微观结构技术

本发明涉及一种MEMS器件的形成方法和MEMS器件。所述方法包括：在衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成功能层和与所述功能层电连接的导电连接层；形成贯穿所述导电连接层的导通槽；形成保护层，所述保护层至少覆盖经由所述导通槽暴露出的所述导电连接层的侧壁；形成暴露出所述牺牲层的释放槽，所述释放槽在所述衬底平面上的垂直投影落入所述导通槽在所述衬底平面上的垂直投影内，以使所述导通槽的侧壁保留有部分厚度的所述保护层；经由所述释放槽去除所述牺牲层。本发明所提供的MEMS器件的形成方法和MEMS器件，使空气桥的结构更坚固，性能更稳定。

本发明提供具有可控视场的超声波芯片封装结构，包括MEMS芯片，所述MEMS芯片具有相对的正面及背面，所述背面具有背腔，所述正面具有焊盘；号筒，所述号筒具有相对的正面及背面，所述号筒的正面与MEMS芯片的背面固定连接，所述号筒的正面和背面贯穿开设有用于限定声波视场的开口；制备工艺，包括：刻蚀号筒；图形化薄膜材料；键合MEMS芯片与号筒；划片。根据本发明提出的具有可控视场的超声波芯片封装结构，在MEMS芯片上键合号筒，号筒可用于限定芯片发出的声波传递的视场，代替了在外围加装结构限定视场的方式，减小传感器整体的结构尺寸，具有易装配、一致性高等特点，且号筒与背硅键合连接，背腔与号筒共同形成芯片的视场，进一步减小了封装传感器的尺寸。

本发明涉及微观机械系统的技术领域，公开了一种器件芯片、微机电系统及其封装结构，器件芯片包括基衬底、盖衬底以及器件层，其中，盖衬底与基衬底间隔设置，器件层设置在基衬底和盖衬底之间；器件层包括电极、连接部以及致动部，连接部分别与基衬底和盖衬底固定连接，电极与基衬底固定连接并与盖衬底电连接，致动部与连接部耦合；致动部与电极之间设置有间隙，以使在致动部和电极之间形成电容；电极用于接收电信号，并根据电信号驱动致动部；电极上设置有凹槽，凹槽沿电极的厚度方向延伸，且凹槽的开口朝向盖衬底。在电极上沿厚度方向设置有凹槽，解决了现有技术中器件层受挤压后电学性能变差而影响致动部动作的问题。

本发明属于半导体MEMS器件加工领域，尤其涉及一种结构辅助的电磁MEMS微镜加工方法，改善现有加工方法存在的加工工艺复杂度高和加工成本高的问题。利用局部粗糙化后的选择性硅‑硅键合、基于常规硅‑硅键合的厚硅MEMS加工工艺、融合高精度激光裁切于MEMS加工流程、增加临时性的支撑和散热结构等方案，可以减少MEMS微镜加工过程对薄片加工所需的临时键合和解键合设备和工艺的依赖，降低单晶硅干法刻蚀设备的机时占用从而控制加工成本，提高工艺流程中各单步工艺的相互兼容性，只需要采用常规设备及其工艺的组合就可以实现加工，降低了加工过程的复杂度、降低了加工成本，使电磁MEMS微镜具备良好的可制造性。

本发明提供一种超滑片的加工方法，所述加工方法包括：在石墨材料的表面图案化形成石墨岛图形；按所述石墨岛图形刻蚀所述石墨材料，形成石墨岛；对所述石墨岛进行加热，并通入氧化性气体，使所述石墨岛的侧壁外缘与所述氧化性气体接触；推动所述石墨岛的上层，若上层的石墨岛自回复，则转移上层的石墨岛为超滑片。所述加工方法可以有效改善石墨岛的性能，提高石墨岛的自回复率，同时大大降低其超滑接触摩擦力，使得石墨岛的超滑性能大幅度提升。

一种微型扫描面镜，包括固定基板、镜片以及多个悬臂。各悬臂包括压电材料结构以及多个第一驱动电极与多个第二驱动电极。压电材料结构包括连接部、折绕部以及固定部。连接部沿着平行于镜片的中心轴的方向连接镜片。折绕部具有弯折区域与多个驱动电极区域。固定部连接固定基板，且折绕部连接连接部与固定部。多个第一驱动电极与多个第二驱动电极分别位于折绕部中对应的驱动电极区域上。本发明的微型扫描面镜能够带动大尺寸的微型面镜以适当的旋转角度转动。

本发明涉及一种抗腐蚀高稳定性的流量传感器及其制作方法，该抗腐蚀高稳定性的流量传感器包含硅片和盖板；所述硅片的正反面均设置有钝化层；所述硅片的正面分别设置有连接电极、测量电极和测温电极，背面设置有隔热腔体；所述盖板的正面设置有流体槽道，背面分别设置有与连接电极、测量电极和测温电极对应的腔室；所述硅片的正面与盖板的背面粘接在一起，且连接电极、测量电极和测温电极分别位于腔室内；本发明通过采用盖板与流量传感器封装的方法，不仅能够增加流量传感器的抗腐蚀效果，还可以增加流量传感器的耐外力冲击强度，提高传感器的可靠性。

本发明提供一种MEMS传感器阶梯深孔封装结构及方法，包括基板以及与所述基板固定连接的壳体，所述壳体内置有一芯片，所述芯片与所述基板固定连接，所述芯片背离所述壳体的一侧开设有孔洞，所述孔洞上设有第一焊盘，所述基板贯通开设有阶梯孔，所述阶梯孔通过定位工装与所述孔洞位置正对布置，所述阶梯孔设有第二焊盘，所述第一焊盘通过引线与所述第二焊盘电连接。本发明通过设置阶梯孔能够更好地释放封装带来的应力，达到了提升精度的目的，从而克服了传统打线均是在平面进行对产品精度产生的不良影响。

本发明公开了一种异质材料填充倒模结合回流制作三维微结构体的方法，包括以下步骤：制备PDMS阴模；将两种或两种以上的流动相材料分步浇注填充至PDMS阴模中，再固化处理，然后脱模，制得包含两种或两种以上材料的异质阳模结构；加热所得异质阳模结构和/或将其暴露于蒸汽环境中，回流该异质阳模结构中的一种或几种材料，调节每种材料的形变程度，即得；蒸汽环境中的蒸汽由可溶解该异质阳模结构中的一种或几种材料的溶剂挥发形成。本发明的方法可灵活调控模具尺寸、材料特性和加工参数，制作具有高曲度的3D微结构、曲面‑非曲面复合3D微结构以及多曲率复杂曲面微结构，有助于新型微流控器件和微纳光学器件的开发，适应不同的应用需求。

本公开的各实施例涉及用于MEMS快门的角压电致动器及其制造方法。一种MEMS致动器，包括主体，该主体具有中心部分和外围部分，中心部分能够耦合到衬底，外围部分当中心部分耦合到衬底时悬挂在衬底上方。外围部分具有围绕中心部分延伸并形成连续布置的膜的可变形结构。MEMS致动器包括承载结构和对应的压电致动器。承载结构在该承载结构的顶部处被固定到可变形结构并且横向地界定对应的空腔，每个空腔具有面向主体的中心部分并且在顶部处由膜封闭的横向开口。膜的固定部段固定到下面的承载结构，并且悬挂部段相对于下面的承载结构横向偏移。压电致动器是可控制的，以引起对应的膜的变形和承载结构围绕主体的中心部分的旋转。

本发明公开了一种三自由度双向运动精密定位平台，包括平台的固定端、桥式放大机构、单平行导向机构、Z型梁结构和工作平台，所述平台的固定端，被设置为静止不动，且平台的固定端包括外圈的四边环形固定端与中间四个正方形的固定端，所述桥式放大机构包括四个压电陶瓷。该三自由度双向运动精密定位平台，是使两自由度精密定位平台采用Z型梁弯曲变形的原理，利用其原理在X与Y轴反向布置Z型梁，实现了空间三自由度双向运动，并具有较大的行程，而本发明相对于传统三自由度精密定位平台的最大优势在于不仅可以实现三自由度运动，还以平面机构方式实现，节约了空间，并可实现相对中心点的双向运动，在某些特定的工作场合具有较大优势。

本发明公开了一种硅基纳米线压阻式压力传感器及其制备方法，属于微电子机械系统传感器设计领域。本发明提出具有悬空硅压阻纳米线结构的硅应变膜，压敏电阻分别悬空排布于应变膜边缘与梁凸台之间、中心凸台与梁凸台之间，极大提高了压阻式压力传感器的灵敏度；硅压阻纳米线表面热氧化形成包覆的SiO层，一方面可以有效减小漏电流的产生，另一方面，热氧化可以压阻的浓度分布更加均匀；SiO/SiN作为KOH腐蚀工艺的掩膜对KOH腐蚀工艺中的K的阻挡特性较好，加工的器件具有较高的可靠性；采用了硅玻璃阳极键合工艺，其中玻璃对压力感应膜起到了应力缓冲的作用，提高了传感器在后续封装和测试中的稳定性。

本公开涉及一种辐射热流调控器件及其应用，该辐射热流调控器件至少包括相对设置的第一辐射体和第二辐射体，所述第一辐射体包括一相变材料层，所述相变材料层采用微纳米结构阵列。所述微纳米结构阵列为柱状阵列、二维光栅、叠层结构、微粒填充的基质所组成群组中的任一种或多种的组合。本公开主要是利用相变材料层采用的微纳米结构阵列在相变前后导致的近场局域电磁态密度的显著差异，从而实现了对近场辐射热流的高效调控。

本发明公开了一种电容压力传感器及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有注入层；在所述注入层上依次形成氧化物层和顶硅层；刻蚀所述顶硅层以形成深槽矩阵；刻蚀所述氧化物层以形成空腔；使顶硅层形成连续的硅膜以封口所述空腔。本发明采用硅迁移技术进行封口，形成连续且封闭的上电极，并利用深槽做为空腔形成过程中的释放孔，工艺简单且效率更高，能够极大的提升产能和可靠性。

本发明提供一种带腔体器件的气密封装结构和制造方法，带腔体器件的气密封装结构包括：半导体部件；盖板；键合层，其位于半导体部件和盖板之间；第一腔体，其位于半导体部件和盖板之间且被部分密封；第二腔体，其位于半导体部件和盖板之间且被部分密封；若干第一通孔，其贯穿盖板至第一腔体；若干第二通孔，其贯穿盖板至第二腔体；第一密封层，其设置于盖板远离所述半导体部件的一侧表面，以密封所述若干第一通孔；第二密封层，其设置于所述第一密封层远离所述盖板的一侧表面，以密封所述若干第二通孔。与现有技术相比，本发明可以为带腔体器件提供更高的真空度，且不同芯片气压的均匀度好，进而提高带腔体器件的性能，改善良率。

本发明涉及微系统异质集成技术领域，尤其涉及一种微纳件的转移方法，包括对微型件的拾取以及对微型件的放置两个步骤，对微型件的拾取步骤为通过金属球沾取粘附介质，将微型件从其生长基底精准拾取；所述微型件的放置步骤将拾取的微型件精准转移至含粘性表面的目标基底位置；所述金属球的制备以及微型件的拾取和放置步骤均通过标准引线键合仪完成，从而实现了微型件的规模化高效转移，有效克服了传统转移印刷等微型件转移方法因采用非标准化设备而难以规模化应用的不足。

本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；形成填充所述沟槽并覆盖所述半导体衬底表面的填充层；形成覆盖所述填充层的阻挡层；执行化学机械研磨工艺，以移除所述半导体衬底表面的阻挡层，并使所述半导体衬底表面至少剩余部分所述填充层，其中，所述半导体衬底上的所述填充层的表面不高于所述沟槽中的所述填充层表面；执行刻蚀工艺，以去除所述半导体衬底表面的剩余的所述填充层。根据本发明，使沟槽隔离结构中的碟型凹陷显著减小，也避免了半导体衬底表面的颗粒污染等缺陷，获得高光洁、无损伤的均匀表面。

本发明公开了基于柔性衬底的有机半导体阵列转移方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱进行表面处理，使所述硅柱的表面顶端亲水且侧壁疏水；在表面处理后的所述硅柱的顶端表面覆盖有机半导体溶液；将中间衬底镀有金属薄膜的表面与覆盖有机半导体溶液的所述顶端表面贴合后进行处理，使所述有机半导体溶液自组装在所述金属薄膜的表面，在所述金属薄膜的表面形成半导体阵列；然后，将所述半导体阵列转移到柔性衬底上。该方法通过中间衬底上的金属薄膜为中间媒介，解决了柔性衬底不耐高温不能直接作为衬底制备有机微纳阵列的问题，从而提供了一种新的有机半导体阵列制备方法。

本发明提供一种带腔体器件的气密封装结构，其包括：半导体部件；盖板；键合层，其位于所述半导体部件和盖板之间，以将所述半导体部件和盖板键合在一起；第一腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且被所述键合层围绕并被完全密封；第二腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且所述第二腔体位于所述第一腔体的一侧，所述第二腔体被所述键合层围绕并被部分密封；若干通孔，其贯穿所述盖板至第二腔体；密封薄膜，其贴附在所述盖板远离所述半导体部件的一侧表面上，以密封所述若干通孔，使所述第二腔体完全密封。与现有技术相比，本发明不仅可以实现双腔体不同气压的封装，而且还可以大大降低封装成本。

本发明提供一种硅基晶圆双层光刻胶的金属剥离制备方法，它包括以下步骤a）晶圆清洗；b）通过光刻在晶圆表面制备需要的图形；c）在晶圆上形成金属膜；d）通过剥离得到图形化的金属膜层。本发明适合用于金属溅射工艺中，更适合用在金属蒸镀工艺，能有效保证金属薄膜剥离效果，确保线宽均匀性等优点。

一种真空封装结构的谐振压力敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低，测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安装在引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安装在芯片粘接面上，且硅谐振压力敏感芯片与阶梯槽的侧壁之间留有空隙，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接；密封盖板安装在密封盖板接触面上，探头介质传递通道和密封管座的三级阶梯槽之间形成保护谐振压力敏感芯片的密闭空腔。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于真空介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。

一种真空封装结构的谐振温度敏感芯片探头及其封装方法，它涉及一种探头及其封装方法。本发明为了解决现有的谐振压力敏感芯片存在Q值偏低的问题，封装方法存在测量精度和长期稳定性下降的问题。本发明的可伐合金引脚安在密封管座的引线孔上，硅谐振压力敏感芯片安在密封管座的芯片粘接面上，且硅谐振压力敏感芯片与阶梯槽的侧壁之间留有空隙，硅谐振压力敏感芯片和可伐合金引脚之间通过电极键合引线连接；密封盖板安在密封盖板接触面上，探头介质传递通道和密封管座的三级阶梯槽之间形成保护谐振压力敏感芯片的密闭空腔。封装方法：对谐振层进行二次封装，使硅谐振压力敏感芯片处于隔离介质中工作。本发明用于压力的测量以及压力芯片探头的封装。

本发明公开了一种基于硝化石墨烯的氨气传感器及其制备方法，通过在所述基底沉积金属结构，再采用湿法刻蚀技术将石墨烯转移至金属结构表面，接着利用光刻技术以及等离子去胶机设备去除多余部分石墨烯，实现图案化石墨烯，将形成的石墨烯器件置于硝酸溶液中，控制硝酸浓度、处理温度及时间等制备参数，获得所述的基于硝化石墨烯的氨气传感器，制备的传感器结构简单，成本低廉，同时具有灵敏度高、响应速度快、重复性好、常温下工作、测量浓度下限低等特点，解决了现有技术中石墨烯氨气传感器存在的技术问题。

一种微机电系统(MEMS)器件可以包括第一层，其包括定子梳状致动器；第二层，其包括转子梳状致动器；包括反射镜的反射镜结构；以及第一组铰链和第二组铰链，该第一组铰链和第二组铰链被配置为基于由定子梳状致动器与转子梳状致动器接合引起的驱动扭矩，使反射镜结构围绕微机电系统器件的第一轴线倾斜。第一组铰链可以被配置成抵抗由定子梳状致动器与转子梳状致动器接合引起的在与第一轴线相关联的方向上在反射镜结构上的横向线性力。第二组铰链可以被配置为抵抗由定子梳状致动器与转子梳状致动器接合引起的围绕微机电系统器件的第二轴线在反射镜结构上的平面内扭矩。

气密密封部件可以包括玻璃基底、具有与玻璃基底相关联的至少一个电端口的器件、以及玻璃帽。玻璃帽可以具有至少一个侧壁。玻璃帽可以具有从玻璃帽的顶面到玻璃柱的底面延伸通过的成形孔洞。导电插塞可以被设置在孔洞内，该插塞被构造成气密地密封孔洞。导电插塞可以电联接到电端口。玻璃帽可以被设置在玻璃基底上，其中至少一个侧壁被设置在玻璃帽与玻璃基底之间，以形成包围器件的腔。侧壁可以与玻璃基底和玻璃帽接触，以提供气密密封，使得腔内的第一环境与腔外的第二环境隔离。

本申请实施例公开了一种光芯片封装结构与封装方法，涉及封装技术，可用于光通信领域。本申请实施例提供的光芯片封装结构包括：光学窗片、光芯片和底部盖板；所述光芯片固定于所述光学窗片与所述底部盖板之间，所述光芯片包括第一区域和所述第二区域，所述第一区域包括所述光芯片的功能元件，所述光芯片的第二区域通过第一凸台与所述光学窗片连接；该封装结构利用第一凸台将光芯片与光学窗片进行贴装，既保留了光芯片所需要的活动空间，又为其增加了新的散热路径，提高了芯片的工作性能。

本发明公开了一种芯片间的导电桥结构及制造方法，可以在桥接区域中的待刻蚀层和层面结构中的至少一层中刻蚀形成开口，所述开口的下面设置有曲面，所述曲面为至少包含一对相邻两条边为非直角的面，优选地，曲面为含有圆角的面，所述开口可以使得其中的光刻胶不被甩出，在光刻胶涂覆和显影时，所述开口可以确保层面结构顶面上的光刻胶以合适的厚度、宽度以及较佳的形貌被有效保留下来，进而在以该光刻胶层为掩膜刻蚀待刻蚀层而形成导电桥时，光刻胶可以有效保护层面结构及其顶面上的待刻蚀层，进而达到所需的导电桥形貌和宽度，性能可靠，避免形成的导电桥出现短路或断路，进而提高产品制造良率和测试的准确性。

本发明提供一种微机电系统器件的惯性测试装置，其包括：离心机，其包括离心机转轴和离心机样品台，离心机转轴受控转动；离心机样品台固定于离心机转轴的一端；三轴定位基座，其固定于离心机样品台上；测试板，其用于放置参考惯性器件和若干待测微机电系统惯性器件，测试板可拆卸的固定于三轴定位基座的不同面，以实现对放置于所述测试板上的惯性器件在三个轴上运动方向的切换；上位机，其与离心机通信连接，以控制离心机转轴转动；上位机与测试板通信连接，当离心机转轴受控转动时，参考惯性器件和若干待测微机电系统惯性器件输出实际测量的加速度数据至上位机。与现有技术相比，本发明可以对微机电系统惯性器件进行高精度、高效率的的测试。

本发明涉及一种MEMS悬浮结构的深硅刻蚀方法，其特征在于将MEMS悬浮结构的深硅刻蚀程序设置为两个刻蚀阶段：刻蚀第一阶段，采用n次沉积步骤—刻蚀步骤的循环，其中n大于20；刻蚀第二阶段，采用m次沉积步骤—刻蚀步骤—停止冷却步骤的循环，其中m大于20。本发明提高MEMS悬浮可动结构深硅刻蚀时的散热效果，避免刻蚀局部温度过高导致的结构损伤，提升MEMS悬浮可动结构释放的可靠性。

本发明属于加工技术领域，提供了一种同步制造纳米凹坑阵列的跨尺度微纳结构加工方法。将纳米颗粒分散在光刻胶中，通过光刻工艺形成厚度与纳米颗粒直径接近的光刻胶层，以含有纳米颗粒的图形化光刻胶层为掩膜对基底进行刻蚀，胶层中的纳米颗粒可被刻蚀液腐蚀或溶解，并逐渐形成纳米孔穴，刻蚀液透过纳米孔穴对基底进行刻蚀。本发明仅需一次光刻与腐蚀工艺，即可在基底上同时构建具有微米或几百纳米的功能结构以及在功能结构表面具有纳米特征尺寸的凹坑结构。简化了制造工艺流程、降低了加工成本，有利于批量化制造。

本发明属于加工技术领域，提供了一种集成有纳米凸起阵列的跨尺度微纳结构加工方法。将纳米颗粒分散于光刻胶中，通过光刻工艺形成厚度与纳米颗粒直径接近的光刻胶层，去除功能结构表面光刻胶层中纳米颗粒之间的光刻胶，光刻胶层图形化，在刻蚀或腐蚀基底材料时或在此之后，以纳米颗粒为掩膜，在功能结构表面刻蚀或腐蚀形成纳米凸起结构。本发明无需格外进行复杂的纳米加工工艺、纳米粒子修饰等工艺，仅需一次光刻及刻蚀工艺，即可在基底上同时构建具有微米或几百纳米的功能结构，以及在功能结构表面纳米特征尺寸的凸起结构，加工过程简单，所需设备在一般实验室均可以达成，降低加工跨尺度微纳结构的成本，有利于批量化生产制造。

本发明属于微机电系统封装技术领域，提供了一种微机电系统封装结构，其包括硅基底、在所述硅基底上图案化制备得到的MEMS器件结构，以及用于对所述MEMS器件结构进行键合封装的盖板；所述硅基底背面还依次设置有第二金属层和第一金属层，所述第一金属层和第二金属层的总厚度不低于5μm；所述第一金属层和第二金属层用于保护所述MEMS器件结构在键合封装时不受破坏，同时用于释放刻蚀过程中产生的热量。在本发明微机电系统封装结构制备过程中，由于先在硅基底背面沉积了一定厚度的金属层，用以固定MEMS器件的薄弱结构，使得本发明可通过刻蚀后先键合再划片的工序，实现MEMS器件结构的晶圆级封装，封装效率高，质量好，成本低。

本发明提供了一种MEMS器件封装方法及封装结构，在所述器件晶圆的表面上覆盖键合介质层之后且在刻蚀键合介质层以形成电极沟槽之前，先对所述键合介质层的顶面进行平坦化，由此可以改善键合介质层用于键合的表面的平整度，避免键合后的盖板晶圆和相应的键合界面之间产生空洞，由此降低后续在去除两晶圆之间的键合介质层时对键合界面处的键合介质层的侧向刻蚀量，继而保证键合可靠性，避免盖板晶圆剥离。而且，由于使用剥离工艺来在电极沟槽中形成电极，由此可以在键合前能省去电极层刻蚀的步骤，且形成的电极的顶部上不再覆盖有多余的键合介质层，由此简化了工艺并降低了成本，且还可以保证电极的形成不会影响在先形成的键合介质层的表面平整度。

本发明公开了一种MEMS滤波器，属于滤波器技术领域，包括衬底；衬底正背面依次生长有隔离层、第一DBR介质膜、牺牲层、第二DBR介质膜；衬底正面设有上电极、下电极，上电极底部与衬底正面的第二DBR介质膜的底层膜接触，下电极底部与衬底背面的第一DBR介质膜的顶层膜接触；衬底正面的牺牲层具有空腔，衬底正面的第二DBR介质膜对应所述空腔位置为浮桥区域。本发明滤波器为双面结构能够保证器件的平整度，解决现有技术单面长膜引起的器件翘曲，同时，本申请浮桥区域为密封闭环浮桥，相较于现有镂空浮桥，提升了结构强度，降低了衬底正面的第二DBR介质膜的破裂风险。

本发明公开了一种MEMS滤波器制作方法，属于MEMS滤波器制作技术领域，方法包括：在衬底正背面依次生长隔离层、第一DBR介质膜、牺牲层和第二DBR介质膜；制作衬底正面上电极、下电极，上电极底部与衬底正面的第二DBR介质膜的底层膜接触，下电极底部与衬底正面的第一DBR介质膜的顶层膜接触；释放衬底正面的中间牺牲层得到具有空腔的牺牲层，空腔位置对应的第二DBR介质膜为浮桥区域。本发明采用双面结构工艺能够保证器件的平整度，解决现有技术单面长膜引起的器件翘曲，同时，本申请浮桥区域为密封闭环浮桥，相较于现有镂空浮桥，提升了结构强度，降低了衬底正面的第二DBR介质膜的破裂风险。

本发明公开了柔性MEMS器件和电子设备。该柔性MEMS器件包括衬底基板，所述衬底基板包括：第一基底，所述第一基底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面具有凹槽；第二基底，所述第二基底嵌设在所述凹槽中，所述第二基底的杨氏模量大于第一基底的杨氏模量。由此，将杨氏模量较大的第二基底与杨氏模量较小的第一基底进行结合，第一基底可以承受拉伸变形，而第二基底可以提供较大的刚度，进而减少柔性MEMS器件整体受到拉伸变形时设置在第二基底上的MEMS组件承受的应力与应变，使MEMS组件保持结构、功能和稳定性。

本发明公开了一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法，以硅片作为牺牲层，借助硅片表面极低的粗糙度，直接在其表面电镀金属层，然后侵蚀去掉硅片。本发明借助硅片作为牺牲层结合电镀的工艺制作出表面粗糙度达到硅片表面程度的金属基底，所采用的工艺成熟简单，节省了大量的时间和成本；同时整个工艺可以在超净间开展，避免了金属基底从“非洁净”空间转移至超净间带来了污染物，降低了在金属基底上成功制作传感器的难度。

本发明实施例公开了一种旋转结构的制备方法，包括：提供衬底和掩膜版，掩膜版包括第一曝光口和第二曝光口；通过掩膜版对所述衬底进行掩模曝光的同时匀速移动衬底，以在衬底上形成斜坡结构，斜坡结构包括第一斜坡面和第二斜坡面；制备可旋转结构和电极结构，电极结构包括第一电极和第二电极，第一电极与斜坡结构电连接，第二电极与可旋转结构电连接，可旋转结构用于根据第一电极和第二电极之间的静电力进行旋转。利用移动光刻的方法制备斜坡结构，斜坡结构制备简单，解决现有技术中通过多次光刻工艺制备斜坡结构工艺复杂的技术问题；同时利用移动光刻的方法制备斜坡结构时，斜坡结构的倾斜角度可调，斜坡结构制备灵活。

本发明公开了一种纳米孔局部亲疏水性修饰的方法。其工艺为：在基片表面形成一层牺牲层；在牺牲层上形成具有纳米孔阵列结构的图形转移层；去除残余层；在牺牲层制备具有纳米孔阵列结构的牺牲层；在基片上制备具有纳米孔阵列结构的基片；纳米孔阵列结构的亲水性修饰；去除牺牲层。本发明制备的具有纳米孔阵列结构的基片中的纳米孔具有超亲水性，凸起的基片表面具有疏水性，实现了同一纳米孔基片具有不同的亲疏水性，避免了基片表面残留物质对纳米孔内标记的影响，提高了纳米孔基片捕获能力和检测的准确性。

一种微机电系统(MEMS)包括：电路衬底，包括电子电路；支撑衬底，具有凹槽；接合层，设置在电路衬底和支撑衬底之间；通孔，穿过电路衬底到达开口；第一导电层，设置在电路衬底的前侧；第二导电层，设置在凹槽的内壁上；以及第三导电层，设置在每个通孔的内壁上。根据本申请的其他实施例，还提供了制造微机电系统的方法。

本发明公开了一种MEMS惯性器件可动微结构的制备方法，包括：1)在体硅晶圆衬底的表面形成高浓度硼掺杂层；2)通过热氧化在体硅晶圆衬底的表面形成氧化层；3)光刻微结构图形，刻蚀微结构图形部分的氧化层，并进行第一次深硅刻蚀；4)进行第二次掺杂工艺，在体硅晶圆衬底上形成第二高浓度硼掺杂层；5)进行第二次深硅刻蚀，将体硅晶圆衬底上第一次深硅刻蚀形成的沟槽的底部刻蚀到第二预定深度；6)采用碱性溶液湿法腐蚀对微结构进行释放，形成可动微结构；7)去除体硅晶圆衬底表面的氧化层，并刻蚀掉体硅晶圆衬底背面的高浓度硼掺杂层。本发明相较于现有技术，低成本的降低可动质量块与衬底之间的寄生电容，无需多次键合。

本发明公开了一种MEMS增强质量块惯性器件，属于一种惯性器件，包括第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆，所述第二晶圆和所述第三晶圆分别键合在所述第一晶圆的上下两面上；所述第一晶圆，其从上往下分别包括第一体硅、埋氧层和第二体硅；本发明通过采用3片晶圆键合方案，采用SOI晶圆作为中间层材料，正面和背面均采用深硅刻蚀形成可动微机械结构层，通过微结构定义，可以增加器件质量块厚度，再选用体硅晶圆，利用硅通孔工艺技术与键合工艺技术，实现与微机械结构的电学连接，最后在器件底部键合一层体硅晶圆，形成晶圆级封装，保持器件内部真空度，保证器件运行稳定性，具有灵敏度高、机械热噪声小的特点。

本发明公开了一种MEMS滤波器和制备方法，滤波器包括：衬底；第一反射层，位于所述衬底上方；牺牲层，位于所述第一反射层上，所述牺牲层具有空腔；第二反射层，位于所述牺牲层上，所述第二反射层对应所述空腔位置为具有释放孔的浮桥区域，所述浮桥区域内还具有贯穿第二反射层的环形防破裂梁；所述防破裂梁的上下两面中的其中一面为凹面，另外一面为凸面。本发明的防破裂梁内部是一个工作平面，平行度很好，防破裂梁区域类似一系列微型弹簧，可增强整个浮桥区域的韧性，连接了防破裂梁的两侧浮桥，使得连接上更为牢固，浮桥区域不容易破裂，即不会因为静电力的驱动使得浮桥区域上下浮动造成浮桥区域的破裂。

本发明公开了一种MEMS硅基腔体环行器/隔离器电路膜层结构，属于微波集成器件领域，所述电路膜层结构从上至下依次包括金膜层、铜膜层、氮化钽负载膜层、打底膜层、隔离膜层和高阻硅层，优选在所述金膜层与铜膜层之间，还设置有阻挡膜层；本发明还公开了上述电路膜层结构的制备方法；使用本申请的电路膜层结构与现有技术相比，MEMS硅基腔体环行器/隔离器器件的插入损耗能够降低0.2‑0.3dB，满足MEMS硅基腔体环行器/隔离器器件应用的低损耗要求。

本发明实施例公开了一种旋转结构及其制备方法，旋转结构包括N级旋转单元，第n级旋转单元位于第n+1级旋转单元靠近旋转结构中心的一侧；N≥2，N为整数，1≤n＜N，n为整数；旋转单元包括斜坡单元、可旋转单元和电极单元，第一电极与斜坡单元电连接，第二电极与可旋转单元电连接，可旋转单元根据第一电极和第二电极之间的静电力进行旋转；与第n级旋转单元相比，第n+1级旋转单元中的斜坡单元与预设平面之间的夹角更小；与第n级旋转单元相比，沿垂直预设平面的方向，第n+1级旋转单元中的斜坡单元与可旋转单元之间的平均距离更近，增大了静电驱动力，解决了现有技术中旋转结构驱动过程中的驱动电压较大的技术问题。

本发明涉及波长转换领域，具体提供了一种拓扑绝缘体波长转换器件，包括拓扑绝缘体和贵金属微纳结构，贵金属微纳结构周期性地置于拓扑绝缘体的表面；应用时，应用可见光波段激光垂直或倾斜照射拓扑绝缘体的表面。在入射光照射下，贵金属微纳结构产生局域表面等离激元共振，在拓扑绝缘体表面形成强电场，增强了拓扑绝缘体的四波混频效应，从而实现高效率的波长转换。

本发明提出了一种基于SnSe2半导体的多功能智能传感器及其制备方法，属于多功能传感器领域。包括基底、第一区域传感器、第二区域传感器和第三区域传感器；所述的基底为半Mo金属‑半玻璃结构，第一区域传感器和第二区域传感器位于基底上的Mo金属层上，与Mo金属薄膜接通，分别为光电传感器和甲烷气体传感器；第三区域传感器位于基底上的玻璃位置，为压力传感器。本发明利用了SnSe二维材料在同一个基底上生长及多功能优势，使一个传感器能同时测量多个参数，这种多功能传感器不但体积小、功能强，而且采集的信息集中，便于处理，对于未来半导体集成技术都有深远的意义与影响。

本发明公开了一种超宽光谱吸收体、制备方法及其在光谱仪中的应用，属于光谱检测领域。本发明通过在分子束外延设备中分别加入硒源和锡源，在一定的温度下进行共蒸发形成垂直阵列式、硒浓度可调的硒化锡纳米片，通过调节衬底温度来调控SnSe纳米片的晶体质量，后期热退火处理调控表面缺陷态‑包括材料内部缺陷(Vsn、Vse、SnSe)、SnSe表面缺陷对空气中氧的吸附(电子陷阱)等。将这种超宽光谱吸收体膜贴在光谱仪的内壁，能够实现对激光杂散光和信号杂散光的高性能抑制，提升光谱仪的性能。

本发明提供一种大挤压膜阻尼扭转式微机械执行器，包括基座、上极板、下极板和两个支撑件，两个支撑件沿上极板的宽度方向布设在上极板的两侧；每个支撑子件包括固定支撑部和扭转支撑梁，固定支撑部与基座固定连接，扭转支撑梁的一端与固定支撑部连接，扭转支撑梁的另一端与上极板连接；上极板平行于基座，上极板能够绕两个扭转支撑梁构成的扭转轴线旋转；下极板固定在基座的上表面，下极板位于上极板的下方，下极板与上极板之间具有间隙；上极板的长宽比为4～8。本发明大挤压膜阻尼扭转式微机械执行器，具有大挤压膜阻尼，启动时瞬态超调量较小且收敛较快，停止时振幅衰减较快。

公开了包括电子器件的体液抽取设备，以及相关联的系统，和方法。在一些实施例中，该设备包括容纳体液抽取特征的壳体，相对于壳体可移动的致动器，以及一个或多个电子部件。电子部件可以被配置为当设备被致动并且设备的电路被闭合时从非活动状态转变为活动状态。在转变到活动状态时，电子器件可以被配置为无线地传输信息和/或从外部接收者接收信息。在一些实施例中，本文公开的设备可以包含互连系统的部分，该互连系统包括一个或多个通信设备。