显示装置、显示装置制造方法以及电子设备

技术领域

本公开涉及显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置。

背景技术

包括使用有机电致发光的发光部和包括该发光部的像素的显示装置是公知的。显示装置作为通过低压直流驱动而能够以高亮度发光的显示装置已经受到关注。

使用有机电致发光的显示装置是自发光型的，并且进一步对高清晰度的高速视频信号具有足够的响应性。例如，在附接至诸如眼镜或护目镜的眼镜件(eyewear)的显示装置中，还要求像素的尺寸为约几μm至10μm。

通常，使用有机电致发光的发光部包括包含发光层的有机层以及被设置为夹持有机层的第一电极和第二电极。像素包括发光部和驱动发光部并且包括晶体管等的驱动电路。然后，通过预定外围电路扫描像素布置成矩阵形状的显示区域，并且因此显示图像。专利文献1公开了一种在同一基板上已经形成使用有机电致发光的发光部及其驱动电路以及外围电路的结构。

引用列表

专利文献

专利文献1：日本专利申请公开第2014-89803号。

发明内容

本发明要解决的问题

使用有机电致发光驱动发光部的晶体管的所需特性并不总是与外围电路中所使用的晶体管的所需特性匹配。如果在共同的半导体元件制造过程中在同一基板上形成这些晶体管，则过程变得非常复杂，并且这导致成品率降低。此外，还难以应对诸如基板的尺寸减小的尺寸减小。

因此，本公开的目的是提供能够使显示装置中所使用的晶体管具有合适的特性并且还能够实现尺寸减小而不使半导体元件制造过程复杂化的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及包括该显示装置的电子装置。

问题的解决方案

根据本公开的用于实现上述目的的显示装置是包括以下项的显示装置：

第一基板，包括其中已经形成晶体管的半导体材料层，该晶体管驱动包括在像素中的发光部；以及

第二基板，包括预定电路；

其中，第一基板和第二基板粘接在一起使得相应接合表面彼此面对；并且

焊盘开口被设置为从第一基板的一侧面向已经设置在相应接合表面的一侧的焊盘电极，使得焊盘电极暴露于底表面。

根据本公开的用于实现上述目的的用于制造显示装置的方法是用于制造显示装置的方法，包括：

第一过程，使第一基板和第二基板粘接在一起使得相应接合表面彼此面对，第一基板包括其中已经形成驱动发光部的晶体管的半导体材料层，第二基板包括预定电路；以及

第二过程，从第一基板的一侧面向已经设置在相应接合表面的一侧的焊盘电极设置焊盘开口，使得焊盘电极暴露于底表面。

根据本公开的用于实现上述目的的电子装置是包括显示装置的电子装置，该显示装置包括：

第一基板，包括其中已经形成晶体管的半导体材料层，该晶体管驱动发光部；以及

第二基板，包括预定电路；

其中，第一基板和第二基板粘接在一起使得相应接合表面彼此面对；并且

焊盘开口被设置为从第一基板的一侧面向已经设置在相应接合表面的一侧的焊盘电极，使得焊盘电极暴露于底表面。

附图说明

图1是根据第一实施方式的显示装置的概念图。

图2是用于说明显示区域与焊盘区域之间的配置关系的示意性平面图。

图3是用于说明第一基板与第二基板之间的堆叠关系的示意性立体图。

图4是像素的示意性电路图。

图5是显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

图6是用于说明焊盘区域中的组件之间的配置关系的示意性平面图。

图7A和图7B是用于说明根据第一实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图8A和图8B是继图7B之后用于说明根据第一实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图9是继图8B之后用于说明根据第一实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图10是继图9之后用于说明根据第一实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图11是继图10之后用于说明根据第一实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图12是继图11之后用于说明根据第一实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图13是继图12之后用于说明根据第一实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图14是继图13之后用于说明根据第一实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图15是继图14之后用于说明根据第一实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图16是继图15之后用于说明根据第一实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图17是继图16之后用于说明根据第一实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图18是继图17之后用于说明根据第一实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图19是根据第二实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

图20是用于说明根据第二实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图21是继图20之后用于说明根据第二实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图22是根据第三实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

图23是用于说明根据第三实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图24是继图23之后用于说明根据第三实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图25是继图24之后用于说明根据第三实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图26是继图25之后用于说明根据第三实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图27是继图26之后用于说明根据第三实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图28是根据第四实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

图29是用于说明根据第四实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图30是继图29之后用于说明根据第四实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图31是继图30之后用于说明根据第四实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图32是继图31之后用于说明根据第四实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图33是根据第五实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

图34是用于说明焊盘区域中的组件之间的配置关系的示意性平面图。

图35是用于说明根据第五实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图36是继图35之后用于说明根据第五实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图37是继图36之后用于说明根据第五实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图38是继图37之后用于说明根据第五实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图39是根据第六实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

图40是用于说明根据第六实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图41是继图40之后用于说明根据第六实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图42是继图41之后用于说明根据第六实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图43是继图42之后用于说明根据第六实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图44是继图43之后用于说明根据第六实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图45是根据第七实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

图46是用于说明根据第七实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图47是继图46之后用于说明根据第七实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图48是继图47之后用于说明根据第七实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图49是继图48之后用于说明根据第七实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图50是用于说明根据第八实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图51是用于说明根据第八实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图52是继图51之后用于说明根据第八实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图53是继图52之后用于说明根据第八实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图54是继图53之后用于说明根据第八实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图55是用于说明根据第九实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图56是用于说明根据第十实施方式的用于制造显示装置的方法的示意性局部端面图。

图57是可更换镜头的单镜头反射型的数字静态相机的外观图，图57A示出了数字静态相机的前视图，并且图57B示出了数字静态相机的后视图。

图58是头戴式显示器的外观图。

图59是透视头戴式显示器的外观图。

具体实施方式

下面参考附图基于实施方式描述本公开。本公开不限于实施方式，并且实施方式中的各种数值或材料是示例。在以下描述中，假设具有相同功能的一个或多个相同元件由相同的参考标记表示，并且省略重复的描述。注意，将按照下面描述的顺序提供描述。

1.根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置的总体描述

2.第一实施方式

3.第二实施方式

4.第三实施方式

5.第四实施方式

6.第五实施方式

7.第六实施方式

8.第七实施方式

9.第八实施方式

10.第九实施方式

11.第十实施方式

12.电子装置的描述及其他

[根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置的总体描述]

如上所述，根据本公开的显示装置、通过使用根据本公开的用于制造显示装置的方法获得的显示装置以及根据本公开的电子装置中所使用的显示装置(在下文中，在一些情况下，这些简称为根据本公开的显示装置)包括：

第一基板，包括其中已经形成晶体管的半导体材料层，该晶体管驱动包括在像素中的发光部；以及

第二基板，包括预定电路；

第一基板和第二基板粘接在一起使得相应接合表面彼此面对；并且

焊盘开口被设置为从第一基板的一侧面向已经设置在相应接合表面的一侧上的焊盘电极，使得焊盘电极暴露于底表面。

根据本公开的显示装置可以具有以下配置，其中，在第一基板上堆叠并且形成：

绝缘膜；

第一电极，已经形成在绝缘膜上并且布置成矩阵形状；

有机层，已经形成在包括第一电极的上侧的整个表面上；以及

第二电极，已经形成在包括有机层的上侧的整个表面上；并且

发光部包括第一电极、有机层以及第二电极。

包括上述优选配置的根据本公开的显示装置可以具有以下配置，其中，

焊盘开口被设置为穿透第一基板的半导体材料层；并且

位于焊盘开口周围的半导体材料层被绝缘结构分隔，该绝缘结构已经被设置为沿着焊盘开口中的每一个焊盘开口的周边穿透半导体材料层。

在这种情况下，可以采用通过使用包括在绝缘膜中的绝缘材料来形成绝缘结构的配置。可选地，还可以采用：1.在第二电极上形成保护膜并且通过使用包括在保护膜中的绝缘材料来形成绝缘结构的配置；2.在第二电极上形成滤色器并且通过使用包括在滤色器中的绝缘材料来形成绝缘结构的配置；或3.在第二电极上形成微透镜并且通过使用包括在微透镜中的绝缘材料来形成绝缘结构的配置。

可选地，包括上述优选配置的根据本公开的显示装置可以具有以下配置，其中，

焊盘开口被设置为穿透第一基板的半导体材料层；并且

半导体材料层的穿透表面覆盖有绝缘材料。

在这种情况下，半导体材料层的穿透表面覆盖有包括在绝缘膜中的绝缘材料的配置。可选地，还可以采用：1.在第二电极上形成保护膜并且半导体材料层的穿透表面覆盖有包括在保护膜中的绝缘材料的配置；2.在第二电极上形成滤色器并且半导体材料层的穿透表面覆盖有包括在滤色器中的绝缘材料的配置；或3.在第二电极上形成微透镜并且半导体材料层的穿透表面覆盖有包括在微透镜中的绝缘材料的配置。

可选地，包括上述优选配置的根据本公开的显示装置还可以具有以下配置，其中，在半导体材料层中设置具有比焊盘电极的暴露区域更宽的区域的开口。

包括上述各种优选配置的根据本公开的显示装置可以具有以下配置，其中，

第一连接电极设置在第一基板的接合表面上；

第二连接电极设置在第二基板的接合表面上；并且

第一连接电极和第二连接电极在接合表面上金属接合。

如上所述，根据本公开的用于制造显示装置的方法包括：

第一过程，使第一基板和第二基板粘接在一起使得相应接合表面彼此面对，第一基板包括其中已经形成驱动发光部的晶体管的半导体材料层，第二基板包括预定电路；以及

第二过程，从第一基板的一侧面向已经设置在相应接合表面的一侧的焊盘电极设置焊盘开口，使得焊盘电极暴露于底表面。

以上已经描述的根据本公开的用于制造显示装置的方法可以具有以下配置，包括：

通过在第一基板上堆叠以下项而形成包括第一电极、有机层以及第二电极的发光部的过程；

绝缘膜；

第一电极，已经形成在绝缘膜上并且布置成矩阵形状；

有机层，已经形成在包括第一电极的上侧的整个表面上；以及

第二电极，已经形成在包括有机层的上侧的整个表面上。

在这种情况下，可以采用以下配置，其中，在第一过程与第二过程之间，

执行通过使用绝缘结构分隔位于焊盘开口周围的半导体材料层的过程，该绝缘结构已经被设置为沿着焊盘开口中的每一个焊盘开口的周边穿透半导体材料层。

在这种情况下，可以采用以下配置，其中，通过使用包括在绝缘膜中的绝缘材料来形成绝缘结构的配置。可选地，还可以采用以下配置：

1.在第一电极上形成保护膜并且通过使用包括在保护膜中的绝缘材料来形成绝缘结构的配置；

2.在第一电极上形成滤色器并且通过使用包括在滤色器中的绝缘材料来形成绝缘结构的配置；或

3.在第一电极上形成微透镜并且通过使用包括在微透镜中的绝缘材料来形成绝缘结构的配置。

可选地，可以采用以下配置，其中，在第一过程与第二过程之间，

执行设置开口以穿透第一基板的半导体材料层，使得包括其中形成焊盘开口的区域的过程；以及

执行在包括开口的整个表面上形成绝缘材料层的过程。

在这种情况下，可以采用以下配置，其中，通过使用包括在绝缘膜中的绝缘材料来形成绝缘材料层的配置(换句话说，半导体材料层的截面覆盖有包括在绝缘膜中的绝缘材料的配置)。可选地，还可以采用：

1.包括在第一电极上形成保护膜的过程并且通过使用包括在保护膜中的绝缘材料来形成绝缘材料层的配置(半导体材料层的截面覆盖有包括在保护膜中的绝缘材料的配置)；

2.包括在第一电极上形成滤色器的过程并且通过使用包括在滤色器中的绝缘材料来形成绝缘材料层的配置(半导体材料层的截面覆盖有包括在滤色器中的绝缘材料的配置)；或

3.包括在第一电极上形成微透镜的过程并且通过使用包括在微透镜中的绝缘材料来形成绝缘材料层的配置(半导体材料层的截面覆盖有包括在微透镜中的绝缘材料的配置)。

可选地，还可以采用以下配置，其中，在第一过程与第二过程之间，

执行在半导体材料层中设置具有比焊盘电极的暴露区域更宽的区域的开口的过程。

在根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置中(在下文中，在一些情况下，这些简称为本公开)，在玻璃等基板上已经形成半导体材料层的基板或包括诸如硅的半导体材料的基板可以用作第一基板或第二基板。例如，可以通过与半导体材料层匹配或在设置在包括半导体材料的基板中的阱中适当地形成晶体管等来配置诸如晶体管的电路元件。

如上所述，发光部包括第一电极、有机层以及第二电极。例如，第一电极是用于将空穴注入到有机层中的阳极电极，并且第二电极是用于将电子注入到有机层中的阴极电极。在有机层中所生成的光朝向阴极电极发射的顶部发射型的情况下，第一电极具有光反射性质，并且第二电极具有光透射性质。

优选地，具有光反射性质的电极对于有机层的发光波长具有高反射率，并且例如，可以通过使用包括诸如铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)或钽(Ta)的金属单质或合金的金属材料来形成电极。注意，电极可以具有单层结构或可以具有分层结构。

此外，可以通过使用诸如氧化铟锡(ITO，包括Sn掺杂的In

例如，可以通过组合诸如真空沉积或溅射的例如物理气相沉积(PVD)、各种类型的化学气相沉积(CVD)等的公知的膜形成方法和例如蚀刻、剥离等的公知的图案化方法来形成显示装置中所使用的各种布线线路等。

例如，可以通过使用诸如氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅的无机材料、或诸如聚酰亚胺的有机材料的公知的绝缘材料来形成显示装置中所使用的绝缘层、绝缘膜等。

显示装置可以被配置为显示单色图像或可以被配置为显示彩色图像。作为显示装置的分辨率的值，可以提供诸如U-XGA(1600，1200)、HD-TV(1920，1080)、Q-XGA(2048，1536)、(3840，2160)、或(7680，4320)的图像的分辨率的一些示例。然而，这些值并非限制性的。

例如，有机层可以具有依次堆叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层的结构。包括在有机层中的空穴传输材料、空穴传输材料、电子传输材料以及有机发光材料没有特别限制，并且可以使用公知的材料。

在显示装置被配置为进行颜色显示的情况下，可以采用已经组合白光发射有机层和滤色器的配置。在该配置中，可以使包括空穴传输层、发光层、电子传输层等的有机层在多个像素中共用。因此，不需要针对像素中的每一个像素单独涂覆有机层。可选地，还可以采用根据像素单独涂覆红色发光有机层、绿色发光有机层或蓝色发光有机层的配置。在该配置中，随着像素间距减小，单独涂覆变得更困难。因此，在像素间距以μm为单位的显示装置中，优选地采用已经组合白色发光有机层和滤色器的配置。

发射白光的有机层可以形成为具有包括红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层的分层结构。可选地，有机层可以形成为具有包括发射蓝光的蓝色发光层和发射黄光的黄色发光层的分层结构、或者包括发射蓝光的蓝色发光层和发射橙光的橙色发光层的分层结构。在这些分层结构中，整体发射白光。

包括在发光层中的发光材料可以是荧光的或可以是磷光的。发光材料的配置没有特别限制，并且可以使用诸如4，4-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(DPVBi)和2，6-双[(4’-甲氧基二苯基氨基)苯乙烯基]-1，5-二氰基萘(BSN)的混合物(发射红光)、DPVBi和4，4′-双[2-{4-(N，N-二苯基氨基)苯基}乙烯基]联苯(DPAVBi)的混合物(发射蓝光)或DPVBi和香豆素6的混合物(发射绿光)的公知的材料。此外，可以通过将诸如电子或空穴等的载流子的传输材料适当地添加至上述发光材料来配置每种颜色的发光层。

空穴传输材料是帮助将空穴注入到发光层中的空穴注入层中也使用的材料，并且可以提供诸如酞菁铜、六氮杂苯并菲(HAT)或N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基-[1，1′-联苯]-4，4′-二胺[α-NPD]的公知的材料作为示例。此外，电子传输材料是帮助将电子注入到发光层中的电子注入层中也使用的材料，并且可以提供诸如2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、或8-羟基喹啉的金属络合物或含氮杂环衍生物或其衍生物(例如，三(8-羟基喹啉)铝络合物、苯并咪唑衍生物、菲咯啉衍生物或咪唑并吡啶衍生物)的公知的材料作为示例。两种电荷传输材料的示例包括诸如氨基苯乙烯基化合物的材料和通过对空穴传输材料和电子传输材料执行共沉积获得的材料。

可以通过使用公知的电路元件来配置驱动显示装置的诸如源驱动器的预定电路。例如，还可以通过使用公知的电路元件来配置图1所示的垂直扫描仪、电源等。

此外，作为包括根据本公开的显示装置的电子装置的示例，可以提供前视型或投影型显示装置以及具有图像显示功能的各种电子装置。

本文的各种条件不仅在条件严格成立的情况下满足，而且在条件大致成立的情况下也满足。在设计或制造中产生的各种变化的存在是可允许的。此外，以下描述中所使用的相应附图是示意性的，并且并未示出实际尺寸或实际尺寸的比例。

[第一实施方式]

第一实施方式涉及根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置。

图1是根据第一实施方式的显示装置的概念图。

图1所示的显示装置1包括：第一基板10，包括其中已经形成晶体管的半导体材料层，该晶体管驱动包括在像素70中的发光部；以及第二基板20，包括预定电路。第一基板10和第二基板20已经粘接在一起使得相应接合表面JS彼此面对。像素70已经形成在粘接在一起的基板上以布置成二维矩阵形状。稍后将参考稍后所述的图3描述第一基板10和第二基板20的基本配置。

显示装置1包括针对沿着行方向(图1中的X方向)设置的每个像素行设置的扫描线WS和馈线PS1、以及针对沿着列方向(图1中的Y方向)设置的每个像素列设置的数据线DTL。像素70中的每一个像素连接至扫描线WS和馈线PS1以及数据线DTL，并且布置成包括行方向上的N个像素和列方向上的M个像素的总共N×M个像素的二维矩阵形状。

布置成二维矩阵形状的像素70包括在显示图像的显示区域(像素阵列)80中。显示区域80中的像素70的行数是M，并且每行中的像素70的数量是N。

扫描线WS和馈线PS1的相应数量是M。第m行(其中，m＝1，2，…，M)中的像素70连接至第m条扫描线WS

注意，显示装置1包括公共地连接至所有像素70的公共馈线，但是图1中省略了该公共馈线。例如，接地电位作为公共电压被稳定地供应至公共馈线。

显示装置1进一步包括驱动显示区域80的各种电路，诸如源驱动器110、垂直扫描仪120或电源130。注意，在图1所示的示例中，垂直扫描仪120和电源130设置在显示区域80的相应一端侧上，但是这仅是示例性的。

由已经粘接在一起的第一基板10和第二基板20一体配置显示区域80、源驱动器110、垂直扫描仪120以及电源130。换句话说，显示装置1是集成驱动器电路的显示装置。

例如，指示根据要显示的图像的灰度的信号LD

垂直扫描仪120将扫描信号供应至扫描线WS。该扫描信号使像素70例如以行为单位被顺序扫描。描述了电源130将预定电源电压V

显示装置1例如是进行颜色显示的显示装置，并且沿行方向设置的三个像素70的组包括在单个颜色像素中。因此，如果假设N′＝N/3，则行方向上为N’个颜色像素并且列方向上为M个颜色像素，总共N′×M个颜色像素布置在显示区域80中。

如上所述，垂直扫描仪120的扫描信号使像素70以行为单位被线性顺序扫描。在下文中，位于第m行和第n列中的像素70被称为第(n，m)个像素70。

在显示装置1中，同时驱动布置在第m行中的N个像素70。换句话说，在沿着行方向布置的N个像素70中，以N个像素70所属的行为单位控制发光或不发光的定时，如果显示装置1的显示帧速率表示为FR(次/秒)，则当以行为单位线性顺次扫描显示装置1时，每行的扫描周期(所谓的水平扫描周期)小于(1/FR)×(1/M)秒。

在显示装置1中，从外部供应诸如指示灰度的上述信号LD

图2是用于说明显示区域与焊盘区域之间的配置关系的示意性平面图。

焊盘区域90例如沿着显示区域80的一端设置以不妨碍显示图像。在焊盘区域90中，用于连接的多个焊盘电极26被设置为例如以每个预定间隔彼此间隔开。

图3是用于说明第一基板与第二基板之间的堆叠关系的示意性立体图。

如图3所示，已经在第一基板10中形成显示区域80，并且已经在第二基板20中设置诸如源驱动器110、垂直扫描仪120或电源130的预定电路。因此，存在以下优点，其中，可以选择与驱动包括在像素70中的发光部的晶体管的制造有关的合适过程作为第一基板10的半导体元件制造过程，并且可以选择与包括在诸如源驱动器110的预定电路中的晶体管的制造有关的合适过程作为第二基板20的半导体元件制造过程。

基本上，需要将诸如指示灰度的信号LD

以上已经描述了显示装置1的概况。接着，描述像素70的细节。

首先，描述像素70的电路配置。图4是像素的示意性电路图。注意，为了便于示出，图4示出了单个像素70(并且更具体地，第(n，m)个像素70)的布线连接关系。

如图4所示，像素(显示元件)70包括电流驱动型的发光部50和驱动发光部50的驱动电路71。驱动电路71至少包括写入视频信号的写入晶体管TR

驱动电路71进一步包括电容部Cs。电容部Cs用于相对于驱动晶体管TR

包括在电容部C

发光部50是具有根据流动电流的值而改变的发光亮度的电流驱动型发光部。具体地，发光部50包括有机电致发光发光部。发光部50具有包括第一电极(阳极电极)、空穴传输层、发光层、电子传输层、第二电极(阴极电极)等的公知配置或结构。

发光部50的另一端(具体地，第二电极)连接至公共馈线。将预定电压V

写入晶体管TR

如上所述，电容部C

I

注意，假设：

μ：有效迁移率；

L：通道长度；

W：通道宽度；

V

C

k≡(1/2)·(W/L)·C

注意，驱动电路71的上述配置仅是示例。实际上，驱动电路可以具有各种配置。

以上已经描述了像素70的电路配置。接着，描述包括在显示装置1中的各个组件之间的立体配置关系。图5是显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

第一连接电极15设置在第一基板10的接合表面JS上，并且第二连接电极25设置在第二基板20的接合表面JS上。然后，第一连接电极15和第二连接电极25在接合表面JS上金属接合。

第二基板20包括半导体材料层21、层间绝缘层23、焊盘电极26等。已经在半导体材料层21上形成包括在诸如源驱动器110、垂直扫描仪120或电源130的预定电路中的晶体管。参考标记24表示各种布线层，并且参考标记22表示包括在预定电路中的晶体管的栅电极等。注意，示意性地示出了布线层24或电极22。此外，实际上，层间绝缘层23包括多层。为了便于示出，在附图中，层间绝缘层23被示出为单层。

第一基板10包括半导体材料层11、层间绝缘层13等。已经在半导体材料层11中形成包括在上述驱动电路71中的各种晶体管。参考标记14表示各种布线层，并且参考标记12表示包括在驱动电路71中的晶体管的栅电极等。注意，示意性地示出了布线层14或电极12。此外，实际上，层间绝缘层13包括多层。为了便于示出，在附图中，层间绝缘层13被示出为单层。

首先，描述包括显示区域80中的像素70的一部分的配置。已经在第一基板10上形成像素70。在第一基板10上，绝缘膜30、已经形成在绝缘膜30上并且布置成矩阵形状的第一电极32、已经形成在包括第一电极32的上侧的整个表面上的有机层33以及已经形成在包括有机层33的上侧的整个表面上的第二电极34已经形成为堆叠。因此，发光部50包括第一电极32、有机层33以及第二电极34。第一电极32通过连接插头31连接至设置在第一基板10中的驱动电路。在第二电极34上，设置了保护膜40、滤色器41以及微透镜42。此外，经由密封树脂43设置例如包括玻璃等的对置基板44。

接着，描述焊盘区域90的一部分的配置。第一基板10和第二基板20已经粘接在一起使得相应接合表面JS彼此面对。然后，已经在接合表面JS的一侧设置并且在例如第二基板20的层间绝缘层23中形成焊盘电极26。此外，在第一基板10上，已经堆叠绝缘膜30、保护膜40以及用于形成微透镜的绝缘材料层(为了方便起见，参考标记42的使用无变化，并且类似地适用于其他实施方式)。焊盘开口PDOP已经被设置为从第一基板10的一侧面向设置在第二基板20中的焊盘电极26，使得焊盘电极26暴露于底表面。

焊盘开口PDOP已经被设置为穿透第一基板10的半导体材料层11，并且位于焊盘开口PDOP周围的半导体材料层11被绝缘结构30A分隔，该绝缘结构30A已经被设置为沿着焊盘开口PDOP中的每一个焊盘开口的周边穿透半导体材料层11。如参考稍后描述的图7至图18所详细描述的，已经通过使用包括在绝缘膜30中的绝缘材料来形成绝缘结构30A。

图6是用于说明焊盘区域中的组件之间的配置关系的示意性平面图。

如图6所示，绝缘结构30A已经形成为连续包围焊盘开口PDOP中的每一个焊盘开口的周边。通过这样做，即使在半导体材料层11的截面暴露于开口PDOP的状态下，也可以避免可以经由半导体材料层11产生的焊盘电极26之间的泄露，并且可以改善电可靠性。

此外，有机层33的特性由于水分渗透或水分吸收而劣化。绝缘结构30A可以防止可以经由半导体材料层11产生的水分渗透或水分吸收，并且因此可以防止有机层33的劣化。

以上已经描述了包括在显示装置1中的各种组件之间的立体配置关系。接着，参考作为基板的示意性局部端面图等的图7至图18描述用于制造显示装置1的方法。

用于制造显示装置1的方法，包括：

第一过程，使第一基板10和第二基板20粘接在一起使得相应接合表面JS彼此面对，第一基板10包括其中已经形成驱动发光部50的晶体管的半导体材料层11，第二基板20包括预定电路；以及

第二过程，从第一基板10的一侧面向设置在相应接合表面JS的一侧的焊盘电极26设置焊盘开口PDOP，使得焊盘电极26暴露于底表面。此外，用于制造显示装置1的方法包括：

通过在第一基板10上堆叠以下项来形成包括第一电极32、有机层33以及第二电极34的发光部50的过程：

绝缘膜30；

第一电极32，已经形成在绝缘膜30上并且布置成矩阵形状；

有机层33，已经形成在包括第一电极32的上侧的整个表面上；以及

第二电极34，已经形成在包括有机层33的上侧的整个表面上。

然后，在用于制造显示装置1的方法中，在第一过程与第二过程之间，

执行通过使用绝缘结构30A分隔位于焊盘开口PDOP周围的半导体材料层11的过程，该绝缘结构30A已经被设置为沿着焊盘开口PDOP中的每一个焊盘开口的周边穿透半导体材料层11。类似地适用于稍后描述的第二实施方式至第四实施方式。

以下详细描述用于制造显示装置1的方法。

[过程-100]

在第一基板10上形成需要驱动发光部50的元件。例如，在已经设置在包括诸如硅的半导体材料的半导体材料层11中的阱内适当地形成晶体管等。可以通过使用例如多晶硅来形成半导体材料层11，并且可以通过执行离子注入等来形成通道区域或源极/漏极区域。之后，在层间绝缘层13中适当地形成各种电极12或布线层14(参见图7A)。

可以通过使用诸如铝(Al)的材料来形成包括在电极12或布线层14中的布线线路，并且可以通过使用例如钨(W)等来形成连接布线线路的连接插头(通孔)。此外，在一些情况下，也可以通过使用铜(Cu)来形成布线线路或连接插头。类似地适用于第二基板20中的电极22、布线层24等。

接着，形成用于连接至第二基板20的第一连接电极15(参见图7B)。此处，已经通过使用铜(Cu)来形成第一连接电极15。

[过程-110]

在第二基板20中形成诸如源驱动器110、垂直扫描仪120或电源130的预定电路。需要反映每个电路的操作状态，并且例如，适当地形成具有彼此不同的阈值特性的晶体管。例如，类似于第一基板10，在已经设置在包括诸如硅的半导体材料的半导体材料层21中的阱内适当地形成晶体管等。之后，在层间绝缘层23中适当地形成各种电极22或布线层24。此外，还形成连接至预定电路的焊盘电极26(参见图8A)。

接着，形成用于连接至第一基板10的第二连接电极25(参见图8B)。此处，通过使用铜(Cu)来形成第二连接电极25。

[过程-120]

第一基板10和第二基板20接合。例如，在第一基板10和第二基板20彼此面对的状态下执行使用等离子体处理的激活，并且因此表面亲水化(参见图9)。然后，在第一基板10和第二基板20两者已经彼此密切接触之后，执行热处理，并且第一基板10和第二基板20两者粘接在一起使得相应接合表面JS彼此面对(参见图10)。第一连接电极15和第二连接电极25在接合表面JS上金属接合，并且确保第一基板10的像素电路和第二基板20的驱动电路的电连接等。之后，例如，对第一基板10的半导体材料层11执行化学机械抛光(CMP)技术等，并且执行膜薄化(参见图11)。此处，假设半导体材料层11已经被薄化至约3μm来描述。

[过程-130]

接着，在与焊盘区域90相对应的部分中形成绝缘结构。首先，去除半导体材料层11的包围焊盘开口PDOP的一部分的部分，并且形成环形开口OP(参见图12)。例如，可以通过使用诸如通过使用光刻技术形成掩模并且然后执行干蚀刻的方法来形成开口OP。此处，假设凹槽的宽度为约200纳米。凹槽的宽度优选为约100纳米至1000纳米，但是这取决于显示装置1的规格。注意，图12示出了仅去除半导体材料层11的方面。然而，也可以采用对位于下层的层间绝缘层13执行蚀刻的方面(参见图13)。

之后，在包括半导体材料层11的上侧的整个表面上形成绝缘膜30。通过这样做，环形开口OP的一部分还填充有包括在绝缘膜30中的绝缘材料，并且形成绝缘结构30A(参见图14)。由于该绝缘结构30A，不仅可以适当地确保焊盘电极26之间的绝缘，而且还可以适当地确保焊盘电极26与半导体材料层11或有机层33之间的绝缘。

[过程-140]

接着，在第一基板10上形成发光部50。

形成用于将第一电极32连接至已经形成在半导体材料层11中的晶体管等的连接插头(通孔)31。首先，在第一基板10中将形成连接插头31的部分中形成开口OP。例如，可以通过使用诸如通过使用等离子体技术形成掩模并且然后执行干蚀刻的方法在绝缘膜30和半导体材料层11的部分中形成开口OP。此处，已经假设开口的直径为约500纳米。之后，绝缘膜30被回填约100纳米。然后，例如，执行干蚀刻，并且使布线线路暴露于开口OP的底部(参见图15)。

接着，在已经在包括开口OP的整个表面上形成导电材料层之后，通过使用CMP技术等来执行平滑化，并且因此可以形成连接插头31(参见图16)。此处，在已经形成氮化钛(TiN

接着，在已经在整个表面上形成包括在第一电极32中的导电材料层之后，通过使用诸如通过使用等离子体技术形成掩模并且然后执行干蚀刻的方法来形成与每个像素70相对应的第一电极32。在顶部发射类型的情况下，期望第一电极32具有阳极电极的功能和反射膜的功能并且包括具有高反射率和高空穴注入性质的材料。可以通过使用例如膜厚度已经被设置为10纳米至1000纳米并且包括铬(Cr)等的导电材料层来形成第一电极32。

接着，在与显示区域80相对应的部分中，在包括第一电极32的上侧的整个表面上形成包括发光层的有机层33，并且然后在有机层33上形成第二电极34。之后，在与显示区域80和焊盘区域90相对应的部分中，在整个表面上形成保护膜40(参见图17)。通过执行上述过程，形成其中第一电极32、有机层33以及第二电极34已经堆叠的发光部50。

可以例如通过从第一电极32的一侧顺序堆叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层来形成有机层33。

例如，有机层33的发光层可以形成为发射白光的发光层。在这种情况下，与滤色器组合使得能够进行颜色显示。可以例如通过顺序堆叠红色发光层、发光分离层、蓝色发光层以及绿色发光层来形成白色发光层。可选地，白色发光层还可以形成为具有包括蓝色发光层和黄色发光层的分层结构或包括蓝色发光层和橙色发光层的分层结构。在这些分层结构中，整体发射白光。包括在有机层33中的材料没有特别限制，并且可以通过使用公知的材料来配置有机层33。

[过程-150]

接着，在与显示区域80相对应的部分中，在保护膜40上形成滤色器41，并且然后在整个表面上形成微透镜42。之后，在与显示区域80相对应的部分中，经由密封树脂43粘接对置基板44(参见图18)。

接着，通过使用诸如通过使用等离子体技术形成掩模并且然后执行干蚀刻的方法打开以图18中的虚线所示的部分，并且暴露焊盘电极26。通过执行上述过程，可以获得图5所示的显示装置1。

注意，已经假设焊盘电极26设置在第二基板20的一侧来描述，但是焊盘电极26可以设置在第一基板10的一侧。例如，焊盘电极26可以形成在第一基板10的层间绝缘层13中。

[第二实施方式]

第二实施方式还涉及根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置。

图19是根据第二实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。通过将图1中的显示装置1替换为显示装置2来获得根据第二实施方式的显示装置的概念图。在稍后描述的其他实施方式中，如果适当地执行相似的替换就足够了。

类似于第一实施方式，在根据第二实施方式的显示装置2中，通过使用包括在绝缘膜30中的绝缘材料来形成绝缘结构30B。然而，不同之处在于，通过使用形成连接插头31的过程来形成绝缘结构30B。因此，与第一实施方式相比，可以省略一些过程。

以下详细描述用于制造显示装置2的方法。

[过程-200]

首先，执行已经在第一实施方式中描述的[过程-100]至[过程-120](参见图11)。之后，在整个表面上形成绝缘膜30(参见图20)。

[过程-210]

接着，形成连接插头31，并且还形成绝缘结构30B。首先，在第一基板10中将形成连接插头31的部分和将形成绝缘结构30B的部分中形成开口OP(省略附图)。之后，例如，在绝缘膜30已经被回填约100纳米之后，执行干蚀刻。然后，在已经在包括开口的整个表面上形成导电材料层之后，通过使用CMP技术等来执行平滑化。因此，可以形成连接插头31，并且另外，可以形成其中已经嵌入了插头31A的绝缘结构30B(参见图21)。

[过程-220]

接着，可以通过执行与参考第一实施方式中的图17和图18所描述的过程类似的过程来获得显示装置2。

[第三实施方式]

第三实施方式还涉及根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置。

图22是根据第三实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

在第一实施方式和第二实施方式中，已经通过使用包括在绝缘膜30中的绝缘材料来形成绝缘结构30A和30B。第三实施方式的不同之处在于，通过使用包括在第二电极34上的保护膜40中的绝缘材料来形成绝缘结构40A。

以下描述用于制造显示装置3的方法。

[过程-300]

首先，执行第二实施方式中所描述的[过程-200](参见图20)。

[过程-310]

之后，在第一基板10上形成发光部50。类似于第一实施方式中所描述的[过程-140]，形成连接插头31(参见图23)。接着，形成与每个像素70相对应的第一电极32。之后，在与显示区域80相对应的部分中，在包括第一电极32的上侧的整个表面上形成包括发光层的有机层33，并且在有机层33上形成第二电极34。通过执行上述过程，形成其中第一电极32、有机层33以及第二电极34已经堆叠的发光部50(参见图24)。

[过程-320]

接着，在与焊盘区域90相对应的部分中形成绝缘结构。首先，去除绝缘膜30和半导体材料层11的包围焊盘开口PDOP的一部分的部分，并且形成环形开口OP(参见图25)。注意，图25示出了仅去除绝缘膜30和半导体材料层11的方面。然而，也可以采用对位于下层的层间绝缘层13执行蚀刻的方面(参见图26)。

[过程-330]

之后，在与显示区域80和焊盘区域90相对应的部分中，在整个表面上形成保护膜40。通过这样做，通过使用包括在第二电极34上的保护膜40中的绝缘材料来形成绝缘结构40A。接着，执行第一实施方式中所描述的[过程-150]，打开以图27中的虚线所示的部分，并且暴露焊盘电极26。通过执行上述过程，可以获得图22所示的显示装置3。

[第四实施方式]

第四实施方式还涉及根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置。

图28是根据第四实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

在第三实施方式中，已经通过使用包括在保护膜中的绝缘材料来形成绝缘结构40A。第三实施方式的不同之处在于，通过使用包括在第二电极34上的滤色器41中的绝缘材料来形成绝缘结构41A。

以下详细描述用于制造显示装置4的方法。

[过程-400]

首先，执行第三实施方式中所描述的[过程-300]和[过程-310](参见图24)。

[过程-410]

之后，在与显示区域80和焊盘区域90相对应的部分中，在整个表面上形成保护膜40(参见图29)。

[过程-420]

接着，在与焊盘区域90相对应的部分中形成绝缘结构。首先，去除保护膜40、绝缘膜30以及半导体材料层11的包围焊盘开口PDOP的一部分的部分，并且形成环形开口OP(参见图30)。注意，图30示出了仅去除保护膜40、绝缘膜30以及半导体材料层11的方面。然而，也可以采用对位于下层的层间绝缘层13执行蚀刻的方面(参见图31)。

[过程-430]

之后，在与显示区域80和焊盘区域90相对应的部分中，在整个表面上形成滤色器41。通过这样做，通过使用包括在第二电极34上的滤色器41中的绝缘材料来形成绝缘结构41A。接着，执行第一实施方式中所描述的[过程-150]，打开以图32中的虚线所示的部分，并且暴露焊盘电极26。通过执行上述过程，可以获得图28所示的显示装置4。

[第五实施方式]

第五实施方式还涉及根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置。

图33是根据第五实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域中的一部分的示意性局部截面图。图34是用于说明焊盘区域中的组件之间的配置关系的示意性平面图。

在第一实施方式至第四实施方式中，半导体材料层11的截面暴露于开口PDOP。在第五实施方式中，焊盘开口PDOP被设置为穿透第一基板10的半导体材料层11，并且半导体材料层11的穿透表面覆盖有包括在绝缘膜30中的绝缘材料。覆盖穿透表面的部分由参考标记30C表示。

在显示装置5中，半导体材料层11的截面不暴露于焊盘开口PDOP。因此，可以避免可以经由半导体材料层11产生的焊盘电极26之间的泄露，并且可以改善电可靠性。此外，可以防止可以经由半导体材料层11产生的水分渗透或水分吸收，并且因此还可以防止有机层33的劣化。

用于制造显示装置5的方法还包括：

第一过程，使第一基板10和第二基板20粘接在一起使得相应接合表面JS彼此面对，第一基板10包括其中已经形成驱动发光部50的晶体管的半导体材料层11，第二基板20包括预定电路；以及

第二过程，从第一基板10的一侧面向设置在相应接合表面JS的一侧的焊盘电极26设置焊盘开口PDOP，使得该焊盘电极26暴露于底表面。此外，用于制造显示装置5的方法还包括：

通过在第一基板10上堆叠以下项而形成包括第一电极32、有机层33以及第二电极34的发光部50的过程：

绝缘膜30；

第一电极32，已经形成在绝缘膜30上并且布置成矩阵形状；

有机层33，已经形成在包括第一电极32的上侧的整个表面上；以及

第二电极34，已经形成在包括有机层33的上侧的整个表面上。

然后，在用于制造显示装置5的方法中，在第一过程与第二过程之间，

执行设置开口以穿透第一基板10的半导体材料层11，使得包括其中形成焊盘开口PDOP的区域的过程；以及

执行在包括开口的整个表面上形成绝缘材料层的过程。

类似地适用于稍后描述的第六实施方式至第八实施方式。

以下详细描述用于制造显示装置5的方法。

[过程-500]

首先，执行第一实施方式中所描述的[过程-100]至[过程-120](参见图11)。接着，开口OP被设置为穿透第一基板10的半导体材料层11，使得包括其中形成焊盘开口PDOP的区域(参见图35)。注意，图35示出了仅去除半导体材料层11的方面。然而，也可以采用对位于下层的层间绝缘层13执行蚀刻的方面(参见图36)。之后，在包括半导体材料层11的上侧的整个表面上形成绝缘膜30(参见图37)。通过这样做，半导体材料层11的截面还覆盖有包括在绝缘膜30中的绝缘材料。

[过程-510]

接着，执行第一实施方式中所描述的[过程-140]至[过程-150](参见图38)。之后，打开以图38中的虚线所示的部分，并且暴露焊盘电极26。通过执行上述过程，可以获得图33所示的显示装置5。

[第六实施方式]

第六实施方式还涉及根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置。

图39是根据第六实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

在第五实施方式中，半导体材料层11的穿透表面覆盖有包括在绝缘膜30中的绝缘材料。第六实施方式的不同之处在于，半导体材料层11的穿透表面覆盖有包括在保护膜40中的绝缘材料。覆盖穿透表面的部分由参考标记号40B表示。

以下详细描述用于制造显示装置6的方法。

[过程-600]

首先，执行第三实施方式中所描述的[过程-300]和[过程-310](参见图24)。

[过程-610]

接着，开口OP被设置为穿透第一基板10的半导体材料层11，使得包括其中形成焊盘开口PDOP的区域(参见图40)。注意，图40示出了仅去除绝缘膜30和半导体材料层11的方面。然而，也可以采用对位于下层的层间绝缘层13执行蚀刻的方面(参见图41)。之后，在包括绝缘膜30的上侧的整个表面上形成保护膜40(参见图42)。通过这样做，半导体材料层11的截面还覆盖有包括在保护膜40中的绝缘材料。

[过程-620]

接着，执行第一实施方式中所描述的[过程-150](参见图43和图44)。之后，打开以图44中的虚线所示的部分，并且暴露焊盘电极26。通过执行上述过程，可以获得图39所示的显示装置6。

[第七实施方式]

第七实施方式还涉及根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置。

图45是根据第七实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

在第六实施方式中，半导体材料层11的穿透表面覆盖有包括在保护膜40中的绝缘材料。第六实施方式的不同之处在于，半导体材料层11的穿透表面覆盖有包括在滤色器41中的绝缘材料。覆盖穿透表面的部分由参考标记41B表示。

以下详细描述用于制造显示装置7的方法。

[过程-700]

首先，执行已经在第四实施方式中描述的[过程-400]和[过程-410](参见图29)。

[过程-710]

接着，开口OP被设置为穿透第一基板10的半导体材料层11，使得包括其中形成焊盘开口PDOP的区域(参见图46)。注意，图46示出了仅去除保护层40、绝缘膜30以及半导体材料层11的方面。然而，也可以采用对位于下层的层间绝缘层13执行蚀刻的方面(参见图47)。之后，在包括绝缘膜30的上侧的整个表面上形成保护膜40(参见图42)。通过这样做，半导体材料层11的截面还覆盖有包括在保护膜40中的绝缘材料。

[过程-720]

接着，在包括显示区域80和焊盘区域90的整个表面上形成滤色器41(参见图48)。之后，在整个表面上已经形成微透镜42之后，在与显示区域80相对应的一部分中，经由密封树脂43粘接对置基板44(参见图49)。接着，打开以图49中的虚线所示的部分，并且暴露焊盘电极26。通过执行上述过程，可以获得图45所示的显示装置7。

[第八实施方式]

第八实施方式还涉及根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置。

图50是根据第八实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

在第七实施方式中，半导体材料层11的穿透表面覆盖有包括在滤色器41中的绝缘材料。第八实施方式的不同之处在于，半导体材料层11的穿透表面覆盖有包括在微透镜42中的绝缘材料。覆盖穿透表面的部分由参考标记42B表示。

以下详细描述用于制造显示装置8的方法。

[过程-800]

首先，执行已经在第四实施方式中描述的[过程-400]和[过程-410](参见图29)。接着，在与显示区域80相对应的部分中，在整个表面上形成滤色器41(参见图51)。

[过程-810]

之后，开口OP被设置为穿透第一基板10的半导体材料层11，使得包括其中形成焊盘开口PDOP的区域(参见图52)。注意，图46示出了仅去除保护层40、绝缘膜30以及半导体材料层11的方面。然而，也可以采用对位于下层的层间绝缘层13执行蚀刻的方面(参见图53)。

[过程-820]

接着，在包括显示区域80和焊盘区域90的整个表面上形成微透镜42之后，在与显示区域80相对应的部分中，经由密封树脂43粘接对置基板44(参见图54)。通过这样做，半导体材料层11的截面还覆盖有包括在微透镜42中的绝缘材料。之后，打开以图54中的虚线所示的部分，并且暴露焊盘电极26。通过执行上述过程，可以获得图50所示的显示装置8。

[第九实施方式]

第九实施方式还涉及根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置。

图55是根据第九实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

显示装置9A具有在焊盘开口PDOP中暴露半导体材料层11的截面的配置。然而，在半导体材料层中，已经设置了具有比焊盘电极26的暴露区域更宽的区域的开口。

用于制造显示装置9A的方法还包括：

第一过程，使第一基板10和第二基板20粘接在一起使得相应接合表面JS彼此面对，第一基板10包括其中已经形成驱动发光部50的晶体管的半导体材料层11，第二基板20包括预定电路；以及

第二过程，从第一基板10的一侧面向设置在相应接合表面JS的一侧的焊盘电极26设置焊盘开口PDOP，使得焊盘电极26暴露于底表面。然后，在第一过程与第二过程之间，

执行在半导体材料层11中设置具有比焊盘电极26的暴露区域更宽的区域的开口的过程。

例如，当形成连接插头31时，在焊盘区域90的半导体材料层11中设置开口。之后，设置比该开口更小的开口，并且焊盘电极26暴露于底部。假设上述两个开口的偏移量例如约为5μm。在焊盘开口PDOP中，半导体材料层11的截面后退。因此，减少了由于放置时的测量、引线接合工艺等引起的对半导体材料层11的损坏。因此，还防止了焊盘电极26之间的泄露。

[第十实施方式]

第十实施方式还涉及根据本公开的显示装置、用于制造该显示装置的方法以及电子装置。

图56是根据第十实施方式的显示装置的显示区域中包括像素的一部分和焊盘区域的一部分的示意性局部截面图。

在显示装置9B中，在绝缘膜30上形成焊盘电极26A。然后，焊盘电极26A和焊盘电极26经由连接插头31A彼此电连接。

在该配置中，采用焊盘电极26A位于绝缘膜30上的结构，并且因此，可以减少焊盘电极之间的泄漏或有机层33的水分吸收。

[电子装置的描述]

以上已经描述的根据本公开的显示装置可以用作显示已经输入至电子装置的视频信号或已经在电子装置中生成的视频信号作为图像或视频的每个领域中的电子装置的显示单元(显示装置)。作为示例，根据本公开的显示装置可以用作例如电视机、数字静态相机、膝上型个人计算机、诸如便携式电话的便携式终端装置、摄影机、头戴式显示器等的显示单元。

根据本公开的显示装置还包括具有密封配置的模块形状的装置。示例是通过将诸如透明玻璃的对置部分粘贴在显示区域中而形成的显示模块。注意，显示模块可以设置有用于从外部向显示区域输入或输出信号等的电路单元、柔性印刷电路(FPC)等。作为使用根据本公开的显示装置的电子装置的具体示例，以下描述数字静态相机和头戴式显示器。然而，此处所描述的具体示例仅是示例，而不是限制性的。

(具体示例1)

图57是可更换镜头的单镜头反射型的数字静态相机的外观图，图57A示出了数字静态相机的前视图，并且图57B示出了数字静态相机的后视图。例如，可更换镜头的单镜头反射型的数字静态相机包括位于相机主体部(相机主体)411的前方右手侧的可更换成像透镜单元(可更换透镜)412并且包括由捕获前方左手侧的图像的人抓握的抓握部413。

然后，在相机主体部411的后表面的大致中央，已经设置监视器414。在监视器414上方，已经设置取景器(目镜窗口415)。捕获图像的人观看取景器415，并且因此可以视觉地识别已经从成像透镜单元412引导的对象的光的图像，并且可以确定构图。

在具有上述配置的可更换镜头的单镜头反射型的数字静态相机中，根据本公开的显示装置可以用作取景器415。换句话说，通过使用根据本公开的显示装置作为取景器415来制造本示例中的可更换镜头的单镜头反射型的数字静态相机。

(具体示例2)

图58是头戴式显示器的外观图。头戴式显示器例如在眼镜式的显示单元511的两侧包括用于将头戴式显示器安装在用户的头部的耳钩部512。在该头戴式显示器中，根据本公开的显示装置可以用作显示单元511。换句话说，通过使用根据本公开的显示装置作为显示单元511来制造本示例中的头戴式显示器。

(具体示例3)

图59是透视头戴式显示器的外观图。透视头戴式显示器611包括主体部612、臂613以及镜筒614。

主体部612连接至臂613和眼镜600。具体地，主体部612的长边方向的端部接合至臂613，并且主体部612的侧表面的一侧经由连接元件耦接至眼镜600。注意，主体部612可以直接安装在人体的头部。

控制透视头戴式显示器611或显示单元的操作的控制板被结合到主体部612中。臂613连接主体部612与镜筒614，并且支撑镜筒614。具体地，臂613接合至主体部612的端部和镜筒614的端部中的每一个端部，并且固定镜筒614。此外，将从主体部612提供的图像的数据传送至镜筒614的信号线被结合到臂613中。

镜筒614通过目镜朝向佩戴透视头戴式显示器611的用户的眼睛投射经由臂613从主体部612提供的图像光。在该透视头戴式显示器611中，根据本公开的显示装置可以用作主体部612的显示单元。

[其他]

注意，本公开的技术还可以采用下述配置。

[A1]

一种显示装置，包括：

第一基板，包括其中已经形成晶体管的半导体材料层，该晶体管驱动包括在像素中的发光部；以及

第二基板，包括预定电路；

其中，第一基板和第二基板粘接在一起使得相应接合表面彼此面对；并且

焊盘开口被设置为从第一基板的一侧面向已经设置在相应接合表面的一侧的焊盘电极，使得焊盘电极暴露于底表面。

[A2]

根据上述[A1]的显示装置，

其中，在第一基板上堆叠并且形成：

绝缘膜；

第一电极，已经形成在绝缘膜上并且布置成矩阵形状；

有机层，已经形成在包括第一电极的上侧的整个表面上；以及

第二电极，已经形成在包括有机层的上侧的整个表面上；并且

发光部包括第一电极、有机层以及第二电极。

[A3]

根据上述[A2]的显示装置，

其中，焊盘开口被设置为穿透第一基板的半导体材料层；并且

位于焊盘开口周围的半导体材料层被绝缘结构分隔，该绝缘结构已经被设置为沿着焊盘开口中的每一个焊盘开口的周边穿透半导体材料层。

[A4]

根据上述[A3]的显示装置，

其中，通过使用包括在绝缘膜中的绝缘材料来形成绝缘结构。

[A5]

根据上述[A3]的显示装置，

其中，在第二电极上形成保护膜；并且

通过使用包括在保护膜中的绝缘材料来形成绝缘结构。

[A6]

根据上述[A3]的显示装置，

其中，在第二电极上形成滤色器；并且

通过使用包括在滤色器中的绝缘材料来形成绝缘结构。

[A7]

根据上述[A3]的显示装置，

其中，在第二电极上形成微透镜；并且

通过使用包括在微透镜中的绝缘材料来形成绝缘结构。

[A8]

根据上述[A2]的显示装置，

其中，焊盘开口被设置为穿透第一基板的半导体材料层；并且

半导体材料层的穿透表面覆盖有绝缘材料。

[A9]

根据上述[A8]的显示装置，

其中，半导体材料层的穿透表面覆盖有包括在绝缘膜中的绝缘材料。

[A10]

根据上述[A8]的显示装置，

其中，在第二电极上形成保护膜；并且

半导体材料层的穿透表面覆盖有包括在保护膜中的绝缘材料。

[A11]

根据上述[A8]的显示装置，

其中，在第二电极上形成滤色器；并且

半导体材料层的穿透表面覆盖有包括在滤色器中的绝缘材料。

[A12]

根据上述[A8]的显示装置，

其中，在第二电极上形成微透镜；并且

半导体材料层的穿透表面覆盖有包括在微透镜中的绝缘材料。

[A13]

根据上述[A1]或[A2]的显示装置，

其中，在半导体材料层中设置具有比焊盘电极的暴露区域更宽的区域的开口。

[A14]

根据上述[A1]至[A13]中任一项的显示装置，

其中，第一连接电极设置在第一基板的接合表面上；

第二连接电极设置在第二基板的接合表面上；并且

第一连接电极和第二连接电极在接合表面上金属接合。

[B1]

一种用于制造显示装置的方法，该方法包括：

第一过程，使第一基板和第二基板粘接在一起使得相应接合表面彼此面对，第一基板包括其中已经形成驱动发光部的晶体管的半导体材料层，第二基板包括预定电路；以及

第二过程，从第一基板的一侧面向已经设置在相应接合表面的一侧的焊盘电极设置焊盘开口，使得焊盘电极暴露于底表面。

[B2]

根据上述[B1]的用于制造显示装置的方法，该方法进一步包括：

通过在第一基板上堆叠以下项而形成包括第一电极、有机层以及第二电极的发光部的过程；

绝缘膜；

第一电极，已经形成在绝缘膜上并且布置成矩阵形状；

有机层，已经形成在包括第一电极的上侧的整个表面上；以及

第二电极，已经形成在包括有机层的上侧的整个表面上。

[B3]

根据上述[B2]的用于制造显示装置的方法，

其中，在第一过程与第二过程之间，

执行通过使用绝缘结构分隔位于焊盘开口周围的半导体材料层的过程，该绝缘结构已经被设置为沿着焊盘开口中的每一个焊盘开口的周边穿透半导体材料层。

[B4]

根据上述[B3]的用于制造显示装置的方法，

其中，通过使用包括在绝缘膜中的绝缘材料来形成绝缘结构。

[B5]

根据上述[B3]的用于制造显示装置的方法，该方法进一步包括：

在第一电极上形成保护膜的过程；

其中，通过使用包括在保护膜中的绝缘材料来形成绝缘结构。

[B6]

根据上述[B3]的用于制造显示装置的方法，该方法进一步包括：

在第一电极上形成滤色器的过程；

其中，通过使用包括在滤色器中的绝缘材料来形成绝缘结构。

[B7]

根据上述[B3]的用于制造显示装置的方法，该方法进一步包括：

在第一电极上形成微透镜的过程；

其中，通过使用包括在微透镜中的绝缘材料来形成绝缘结构。

[B8]

根据上述[B2]的用于制造显示装置的方法，

其中，在第一过程与第二过程之间，

执行设置开口以穿透第一基板的半导体材料层，使得包括其中形成焊盘开口的区域的过程；以及

执行在包括开口的整个表面上形成绝缘材料层的过程。

[B9]

根据上述[B8]的用于制造显示装置的方法，

其中，通过使用包括在绝缘膜中的绝缘材料来形成绝缘材料层。

[B10]

根据上述[B3]的用于制造显示装置的方法，该方法进一步包括：

在第一电极上形成保护膜的过程；

其中，通过使用包括在保护膜中的绝缘材料来形成绝缘材料层。

[B11]

根据上述[B3]的用于制造显示装置的方法，该方法进一步包括：

在第一电极上形成滤色器的过程；

其中，通过使用包括在滤色器中的绝缘材料来形成绝缘材料层。

[B12]

根据上述[B3]的用于制造显示装置的方法，该方法进一步包括：

在第一电极上形成微透镜的过程；

其中，通过使用包括在微透镜中的绝缘材料来形成绝缘材料层。

[B13]

根据上述[B3]的用于制造显示装置的方法，

其中，在第一过程与第二过程之间，

执行在半导体材料层中设置具有比焊盘电极的暴露区域更宽的区域的开口的过程。

[C1]

一种包括显示装置的电子装置，该显示装置包括：

第一基板，包括其中已经形成晶体管的半导体材料层，该晶体管驱动发光部；以及

第二基板，包括预定电路；

其中，第一基板和第二基板粘接在一起使得相应接合表面彼此面对；并且

焊盘开口被设置为从第一基板的一侧面向已经设置在相应接合表面的一侧的焊盘电极，使得焊盘电极暴露于底表面。

[C2]

根据上述[C1]的电子装置，

其中，在第一基板上堆叠并且形成，

绝缘膜；

第一电极，已经形成在绝缘膜上并且布置成矩阵形状；

有机层，已经形成在包括第一电极的上侧的整个表面上；以及

第二电极，已经形成在包括有机层的上侧的整个表面上；并且

发光部包括第一电极、有机层以及第二电极。

[C3]

根据上述[C2]的电子装置，

其中，焊盘开口被设置为穿透第一基板的半导体材料层；并且

位于焊盘开口周围的半导体材料层被绝缘结构分隔，该绝缘结构已经被设置为沿着焊盘开口中的每一个焊盘开口的周边穿透半导体材料层。

[C4]

根据上述[C3]的电子装置，

其中，通过使用包括在绝缘膜中的绝缘材料来形成绝缘结构。

[C5]

根据上述[C3]的电子装置，

其中，在第二电极上形成保护膜；并且

通过使用包括在保护膜中的绝缘材料来形成绝缘结构。

[C6]

根据上述[C3]的电子装置，

其中，在第二电极上形成滤色器；并且

通过使用包括在滤色器中的绝缘材料来形成绝缘结构。

[C7]

根据上述[C3]的电子装置，

其中，在第二电极上形成微透镜；并且

通过使用包括在微透镜中的绝缘材料来形成绝缘结构。

[C8]

根据上述[C2]的电子装置，

其中，焊盘开口被设置为穿透第一基板的半导体材料层；并且

半导体材料层的穿透表面覆盖有绝缘材料。

[C9]

根据上述[C8]的电子装置，

其中，半导体材料层的穿透表面覆盖有包括在绝缘膜中的绝缘材料。

[C10]

根据上述[C8]的电子装置，

其中，在第二电极上形成保护膜；并且

半导体材料层的穿透表面覆盖有包括在保护膜中的绝缘材料。

[C11]

根据上述[C8]的电子装置，

其中，在第二电极上形成滤色器；并且

半导体材料层的穿透表面覆盖有包括在滤色器中的绝缘材料。

[C12]

根据上述[C8]的电子装置，

其中，在第二电极上形成微透镜；并且

半导体材料层的穿透表面覆盖有包括在微透镜中的绝缘材料。

[C13]

根据上述[C1]或[C2]的电子装置，

其中，在半导体材料层中设置具有比焊盘电极的暴露区域更宽的区域的开口。

[C14]

根据上述[C1]至[C13]中任一项的电子装置，

其中，第一连接电极设置在第一基板的接合表面上；

第二连接电极设置在第二基板的接合表面上；并且

第一连接电极和第二连接电极在接合表面上金属接合。

参考标记列表

1，2，3，4，5，6，7，8，9A，9B 显示装置

10 第一基板

11 半导体材料层

12 各种电极

13 层间绝缘层

14 布线层

15 第一连接电极

20 第二基板

21 半导体材料层

22 各种电极

23 层间绝缘层

24 布线层

25 第二连接电极

26，26A 焊盘电极

30 绝缘膜

30A，30B 绝缘结构

30C 覆盖半导体材料层的截面的绝缘材料

31 连接插头(通孔)

32 第一电极(阳极电极)

33 有机层

34 第二电极(阴极电极)

40 保护膜

40A 绝缘结构

40B 覆盖半导体材料层的截面的绝缘材料

41 滤色器

41A 绝缘结构

41B 覆盖半导体材料层的截面的绝缘材料

42 微透镜

42B 覆盖半导体材料层的截面的绝缘材料

43 密封树脂

44 对置基板

50 发光部

70 像素

71 驱动电路

80 显示区域

90 焊盘区域

110 源驱动器

120 垂直扫描仪

130 电源

WS 扫描线

DTL 数据线

PS1 馈线

TR

TR

C

C

411 相机主体部

412 成像透镜单元

413 抓握部

414 监视器

415 取景器

511 眼镜型显示单元

512 耳钩部

600 眼镜

611 透视头戴式显示器

612 主体部

613 臂

614 镜筒。