触控基板、触控显示装置和触控基板的制备方法

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体地，涉及一种触控基板、触控显示装置和触控基板的制备方法。

背景技术

具有触控功能的电子产品愈发受到市场的欢迎，具有触控功能的电子产品中用于实现触控功能的主要结构为触控基板，触控基板在制备和使用过程中表面会产生静电。然而，当前的触控基板因受自身设计的限制，容易被静电击伤，导致触控功能异常。因此，如何改善触控基板被静电击伤成为一个亟需解决的重要问题。

发明内容

本公开提供一种触控基板、触控显示装置和触控基板的制备方法，该触控基板包括基底，以及位于基底上的触控电极层和静电导出结构。触控电极层位于基底上，且包括并列排布的多条第一电极和并列排布的多条第二电极。第一电极和第二电极绝缘交叉设置，且第一电极在交叉处断开为多个第一子电极，导电桥位于第一电极和第二电极的交叉处，以连接相邻的第一子电极。静电导出结构与至少一个导电桥连接。本公开实施例通过与导电桥连接的静电导出结构将聚集在导电桥上的静电荷导出，改善导电桥因为静电荷聚集而被静电击伤的问题。

本公开第一方面提供的触控基板，包括基底、触控电极层和静电导出结构。触控电极层位于基底上，且包括并列排布的多条第一电极和并列排布的多条第二电极。第一电极和第二电极绝缘交叉设置，且第一电极在交叉处断开为多个第一子电极，导电桥位于第一电极和第二电极的交叉处，以连接相邻的第一子电极。静电导出结构与至少一个导电桥连接。

在本公开第一方面的一个具体实施方式中，静电导出结构包括多个走线，走线和对应的第一电极中的导电桥连接。

在本公开第一方面的一个具体实施方式中，走线与第一电极一一对应。

在本公开第一方面的一个具体实施方式中，多个走线包括第一走线，第一走线位于导电桥背离第一子电极的一侧，第一走线和导电桥之间设置有绝缘介质层，绝缘介质层中设置有通孔，第一走线通过通孔和导电桥连接；和/或

多个走线包括第二走线，第二走线与导电桥同层且同材料。

在本公开第一方面的一个具体实施方式中，触控基板包括第一接地信号线，静电导出结构和第一接地信号线连接；和/或

基底为显示基板，且包括第二接地信号线，静电导出结构和第二接地信号线连接。

例如，第一接地信号线和静电导出结构同层同材料。

在本公开第一方面的一个具体实施方式中，触控基板还包括待撕离的保护膜，该保护膜在触控电极层远离基底的一侧。

本公开第二方面提供一种触控基板，该触控基板包括基底、触控电极层和静电导出结构。触控电极层位于基底上，且包括并列排布的多条第一电极和并列排布的多条第二电极。第一电极和第二电极绝缘交叉设置，且第一电极在交叉处断开为多个第一子电极，导电桥位于第一电极和第二电极的交叉处，以连接相邻的第一子电极。静电导出结构包括与导电桥连接的第一部分和与接地信号线连接的第二部分，第一部分和第二部分断开连接。

在本公开第二方面的一个具体实施方式中，基底为显示基板，触控基板还包括偏光片，偏光片位于触控电极层远离基底的一侧。

本公开第三方面一种触控显示装置，该触控装置包括如第一方面或第二方面提供的触控基板。

本公开第四方面提供一种触控基板的制备方法，该制备方法包括：

提供基底；

在基底上形成触控电极层和静电导出结构；触控电极层包括并列排布的多条第一电极和并列排布的多条第二电极，其中，第一电极和第二电极绝缘交叉设置，且第一电极在交叉处断开为多个第一子电极，导电桥位于第一电极和第二电极的交叉处，以连接相邻的第一子电极；静电导出结构与至少一个导电桥连接。

在本公开第四方面的一个具体实施方式中，制备方法还包括：

在静电导出结构和触控电极层远离基底的一侧形成保护膜；

撕掉保护膜；

断开静电导出结构与导电桥的电连接；以及

在静电导出结构和触控电极层远离基底的一侧贴附偏光片。

附图说明

图1是本公开至少一实施例提供的触控基板的基底和触控电极层的平面示意图。

图2是图1所示的触控电极层和基板沿AB线的截面示意图。

图3是包括图1所示的基底和触控电极层的触控基板的局部截面示意图。

图4是本公开至少一实施例提供的触控基板的第一走线、导电桥和第一接地信号线的平面示意图。

图5是本公开至少一实施例提供的触控基板的第二走线、导电桥和第一接地信号线的平面示意图。

图6是包括第二走线的触控基板的局部截面示意图。

图7是图1所示的基底和触控电极层的沿AB线的截面示意图。

图8是包括图7所示的基底和触控电极层的触控基板的截面示意图。

图9是包括图7所示的基底和触控电极层的触控基板的截面示意图。

图10是本公开至少一实施例提供的触控基板的静电导出结构、导电桥和第一接地信号线的平面示意图。

图11是包括图10所示的静电导出结构、导电桥和第一接地信号线的触控基板的截面示意图。

图12是本公开至少一实施例提供的触控显示装置的爆炸示意图。

图13是本公开至少一实施例提供的触控基板的制备方法的流程示意图。

图14是本公开至少一实施例提供的触控基板的截面示意图。

图15是本公开至少一实施例提供的触控基板的截面示意图。

图16是本公开至少一实施例提供的触控基板的截面示意图。

图17是本公开至少一实施例提供的触控基板的截面示意图。

附图标记：

100-触控基板；110-基底；120-触控电极层；130-静电导出结构；11-触控功能区；12-边框区；121-第一电极；1211-第一子电极；122-第二电极；123-导电桥；S1-触控单元；124-绝缘层；125-保护层；126-第一接地信号线；131-第一走线；132-第一通孔；133-绝缘介质层；134-第二走线；135-第一部分；136-第二部分；140-保护膜；150-偏光片；第一区域S2；

1000-触控显示装置；200-盖板；300-壳体。

具体实施方式

下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

在触控基板的制备过程中，会采用静电吸附的方式在触控基板的表面设置一层保护膜(也就是离型膜)，在后续的工艺中会撕除该保护膜，在撕膜过程中，会在触控基板表面产生大量的静电荷，这些静电荷会导致触控基板表面静电放电(ElectrostaticDischarge，简称为：ESD)。触控基板中的触控电极通常采用金属网格(Metal Mesh)结构，触控基板表面静电放电时会形成高电压，强电场，瞬时大电流，导致触控基板中的金属网格线被击伤。此外，在触控产品使用过程中，手指和屏幕相互摩擦也会导致静电，也会导致触控基板中的连接线被静电击伤。

有鉴于此，本公开提供一种触控基板，该触控基板包括基底，以及位于基底上的触控电极层和静电导出结构。触控电极层位于基底上，且包括并列排布的多条第一电极和并列排布的多条第二电极。第一电极和第二电极可在触控功能区中。第一电极和第二电极绝缘交叉设置，且第一电极在交叉处断开为多个第一子电极，导电桥位于第一电极和第二电极的交叉处，以连接相邻的第一子电极。静电导出结构与至少一个导电桥连接。本公开实施例通过与导电桥连接的静电导出结构将在撕膜时聚集在导电桥上的静电荷导出，改善导电桥因为静电荷聚集而被静电击伤的问题。

下面，结合附图对本公开至少一个实施例中的触控基板的具体结构进行说明。在这些附图中，触控基板所在面为基准建立空间直角坐标系，以对触控基板中各个结构的位置进行说明。在该空间直角坐标系中，X轴和Y轴与触控基板所在的面平行，Z轴与触控基板所在面垂直。

在本公开至少一个实施例中，触控基板包括基底、触控电极层和静电导出结构。触控电极层可以包括触控电极和导电桥。其中，导电桥可以位于触控电极和基底之间，也可以位于触控电极背离基底的一侧。下面结合附图1～图6对导电桥位于触控电极(包括第一子电极和第二电极)和基底之间进行说明，结合附图7～图8对触控电极位于导电桥和基底之间的两种实施方式进行说明。

图1是本公开至少一实施例提供的触控基板的基底和触控电极层的平面示意图。如图1所示，触控基板包括触控功能区11以及边框区12，触控功能区11和边框区12是在垂直于Z轴的平面上划分的区域。Z轴可平行于触控基板的厚度方向。触控电极层120包括并列的多条第一电极121和并列的多条第二电极122，第一电极121和第二电极122绝缘交叉设置，以在交叉处构成触控电容(相当于一个触控单元S1)。触控电极(第一电极121或者第二电极122)位于基底110上且位于触控功能区11内，第一接地信号线126可设于边框区12，第一接地信号线126与其他信号线(例如扫描信号线以及驱动信号线等)相互绝缘。多条第一电极121可沿第一方向X延伸，沿第二方向Y排列。第一电极121可包括沿第一方向X交替连接的第一子电极1211和导电桥123。多条第二电极122可沿第二方向Y延伸，沿第一方向X排列。

具体地，触控单元S1的边界可以根据触控电容的感应区域进行划分。在本公开的实施例中，第一电极121和第二电极122中的一个可以为驱动电极，第一电极121和第二电极122中的另一个可以为感应电极，驱动电极和感应电极交叉的区域可以形成触控电容。向驱动电极施加扫描信号，如果用户的手指靠近该交叉点，驱动电极或者感应电极和用户的手指之间会形成寄生电容，该寄生电容会引起触控电容的电压浮动，即驱动电极和感应电极交叉点处形成的触控电容的电容值会发生改变，通过检测电压发生改变的感应电极，可以确定电容值发生变化的触控电容的位置，即可定位触摸位置，从而实现触控。

需要说明的是，在触控基板100中划分触控单元S1时，通常将整个触控功能区11全部都划分为多个触控单元S1，而触控单元S1的区域划分实际是对感应区域的界定，例如，可以根据该区域的触控灵敏度划分该区域属于哪个触控单元S1。例如，在相邻的第一触控电容和第二触控电容之间的一个区域，如果在被触控(例如用户的手指靠近)时，第一触控电容的电容值的变化率大于第二触控电容的电容值的变化率，那么该区域可以划分为第一触控电容所对应的触控单元S1中。如此，触控单元S1的边界实际上可能比触控电容所占的面积更大，本领域人员应当知晓的是，电容的检测范围通常会大于触控电容所占的面积，因此，即便是电容周边的区域仍可以算作该触控电容的检测区域，即，该电容及其周边的一些区域可以限定为一个触控单元S1。

图2是图1所示的触控电极层和基板沿AB线的截面示意图。如图2所示，导电桥123位于基底110和触控电极(包括第一子电极1211和第二电极122)之间，即，触控电极位于导电桥123的面向触控基板100的触控侧的一侧。如此，在用户从触控基板100的触控侧观察时，导电桥123位于触控电极(包括第一子电极1211和第二电极122)之下而被触控电极遮挡，从而避免因设置导电桥123而引起的触控基板100的透光率和反光率都不均匀的问题，提高触控基板100的光学效果。示例性的，如图2所示，导电桥123位于基底110和触控电极(包括第一子电极1211和第二电极122)之间。例如，在实际工艺中，可以在基底110上沉积导电材料膜层，然后对该导电材料膜层进行图案化处理以形成导电桥123；然后在基底110和导电桥123上沉积绝缘材料以形成绝缘层124，绝缘层124覆盖导电桥123，对绝缘层124进行图案化处理以在绝缘层124中形成暴露导电桥123的孔；然后，在绝缘层124上沉积另一导电材料膜层，该另一导电材料膜层填充在孔中，形成导电的通孔，导电材料膜层通过通孔与导电桥123连接，对该另一导电材料膜层进行图案化处理后，形成如图2所示的第一子电极1211和第二电极122，导电桥123将断开的第一子电极1211连接起来。

静电导出结构和触控电极层中的导电桥连接，以将在撕膜时聚集在导电桥上的静电荷导出，改善导电桥因为静电荷聚集而被静电击伤的问题，解决了相关技术中通过优化撕膜工艺，如调整撕膜速度等改善效果不明显且影响产能等问题。可选地，静电导出结构和导电桥可以具有多种不同的相对位置关系。具体地，静电导出结构包括多个走线，走线和对应的第一电极中的导电桥连接。可选的，不同的第一电极对应的走线不同。可选的，多个走线与一个第一电极对应。可选的，走线与第一电极一一对应。可选的，一条走线和对应的第一电极中的多个导电桥连接。示例性地，多个走线包括第一走线131，第一走线131位于导电桥123背离第一子电极1211的一侧，第一走线131和导电桥之间设置有绝缘介质层133，绝缘介质层133中设置有通孔，第一走线131通过通孔和导电桥连接；或者多个走线包括第二走线134，第二走线134与导电桥同层且同材料。此外，静电导出结构也可以同时包括第一走线131和第二走线134。下面结合图3～图4对静电导出结构的第一走线131进行介绍，结合图5～图6对静电导出结构的第二走线134进行介绍。

图3是包括图1所示的基底和触控电极层的触控基板的局部截面示意图。如图3所示，多个走线包括第一走线131，第一走线131位于导电桥背离第一子电极1211的一侧，第一走线131和导电桥123之间设置有绝缘介质层133，绝缘介质层133中设置有第一通孔132，第一走线131通过第一通孔132和导电桥123连接。

具体地，在导电桥位于触控电极(包括第一子电极1211和第二电极122)和基底之间的情况下，第一走线131位于导电桥背离第一子电极的一侧，可以是第一走线131位于导电桥和基底之间。

具体地，第一走线131和接地信号线(例如可以是第一接地信号线和/或第二接地信号线)连接，第一走线131将同一第一电极中的多个导电桥连接，可以将聚集在导电桥上的静电荷通过第一走线131导出。第一走线131仅连接与其对应的第一电极的导电桥，可以避免连接多个不同电极而影响触控基板的触控功能。在撕除保护膜后的工艺中，将第一走线131和接地信号线之间的连接断开，例如采用激光断开的工艺断开第一走线131和接地信号线的电性连接，以避免影响触控基板的触控功能。

接地信号线可看作是静电导出结构的一部分。接地信号线和静电导出结构也可看作是两个分立的结构。在本公开实施例的一个可选的实施方式中，触控基板包括第一接地信号线126，静电导出结构130和第一接地信号线126连接。可选地，第一接地信号线126和静电导出结构130同层同材料。可通过对同一导电层进行图案化处理，以形成第一接地信号线126和静电导出结构130，可简化工艺。第一接地信号线126可位于边框区。

图4是第一走线131、导电桥和第一接地信号线的平面示意图。第一走线131位于导电桥朝向基底的一侧。第一走线131和导电桥分别在基底的正投影部分重合，这样可以通过第一走线131和导电桥之间的绝缘介质层133中的第一通孔132实现第一走线131和导电桥的电连接。第一走线131和位于边框区的第一接地信号线126连接。可选地，第一接地信号线126环绕触控功能区设置，第一走线131可以两端分别连接到位于边框区的第一接地信号线126，也可以仅一端连接到第一接地信号线126。此外，第一走线131可以连接一个导电桥，也可以连接多个导电桥。

第一走线131和导电桥不同层设置，可以增加走线的布线空间，避免走线的密度过大而导致短路，降低触控基板的制备难度，且不需要改变触控基板原有工序的掩膜图案，可以降低制备成本。

在本公开实施例的一个可选的实施方式中，如图5和图6所示，多个走线包括第二走线134，第二走线134与导电桥123同层且同材料。可通过对同一导电层进行图案化处理，以形成第二走线134与导电桥123，可简化工艺。具体地，第二走线134、导电桥123和第一接地信号线126都同层设置。可通过对同一导电层进行图案化处理，以形成第二走线134、导电桥和第一接地信号线126，可简化工艺。

图5是第二走线134、导电桥和第一接地信号线的平面示意图。图6是包括第二走线134的触控基板的局部截面示意图。如图5和图6所示，第二走线134包括多个子走线，每个子走线连接同一个第一电极中的相邻的导电桥。将静电导出结构、导电桥和第一接地信号线都同层设置，可以减小触控基板的厚度，还可以缩短工艺流程，提高制备效率。可选的，第二走线134和接地信号线(例如可以是第一接地信号线和/或第二接地信号线)电连接。第二走线134仅连接与其对应的第一电极的导电桥，可以避免连接多个不同电极而影响触控基板的触控功能。在撕除保护膜后的工艺中，将第二走线134和接地信号线之间的连接断开，例如采用激光断开的工艺断开第二走线134和接地信号线的电性连接，以避免影响触控基板的触控功能。

在本公开实施例的一个可选的实施方式中，基底为显示基板，且包括第二接地信号线，静电导出结构和第二接地信号线连接。具体地，由于第二接地信号线和第一走线131以及第二走线134不同层，静电导出结构与第二接地信号线连接相对于静电导出结构与第一接地信号线连接的区别在于，可以通过在基底和触控电极层的部分膜层中设置第二通孔，使第一走线131通过第二通孔和第二接地信号线连接。第二接地信号线可位于边框区。

图7是图1所示的基底和触控电极层的沿AB线的截面示意图。如图7所示，触控电极(包括第一子电极1211和第二电极122)位于基底110和导电桥123之间。例如，在实际工艺中，可以在基底110上沉积导电材料膜层，然后对该导电材料膜层进行图案化处理以形成触控电极(包括第一子电极1211和第二电极122)；然后在基底110和触控电极上沉积绝缘材料以形成绝缘层124，绝缘层124覆盖第一子电极1211和第二电极122，对绝缘层124进行图案化处理以在绝缘层124中形成暴露第一子电极1211的孔；然后，在绝缘层124上沉积另一导电材料膜层，该另一导电材料膜层填充在暴露第一子电极1211的孔中，以与第一子电极1211连接，对该另一导电材料膜层进行图案化处理后，形成如图7所示的导电桥123，导电桥123将断开的第一子电极1211连接起来。

图8是包括图7所示的基底和触控电极层的触控基板的截面示意图。如图8所示，在触控电极(包括第一子电极1211和第二电极122)位于导电桥123和基底110之间的情况下，第一走线131位于导电桥123背离第一子电极121的一侧，可以是第一走线131位于保护层125和导电桥123之间。

图9是包括图7所示的基底和触控电极层的触控基板的截面示意图。如图9所示，第二走线134、导电桥123以及第一接地信号线126同层同材料。

在本公开实施例的一个可选的实施方式中，触控基板还包括待撕离的保护膜(例如可以是离型膜)，该保护膜在触控电极层远离基底的一侧。待撕离的保护膜位于静电导出结构和保护层远离基底的一侧。待撕离保护膜可以采用静电吸附的方式与触控基板背离基底的表面贴合，由于触控基板还需要和偏光片、支撑层以及盖板等其它膜层组装形成最终的触控显示基板，组装的工艺需要在其他操作机台中进行，因此，在触控电极层表面设置保护膜可以在触控基板触控基板转运的过程中对触控基板进行保护。在贴附偏光片和/或盖板前，可将保护膜撕掉，之后，再贴附偏光片和/或盖板。

需要说明的是，在基底为显示基板的情况下，显示基板可以包括多个间隔设置的子像素，本公开实施例中的触控电极、导电桥以及静电导出结构分别在显示基板的正投影都位于像素间隙中。而且，要说明的是，静电导出结构只需具备静电传导功能即可，静电导出结构的材料、厚度以及形状都可以根据需要适应性调整，本公开不用于限定静电导出结构的材料、厚度以及形状。且静电导出结构的走线可以连接不同数量的导电桥，例如静电导出结构可以连接1个、2个、3个以及多个导电桥。

可选的，触控基板还包括保护层125，位于触控电极层远离基底的一侧。保护层125可位于触控电极层和保护膜之间。保护层125可为有机平坦化层，可用于保护触控电极层，可避免保护膜被撕掉时损伤触控电极层。

具体地，基底可以是显示基板。该显示基板可以为有机发光(Organic Light-Emitting Diode，简称为OLED)显示基板、液晶(LCD)显示基板或者电子纸显示基板等。显示基板可包括发光器件层和驱动电路层。显示基板中还可包括薄膜封装层，位于发光器件层远离驱动电路层的一侧。

例如，以基底为OLED显示基板为例，在基底中包括有机发光二极管和驱动电路层，有机发光二极管组成柔性显示基板的子像素的实体发光结构。其中，OLED显示基板可以根据需求设置为具有顶发射模式或者底发射模式。

驱动电路层可以包括像素驱动电路，像素驱动电路可包括多个晶体管(例如薄膜晶体管TFT)、电容等，例如形成为2T1C(即2个晶体管(T)和1个电容(C))、3T1C或者7T1C等多种形式。像素驱动电路可以通过信号线连接至邦定区，以通过柔性电路板连接至控制芯片，如此，控制芯片可以对显示基板的显示功能进行控制。

显示基板可包括导电元件，例如，导电元件可以是发光二极管中的阳极层或者阴极层，导电元件还可以是驱动电路层中的薄膜晶体管的栅极或者源漏极，导电元件还可以是电容中的上电极或者下电极。第二接地信号线可以和导电元件中的至少一个同层且同材料，第二接地信号线和导电元件同层且同材料，相当于通过对同一导电层图形化形成第二接地信号线和导电元件，可以使得第二接地信号线与显示基板原有的导电元件在同一工序形成，可以不需要额外增加制程，因此这种方式可以提高制备效率，简化工艺。

示例性地，第二接地信号线和驱动电路层中的薄膜晶体管中的源漏极同层。这种方式可以将静电导出结构与基底中的接地信号线连接，从而将触控基板的静电荷导出，因此可以改善触控基板中的第一电极或者第二电极被静电击伤的问题，将触控基板上撕膜时产生的静电电荷从接地引线导走而保护触控电极中第一电极和第二电极的交叉处的导电桥免受击伤。

在本公开至少一个实施例中，触控基板包括基底、触控电极层和静电导出结构。与上述实施例中的触控基板的区别在于，静电导出结构包括与导电桥连接的第一部分135和与接地信号线(例如可以是第一接地信号线和/或第二接地信号线)连接的第二部分136，第一部分135和第二部分136断开连接。触控基板可包括触控功能区11以及边框区12。

图10是静电导出结构、导电桥和第一接地信号线的平面示意图。如图10所示，第一部分135和第二部分136断开，也就是将上述实施例中的静电导出结构在第一区域S2断开，以将导电桥和接地信号线断开连接，这样可以避免触控基板的触控功能受到影响。第一区域S2可位于边框区12。

图11是包括图10所示的静电导出结构、导电桥和第一接地信号线的触控基板的截面示意图。可选地，基底为显示基板，触控基板还包括偏光片150，偏光片150位于触控电极层远离基底的一侧。偏光片150用于起到偏振的作用，过滤一部分角度的光束，可减少环境光的反射。在触控基板的基底为显示基板时，在触控电极层背离基底的一侧设置偏光片150可以提高显示基板的显示效果。在将保护膜撕掉之后，可贴附偏光片150。

可选的，基底为显示基板，触控基板还包括盖板，盖板位于触控电极层远离基底的一侧。在将保护膜撕掉之后，可贴附盖板。

需要说明的是，触控基板可不设置偏光片，可通过色阻层和黑矩阵等结构，减少环境光的反射。

本公开至少一个实施例提供一种触控显示装置1000，如图12所示，该触控显示装置1000包括上述实施例提供的触控基板100。该触控显示装置1000还可包括盖板200和壳体300，触控基板100设置在盖板200和壳体300组成的容纳空间中。

该触控显示装置1000可以为移动或便携式并执行无线通信的各种类型的计算机系统设备中的任何一种。在一些情况下，触控显示装置1000可以执行多种功能(例如，播放音乐，显示视频，存储图片以及接收和发送电话呼叫)。具体地，显示装置可以为电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。

根据本公开实施例提供的触控显示装置与本公开实施例所提供的触控基板属于同一发明构思，具有相应的结构和有益效果。未在触控显示装置的实施例中详尽描述的细节，可参见触控基板的实施例部分，此处不再赘述。

本公开至少一个实施例提供一种触控基板的制备方法。该触控基板的制备方法可用于制备上述实施例中的触控基板。该触控基板在与Z轴垂直的平面上可划分有触控功能区以及边框区。如图13所示，该制备方法包括如下步骤S1310～步骤S1320。

S1310：提供基底。

S1320：在基底上形成触控电极层和静电导出结构。

具体地，触控电极层包括并列排布的多条第一电极和并列排布的多条第二电极，其中，第一电极和第二电极绝缘交叉设置，且第一电极在交叉处断开为多个第一子电极，导电桥位于第一电极和第二电极的交叉处，以连接相邻的第一子电极；静电导出结构与至少一个导电桥连接。触控电极层可在触控功能区中。

具体地，如图14所示，在具体工艺中，可以采用物理气相沉积(PVD)及光刻(PH)等工艺制备在基底上制备图形化的静电导出结构。示例性地，该结构材料可为金属Ti/Al/Ti/Mo、ITO或者IGZO等透明金属氧化物等。可选地，在形成静电导出结构的同时形成第一接地信号线。再采用化学气相沉积(CVD)工艺形成覆盖静电导出结构和基底的绝缘介质层133，可选地，绝缘介质层133的材料为SiNx或者SiOx等。采用光刻工艺在绝缘介质层133中形成露出静电导出结构的孔132。随后，采用PVD及PH等工艺制备图形化的导电桥。采用CVD及PH等工艺制备图形化的绝缘层124，绝缘层中包括通孔。采用PVD及PH等工艺在绝缘层上制备图形化的触控电极(包括第一子电极1211和第二电极122)。采用PH工艺涂布有机保护层125，材料可为透明光学胶(OC)或其它透明有机胶等。

在本公开实施例一个具体实施方式中，触控基板的制备方法还包括如下步骤S1330～步骤S1340。

S1330：在静电导出结构和触控电极层远离基底的一侧形成保护膜140。

具体地，如图15所示，保护膜140为离型膜或不涂胶膜，例如可通过静电吸附的方式粘在触控电极层上，起到保护触控电极层的作用。

S1340：撕掉保护膜140。

具体地，从触控电极层的一侧向其相对的一侧撕除保护膜140。

在本公开实施例一个具体实施方式中，触控基板的制备方法还包括步骤S1350。在撕掉保护膜140之后，还包括：

S1350：断开静电导出结构与导电桥的电连接。

具体地，如图16所示，可以通过激光断开工艺断开静电导出结构与导电桥的电连接，以断开导电桥、静电导出结构和接地信号线的电连接，例如在图14所示的第一区域S2断开。可在静电导出结构靠近导电桥的位置断开，和/或，在静电导出结构远离导电桥的位置断开，和/或，在静电导出结构的中间位置断开，可根据需要进行断开。

在本公开实施例一个具体实施方式中，触控基板的制备方法还包括步骤S1360。在撕掉保护膜140之后，还包括：

S1360：在静电导出结构和触控电极层远离基底的一侧贴附偏光片150。

具体地，如图17所示，可以通过胶粘的方式将偏光片150粘在保护层表面。

在本公开实施例一个具体实施方式中，触控基板的制备方法还包括步骤S1370。在撕掉保护膜140之后，还包括：

S1370：在静电导出结构和触控电极层远离基底的一侧贴附盖板。

根据本公开实施例提供的触控基板的制备方法与本公开实施例所提供的触控基板以及触控显示装置属于同一发明构思，具有相应的结构和有益效果。未在触控显示装置的实施例中详尽描述的细节，可参见触控基板的实施例部分，此处不再赘述。

以上仅为本公开的较佳实施例而已，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本公开的保护范围之内。