显示面板制作方法及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板制作方法及显示面板。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、对比度高、宽视角等性能特点，以及可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优势，被业界认为最有发展潜力的显示器。

OLED显示面板通常具有显示区和边缘区，显示区主要用于实现显示面板的显示功能，边缘区设置有边缘电极，如绑定走线、绑定垫等，用于将显示区与外部信号元件电性接通。OLED显示面板的层状结构包括阵列基板及设置于阵列基板上的像素定义层；阵列基板中设置有薄膜晶体管器件，薄膜晶体管器件具有源漏电极；像素定义层中设置有用于实现发光功能的阳极、发光功能层和阴极。现有技术中，源漏电极采用金属铜制作，阳极采用银或银合金制作；在OLED显示面板制作过程中，设置于边缘区域的边缘电极无法与源漏电极或与阳极通过同一制程工艺制作，因为边缘电极若采用铜或银或银合金制作，则在后续制程中容易被刻蚀液腐蚀，造成边缘电极失效；因此，现有技术会采用化学性质稳定、且不易被刻蚀液腐蚀的金属或合金材料制作边缘电极，但是这样就需要增加一道单独的边缘电极沉积、光罩、刻蚀工艺，造成OLED显示面板制作工艺的复杂化，不利于降低生产成本、提高生产效率。

发明内容

基于上述现有技术中的不足，本申请提供一种显示面板制作方法及显示面板，在制作源漏电极时，形成覆盖显示区和边缘区的双层导电层，并通过对双层导电层的两次连续刻蚀操作，形成源漏电极和边缘电极，解决了现有技术中通过单独工序制作边缘电极而导致的工艺复杂化的问题。

本申请提供一种显示面板制作方法，包括以下步骤：

提供一衬底基板，所述衬底基板具有显示区和边缘区；

在所述衬底基板上制作阵列层，所述阵列层包括层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上制作双层导电层，所述双层导电层包括第一导电层和叠层于所述第一导电层上的第二导电层，对应所述显示区的所述双层导电层构成源漏电极，对应所述边缘区的所述双层导电层构成原始边缘电极；

去除所述原始边缘电极中的所述第二导电层，形成边缘电极；

制作覆盖所述源漏电极和所述边缘电极的钝化层；

在所述钝化层上形成暴露所述源漏电极的第一开孔和暴露所述边缘电极的第二开孔；

在所述钝化层上制作像素定义层，所述像素定义层包括阳极，所述阳极通过所述第一开孔与所述源漏电极电性连接。

根据本申请一实施例，所述第一导电层由氧化铟锡制作，所述第二导电层由铜制作。

根据本申请一实施例，制作所述像素定义层之前还包括：在所述钝化层上制作平坦层。

根据本申请一实施例，所述阵列层包括设置于所述衬底基板上的半导体层、设置于所述半导体层上栅极绝缘层、以及设置于所述栅极绝缘层上的栅极，所述层间绝缘层覆盖所述半导体层、所述栅极绝缘层和所述栅极，所述源漏电极通过设置于所述层间绝缘层上的开孔与所述半导体层电性连接。

根据本申请一实施例，所述像素定义层还包括设置在于所述阳极上的发光功能层、及设置于所述发光功能层上的阴极。

根据本申请一实施例，形成所述源漏电极和所述边缘电极的方法包括：

通过气相沉积法在所述层间绝缘层上形成整面型的所述双层导电层；

通过第一道刻蚀工艺对所述双层导电层进行刻蚀，形成所述源漏电极及所述原始边缘电极；

通过第二道刻蚀工艺将所述原始边缘电极中的所述第二导电层刻蚀去除，形成所述边缘电极。

本申请提供一种显示面板，所述显示面板是采用如上所述的显示面板制作方法制作而成的显示面板。

本申请还提供一种显示面板，包括：

衬底基板，包括显示区和边缘区；

阵列层，设置于所述衬底基板上，包括层间绝缘层，对应所述显示区的所述层间绝缘层上设置有源漏电极，对应所述边缘区的所述层间绝缘层上设置有边缘电极，所述源漏电极包括第一导电层和设置于所述第一导电层上的第二导电层，所述边缘电极包括所述第一导电层；

钝化层，设置于所述阵列层上；

像素定义层，设置于钝化层上，所述像素电极层包括阳极，所述阳极通过所述钝化层上的第一开孔与所述源漏电极电性连接。

根据本申请一实施例，所述第一导电层为氧化铟锡层，所述第二导电层为金属铜层。

根据本申请一实施例，所述边缘电极通过所述钝化层上的第二开孔暴露。

本申请的有益效果是：本申请提供的显示面板制作方法及显示面板，提出在制作显示面板的源漏电极时，首先形成覆盖显示区和边缘区的双层导电层，然后通过对双层导电层的两次连续刻蚀操作，形成具有双层导电层的源漏电极和具有单层导电层的边缘电极；所述源漏电极的双层导电层结构提高了其导电性；同时，所述显示面板制作方法将所述边缘电极的制作工艺与所述源漏电极的制作工艺结合，通过同一道沉积、刻蚀工艺同时制作所述边缘电极和所述源漏电极，省去了单独制作边缘电极的操作，简化了显示面板的制作工艺，提高了生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的显示面板制作方法流程图；

图2是本申请实施例提供的显示面板制作方法中制作完成层间绝缘层后的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的显示面板制作方法中制作完成双层导电层后的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的显示面板制作方法中对所述双层导电层进行第一道刻蚀工艺后的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的显示面板制作方法中制作完成平坦层后的结构示意图；

图6是本申请实施例提供的显示面板制作方法最终制得的显示面板结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本申请实施例提供一种显示面板制作方法，该制作方法指出：在制作显示面板的源漏电极时，首先形成覆盖显示区和边缘区的双层导电层，然后通过对双层导电层的两次连续刻蚀操作，形成源漏电极和边缘电极，简化了边缘电极的制作工艺，有利于降低显示面板的生产成本、提高生产效率。

如图1所示，是本申请实施例提供的显示面板制作方法流程图。所述显示面板制作方法包括以下步骤：

步骤S1、参考图2所示，提供一衬底基板10，所述衬底基板10具有显示区AA和边缘区NA。

可选地，所述衬底基板10可以由玻璃等硬质材料制作而成，也可以由聚酰亚胺等柔性材料制作而成。

步骤S2、参考图2所示，在所述衬底基板10上制作阵列层20，所述阵列层20包括层间绝缘层25。

具体地，在所述衬底基板10上制作所述阵列层20之前还包括以下步骤：在所述衬底基板10上沉积一金属层，并对所述金属层进行刻蚀操作，形成遮光层51和第一极板52，制作所述金属层的材料可以是钼、钛或铜等；通过沉积法或涂布法，制作覆盖所述遮光层51和所述第一极板52的缓冲层50，制作所述缓冲层50的材料可以是氮化硅会氧化硅等。

进一步地，制作所述阵列层20的方法包括以下步骤：在所述缓冲层50上沉积一层半导体材料层，所述半导体材料层可以是氧化铟镓锌；对所述半导体材料层进行刻蚀制程，形成半导体层22和第二极板21，所述第二极板21与所述第一极板52之间形成存储电容；在所述半导体层22上形成栅极绝缘层23；在所述栅极绝缘层23上形成栅极24；对所述半导体层22进行等离子体处理，从而在所述半导体层22的两端形成掺杂区；制作覆盖所述半导体层22、所述栅极绝缘层23、所述栅极24及所述第二极板21的层间绝缘层25；在所述层间绝缘层25上对应所述半导体层22的掺杂区形成开孔。

步骤S3、参考图4所示，在所述层间绝缘层25上制作双层导电层，所述双层导电层包括第一导电层261和叠层于所述第一导电层261上的第二导电层262，对应所述显示区AA的所述双层导电层构成源漏电极26，对应所述边缘区NA的所述双层导电层构成原始边缘电极27’。

具体地，制作所述源漏电极26和所述原始边缘电极27’的方法包括以下步骤：参考图3所示，通过气相沉积法在所述层间绝缘层25上形成整面型的所述第一导电层261和所述第二导电层262，所述第一导电层261和所述第二导电层262深入所述层间绝缘层25上的开孔，并与所述半导体层22电性连接；参考图4所示，通过第一道刻蚀工艺对所述第一导电层261和所述第二导电层262进行刻蚀，形成所述源漏电极26及所述原始边缘电极27’；刻蚀完成后，保留设置于所述源漏电极26上的光阻层，而去除设置于所述原始边缘电极27’上的光阻层，以便对所述原始边缘电极27’进行进一步刻蚀。

进一步地，所述第一导电层261由氧化铟锡制作，所述第二导电层262由铜制作。应当理解的是，所述第一导电层261和所述第二导电层262分别采用不同的导电材料制作，可以保证用于刻蚀所述第二导电层262的刻蚀液不会腐蚀所述第一导电层261，在本实施例中，用于刻蚀金属铜的刻蚀液不会腐蚀氧化铟锡，从而保证氧化铟锡导电层的性能稳定。

需要说明的是，采用本实施例提供的方法制作的源漏电极26包含由氧化铟锡制作的第一导电层261和由铜制作的第二导电层262，所述源漏电极26中的金属铜层进一步提高了所述源漏电极26的导电性。

步骤S4、参考图4及图5所示，去除所述原始边缘电极27’中的所述第二导电层262，形成边缘电极27。

具体地，通过第二道刻蚀工艺去除所述第二导电层262。需要说明的是，在所述第一道刻蚀工艺完成后，保留设置于所述源漏电极26上的光阻层，而去除设置于所述原始边缘电极27’上的光阻层，因此，采用第二道刻蚀工艺进行刻蚀时，刻蚀液仅刻蚀所述原始边缘电极27’；所述第二道刻蚀工艺使用的刻蚀液为可刻蚀铜的刻蚀液，因此，该刻蚀液不会对所述第二导电层262造成损伤，从而保证了形成的所述边缘电极27的性能稳定。

步骤S5、参考图5所示，制作覆盖所述源漏电极26和所述边缘电极27的钝化层30。

可选地，所述钝化层30由气相沉积工艺制作而成，制作所述钝化层30的材料可以是氧化硅或氮化硅，所述钝化层的厚度为1000埃米～5000埃米。

可选地，制作完所述钝化层30之后还包括：在所述钝化层30上制作平坦层60，所述平坦层60设置于所述显示区AA内；在通过黄光刻蚀工艺在所述平坦层60上制作对应所述源漏电极26的接触孔。需要说明的是，在制作所述平坦层60和所述平坦层60上的接触孔时，所述钝化层30还没有进行刻蚀打孔操作，所述钝化层30完全覆盖所述源漏电极26和所述边缘电极27，从而保护所述源漏电极26和所述边缘电极27免遭氧化；同时，制作所述平坦层60过程中产生的热量会促使所述边缘电极27由非晶态转变为晶态，结晶状态的所述边缘电极27不易被后续刻蚀制程中的刻蚀液所腐蚀。

可选地，所述平坦层60包括第一平坦层61和第二平坦层62，以达到最佳的平坦效果；所述平坦层60的厚度为0.5微米～3微米。

步骤S6、参考图5所示，在所述钝化层30上形成暴露所述源漏电极26的第一开孔31和暴露所述边缘电极27的第二开孔32。

步骤S7、如图5和图6所示，在所述钝化层60上制作像素定义层40，所述像素定义层40包括阳极41，所述阳极41通过所述第一开孔31与所述源漏电极26电性连接。

可选地，所述阳极41包括三层导电层，分别是氧化铟锡层、银层、氧化铟锡；制作所述阳极41时，通过气相沉积法形成覆盖所述显示区AA和所述边缘区NA的整面的三层导电层，然后通过刻蚀工艺去除边缘区NA的所述三层导电层，并使显示区AA的所述三层导电层图案化，形成所述阳极41。需要说明的是，所述三层导电层中的氧化铟锡为非晶态，因此对所述边缘区NA进行刻蚀时，无论是银的刻蚀液，还是非晶态的氧化铟锡的刻蚀液均不能腐蚀晶态的所述边缘电极27，从而保证了所述边缘电极27的性能稳定。

具体地，所述阳极41通过设置于所述平坦层60上的接触孔及所述第一开孔31与所述源漏电极26电性连接。

进一步地，所述像素定义层40还包括界定层44，所述界定层44上设置有多个凹孔，所述阳极41对应所述凹坑设置于；所述像素定义层40还包括设置在于所述阳极41上的发光功能层42、及设置于所述发光功能层42上的阴极43；所述阳极41、所述发光功能层42及所述阴极43在所述凹孔内直接叠层，在所述凹坑外的区域，所述阳极41与所述发光功能层42之间被所述界定层44隔开。可选地，所述界定层44可以包括第一界定层441和叠层于所述第一界定层441上的第二界定层442。

进一步地，所述显示面板制作方法还包括在所述像素定义层40上制作薄膜封装层70的步骤。所述薄膜封装层70可以是无机层、有机层和无机层的叠层结构。

综上所述，本申请实施例提供的显示面板制作方法提出在制作显示面板的源漏电极时，首先形成覆盖显示区和边缘区的双层导电层，然后通过对双层导电层的两次连续刻蚀操作，形成具有双层导电层的源漏电极和具有单层导电层的边缘电极，提高了源漏电极的导电性，并简化了边缘电极的制作工艺，有利于降低显示面板的生产成本、提高生产效率。

本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板是采用上述实施例所述的显示面板制作方法制作而成的显示面板。

本申请实施例还提供一种显示面板，如图6所示，所述显示面板包括衬底基板10、设置于所述衬底基板10上的阵列层20、设置于所述阵列层20上的钝化层30、以及设置于所述钝化层30上的像素定义层40。所述衬底基板10包括显示区AA和边缘区NA。

可选地，所述显示面板还包括设置于所述衬底基板10上的遮光层51和第一极板52、设置于所述衬底基板10上并覆盖所述遮光层51的缓冲层50、设置于所述钝化层30上的平坦层60、以及设置于所述像素定义层40上的薄膜封装层70；所述阵列层20设置于所述缓冲层50上，所述像素定义层40设置于所述平坦层60上。所述缓冲层50上还设置有第二极板21，所述第一极板52与所述第二极板21之间通过所述缓冲层50电性绝缘，所述第一极板52和所述第二极板21构成存储电容。可选地，所述平坦层60包括第一平坦层61和第二平坦层62，以达到最佳的平坦效果。

可选地，所述衬底基板10可以由玻璃等硬质材料制作而成，也可以由聚酰亚胺等柔性材料制作而成。所述遮光层51由不透光的金属材料制作而成，例如可以是钼、钛、铜等；所述第一极板52与所述遮光层51可以采用相同的材料制作。所述缓冲层50由氧化硅或氮化硅制作而成的单层会多层薄膜结构。

所述阵列层20包括设置于所述缓冲层50上的半导体层22、设置于所述半导体层22上的栅极绝缘层23、设置于所述栅极绝缘层23上的栅极24、以及设置于所述缓冲层50上并覆盖所述半导体层22、所述栅极绝缘层23、所述栅极24的层间绝缘层25。对应所述显示区AA的所述层间绝缘层25上设置有源漏电极26，对应所述边缘区NA的所述层间绝缘层25上设置有边缘电极27。其中所述源漏电极26通过设置于所述层间绝缘层25上的过孔与所述半导体层22电性连接。

进一步地，所述源漏电极26包括第一导电层261和设置于所述第一导电层261上的第二导电层262，所述边缘电极27包括所述第一导电层261。需要说明的是，在本实施例中，所述源漏电极26包含两层导电层，确保了所述源漏电极26具有良好的导电性；同时，所述边缘电极27采用与所述源漏电极26中的一种导电层相同的导电层制作，可以将所述边缘电极27的制作工艺与所述源漏电极26的制作工艺结合，通过同一道沉积、刻蚀工艺同时制作所述边缘电极27和所述源漏电极26，省去了单独制作边缘电极的操作，有利于简化显示面板的制作工艺，降低显示面板成本。

可选地，所述第一导电层261为氧化铟锡层，所述第二导电层262为金属铜层。应当理解的是，所述源漏电极26中的金属铜层进一步提高了所述源漏电极26的导电性；所述边缘电极27中的氧化铟锡在显示面板后续制程中会结晶化，且不易被后续制程中的刻蚀液所述腐蚀，保证了所述边缘电极27性能的稳定。

如图5及图6所示，所述钝化层30上设置有用于暴露所述源漏电极26的第一开孔31和用于暴露所述边缘电极的第二开孔32，所述平坦层60上设置有对应所述第一开孔31的接触孔，用于暴露所述源漏电极26。

所述像素定义层40还包括界定层44、阳极41、发光功能层42、及阴极43，所述界定层44上设置有多个凹孔，所述阳极41、所述发光功能层42及所述阴极43在所述凹孔内依次叠层设置，在所述凹孔外的区域，所述阳极41与所述发光功能层42之间被所述界定层44隔开。可选地，所述界定层44可以包括第一界定层441和叠层于所述第一界定层441上的第二界定层442。

所述阳极41通过设置于所述平坦层60上的接触孔及所述第一开孔31与所述源漏电极26电性连接。

进一步地，所述显示面板还包括设置于所述像素定义层40上的薄膜封装层70；所述薄膜封装层70可以是无机层、有机层和无机层的叠层结构，用于密封和保护所述显示面板的内部器件。

综上所述，本申请实施例提供的显示面板包括源漏电极和边缘电极，所述源漏电极具有第一导电层和第二导电层，所述边缘电极具有所述第一导电层；上述结构特征确保了所述源漏电极26具有良好的导电性，同时，所述边缘电极采用与所述源漏电极中的一种导电层相同的导电层制作，可以将所述边缘电极的制作工艺与所述源漏电极的制作工艺结合，通过同一道沉积、刻蚀工艺同时制作所述边缘电极和所述源漏电极，省去了单独制作边缘电极的操作，有利于简化显示面板的制作工艺，降低显示面板成本。

需要说明的是，虽然本申请以具体实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。