于所述基板同一侧，所述塑封体用于保护所述射频芯片、所述金属盖和所述基板；所述天线位于所述塑封体的表面。通过上述设置，能够实现半导体封装结构的多功能化。

本申请实施例提供了一种声敏传感器封装结构制作方法和声敏传感器封装结构，涉及半导体制作技术领域，声敏传感器封装结构制作方法包括：在基板的一侧装贴声敏传感器芯片；在所述基板上所述声敏传感器芯片所在的一侧放置盖体，所述盖体包括进音孔，所述盖体用于保护所述声敏传感器芯片，所述进音孔用于传输声音至所述声敏传感器芯片；将射频芯片装贴至所述盖体远离所述装贴声敏传感器芯片的一侧；对所述射频芯片进行选择性包封形成塑封体，所述塑封体未覆盖所述进音孔；在所述塑封体表面制作天线，以形成声敏传感器封装结构，通过上述步骤，能够利用塑封体实现一种稳定的声敏传感器封装结构，并利用射频芯片实现声敏传感器封装结构功能的多样化。

本发明涉及一种适用于激光隐形切割的划片道结构及其制备方法。其包括衬底、制备于所述衬底上的器件体以及设置于所述器件体外圈的划片道，还包括设置于划片道上的金属层支撑体，在器件体上沉积金属层时，通过金属层支撑体支撑位于划片道上的金属，并能在所述金属层支撑体上形成非连续的划片道金属层，通过金属层支撑体以及所述金属层支撑体上的划片道金属层形成能降低金属反射率的划片道低反射体。本发明在对器件体进行金属沉积时，能在划片道上形成划片道低反射体，划片道低反射体包括金属层支撑体以及非连续的划片道金属层，在避免金属层覆盖划片道时，也能降低对激光的反射，从而能有效确保对划片道采用激光隐形切割，与现有工艺兼容。

本发明涉及一种电隔离结构及其制备方法。在光学器件的光吸收区制备高吸收结构，电隔离结构的电极纳米森林包围器件电极，在电极纳米森林上设置非连续的电极纳米森林金属层；电极纳米森林具有大深宽比，金属溅射或蒸发工艺的不完全保型性，电极纳米森林的侧壁无法被完全覆盖，金属薄层无法形成连续薄膜，即能在电极纳米森林上制备得到非连续的电极纳米森林金属层。由于制备得到的电极纳米森林本身不导电，因此，覆盖了非连续的电极纳米森林金属层的电极纳米森林仍具有绝缘性，从而能有效实现器件电极之间的电隔离，与现有工艺兼容，安全可靠。

本公开提供了一种用于垂直腔面发射激光器的微机电系统，包括：注入电极，其设于欧姆接触层表面的一端；牺牲层，其设于欧姆接触层表面的另一端，以与注入电极相对；上反射镜层，其设于牺牲层的表面，其中，上反射镜层形成有均匀扇叶悬臂结构，均匀扇叶悬臂结构包括一圆形反射镜和多个扇叶悬臂；其中，多个扇叶悬臂之间通过空气间隔，均匀扇叶悬臂结构下方的牺牲层通过腐蚀去除以使均匀扇叶悬臂结构悬空；调谐电极，其设于上反射镜层的表面。本公开还提供了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法。

一种集成芯片，包括位于器件衬底之上的顶盖结构。器件衬底包括第一微机电系统(MEMS)器件及相对于第一微机电系统器件在横向上偏置开的第二微机电系统器件。顶盖结构包括上覆在第一微机电系统器件上的第一空腔及上覆在第二微机电系统器件上的第二空腔。第一空腔具有第一气体压力且第二空腔具有与第一空腔不同的第二气体压力。释气层邻接第一空腔。释气层包含具有释气物质的释气材料。释气材料是非晶态的。

本发明涉及一种金属辅助化学刻蚀离散型硅纳米孔图案的方法，包括如下步骤：步骤一，清洗受体基底和供体基底；步骤二，在所述供体基底表面旋涂一层聚二甲基硅氧烷层；步骤三，在聚二甲基硅氧烷层上旋涂金属纳米粒子溶液；步骤四，在激光束关闭的情况下，将目标金属纳米粒子移动到激光焦点下方，将受体基底目标沉积位置移动到激光束焦点上方；步骤五，通过聚焦激光束照射金属纳米粒子。本方法能够将单个纳米级金属颗粒转移到硅衬底上，并且具有较高的定位精度。

本发明公开了一种双层薄膜致动器及其制备方法，属于功能材料和软体机器人领域。通过固态碱自牺牲法在高分子薄膜基底上定向生长一层规则排布的金属氢氧化物，形成包括高分子膜和过渡金属氢氧化物的双层结构。本发明制备方法简单，成本低，可实现大规模制备。本发明利用双层薄膜对湿度响应的差异，在湿度变化、加热、红外光等条件下实现迅速、显著、稳定的变形能力，通过变形控制可实现移动和抓取物体。因此，在柔性开关、人造肌肉、软体机器人、环境监测等领域具有重要应用价值。

本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。其中方法包括：在第一SOI晶圆中的第一硅材料层的第一表面形成沟第一槽结构，其中第一沟槽的深度小于第一硅材料层的厚度；将经过氧化处理后的硅晶圆与第一SOI晶圆进行键合，形成第一复合结构；对第一复合结构进行减薄，去除第一背衬底和第一绝缘层；在第一硅材料层的第二表面进行第二次刻蚀以形成下电极结构，并同时形成第二沟槽以至少暴露出部分第一沟槽。本发明中由于两次刻蚀过程是在所述第一硅材料层的两个表面分别进行的，因此不会在沟槽台阶边界处形成硅草，从而解决了因目前因台阶边界处形成硅草导致MEMS结构失效的问题，提高了产品良率。

本发明涉及一种纳米森林结构的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面涂覆聚合物层；对所述聚合物层进行至少一次S1和S2处理：S1、通过第一等离子体进行刻蚀，S2、通过第二等离子体进行重聚形成纳米森林结构。本发明采用特殊的干法刻蚀工艺制作纳米森林结构，通过改变刻蚀与重聚的工艺参数，或者通过改变刻蚀与重聚的循环次数，可以有效控制纳米森林结构的尺寸和密度，从而得到精确可控的纳米森林结构。该制备方法具有加工成本低、加工精度高、制备工艺简单的优点，具有广阔的应用前景。

本发明提供一种平板，具有多条微流路、或形成有多条分支流路的微流路，在通过显微镜观察在微流路中流动的样本时，无需降低该显微镜的倍率，就能够容易地确定观察中的微流路或者分支流路处于哪个位置。该平板在内部具有微流路，其特征在于，具有对该平板的表面方向上的上述微流路的位置进行识别的识别标记。在具有相互独立地形成的多条上述微流路时，上述识别标记优先形成于每条上述微流路，在上述微流路具有与注入样本的注入口连通的源流路、与该源流路连通的多条分支流路时，上述识别标记优先形成于上述源流路以及每条上述分支流路。

本发明提出一种用于微机械系统的制造方法和微机械系统。包括以下步骤：将第一微机械功能层施加在衬底上；在第一各向异性的蚀刻步骤中在第一微机械功能层的第一区域中构造多个二维布置的、彼此间隔开的、长形的蚀刻沟，其中，蚀刻沟在一个或两个纵向端部处通过中断区域与相邻的蚀刻沟间隔开，直至小于第一微机械功能层的厚度的第一蚀刻深度；并且在随后的各向同性的蚀刻步骤中将蚀刻沟扩展直至大于第一蚀刻深度并且小于第一微机械功能层的厚度的第二蚀刻深度，其中，蚀刻沟在第一微机械功能层的内部扩开并且下部蚀刻出中断区域，使得相邻的蚀刻沟在第一微机械功能层的内部在中断区域下方相互连接，其中，中断区域保持在第一微机械功能层的上侧上。

本发明实施例提供一种MEMS麦克风晶圆级封装结构，包括：第一硅衬底、第二硅衬底和ASIC芯片；第一硅衬底与第二硅衬底密封连接；ASIC芯片设置于第二硅衬底远离第一硅衬底的一侧；第二硅衬底包括第一区域以及环绕第一区域的第二区域；第一区域包括多个盲孔；第一硅衬底包括通孔区，通孔区与第一区域相对设置；第一硅衬底邻近第二硅衬底的一侧设置有背极和振膜，背极和振膜至少覆盖通孔区，背极设置于振膜邻近第二硅衬底的一侧；背极通过设置于第二区域的第一引线与ASIC芯片电连接，振膜通过设置于第二区域的第二引线与ASIC芯片电连接。本发明实施例提供的MEMS麦克风晶圆级封装结构可以使MEMS麦克风封装面积减小，满足市场对MEMS麦克风小型化封装的需求。

本发明涉及微机电系统MEMS装置。特别地，本发明提出了一种用于MEMS装置的致动器和包括这种致动器的MEMS装置。该致动器具有可连接到该MEMS装置的框架的多个边侧的第一端，并且具有，特别地，通过接头，可连接到该MEMS装置的台架的第二端。此外，该致动器的第二端被配置为当该致动器被驱动并且该第一端被连接时向上或向下弯曲。

本发明公开了一种金纳米仙人球SERS衬底的制备方法，具体通过种子生长法合成一种具有表面拉曼增强效果的纳米材料‑‑金纳米仙人球。该方法主要包括：(a)金种子制备(b)金种子生长(c)将金纳米颗粒在预设离心转速下用去离子水反复洗涤离心五次，并在真空干燥箱中进行烘干，得到干燥的衬底；(d)将待测探针分子滴定到该衬底上，并在真空干燥箱中进行烘干，从而使该衬底能够进行拉曼检测。本发明优选了团聚较紧实、粒径较大、形貌均一、单分散性好、表面粗糙度高，具备多个“凸起”或“耦合热点”和SERS效应强的金纳米颗粒，具有较好的应用潜力。

本发明属于薄膜光谱滤波器制备工艺技术领域，具体涉及一种基于薄膜键合的可调谐FP滤光片的制备方法，包括以下步骤：①下金属反射层制作：基底采用热蒸发或离子束溅射镀膜方法制备FP滤波器下金属反射层；②铌酸锂薄膜通光层制备：采用离子注入、键合剥离方法制备；③上金属反射层制备：采用磁控溅射的方法制备；④上金属反射电极图形化制备：采用光刻、离子束刻蚀工艺制作上金属电极结构，完成可调谐FP滤光片制作。本发明方法克服了现有滤光片中心波长难以调谐的问题，且制作工艺简单，易于调控，可实现线列、瓦片式多谱段滤光片。

本发明公开了一种半导体耐高温压力温度传感器芯片，其采用了半导体工艺制作的Pt热敏电阻作为补偿电阻，实现宽范围内的温度补偿，实现在更加高温度要求的场合的使用，同时，制备方法可解决Pt薄膜与Si0直接黏贴的效果不好及容易掉落的问题。同时，本发明整个制备方法操作简单，能够大量生产。

公开了一种MEMS器件，包括：衬底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于所述衬底的第一表面上，具有第二空腔；振膜层，所述振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于所述振膜上，具有第三空腔；背极板层，位于所述第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑，其中，所述第一空腔包括多个堆叠的通孔，多个所述通孔的中心线重合，且与所述振膜相对。本申请的MEMS器件，衬底的第一空腔设置为至少包括第一通孔和第二通孔，第一通孔更靠近振膜层且第一通孔的直径大于第二通孔的直径，由于第一通孔与衬底第一表面的交界处光滑，在振膜发生大形变时，降低了振膜的应力集中，进而降低了MEMS器件的失效。

本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法，包括：在SiO/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层；减小纳米微球的直径；在样品表面沉积一层金属薄膜；剥离微球二维胶体晶体层；采用干法刻蚀SiO层；采用湿法刻蚀Si(001)衬底，形成倒金字塔结构；使用腐蚀溶液剥离SiO和金属掩模层，得到带倒金字塔结构的Si模板；在Si模板上制备贵金属薄膜；使用胶黏剂将贵金属薄膜转移到新衬底上，金字塔结构外露；在贵金属金字塔表面转移一层石墨烯。本发明的方法使用了胶体光刻和微纳加工两种方法，成功制备了金字塔型SERS衬底；所制备的衬底在大尺度范围内纳米金字塔结构分布均匀，同时具有高灵敏性和通用性。

本发明涉及一种非制冷红外探测器芯片的制作方法，包括如下步骤：S1，在读出电路上进行MEMS阵列的制作；S2，待完成后，在读出电路非MEMS阵列的部位上沉积吸气剂材料；S3，通过剥离工艺，去掉非制冷红外像元部分的吸气剂，留下非制冷红外非像元部分的吸气剂。还提供一种非制冷红外探测器，包括半导体制冷器以及非制冷红外探测器芯片，芯片设于半导体制冷器上。还提供一种非制冷红外探测器芯片，包括读出电路以及设于读出电路上的MEMS阵列，读出电路上还沉积有吸气剂，吸气剂环绕MEMS阵列设置。本发明通过在芯片上沉积吸气剂材料，去掉两个吸气剂管脚，设计更简单，成本更低；不用再焊接吸气剂，可以简化封装部分的工艺，提高生产效率，降低焊接成本和人力。

按照本发明的方法涉及在衬底(1)中制造具有膜状的、跨接式或悬伸式的面(2)的微结构。在此，悬伸式的面(2)是由于通过蚀刻过程导致的材料弱化并且通过材料去除来在衬底中产生凹空(3)而获得的。为此，在第一方法步骤中，在例如由玻璃构成的衬底(1)中，借助于激光辐射将修饰部(4)沿着环形闭合的周围轮廓(5)引入衬底(1)中。在第一步骤中，将不耐湿化学蚀刻浴的牺牲层(6)施加到如此修饰的衬底(1)上，并且将耐蚀刻介质的膜层(7)、例如金属层施加到牺牲层(6)上。随后通过未进一步示出的蚀刻介质进行蚀刻作用。在此，蚀刻作用导致衬底材料的沿着周围轮廓(5)的线状的、槽状的去除。在达到牺牲层(6)之后，牺牲层按照周围轮廓(5)并且沿横向溶解。由此，被周围轮廓(5)包围的区域失去其附着力或结合力并且可以整体地从衬底(1)移除。

本申请涉及一种封装结构、其制备方法和电子器件。框架板包括相对的第一表面和第二表面。第一封装体和专用集成电路芯片设置于框架板的第一表面。第一封装体将专用集成电路芯片封装于框架板。第二封装体和微机电系统传感器设置于框架板的第二表面。第二封装体将微机电系统传感器封装于框架板。因此，通过第一封装体封装专用集成电路芯片，第二封装体将微机电系统传感器封装于第二表面，使得微机电系统传感器和专用集成电路芯片各自封装的工作互不干涉。专用集成电路芯片在第一表面的位置和第二封装体在第二表面的位置可以灵活调整，从而提高了专用集成电路芯片和微机电系统传感器在封装结构中的灵活性。

本发明涉及一种用于制造用于氢氟酸HF气相蚀刻工艺的平坦化蚀刻停止层(13)ESL的方法。该方法包括在衬底(10)的表面之上提供第一平坦化层(17)，该第一平坦化层(17)包括图案化及结构化的金属材料(20)和填充材料(22)。该方法还包括在第一平坦化层(17)之上沉积具有低HF蚀刻速率的ESL材料(23)的平坦化ESL(13)，其中，平坦化ESL(13)具有低表面粗糙度和小于150nm，特别是小于100nm的厚度。

本发明公开了一种基于微机电传感器融合的集成式状态监测边缘计算器，其通过把信号采集电路、计算处理电路分别集成在不同的多通道信号采集电子晶圆和计算处理电子晶圆上，把多通道信号采集电子晶圆设计布置在计算处理电子晶圆上，把多个微机电传感元件布置在多通道信号采集电子晶圆上，实现了传感元件、采集电路、计算处理电路结构的紧凑性集成布局设计，有利于状态监测边缘计算器产品的小型化；同时，还可以进一步的通过对多通道信号采集电子晶圆、计算处理电子晶圆的结构优化设计，减少信号互扰问题，提升集成式状态监测边缘计算器产品的工作稳定性。由此可见，本发明的集成式状态监测边缘计算器解决方案具备很好的市场应用前景。

本发明涉及一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法，取二硫化锡纳米片，采用经蚀刻机产生的等离子体对其进行刻蚀处理，即实现二硫化锡纳米片非线性光学性能的增强。与现有技术相比，本发明通过控制处理时间、气氛、射频源的功率、气体流量、压力等来有效控制二硫化锡纳米片缺陷类型和缺陷数目从而提高二硫化锡纳米片非线性吸收性能，进而获得反饱和吸收性能优异的二硫化锡非线性光学材料。

本发明涉及一种多传感器层的制作方法，包括如下步骤：S1，于硅衬底的上表面制作第一电阻、第二电阻以及第三电阻，第一电阻用于检测外界温度；S2，再处理硅衬底，得到硅膜，硅膜配合第二电阻检测外界压力；S3，在硅衬底的上表面和下表面均制作质量块和悬臂，质量块和悬臂配合第三电阻检测外界加速度。还提供一种多传感器芯片的制作方法，具有上述的多传感器层的制作方法制作的多传感器层。还提供一种多传感器芯片，包括第一玻璃层、多传感器层、多晶硅阳极键合层以及第二玻璃层，多传感器层由上述的多传感器层的制作方法制得。本发明通过制作的多类电阻再配合制作的结构，实现了温度检测、压力检测以及加速度检测的多功能集成方案。

本发明属于一维纳米材料的制备技术领域，主要涉及一种有序金属纳米针尖阵列的制备方法。该方法主要以多孔阳极氧化铝膜作为模板，辅助电化学沉积技术使金属纳米线阵列生长在多孔阳极氧化铝膜的孔道内，然后去除模板后再通过电化学腐蚀技术最终制得纳米针尖阵列。该方法操作简单，设备要求低，不需要对多孔阳极氧化铝膜进行喷金处理，而且制备的金属纳米针尖阵列具有高度的取向性，有序性，长度均一，并且金属纳米针尖阵列的长度、线径和密集度可控。此外，本方法具有普适性，可以用于多种金属纳米针尖阵列的制备，在电催化、光电催化及纳米材料合成等领域具有良好的应用。

本发明公开了一种裸芯片组合封装结构，包括：PCB板，所述PCB板上设有干个凹槽，若干个芯片，每一所述芯片通过粘接层设置在所述PCB板上，所述粘接层对应覆盖于所述凹槽上，与所述凹槽构成一中空部。本发明实现在保证MEMS陀螺仪高性能的同时，降低封装技术成本、减小二级封装系统的体积，提高PCB板的利用率的目的。

本发明涉及一种种子层的刻蚀方法，用于晶圆级封装中，包括如下步骤：S1，对长有种子层且具有MEMS腔的晶圆进行掩膜作业，作业时仅露出键合环；S2，在掩膜作业完成后，对键合环处的所述种子层进行电镀作业；S3，在电镀作业完成后，去除掩膜露出种子层；S4，待掩膜去除完毕后，采用氨水、双氧水以及水的混合物刻蚀去除种子层，以使键合环金属化。提供一种晶圆级封装键合环的制作方法，采用上述的种子层的刻蚀方法，得到晶圆级封装键合环。提供一种晶圆级封装键合环，采用上述的制作方法制得。本发明通过探索新的刻蚀方法，不仅实现了种子层的一次性刻蚀，大大缩短了工艺时间，增强了产品的稳定性，还可以显著降低企业成本，突破国外对关键材料的限制。

本发明公开了一种集成式多功能微机电传感器，其通过把信号采集电路、模数转换电路分别集成在不同的多通道信号采集电子晶圆和模数转换电子晶圆上，把多通道信号采集电子晶圆设计布置在模数转换电子晶圆上，把多个微机电传感元件布置在多通道信号采集电子晶圆上，实现了传感元件、采集电路、模数转换电路结构的紧凑性集成布局设计，减小了横向布设面积，有利于多功能微机电传感器产品的小型化；同时，还可以进一步的通过对多通道信号采集电子晶圆的结构优化设计，减少不同通道间的信号互扰问题，提升集成式多功能微机电传感器产品的工作稳定性。由此可见，本发明的集成式多功能微机电传感器解决方案具备很好的市场应用前景。

一种基于纳米裂纹的地震动传感器的制造方法，属于微机电系统和微纳米加工技术领域。步骤如下：首先采用磁控溅射等薄膜沉积方法在柔性聚合物表面沉积一层金属薄膜，接着在金属薄膜表面旋涂光刻胶并将光刻胶与金属薄膜图形化，再将金属薄膜表面的光刻胶再次图形化，随后对柔性聚合物进行弯曲使金属薄膜产生纳米裂纹，然后去除金属薄膜表面的光刻胶，接着将柔性聚合物基底切割成悬臂梁结构，最后将柔性聚合物与玻璃基板键合。本发明通过在悬臂梁结构的柔性聚合物基底上制作带有纳米裂纹的金属薄膜，可以实现对于微地震的超灵敏测量，从而可以提高地震动传感器的探测范围。

本发明公开了一种基于悬空微桥工艺的太赫兹探测器的制备方法，在Si和SiO双层衬底上进行磁控溅射，生长NbN热敏薄膜；在NbN薄膜上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式绘制天线图形，磁控生长Au薄膜后，剥离出电极；在NbN薄膜上旋涂光刻胶，通过深紫外曝光的方式绘制微桥图形，通过反应离子刻蚀法刻蚀多余的NbN，形成NbN薄膜微桥；在衬底表面旋涂AZ4620光刻胶，通过紫外光刻的方式在微桥两侧形成窗口，通过湿法刻刻蚀掉窗口中的SiO，通过反应离子分步刻蚀法，先刻蚀掉窗口的部分Si，再横向刻蚀微桥下方，形成空气腔。本发明提高了工艺的稳定性和太赫兹阵列探测器的良品率。

本发明公开了一种基于冰刻的无溶液电子束曝光微纳加工方法，包括以下步骤：(1)在样品待加工面上沉积一层冰层；(2)利用电子束去除部分冰层，形成带有特定图案的冰掩模；(3)维持样品待加工面温度低于沉积环境气压对应的水的凝固点，在样品待加工面沉积材料薄膜，包括沉积在冰掩模上的材料薄膜部分和直接沉积在样品待加工面上的材料薄膜部分；(4)升温使冰掩模升华，移除冰掩模上方的材料薄膜，剩余的材料薄膜在样品待加工面上形成预期的微纳结构。本发明材料沉积完成后，通过干法剥离的方法实现冰掩模和多余材料的去除，从而达到加工全过程无溶液参与的效果。可以避免水或其他有机溶剂对敏感材料造成破坏。

本发明涉及微纳结构制备技术，特指一种应用微纳米液滴溶解聚合物薄膜制备表面微纳米凹痕的技术方法和工艺过程。具体制备方法是：首先将一定比例的甲苯溶液加入去离子水中，伴随超声振荡，微纳米级甲苯液滴析出；然后将取一滴混合液滴加到旋涂聚苯乙烯薄膜的基底上，此时甲苯液滴会溶解聚苯乙烯薄膜，浸没一段时间后，将混合液移除后，用大量去离子水冲洗基底，后用氮气吹干，即在基底表面得到聚苯乙烯薄膜的微纳米凹痕结构。本发明制备过程非常简单，对所述微纳米凹痕结构的尺寸、密度的可控性好。

本发明涉及用于微机械系统的构件(16)和用于制造构件的方法。构件具有上侧和与上侧相对置的下侧且包括：至少一个第一结构元件，第一结构元件设置在构件(16)的第一区域内并且由至少一个第一间隙(19)界定；以及至少一个第二结构元件，第二结构元件设置在构件(16)的与第一区域(21)不同的第二区域(22)中并且由至少一个第二间隙(20)界定。第一区域(21)通过构件(16)的下侧中的第一凹部(6)限定，其中构件(16)在第一区域(21)中的第一厚度(C)相对于构件(16)在第二区域(22)中的第二厚度(B)减小。至少一个第二间隙(20)的第二最小间隙宽度大于至少一个第一间隙(19)的第一最小间隙宽度。

本申请提供一种键合方法和键合结构，该键合方法包括：在第二基片的表面形成由导电材料形成的导电连接柱；在第一基片的表面形成由键合胶形成的键合胶图形，所述键合胶图形具有凹陷部，所述第一基片的部分表面从所述凹陷部露出，所述凹陷部的位置与所述导电连接柱对应，所述凹陷部的横向尺寸大于所述导电连接柱的横向尺寸，所述键合胶图形的厚度大于所述导电连接柱的厚度；以及将所述导电连接柱与所述凹陷部对准，在预定的温度条件下，对所述第一基片和所述第二基片施加预定的压力，使所述第一基片与所述第二基片通过所述键合胶图形键合为一体，并且，所述导电连接柱与所述第一基片的从所述凹陷部露出的所述部分表面接触。

本发明保护一种微机电系统装置的封装系统，包括第一基片和第二基片，还包括设置于第一基片与第二基片之间的密封结构，第一基片、第二基片与密封结构围成一封闭空间，微机电系统装置的功能元件设置于第一基片和/或第二基片上，且功能元件位于封闭空间内，密封结构包括间隔件组和粘合剂，间隔件组包括至少两个间隔件单元，每个间隔件单元与第一基片和第二基片之一直接连接，且该间隔件单元与第一基片和第二基片的另一个通过粘合剂间接连接。该结构一方面简化了工艺，另一方面提高了密封性，此外还提高了结构的可靠性。本发明还保护了该封装系统对应的加工方法。