用于重复调谐匹配网络的系统和方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年9月28日提交的美国非临时专利申请第17/035,392号的优先权，其内容通过引用并入本文。

背景技术

射频(radio frequency，RF)等离子体增强处理广泛用于半导体制造中，以蚀刻不同类型的膜，在低至中等处理温度下沉积薄膜，并执行表面处理和清洁。这些过程的特征是等离子体(即，部分电离的气体)的使用，其用于从反应室内的前体产生中性物质和离子，为离子轰击提供能量，和/或执行其他动作。射频等离子体增强处理由已知的射频处理设备执行。

射频处理设备可以包括向等离子体反应室传输信号的射频发生器。可以具有可变阻抗的射频匹配设备可以位于射频发生器和等离子体反应室之间。可以通过改变射频匹配设备的阻抗来控制或以其他方式调谐射频匹配设备。调谐射频匹配设备减少了来自等离子体反应室和/或射频匹配设备的反射功率，这可以增加从射频发生器传递到等离子体反应室并进入等离子体过程的功率。

附图说明

当与附图一起阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本公开。需要强调的是，根据行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为了讨论清楚，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1是根据本公开的实施例的射频等离子体处理设备的示意图。

图2是根据本公开的实施例的匹配网络的示意图。

图3是根据本公开的实施例的等离子体处理设备的示意图。

图4是示出在实施本公开的实施例之前的电容器位置的曲线图。

图5是示出根据本公开的实施例的电容器位置的曲线图。

图6是根据本公开的实施例的用于调谐射频等离子体处理设备中的匹配网络的方法的流程图。

图7是根据本公开的一个或更多个示例的具有硬件处理器和可访问机器可读指令的示例计算设备

图8是可用于实现根据本公开的一个或更多个示例的功能和过程的计算机处理设备的示意图。

具体实施方式

现在将公开以下要求保护的主题的说明性示例。为了清楚起见，本说明书中并未描述实际实现的所有特征。应理解，在任何这样的实际实现的开发中，可以做出许多特定于实现的决策来实现开发者的特定目标，例如遵守与系统相关的和与业务相关的约束，所述约束在不同的实现中会有所不同。此外，将理解，这种开发工作即使复杂且耗时，对于受益于本公开的本领域普通技术人员来说也是例行业务。

此外，如本文所用，“一个(a)”一词在专利技术中具有其通常含义，即“一个或更多个”。本文中，除非另有明确规定，否则术语“大约(about)”在应用于数值时通常指在用于产生数值的装备的公差范围内，或在某些示例中，指加或减10％、或者加或减5％、或者加或减1％。此外，在本文中，本文中使用的术语“基本上(substantially)”是指大多数，或几乎全部，或全部，或具有例如约51％至约100％范围的量。此外，本文中的示例仅旨在是说明性的，并且出于讨论目的而非以限制性的方式呈现。

本公开的实施例可以提供用于调谐和以其他方式控制射频等离子体处理设备中的匹配网络的系统和方法。在操作期间，可以为射频发生器通电以在反应室内形成等离子体。等离子体可以在源气体被注入反应室中并且由射频发生器在反应室内提供功率之后产生。

在某些状况下，供应到反应室的功率可能会从反应室反射回来。当功率被反射回来时，处理效率可能会降低，并且/或者正在处理的晶圆(wafer)可能会损坏。反射功率的原因可能是射频发生器的阻抗与由反应室内等离子体形成的负载不匹配。为了有助于防止反射功率，可以在射频发生器和反应室之间设置匹配网络。这样的匹配网络可以包括多个可变电容器或其他阻抗元件。可以调谐可变电容器，使得反应室内的复合负载阻抗与射频发生器的阻抗匹配。

虽然使用了多种控制或以其他方式调谐匹配网络的方法，但这些方法可能无法可靠且有效地实现阻抗匹配。调谐匹配网络的方法可以包括控制匹配网络以控制电流分流比，这可以最小化在射频发生器处见到的反射功率。电流分流比是例如内部源线圈和外部源线圈之间的电流分流。某些可变电容器可用于将电流分流比控制在期望的操作范围内。

使用电流分流比的匹配网络可能有几个缺点，包括例如限定的电流分流比范围、高线圈电压、线圈电弧等。使用当前未调谐的电流分流比的电流匹配网络可能导致操作效率降低、射频处理设备部件损坏，以及由于反应室内晶圆上不期望的颗粒沉积而导致产率降低。

本公开的实施例可以提供用于使用电流分流比值重复调谐匹配网络的系统和方法，该系统和方法最小化或至少解决上述当前遇到的问题。在某些实施例中，可以学习调谐阻抗点的电容器位置，使得当存在状况时，例如电流分流比落在期望的操作范围之外、反射功率中存在尖峰等，可以自动调整电容器。自动调整可以作为学习的电容器位置的结果而发生，所述学习的电容器位置可以用于校正等离子体处理设备内发生的状况。通过学习校正某些状况的电容器位置，当检测到状况时，可以通过应用校正状况的已知解决方案来自动调谐匹配网络。例如，已知解决方案可以包括调整匹配网络内的一个或更多个电容器的特性。

通过允许对匹配网络进行更快和更准确的调整，这些实施例可以提高等离子体处理的效率。这样，匹配网络可以在处理期间被重复调谐，从而当检测到状况时，应用已知解决方案，而不需要额外的时间，否则会对等离子体处理产生不利影响。此外，当出现不存在已知解决方案的状况时，可以调整电容器，并且当解决了该状况时，可以存储该解决方案以供将来假如该状况随后发生时使用。因为可以存储解决方案，所以匹配网络可以访问不断发展的解决方案和配方(recipe)的数据库，该数据库允许等离子体处理变得越来越高效。下面提供了示例性系统和方法。

转到图1，示出了根据本公开的实施例的射频等离子体处理系统100的侧视示意图。射频等离子体处理系统100包括第一射频发生器105和第二射频发生器110、第一阻抗匹配网络115、第二阻抗匹配网络120、护套125、等离子体供电设备(例如喷头130或等效供电元件(例如电极))和基座135。如本文所使用的，等离子体供电设备可以是指引入功率以产生等离子体的任何设备，并且可以包括例如喷头130和/或其他类型的电极以及天线等。

射频等离子体处理系统100可以包括通过一个或更多个阻抗匹配网络115、120向反应室140输送功率的一个或更多个第一射频发生器和第二射频发生器105、110。射频功率从第一射频发生器105通过第一阻抗匹配网络115流向喷头130，进入反应室140中的等离子体，流向除喷头130之外的电极(未示出)，或流向电磁地向等离子体提供功率的感应天线(未示出)。之后，功率从等离子体流向地和/或基座135和/或第二阻抗匹配网络120。通常，第一阻抗匹配网络115补偿反应室140内的负载阻抗的变化，从而通过调节第一阻抗匹配网络115内的无功部件(未单独示出)(例如，可变电容器)，喷头130和第一阻抗匹配网络115的组合阻抗等于第一射频发生器105的输出(例如，50欧姆)。

在某些示例中，第一射频发生器105可以在大约400KHz和150MHz之间的RF频率下提供功率，而连接到基座135的第二射频发生器110可以在低于第一射频发生器105的射频的射频下供电。然而，在某些实施方式中，第二射频发生器110可以不在低于第一射频发生器105的射频的射频下供电。通常，第一射频发生器和第二射频发生器105、110的频率使得第一射频发生器105处于不是第二射频发生器110的频率的整数倍或整数分数的射频。

阻抗匹配网络115、120被设计用于调整它们内部的无功元件，使得负载阻抗与源阻抗匹配。在等离子体处理设备100的其他示例中，可以使用不同数量的射频功率发生器105/110，以及不同数量的阻抗匹配网络115/120。阻抗匹配网络115/120可以包括多个内部部件，例如线圈和可变电容器，这将在下面更详细地讨论。

转到图2，示出了根据本公开的实施例的匹配网络的示意图。在该实施例中，匹配网络200(例如上面关于图1描述的那些)被示出为具有匹配支路205和分路器支路210。匹配支路205从输入215接收射频功率。匹配支路205的第一可变电容器220从输入215接收射频功率。第一可变电容器220可以包括额定为大约10-2000pF的电容器。

第一可变电容器220连接到第二电容器225，第二电容器225连接到地230。第二电容器225还连接到第三可变电容器235。第三可变电容器235可以包括额定为大约10-2000pF的电容器。第三可变电容器235还连接到电感器240，该电感器240进一步连接到分路器支路210。

分路器支路210从匹配支路205接收射频功率，匹配支路205将接收的射频功率在第四可变电容器245和第五可变电容器250之间分路。第四可变电容器245可以被额定为大约10-2000pF，而第五可变电容器250可以被额定为大约10-2000pF。

第四可变电容器245连接到内部线圈255。在第四可变电容器245和内部线圈255之间可以设置一个或更多个传感器260。传感器260可用于测量例如第四可变电容器245和内部线圈255之间的电压。类似地，第五可变电容器250连接到外部线圈265。在第五可变电容器250和外部线圈265之间，可以设置一个或更多个传感器270。传感器270可用于测量例如第五可变电容器和外部线圈265之间的电压。

内部线圈255可以进一步连接到地275，外部线圈265可以连接到包括传感器280和第六电容器285的电路。传感器280可用于测量例如外部线圈265和连接到地290的第六电容器285之间的电压。内部线圈255和外部线圈265可以位于匹配网络200电路的外部，如偏移框295所示。

如上所述，图2中所示的电路可用于调谐第一可变电容器220、第三可变电容器235、第四可变电容器245和第五可变电容器250。通过调谐第一可变电容器220、第三可变电容器235、第四可变电容器245和第五可变电容器，可以调节提供给内部线圈255和外部线圈265的功率。

在一个实施例中，电路可以在匹配网络200中用作电流分流比匹配网络，可以使用可以设置在匹配网络200中或以其他方式连接到匹配网络200的可编程逻辑控制器(未示出)来控制该电路。将关于图3进一步讨论合适的可编程逻辑控制器和相关部件。

在其他实施例中，匹配网络200的电路可以包括更少或额外的部件，并且电路的定向可以不同。例如，可以存在更少或更多数量的可变电容器、电感器、传感器等。此外，在某些实施例中，线圈、天线等的不同定向可用于向反应室(图2中未示出)提供调谐的射频功率。本文所公开的系统和方法可以与变压器耦合等离子体(transformer coupled plasma，TCP)、电感耦合等离子体(inductively coupled plasma，ICP)、电容耦合等离子(capacitively coupled plasma，CCP)、螺旋波源(helicon wave source，HWS)或任何其他等离子体处理设备一起使用。

转到图3，示出了根据本公开的实施例的射频等离子体处理设备的示意图。在本实施例中，射频等离子体处理设备300包括射频发生器305。射频发生器305被配置为向反应室310提供功率。射频发生器305可以在大约400KHz和大约150KHz之间的射频下提供功率。在某些实施例中，第二射频发生器(未示出)也可以存在于射频等离子体处理设备300内，并且可以以与射频发生器305相同、更低或更高的射频提供功率。

反应室310可以包括允许制造操作处理的各种部件，例如与半导体工业相关的部件。反应室310可以包括一个或更多个传感器(未示出)，用于测量存在于反应室310中的某些特性。反应室310还可以包括基座(未示出)，要制造的基底在操作期间可以放置在基座上。反应室310还可以包括线圈或以其他方式连接到线圈(未单独示出)(例如上面讨论的线圈，以及喷头等)。

射频等离子体处理设备300还可以包括匹配网络315。匹配网络315可以位于射频发生器305和反应室310之间。匹配网络315可以包括可变电容器(未示出)以及用于平衡射频发生器305和反应室310之间的阻抗的其他部件，如上文更详细地讨论的。在操作期间，可以例如通过调整电容器位置来调谐匹配网络，以便提供匹配阻抗。

为了在制造过程中提供更快的调谐和重复性，匹配网络315可以连接到调谐模块317。调谐模块317可以包括一个或更多个可编程逻辑控制器320。可编程逻辑控制器320可以访问存储设备325(例如存储器)，在某些实施例中，存储设备可以包括被配置为存储计算机可执行指令的非暂时性计算机可读介质。存储设备325可以集成在调谐模块317内，或者可以远程位于独立的物理位置处。存储设备325可以直接连接到可编程逻辑控制器320，如图3所示，而在其他实施例中，存储设备325可以远离可编程逻辑控制器320。例如，存储设备325可以通过有线或无线连接来连接到可编程逻辑控制器320，从而允许存储设备325位于与射频等离子体处理设备300不同的物理位置处。

可编程逻辑控制器320可以通过各种类型的连接330连接到匹配网络315。例如，连接330可以包括有线连接或无线连接。在其他实施例中，匹配网络315可以包括调谐模块337，调谐模块337具有可编程逻辑控制器335，包括位于匹配网络315中或匹配网络315上的存储设备340。不管可编程逻辑控制器320和335相对于匹配网络310和/或射频等离子体处理设备300的位置如何，可编程逻辑控制器320和335可以起相同的作用。

在操作期间，当从射频发生器305向反应室310内的等离子体(未示出)供电时，可能出现状况，例如功率可能从反应室310反射。这种反射功率可能导致反应室310内的不期望的状况，这导致低效的处理、对衬底的损坏、对射频等离子体处理设备300的部件的损坏等。为了解决该状况并提高射频处理设备300的可操作性，可编程逻辑控制器320或335可以向匹配网络315提供命令以调整电容器位置，从而提供匹配阻抗以最小化反射功率。

存储设备325或340可以包含射频处理设备300在操作期间内发生的已知状况的数据库。已知状况可以与射频发生器305、匹配网络315、反应室310和/或其各种部件的值相关联。例如，状况可以与由射频发生器305和匹配网络315电容器位置提供的特定功率水平相关联。当检测到状况时，可编程逻辑控制器320可以执行指令/命令以搜索存储设备325内的已知状况的数据库。当在数据库内识别出已知状况时，已知状况可以与先前解决方案相关联。可编程逻辑控制器320然后可以执行指令以在匹配网络315内复制先前解决方案，以便解决射频处理设备300内的状况。

在这个特定的示例中，先前解决方案是指在先前发生状况时收集的经验数据。例如，如果检测到状况，但确定出该状况不是已知状况，并且因此不存在先前解决方案，则可以调整匹配网络315或射频处理设备300的其他部件的方面。当状况被解决时，先前解决方案可以与已知状况相关联。然后可以将已知状况保存在数据库中以供将来使用。这样，当状况再次出现时，当在数据库中搜索已知状况时，可以查找与先前解决方案相关联的已知状况。然后可以应用先前解决方案，而不必花费额外的时间来确定状况的解决方案。这样，可以提高在射频处理设备300内解决状况的速度，从而提高制造效率等。

通过在操作期间收集数据并保存数据以备将来使用，可以如上所述创建已知状况。已知状况也可以从其他射频处理设备300导入。可以创建射频处理设备300的网络，从而更快地增加数据库中的数据。例如，射频处理设备300可能遇到这样的状况，即在其数据库中找不到已知解决方案。然而，该解决方案可以在可编程逻辑控制器320或335可访问的网络数据库中。已知状况可能发生在第二射频处理设备(未示出)中。由于数据可由射频处理设备300的可编程逻辑控制器320或335访问，因此该状况仍然可以更快地解决，因为已知状况已经在不同的射频处理设备中发生。

由于状况、已知状况和先前解决方案都基于经验数据，因此将解决方案应用于状况时具有更高的准确度。基于猜测的状况的解决方案(例如，解决方案不基于实际数据)可能不起作用，或者可能不如由经验数据创建的解决方案那样起作用。此外，由于已知针对某一状况的先前解决方案是有效的，因此解决方案的应用具有更大的重复性，从而提高了操作效率。

在某些实施例中，电流分流比s可以存储在数据库/数据结构中，并用于识别状况。例如，计算出的电流分流比可以是状况，或者可以与状况相关联，从而允许将已知状况存储在数据库中。电流分流比可以与先前解决方案(例如调谐阻抗点的电容器位置)相关联。这样，电流分流比可用于识别已知状况，从而允许在匹配网络315内应用先前解决方案。

存储设备325或可编程逻辑控制器335中的数据库也可以上传操作员提供的数据。例如，操作员可以上传各种已知状况、电流分流比、先前解决方案等，从而进一步提高可用数据的鲁棒性。在其他实施例中，操作配方(例如配方特定的电流分流比表)可以存储在存储设备325或可编程逻辑控制器335中，从而使特定操作的整个配方可用。通过存储用于特定操作的配方，匹配网络315可以在状况发生时更快速地调整，或者以其他方式首先防止状况发生。在任何一种情况下，都可以提高制造过程的效率。

在实施例中，例如上面关于图2所讨论的实施例，其中使用了两个线圈，可以允许与内部线圈和外部线圈相关联的电容器(即，第四电容器和第五电容器)以限定的速度以高反射功率调谐。诸如图2的第一电容器、第三电容器、第四电容器和/或第五电容器的特定电容器的值可以被存储和/或与状况相关联，从而允许在操作期间调节电容器。此外，可以基于反射功率的百分比来控制电容器的速度。此外，

在出现未知状况时，为未知状况生成了解决方案，因此数据库中的先前解决方案可以与特定状况相关联。射频处理设备300运行的时间越长，将发生的状况就越多，因此产生的解决方案将越多。鉴于可能发生的状况的数量，可以针对状况和解决方案来训练调谐模块337。因此，该过程允许可执行指令随时间学习，从而产生已知状况和解决方案的更大数据库，这进一步提高了解决状况的速度。

此外，由于可编程逻辑控制器320或可编程逻辑控制器335有权访问经验数据、配方表、已知状况、先前解决方案等的数据库，因此该过程可以基本上自动化。这样，在操作期间，匹配网络315中的电容器可以被自动调谐到特定位置。电容器位置的这种自动调谐由此可以提高解决状况的速度，以及提高操作效率。如上所述，学习也可以自动发生，从而创建对存储数据的实时更新。

转到图4，示出了根据本公开的实施例实施之前的电容器位置的曲线图。y轴是以百分比表示的电容器位置，而x轴是以秒表示的时间。该曲线图示出了涉及多个电流分流比状况(例如，20)的配方周期，其由参考字符400表示。第二周期由参考字符405表示。然后，该周期可以继续重复，如附加周期410、415、420、425、430、435和440所证明的。随着配方随着时间继续，电容器位置向下漂移，因为电容器没有一个单独的值来解决电流分流状况，这会导致无限解。最后，电容器不能查找到一个令人满意的位置来调谐电流分流比和轨道，如在上一个周期445中所证明的那样。

转到图5，示出了根据本公开的实施例的电容器位置的曲线图。y轴是以百分比表示的电容器位置，而x轴是以秒表示的时间。在该实施例中，匹配网络已经从第一周期500学习了电容器位置。这样，对于接下来的每个周期，电容器驱动到在第一周期500中学习到的相应位置。周期505、510、515、520、525和530示出了采用这种匹配网络的电容器位置不会随时间漂移，并且继续对配方调谐。因此，本公开的实施例可以允许连续地调谐电容器位置以实现最佳操作状况。

转到图6，示出了根据本公开的实施例的用于调谐射频等离子体处理设备中的匹配网络的方法的流程图。在操作中，方法600包括检测(框605)匹配网络内的状况。该状况可以包括上面识别的任何状况，包括例如反射功率的尖峰或增加。该状况可以由位于反应室中、匹配网络内或设置在相关射频处理设备的另一部件上或周围的一个或更多个传感器来识别。在某些实施例中，该状况可以被记录并存储在与调谐模块相关联的存储设备中。取决于所感测的状况，传感器可以位于射频等离子体处理设备的一个或更多个位置。记录和存储的状况随后可用于处理数据、识别状况等。

在操作中，方法600可以进一步包括确定(框610)该状况是否是匹配网络的已知状况。为了确定状况是否已知，可编程逻辑控制器或其他处理设备可以访问存储设备以搜索先前的已知状况。已知状况可以存储为数据库、表等，从而允许可编程逻辑控制器访问所有先前已知状况。已知状况可以存储在本地或者可以位于远程位置处。

在未发现已知状况的操作中，所检测的状况可作为已知状况记录在存储设备中。然后，在方法600的检测和确定方面期间，已知状况在将来是可用的。在某些实施例中，记录的状况可以包括记录与所检测的状况相关联的电容器位置。

在操作中，方法600可以进一步包括当状况对匹配网络已知时，查找(框615)该状况的先前解决方案。当识别出已知状况时，已知状况可以与先前解决方案相关联。已知状况先前发生过，并确定出该状况的解决方案。因此，对于存储在数据库中的每个已知状况，都有相应的先前解决方案。此外，如果没有查找到已知状况，则没有先前解决方案。在解决状况(现在为已知状况)的操作期间，识别解决方案。在识别出解决方案后，该解决方案成为与已知状况相关联的先前解决方案。这样，包括已知状况和先前解决方案的数据库、表等通过例如机器学习继续发展。随着更多状况的出现，已知的先前解决方案的鲁棒性也会增加，从而提高该过程的有效性。在记录的状况包括记录与所检测的状况相关联的电容器位置的方面中，所记录的电容器位置可以与先前解决方案相关联。

在操作中，方法600可以进一步包括复制(框620)匹配网络中的状况的先前解决方案。解决方案的复制可以包括通过例如可编程逻辑控制器或其他处理设备将先前解决方案应用于匹配网络。先前解决方案可以包括例如为匹配网络内的一个或更多个电容器设置电容器位置。因为存在可用于该状况的先前解决方案，所以用于校正该状况的电容器位置是已知的，并且可以因此在没有试错方法的状况下应用，这对于未知状况或先前解决方案可能是必要的。因此，复制先前解决方案的过程可以与上述检测、确定和查找一起自动化。通过自动化，上文关于图3讨论的调谐模块可以更快速地检测状况并复制解决方案，这反过来提高了操作效率。

在某些实施例中，可以使用经验数据集确定或预先确定已知状况。经验数据集可以包括在匹配网络、射频处理设备等的操作期间所捕获的实际值。在某些实施例中，经验数据集可以包括电流分流比。经验数据可以存储在存储设备中，并且可以由可编程逻辑控制器或其他处理设备访问。经验数据可以由可编程逻辑控制器分析，并与状况、已知状况和先前解决方案相关联。因此，经验数据的使用可以允许针对特定状况、操作、匹配网络、射频等离子体处理设备或其他部件定制解决方案。

在某些实施例中，该解决方案可以包括调谐到已知阻抗点的电容器位置。该解决方案可以影响单个电容器，或者在其他类型的匹配网络中，该解决方案可能影响两个、三个、四个或更多个电容器。该解决方案可以进一步调整匹配网络的其他方面。

在某些操作中，当检测发生时，所检测的状况可能不满足已知状况的阈值，在这些情况下，方法600可能会中断。例如，如果匹配网络的参数的值不符合期望，但不超过操作阈值，则可能发生这种状况，因此不复制先前解决方案。例如，在某些方面，电流分流比可能不是理想值，但可能在公差范围内，因此不采取进一步的措施。在另一示例中，电流分流比可能超出期望的操作范围，但不匹配已知状况。在这种情况下，必须查找到解决方案，并且电流分流比值和解决方案将作为已知状况和先前解决方案保存到数据库中。

在某些实施例中，复制先前解决方案可以包括基于反射功率的百分比控制电容器速度。这是针对已识别状况的另一种解决方案，其可以包括允许匹配网络中的至少一个电容器以限定的速度以较高的反射功率调谐。

在某些实施例中，先前解决方案可以包括提高操作效率、更快地降低反射功率、防止操作期间电容器排挤(capacitor railing)或以其他方式改善整体调谐时间的解决方案。

现在转到图7，根据本公开的一个或更多个示例，示出了具有硬件处理器和可访问机器可读指令的示例计算设备。图7提供了上面关于图6讨论的相同的结构部件，因此，为了清楚起见，本文仅将讨论附图中的差异。图7提供了示例计算设备625，其具有硬件处理器630和存储在机器可读介质635上的可访问机器可读指令，用于如上文关于一个或更多个公开的示例实现所讨论的管理数据。图6示出了被配置为执行关于图5详细讨论的框605、610、615和620中描述的流程的计算设备625。然而，计算设备625还可以被配置为执行本公开中描述的其他方法、技术、功能或过程的流程。

现在参考图8，示出了可用于实现根据本公开的一个或更多个示例的功能和过程的计算机处理设备700的示意图。图7示出了可用于实现本公开的系统、方法和过程的计算机处理设备700。例如，图7中所示的计算机处理设备700可以表示客户端设备或物理服务器设备，并根据计算设备的抽象级别包括硬件或虚拟处理器。在一些情况下(非抽象)，如图7所示，计算机处理设备700及其元件每一个都与物理硬件相关。替代地，在某些情况下，可以使用仿真器或虚拟机作为抽象级别来实现一个、更多个或所有元件。在任何状况下，无论离物理硬件有多少个抽象级别，其最低级别处的计算机处理设备700都可以在物理硬件上实现。在一种实现方式中，计算机处理设备700可以允许用户远程访问一个或更多个数据中心。类似地，用户使用的管理工具可以包括在这样的计算机处理设备700上运行的软件解决方案。

图7示出了根据本公开的一个或更多个示例的计算机处理设备700。计算机处理设备700可用于实现本公开的方面，例如与调谐模块、匹配网络或射频等离子体处理设备的其他部件相关联的方面。计算机处理设备700可以包括设置在一个或更多个印刷电路板(未另外示出)上的一个或更多个中央处理单元(central processing unit，CPU)(单个“CPU”或多个“CPU”)705。计算机处理设备700还可以包括产品数据库(ark)中已知的任何类型的处理设备或可编程逻辑控制器。

一个或更多个CPU 705中的每一个可以是单核处理器(未独立示出)或多核处理器(未独立示出)。多核处理器通常包括设置在同一物理裸片(die)(未示出)上的多个处理器核(未示出)或设置在多个裸片(未示出)上的多个处理器核(未示出)，这些裸片被集中地设置在同一机械封装(未示出)内。计算机处理设备700可以包括一个或更多个核心逻辑设备，例如主机桥710和输入/输出(input/output，IO)桥715。

CPU 705可以包括到主机桥710的接口708、到系统存储器720的接口718以及到一个或更多个IO设备(例如，图形处理单元(“GFX”)725)的接口723。GFX 725可以包括一个或更多个图形处理器核(未独立示出)和到显示器730的接口728。在某些实施例中，CPU 705可以集成GFX 725的功能并直接与显示器730接合(未示出)。对于CPU 705不包括到系统存储器720的接口718、到系统存储器720的接口716的实施例，以及对于CPU 705不包括集成GFX725或到GFX 725的接口723、到GFX 724的接口721的实施例来说，主机桥710可以包括到CPU705的接口708、到IO桥715的接口713。

本领域普通技术人员将认识到，CPU 705和主机桥710可以全部或部分集成，以减少芯片总数、主板面积、热设计功率和功耗。IO桥715可以包括到主机桥710的接口713、到一个或更多个IO扩展设备735的一个或更多个接口733、到键盘740的接口738、到鼠标745的接口743、到一个或更多个本地存储设备750的接口748以及到一个或更多个网络接口设备755的接口753。

每个本地存储设备750可以是固态存储器设备、固态存储器设备阵列、硬盘驱动器、硬盘驱动器阵列或任何其他非暂时性计算机可读介质。每个网络接口设备755可以提供一个或更多个网络接口，包括例如以太网、光纤通道、WiMAX、Wi-Fi、蓝牙、EtherCAT、设备网、Mod总线、RS-232或适合于促进联网通信的任何其他网络协议。除了一个或更多个本地存储设备750之外，或者代替一个或更多个本地存储设备750，计算机处理设备700可以包括一个或更多个网络连接的存储设备760。网络连接的存储设备760可以是固态存储器设备、固态存储器设备阵列、硬盘驱动器、硬盘驱动器阵列或任何其他非暂时性计算机可读介质。网络连接的存储设备760可以与计算机处理设备700搭配，也可以不与计算机处理设备700搭配，并且可以经由通过一个或更多个网络接口设备755提供的一个或更多个网络接口被计算机处理设备700访问。

本领域普通技术人员将认识到，计算机处理设备700可以包括被配置为以更有效的方式执行特定功能(例如散列法(未示出))的一个或更多个专用集成电路(applicationspecific integrated circuit，ASIC)。一个或更多个ASIC可以直接与CPU 705、主机桥710或IO桥715的接口接合。替代地，专用计算设备(未示出)，有时被称为挖掘系统，可以被简化为仅执行期望功能(例如经由一个或更多个散列ASIC进行散列)所需的那些部件，以减少芯片总数、主板面积、热设计功率和功耗。这样，本领域普通技术人员将认识到，一个或更多个CPU705、主机桥710、IO桥715或ASIC或各种子集、超集或其功能或特征的组合可以整体地或部分地集成，或以可基于根据一个或更多个示例实施例的应用、设计、或形式因子而变化的方式分布在各种设备之间。这样，对计算机处理设备700的描述仅仅是示例性的，并不旨在限制构成适合于执行计算操作(包括但不限于散列函数)的计算设备的部件的类型、种类或配置。此外，本领域普通技术人员将认识到，计算设备700、专用计算设备(未示出)或其组合可以以独立的、台式的、服务器的或可机架安装的形式因子布置。

本领域普通技术人员将认识到，根据一个或更多个示例实施例，计算设备700可以是基于云的服务器、服务器、工作站、台式计算机、笔记本电脑、上网本、平板电脑、智能手机、移动设备和/或任何其他类型的计算设备。

在某些实施例中，本公开的优点可以提供用于自动调谐与射频等离子体处理设备中的匹配网络相关联的电容器的计算机可执行指令。

在某些实施例中，本公开的优点可以提供与射频等离子体处理设备中的匹配网络相关联的电容器调谐的改进的重复性。

在某些实施例中，本公开的优点可以提供与射频等离子体处理设备中的匹配网络相关联的电容器的更快调谐。

在某些实施例中，本公开的优点可以为调谐模块提供一种在状况发生时进行学习的方法，从而增加特定状况的已知解决方案的数量。

在某些实施例中，本公开的优点可以提供一种用于存储操作的特定配方的方法，该方法可以包括特定的电流分流比表，这可以减少操作期间发生的状况的数量。

在某些实施例中，本公开的优点可以提供减少射频等离子体处理设备中反射功率的系统和方法。

出于解释目的，上述描述使用了特定的命名法来提供对本公开的充分理解。然而，对于本领域技术人员来说，显然不需要具体细节来实践本文所述的系统和方法。为了说明和描述目的，给出了具体示例的上述描述。它们并不旨在穷尽本公开或将本公开限制于所描述的精确形式。显然，鉴于上述教导，能够进行许多修改和变化。示出和描述示例是为了最好地解释本公开的原理和实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够最好地利用本公开和具有适合于预期的特定用途的各种修改的各种示例。意图通过以下权利要求及其等同物来定义本公开的范围。