微观结构技术

本发明涉及光电部件(11)或MEMS装置用的气密壳体(10a)，其配置为形成其中低压或真空为主的腔室(12)，所述气密壳体包括：对感兴趣的至少一个波长(λ)透明的光学窗口(14)；和吸气剂材料层(15a)，其配置为捕获存在于该腔室中的气体并沉积在与腔室相对的光学窗口上。该吸气剂材料的厚度(e)大于60纳米，孔隙率(P)在10至70％的范围，从而满足以下关系：式(I)，其中λ对应于所述感兴趣的至少一个波长，k对应于所述光学窗口的所述感兴趣的至少一个波长用的所述吸气剂材料层的材料的消光系数，

一种微流体致动器装置，包含承载板、微流体致动器、微流体致动器、电极接垫及静电防护电路。微流体致动器设置于承载板上，用以输送流体。微控制器用以控制微流体致动器的开启或关闭。电极接垫设置于承载板上，并与微流体致动器相应电性连接。静电防护电路与电极接垫电性连接。

本发明公开了一种MEMS应力隔离机构及其设计方法，属于MEMS机械设计领域，主要由环形或正多边形结构以及分布在波腹点和波节点的锚点构成。在MEMS器件加工或工作过程，由于多种材料膨胀系数失配和温度效应，MEMS器件会受到残余应力和热应力影响。基于环形或正多边形结构的驻波特性，将波腹点与基板锚点相连，将波节点与被保护MEMS器件的锚点相连，可以实现MEMS器件基板与内部被保护MEMS器件间的应力隔离。本发明结构简单，应力隔离效果好，可应用于各类MEMS器件的机械设计中。

本发明公开了一种兼容MEMS工艺的背部悬膜气体传感器制备方法，在硅片正面制备SiO和SiN，退火、光刻得到敏感材料图形；溅射敏感材料；剥离退火光刻，得到加热丝及引线盘、测试电极及引线盘图形；蒸镀Cr粘接层和Au层，热处理匀涂光刻胶；再在硅片背部悬膜采用干法刻蚀SiN—湿法腐蚀SiO—干法刻蚀Si的工艺制备，完成背部悬膜气体传感器的制备。该方法在背部悬膜结构释放掉导热好的Si，在气体传感器工作时极大的减少了热量散失，低功耗下即可工作，节能环保，降低了使用成本，易于封装，解决低功耗气体传感器与MEMS工艺不兼容的问题。

本发明公开了一种基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，包括以下步骤：制备母模具；制备PDMS软模具；制备掩膜层微结构；微结构刻蚀转移。本发明实现了硅基底/碳化硅基底上连续曲面微结构的一次成型制造，并且工艺性良好，适于大批量生产；通过调节抗蚀层和基底的刻蚀比例，可以实现连续曲面微结构按比例转移到基底上，转移后的微结构尺寸可控。

本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法，该制造方法包括：在第一衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成功能层；在功能层的表面的键合区上形成金属保护层；去除部分功能层形成第一通道；经由第一通道去除部分牺牲层形成空腔，以释放部分功能层形成可移动质量块；形成第一有机膜，第一有机膜覆盖金属保护层、功能层的表面、第一通道与空腔的内表面；加热第一有机膜，以使金属保护层上的第一有机膜的有机分子被破坏；以及去除金属保护层，以暴露键合区。该制造方法通过去除金属保护层将其上的有机膜去除，从而暴露出键合区，其他区域的有机膜被保留，兼顾了键合与保护的功能。

本发明公开一种传感器封装结构及其制作方法和电子设备，其中，传感器封装结构包括罩盖、基板、传感器芯片、ASIC芯片及塑封层，所述基板与所述罩盖围合形成容置腔；所述传感器芯片设于所述容置腔内；所述ASIC芯片设于所述容置腔内，并与所述基板和传感器芯片均电连接；所述塑封层覆盖所述ASIC芯片的部分背离所述基板的表面。本发明技术方案的传感器封装结构可改善点胶方式的保护层对其他芯片和金属线的污染，提高产品良率。

本发明公开一种传感器芯片、传感器和电子设备，其中，传感器芯片包括：基板；集成电路，所述集成电路设于所述基板上，所述集成电路设有通孔；第一电极，所述第一电极设于所述基板，并位于所述通孔内；第二电极，所述第二电极在所述通孔内与所述第一电极相对设置形成电容结构；以及防水膜层，所述防水膜层设置于所述集成电路背离所述基板的表面。本发明技术方案使传感器芯片防水效果好的同时，简化封装工艺，降低成本。

本发明提供了一种MEMS绝压式压力传感器及其加工方法，该传感器包括玻璃盖板、硅感压膜和玻璃衬底；硅感压膜一面与玻璃衬底阳极键合，形成两个连通的真空参考腔，另一面与玻璃盖板阳极键合，形成两个独立的开放式气体感压结构，两个连通的真空参考腔与两个独立的开放式气体感压结构上下对应，并与硅感压膜构成串联互感双电容结构，硅感压膜上加工有引线电极，用于引出气压检测信号。外部气压通过开放式气体感压结构施加在硅感压膜上，与真空参考腔形成压差使硅感压膜变形，继而改变了硅感压膜与玻璃衬底之间电容极板间距，使电容值发生变化而反应外界气压大小；基于上述传感器的加工工艺步骤少，合格率极高，产品长期稳定性好，便于大规模批量生产。

本发明提供一种半导体封装，包括多个第一芯片、多个硅穿孔、至少一绝缘体、第一电路结构以及第一密封体。第一芯片电性连接至多个硅穿孔且包括具有传感区的第一有源面、第一背面以及从第一背面朝向第一有源面延伸的多个通孔。绝缘体配置于第一芯片的第一有源面上。第一电路结构配置于第一芯片的第一背面上且电性连接至多个硅穿孔。第一封装体侧向包封第一芯片。一种半导体封装的制造方法亦被提出。

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例的半导体器件的制造方法包括在衬底上依次形成牺牲层和结构层；以及在所述牺牲层的侧壁上形成金属层，其中，所述牺牲层和所述结构层上形成有台阶结构；通过溅射生长的方式在所述台阶结构上形成所述金属层。根据本发明实施例的半导体器件及其制造方法，采用金属层保护不希望去除的牺牲层，金属层的覆盖性和致密性好，保护效果好。

本申请公开了一种MEMS传感器及其微机电结构、微机电结构的制造方法。该微机电结构包括：背板，具有至少一个通孔；感应膜，包括运动区、非运动区、连接运动区与非运动区的梁结构，运动区与背板构成可变电容；至少一个连接柱，每个连接柱的一端与感应膜的运动区固定连接；以及至少一个可动结构，分别位于相应的通孔中以与背板分离，每个可动结构与相应的连接柱的另一端固定连接，其中，可动结构在感应膜上的正投影与部分非运动区重合。该微机电结构通过可动结构对感应膜的形变程度进行限制，从而提高MEMS传感器的抗机械冲击能力。

本发明公开了一种MEMS器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，包括下层的支撑层，上层的器件层以及位于所述支撑层和器件层之间的绝缘层；在所述器件层中形成微机械结构，所述微机械结构包括固定部分和可动部分；提供一上基板，将所述上基板通过键合的技术形成在所述器件层上以形成一个密封的腔体，所述腔体用于容纳所述微机械结构的可动部分；在所述上基板中形成连接至所述微机械结构的导电通道，以将所述微机械结构引出至所述腔体之外。本发明通过键合的方式形成的腔体具有低张应力，还可调节腔体内的环境压力，且本发明的工艺简单，使得工艺成本更低。

本发明提供一种MEMS器件和电路器件的集成结构及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，包括下层的支撑层，上层的器件层以及位于所述支撑层和器件层之间的绝缘层；在所述器件层中形成微机械结构，所述微机械结构包括固定部分和可动部分；提供一上基板，将所述上基板通过键合的技术形成在所述器件层上以形成一个密封的腔体，所述腔体用于容纳所述微机械结构的可动部分；以及在所述上基板中形成电路器件。本发明将MEMS器件和电路器件进行单片集成，提高了集成度，降低了工艺复杂度以及制造成本。

本发明提供一种图形化Ag薄膜的制备方法，该制备方法包括以下步骤：制备Ag薄膜；在Ag薄膜表面预形成图形化样式的部分涂覆光刻胶；将Ag薄膜未涂覆光刻胶的部分进行氧化处理至该部分转变成AgO薄膜；将AgO薄膜进行腐蚀处理至AgO薄膜消失；将剩余带有光刻胶的Ag薄膜进行光刻胶去除，即得。本发明可精准控制Ag薄膜上图形化部分的样式和尺寸，并且应用在芯片上可以提高芯片的电性能或者光反射率。此外，本发明的制备方法工艺稳定，腐蚀一致性好，适合批量化生产。

本发明提供了一种复合柔性衬底及其制作方法，包括：包括多个金属基体模块和多个聚合物基体模块，其中：金属基体模块与聚合物基体模块按照规律交错排布，以使任意两个聚合物基体模块被金属基体模块间隔开；金属基体模块与聚合物基体模块的接触面进行固定连接；交错排布的金属基体模块与聚合物基体模块共同构成长方体的金属‑聚合物复合柔性衬底。

本发明涉及一种微机电结构(1)，具有布置在所述微机电结构(1)的腔(2)中的功能元件(3)，其中，所述功能元件(3)具有氮化铝层(4)，其特征在于，所述腔(2)通过罩层(5)封闭，其中，所述罩层(5)具有外延硅。此外，提出一种用于制造微机械结构(1)的方法。

本发明提供了一种超滑片的自动加工方法，包括预推、分离和分离的步骤，能够实现超滑片的自动加工、超滑判断以及超滑片的自动转移，在进行超滑片的分离前，先进行预推再将超滑片进行分离，能够自动化的验证超滑岛的超滑性能，还可以将第一部分和第二部分预分离，提前判断超滑片的超滑性能，验证超滑后再进行分离和转移，能够有效地提高加工出的超滑片的良品率，提高生产和加工的效率。

一种封装环境传感器包括支撑结构和传感器裸片，该传感器裸片包含环境传感器，并且被布置在支撑结构的第一侧面上。控制芯片耦合到传感器裸片，并且被布置在支撑结构的与第一侧面相反的第二侧面上。盖子接合到支撑结构的第一侧面，并且在与支撑结构相反的方向上朝向外部开口。传感器裸片被容纳在盖子内。

本发明的一种耐高温压力传感器及制造方法涉及无引线封装结构半导体压力传感器和制造方法，目的是为了克服现有压力传感器的无引线封装对封装材料间的热膨胀系数匹配性要求高，无法长期稳定地在宽温区范围内使用的问题；其中耐高温压力传感器包括：MEMS芯片的正面设有多个槽孔；槽孔能够露出金属电极；管座包括管座外壳、导电管脚和内部支撑体；管座外壳为两端开口的中空柱状壳体；导电管脚的一端为圆柱螺旋线状，通过内部支撑体与管座外壳固定于一体；导电管脚的一端穿过并露出于内部支撑体的一端端面，形成凸出的插入连接部；MEMS芯片的正面通过软胶层固定于内部支撑体的一端端面；插入连接部一一对应地插入槽孔中与对应的金属电极电气连接。

本发明公开一种芯片封装工艺和芯片封装模组。其中，该芯片封装工艺包括以下步骤：将ASIC芯片贴装于基板上，并在ASIC芯片与基板之间形成有间隙；将MEMS芯片贴装于ASIC芯片背离基板的一侧；通过键合方式将金线连接基板和MEMS芯片；将填充胶填充于间隙；将封装壳体设于基板上，并与基板围合形成容纳腔，使ASIC芯片、MEMS芯片和金线容纳于容纳腔内。本发明通过将底部填充步骤放在金线键合后面，即便发生溢胶也不会对MEMS芯片与基板的电性能产生影响。

一种电容式换能装置，包括基板、下电极、振荡元件、上电极以及多个封孔结构。下电极配置于基板。振荡元件包括振荡部、连接部以及多个穿孔。振荡部藉由连接部连接于下电极以形成空腔。上电极配置于振荡部，振荡部位于上电极与下电极之间。多个封孔结构配置于振荡元件。多个封孔结构分别沿第一方向延伸穿过多个穿孔。第一方向垂直于基板的延伸方向，且第二方向垂直于第一方向。其中，基板与下电极在第二方向上重叠于多个穿孔的一部分在第一方向上的高度总和小于基板与下电极在第二方向上未重叠于多个穿孔的另一部分在第一方向上的高度总和。

本发明提供了一种结构色功能纳米结构及其制备方法，其中，该结构包括：介质衬底；位于介质衬底上的超表面结构，用于选择性的反射入射光；其中，超表面结构包括：金属膜，位于介质衬底上；介质层，位于金属膜上；金属纳米颗粒阵列，位于介质层上。

本发明首先涉及机械微系统(1)，包括：一对弹性可形变元件(11，12)，将可形变元件连接在一起的机械铰链(13)，以及至少两个电活性层(14，15)。该微系统配置成：将所述可形变元件之一从静止位置(其中可形变元件落入平面中)移出平面之外的形变引起在两个电活性层之一中的电流循环，和/或反之亦然。每个可形变元件具有彼此相对并基本平行于该平面的正面(111，121)和背面(112，122)。第一电活性层与第一可形变元件一起布置在其背面(112)上，并且与第一电活性层不同的第二电活性层在其正面121上具有与第一可形变元件不同的第二可形变元件。该机械微系统能够产生可变形元件在静止平面之外的运动，这些运动是对抗性的以实现双金属效应。

公开了一种微型静电电动机，其包括具有第一面和第二面并且具有腔室的主体。第一隔膜设置在主体的第一面上方，并且可旋转的盘围绕一构件设置在圆形腔室中。盘设置在圆形腔室中，并可绕所述构件自由旋转。该盘在其第一表面上具有一组三个的相互电隔离的电极，每个电极具有一个凸片部分并与该部件电隔离。第二隔膜设置在主体的第二面上方，并且一对间隔开的电极设置在第二隔膜的部分上，该一对间隔开的电极通过该对电极之间的间隙绝缘。圆柱形构件设置在腔室中，与盘上的三个相互电隔离的电极电隔离。

本发明公开了一种人工传入神经、仿生感知系统和人工传入神经的制备方法，该人工传入神经包括：柔性衬底载体；设置于所述柔性衬底载体一侧的传感器、数模转换模块以及人工突触器件；所述传感器用于感知环境信息，并将感知的所述环境信息转换为模拟信号；所述数模转换模块用于将所述模拟信号转换为数字信号；所述人工突触器件用于将所述数字信号转换为仿生物神经信号。本发明实施例提供的技术方案，可实现面向仿生感知系统的人工传入神经的构建和性能的调控；从而实现如嗅觉、触觉、听觉等神经感知信号与生物体信号的互联。

本发明公开一种MEMS传感器和应用该MEMS传感器的电子设备。其中，MEMS传感器包括外部封装结构、MEMS芯片、防水透气膜以及以及发热模块，外部封装结构的内部形成有收纳腔，外部封装结构开设有与收纳腔连通的透气孔；MEMS芯片设于收纳腔内，并与透气孔连通设置；防水透气膜设于外部封装结构的外表面，并罩盖透气孔；发热模块设于透气孔内，且仅占据部分透气孔的透气通道。本发明的技术方案可使MEMS传感器在涉水后能够快速恢复使用。

本发明公开一种麦克风封装工艺和麦克风封装结构，所述麦克风封装工艺包括：在装片膜上开孔，形成通孔；将所述装片膜贴附于MEMS芯片，以使所述通孔与所述MEMS芯片的音孔对应；将所述MEMS芯片贴装于基板；将ASIC芯片贴装于所述基板；将封装壳体设于所述基板上，并与所述基板围合形成容纳腔，使所述ASIC芯片和所述MEMS芯片容纳于所述容纳腔内。本发明旨在提供一种可方便监控胶层，且有效避免溢胶的麦克风封装工艺，该麦克风封装工艺可有效提高麦克风封装结构的声学性能。

本发明涉及一种微机电系统换能器封装结构，包括叠设置的第一基板、粘合支撑层和第二基板，所述粘合支撑层用于粘合所述第一基板和所述第二基板，并且所述粘合支撑层、所述第一基板和所述第二基板之间形成空间间隙。本发明提供的封装结构，在第一基板和第二基板之间设置粘合支撑层以牢固粘合第一基板和第二基板，并使粘合支撑层、第一基板和第二基板之间形成空间间隙，当外力撞击该封装结构时，能够借助于形成的空间间隙缓冲外力的撞击，进而提高了封装结构的抗撞击能力，增强了封装结构以及显示装置的稳定性和可靠性。

本发明公开了一种半导体结构及其制作方法。其中，半导体结构包括器件层、隔绝层、腐蚀阻挡层、自限制腐蚀腔、第一腐蚀腔和衬底，器件层位于衬底的第一侧，自限制腐蚀腔位于衬底的第二侧，隔绝层和腐蚀阻挡层位于自限制腐蚀腔靠近器件层的一侧，且自限制腐蚀腔位于隔绝层和腐蚀阻挡层所限定的空间内，第一腐蚀腔位于自限制腐蚀腔远离器件层的一侧，且第一腐蚀腔与自限制腐蚀腔连通。本发明提供的半导体结构及其制作方法，通过使衬底的第二侧的自限制腐蚀腔由衬底的第一侧形成腐蚀阻挡层所限定，使得衬底的第一侧和第二侧的图案均可在衬底的第一侧进行定位和对准，且自限制腐蚀腔不受双面光刻的误差影响，提高了自限制腐蚀腔和器件层的对准精度。

本发明公开一种防水气压计加工工艺和防水气压计，所述防水气压计加工工艺包括：在基板上形成有多个封装区和多个连接筋，每一所述连接筋连接相邻两个所述封装区；将多个芯片分别贴装于多个所述封装区；将金线连接于每一所述芯片和所述封装区；将多个外壳分别贴装于多个所述封装区，每一所述外壳与一所述封装区围合形成容纳腔，以使所述芯片和所述金线容纳于所述容纳腔内；通过冲裁方式切割所述连接筋，以形成多个防水气压计。本发明旨在提供一种能够有效保护防水气压计防水胶的防水气压计加工工艺，该防水气压计加工工艺在加工过程中有效避免了产品散落丢失等问题。

本发明公开了一种3d微电极的制备方法，包括以下步骤：(1)制备3d微电极的3d模型；(2)在所述3d模型上浇铸柔性材料，脱模后形成具有空腔的柔性模具，所述柔性模具的所述空腔与所述3d模型能够贴合；(3)对所述柔性模具进行硅烷化处理，然后在所述柔性模具具有所述空腔的一面浇铸柔性材料，脱模后形成柔性3d微电极基底；(4)在所述柔性3d微电极基底上制备导电层，形成3d微电极。本发明采用3d打印技术和两次倒模的方式，能够制备出超高微柱高度的3d微电极，同时由于使用柔性材料作为基底，形成的3d微电极具备低成本、快速、高精度和柔性的特质，可用于在可穿戴设备上的电化学分析领域。

一种制作毛细管内部微液滴的装置，其特征在于，包括毛细管、弹性梁和固定底座，弹性梁的一端与固定底座固定连接，另一端与毛细管固定连接。

本发明公开了连续离子液相制备纳米薄膜的自动化设备，包括密封舱，密封舱内依次设有第一烧杯、第二烧杯、第三烧杯和第四烧杯，密封舱内设有运行控制系统、环境控制系统和视频监控系统。密封舱外设有中央控制系统和数据采集系统，运行控制系统、环境控制系统、视频监控系统和数据采集系统均与中央控制系统相连接。同时，本发明还公开了连续离子液相制备纳米薄膜的自动沉积方法。本发明通过中央控制系统设置导电玻璃衬底在各个溶液中的沉积时间和沉积循环周期，可以调节纳米薄膜的成分和厚度，有效提高制备纳米薄膜的实验效率，同时可以提高纳米薄膜沉积的精准度，具有极大的实用经济价值。

本发明提供一种传感器封装结构、传感器封装结构制作方法和电子终端，传感器封装结构包括封装盖板、固定于封装盖板的声电转换芯片、固定于声电转换芯片远离封装盖板一侧表面并与声电转换芯片电连接的处理芯片、吸气结构以及与吸气结构电连接的激活吸气结构的电连接件。处理芯片设有第一通孔，电连接件设置在第一通孔内。处理芯片上设有开口朝向声电转换芯片的凹槽，吸气结构设置在凹槽内。处理芯片以及声电转换芯片连接形成第一腔，吸气结构用于吸收第一腔内的空气。封装盖板以及声电转换芯片连接形成第二腔，封装盖板设有与第二腔连通的第二通孔。该传感器封装结构有利于提高传感器的性能。

本发明提供一种自带聚光结构的微机电红外光源及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：形成第一结构层，自下而上依次包括衬底层、支撑层及黑体辐射层，衬底层中设有真空腔体，支撑层中设有通孔；形成第二结构层，其中设有聚光腔，聚光腔的内壁设有反射层；形成第三结构层，其包括滤光层；通过第一接合层键合第一、第二结构层，通过第二接合层键合第二、第三结构层，第二结构层位于第一、第三结构层之间，真空腔体、通孔及聚光腔依次连通，聚光腔的底部暴露出黑体辐射层，第三结构层封闭聚光腔的顶部开口。本发明中，聚光结构在芯片上直接集成，具有高集成度、低制造成本、高度一致性、良好封装气密性、更好的红外辐射效果的优势。

本发明提供了一种大尺度超滑器件及其加工方法，其包括至少两个超滑片，和设于所述超滑片顶部的连接层，所述连接层具有粘结区和加高区，所述粘结区位于相邻的两个超滑片之间，所述加高区位于所述超滑片的上方，所述粘结区的下表面高于所述超滑片的底面，能够将不同高度的超滑片转移到同一平整的基底上之后，通过粘结剂将若干个零散的超滑片连接成一个大尺寸的超滑器件，不仅能够应用于大尺寸需要超滑的器件中，且可以连接层还可以为柔性的衬底，能够形成为柔性超滑片。

本发明公开了一种人工突触器件和人工突触器件的制备方法，该人工突触器件包括：柔性衬底；一对电极，在平行于柔性衬底的平面内相对设置；阻变层，包括依次设置的第一子层和第二子层；第一子层分别覆盖两个电极的部分区域，第二子层在柔性衬底上的垂直投影与第一子层在柔性衬底上的垂直投影重合；其中，第一子层包括二维材料或一维材料，第二子层包括离子导电型的聚合物电解质材料；第二子层的离子种类、离子浓度以及迁移率可调控。本发明实施例提供的技术方案，能较好地模拟生物突触的工作机制，通过对第二子层的调控，可模拟生物体中不同种类的离子、生物配体等；第一子层也可模拟细胞膜内生物受体的功能，从突触工作机制角度实现仿生设计。

本发明公开了一种气密性射频MEMS器件的制作方法及气密性射频MEMS器件，其中，该方法包括如下步骤：在衬底圆片上加工出TGV填实通孔结构；沉积生长出第一SiO介质层，加工出传输线路及第一焊盘；沉积生长出第二SiO介质层，加工出层间互联通孔结构；沉积生长出第三SiO介质层，加工出下拉电极和第二焊盘；沉积生长出第四SiO介质层，加工出接触凸点；沉积牺牲层，加工出键合环、锚点和上极板；释放牺牲层；制作封装盖板；进行圆片级金属键合；进行晶圆级植锡球并进行划片，从而得到最终的所述气密性射频MEMS器件。该方法制作出的气密性射频MEMS器件结构可靠，气密性好，射频性能好，寄生效应低，生产效率高，生产成本低，适于批量生产。

本发明公开了一种新型MEMS传感器敏感结构的封装结构，包括敏感结构和封装基板，所述敏感结构与封装基底之间设置有多个均匀分布的支撑结构，所述支撑结构粘接于敏感结构的衬底底面与封装基底的上部，所述支撑结构为球体，直径为0.1mm±0.05mm。通过局部五点粘接，可以减少MEMS陀螺敏感结构底部与陶瓷基板之间产生的热应力对陀螺性能的影响；通过在粘胶中间加小直径玻璃珠作为缓冲，可以提高MEMS陀螺仪的抗高过载能力。

本发明提供了一种微机电结构及其机械性能的调控方法，所述调控方法包括：对电极上电，驱动质量块在垂直第一方向上运动，其中第一方向为所述微机电结构的结构功能方向；当所述质量块在垂直第一方向上发生的位移增大至触发锁止组件的两部分锁定，以使得所述质量块上的部分锁止组件与所述质量块在垂直第一方向的运动路径上的另一部分锁止组件锁合，所述质量块连接固定于垂直第一方向的运动路径上的另一部分锁止组件后在垂直第一方向上停止运动，所述微机电结构在第一方向上的机械性能改变。通过以上方式，在外加的第二电极的驱动下，能够不可逆的改变质量块在第一方向上运动时支撑悬臂梁的总刚度，形成不同性能的微机电结构。

一种微机电致动装置，包括：一基板，具有一贯穿空腔；一锚体，设置于该基板上；一第一框体，围绕该锚体而设置；以及一弹性支撑体，连接于该第一框体与该锚体之间，并使该第一框体悬浮于该基板上，其中：该贯穿空腔具一第一面积；该第一框体在该基板具一第二投影面积；以及该第一面积与该第二投影面积具一重叠部分。

本公开涉及致动器及包含致动器的芯片。本发明提供一种直线致动器。直线致动器包括：具有一空腔的一基板；形成于该基板上的一第一固定电极结构；一弹性悬挂装置；以及通过该弹性悬挂装置连接到该基板的一可动电极结构，其中：该空腔具有一第一面积；该第一固定电极结构与该可动电极结构的至少其中之一在该基板上具有一第二投影面积；以及该第一面积与该第二投影面积互相重叠。直线致动器可以制造出一种出平面直线运动马达，其具有大运动行程、冲击力强、易于去除残留的制程污染物、机电能量转换效率的提高、以及可动梳状结构的离轴运动解耦合。

本发明涉及一种用于在第一晶片和第二晶片之间建立晶片连接的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供第一材料和第二材料以形成共晶合金，‑提供第一晶片，该第一晶片具有用于凸模结构的接收结构，‑用所述第一材料填充所述接收结构，‑提供具有凸模结构的第二晶片，其中，在所述凸模结构上布置所述第二材料，‑提供在第一晶片和/或第二晶片上的止挡结构，使得在这两个晶片接合时提供限定的止挡，‑至少将所述第一材料和第二材料至少加热到所述共晶合金的共晶温度，‑将所述第一晶片和第二晶片接合，使得所述凸模结构至少部分地插入到所述接收结构中，其中，确定所述止挡结构、所述接收结构、所述凸模结构的尺寸以及第一材料和第二材料的量，使得在这两个晶片接合之后，这两个材料的共晶合金保留在所述接收结构内并且所述凸模结构至少部分被所述共晶合金包围。

一种形成声学换能器的方法包括提供基板以及在基板上沉积第一结构层。选择性地蚀刻第一结构层，以在第一结构层上形成封闭沟槽或封闭柱中的至少一者。在第一结构层上沉积第二结构层，并且第二结构层包括分别与封闭沟槽或柱对应的凹陷或凸块。将至少第二结构层加热至高于第二结构层的玻璃化转变温度的温度，从而致使第二结构层回流。在第二结构层上沉积振膜层，使得振膜层包括与凹陷对应的面向下的褶皱或与凸块对应的面向上的褶皱中的至少一者。释放振膜层，由此形成悬在基板上方的振膜。

本发明涉及一种用于制造MEMS传感器的方法，其包括下述步骤：提供衬底，在衬底的后侧上施加承载层，在衬底中这样构造至少一个空腔，使得从前侧构成通向到后侧的入口，将MEMS结构引入到至少一个空腔中，和将MEMS结构固定在承载层上。(图1)。

本发明提供了一种带有硅通孔的硅MEMS微结构的加工工艺，用于在硅结构内加工形成硅槽和硅通孔，包括在硅结构晶圆一侧制作光刻胶和第一铝或钛金属膜，加工后分别作为硅通孔和硅槽的刻蚀工艺图形掩模，同时在硅结构晶圆另一侧淀积第二铝或钛金属膜作为刻蚀阻挡层。本发明中，采用的铝或钛金属膜与硅具有良好的黏附性，且在硅刻蚀过程中具有很高的刻蚀选择比；在硅硅结构晶圆单侧制作刻蚀图形掩模，并在另一侧制备刻蚀阻挡层，从单侧进行硅刻蚀能够避免通孔刻蚀穿通后晶圆背面气体漏率增大，造成由于刻蚀均匀性需继续刻蚀时，刻蚀速率异常和图形陡直度变差问题；采用金属膜作为刻蚀阻挡层，能够避免通孔底部电荷积累造成的刻蚀结构底部损伤问题。

本发明提供了一种MEMS传感器，包括：基板与盖板；基板包括MEMS结构，围绕MEMS结构设置的第一内焊接环、以及围绕第一内焊接环设置的第一外焊接环；盖板包括第二内焊接环，与围绕第二内焊接环设置的第二外焊接环；基板与盖板通过第一内焊接环与第二内焊接环焊接在一起形成第一密封结构，第一密封结构将MEMS结构限定在真空腔体内；基板与盖板通过第一外焊接环与第二外焊接环焊接在一起形成第二密封结构，第二密封结构与第一密封结构之间形成真空夹层腔体。根据本发明的实施例，可极大降低气体的漏率，提高MEMS传感器的可靠性和寿命。

本发明提供了一种MEMS传感器及其制作方法，MEMS传感器包括：基板与盖板；基板包括MEMS结构、围绕MEMS结构设置的第一焊接区，以及位于第一焊接区的第一焊接环；盖板包括第二焊接区，以及位于第二焊接区的第二焊接环；基板与盖板通过第一焊接环与第二焊接环焊接在一起形成密封结构，以将MEMS结构限定在真空腔体内；第一焊接区与第二焊接区中的至少一个具有沿周向分布的环状凹槽或环状凸起，第一焊接环保形地位于第一焊接区上，第二焊接环保形地位于第二焊接区上。根据本发明的实施例，可降低气体的漏率，提高MEMS传感器的可靠性和寿命。

本发明属于微纳米材料光学领域，具体涉及一种玻璃表面修饰掩膜进行刻蚀亚波长周期性阵列的方法。一种掩膜刻蚀制备亚波长周期性阵列的方法，包括以下步骤：将硅酸盐玻璃原片分别用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇清洗、烘干；用匀胶机选取乙醇乙二醇分散好的二氧化硅分散液，其中二氧化硅小球直径在200‑500nm；待分散液中溶剂挥发完成；在等离子体刻蚀仓中进行刻蚀，刻蚀气体CHF、CF任意一种或二者的组合，流量为45‑80sccm，刻蚀功率为75‑90W；清洗、烘干。本发明的优点在于：工艺简单；可以在不同种类的玻璃表面制备均匀亚波长微结构；减低反射效果好，单面空气‑玻璃反射从5.5％有效降低到3.2％以下，利于实现光学元件的集成。