微观结构技术

本发明公开一种微流道芯片整体金属化加工方法，将微流道芯片采用金属化夹具装夹，所述微流道芯片被悬空夹持于所述金属化夹具装夹内，所述微流道芯片的侧壁与金属化夹具的内侧壁之间设置有间隙，仅通过微尺度精密夹持部件固定微流道芯片；将装夹好后的微流道芯片采用干法双面沉积金属化膜层，实现微流道芯片双面及侧壁同时金属化。通过对微流道芯片双面和侧壁进行整体金属化，实现了微流道芯片顶部的有效接地，避免在微流道芯片中引入TSV结构，在提升了集成密度的同时有效降低了微流道芯片加工难度和成本。此外，通过干法沉积金属化膜层，避免了高性能微流道芯片(流道宽度≤30μm)流道阻塞风险，提高了加工良率。

本公开的各种实施例涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括设置在半导体衬底之上的内连线结构。介电结构设置在内连线结构之上。多个空腔设置在介电结构中。微机电系统(MEMS)衬底设置在介电结构之上，其中微机电系统衬底包括多个可移动薄膜，且其中所述多个可移动薄膜分别上覆在所述多个空腔之上。多个流体连通通道设置在所述介电结构中，其中所述多个流体连通通道中的每一者在所述多个空腔中的两个相邻空腔之间在侧向上延伸，使得所述多个空腔中的每一者彼此流体连通。

在一些实施例中，本公开涉及一种包括梳状结构的微机电系统(MEMS)梳状致动器。所述梳状结构包括：支撑层，具有第一材料；以及多个突起物，在第一方向上远离支撑层的第一表面延伸。所述多个突起物也由第一材料制成。所述多个突起物沿与支撑层的第一表面平行的第二方向分隔开。所述微机电系统梳状致动器还可包括介电衬垫结构，介电衬垫结构连续地且完全地覆盖支撑层的第一表面及所述多个突起物的多个外表面。所述介电衬垫结构包括连续地连接所述多个突起物中的至少两个突起物的最顶表面的连接部分。

本公开的各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置及其形成方法及集成芯片。所述微机电系统装置包括第一介电结构，所述第一介电结构设置在第一半导体衬底之上，其中第一介电结构至少局部地界定空腔。第二半导体衬底设置在第一介电结构之上且包括可移动质量体，其中可移动质量体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。第一压电防粘连结构设置在可移动质量体与第一介电结构之间，其中第一压电防粘连结构包括第一压电结构及设置在第一压电结构与第一介电结构之间的第一电极。

本发明涉及一种微纳金属三维结构的制备方法，包括：在衬底上由下至上形成N层金属结构层，所述金属结构层包括图形化的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层的材料不同；去除每层金属结构层中的所述第一金属层或第二金属层，获得微纳金属三维结构；其中，所述每层金属结构层的形成步骤如下：形成光敏材料层；在所述光敏材料层的预设区域进行固化处理，形成图形化的掩膜，去除未经固化处理的所述光敏材料层；在去除未经固化处理的所述光敏材料层的区域形成第一金属层，并去除所述掩模；在去除所述掩模的区域形成第二金属层，进而提高了加工效率和可靠性。

本发明涉及一种微纳金属三维结构的加工仪器，包括：本体，本体包括容置腔；原料及靶材装配模块，设置在容置腔的一端，贯穿容置腔内外，用于提供原料以及靶材；制备金属结构层模块，制备金属结构层模块设置于容置腔的底端，具体包括：光敏材料形成模块、固化处理模块、去除模块、第一金属形成模块、第二金属形成模块，制备金属结构层模块用于形成N层金属结构层，每层金属结构层具体包括图形化的第一金属层和第二金属层，第一金属层与第二金属层的材料不同；牺牲金属释放模块，牺牲金属释放模块用于去除每层金属结构层中的第一金属层或第二金属层，获得微纳金属三维结构，大幅度提高微纳三维金属结构的制备效率，更提高了加工的可靠性。

本发明提供一种传感器芯片及悬桥式传感器结构的制造方法，传感器芯片为集成热式加速度和红外传感器的单芯片，其包括第一晶圆部，第一晶圆部包括：第一衬底；第一腔体，其设置于第一衬底中，第一腔体内密封有填充气体，填充气体为对特定红外光谱不吸收或者吸收较少的气体；悬桥式传感器结构，其设置于第一衬底的正面且与第一腔体相对，其可切换为加速度检测或红外检测模式；信号处理电路，其设置于第一衬底的正面，其用于对悬桥式传感器结构产生的传感信号进行处理。与现有技术相比，本发明共享相同的传感器结构，可以在加速度测量与红外温度探测之间切换，分别实现对加速度和温度的测量，从而提升集成度，降低芯片占用面积和使用成本。

本发明公开了一种压敏结构柔性压力传感器的制备方法，包括：S1、准备硅片衬底，并在其表面沉积绝缘介质层或金属层以形成掩蔽层；S2、通过光刻的方式对掩蔽层图形化，形成压力敏感结构图形，对硅片衬底腐蚀和刻蚀，通过湿法腐蚀去掉表面的掩蔽层；S3、对硅片衬底表面疏水化处理，之后用压敏材料填充沟槽结构，固化；S4、将压敏材料与硅片衬底分离，并在压敏材料表面形成金属层，得到压敏稀疏层；S5、将一个压敏稀疏层/或将多个压敏稀疏层组合/或将至少一个压敏稀疏层与至少一个压敏致密层组合后与传感器电极连接，得到柔性压力传感器,具有良好的柔性和较大形变，灵敏度提高了2倍以上，可在复杂的环境中使用而不影响其检测性能。

本发明涉及一种硅微悬臂梁谐振器的制备方法，(1)选用SOI材料(绝缘衬底上的硅)作为衬底材料；(2)制备出器件层；(3)形成图形化的金属层1#(04)；(4)采用深硅刻蚀(DRIE)工艺对顶层硅(03)进行刻蚀，得到最终的所需器件层图形；(5)得到中间氧化层(02)的结构图形；(6)得到释放后的器件层结构；(7)对一块新的硅片进行光刻，制备出所需光刻图形的阴影掩膜，再采用键合工艺，将阴影掩膜与器件层顶层键合，再次通过电子束蒸发工艺对器件层上表面未被阴影掩膜遮挡的区域进行金属化，形成所需要的金属层2#(05)；(8)再利用解键合工艺去除了阴影掩膜，获得硅微悬臂梁谐振器，可以达到低成本、高合格率的大批量生产的要求。

本发明涉及一种在重布线(2)和导体区域(3)之间的电接触部(1)，其中，所述导体区域(3)布置在SOI晶片(5)或SOI芯片(5)上方的导体层(4)中，其中，在所述导体层(4)上方并且在所述重布线(2)下方布置有覆盖层(6)，其特征在于，所述覆盖层(6)具有接触部区域(7)，其中，所述接触部区域(7)借助于第一凹槽布置(8)相对于剩余的覆盖层(6)绝缘，其中，至少在所述接触部区域(7)中构造有开口(9)，其中，在所述开口(9)中布置有金属材料(10)，其中，所述金属材料(10)使所述重布线(2)和所述导体区域(3)连接。

本公开的各种实施例涉及一种半导体装置及其形成方法。所述半导体装置包括设置在半导体衬底之上的内连结构。介电结构设置在所述内连结构之上。第一空腔及第二空腔设置在所述介电结构中。微机电系统衬底设置在所述介电结构之上，其中所述微机电系统衬底包括上覆在所述第一空腔上的第一可移动膜片及上覆在所述第二空腔上的第二可移动膜片。第一功能结构上覆在所述第一可移动膜片上，其中所述第一功能结构包含具有第一化学组成的第一材料。第二功能结构上覆在所述第二可移动膜片上，其中所述第二功能结构与所述第一功能结构横向间隔开，且其中所述第二功能结构包含具有与所述第一化学组成不同的第二化学组成的第二材料。

本发明提供一种双面超表面结构的制备方法，包括：提供呈镜像关系标记的第一光刻板及第二光刻板，且标记具有正反对准、正反偏移误差测量及下一工艺步骤对准的功能；提供衬底，并将呈镜像关系标记的图形分别转移至衬底两面，得到第一衬底样品；筛选出偏移误差在需求范围内的第一衬底样品，得到合格的第一衬底样品；将合格的第一衬底样品放入下一步骤所用光刻设备中，识别合格的第一衬底样品上具有下一工艺步骤对准功能的标记，并将双面超表面结构图形版图分别转移至合格的第一衬底样品的正反两面，得到第二衬底样品并刻蚀得到双面超表面结构。采用本方法能够成功制作出高精度对准的双面超表面结构，从而提高双面超表面结构的性能。

一种基于功能化微纳米纤维微纳结构化排布的智能垫片制造方法，将微纳米尺度的纤维置于基体溶液中，使纤维均匀分散，得到含有功能化微纳米纤维的前驱体溶液；将前驱体溶液置于垫片模具中；使模具中溶液自然流平；利用信号发生器及结构叉指电极对模具中溶液施加结构化交流电场，使溶液中纤维在电场力的作用下定向/定域排布；在溶液未固化之前，在模具的两端引入导线；将容器中溶液固化成型，将排列好的纤维及导线全部固定在垫片内部；对固化后的材料进行脱模，得到智能垫片；将智能垫片应用于螺栓连接中，当螺栓预紧状态发生变化时，智能垫片的输出电信号发生改变，从而推断出螺栓预紧力的变化。本发明具有制备工艺简单、高效率、监测准确等优点。

本发明公开一种大厚度二氧化硅层生长方法，所述二氧化硅层总厚度≥3μm，其特征在于包含以下步骤：采用干湿干氧化法，在硅片表面生长一层二氧化硅层(2)；采用低压化学沉积法，在所述一层二氧化硅层(2)上沉积另一层二氧化硅层(3)；采用干氧法，将所述另一层二氧化硅层(3)增密。采用本发明的方法可以高效率地制作大厚度的二氧化硅层，实现高质量的掩蔽作用，此外，本发明工艺简单安全，可批量生产制作，具有较强的工艺一致性。

本发明公开一种多层掩膜分步刻蚀方法，包含：将硅片(1)表面制作第一层掩模层(2)，光刻工艺实现第一层图形化(3)，再将其制作第二层掩模层(4)，光刻工艺实现第二层图形化(5)，依此继续制作掩膜层并图形化，多层掩膜制作完成后，进行一次刻蚀，刻蚀至设计深度时，形成刻蚀结构(6)，去除顶层掩模层后进行二次刻蚀，形成第二个刻蚀结构(7)，依此继续去除掩膜并刻蚀，直至形成所有设计结构(8)。本发明采用多层图形掩模，分步刻蚀，在掩模图形化阶段均在平整硅片表面进行工艺操作，有利于涂胶保护，光刻对准，后续分步刻蚀过程中逐层去除掩膜，可控制刻蚀深度，该方法工艺简单，成品率高，可批量生产制作，工艺一致性较强。

本发明属于微通道散热器散热领域，具体涉及一种圆形凹腔和水滴型肋柱结合的微通道散热器，包括散热器基板，所述散热器基板包括固体壁面、流道、水滴型肋柱以及圆形凹腔，所述流道贯通散热器基板内部，所述散热器基板贯通的两侧分别为工质入口和工质出口，所述散热器基板的下部为电子元件贴合面；电子器件的热量由基板传导到散热器中，然后冷却工质从换热工质入口流进换热微通道，流经凹腔和水滴型肋柱，将传导到散热器中的热量吸收，最后从换热工质出口流出换热微通道，把电子器件的热量及时带走，提高电子器件的可靠性和使用寿命。

本发明提供了一种MEMS器件的制造方法及MEMS器件，其板极引出部的至少一个接触孔外围的上极板材料层的上表面上形成有环形阻挡结构，所述环形阻挡结构包括凸起和/或凹槽，相应的接触焊盘填充于所述接触孔中并延伸到所述环形阻挡结构上，且至少覆盖环形阻挡结构的凸起远离接触孔的一侧的侧壁或者至少覆盖环形阻挡结构的凹槽靠近所述接触孔的一侧的侧壁，由此一方面利用环形阻挡结构增大了接触焊盘的边缘与下方膜层的接触面积，另一方面利用环形阻挡结构使得接触焊盘的边缘起伏不平，因此，可以使得接触焊盘能够阻挡湿法刻蚀液渗入到接触孔底部，防止接触孔底部的材料被电化学腐蚀，提高器件性能。

本发明涉及传感器技术领域，具体涉及一种陶瓷悬梁式MEMS微热板及其制造方法。包括单晶硅衬底、陶瓷悬梁层、加热丝层、绝缘层和测试层。陶瓷悬梁层通过印刷、烘干、煅烧在单晶硅衬底上，加热丝层通过匀胶光刻技术定义其形状、在通过磁控溅射技术沉积在陶瓷悬梁层上，绝缘层通过PECVD(气相沉积法)沉积在加热丝层上，测试层通过匀胶光刻技术定义其形状、在通过磁控溅射技术沉积在陶瓷绝缘层上，单晶硅衬底背面刻穿成型形成刻穿部，使陶瓷悬梁层的陶瓷悬梁结构悬空成型。本发明采用具有更低导热系数和更坚硬的陶瓷材料作为MEMS微热板的悬梁结构，比传统的开隔热槽单晶硅悬梁微热板而言，隔热效果显著，整体结构更可靠，通过陶瓷悬梁有效能够降低自身功耗。

本公开的各种实施例涉及一种麦克风，所述麦克风包括支撑结构层，所述支撑结构层设置在颗粒过滤器与微机电系统(MEMS)结构之间。载体衬底设置在颗粒过滤器下方且具有界定载体衬底开口的相对的侧壁。微机电系统结构上覆在载体衬底上且包括上覆在载体衬底开口上的膜片，膜片具有界定膜片开口的相对的侧壁。颗粒过滤器设置在载体衬底与微机电系统结构之间。多个过滤器开口延伸穿过颗粒过滤器。支撑结构层包括支撑结构，支撑结构具有在载体衬底的相对的侧壁之间在横向上间隔开的一个或多个段。支撑结构的所述一个或多个段在所述多个过滤器开口之间在横向上间隔开。

在本发明提供一种MEMS器件的制造方法，包括：在半导体衬底上依次形成第一粘合层、金属层和第二粘合层；通过在第二粘合层中形成开口，所述开口延伸贯穿金属层，以暴露出部分第一粘合层；去除暴露出的所述第一粘合层和剩余的所述第二粘合层；接着，形成介质层，所述介质层填充所述开口，并延伸覆盖所述第二金属层表面。即在所述第二粘合层中形成开口后，形成所述介质层，由于在形成所述开口时，去除了所述第二粘合层、部分所述金属层和部分所述第一粘合层，在后续对所述介质层刻蚀时，可以避免对所述第二粘合层的刻蚀，由此减少聚合物的产生，从而避免聚合物残留在所述工艺腔内，解决刻蚀工艺时产生较多的聚合物以及聚合物在工艺腔内的残留问题。

本发明提供了一种工集成传感器的电子设备及其制造方法。本发明的电子设备使用具有粘合层的驱动组件和传感器组件进行粘合，形成声学传感器与驱动芯片集成的同时，保证声孔(即第二凹槽)的可靠性，并通过沟道进行与外界的连通，保证声学信号的可靠性和稳定性；同时，本发明只需形成一次贯通孔，且该贯通孔可以实现灵活的电连接，且能够防止两粘合层之间的剥离或分层。

本发明实现一种用于具有倾斜的光学窗(F)的微机械设备(10)的制造方法，其中，提供(S1)具有第一衬底(1)并且第二衬底(2)；在第一衬底和第二衬底(1；2)中产生(S2)多个贯通孔(F1、F2)，使得关于在第一衬底(1)中的每个贯通孔(F1)产生在第二衬底(2)中的全等的贯通孔(F2)，当第一衬底(1)布置在第二衬底(2)上时这些贯通孔叠合。此外，围绕在第一衬底和第二衬底(1；2)中的各个贯通孔(F1、F2)产生(S3)呈斜面的边缘区域(RB1、RB2)，其中，边缘区域(RB1、RB2)以窗角度(FW)倾斜，其中，各两个彼此相叠布置的呈斜面的边缘区域(RB1、RB2)在俯视图中是全等的并且以相同的窗角度(FW)倾斜；提供(S4)具有结构化的窗区域(FB)的窗薄膜(FO)，该窗区域在窗薄膜(FO)的俯视图中分别遮盖贯通孔(F1、F2)，其中，窗薄膜(FO)在相应的贯通孔(F1、F2)上形成以窗角度(FW)倾斜的光学窗(F)。

本发明涉及一种形成腔室(12)的气密封装体(10)，所述腔室(12)内的压力低或存在真空，所述气密封装体(10)容纳至少一个作为成像测辐射热计形式的部件(11)并且包括能够从所述腔室(12)内捕获气体的单片吸气剂材料层(15)，所述吸气剂材料层(15)的厚度为20～200纳米。

本发明公开了一种MEMS SOI压力传感器及其制备方法，压力传感器包括体硅层、埋氧层、衬底、压敏电阻、钝化层、电极层。压敏电阻为对SOI片的器件层进行光刻和离子注入得到，钝化层为对SOI片进行退火处理形成的SiO，退火气氛为纯O、O/HO混合气、O/NO混合气、O/HCl混合气、O/CHF混合气的一种，并通过退火处理消除光刻形成压敏电阻时由于过刻蚀对埋氧层表面造成的损伤，并抑制钝化层的体与界面缺陷及其俘获电荷引起的传感器稳定性问题。在压敏电阻下方正对的埋氧层和体硅层处开孔形成沟槽，有助于抑制因掺杂杂质进入压敏电阻下方的埋氧层所产生的缺陷，并有助于提高传感器的灵敏度。

本发明公开了一种3D打印结合电场诱导成型制备高分子阵列的方法，属于微纳制造领域，通过先在底层电极制备一层高分子薄膜作为基底，再利用增材制造打印出预结构实现初步的结构化成型，最后在空气间隙下放置上层电极，施加电场并加热至熔融温度以上，直到电场诱导流变使预结构被完全拉提至上层电极。本发明方法所制备得到的高分子阵列可以广泛应用于疏水、光学、机械能收集等领域，本发明方法能获得比3D打印精度更高、表面更平整的阵列结构，同时克服了用模板带来的局限，可以灵活设计阵列结构，提高加工效率。

本发明涉及电子器件技术领域，特别涉及一种二维材料电子器件及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：在绝缘衬底的表面从下到上依次制备二维材料层、刻蚀阻挡层和石墨烯层，得到第一中间产物；所述刻蚀阻挡层的面积分别小于二维材料层和石墨烯层的面积且所述石墨烯层完全包覆所述刻蚀阻挡层；以二维材料层、刻蚀阻挡层和石墨烯层的重叠区域为起点，在第一中间产物的上表面进行图形化后，根据得到的图形制备金属电极，得到第二中间产物；以金属电极为掩膜版，对第二中间产物中的二维材料层和石墨烯层进行刻蚀，得到二维材料电子器件。本发明通过设置刻蚀阻挡层，保护二维材料层不受刻蚀的影响，从而保证电子器件的电学性能。

本发明提供了一种MEMS传感器及其制备方法，在第一衬底和所述第二衬底的正面形成相应的电极层之后，并通过键合工艺将第一衬底和所述第二衬底的正面键合在一起，将电极层密封在键合形成的空腔内，电极层通过导电连接结构或直接与第一衬底的正面的压点电性连接。相当于利用了MEMS工艺实现了器件的制备，提高了器件的可靠性，降低了制备难度，并且还可以简化后续进行的封装步骤。

微电子机械系统(MEMS)装置包括：基板；在基板上的电子电路；电连接至电子电路的电极；可移动元件，其中可移动元件通过在电极与可移动元件之间施加电压来控制；在电极与电子电路之间的绝缘层；以及止蚀层。绝缘层具有将电极与电子电路电连接的通孔，并且止蚀层由氮化铝或氧化铝中的至少一种制成。止蚀层可以覆盖电极和电子电路，或者电极可以安装在止蚀层上，并通过通孔经由止蚀层电连接到电子电路。

本发明涉及一种MEMS，该MEMS包括基板，该基板具有在基板平面上方升高的基板延伸部。该MEMS包括可移动结构元件、将可移动结构元件机械地连接到基板延伸部的第一弹簧元件、以及将可移动结构元件机械地连接到基板延伸部的第二弹簧元件。第一弹簧元件和第二弹簧元件形成可移动结构元件相对于基板延伸部的平行四边形引导件。

本发明提供一种适用于流体界面上微小物体组装和重构的方法及其应用，利用微小物体在液面上的光致形状变化使执行器周边液体界面产生形变，利用液体界面形变诱导产生的毛细作用力来调控多个执行器相互之间吸引或排斥力，从而实现微小物体的程序化组装和重构，不仅可以在气液界面上进行图案化的组装和重构，还可实现在多层液体界面上进行独立组装和重构，甚至可以实现在多层液体界面上进行三维协同组装。这种全新的方法在微机械系统、生物医学设备和超材料等领域具有可观的潜在应用价值。

本发明适用于微机电系统领域，提供了一种多晶硅悬臂梁阵列结构及其制备方法和应用，该多晶硅悬臂梁阵列结构的制备方法包括以下步骤：在硅片衬底上沉积一层的类金刚石薄膜；干法刻蚀所述类金刚石薄膜后，再在其表面生长二氧化硅层；利用CF和He的混合气体干法刻蚀所述二氧化硅层后，再在其表面生长多晶硅层；利用Cl和He的混合气体干法刻蚀所述多晶硅层后，再腐蚀去除所述二氧化硅层，形成多晶硅悬臂梁，并经清洗、烘干后，得到所述多晶硅悬臂梁阵列结构。本发明制得的多晶硅悬臂梁阵列结构的衬底的表面能得到了有效的减弱，悬臂梁构件发生负面弯曲的几率大大减小，有效提高了多晶硅悬臂梁工作的可靠性。

本发明公开了一种用于氮化镓功放芯片的玻璃微流道散热器制备方法，该方法包括：准备至少3片可光刻玻璃圆片，分别为：A玻璃圆片、B玻璃圆片和C玻璃圆片；在A玻璃圆片上刻蚀TGV通孔，在B玻璃圆片上刻蚀微流道结构和B进出液口且两者之间通过分流网络连通，在C玻璃圆片上刻蚀C进出液口；对A玻璃圆片作实心电镀工艺，以得到TGV实心互连结构；分别在A玻璃圆片的下表面、B玻璃圆片的两侧表面和C玻璃圆片的上表面设置连接膜层；将A玻璃圆片、B玻璃圆片和C玻璃圆片依次键合形成复合圆片；复合圆片通过分片工艺获得单个微流道散热器，以通过可光刻玻璃实现高深宽比微流道，通过玻璃通孔互联(Through Via Glass,TGV)降低接触热阻，提高散热能力。

本发明公开了制备具有表面微结构涂层的方法，包括：(1)将具有规则纳米级粗糙表面的透明模板置于含有聚二烯丙基二甲基氯化铵、氯化钠和乙醇的水溶液中浸泡，然后取出透明模板干燥；(2)将透明模板置于含有聚四氟乙烯和乙醇的水溶液中浸泡，然后取出透明模板，去除多余聚四氟乙烯后干燥；(3)将UV光固树脂喷涂到步骤(2)得到的干燥后透明模板表面，静置使UV光固树脂填充至干燥后透明模板表面的微结构内部，并用紫外灯照射进行预固化；(4)在基底表面喷涂UV光固树脂，然后将步骤(3)得到的预固化后的透明模板压印到喷涂有UV光固树脂的基底上，并用紫外灯照射进行固化；(5)去除透明模板，得到具有表面微结构涂层。

本发明涉及一种微结构流体流动控制装置，该装置具有基板，其第一基板侧布置有压电致动第一膜片，基板具有流体通道，流体通道在第一基板侧和与其相对的第二基板侧之间延伸穿过基板。另外，微结构流体流动控制装置还包括延伸穿过流体通道的微型阀和第二膜片，微型阀被构造为在未致动状态下闭合流体通道，第二膜片布置在第一基板侧上且与第一膜片隔开，并且布置在流体通道和压电致动第一膜片之间。根据本发明，第二膜片与微型阀连结，并且朝向第一膜片机械地偏置，从而向微型阀施加偏置力(F)，其中偏置力(F)是使微型阀在未致动状态下闭合流体通道的回复力(F)的一部分。

本发明的实施例总体上涉及MEMS器件。一种微机电系统(MEMS)器件包括布置在基底之上的柔性膜和布置在柔性膜之上的第一背板。第一背板包括面向柔性膜的第一多个凸出部。MEMS器件还包括布置在柔性膜处的多个特征，其中多个特征中的每个特征与第一多个凸出部中对应的一个凸出部相关联。

本发明公开了一种微镜结构，包括：六边形光反射膜，悬设于衬底上；六段导电梁，首尾依次相邻或相接地围绕在光反射膜的外侧以外或下方位置，各导电梁分别通过一个支点结构绝缘地连接至光反射膜的一条对应边的外侧上；六个支撑柱，分别支撑于每两段导电梁的相邻或相接端点位置的下方；通过向至少一段导电梁中通电，使导电梁中的下导电梁和上导电梁因静电相吸或排斥而使导电梁整体产生向上或向下方向的弯曲变形，带动与之连接的光反射膜的对应边向上或向下位移，并通过对各段导电梁执行分别控制所形成的变形大小不同组合，实现使光反射膜朝向任意预定方向的偏转或/和上下浮动。本发明还公开了一种微镜结构形成方法、微镜阵列和探测器。

本发明公开一种MEMS皮拉尼计及其制作方法、MEMS传感器及电子设备。其中，所述MEMS皮拉尼计包括：基底；绝缘隔热层，所述绝缘隔热层设于所述基底的一表面；以及金属发热体，所述金属发热体设于所述绝缘隔热层背向所述基底的表面。本发明的技术方案能够克服目前皮拉尼计的总体尺寸大、难以集成且不利于小型化发展的问题。

一种MEMS晶圆清洗方法，通过将晶圆浸泡在去胶液中，除去晶圆上的光阻；将聚合物清洗液喷洒到旋转的晶圆上，除去干法刻蚀过程中形成的聚合物；用侧壁喷头喷洒去电离水对晶圆冲洗，清洗掉残留在晶圆上的聚合物清洗液；用摆臂喷头喷洒高压二流体去电离水和常压去电离水，对晶圆进行冲洗并旋转甩干。本发明巧妙地运用了聚合物清洗液可以与水互溶的原理，迅速采用可短时间内喷出的侧壁去电离水冲洗，可避免晶圆冲水不及时带来的胶颗粒残留问题，与现有MEMS晶圆清洗工艺相比，本发明能提高高温循环状态下聚合物清洗液的使用寿命；省去了传统工艺中的IPA冲洗工艺。不仅可以显著降低企业成本，还能减少IPA废液带来的环境污染，符合绿色发展的理念。

本发明公开了一种半导体导电薄膜线宽的在线测试结构及方法，在与待测半导体导电薄膜一端侧制备与其连成整体的圆形半导体薄膜，圆形半导体薄膜周侧设置四个接触电极，采用改进的四点探针法测量并计算得到接触电极的张开角度，进一步得到半导体薄膜的半导体方块电阻。然后通过对待测半导体导电薄膜施加电压，通过测量两电极之间的电流来计算其电阻值，最后由待测半导体导电薄膜的电阻和几何尺寸的关系得出半导体导电薄膜线宽的宽度值。本发明的测试结构采用基本的微机电加工工艺完成，加工过程与微机电器件同步，符合在线测试的要求。测试过程采用简单的直流电流源作为激励源，并仅需采用普通的电压测试设备，即可完成所有的激励与测试过程。

本发明提供一种负性光刻胶图形化膜层的制备方法，包括：1)在基底上形成负性光刻胶层，并对负性光刻胶层进行整面性的第一紫外光曝光以固化负性光刻胶层，然后烘烤去除负性光刻胶中的溶剂；2)于负性光刻胶层表面形成正性光刻胶层，并对正性光刻胶层进行掩膜版曝光及显影；3)采用干法刻蚀工艺将正性光刻胶中的图形转移至负性光刻胶层；4)对正性光刻胶层进行第二紫外光曝光，并采用显影的方式将正性光刻胶去除，以形成负性光刻胶图形化膜层。本发明提供了一种芯片制造过程中的工艺改良方案，可以采用负性光刻胶代替聚酰亚胺(PI)，使得生产过程中无需高温烘烤，避免产品受高温影响损伤，并达到代替聚酰亚胺支撑产品结构的目的。

本发明提供了一种MEMS芯片工艺加工用载具，可以通过将MEMS芯片固定安装于该载具上，使得MEMS芯片定位准确，固定稳固，从而提高了产品的良率。其包括载具本体，其特征在于：所述载具本体表面设有与MEMS芯片外形相对应的仿形区，所述仿形区分别设有与所述MEMS芯片的孔相对应的第一定位孔，所述仿形区上还设有通孔组，所述通孔组内的通孔分别与所述MEMS芯片的引脚相对应，所述载具本体的处分别设有第二定位孔，沿所述载具本体的底部的两个侧长边边缘处分别设有向内部延伸的缺口。

本发明公开一种微流道散热器的制备方法，包括步骤：制作微流道板，使微流道板具有若干沿其长度方向贯穿其的微流道孔；提供底板，在底板上开设一个十字形凹槽，并使凹槽距离较窄的相对两侧之间距离与微流道板宽度相匹配；将微流道板贴于凹槽中，并使微流道板的宽度方向两侧与凹槽的距离较窄的相对两侧分别抵接，同时使微流道板的微流道孔两端与凹槽的相对的两个侧壁之间分别形成空腔，并使微流道板上表面高于底板的上表面；提供材质与底板材质相同的盖板，将盖板通过密封胶贴于底板上，在底板或盖板上间隔开设两个通孔，使两个通孔分别与其中一个空腔连通。本发明可制得厚度薄、具有高效散热效果的微流道散热器，并能提高微流道散热器的生产良率。

本发明公开了基于空气模法的光滑倾斜底面微结构阵列表面制备方法，涉及功能表面制备技术领域。先制备出具有微孔阵列的表面；再制备出一辅助微结构聚合物模板，并对辅助微结构聚合物模板进行等离子体处理；经等离子体处理后的辅助微结构聚合物模板上均匀地铺展一层待成形的液态聚合物薄膜；在微孔阵列表面的空白处放置间隙小球；将铺展有液态聚合物薄膜的辅助微结构聚合物模板放置于微孔阵列表面上的间隙小球上，保持该状态送入真空干燥箱；进而加热固化聚合物材料，分离表面从而实现光滑倾斜底面微结构阵列表面的制备。本发明通过空气模法成形，使辅助微结构聚合物模板上的不够光滑的结构被成形聚合物填充完整，可有效提升微结构表面质量。

本发明公开了一种具有隔振板的MEMS器件，包括隔振板，以及设置于隔振板中心处的至少一个谐振元件。其中，隔振板包括围绕所述至少一个谐振元件的平面周期结构。平面周期结构包括多个相邻单元，每个单元均包括悬挂的质量元件，质量元件通过弹簧元件连接于单元的外框架，可沿各个空间方向移动。本发明的MEMS器件能够提高其MEMS谐振器的性能，可更有效地隔离MEMS器件与外界干扰振动，且对工艺变化和环境条件具有鲁棒性，能够广泛应用。此外，本发明的技术方案与标准MEMS制造技术相兼容，隔振板可以和MEMS器件通过标准MEMS制造工艺一同加工制造，制备方便。

本公开的各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置。所述微机电系统装置包括介电结构，介电结构设置在第一半导体衬底之上，其中介电结构至少局部地界定空腔。第二半导体衬底设置在介电结构之上。所述第二半导体衬底包括可移动体，其中可移动体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。防粘连结构设置在可移动体与介电结构之间，其中防粘连结构是第一硅系半导体。

本发明涉及纳米技术领域，公开了一种微纳制造装置。利用模板提供模块提供待形成图案的图案信息。将衬底固定于运动模块的运动台单元上，通过所述运动模块带动所述衬底按照所述图案信息进行运动。制造模块在所述衬底上定位至需要形成所述待形成图案的位置，并写入电荷以形成所述待形成图案。颗粒引入模块在待形成图案所在区域引入纳米颗粒以形成待形成结构。本发明提供的所述微纳制造装置可以完成从纳米级到厘米级及其以上的微纳结构静电纳米印刷制造，解决了扫描探针技术无法制造大尺度与跨尺度结构的问题，在实现厘米或更大范围内结构写入的同时，保证局部细节的精度在纳米尺度。

本发明提供一种可提高活动空间内部的真空度，可降低制造成本以及制造装置的引入及维护成本的MEMS器件的制造方法及MEMS器件。所述MEMS器件具有MEMS器件晶圆11及CAP晶圆12，所述MEMS器件晶圆在Si基板11a上形成有活动元件21，所述CAP晶圆12以形成活动空间13且覆盖所述MEMS器件晶圆11的方式而设置，所述活动元件21以可动的方式收纳于所述活动空间13中。CAP晶圆12为硅制，并具有以与活动空间13连通的方式形成的通气孔23。以将CAP晶圆12与MEMS器件晶圆11接合的状态，在氢气氛围中进行热处理，通过CAP晶圆12的硅的表面迁移来堵塞通气孔23，由此将活动空间13密封。

本发明提供了一种在钙钛矿薄膜表面制备同心环结构的方法，本发明在光刻胶上旋涂钙钛矿薄膜，将载有光刻胶和钙钛矿薄膜的基底上浸泡在有机溶剂中，洗去下层的光刻胶，取出后即可在钙钛矿薄膜上形成同心环结构。本发明利用光刻胶作为牺牲层制备钙钛矿薄膜同心环结构的方法，避免了传统光刻技术等损害材料功能的不利环境，有效地保护材料的功能性。全溶液旋涂，制备工艺简单，实现了一种大面积、低成本的钙钛矿薄膜同心环的制备工艺。

本申请公开了一种MEMS(微机电系统)结构，包括：衬底，具有贯穿的空腔；第一电极层，形成在所述衬底的正面上方并且覆盖所述空腔，其中，所述第一电极层的材料包括单层或多层二维材料；第一压电层，形成在所述第一电极层上方；第二电极层，形成在所述第一压电层上方。与传统的通过先形成振膜和压电单元而后湿法或干法蚀刻形成背面空腔的方法相比，本申请可以采用激光穿孔或是其他方式先在衬底上形成空腔，从而降低了制造成本，而且降低了传统的背面蚀刻给MEMS结构造成的损伤或性能退化的几率。

本发明公开一种光MEMS器件封装结构及其制备方法，包括玻璃盖板层、器件结构层与TSV盖板层；所述玻璃盖板层包括玻璃片，玻璃片底部设有环形的硅密封框，硅密封框的框底设有浆料键合密封环；所述器件结构层包括可动结构，可动结构顶面设有镜面金属层；TSV盖板层包括硅片，硅片中心设有与可动结构形成配合的凹腔；玻璃盖板层通过浆料键合密封环与器件结构层的顶部相键合；所述TSV盖板层顶部与器件结构层底部通过上、下键合锚点以及上、下金属键合密封环相键合；该封装采用晶圆级封装，解决了芯片级MEMS扫描镜封装体积大、成本高、效率低的缺点。