微观结构技术

本发明公开了一种柔弹性导电微纳柱体的制备方法及其应用。该微纳柱体板由微纳柱体和底板一体化构成，其微纳柱体垂直竖立于底板表面，且微纳柱体顶端含有荧光标记。本发明制备得到的微纳柱体板具有柔弹性、导电性的特点，而且其微纳柱直径尺寸小，可满足各类精细检测和操作，灵敏度高，微柱顶端可被荧光物质选择性标记，微柱下平面可为绝缘材料(不完全刻蚀掉模板层)，微柱长度与微孔膜厚度可随意且精确调节，制备工艺可靠稳定，具有极高的应用价值。

本发明涉及一种纳米线MIM阵列器件的制备方法，采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列，利用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀氧化硅与金属层，形成金属层纳米线MIM阵列器件阵列，再做金属接触互联工艺，最后制备出高纯度、无损伤、有序垂直排列的纳米线MIM阵列。与现有技术相比，本发明有益的技术效果为：本发明提供的纳米MIM阵列位置，尺寸和距离可控，能实现大规模的均匀的纳米MIM制备，可以控制硅纳米MIM阵列的有序分布，可获得较高、较纯的纳米MIM结构，对纳米MIM阵列几何形状的精确控制，制备效率高。

本发明涉及一种垂直纳米线阵列的制备方法，采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列，利用氧化硅与氮化硅的选择比及二次侧墙阵列交叉位置的高度差的反应离子刻蚀(RIE)刻蚀，形成氮化硅纳米点阵列，再以氮化硅点阵列为掩膜刻蚀衬底硅，形成垂直纳米线阵列，最后通过酸性溶液腐蚀残留的氮化硅和氧化硅，制备出高纯度、无损伤、有序垂直排列的硅纳米线。

本发明涉及一种垂直纳米网的制备方法，采用两次自对准的侧墙转移技术工艺形成纳米尺度两层侧墙交叉阵列，利用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀氧化硅与氮化硅，形成氮化硅纳米网阵列，再以SiNx纳米网阵列为掩膜刻蚀衬底硅，形成垂直纳米纳米网阵列，最后通过酸性溶液腐蚀残留的氮化硅和氧化硅，制备出高纯度、无损伤、有序垂直排列的硅纳米网阵列。

本发明公开一种外部封装结构、应用该外部封装结构的MEMS传感器以及应用该MEMS传感器的电子设备。其中，外部封装结构包括电路板，电路板具有器件安装面，器件安装面设有封装区域，封装区域的四个角的外侧分别设有一应力集中孔。本发明的技术方案可改善电路板因封装工艺步骤中例如切割、烘烤等原因而产生的形变，从而提升MEMS传感器的输出精度。

本发明公开了一种压力传感器封装模组，包括PCB基板、ASIC芯片、MEMS压力感应芯片及MEMS底座；所述ASIC芯片固定连接于所述PCB基板上；所述PCB基板上包括与所述MEMS底座配合设置的预置通孔，所述MEMS底座穿过所述预置通孔贯通所述PCB基板；所述MEMS压力感应芯片设置于所述MEMS底座上，且与所述ASIC设置于所述PCB基板的同一侧；所述MEMS底座包括接触通孔，待测流体通过所述接触通孔对所述MEMS压力感应芯片施压；所述MEMS底座为耐腐蚀底座。本发明简化了封装件的做造工艺，提高了生产效率，降低了耐腐蚀材料的用量，进而节省了成本，提升对MEMS压力感应芯片的保护效果。

本发明公开了一种自定义金属微纳米片的制备方法，清洗衬底之后旋涂有机胶材料，通过微纳加工技术设计结构、制备掩模，蒸镀金属，去除有机胶材料，在金属结构和衬底之间形成间隙层，利用锥形探针转移金属结构。通过微纳加工技术制备所得金属结构，操作简便，对所需结构的可控性、可重复性高，制备所得的结构具有原子级平整的低粗糙度表面，避免附带杂质，洁净度极高。

本发明公开了一种用于蘑菇头微柱阵列制造的精密蘸取机构及方法，包括微调部件、蘸取夹具、工作台、载具和高速摄像机，其中：所述微调部件包括微调旋钮和齿轮；所述蘸取夹具为一个柱状结构，柱状结构的侧面设置有齿条，齿条与齿轮相啮合，柱状结构的底部设置有载物台；所述工作台包括一个箱体和底座，底座位于箱体下方，箱体的顶面开设有上部通孔，箱体的底面开设有下部通孔，蘸取夹具位于箱体内；底座中心处开设有通光孔；所述载具为一个透明平板，透明平板上放置有一个表面光滑的玻璃基板；所述高速摄像机位于通光孔下方。本发明的辅助蘸取机构操作简单，具有较高的精度通过调节微调螺旋，可以对实际接触量进行精确控制。

一种装置包括衬底、形成于所述衬底上的第一电极和形成于所述衬底上的结构层。所述结构层包括可移动块和固定部分，所述可移动块悬挂在所述衬底上方并且所述第一电极置于所述衬底与所述可移动块之间。第二电极与所述可移动块的上表面间隔开一间隙，并且锚固件将所述第二电极耦合到所述结构层的所述固定部分。一种方法涉及将所述第二电极的形成集成到形成所述第一电极和所述结构层的晶片工艺流程中。

本发明提供了具有梳齿状折流凸起结构的微通道散热器，包括微通道基体，所述微通道基体包括若干平行间隔阵列排布的微槽道，所述微槽道沿着高度方向的横截面为倒梯形，并且所述微槽道的两侧壁面周期性交错排布若干梳齿状折流凸起结构，可显著增大换热面积、破坏流体正常流动、增强扰流，实现强化换热。制备时，先加工出具有反向类梳状结构的压印模芯；将模芯与基板对准、定位，通过热压印得到具有类梳状折流凸起结构的微通道基体；最后将其进行密封封装得到上述微通道散热器。本发明解决了阵列大面积异形微通道一次加工成形的难题，具有过程简单，成本低、效率高的优点。

本发明的课题在于，提供与未添加镱的氮化铝的压电体相比具有高的压电常数d或g的添加了镱的氮化铝的压电体和使用了该压电体的MEMS器件。本发明的解决方法在于，由化学式AlYbN表示，x的值处于大于0且小于0.37的范围，且晶格常数比c/a处于1.53以上且小于1.6的范围。这样的压电体具有比未添加镱的氮化铝的压电体高的压电常数d或g。

本发明实施例提供了一种低可靠性失效管芯的标注方法和装置，该方法包括：根据第一晶圆图获取若干第一管芯；第一管芯通过预先进行的第一低可靠性失效标注被认定为低可靠性失效，第一低可靠性失效标注基于晶圆功能测试的结果进行；对若干第一管芯进行可靠性测试，获得可靠性测试结果；根据可靠性测试结果和所述晶圆功能测试的结果，确定第二低可靠性失效标注依据的第一数值边界。

本发明公开了一种压电微机械执行器，属于压电微机械技术领域，解决了现有技术中的压电微机械执行器在工作中输出位移性能受限的问题，本发明包括基座，所述基座内部连接有对称的两个驱动台，所述两个驱动台分别连接有两弹簧梁，两弹簧梁连接有同一位移台，所述位移台的底面上连接有质量块，位移台与基座相对的两侧上开设有多个通气槽，所述通气槽相对的基座上连接有与通气槽数量匹配的调节柱。本发明设计了质量块/位移台、弹簧梁、驱动台为核心的三级位移放大机构，提高了压电微机械执行器的输出性能。

本发明公开了一种光学芯片及其生产方法，一种光学芯片，包括：衬底层、一对转轴和微镜；所述微镜通过一对所述转轴被锚定在所述衬底层上，一对所述转轴分布在所述微镜的两侧；其中，在外加电场或磁场的作用下，所述微镜发生转动，一对所述转轴向远离所述衬底层的方向发生弯曲从而形成拱形。本发明的有益效果：一对所述转轴向远离所述衬底层的方向发生弯曲从而形成拱形，通过改变转轴的形状抑制所受外力导致转轴的向下弯曲变形，从而增大旋转角度的范围。

本申请涉及一种光子传感芯片制备方法，在BCB胶层上成型通气孔或者第二硅基材料上设置等压孔，通过通气孔或者等压孔使空腔与外部保持压力相等，能够有效避免空腔内外部存在压差而导致结构破裂。本申请还提供一种由上述方法制备得到的光子传感芯片，具有良品率高的优点。

本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法及半导体装置。半导体装置的形成方法包含将第一半导体基板的第一表面接合至第二半导体基板的第一表面，且在第一半导体基板的第一区中形成一空腔，其中形成空腔包括：供应钝化气体混合物，在空腔的底表面及多个侧壁上沉积钝化层，其中在钝化层的沉积时，钝化层在空腔的底表面上的沉积速率与钝化层在空腔的多个侧壁上的沉积速率相同；以及使用蚀刻气体蚀刻第一半导体基板的第一区，其中蚀刻气体是与钝化气体混合物同时供应，蚀刻第一半导体基板的第一区包括在垂直方向蚀刻的速率大于在水平方向蚀刻的速率。

本发明实施例公开了一种空腔结构的制备方法和微机电系统传感器，空腔结构的制备方法包括提供衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置有凹槽结构；在第一表面一侧制备至少两层平坦化层，平坦化层覆盖第一表面以及凹槽结构；平坦化层包括有机材料层，位于所述第一表面一侧的平坦化层的厚度小于位于凹槽结构一侧的平坦化层的厚度；减薄平坦化层以暴露出第一表面，平坦化层填充凹槽结构；在第一表面以及平坦化层表面制备悬空膜，并在悬空膜中制备窗口；通过窗口去除凹槽结构内的平坦化层，得到空腔结构，采用上述技术方案，空腔结构制备工艺简单，制备成本低。

本申请涉及一种光学微纳结构的制备方法，通过获取异质复合衬底；异质复合衬底从上至下依次包括薄膜层、绝缘层和支撑衬底；薄膜层由硅材料制成；对异质复合衬底进行离子束切割，得到光学微纳结构；光学微纳结构包括由于离子束切割造成的损伤层，损伤层位于薄膜层；对光学微纳结构进行退火处理，于损伤层的位置处形成二氧化硅层；二氧化硅层的厚度大于损伤层的厚度；去除二氧化硅层，使得损伤层一并去除，得到未被损伤的光学微纳结构。如此，可有效去除离子束对材料的损伤，从而得到高性能光学微纳结构。

本发明提供的是一种微米级硅基微热板精确温控系统。其特征是：所述的微米级硅基微热板精确温控系统由硅基底座1、加热电阻2，接触电极3、4、5、6，承重梁7、8、9、10，一字梁11、12，腐蚀窗口13，绝热层14组成。本发明使用多晶硅薄膜作为加热电阻2，多晶硅薄膜相对于金属导体具有较高的电阻值，可以保证在输入0V‑5V的电压下微米级硅基微热板的表面温度控制在0‑80℃的范围内。本发明使用二氧化硅薄膜作为绝热层14，因二氧化硅的具有较高硬度，可以稳定地支撑上部的加热电阻和加热器件，同时由于二氧化硅的低热导率可以有效地减少微热板的热损耗，起到保温隔热效果，也可增加微热板的灵敏度和使用寿命。本发明适用于基于二氧化钒等相变材料所制造的温控半导体器件，以实现温度的精准控制。

本发明涉及一种基于蓝宝石衬底的AlON矩形纳米阵列及其制备方法，该制备方法包括步骤：S1、在蓝宝石衬底的表面进行氮离子注入；S2、对经过氮离子注入的蓝宝石衬底进行退火处理，形成AlON矩形纳米阵列框架；S3、在AlON矩形纳米阵列框架上生长AlN；S4、对AlN进行原位高温退火，形成AlN高温保护层和AlON矩形纳米阵列，其中，AlON矩形纳米阵列嵌入蓝宝石衬底，AlN高温保护层位于AlON矩形纳米阵列上和蓝宝石衬底上；S5、在AlN高温保护层上制备HVPE‑AlN保护层。该制备方法制备得到了一种既保证蓝宝石衬底表面原子级光滑平整又可以稳定提升AlN材料质量和衬底出光效率的微/纳米结构蓝宝石图形化衬底。

本发明涉及一种背衬型高频宽带PMUT单元及PMUT阵列，PMUT单元包括依次叠层的基底(1)、电隔离层(2)、下电极(3)、压电层(4)、上电极(5)、钝化层(6)和引线层(7)，所述的基底(1)上从其底部沿轴向向上开设有一盲孔式空腔形成背腔，所述的背腔中填充背衬材料(8)。PMUT阵列包括若干按行列依次排列的PMUT单元。与现有技术相比，本发明背衬结构可以将PMUT阵列带宽提高一倍以上，并且同时满足相控阵对单元间距的要求。

本发明涉及一种用于传感器或麦克风设备的微机械组件，其具有膜片载体结构、构造在膜片载体结构中并与膜片内侧邻接的空腔和分离沟道，膜片载体结构具有构造在膜片载体结构的表面上的膜片，分离沟道穿过膜片载体结构的表面地结构化并且延伸至空腔并完全包围膜片，分离沟道通过至少一种分离沟道封闭材料以介质密封的方式和/或以空气密封的方式被密封，至少一个蚀刻通道在所述膜片载体结构中与分离沟道分开地构造，其分别从其第一蚀刻通道区段延伸至其第二蚀刻通道区段，第一蚀刻通道区段通到所述空腔中，第二蚀刻通道区段分别通过至少构造在膜片载体结构的表面的外部部分面上的至少一个蚀刻通道封闭结构以介质密封和/或空气密封的方式密封。

本发明实施例提供一种换能器元件及其制备方法、换能器，涉及换能器技术领域，可以解决换能器灵敏度较低的问题。该换能器元件，包括多个阵元；所述多个阵元中的至少一个阵元包括依次层叠设置在衬底上的第一电极层、振膜层以及第二电极层；所述第一电极层和所述第二电极层相互绝缘；所述振膜层包括多个工作区域；所述工作区域在所述衬底上的正投影与所述第一电极层、所述第二电极层在所述衬底上的正投影均具有重叠区域；位于工作区域的所述振膜层与所述第一电极层之间设置有空腔，位于所述工作区域的所述振膜层可在所述第一电极层和所述第二电极层的作用下，沿垂直于所述衬底的方向振动；所述振膜层仅在位于所述阵元的边缘的位置包括多个镂空区域。

本发明提供了一种微机电系统MEMS装置，包括：第一固定梳齿，第二固定梳齿，支撑梁，活动平台和活动梳齿；其中：所述第一固定梳齿和第二固定梳齿固定在基板上，所述第一固定梳齿和第二固定梳齿之间电学隔离；所述支撑梁的两端固定在基板上，所述活动平台连接在支撑梁上；所述活动梳齿连接在所述活动平台上，并与所述第一固定梳齿和第二固定梳齿形成三层梳齿结构。这样的结构提高了MEMS装置的驱动效率。

一种制作电热式MEMS驱动臂的方法，包括如下步骤：1）、选择高阻硅作为衬底；2）、在衬底上进行图形化，形成预先设计的导电回路图形的掩模；3）、使用注入法或扩散法对衬底进行掺杂，形成导电回路，该导电回路作为加热电阻层；4）、在加热电阻层上制作绝缘材料作为绝缘层；5）、在绝缘层上制作高热膨胀系数的材料作为第一结构层；6）、刻蚀衬底的底部，留下设定厚度的高阻硅作为第二结构层；7）、在衬底的上部按照预先设计的MEMS驱动臂形状进行正面图形化刻蚀；最终完成该电热式MEMS驱动臂的制作。优点：硅既作为结构层的同时，由作为加热电阻层，免除了还要做加热电阻层的麻烦，简化了电热式MEMS驱动臂的加热电阻层的工艺步骤，提供了效率。

一种使用SOI圆片制作电热式MEMS驱动臂的方法，包括如下步骤：步骤1）、选择SOI圆片作为衬底1；步骤2）、对顶硅层1‑3进行离子掺杂形成低阻硅，作为加热电阻层4；步骤3）、在加热电阻层4上制作绝缘材料作为绝缘层5；步骤4）、在绝缘层5上制作高热膨胀系数的材料作为第一结构层6；步骤5）、刻蚀衬底1的底部至氧埋层1‑2；步骤6）、在衬底1的上部按照预先设计的MEMS驱动臂形状进行正面图形化刻蚀；最终完成该电热式MEMS驱动臂的制作，其中步骤5）和步骤6）可以互换。优点：硅既作为结构层的同时，又作为加热层，免除了还要做加热层的麻烦，采用离子注入的方法制作加热层，简化了电热式MEMS驱动臂的加热层的工艺步骤，提供了效率。

本发明公开一种具有气密空腔的微机电装置，其中该微机电装置包括一基板、一固定电极、一可动电极及一加热器。基板包含一上表面、一内底面及一内侧面。内侧面环绕且连接内底面。内侧面及内底面定义一凹槽。固定电极设置于内底面。可动电极覆盖凹槽。可动电极、内底面及内侧面定义一气密空腔。加热器位于可动电极上且位于气密空腔上方。

本发明实施例公开了一种红外热电堆传感器、芯片及其制备方法，红外热电堆传感器包括多个红外热电堆像素，红外热电堆像素包括衬底。衬底包括第一区域和第二区域。位于衬底一侧且位于第一区域的第一悬空膜以及位于衬底一侧且位于第二区域的第二悬空膜。位于第一悬空膜远离衬底一侧的N型热电堆、P型热电堆和开关电路。开关电路位于N型热电堆和P型热电堆之间。位于第二悬空膜远离衬底一侧的悬臂梁和开关信号导出结构，开关信号导出结构与开关电路电连接。通过将开关电路设置在N型热电堆和P型热电堆之间，有利于减少红外热电堆传感器的面积，提高红外热电堆传感器的填充因子，进而提升其灵敏度，降低制造成本，实现小型化。

本发明实施例公开了一种红外热电堆传感器、芯片及其制备方法，红外热电堆传感器包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域，第一区域设置有悬空膜；位于悬空膜一侧且位于第一区域的多个加热电阻，位于悬空膜一侧且部分位于第一区域的多个热电堆结构；加热电阻上传输有加热电压信号，加热电阻用于在加热电压信号作用下发热；热电堆结构包括热端和冷端，热端位于第一区域，冷端位于第二区域，加热电阻的发热温度大于冷端温度。通过设置多个加热电阻，加热电阻的发热温度远大于相对于外部环境温度确定的冷端温度，以实现红外热电堆传感器在受到外部环境温度冲击时，红外热电堆传感器的探测依旧保持稳定，探测结果准确。

本发明涉及一种利用图形化衬底压印制备石墨烯纳米网的方法，其主要步骤包括：衬底/Gr制备、图形化衬底的清洗、衬底/Gr与图形化衬底的组装、压印、脱模和GNM表征。对比现有的GNM制备方法，本发明利用图形化衬底中的凸起图案在压印过程中将Gr穿透，可实现快速、大面积、均匀、低成本、高孔隙率、低缺陷GNM的制备。根据图形化衬底的选取，可实现多种图案及尺寸的GNM制备。另外，本发明所采用的方法普适性高，可以迁移至除Gr以外其他二维材料如MoS、BN等纳米网的制备。

本发明提供了一种MEMS器件的ESD保护系统，其包括控制电路、电性连接所述控制电路的MEMS器件以及电性连接控制电路且与MEMS器件并联的ESD保护装置，ESD保护装置包括电性连接控制电路的上电极组件、具有悬臂弹性的悬臂以及下电极组件，悬臂包括电性连接所述控制电路的第一电极层、电性连接MEMS器件的第二电极层以及电性连接第二电极层的可动金属触点，下电极组件包括电性连接MEMS器件的下电极层、电性连接下电极层且与可动金属触点相对的固定金属触点。本发明MEMS器件的ESD保护系统的ESD保护装置能够比MEMS器件提前对ESD事件反应且耗散静电放电电压，从而有效的保护MEMS器件。

本发明属于微纳系统领域，公开了一种悬空二维材料器件及规模化制备方法。本发明提供的悬空二维材料器件组成包括依次层叠设置的高掺杂底栅衬底、绝缘衬底、源漏电极和二维材料。本发明提供的制备方法步骤包括蒸镀金属材料、刻蚀对准标记、转移二维材料、刻蚀二维材料、刻蚀源漏电极、刻蚀源漏电极之间的沟道和释放二维材料条带。本发明所提供的悬空二维材料器件制备方法与现行微纳工艺兼容性良好、可规模化生产、安全性高、成本低，本发明所提供的悬空二维材料器件可用于基于谐振检测原理的温度传感器、微质量传感器、压力传感器、加速度计、陀螺仪等微系统。

本发明提供的一种应变调控低维材料的微机电系统执行器的制作方法，通过在MEMS执行器结构上设计微沟槽，并且在微沟槽两侧固定低维材料，从而对低维材料进行应变调控及其电学、光学性能调控，使得制作出的MEMS执行器具备可拉伸、可编程控制低维材料的应变能力。与现有技术相比，本发明不仅解决了原有工艺方法固定材料的力学接口难题，还同时实现了低维材料与MEMS执行器的电学接口，从而使得可在MEMS执行器上直接读取电学信号，成功得到电学控制应变电子、光电子器件。

本发明公开了MEMS制造领域的一种MEMS器件复合金属牺牲层的制备方法，主要包括底部图形平坦化、多层金属复合及图形化等步骤。采用本发明的技术方案，可以实现极低间隙的牺牲层和触点制备，并且控制精度高、触点底部形貌好，从而提高MEMS器件的工艺一致性和成品率。

本发明公开了一种声音探测器件及其制备方法。该声音探测器件包括：衬底基板；突触晶体管，位于所述衬底基板的一侧；所述突触晶体管包括栅极、源极和漏极、位于所述栅极与所述源极和漏极之间的电荷存储层、位于电荷存储层与栅极之间的绝缘层、以及位于电荷存储层与源极和漏极之间的沟道层，且源极和漏极分别与沟道层电连接；纳米摩擦发电机，位于衬底基板的一侧；纳米摩擦发电机包括相对设置的正摩擦层和负摩擦层；正摩擦层与栅极电连接；纳米摩擦发电机用于在声波的驱动下，控制正摩擦层与负摩擦层接触或分离。本技术方案通过将突触晶体管和纳米摩擦发电机结合实现了声音探测器件的自驱动，降低了声音探测器件的功耗。

一种微纳射频器件及制备方法，方法包括：在SOI片上生长隔离层；图形化隔离层，以在SOI片上形成谐振单元、电极引线、信号屏蔽层及封装环；在谐振单元的侧壁生长微纳级间隔层；去除电极引线、信号屏蔽层及封装环表面的隔离层，在SOI表面生长一层导电层，对导电层图形化，保留电极引线、信号屏蔽层、封装环部分上的导电层，以及在谐振单元与电极引线之间形成输入电极及输出电极；去除谐振单元表面的隔离层及SOI片上正对谐振单元的绝缘层。该方法可在微纳射频器件谐振单元侧壁制备微纳级间隔层，进而实现微纳级电容间隙，突破微纳射频器件机电转换效率低、驱动电压高等技术瓶颈，且制备垂直引线结构，可实现低寄生、小尺寸封装。

本发明公开了纳米光机械陀螺仪及其制备方法，所述纳米光机械陀螺仪包括压电基底(1)，其上设置有：声表面波谐振器；位于所述声表面波谐振器的谐振腔内的质量点阵(4)；位于所述质量点阵一旁的光学谐振环(5)；与光学谐振环(5)耦合的光波导(6)，光波导(6)两端分别设有耦合输入光学信号的一个光栅和耦合检测光学信号的另一个光栅，所述一个光栅和所述另一个光栅正上方分别固定的发射光学信号的光源(10)和检测光学信号的光电探测器(9)。本发明公开的纳米光机械陀螺仪无机械悬浮结构，耐冲击抗振动性能好；采用压电激振和纳米集成光学检测的方式，检测灵敏度和分辨率高。

在MEMS区中嵌入了微机电系统(MEMS)组件的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。MEMS组件，例如是红外(IR)热传感器。所述器件封装有CMOS兼容IR透明封盖，以将MEMS传感器气密密封在MEMS区中。CMOS封盖包括带释放开口的底盖和密封释放开口的密封盖。

本发明公开一种微机电系统装置、其制法与使用其的整合式微机电系统，其中该微机电系统装置包含一基板，基板具有至少一接点。微机电系统装置也包含一第一介电层，第一介电层设置于基板上。微机电系统装置还包含至少一金属层，金属层设置于第一介电层上，且至少部分金属层电连接于接点。微机电系统装置包含一第二介电层，第二介电层设置于第一介电层与金属层上并具有一凹槽结构。微机电系统装置也包含一结构层，结构层设置于第二介电层上并具有一开口。开口对应于凹槽结构设置，且开口的底部的截面积小于凹槽结构的顶部的截面积。微机电系统装置还包含一填充层，填充层至少部分设置于开口与凹槽结构中。第二介电层、结构层与填充层界定一空腔。

本发明涉及半导体器件的制造方法，本发明提供的半导体器件的制造方法包括：通过对第一基板的一侧表面进行蚀刻来形成中空槽的步骤；在形成有上述中空槽的上述第一基板的一侧表面附着包括硅层的第二基板的步骤；通过对上述第二基板进行蚀刻来仅保留硅层的步骤；在上述第二基板的硅层表面形成由至少一个层组成的薄膜结构的步骤；以及从上述第一基板分离形成薄膜结构的上述第二基板的步骤，由此，在半导体器件的工序过程中，通过在器件的下部形成中空槽结构来最终便于进行器件分离。

本发明公开一种微机电系统装置与其制造方法，其中该微机电系统装置包含一基板，基板具有至少一接点。微机电系统装置也包含一第一介电层，第一介电层设置于基板上。微机电系统装置还包含至少一金属层，金属层设置于第一介电层上，且至少部分金属层电连接于接点。微机电系统装置包含一第二介电层，第二介电层设置于第一介电层与金属层上并具有一凹槽结构。微机电系统装置也包含一结构层，结构层设置于第二介电层上并具有一开口。开口对应于凹槽结构设置，且开口的底部的截面积小于凹槽结构的顶部的截面积。微机电系统装置还包含一填充层，填充层至少部分设置于开口与凹槽结构中。第二介电层、结构层与填充层界定一空腔。

本发明公开了一种太赫兹矩圆波导电铸芯模微结构的制造方法，包括以下步骤：S1，依据精度要求对太赫兹矩圆波导电铸芯模模型进行分层设计；S2，依据结构尺寸与分层设计选取打印模式并进行分层图形与打印参数设计；S3，根据打印模式与参数进行芯模坯体3D精密打印；S4，对坯体结构进行金属化处理，获得太赫兹矩圆波导电铸芯模。本发明提供的电铸芯模制备方法，制作精度高、周期短、成本低，并可以批量化制造，可以广泛用于多种频段的太赫兹矩圆波导电铸芯模制备。

本发明公开纵向双侧多组差分电容式微机械结构及其制备方法，该结构包括衬底单元、器件结构单元和盖板封装单元；所述器件结构单元通过键合结构与衬底单元和盖板封装单元连接；衬底空腔平板电极的电信号从衬底键合金属层、器件键合金属层、器件硅片、器件键合金属层、盖板键合金属引出至盖板顶部金属层上，器件可动结构的电信号从器件锚点结构、器件键合金属层、盖板键合金属引出至盖板顶部金属层上，所述盖板空腔平板电极的电信号从盖板键合金属引出至盖板顶部金属层上。本发明不仅可构建纵向多组差分电容结构，还在保证器件可动结构真空或气密封装的同时将衬底、盖板和件可动结构的信号接口引出至同一水平面，便于进一步晶圆键合堆叠集成。

本发明公开硅柱垂直互连的微机械晶圆级封装结构及其制备方法，该封装结构包括微机械器件结构单元以及盖板结构单元，器件侧键合金属层和盖板侧键合金属层之间相互连接形成键合结构，盖板绝缘层上设有盖板绝缘层窗口，所述盖板侧键合金属层通过该盖板绝缘层窗口与盖板硅片电连接；所述盖板硅片以及盖板顶层金属上设有环绕在所述盖板绝缘层窗口四周的绝缘沟槽，所述器件侧键合金属层和盖板侧键合金属层形成的键合结构对绝缘沟槽下方的盖板绝缘层进行支撑；盖板硅片在绝缘沟槽内侧形成硅柱垂直互连结构。本发明避免了每一硅柱互连结构所需的独立键合密封环，减小了硅柱互连结构整体的晶圆占用面积并提升硅柱互连密度，有利于封装结构的小型化。

本发明提供一种基于表面等离子体活化改善玻璃基板BCB键合的方法，属于三维集成封装制备技术领域。该方法通过对烘干后的BCB胶表面进行低温氩等离子体活化处理，增加烘干后BCB胶的表面活性，采用本发明方法拓宽了常规烘干时间的上限，提高了表面BCB的活性与表面清洁度，并且键合有效面积相对于表面等离子体处理前有较大提高，降低了键合后失效的概率。

本发明涉及超疏水领域，尤其是超疏水碳纳米管薄膜的制备方法。该方法的步骤包括：（a）采用喷枪喷涂法在聚苯乙烯基板上沉积一层碳纳米管薄膜；（b）用去离子水清洗基材，并用辊子辊压碳纳米管薄膜表面；（c）将沉积碳纳米管薄膜的聚苯乙烯基板放入对流烤箱中加热，诱导基材的双轴收缩和起皱；（d）在收缩的碳纳米管薄膜上旋涂一层聚四氟乙烯薄膜，再放入丙酮浴和甲苯浴中去除聚苯乙烯基材。本发明能够实现大面积超疏水碳纳米管薄膜表面的制备，这些褶皱结构不仅稳定存在，具有导电性，能够应用在低粘抗冰的电磁屏蔽材料中。通过易收缩的基材加热收缩得到一种稳定的褶皱结构，利用这种微结构实现超疏水性；制备工艺简单，成本低，周期短。

半导体封装结构包含裸片座、多个引线、电子组件和封装体。所述多个引线中的每一个与所述裸片座分离且具有面向所述裸片座的内侧表面。所述电子组件安置于所述裸片座上。所述封装体覆盖所述裸片座、所述多个引线和所述电子组件。所述封装体与所述裸片座的底部表面和所述多个引线的所述内侧表面直接接触。

本发明涉及一种蒸发冷却微结构的制备方法，包括以下步骤：在基片上表面电沉积一层第一金属，形成沉积层；将沉积层的表面进行精密抛磨，同时，保证一定厚度的沉积层；经抛磨后的沉积层表面涂覆一层光刻胶；将基片放置在光刻机载物台上，用曝光掩膜板进行曝光；将曝光处理后的基片放入显影液中进行显影，显影后进行清洗、干燥；干燥后基片的沉积层的表面沉积一层第二金属；再用溶剂对多余的光刻胶进行溶解；在光刻胶溶解的位置中加入刻蚀液，待溶解至指定位置倒掉多余的刻蚀液，再经清洗、干燥，得到微结构。本发明采用电沉积方法，实现高效、快速加工大面积的微结构，实现产业化生产；能够实现在同一个基片上同时加工出多个微结构。

本发明公开了基于石墨烯各向异性刻蚀原理的纳米通道高精度加工方法及其用途。该方法包括：(1)在硅衬底上逐层形成SiO层、单层石墨烯层和带状光刻胶层，其中，基于预期要获得的纳米通道的形状和尺寸控制：SiO层的厚度；单层石墨烯层的形状和尺寸；带状光刻胶层的形状和尺寸；单层石墨烯层和带状光刻胶层重叠区域的位置、形状和尺寸；(2)采用氢氟酸溶液湿法刻蚀去除硅衬底上未经带状光刻胶层覆盖的SiO层和重叠区域的SiO层，以便在重叠区域形成纳米通道。该方法不仅操作简便，加工精度高，且制得的纳米通道三维尺寸可控，可具有较好的均一性，能够一体成型，无需键合工艺，密封性较好，当流体介质沿该纳米通道运动时不易漏液。

本发明公开了一种提高线性度的MEMS硅麦集成电路及设计方法，包括MEMS传感器芯片，所述MEMS传感器芯片包括位于上方的第一硅片和位于下方的第二硅片，所述第一硅片的振动膜片层的下底面和所述第二硅片的第二背板层的淀积金属层通过第一电极电连接,所述第一硅片的第一背板层还连接有第三电极，所述第一硅片的第一背板层设有上下贯通的至少一个第一通孔，所述第二硅片的第二背板层设有上下贯通的至少一个第二通孔，所述振动膜片层的振动膜片区域设有上下贯通的至少一个第三通孔，所述第三通孔与所述第一通孔和第二通孔二者之一保持贯通，所述第一通孔和第二通孔彼此之间错位设置，本发明MEMS传感器芯片实现在不同频率下响应曲线的一致，具有较好的线性度。