微观结构技术

本发明提供了一种大尺寸光学陀螺楔形腔及其制备方法和应用，其制备方法包括：依次在Si晶元表面构建SiO氧化层和掩膜层；采用接触式紫外曝光的方式对所述掩膜层进行光刻曝光处理，清除掩膜层中的多余部分；对所述SiO氧化层进行BOE腐蚀，在掩膜层内侧形成SiO楔形腔，随后清除附着在所述SiO楔形腔表面的掩膜层；采用XeF气体对所述Si晶元表面进行刻蚀处理，在所述SiO楔形腔内侧形成Si楔形腔。本发明解决了Si基材料中难以加工成型大尺寸的楔形腔的问题，可在Si基晶圆上实现特定倾角且表面平坦的楔形结构并获得超高品质因素的光学谐振，具有工艺简单、表面平整度高和易于实现等优点。

本发明适用于MEMS微细加工技术领域，提供了一种MEMS异形芯片的切割方法，包括：确定MEMS晶圆正面异形芯片的划片道、并制备分离槽，所述分离槽的深度大于所述异形芯片的厚度；在所述MEMS晶圆的正面粘贴第一胶膜，采用研磨的方法对所述MEMS晶圆的背面进行减薄加工，直至研磨掉所述分离槽的槽底；在减薄后的MEMS晶圆背面粘贴第二胶膜，剥离所述第一胶膜，得到多个独立的MEMS异形芯片。本发明通过在MEMS晶圆正面制备分离槽，反面研磨减薄，实现了异形芯片的分离。

一种形成超声换能器装置的方法包括将膜键合至衬底，以便在膜与衬底之间形成密封腔室。位于密封腔室内的暴露表面包括与腔室的底部电极电气隔离的吸气剂材料。

本发明公开了一种微纳复合结构的超疏水超疏油表面的制备方法。该方法先利用微纳加工技术中的光刻和深硅刻蚀工艺在硅表面制备悬垂微米柱阵列，然后通过银镜反应在微米柱顶部沉积纳米银颗粒，利用O等离子体刻蚀处理获得纳米复合结构，最后通过全氟烷基氯硅烷对获得的微纳复合结构进行低表面能修饰从而获得超疏水超疏油的功能性表面。本发明方法制备的微纳复合结构其微米/纳米结构形状、高度、疏密可调，具有操作简单、容易实现以及成本低等优点，可以获得很好的机械性能，在防污、自清洁、水油分离等方面有广阔的应用前景。

本发明提供一种微悬臂梁的制备方法，包括：提供一衬底，并在衬底的上表面外延生长AlGaAs薄层；在AlGaAs薄层的上表面旋涂第一光刻胶，并通过第一光刻掩膜板对第一光刻胶进行曝光、显影，得到光刻胶微悬臂梁图形；以光刻胶微悬臂梁图形为掩膜，对AlGaAs薄层和衬底进行刻蚀，并刻穿AlGaAs薄层且刻蚀部分衬底；将AlGaAs薄层氧化成AlO薄层；在AlO薄层和衬底的上表面旋涂第二光刻胶，并对二光刻胶层进行曝光、显影，以在AlO薄层一侧开设窗口；从窗口处侧向选择性腐蚀掉所述AlO薄层下部的部分衬底材料。本发明为微悬臂梁提供了一种新的可行制备方法和途径，主要制备得到以AlO作为材料的微悬臂梁结构、并以GaAs材料作为衬底，有效提升微悬臂梁的性能和灵敏性。

本发明的实施例涉及一种微机电系统(MEMS)包括电路衬底，设置在电路衬底上方的第一MEMS结构以及设置在第一MEMS结构上方的第二MEMS结构。本发明的实施例还涉及制造微机电系统的方法。

一种堆叠结构包含聚合物层和金属层。所述金属层安置在所述聚合物层上。所述聚合物层的表面上的毛刺长度为约0.8μm到约150μm，且所述金属层的表面上的毛刺长度为约0.8μm到约7μm。

本公开描述了一种氧化镁密封腔的制备方法，其包括：准备工序，准备第一氧化镁晶片和第二氧化镁晶片；图案化工序，对第一氧化镁晶片的掩膜层进行光刻形成预定的图案；刻蚀工序，使用磷酸溶液对第一氧化镁晶片进行湿法刻蚀，并去除掩膜层；以及键合工序，对刻蚀后的第一氧化镁晶片的带有腔体的一面进行表面处理，对第二氧化镁晶片的一面进行表面处理，并将第一氧化镁晶片的第一键合面与第二氧化镁晶片的第二键合面直接键合，以形成由第一氧化镁晶片和第二氧化镁晶片组成的密封体。由此，能够提高这种密封体的密封性能，且利用氧化镁的优良力学性能和动力学特性使其能够很好地适应高温高压下的工作环境。

一种条纹状结构的电热式扭转驱动器1，该条纹状结构的电热式扭转驱动器1的一端连接固定端2，另一端连接可动单元3，该条纹状结构的电热式扭转驱动器1由至少两种热膨胀系数不同材料组成的薄膜构成，分别为上层薄膜1‑1和下层薄膜1‑2，其中上层薄膜1‑1包含两个或两个以上的带状结构，该带状结构间隔排列在下层薄膜1‑2上，带状结构与其下部的下层薄膜1‑2组成扭转单元4，每个扭转单元4的中心线4‑1可为直线或曲线并与固定端2的端面形成倾斜角，当该条纹状结构的电热式扭转驱动器1温度变化时，该条纹状结构的电热式扭转驱动器1产生扭转，从而带动可动单元3转动。优点：解决了现有电热式MEMS驱动器不易扭转的技术问题，具有结构简单、易实现的特点。

一种电热式MEMS扭转驱动器，其特征在于该电热式MEMS扭转驱动器1由至少两种热膨胀系数不同材料组成的薄膜结构，该电热式MEMS扭转驱动器一端固定，另一端连接可动单元2，该电热式MEMS扭转驱动器中心线3不与固定端面垂直，且中心线3的斜率没有拐点，当电热式MEMS扭转驱动器1温度升高时，电热式MEMS扭转驱动器1绕x轴方向转动，从而带动可动单元2转动。优点：解决了现有电热式MEMS驱动器不易扭转的技术问题，具有结构简单、易实现的特点。

本发明公开了一种用于MEMS传感器刻蚀的散热补偿微结构。具体是通过在刻蚀热量集中区域，如梳齿空隙，梁结构周围等需要被刻蚀区域下方设计散热结构，散热结构连接结构层与基底层，在结构硅层刻通之前，反应产生的热量通过散热柱传递至基底；结构硅层刻通之后，反应离子将继续刻蚀散热柱，一方面不影响可动结构运动，另一方面可以解决反应离子经基底反射刻蚀结构层背面的问题。该方法优点在于结构简单，易于设计，效果明显，一致性明显，可以有效解决单锚点MEMS器件深硅刻蚀步骤的散热途径长，散热不均匀，不同部分过刻量不同以及表面刻蚀缺陷等问题。

本发明公开了一种超表面的制作方法。对衬底表面进行预处理；在衬底上形成一层基底层；在基底层上形成一层金属层；在金属层上形成亚波长纳米表面的图像转移层；依次对亚波长纳米表面的图像转移层、金属层、基底层进行刻蚀，直至将图像转移层上的亚波长纳米表面图形转移到基底层，并且在衬底表面上也得到亚波长纳米结构区；在上述衬底表面的亚波长纳米结构区上形成氮化硅材料的亚波长纳米结构超表面；去除衬底表面残留的基底层及基底层表面的氮化硅材料。本发明方法实现了超表面的制备，解决了光刻、刻蚀技术不能对刻蚀制备特殊超表面材料的纳米结构的问题，可以制备得到高深度的横向亚波长的超表面纳米结构。

本发明提供了一种航空用高频响压力传感器芯片，该压力传感器芯片包括单晶硅保护层、单晶硅压力敏感膜和SOI硅结构支撑层。本发明所提供的航空用高频响压力传感器芯片，设有三层结构，三层结构使得上下两层之间对称，解决了现有技术中的满量程输出与谐振频率相互制约的问题、满量程输出与非线性固有矛盾问题和满量程输出与过载很难同步提升的问题。

本发明公开了用于碱金属直充的原子气室制作一体化键合装置及方法，其装置包括：真空传送机构；用于实现碱金属直充氛围的保护机构；用于实现输送及碱金属直充操作的移物机构；以及，用于实现硅片和高硼硅玻璃阳极键合的阳极键合机构；保护机构包括底座和密封罩，密封罩密封罩设于底座以形成一封闭空间；移物机构和阳极键合机构均容设于封闭空间；真空传送机构与封闭空间连通；移物机构用于将硅片和高硼硅玻璃传送至阳极键合机构。本发明实现了原子气室制作的碱金属直充的制作氛围，同时其与真空传送机构还提供了洁净、干燥的传送氛围；实现了原子气室的阳极键合、封装、碱金属填充的集成化生产，自动化较高，生产效率和成品率良好。

本发明涉及生物芯片技术领域，具体是一种微珠芯片及其旋涂制备方法，所述的制备方法包括以下步骤：A、光刻胶蚀刻，B、旋涂法装载二氧化硅微球。采用本发明的旋涂法使微珠的入孔率达到99.8％‑99.99％，且能将所有没有压入小孔中的微珠100％清除，同时不影响已经固定好的微珠，入孔后稳定性好。

本发明涉及生物芯片技术领域，具体是一种微珠芯片及其垂直沉降制备方法，所述的制备方法包括以下步骤：A、疏水处理单晶硅板，B、光刻胶蚀刻，C、垂直沉降法装载二氧化硅微球。采用本发明的垂直沉降法使微珠的入孔率达到98％～99.4％，同时在保证压入率的情况下，尽可能的减少浪费的微珠，提高微珠的利用率，且能将所有没有压入小孔中的微珠100％清除，同时不影响已经固定好的微珠，入孔后稳定性好。

三轴加速度计包括单集成质量块，包括至少一个横向(x‑y)质量块和至少一个垂直(z)质量块。垂直质量块被布置为跷跷板质量块，其位于横向质量块内。垂直质量块使用一个或多个扭转弹簧机械地耦合到横向质量块，并且横向质量块使用一个或多个横向弹簧机械地耦合到一个或多个锚。所述至少一个垂直质量块可以围绕三轴加速度计的一个或多个轴对称地定位，使得3‑轴加速度计具有面内对称性。三轴加速度计可能不太容易受到机械串扰或噪声的影响，并且可以提供较小的封装解决方案来感测三个方向的加速度。

微电子机械系统(MEMS)装置包括：基板；安装在所述基板上的电子电路；安装在所述基板上的可移动元件，其中通过所述电子电路施加工作电压来控制所述可移动元件的运动；安装在所述基板上的止动件，其中通过所述止动件与所述可移动元件的机械接触来阻止所述可移动元件的运动；和自动检查机构，所述自动检查机构在所述可移动元件和所述止动件之间施加测试电压并确定是否存在泄漏电流。所述自动检查机构至少部分地安装在所述基板上。所述测试电压低于所述工作电压。

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明实施例提供一种微机电系统MEMS结构，其包含：装置衬底，其具有第一区及不同于所述第一区的第二区；罩盖衬底，其经接合于所述装置衬底上方；第一腔，其在所述第一区中且介于所述装置衬底与所述罩盖衬底之间，其中所述第一腔具有第一腔压力；第二腔，其在所述第二区中且介于所述装置衬底与所述罩盖衬底之间，其中所述第二腔具有低于所述第一腔压力的第二腔压力；钝化层，其在所述第一腔中；释气材料，其在所述钝化层上方，其中所述释气材料包括顶表面及经暴露到所述第一腔的侧壁。

本发明提出一种MEMS接触式开关及其制备方法，包括：帕尔贴制冷器；设置在所述帕尔贴制冷器的上表面的开关材料层；覆盖所述帕尔贴制冷器及所述开关材料层的上表面的传输电极层；形成在所述开关材料层的上表面并分隔所述传输电极层的毛细沟道；覆盖所述传输电极层，形成封有定量水气的密闭腔的封装管帽。本发明将MEMS开关与帕尔贴制冷器集成。开关中没有可动机械部件，没有材料磨损和机械粘连问题。开关的接触可靠性高，易于使用，且不易损坏。

通过对柔性基底进行预拉伸处理的同时在其表面点液态预聚物，通过利用点胶机的操作实现液态预聚物液滴大小和形状的控制，然后在一定温度下使预聚物固化后，释放预拉伸应力，得到柔性基底表面周期性排列的因为应力集中产生的具有凸点的凸结构，然后对其进行等离子体处理后喷贵金属，即得到具有表面微结构的高灵敏度柔性压力传感器。另外，通过对预聚物液滴大小和形状的控制，实现对柔性压力传感器的灵敏度调节。

本申请提供一种微纳米级台阶高度样板及其制备方法，该微纳米级台阶高度样板包括基座、台阶结构和防护层；台阶结构设置于基座上；防护层包覆基座和台阶结构，本申请还提供该微纳米级台阶高度样板的制备方法：包括以下步骤：对待加工材料粗切割，形成待处理样板，待处理样板包括基座和台阶结构；对待处理样板进行热处理；对经过热处理的待处理样板进行高精度磨床加工；对经过高精度磨床加工后的待处理样板进行表面黑色磷化处理，得到该微纳米级台阶高度样板；其中，微纳米级台阶高度样板的表面包括防护层。如此，本申请提供的微纳米级台阶高度样板样板表面具有漫反射表面特征，满足激光非接触式和其他类型扫描形式测量仪器的校准需求。

本发明公开了一种MEMS热电堆芯片器件结构及其制备方法，涉及微电子机械系统制造领域，解决了DRIE背腔刻蚀定义热偶的冷端和热端的尺寸变化误差影响器件参数的问题。本发明包括腐蚀自停止终端层受上下方结构隔断的间隙为内外两个空腔，所述腐蚀自停止终端层的材质在空腔氧化物释放时不参与反应；所述腐蚀自停止终端层圈定冷热端尺寸，两个空腔包括内腔和外腔，内腔对应热端尺寸，外腔对应冷端尺寸。本发明增加冷端的散热面积，提高器件的探测率和响应率，大幅降低支撑膜破膜几率，提高产品良率。

本发明公开了一种类金刚石保护薄膜及其制备方法，所述类金刚石保护薄膜由下而上依次包括微纳电子器件基材、绝缘层带、内应力缓冲层和耐磨层带；所述绝缘层带最下层为含硅薄层，然后依次交替分布有无掺杂DLC层及含硅薄层，所述内应力缓冲层由下而上依次包括H‑W:DLC层、M‑W:DLC层、L‑W:DLC层，所述内应力缓冲层最上层依次交替分布有金属层Ⅱ及S‑W:DLC层，所述类金刚石保护薄膜的最上层为S‑W:DLC层。上述镀层可以采用包括PLD在内的物理气相沉积方法依次镀制得到，在制备过程中通过采用不同浓度的钨掺杂的DLC层及微浓度的钨掺杂的DLC层，制备得到的类金刚石薄膜具有绝缘、导热、耐磨类的特性，能够满足电子器件的使用需求及微型化发展方向，具有广阔的应用前景。

本发明公开一种高精度多晶低电阻的制造方法，属于MEMS工艺领域。该方法用离子注入提高了电阻精度：因离子注入可以精准控制注入离子种类、能量和剂量，从而可以精确控制电阻的阻值，提高了电阻的精度，使得精度小于1%；注入前退火：目的是使多晶硅晶粒变大，改变了多晶晶格结构，使得带隙减小，便于注入离子激活；注入后退火：目的是修复晶格损伤，使注入离子移动到晶格点，将离子激活，从而通过两次退火降低了多晶硅电阻阻值，可以使得阻值降低至40Ω以内；并且通过SiO2层有效阻止了注入离子反扩。

本发明公开了一种基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器阵列、制备方法及应用，属于气体检测技术领域。阵列包括阵列式排布的基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器，每个气体传感器包括硅晶圆基片以及自下而上排布在在硅晶圆基片上的ONO介质层、加热电极、绝缘层、测试电极和气敏材料，加热电极和测试电极均通过硅通孔引至硅晶圆基片的下表面。本发明提供的气体传感器阵列能够降低成本，缩小器件尺寸，提高器件性能稳定性和一致性，实现传感器阵列，并降低器件功耗。

本发明提供一种MEMS封装结构及其封装方法，其中的封装结构包括引线框架、设置在所述引线框架的ASIC芯片，其中，所述引线框架与部分所述ASIC芯片注塑形成具有腔体的预封体；在所述预封体的腔体的底部设置有MEMS芯片，其中，所述MEMS芯片通过金线与所述ASIC芯片未注塑的部分相连接；在所述预封体的腔体内设置有包裹所述ASIC芯片和所述MEMS芯片的灌封胶，其中，所述灌封胶，用于保护所述ASIC芯片和所述MEMS芯片的表面，以及所述金线与所述ASIC芯片、所述MEMS芯片相连接的位置。利用本发明，能够解决现有的封装工艺无法满足汽车电子传感器MEMS封装结构可靠性的要求的问题。

本发明公开一种基于MEMS技术的无磁电加热器的加工方法，包括在单晶硅片或陶瓷、玻璃基底表面加工电阻层：进行光刻、显影，离子铣，旋涂光刻型聚酰亚胺薄膜。然后在已经加工完的基底表面的背面，重复上述工艺进行背面金属层的制备以及表面绝缘层加工。本发明能有效抵消通电过程中产生的磁场，解决了双层金属之间的电绝缘问题。

本发明提供一种MEMS芯片及其制作方法、MEMS麦克风。其中，所述MEMS芯片主要包括：振膜、与振膜相对设置的背极以及二者之间的振动间隙；所述振膜、所述背极及所述振动间隙形成电容器结构；所述振膜、所述背极的部分表面设有XeF阻隔层，所述振动间隙通过XeF干法化学腐蚀的方法释放多晶硅牺牲层形成。本发明采用的XeF干法化学各向同性腐蚀方法，与常见的湿法腐蚀和干法物理刻蚀相比，具有工艺简单、选择比高、无离子轰击和无结构粘附等优点，有利于减少MEMS芯片在加工过程中的损伤，提高MEMS芯片的成品率和可靠性。

本发明公开一种转移纳米结构的方法及其应用，属于纳米材料领域。制备基体为与纳米结构结合力差的材料；在目标基体上均匀旋涂界面粘合层，使目标基体与界面粘合层充分接触；将涂有界面粘合层的目标基体与制备基体上的纳米结构表面充分接触，形成粘合组装结构；将粘合组装结构置于紫外光光照下；调整粘合组装结构中的目标基体的位置，使纳米结构从制备基体剥离。本发明能够实现纳米结构的无损转移，且转移后不改变纳米结构的光学与电学等性能，同时，本发明具有成本低，可操作性强等特点，具有广阔的应用前景。

本发明公开了一种基于浓硼掺杂的MEMS感压薄膜的制备方法，通过采用浓硼掺杂技术中自停止腐蚀工艺可精准控制薄膜厚度，可制备微米级薄膜，从而提高电容测量重复性，有效保证真空计实际生产制备；同时采用硼硅玻璃去除方案，能够有效去除薄膜表面生成的硼硅玻璃，消除硼硅玻璃造成的杂生电容影响，同时，可有力保证薄膜与玻璃的后续键合工艺品质。

本发明提供非制冷探测器的晶圆级封装方法，包括：提供红外探测器晶圆和SOI硅片；在SOI硅片的Si器件层表面形成留有图形化刻蚀窗口的光刻胶层，并刻蚀去除与刻蚀窗口对应的Si器件层，进行腐蚀去除与刻蚀窗口对应的SOI硅片的第一氧化层，形成深腔结构，再去除光刻胶层；在深腔结构的底面上形成第一增透膜层；在SOI硅片上的Si器件层上形成第一键合环；在红外探测器晶圆上形成第二键合环；释放微结构；将盖帽硅片和红外探测器晶圆进行对位键合。还提供非制冷探测器及其制备方法。本发明的封装方法工艺周期短、成本低、封装效果好，得到的非制冷探测器的窗口表面平整、透射率高，探测器产品使用寿命长，小型化满足市场需求。

本发明公开了基于梳齿局部氧化的MEMS高低梳齿结构的制作方法，涉及半导体工艺制造领域，该方法包括：在第一硅圆片上生长介质层，在介质层上旋涂光刻胶并图形化，刻蚀介质层和结构层，去胶得到下梳齿区域和镜面区域，在结构层上旋涂光刻胶并图形化，刻蚀第一硅圆片露出中间埋氧层，去胶得到下梳齿结构，通过硅的局部氧化工艺在下梳齿结构表面以及第一硅圆片的裸露硅表面上生长保护层，去除介质层，将第一硅圆片与第二硅圆片进行硅硅键合，去除第二硅圆片的衬底层和中间埋氧层，在第二硅圆片上旋涂光刻胶并图形化；刻蚀第二硅圆片的结构层，去胶得到上梳齿结构和可动镜面结构，该方法在刻蚀上梳齿时通过保护层保护下梳齿不被刻蚀或腐蚀损伤。

本发明提供了一种超滑滑块的制备方法，包括如下步骤：从超滑岛的侧边推动超滑岛，使得超滑岛分离为第一部分和第二部分，且第一部分和第二部分未完全分离；侧推力撤除后，超滑岛自动回位；从超滑岛的顶部继续推动超滑岛，使得第一部分和第二部分完全分离，分离后的第一部分或第二部分为超滑滑块。本发明提供的超滑滑块的制备方法，将侧推超滑岛和顶部推动超滑岛的方法相结合，避免了单一方向推动超滑岛导致的滑块的屈曲失稳、超滑岛旋转以及超滑岛的损伤的问题，大大的提高了超滑滑块制备的成功率。

本发明公开了一种垂直芯片电子封装及其制造方法，涉及半导体技术领域，基板，形成于基板上的多个焊块，对称设置在基板上第一垂直芯片和第二垂直芯片，及设置在第一垂直芯片和第二垂直芯片之间的多个水平芯片，第一垂直芯片、第二垂直芯片与多个水平芯片之间均设置有导电板，多个水平芯片通过多个绝缘支架堆叠在一起。本发明能够在无需制作硅通孔的情况下将多个水平芯片堆叠在一起，并实现各水平芯片之间的垂直互联、两个垂直芯片与多个水平芯片之间的垂直互联，以及两个垂直芯片之间的垂直互联等多种垂直互联方式，能够避免制作硅通孔过程中对芯片集成电路的破坏，封装工艺简单、成本低、系统的整合度与效能高，能够有效减小垂直芯片封装体积。

本申请涉及一种表面结构、表面结构制备方法以及医疗设备。表面结构包括第一层结构与第二层结构。第一层结构设置于医疗设备的表面。第一层结构具有多个间隔设置的微米级结构。第二层结构具有多个间隔设置的纳米级结构。多个纳米级结构设置于多个微米级结构表面。当微米级别的微生物沉降在医疗设备的表面时，多个微米级结构可以阻止多种大范围尺寸的微生物沉降和粘附。通过多个微米级结构，不会存在化学抗菌剂，能够有效减少微生物的粘附。通过微米结构和纳米结构形成了微纳多级结构，形成了超疏水表面，能够实现表面超疏水功能。通过多个纳米级结构与多个微米级结构可以实现绿色无污染长效抗菌易清洁的功能，不会对人体和环境造成不良影响。

本发明提供了一种射频开关的加工工艺，包括如下步骤：提供基底、转移滑动部件、设置固定胶层、弹性件成形和释放弹性件，朝向原子级平整面上设置固定胶层，固定胶层覆盖原子级平整面和滑动部件；在固定胶层上刻蚀形成用于形成弹性件的凹槽，并朝向凹槽内填充弹性件材料，形成弹性件；去除固定胶层并释放弹性件。本发明提供的射频开关的加工工艺，能够加工出带有弹性件的射频开关，弹性件位于滑动部件的一侧，能够对滑动部件的移动进行限定，避免出现滑动速度过快产生冲击和碰撞的问题，且弹性件的生产和加工过程均不会破坏基底的表面平整度，在射频开关中使得滑动部件与弹性件之间可以构成简单的弹簧‑质量振子系统。

本发明涉及MEMS器件封装技术领域，尤其是一种MEMS风速风向传感器的封装方法，包括如下步骤，将芯片阵列粘接在刚性基板上；芯片衬底之间填充塑封材料；去除刚性基板；对芯片阵列进行切割成单个的塑封成型芯片；塑封成型芯片上粘接软边带；连接软边带与芯片的金属引脚；粘接盖板将芯片封装在盖板中。本发明通过用塑封基板来代替传统封装中的陶瓷基板，可以有效降低器件的功耗。利用激光划片或机械划片来对芯片阵列进行切割，使芯片位于塑封基板的中心位置，能够减小芯片的偏移，使得测量结果更为精确。

本发明公开了一种用于晶圆芯片探针结构的加工方法，步骤一：卷料线材的选用；步骤二：整直及切割；步骤三：热处理加硬；步骤四：一次电镀隔氧化；步骤五：直向式角度研磨；步骤六：微雕蚀刻；步骤七：表面清洗抛光；步骤八：依要求客制折弯探针；步骤九：二次贵金属电镀；步骤十：探针检测，此用于晶圆芯片探针结构的加工方法，微蚀刻可控制针尖大小，范围可达1um至15um之间，后工序增加金属电镀针体(铑、镍、铂、钯或金)，可让针体表面可达800维式硬度，且选择的贵金属都是高导电和耐磨的特性，故验证过后，可大幅提升探针对晶圆芯片的测试寿命。

本发明公开了一种具有柔性连接结构的电热MEMS微动平台，包括引线电极、衬底、两种或多种材料层结构的电热驱动臂、可动结构、衬底端连接结构和可动端连接结构；所述电热驱动臂的一端通过衬底端连接结构连接到衬底，另一端通过所述可动端连接结构连接到所述可动结构；所述衬底端连接结构和/或所述可动端连接结构为柔性连接结构；所述柔性连接结构主要由有机聚合物材料构成；所述电热驱动臂中包含内置电阻；所述衬底端连接结构包含导电引线，将所述内置电阻与所述衬底上的引线电极相连；所述可动结构可以是一个微平台、一个透镜、一个反射镜面、一个框架等。本发明能够显著提高电热MEMS微动平台的抗冲击能力。

本发明属于半导体的技术领域，公开了一种新型红外探测器，包括设置在带处理电路的衬底上的微桥谐振腔结构，所述微桥谐振腔结构包括牺牲层、支撑与电连接孔和功能层，所述牺牲层采用碳基材料制成，所述功能层覆盖在整个微桥的表面，并将填充在支撑与电连接孔内的牺牲层封住。本发明的整个微桥谐振腔结构的表面膜层结构更加简化，从而降低微桥结构应力平衡的难度，同时降低额外膜层带来的成本，大幅度提升产品的性能，极具应用前景。

本发明提供了一种应用于高温压力传感器的金属微电极及其制备方法，该金属微电极包括：衬底；粘附层；形成在所述衬底上；至少一层金属层，位于所述粘附层上方；所述金属层的材料为铂族金属中的至少一种；金属焊接层，位于所述金属层的上方。该金属微电极为采用衬底、粘附层、金属层和金属焊接层形成的增强黏附性的低应力复合膜层，并且金属层采用耐高温难熔金属作为基础材料，提高了高温压力传感器的稳定性和可靠性。

本发明提供一种传感模块、半导体装置封装以及其制造方法。所述传感模块包含传感装置、第一保护膜和第二保护膜。所述传感装置具有有源表面和与所述传感装置的所述有源表面相邻安置的传感区域。所述第一保护膜安置在所述传感装置的所述有源表面上且完全覆盖所述传感区域。所述第二保护膜与所述第一保护膜和所述传感装置的所述有源表面接触。

本申请公开了一种铟柱的及其制备方法。该方法包括：在衬底上涂覆第一光刻胶；对涂覆第一光刻胶后的衬底进行泛曝光；在第一光刻胶上涂覆第二光刻胶；对旋涂了双层光刻胶的衬底进行局部曝光，以光定义铟柱的位置和形状；对曝光后的样品进行显影，获得含有底胶和底切结构的胶结构；对第二光刻胶的第二通槽对应的底胶和第二通槽的边缘进行刻蚀，暴露出边缘修饰后的第二通槽所正对的衬底；蒸发镀铟，在定义图形位置处沉积铟柱；释放第一光刻胶和第二光刻胶，得到铟柱。本发明提供的方法只需要一次显影和一次去胶剥离，工艺简单且可以通过调整第一光刻胶层厚度来实现不同厚度铟柱的制备，并且得到的铟柱的形貌好，且实际尺寸与定义的尺寸一致。

本发明提供了一种带有过刻蚀阻挡层的MEMS结构及其制备方法，包括上层器件层、底层衬底层和中间的锚区层，通过衬底层和器件层晶圆键合与刻蚀技术，形成由锚区支撑的可动质量块结构。与传统SOG结构的带电极引出的可动质量块结构相比，本发明在器件层底部生长过刻蚀阻挡金属层，当刻蚀深度达到器件层厚度时，过刻蚀阻挡层能阻挡进一步刻蚀，避免损伤衬底层，且不会产生反溅。与在衬底电极层表面生长刻蚀阻挡层相比，该过刻蚀阻挡层具有更好的阻挡效果，且能避免刻蚀聚合物沉积在结构底部；完成结构加工后通过湿法腐蚀等方式选择性去除过刻蚀阻挡层，即可得到最终需要的MEMS产品结构。

本发明属于微纳米加工与应用领域，涉及一种高透明超双疏表面的方制备法。具体步骤如下：在基底上涂覆高分子层，而后涂覆相分离共混薄膜，再以反应离子刻蚀技术进行选择性刻蚀形成T型纳米柱凹角结构，该纳米柱短程无序长程有序的分布，可有效消除周期性微纳结构因光学衍射产生的宏观彩虹效应，结合光捕获作用实现高透明性，在表面修饰1H,1H,2H,2H‑全氟癸基三氯硅烷单分子层后，即可实现超疏水超疏油性能。该制备方法具备过程快速简单、低成本、低毒性等优点，可应用于触摸屏显示领域和可穿戴设备等自清洁表面、流体减阻等方面，应用前景广阔。

本发明涉及一种具有超双疏性的复合凹角微米结构的制备方法，具体步骤为：在衬底表面蒸镀硅层，于表面旋涂光刻胶并固化，利用光刻工艺将掩模板图案传递至光刻胶，经过显影后，以图案化的光刻胶为刻蚀掩模，再利用深硅刻蚀工艺将光刻胶微米结构传递至硅基底，利用深硅刻蚀工艺特性及其对光刻胶与硅的选择性横向刻蚀，获得T型多层沟槽微米复合结构，在表面修饰1H,1H,2H,2H‑全氟癸基三氯硅烷单分子层后，即实现稳定的超疏水超疏油性能。所制得的纯微米复合凹角结构，具有优秀的超双疏性能和良好的耐磨性，制备方法简单适合批量生产，可应用于工业生产以及日常生活等领域的自清洁表面，应用前景广阔。

本发明公开了一种MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构，属于半导体技术领域。所述MEMS器件晶圆级封装方法包括，在盖板基板的第一端沿第一预设位置的外周开设开槽；第一端安装载板使第一预设位置的盖板基板连接在载板上；去除盖板基板的与第一端相对的第二端的材料，使开槽为通槽；在盖板基板的第二端的第二预设位置设置第一胶层；MEMS晶圆包括器件结构和设置在器件结构四周的金属垫，第一预设位置对应的盖板基板和第一胶层封装器件结构，金属垫与通槽相对设置；去除载板。所述MEMS器件晶圆级封装结构通过上述的MEMS器件晶圆级封装方法制成。本发明的MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构，简化工艺，封装效率高，结构尺寸小。

本发明公开了一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，属于MEMS器件的封装技术领域。所述MEMS器件的晶圆级封装方法包括，硅本体的端面上设有氧化硅层，在氧化硅层的端面上设置第一金属层，第一金属层设置在载体上；沿第二预设区的外周去除硅本体及氧化硅层的材料，使第一金属层背离载体的端面露出；在第三预设区设置第二金属层，第二金属层与第一金属层接触连接；MEMS晶圆与第二金属层粘接；去除载体，ASIC芯片与第一金属层粘接，在第一金属层上焊锡。所述MEMS器件的晶圆级封装结构通过上述的封装方法制成。本发明的MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构，结构体积小，生产成本低，生产效率高。

本发明公开一种基于胶粘层的GaN基HEMT器件柔性转移方法，包括：对生长在衬底上的GaN基HEMT器件进行清洗和烘干；所述GaN基HEMT器件是Ga极性的；将酚醛树脂胶旋涂到所述GaN基HEMT器件上，使所述酚醛树脂胶形成多层胶粘层，并所述多层胶粘层的胶层总厚度大于厚度阈值；对所述GaN基HEMT器件先后进行温度为第一加热阈值、第二加热阈值的热烘，完成固化；将所述衬底从所述GaN基HEMT器件上去除，把所述GaN基HEMT器件转移到去离子水中进行清洗；对所述GaN基HEMT器件进行倒装完成极性转化后，将所述GaN基HEMT器件转移到新的柔性衬底上。本发明实施例通过引入一定厚度的胶粘层，支撑和保护GaN基HEMT器件在衬底剥离和整个柔性转移的过程中不被应力破坏。