发光器件及其制作方法、显示面板

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种发光器件及其制作方法、显示面板。

背景技术

近些年，无机纳米颗粒氧化锌薄膜作为量子点发光二极管器件的电子传输层可以提供较好的显示色域及较高的发光寿命，有着传统有机材料无法比拟的优势，然而氧化锌薄膜与量子点发光二极管器件之间的界面势垒较高，电子传输层到发光材料层的电子传输速率较低，量子点工作效率较低。

因此，亟需一种发光器件及其制作方法、显示面板以解决上述技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种发光器件及其制作方法、显示面板，可以缓解目前氧化锌薄膜与量子点发光二极管器件之间的界面势垒较高，量子点工作效率较低的技术问题。

本发明实施例提供了一种发光器件，包括发光材料层及位于所述发光材料层上的电子传输层；

其中，所述发光材料层包含第一金属元素，所述电子传输层包括含硫ZnO层，所述含硫ZnO层中的至少部分硫元素与所述第一金属元素之间连接有配位键。

在一实施例中，所述含硫ZnO层中的硫元素与所述含硫ZnO层中的锌元素之间连接有共价键。

在一实施例中，所述电子传输层还包括位于所述含硫ZnO层与所述发光材料层之间的ZnS层。

在一实施例中，在远离所述发光材料层的方向上，所述含硫ZnO层中的硫元素含量逐渐降低。

在一实施例中，在所述含硫ZnO层中，硫元素与氧元素之间的摩尔比为1:5至1:20。

在一实施例中，所述发光器件还包括位于所述电子传输层上远离所述发光材料层一侧的阴极层、位于所述发光材料层远离所述电子传输层一侧的空穴功能层及位于所述空穴功能层上的阳极层；和/或所述发光材料层的材料为量子点，所述量子点包括元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、Ⅷ-Ⅵ族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族中单一结构量子点或者核壳结构量子点，所述单一结构量子点选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe、CuInS、CdSeTe中任一种，所述核壳结构量子点的核包括CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP、InGaN中的至少一种，所述核壳结构量子点的壳选自ZnSe、ZnS、ZnSeS中的至少一种，所述第一金属元素为量子点中任一金属元素。

本发明实施例还提供了一种发光器件的制作方法，包括：

在衬底上形成ZnO膜层、发光材料膜层及位于所述发光材料膜层与所述ZnO膜层之间的单前躯体源膜层，以构成第一基板，所述单前躯体源膜层包括单前躯体源；

对所述第一基板进行退火处理，以形成含硫ZnO层；

其中，所述单前躯体源包括单硫前躯体或/和锌硫前躯体。

在一实施例中，所述单前躯体源选自N,N-二乙基二硫代氨基甲酸锌、乙基黄原酸锌、异丙基黄原酸锌、丁基黄原酸锌中的至少一种。

在一实施例中，所述对所述第一基板进行退火处理包括：

将所述第一基板升温至第一温度并保温第一时间；

将所述第一基板降温至室温；

其中，所述第一温度为60℃至150℃，所述第一时间为10分钟至60分钟。

在一实施例中，所述将所述第一基板降温至室温的步骤包括：

依次经历第二降温速率及第三降温速率，将所述第一基板降温至室温；

其中，所述第二降温速率大于所述第三降温速率。

本发明实施例还提供了一种显示面板，包括如任一上述的发光器件及阵列基板。

在一实施例中，所述发光材料层包括红色发光单元、绿色发光单元及蓝色发光单元，所述含硫ZnO层包括与所述红色发光单元对应的红色含硫ZnO单元、与所述绿色发光单元对应的绿色含硫ZnO单元及与所述蓝色发光单元对应的蓝色含硫ZnO单元；其中，所述红色含硫ZnO单元的厚度大于所述绿色含硫ZnO单元的厚度，所述绿色含硫ZnO单元的厚度大于所述蓝色含硫ZnO单元的厚度。

本发明实施例通过含硫ZnO层上的硫元素与发光材料层表面的第一金属元素结合形成配位键，形成了新的电子传输路径，减小了界面势垒，加快了电子传输层到发光材料层的电子传输速率，有利于提升发光器件的光电性能和稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的发光器件的第一种结构的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的发光器件的第二种结构的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的发光器件的制作方法的步骤流程图；

图4是本发明实施例提供的发光器件的制作方法的第一种流程示意图；

图5是本发明实施例提供的发光器件的制作方法的第二种流程示意图；

图6是本发明实施例提供的显示面板的第一种结构的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的显示面板的第二种结构的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

近些年，无机纳米颗粒氧化锌薄膜作为量子点发光二极管器件的电子传输层可以提供较好的显示色域及较高的发光寿命，有着传统有机材料无法比拟的优势，然而氧化锌薄膜与量子点发光二极管器件之间的界面势垒较高，电子传输层到发光材料层的电子传输速率较低，量子点工作效率较低。

请参阅图1、图2，本发明实施例提供了一种发光器件100，包括发光材料层340及位于所述发光材料层340上的电子传输层350；

其中，所述发光材料层340包括第一金属元素，所述电子传输层350包括含硫ZnO层351，所述含硫ZnO层351中的至少部分硫元素与所述第一金属元素之间连接有配位键。

本发明实施例通过含硫ZnO层上的硫元素与发光材料层表面的第一金属元素结合形成配位键，形成了新的电子传输路径，减小了界面势垒，加快了电子传输层到发光材料层的电子传输速率，有利于提升发光器件的光电性能和稳定性。

现结合具体实施例对本发明的技术方案进行描述。

所述发光器件100包括发光器件层，所述发光器件层包括发光材料层340及位于所述发光材料层340上的电子传输层350；

其中，所述发光材料层340包括第一金属元素，所述电子传输层350包括含硫ZnO层351，所述含硫ZnO层351中的至少部分硫元素与所述第一金属元素之间连接有配位键，具体请参阅图1，其中，对于成键类型，虚线表示配位键，实线表示共价键，所述发光材料层340中的第一金属元素用“M”表示。含硫ZnO层上的硫元素与发光材料层340表面的金属元素结合，可以形成新的电子传输路径，从而减小界面势垒，加快电子传输层350到发光材料层340的电子传输速率。

本实施例中，含硫ZnO层351中为氧化锌-硫化锌级联产物，不仅有氧化锌及硫化锌，其中的硫化锌中的硫与所述发光材料层340中的金属元素之间连接有配位键。

本实施例中，所述含硫ZnO层351中的硫元素与所述含硫ZnO层351中的锌元素之间连接有共价键，具体请参阅图1。ZnS也是一种具有宽直接带隙的n型半导体，同时，氧化锌-硫化锌表面上的S原子与量子点最外层的金属离子，例如Zn

本实施例中，所述电子传输层350还包括位于所述含硫ZnO层351与所述发光材料层340之间的ZnS层353，具体请参阅图2。一般的由氧化锌纳米颗粒形成的电阻传输层的表面连接着的羟基，但是羟基使其表面呈现出路易斯碱的特性，在量子点发光二极管器件中，会对相邻发光材料层340量子点产生严重的淬灭效应，导致器件光电性能滚降。所述ZnS层353可以作为钝化中间层，减少了电子传输层350对发光材料层340界面的淬灭效应，ZnS也是一种具有宽直接带隙的n型半导体，也可以提高发光器件100的整体稳定性。

本实施例中，所述电子传输层350中或/和所述含硫ZnO层351中，硫元素与氧元素之间的摩尔比为1:5至1:20。硫元素的引入可以构建新的电子传输渠道，但是过量的硫元素，也会影响所述电子传输层350的传输稳定性及寿命，通过限定硫元素与氧元素的摩尔比例，可以平衡传输效率和传输稳定性及使用寿命之间的关系，提升发光器件100整体的性价比。

本实施例中，在远离所述发光材料层340的方向上，所述含硫ZnO层351中的硫元素含量逐渐降低。在制作中，可以通过不同的退火工艺，例如先慢后快的降温工艺，可以使所述含硫ZnO层351中的硫元素含量达到在远离所述发光材料层340的方向上，硫元素含量逐渐降低的效果，该种含量变化可以在减小界面势垒、加快电子传输层350到发光材料层340的电子传输速率的同时，延长所述电子传输层350的使用寿命，提高所述电子传输层350的传输稳定性。

本实施例中，所述电子传输层350的厚度为30纳米至80纳米，所述含硫ZnO层351的膜厚的厚度为30纳米至80纳米，所述ZnS层353的膜厚为10纳米至20纳米。控制所述ZnS层353的厚度，可以在减少了电子传输层350对发光材料层340界面的淬灭效应的同时，提高所述发光器件100的使用寿命及传输稳定性，控制所述含硫ZnO层351的厚度，可以提高电子传输速率、所述发光器件100的使用寿命及传输稳定性，同时缩短电子传输路径，减小发光延时。

本实施例中，所述含硫ZnO层351及所述ZnS层353的粗糙度小于1纳米，可以保证膜层平整，有利于电子传输。

本实施例中，所述发光材料层340的材料可以为量子点，量子点可以包括元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、Ⅵ-Ⅵ族、Ⅷ-Ⅵ族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族中单一结构量子点或者复合结构量子点中的至少一种。所述发光材料层的材料为量子点，所述量子点包括元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族、Ⅷ-Ⅵ族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族中单一结构量子点或者核壳结构量子点，I族、II族为副族，其余族可以为主族也可以为副族，所述单一结构量子点选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe、CuInS、CdSeTe中任一种，所述核壳结构量子点的核包括CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP、InGaN中的至少一种，所述核壳结构量子点的壳选自ZnSe、ZnS、ZnSeS中的至少一种，所述第一金属元素为量子点中任一金属元素。

本实施例中，所述第一金属元素可以为最外层电子轨道中包括至少三个电子的金属元素，至少三个最外层电子使得所述第一金属元素的性质不会过于活泼，更容易与所述含硫ZnO层351中的至少部分硫元素形成配位键，可以形成新的电子传输路径，从而减小界面势垒，加快电子传输层350到发光材料层340的电子传输速率。

本实施例中，所述发光器件100可以为正置器件结构或倒置器件结构。

本实施例中，所述发光器件层包括阳极层310、位于所述阳极层310上的空穴注入层320、位于所述空穴注入层320上的空穴传输层330、位于所述空穴传输层330上的所述发光材料层340、位于所述发光材料层340上的所述电子传输层350及位于所述电子传输层350上的阴极层360。

本实施例中，所述发光器件层还包括位于所述电子传输层350与阴极层360之间的电子注入层。

本实施例中，所述阳极层310的材料可以包括铟锡氧化物、氟掺氧化锡、铟锌氧化物、石墨烯、碳纳米管中的任意一种或多种；所述空穴注入层320的材料可以包括PEDOT：PSS、氧化镍、氧化钼、氧化钨、氧化钒、硫化钼、硫化钨、氧化铜中的任意一种或多种；所述空穴传输层330的材料可以包括PVK、Poly-TPD、CBP、TCTA和TFB中的任意一种或多种；所述发光材料层340的材料可以包括II-VI半导体的纳米晶、III-V族半导体的纳米晶、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质中的任意一种或多种；所述阴极层360的材料可以包括铟锡氧化物、Al、Ca、Ba、Ag中的任意一种或多种。

本实施例中，所述电子传输层350还包括位于所述含硫ZnO层351远离所述ZnS层353一侧的ZnO层352，所述ZnO层352的材料可以包括n型ZnO，所述ZnO层352或/和所述含硫ZnO层351还可以包括掺杂体，所述掺杂体可以为Al、Ga、Zr、Mg、Li中的任意一种或多种。

本发明实施例通过含硫ZnO层上的硫元素与发光材料层表面的第一金属元素结合形成配位键，形成了新的电子传输路径，减小了界面势垒，加快了电子传输层到发光材料层的电子传输速率，有利于提升发光器件的光电性能和稳定性。

请参阅图3，本发明实施例还提供了一种发光器件100的制作方法，包括：

S100、在衬底110上形成ZnO膜层3521、发光材料膜层341及位于所述发光材料膜层341与所述ZnO膜层3521之间的单前躯体源膜层3511，以构成第一基板101，所述单前躯体源膜层3511包括单前躯体源及溶剂；

S200、对所述第一基板101进行退火处理，以形成含硫ZnO层351；

其中，所述单前躯体源包括单硫前躯体或/和锌硫前躯体。

本发明实施例通过含硫ZnO层上的硫元素与发光材料层表面的第一金属元素结合形成配位键，形成了新的电子传输路径，减小了界面势垒，加快了电子传输层到发光材料层的电子传输速率，有利于提升发光器件的光电性能和稳定性。

现结合具体实施例对本发明的技术方案进行描述。

所述发光器件100的制作方法包括：

S100、在衬底110上形成ZnO膜层3521、发光材料膜层341及位于所述发光材料膜层341与所述ZnO膜层3521之间的单前躯体源膜层3511，以构成第一基板101，所述单前躯体源膜层3511包括单前躯体源及溶剂，具体请参阅图4、图5。

本实施例中，所述单前躯体源选自N,N-二乙基二硫代氨基甲酸锌、乙基黄原酸锌、异丙基黄原酸锌、丁基黄原酸锌中的至少一种。

例如所述单前躯体源只为N,N-二乙基二硫代氨基甲酸锌，或者例如所述单前躯体源为N,N-二乙基二硫代氨基甲酸锌与乙基黄原酸锌的混合液，具体可根据实际需求进行选择，在此不作限定。

本实施例中，所述单前躯体源溶液膜层的所述单前躯体源的浓度为0.1mol/L至0.5mol/L。

本实施例中，所述ZnO膜层3521可以包括含锌、氧的有机溶液，例如ZnO的乙醇溶液、ZnMgO的乙醇溶液、Zn(OH)

本实施例中，所述发光材料膜层341中包括量子点材料，还可以包括量子点溶剂，有利于喷墨打印或涂布，在打印或涂布完成后，所述发光材料膜层341中的溶剂易挥发，可以加热或真空去除溶剂。

本实施例中，所述发光器件100可以为正置器件结构或倒置器件结构，即在所述发光器件100中的形成膜层的顺序，对于本发明实施例中的正置器件结构，在衬底110上形成所述发光材料膜层341上形成所述单前躯体源膜层3511，再在所述单前躯体源膜层3511上形成所述ZnO膜层3521，所述衬底110可以为空穴传输层330，具体请参阅图4；对于本发明实施例中的倒置器件结构，在衬底110上形成所述ZnO膜层3521，再在所述ZnO膜层3521上形成单前躯体源膜层3511，接着在所述单前躯体源膜层3511上形成发光材料膜层341，具体请参阅图5。

本实施例中，对于正置器件结构或/和倒置器件结构，所述单前躯体源膜层3511的形成步骤包括：涂布或旋涂单前躯体源溶液膜层；将所述单前躯体源溶液膜层中的溶剂去除。其中，单前躯体源溶液膜层包括所述单前躯体源及溶剂，所述溶剂包括以下任意一种：苯、甲苯、氯仿、四氯化碳、乙醇。将所述单前躯体源溶液膜层中的溶剂蒸发去除，以减少所述单前躯体源溶液膜层的流动性，提高所述发光器件100制作时的膜层精度。

本实施例中，对于所述第一基板101中的所述ZnO膜层3521、发光材料膜层341及所述单前躯体源膜层3511，在形成各自膜层后，可以先进行各自退火，例如在所述衬底110上形成ZnO膜层3521，进行第一退火工艺；再在所述ZnO膜层3521上形成单前躯体源膜层3511，进行第二退火工艺；最后在所述单前躯体源膜层3511上形成发光材料膜层341；以及侯素步骤S200的对所述第一基板101整体进行退火处理。各自分步退火，可以去除溶剂及预固化，有利于提高膜层制作位置精度及膜层精细化，可以提高膜层的工作性能。

S200、对所述第一基板101进行退火处理，以形成含硫ZnO层351。

本实施例中，步骤S200包括：

S210、将所述第一基板101升温至第一温度并保温第一时间。

S220、将所述第一基板101降温至室温，以形成含硫ZnO层351。

本实施例中，当所述第一基板101降温至室温后，所述发光材料膜层341形成发光材料层340，所述ZnO膜层3521与所述单前躯体源膜层3511形成所述含硫ZnO层351，其中，根据不同的退火工艺(例如提高或缩短退火时间)，还可以再形成位于所述含硫ZnO层351两侧的ZnS层353及ZnO层352，具体请参阅图2。

本实施例中，其中，所述第一温度为60℃至150℃，所述第一时间为10分钟至60分钟。

本实施例中，步骤S220包括：

S221a、以第一降温速率，将所述第一基板101降温至室温。

本实施例中，所述第一降温速率为2℃/min至10℃/min。采用恒速降温，可以保证所述含硫ZnO层351的均匀形成。

本实施例中，步骤S220包括：

S221b、依次经历第二降温速率及第三降温速率，将所述第一基板101降温至室温。

本实施例中，依次经历第二降温速率及第三降温速率，即经历程序降温，所述第二降温速率与所述第三降温速率相异。

本实施例中，所述第二降温速率大于所述第三降温速率，即经历先快后慢的降温方式，可以达到在远离所述发光材料层340的方向上，硫元素含量逐渐降低的效果，该种含量变化可以在减小界面势垒、加快电子传输层350到发光材料层340的电子传输速率的同时，延长所述电子传输层350的使用寿命，提高所述电子传输层350的传输稳定性。

本实施例中，所述含硫ZnO层351的形成主要在步骤S210，可以采取在所述第一温度的保温范围内进行变温保温，例如采用在60分钟内缓慢从60℃升温至150℃，再进行降温，可以进一步精细化所述含硫ZnO层351的形成。

本实施例中，采用正置器件结构，在红色量子点发光层上通过旋涂的方式将50ul的0.2mmol/ml的N,N-二乙基二硫代氨基甲酸锌甲苯溶液，常温下真空去除甲苯溶剂，然后在沉积电子传输层ZnO，制作完成的器件在120℃热板上进行保温热退火20min，促使N,N-二乙基二硫代氨基甲酸锌分解形成ZnS，与ZnO形成级联的含硫ZnO层，通过形成的ZnS将ZnO与量子点界面隔开，避免由于呈现路易斯碱特性的氧化锌表面羟基淬灭量子点；同时在此过程中，与量子点界面接触的硫原子与量子点表面锌原子产生配位作用，形成精细的电子转移途径，有助于电子有效的注入到量子点发光层。由于消除了ZnO对发光层量子点的淬灭影响以及电子转移效率的提升，由此得到具有量子点的发光材料层340的发光波长＝625nm，FWHM(半峰宽)＝22nm，器件的外量子效率(EQE)高达19％，且稳定性较好T95@1000nit＝2200h；未采取级联电子传输层350的对比器件，测试结果为EQE为13％，T95@1000nit＝1300h。其中，T95@1000nit表示从1000nit亮度进行持续亮度测试，当亮度降低仅有95％亮度的时间，可以表征发光亮度寿命。

本实施例中，采用倒置器件结构，在ITO上沉积ZnO，将30ul 0.4mmol/ml的乙基黄原酸锌苯溶液在3000rpm转速下，旋涂在ZnO膜上，并且在常温下真空去除苯溶剂得到干燥的膜，然后将绿色量子点沉积在其上面，制作完成的器件在90℃热板上进行保温热退火30min，由此得到具有量子点的发光材料层340的发光波长＝535nm，FWHM＝24nm，EQE(Max)＝18.5％，T95@1000nit＝5300h；与之对比的未形成级联层的器件，EQE(Max)＝11％，T95@1000nit＝1800h。

本实施例中，对于单前躯体源溶液膜层中的溶剂也可以在退火工艺中一并去除。

本实施例中，实验品1的制作参数如下：在阳极层ITO上旋涂空穴注入层PEDOT：PSS材料，然后100℃退火15min；然后在空穴注入层320上形成TFB空穴传输层330，100℃退火15min；在空穴传输层330上形成CdZnSe/ZnSe/ZnS红色量子点的发光层；将50ul的0.2mmol/ml的N,N-二乙基二硫代氨基甲酸锌甲苯溶液；在发光层上制作ZnO的乙醇溶液，在120℃热板上进行热退火20min，得到含硫ZnO层351；最后通过蒸镀Ag阴极电极层，以及进行封装，其中，“CdZnSe/ZnSe/ZnS”表示三层层叠。

本实施例中，对比品1的制作参数除去“将50ul的0.2mmol/ml的N,N-二乙基二硫代氨基甲酸锌甲苯溶液”，其余步骤与实验品1的制作参数相同。

本实施例中，实验品2的制作参数如下：阳极层ITO上旋涂空穴注入层PEDOT：PSS材料，然后100℃退火15min；然后在空穴注入层320上形成TFB空穴传输层，100℃退火15min；在空穴传输层330上形成CdZnSeS/ZnS绿色量子点的发光层；将30ul的0.3mmol/ml的乙基黄原酸锌苯溶液；在发光层上制作含5％镁的ZnMgO的乙醇溶液，在90℃热板上进行热退火30min，得到含硫ZnO层；最后通过蒸镀Ag阴极电极层，以及进行封装，其中“CdZnSeS/ZnS”表示两层层叠。

本实施例中，对比品2的制作参数除去“将30ul的0.3mmol/ml的乙基黄原酸锌苯溶液”，其余步骤与实验品2的制作参数相同。

本发明实施例通过含硫ZnO层上的硫元素与发光材料层表面的第一金属元素结合形成配位键，形成了新的电子传输路径，减小了界面势垒，加快了电子传输层到发光材料层的电子传输速率，有利于提升发光器件的光电性能和稳定性。

请参阅图6，本发明实施例还提供了一种显示面板10包括任一如上述的发光器件100及阵列基板200。

所述发光器件100的具体结构请参阅任一上述发光器件100的实施例及图1至图2。

本实施例中，所述发光器件100的所述发光材料层340包括红色发光单元、绿色发光单元及蓝色发光单元，所述含硫ZnO层351包括与所述红色发光单元对应的红色含硫ZnO单元、与所述绿色发光单元对应的绿色含硫ZnO单元及与所述蓝色发光单元对应的蓝色含硫ZnO单元；其中，所述红色含硫ZnO单元的厚度大于所述绿色含硫ZnO单元的厚度，所述绿色含硫ZnO单元的厚度大于所述蓝色含硫ZnO单元的厚度，具体请参阅图7。根据不同颜色发光波长及传输效率，通过改变不同含硫ZnO单元的厚度，提高不同发光颜色的电子传输效率，使不同颜色的发光效率均一，有利于显示均一性，在图中，用“R”表示红色含硫ZnO单元，用“G”表示绿色含硫ZnO单元，用“B”表示蓝色含硫ZnO单元，可以理解，所述红色发光单元、所述绿色发光单元及所述蓝色发光单元没有分别画出。

本实施例中，所述红色含硫ZnO单元、所述绿色含硫ZnO单元及所述蓝色含硫ZnO单元均包括所述掺杂体，所述红色含硫ZnO单元中的所述掺杂体的含量小于所述绿色含硫ZnO单元中的所述掺杂体的含量，所述绿色含硫ZnO单元中的所述掺杂体的含量小于所述蓝色含硫ZnO单元中的所述掺杂体的含量，通过控制所述掺杂体的含量，可以显著提高不同发光颜色的电子传输速率，使不同颜色的发光效率均一，平衡显示均一性。

所述显示面板10利用所述发光器件100进行参数表征，结果对应如下：

实验品1的表征参数如下：发光波长＝625nm，FWHM＝21nm，EQE＝19％，T95@1000nit＝2200h。

对比品1的表征参数如下：发光波长＝625nm，FWHM＝21nm，EQE＝13％，T95@1000nit＝1300h。

实验品2的表征参数如下：发光波长＝532nm，FWHM＝23nm，EQE＝17.8％，T95@1000nit＝5600h。

对比品2的表征参数如下：发光波长＝532nm，FWHM＝23nm，EQE＝13.8％，T95@1000nit＝2700h。

可以看出，实验品1相比于对比品1，实验品2相比于对比品2，EQE均有显著的提升，寿命均有显著的延长，说明所述含硫ZnO层351的引入可以加快电子传输层350到发光材料层340的电子传输速率，有利于提升显示面板10的光电性能和稳定性，延长显示面板10的使用寿命。

寿命测试采用广州新视界公司定制的128路寿命测试系统。系统架构为恒压恒流源驱动QLED，测试电压或电流的变化；光电二极管探测器和测试系统，测试QLED的亮度(光电流)变化；亮度计测试校准QLED的亮度(光电流)。

本发明实施例通过含硫ZnO层上的硫元素与发光材料层表面的第一金属元素结合形成配位键，形成了新的电子传输路径，减小了界面势垒，加快了电子传输层到发光材料层的电子传输速率，有利于提升发光器件的光电性能和稳定性。

本发明实施例公开了一种发光器件及其制作方法、显示面板；该发光器件包括发光材料层及位于该发光材料层上的电子传输层；其中，该发光材料层包含第一金属元素，该电子传输层包括含硫ZnO层，该含硫ZnO层中的硫元素与该第一金属元素之间连接有配位键；本发明实施例通过含硫ZnO层上的硫元素与发光材料层表面的第一金属元素结合形成配位键，形成了新的电子传输路径，减小了界面势垒，加快了电子传输层到发光材料层的电子传输速率，有利于提升发光器件的光电性能和稳定性。

以上对本发明实施例所提供的一种发光器件及其制作方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。