存储器子系统的操作温度管理

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及存储器子系统的操作温度管理。

背景技术

存储器子系统可以是存储系统，例如固态驱动器(SSD)，且可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可以例如是非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说，主机系统可以利用存储器子系统以在存储器组件处存储数据且从存储器组件检索数据。

附图说明

根据下文提供的详细描述和本公开的各种实施例的附图将更加充分地理解本公开。

图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。

图2A说明根据本公开的一些实施例的在存储器子系统的存储器组件处对数据块执行操作以用于温度管理的实例。

图2B说明根据本公开的一些实施例的执行与邻近于存储器子系统的存储器组件的温度控制元件相关联的操作的实例。

图3A是根据本公开的一些实施例的用于管理存储器子系统的操作温度的实例方法的流程图。

图3B是根据本公开的一些实施例的用于启用温度控制元件的实例方法的流程图。

图4是其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。

具体实施方式

本公开的方面涉及存储器子系统操作温度的管理。存储器子系统在下文也称为“存储器装置”。存储器子系统的实例是存储系统，例如固态驱动器(SSD)。在一些实施例中，存储器子系统是混合式存储器/存储子系统。通常，主机系统可以利用包含一或多个存储器组件的存储器子系统。主机系统可提供数据以存储在存储器子系统处，且可请求从存储器子系统检索数据。

存储器子系统可包含可存储来自主机系统的数据的多个存储器组件。存储器组件可包含用于存储数据的存储器单元。每个存储器组件可包含不同类型的媒体。媒体的实例包含但不限于非易失性存储器和基于快闪的存储器的交叉点阵列，所述基于快闪的存储器例如单层级单元(SLC)存储器、多层级单元(MLC)存储器，例如三层级单元(TLC)存储器、四层级单元(QLC)存储器等。使用基于快闪的存储器的实例，四层级单元(QLC)可存储四个数据位，而单层级单元(SLC)可存储一个数据位。因此，包含QLC存储器的存储器组件将具有比包含SLC存储器的存储器组件更高的数据密度。

每一存储器单元可存储作为所述特定存储器单元的阈值电压的数据值。举例来说，在将一个数据位存储在SLC存储器中时，存储器单元的可能阈值电压的范围划分成两个范围。数据可基于总阈值电压范围而存储在较高密度MLC存储器处，所述总阈值电压范围划分成存储器单元的相异阈值电压范围。举例来说，QLC存储器的存储器单元的可能阈值电压的范围可划分成四个范围(例如，每一数据位的不同阈值电压范围)。每一相异阈值电压范围对应于存储在存储器单元处的数据的预定值。

常规存储器子系统可通过将数据位序列映射到存储器单元的不同阈值电压范围来在单个存储器单元中存储多个数据位。可通过使用将编程脉冲序列施加到存储器单元的编程操作来将数据存储到存储器单元中。编程脉冲的序列可施加到存储器单元直到在存储器单元处达到对应阈值电压范围内的电压电平为止。在存储器单元已编程之后，可通过在相应阈值电压范围下将读取阈值电压施加到存储器单元且转译存储器单元处的已编程电压电平来从存储器单元读取数据。

在某些情形下，存储器子系统可在具有变化温度的环境中操作。在这种情况下，可不利地影响存储在存储器单元中的数据的完整性。举例来说，与存储器单元相关联的电压电平可随着存储器子系统的温度改变而从特定读取阈值电压处检测到的电压电平偏移。即使随时间(例如，数据写入到存储器单元的时间与从存储器单元读取数据的时间之间的时间段)发生的微小的温度变化也可能影响存储在存储器单元中和从存储器单元读取的电压。另外，电压电平偏移的量可随着温度改变随时间增大而改变。换句话说，在极端温度(例如，在极端低温下更接近于0℃，或在极端高温下更接近于70℃)下，每摄氏度的电压电平偏移可比其在更适宜范围(例如，15℃到30℃)下更大或更小。在其它实例中，极端温度条件可具有甚至更极端的范围。另外，每摄氏度的电压电平偏移可取决于特定存储器子系统的材料特性而变化。这种偏移可能造成原始位错误率(RBER)增加，所述增加可能超出基础错误校正码(ECC)的错误校正能力。增加的RBER可在将电压转译成对应于存储器单元的各种阈值电压范围的数据值时存在问题。随着温度降低到特定水平(例如，降低到0(℃))，阈值电压分布变宽且偏移，导致增加的RBER，因此造成与存储器单元相关联的不正确电压电平。另外，甚至当数据在一个极端温度下写入且在相同极端温度下读取时，错误率也可能高。

高错误率导致存储器子系统的性能劣化。举例来说，如果由于温度变化效应而导致存储在存储器子系统处的数据包含较高数目的错误，那么数据无法恢复直到消除温度变化效应为止。对于在变化的温度中使用的装置和应用，问题可能严重，所述装置和应用例如汽车应用、现场数据收集、移动应用(其中移动装置(例如，移动电话)可在片刻内从接近体温变化为接近冻结温度)等。可使用温度补偿值来基于温度差在电压中施加线性偏移。举例来说，可使用温度补偿值来指定施加于存储器单元以考虑存储器单元的阈值电压分布中的偏移的特定读取电压电平。然而，这种温度补偿值的施加通常受限于窄温度范围，且不用于极端操作温度或极端温度差。

本公开的方面通过在存储器子系统处执行各种操作(例如，读取操作、写入操作等)管理存储器子系统的操作温度来解决以上和其它缺陷。可监测存储器子系统的操作温度。可确定操作温度是否满足温度条件(例如，操作温度低于一个阈值还是高于另一阈值)。如果满足温度条件，那么可执行操作以使操作温度升高或降低直到操作温度达到阈值温度为止。操作可包含有用操作和/或虚拟操作。

本公开减少或消除对存储器子系统的极端温度条件和极端温度差的影响。本公开的优点包含但不限于在变化的温度条件下且在执行错误校正操作时不浪费计算资源的情况下，由于可更有效地且最优地执行操作而提高存储器子系统的性能，从而使延迟最小化。因此，存储器子系统中的错误率可随着与存储器子子系统的存储器单元相关联的阈值电压分布的偏移可能减小而减小或消除。因此，可较不频繁地利用错误校正操作，且可改进存储器子系统的总体性能，这是因为可由存储器子系统执行其它读取操作或写入操作，而非额外错误校正操作。

图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算环境100。存储器子系统110可包含媒体，例如存储器组件112A到112N。存储器组件112A到112N可以是易失性存储器组件、非易失性存储器组件或这类组件的组合。在一些实施例中，存储器子系统是存储系统。存储系统的实例是SSD。在一些实施例中，存储器子系统110是混合式存储器/存储子系统。通常，计算环境100可包含使用存储器子系统110的主机系统120。举例来说，主机系统120可将数据写入到存储器子系统110以及从存储器子系统110读取数据。

主机系统120可以是计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置或包含存储器和处理装置的这类计算装置。主机系统120可包含或耦合到存储器子系统110，使得主机系统120可从存储器子系统110读取数据或将数据写入到存储器子系统110。主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。如本文中所使用，“耦合到”通常是指组件之间的连接，其可以是间接通信连接或直接通信连接(例如，没有中间组件)，无论是有线还是无线的，包含例如电连接、光学连接、磁连接等连接。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(SATA)接口、外围组件互连高速(PCIe)接口、通用串行总线(USB)接口、光纤通道、串行连接的SCSI(SAS)等。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。在存储器子系统110通过PCIe接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用NVM高速(NVMe)接口来存取存储器组件112A到112N。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据和其它信号的接口。

存储器组件112A到112N可包含不同类型的非易失性存储器组件和/或易失性存储器组件的任何组合。非易失性存储器组件的实例包含与非(negative-and；NAND)型快闪存储器。存储器组件112A到112N中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列，所述存储器单元例如单层级单元(SLC)或多层级单元(MLC)(例如，三层级单元(TLC)或四层级单元(QLC))。在一些实施例中，特定存储器组件可包含存储器单元的SLC部分和MLC部分两者。存储器单元中的每一个可存储由主机系统120使用的一或多个数据位(例如，数据块)。虽然描述了例如NAND型快闪存储器的非易失性存储器组件，但存储器组件112A到112N可以基于任何其它类型的存储器，例如易失性存储器。在一些实施例中，存储器组件112A到112N可以是但不限于随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、相变存储器(PCM)、磁随机存取存储器(MRAM)、或非(negative-or；NOR)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)以及非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列而基于体电阻的改变来执行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器对比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。此外，存储器组件112A到112N的存储器单元可分组为存储器页或数据块，所述存储器页或数据块可指用于存储数据的存储器组件的单元。

存储器系统控制器115(下文称为“控制器”)可与存储器组件112A到112N通信以执行操作，例如在存储器组件112A到112N处读取数据、写入数据或擦除数据，以及其它这类操作。控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器或其组合。控制器115可以是微控制器、专用逻辑电路(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)或其它合适的处理器。控制器115可包含配置成执行存储在本地存储器119中的指令的处理器(处理装置)117。在所说明的实例中，控制器115的本地存储器119包含配置成存储指令的嵌入式存储器，所述指令用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处理存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流和例程。在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、所提取数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(ROM)。虽然图1中的实例存储器子系统110已说明为包含控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110可不包含控制器115，且可替代地依赖于(例如，由外部主机或由与存储器子系统分离的处理器或控制器提供的)外部控制。

通常，控制器115可从主机系统120接收命令或操作，并且可将命令或操作转换成指令或适当的命令，以实现对存储器组件112A到112N的所需存取。控制器115可负责其它操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测和错误校正码(ECC)操作、加密操作、高速缓存操作以及在与存储器组件112A到112N相关联的逻辑块地址与物理块地址之间的地址转译。控制器115可进一步包含主机接口电路，以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路可将从主机系统接收到的命令转换成命令指令以存取存储器组件112A到112N，以及将与存储器组件112A到112N相关联的响应转换成用于主机系统120的信息。

存储器子系统110还可包含未说明的额外电路或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含高速缓存或缓冲器(例如，DRAM)和地址电路(例如，行解码器和列解码器)，其可从控制器115接收地址且对地址进行解码以存取存储器组件112A到112N。

存储器子系统110包含可用于管理存储器子系统110的操作温度的温度管理组件113。在一些实施例中，控制器115包含温度管理组件113的至少一部分。举例来说，控制器115可包含处理器117(处理装置)，其配置成执行存储在本地存储器119中的指令以用于执行本文中所描述的操作。在一些实施例中，温度管理组件113是主机系统110、应用程序或操作系统的部分。

温度管理组件113可识别存储器子系统110的操作温度。温度管理组件113可确定所识别操作温度满足第一温度条件(例如，操作温度低于阈值温度)，且在存储器子系统110处执行操作(例如，写入操作、擦除操作等)直到操作温度改变为满足第二温度条件(例如，操作温度达到高于阈值温度)为止。下文描述关于温度管理组件113的操作的其它细节。

图2A说明根据本公开的一些实施例的在存储器子系统200的存储器组件230处对数据块执行操作以用于温度管理的实例。通常，存储器子系统200可对应于图1的存储器子系统110。举例来说，存储器子系统110可包含图1的温度管理组件113。在一些实施例中，温度管理组件113可配置成识别与存储器子系统200相关联的操作温度。操作温度可以是存储器子系统200操作所处的当前温度。温度管理组件113可进一步配置成通过基于所识别操作温度执行操作(例如，读取、写入等)来执行温度管理。

如所展示，存储器组件230可组织成多个块B1到Bn。块B1到Bn各自包含可对应于存储器组件230的部分的多个存储器页。块B1到Bn的大小和配置可变化。举例来说，块B1到Bn中的每一个可包含任何数目个存储器页，且每一存储器页可具有用于存储数据的相关联存储容量。在一个实施例中，每一存储器页可包含多个多层级存储器单元。在一个实施例中，存储器子系统110可包含一或多个存储器裸片232、234和236。每一裸片可包含组织成一或多个存储器块的单独存储器组件，例如存储器组件230。如所展示，裸片232包含存储器组件230，其包含数据块B1到Bn中的一或多个。

数据可从块B1到Bn的存储器页编程(例如，写入)、读取和/或擦除。在一些实施方案中，存储器页可对应于一起被读取和/或编程的存储器单元群组。可使用迭代编程过程来编程存储器单元。在这种类型的过程中，编程脉冲序列施加到存储器单元群组直到达到存储器单元中的所需电压电平为止。一旦存储器单元已经编程，便可通过转译存储器单元的已编程电压电平来从存储器单元读取数据。

在一些实施例中，存储器子系统可识别存储器子系统200操作所处的温度。可以若干方式获得与存储器组件230相关联的温度信息。举例来说，温度信息可包含来自位于存储器组件230中和/或周围的一或多个温度传感器210的操作温度T

存储器子系统200可使用比较器220执行温度比较操作，以确定存储器子系统200的操作温度是否满足温度条件。比较器220可以是软件模块、应用程序或硬件模块，例如集成电路、微控制器、专用逻辑电路(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)，或其它合适的处理器。在一实例中，温度条件可定义为操作温度低于阈值温度。在另一实例中，温度条件可定义为操作温度高于阈值温度。如图2A中所展示，存储器子系统200可指定一或多个阈值温度，第一阈值温度T

在一实施方案中，比较器220可确定存储器子系统200的操作温度是否满足第一温度条件。在一实例中，第一温度条件可定义为操作温度低于如存储器子系统200中所指定的第一阈值温度T

在一实例中，比较器220可确定在含有存储器子系统的装置的起动期间，存储器子系统的操作温度满足第一温度条件。举例来说，用户可将计算装置从室外的低温环境(例如，5℃)带到室内的室温环境(例如，25℃)并启动装置。在装置起动期间，存储器子系统可查询以识别存储器子系统的操作温度且确定包含存储器子系统的装置低于阈值温度(例如，过冷)。在另一实例中，可在含有存储器子系统的数据中心装置起动时确定操作温度低于阈值，其中装置第一次启动且始终保持处于类似温度条件。在另一实例中，用户可例如在30℃下在室内开始使用移动相机(其包含存储器子系统)拍摄照片，且接着在室外移动到低温环境(例如，10℃)以继续在移动相机上拍摄照片。随着操作温度开始下降到10℃的室外温度，存储器子系统可识别操作温度且确定操作温度低于所指定阈值温度。

在确定所识别操作温度满足第一温度条件之后，存储器子系统200可执行一或多个操作(例如，编程操作、读取操作等)以使存储器子系统200的操作温度升高。可对存储器子系统200的存储器组件230的裸片-1 232的一或多个数据块B1到Bn执行操作(“温度管理操作”)。另外或替代地，可对其它裸片234和/或236等上的数据块执行操作。在执行操作时，对于编程(例如，写入)操作，编程电压脉冲序列可施加到数据块的存储器单元直到在存储器单元处已达到对应阈值电压范围内的电压电平为止。对于读取操作，可通过在对应阈值电压范围下将读取阈值电压施加到存储器单元且转译存储器单元处的已编程电压电平来从存储器单元读取数据。因此，存储器子系统操作温度可由于将电压施加到存储器单元而通过电阻加热升高。因此，操作具有与所述操作相关联的电压消耗，且因此，执行操作可使存储器子系统的操作温度升高。

如图2A中所展示，在比较器220确定所识别操作温度T

存储器子系统200可执行一或多个操作以管理操作温度。存储器子系统200可在执行操作以评估存储器子系统200的温度条件之后识别存储器子系统200的操作温度。比较器220可确定操作温度已改变为满足第二温度条件。在一实例中，第二温度条件可定义为操作温度高于如存储器子系统200中所指定的第一阈值温度T

由存储器子系统执行的操作可以是产生电阻加热的任何操作。操作可包含与存储器组件230或其它存储器组件处的数据块B1到Bn中的一或多个相关联的读取操作、与存储器组件230或其它存储器组件处的数据块B1到Bn中的一或多个相关联的写入操作(例如，编程操作)、与存储器组件230或其它存储器组件处的数据块B1到Bn中的一或多个相关联的擦除操作等。在一些实施例中，存储器子系统可执行操作的组合(例如，编程和擦除操作的组合、写入和读取操作的组合等)。

操作可包含虚拟操作(例如，除了使温度升高之外不用于任何其它目的或尚未由主机系统请求等的操作)。举例来说，操作可包含在不接收任何读取请求的情况下读取已写入到存储器子系统的数据块的数据。操作可包含具有使操作温度升高的目的的有用操作，例如，将在下一擦除周期执行的擦除操作。替代等待简易周期，可在需要执行操作以使操作温度升高时由存储器子系统发起擦除操作。

在一些实施例中，可基于所识别操作温度与所指定阈值温度之间的差来执行不同类型的操作。存储器子系统可指定操作温度与阈值温度之间的差的范围，且将每一范围识别为低、中、高，或提供差的等级的某一其它分级。举例来说，读取操作可以是低电压操作，且因此可在操作温度与阈值温度之间的差识别为低差时执行。另一方面，擦除操作可以是较高电压操作，且因此可在操作温度与阈值温度之间的差识别为较高差时执行。在一实例中，操作温度T

在一些实施例中，特定块可专用于执行温度管理操作。举例来说，在数据写入到数据块或从数据块擦除时，其可对数据块造成损坏。另一方面，读取操作并不损坏数据块。在存储器子系统需要限制对数据块的损坏时，可使用任何可用的数据块执行读取操作。然而，存储器子系统可专用于数据块B1到B4的特定群组，例如以执行包含编程或擦除操作的虚拟操作。数据块B1到B4的专用群组可以是已识别为损坏的、几乎损坏的、空的、非功能的和/或不适用于其它有用操作的数据块。替代地，数据块B1到B4的专用群组可以是仅用于温度管理操作的数据块，使得可重复地且在不损坏可用于有用操作的其它数据块的情况下对专用数据块执行虚拟操作。

在一些实施例中，可对裸片232上的存储器组件230上的数据块执行温度管理操作。操作可使裸片232上的存储器组件230的操作温度升高。由于裸片234和裸片236定位成与裸片232相邻，裸片232的温度的升高也可使裸片234和裸片236的操作温度升高。因此，技术可使用温度管理操作加热第一裸片，且因此加热位于作为第一裸片的同一裸片堆叠内的其它相邻裸片。

图2B说明根据本公开的一些实施例的在图2A的存储器子系统200处执行操作的另一实例。在这一实例中，存储器子系统200可包含邻近于存储器子系统200的存储器组件230的一或多个温度控制元件。可执行与一或多个温度控制元件相关联的操作以管理存储器子系统200的操作温度。温度控制元件可放置在裸片232、234、236等或存储器子系统200内的另一组件内或与所述裸片232、234、236等或存储器子系统200内的另一组件相邻。在一些实施例中，温度控制元件可包含在硬件封装内。温度控制元件可包含一或多个加热元件272和/或一或多个冷却元件274。在一个实例中，加热元件272可包含电阻器。也可利用化学反应、核反应或从内部或外部源(例如，来自处理器的热管)中获得热量来实现加热。在一实例中，冷却元件274可包含风扇、散热器金属、珀尔贴(peltier)结、蒸发或热传递机构(例如，热管)、其它内部或外部装置等。

如相对于图2A所描述，比较器220可确定存储器子系统200的操作温度是否满足第一温度条件。在一实例中，第一温度条件可定义为操作温度低于如存储器子系统200中所指定的第一阈值温度T

在确定所识别操作温度满足第一温度条件之后，存储器子系统200可执行与温度控制元件相关联的一或多个操作。在确定所识别操作温度T

存储器子系统200可在执行操作254以评估存储器子系统200的温度条件之后识别操作温度。存储器子系统可继续执行操作254直到操作温度改变为满足第二温度条件为止。第二温度条件可定义为操作温度高于第一阈值温度T

在另一实例中，第一温度条件可定义为操作温度高于如存储器子系统200中所指定的第二阈值温度T

在确定所识别操作温度T

存储器子系统200可在执行操作256以评估存储器子系统200的温度条件之后识别操作温度。存储器子系统可继续执行操作256直到操作温度改变为满足第二温度条件为止。第二温度条件可定义为操作温度低于第二阈值温度T

在一些实施例中，由于涉及图2A和2B，可在电力和能量的成本便宜或电力易于使用时执行管理存储器子系统的操作温度的操作。举例来说，由于电阻加热消耗电池电源，因此在含有存储器子系统的装置连接到电源而非在电池电源上运行时，存储器子系统可执行温度管理操作。

图3A是根据本公开的一些实施例的用于管理存储器子系统的操作温度的实例方法300的流程图。方法300可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法300由图1的温度管理组件113执行。虽然以特定顺序或次序来展示，但除非另外指定，否则可修改过程的次序。因此，应理解，所说明实施例仅为实例，且所说明过程可能以不同次序执行，且一些过程可并行地执行。另外，在各个实施例中可以省略一或多个过程。因此，在每个实施例中并不需要所有过程。其它过程流程也是可能的。

在框310处，处理装置识别存储器子系统的操作温度。存储器子系统在给定时间处的操作温度可以是存储器子系统在给定时间处操作所处的温度。在一些实例中，温度传感器可配置成周期性地和/或以预定义间隔测量操作温度，且将所测量操作温度的指示提供到存储器子系统。在其它实例中，温度传感器可响应于可由存储器子系统发送的一或多个命令(例如，测量操作温度的命令)测量操作温度。

在框312处，处理装置确定所识别操作温度满足第一温度条件。在一实例中，第一温度条件可定义为操作温度低于第一阈值温度。在另一实例中，第一温度条件可定义为操作温度高于第一阈值温度。

在框314处，处理装置在存储器子系统处执行操作直到操作温度改变为满足第二温度条件为止。在第一温度条件定义为操作温度高于第一阈值温度的实例中，第二温度可定义为操作温度高于第一阈值温度。在第一温度条件定义为操作温度低于第一阈值温度的另一实例中，第二温度可定义为操作温度低于第一阈值温度。在一实施方案中，在存储器子系统处执行一或多个操作可包含在存储器子系统的存储器组件处对数据块执行一或多个操作。举例来说，操作可包含与存储器组件处的数据块相关联的读取操作、与存储器组件处的数据块相关联的写入操作和/或与存储器组件处的数据块相关联的擦除操作。在一些实例中，所执行操作的类型可基于所识别操作温度与第一阈值温度之间的差的等级。在另一实施方案中，在存储器子系统处执行一或多个操作可包含执行与邻近于存储器子系统的存储器组件的温度控制元件相关联的操作。

图3B是根据本公开的一些实施例的用于启用温度控制元件的实例方法320的流程图。方法320可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法320由图1的温度管理组件113执行。虽然以特定顺序或次序来展示，但除非另外指定，否则可修改过程的次序。因此，应理解，所说明实施例仅为实例，且所说明过程可能以不同次序执行，且一些过程可并行地执行。另外，在各个实施例中可以省略一或多个过程。因此，在每个实施例中并不需要所有过程。其它过程流程也是可能的。

在框322处，处理装置识别存储器子系统的操作温度。存储器子系统在给定时间处的操作温度可以是存储器子系统在给定时间处操作所处的温度。在一些实例中，温度传感器可配置成周期性地和/或以预定义间隔测量操作温度，且将所测量操作温度的指示提供到存储器子系统。在其它实例中，温度传感器可响应于可由存储器子系统发送的一或多个命令(例如，测量操作温度的命令)测量操作温度。

在框324处，处理装置确定存储器子系统的所识别操作温度是否在与存储器子系统相关联的温度范围之外。在一实例中，如果确定存储器子系统的所识别操作温度低于第一阈值温度或高于第二阈值温度，那么确定所识别操作温度在与存储器子系统相关联的温度范围之外。

在框326处，处理装置启用温度控制元件以将存储器子系统的操作温度改变为处于温度范围内。在一实例中，为了启用温度控制元件，处理装置可执行与邻近于存储器子系统的存储器组件的温度控制元件相关联的操作。在所识别操作温度低于第一阈值温度的实例中，可执行与温度控制元件相关联的操作直到存储器子系统的操作温度高于第一阈值温度为止。在所识别操作温度高于第二阈值温度的另一实例中，可执行与温度控制元件相关联的操作直到存储器子系统的操作温度低于第一阈值温度为止。

图4说明计算机系统400的实例机器，所述实例机器内可执行用于使得所述机器执行本文中所论述的方法中的任何一或多个的指令集。在一些实施例中，计算机系统400可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，其包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)或可用于执行控制器的操作(例如，执行操作系统，以执行对应于图1的温度管理组件113的操作)。在替代性实施例中，机器可连接(例如，联网)到LAN、内联网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而以客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的容量进行操作。

机器可以是个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、网络器具、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够(依序或以其它方式)执行指定将由所述机器采取的动作的指令集的任何机器。另外，尽管说明单个机器，但还应认为术语“机器”包含机器的任何集合，所述集合单独地或共同地执行一(或多)个指令集以执行本文中所论述的方法中的任何一或多个。

实例计算机系统400包含处理装置402、主存储器404(例如，只读存储器(ROM)、快闪存储器、动态随机存取存储器(DRAM)，例如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等)、静态存储器406(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(SRAM)等)以及数据存储系统418，上述装置经由总线430彼此通信。

处理装置402表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元或类似物。更具体地说，处理装置可以是复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置402也可以是一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器或类似物。处理装置402配置成执行用于执行本文中所论述的操作和步骤的指令426。计算机系统400可进一步包含网络接口装置408以在网络420上通信。

数据存储系统418可包含机器可读存储媒体424(也称为计算机可读媒体)，其上存储有一或多个指令集426或体现本文中所描述的方法或功能中的任何一或多个的软件。指令426还可在由计算机系统400执行期间完全或至少部分地驻存在主存储器404内和/或处理装置402内，主存储器404和处理装置402也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体424、数据存储系统418和/或主存储器404可对应于图1的存储器子系统110。

在一个实施例中，指令426包含实施对应于温度管理组件(例如，图1的温度管理组件113)的功能性的指令。尽管在实例实施例中机器可读存储媒体424展示为单个媒体，但应认为术语“机器可读存储媒体”包含存储一或多个指令集的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被认为包含能够存储或编码供机器执行的指令集且使得机器执行本公开的方法中的任何一或多个的任何媒体。因此，术语“机器可读存储媒体”应被认为包含但不限于固态存储器、光学媒体和磁性媒体。

已在针对计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示方面呈现了先前详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用以将其工作的主旨最有效地传达给所属领域的其它技术人员的方式。在本文中，且一般将算法构想为产生所需结果的操作的自洽序列。操作是要求对物理量进行物理操纵的操作。通常(但未必)，这些量采用能够存储、组合、比较以及以其它方式操纵的电或磁信号的形式。已经证实，主要出于常用的原因，将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、项、编号等等有时是便利的。

然而，应牢记，所有这些和类似术语将与适当物理量相关联，且仅仅为应用于这些量的便利标记。本公开可指操纵计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)量的数据且将所述数据变换成计算机系统存储器或寄存器或其它这类信息存储系统内的类似地表示为物理量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。

本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。这种设备可以出于所需目的而专门构造，或其可包含通过存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。这种计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如但不限于任何类型的盘，包含软盘、光盘、CD-ROM以及磁性光盘、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡，或适合于存储电子指令的任何类型的媒体，其各自耦合到计算机系统总线。

本文中呈现的算法和显示器在本质上并不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可以与根据本文中的教示的程序一起使用，或可以证明构造用以执行所述方法更加专用的设备是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现各种这些系统的结构。另外，未参考任何特定编程语言来描述本公开。应了解，可使用各种编程语言来实施如本文中所描述的本公开的教示内容。

本公开可提供为计算机程序产品或软件，其可包含在其上存储有可用于编程计算机系统(或其它电子装置)以执行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机构。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。

在前述说明书中，本公开的实施例已参考其特定实例实施例进行描述。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，应在说明性意义上而非限制性意义上看待说明书及图式。