射频治疗仪、射频开关控制方法、处理设备和存储介质

技术领域

本申请涉及射频治疗技术领域，特别是涉及一种射频治疗仪、射频开关控制方法、处理设备和存储介质。

背景技术

射频治疗仪是一种对人体组织进行射频能量输出的设备，射频能量刺激皮下深层组织，由于组织的电阻抗作用在局部产生热能，使皮肤深层的温度瞬间升高，加速真皮及皮下组织的血液循环，使纤维组织瞬间受热产生立即性收缩，同时刺激胶原蛋白长期新生与重建，达到紧肤祛皱等效果。

但是，现有的射频治疗仪进行治疗时，由于人体表面阻抗以及能量耐受程度的不均匀性，射频电极作用范围内的不同区域的人体组织的加热效果会不同，容易产生局部过热或者局部热量不够的现象。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够解决局部过热或者局部热量不够问题的射频治疗仪、射频开关控制方法、处理设备和存储介质。

一种射频治疗仪，包括：

射频电极头，具有多个相互绝缘的发射元件，所述发射元件用于进行射频能量输出；

射频开关阵列，包括多个射频开关，各所述射频开关的输出端分别与各所述发射元件的输入端一一对应连接，其中，各所述射频开关分时导通；

射频源，所述射频源的输出端与各所述射频开关的输入端连接。

本实施例中，上述射频治疗仪，通过将射频开关的输出端分别与各发射元件的输入端连接，射频源的输出端与射频开关阵列的输入端连接，并使各射频开关分时导通，即同一时间只有一射频开关导通，使各发射元件分时输出射频能量，从而可以设置各射频开关的导通时间或射频源各时间的输出功率来控制各发射元件输出的射频能量，可使各发射元件输出的射频能量与对应治疗区域的情况相匹配，从而有效避免局部过热或者局部热量不够的问题，保证各发射元件对应的辐射区域的治疗效果。另外，由于各射频开关分时导通，则实现对各发射元件输出的射频能量的独立控制只需单个射频源，无需采用多个射频源，有利于降低成本，且避免了同频串扰的问题。

在其中一个实施例中，所述射频治疗仪还包括：

开关控制组件，所述开关控制组件分别与各所述射频开关的控制端连接，用于控制各射频开关的通断。

本实施例中，通过开关控制组件控制各射频开关的通断，进而实现各射频开关分时导通，并可控制各射频开关的单次导通时间，实现各发射元件输出功率的控制，保证各发射元件对应的辐射区域的治疗效果，并避免多个发射元件同时工作时的同频串扰问题。

在其中一个实施例中，所述射频治疗仪还包括：

温度测量组件，所述温度测量组件用于测量各所述发射元件对应的辐射区域的温度；

所述开关控制组件，与所述温度测量组件连接，用于接收所述温度测量组件测量的各所述辐射区域的温度，并根据各所述辐射区域的温度控制各所述射频开关的单次导通时间。

本实施例中，通过温度测量组件测量各所述发射元件对应的辐射区域的温度，并通过开关控制组件根据各所述辐射区域的温度控制各所述射频开关的单次导通时间，根据各所述辐射区域的温度适应性地调整各射频开关的单次导通时间，保证各发射元件输出功率与实际情况相对应，进而保证各辐射区域的治疗效果。

在其中一个实施例中，所述温度测量组件包括多个温度传感器，各所述发射元件的中心区域和各所述发射元件的外围区域均设有所述温度传感器，所述温度传感器用于测量对应的辐射区域的温度；

其中，所述开关控制组件还用于将各所述辐射区域内测得的最高温度作为各所述辐射区域的温度。

本实施例中，通过在各发射元件的中心区域和各所述发射元件的外围区域均设置温度传感器，从而测量各所述辐射区域的中心区域温度和外围区域温度，并将各所述辐射区域内测得的最高温度作为各所述辐射区域的温度，从而避免区域过热易导致人体组织损伤，提高安全性。

在其中一个实施例中，所述射频治疗仪还包括提示组件；所述开关控制组件还用于获取各所述温度传感器测得的温度中的最大值与最小值的差值，在所述差值大于第一预设值时，所述开关控制组件控制所述提示组件发出提示信息。

本实施例中，通过比较各温度传感器测得的温度中的最大值与最小值的差值是否大于第一预设值，来判断辐射区域的各位置的温度是否近似相等，进而判断发射元件是否贴紧对应的辐射区域，以判断射频电极头是否完全贴紧人体组织。在判定射频电极头未完全贴紧人体组织时，可以通过提示组件及时提醒用户，以保证射频治疗仪的治疗效果。

在其中一个实施例中，所述开关控制组件还用于在目标区域的温度与所述目标区域的温度设定阈值的差值大于第二预设值时，减少当前导通的射频开关的导通时间；在所述目标区域的温度与所述目标区域对应的温度设定阈值的差值小于第三预设值时，增加当前导通的射频开关的导通时间；其中，所述目标区域为所述目标发射元件对应的辐射区域，所述目标发射元件指的是当前处于工作状态的发射元件，所述第三预设值小于所述第二预设值。

本实施例中，通过开关控制组件判断目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值是否满足相应条件，可以判断目标区域的温度是否合理，若目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值大于第二预设值，则目标区域的温度过高，需要减少对目标区域输出的射频能量，即减少当前导通的射频开关的导通时间；若目标区域的温度与目标区域对应的温度设定阈值的差值小于第三预设值，需要增加对目标区域输出的射频能量，即减少当前导通的射频开关的导通时间，通过上述方式，实现对目标区域的温度的实时调节，避免目标区域过热或热量不够，保证目标区域的治疗效果。

在其中一个实施例中，所述开关控制组件还用于在目标区域的温度与所述目标区域的温度设定阈值的差值大于第二预设值，且差值大于第二预设值的持续时间大于第四预设值时，减少当前导通的射频开关的导通时间；并在所述目标区域的温度与所述目标区域对应的温度设定阈值的差值小于第三预设值，且差值小于第三预设值的持续时间大于所述第四预设值时，增加当前导通的射频开关的导通时间；其中，所述目标区域为所述目标发射元件对应的辐射区域，所述目标发射元件指的是当前处于工作状态的发射元件，所述第三预设值小于所述第二预设值。

本实施例中，通过开关控制组件判断目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值是否满足相应条件，并判断持续时间是否大于第四预设值，可以避免误判，实现对目标区域的温度的实时调节，避免目标区域过热或热量不够，保证目标区域的治疗效果。

在其中一个实施例中，所述射频开关包括光电二极管、第一电容、第二电容、第一电感和第二电感，其中，

所述第一电容的第一端与所述射频源的输出端连接，所述第一电容的第二端分别与所述光电二极管的正极、所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端用于接收所述开关控制组件发送的高电平或低电平信号；

所述光电二极管的负极分别与所述第二电容的第一端、所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端连接等电势位，所述第二电容的第二端与对应的所述发射元件的输入端连接；其中，

所述开关控制组件发送的信号为高电平信号时，所述射频开关导通；

所述开关控制组件发送的信号为低电平信号时，所述射频开关断开。

本实施例中，通过上述连接方式，通过第一电容和第二电容对直流信号进行过滤，避免直流信号干扰发射元件的工作，第一电感和第二电感另外，控制电压转换电路向对应的射频开关输出高电平信号或低电平信号，从而控制射频开关导通或断开，实现发射元件工作与否的控制，进而可控制各射频开关的单次导通时间以及控制各射频开关分时导通，实现单射频源下的各发射元件输出功率的控制，进而保证各发射元件对应的辐射区域的治疗效果。

在其中一个实施例中，所述开关控制组件包括处理器和电压转换电路，所述处理器的输出端与所述电压转换电路的第一输入端连接，所述电压转换电路的各输出端分别与各所述射频开关的第一电感的第二端一一对应连接，所述处理器用于控制所述电压转换电路向各所述射频开关发送所述高电平信号或所述低电平信号。

本实施例中，通过处理器和电压转换电路的配合，输出高电平信号给需要导通的射频开关，输出低电平信号给需要断开的射频开关，以使射频开关的光电二极管导通或断开，从而通过处理器实现各射频开关的导通和断开，进而可调节各发射元件的输出功率，以匹配各辐射区域的情况，保证各辐射区域不会过热或热量不足。

在其中一个实施例中，所述发射元件包括第一绝缘层、导线层和第二绝缘层，所述导线层设于第一绝缘层和第二绝缘层之间，所述导线层的输入端与所述射频开关的输出端连接，所述导线层用于进行射频能量输出。

本实施例中，通过导线层的输入端与射频开关的输出端连接，从而在与导线层连接的射频开关导通时，该导线层输出能量，对对应的辐射区域进行治疗，并通过将导线层设于第一绝缘层和第二绝缘层之间，避免导线层与除射频开关外的其他电器件连接，保证发射元件只有在对应的射频开关导通时，才会发射射频能量。

在其中一个实施例中，所述射频治疗仪还包括：

阻抗匹配组件，所述阻抗匹配组件设于所述射频源与所述射频开关阵列之间，用于匹配所述射频源和所述电极头之间的阻抗。

本实施例中，通过将阻抗匹配组件设于所述射频源与所述射频开关阵列之间，从而只需一个阻抗匹配组件即可满足射频信号传递要求，提高能量利用效率，相对而言，成本较低，易于实现。

在其中一个实施例中，所述射频治疗仪还包括：

多个阻抗匹配组件，多个所述阻抗匹配组件分别一一对应设置在多个射频通路上，所述射频通路为所述射频开关与所述发射元件之间构成的通路，分别用于匹配所述射频源与各所述发射元件之间的阻抗。

本实施例中，通过阻抗匹配组件分别一一对应设置在多个射频通路上，可以提高射频治疗仪整体的匹配效率，降低射频信号传输损耗。

一种射频开关控制方法，应用于射频治疗仪，所述方法包括：

分别获取所述射频治疗仪中各发射元件对应的辐射区域的温度设定阈值；

根据各所述温度设定阈值确定各射频开关的单次导通时间；其中，各所述射频开关分别与各所述发射元件一一对应连接，所述射频开关用于导通或断开所述发射元件与所述射频治疗仪中射频源之间的通路；

根据各所述射频开关的单次导通时间控制各所述射频开关分时导通。

本实施例中，通过根据温度设定阈值确定各射频开关的单次导通时间，进而控制各发射元件的工作时间，从而控制各射频开关在一个周期内输出的射频能量，保证各射频开关在一个周期内输出的射频能量与对应的温度设定阈值匹配，避免出现辐射区域局部过热或者局部热量不够的问题。

在其中一个实施例中，所述方法还包括：

获取目标发射元件对应的辐射区域的温度，其中，目标发射元件指的是当前处于工作状态的发射元件；

根据所述目标发射元件对应的辐射区域的温度调节当前导通的射频开关的导通时间。

本实施例中，通过获取目标发射元件对应的辐射区域的温度，并根据所述目标发射元件对应的辐射区域的温度调节当前导通的射频开关的导通时间，从而根据各辐射区域的实时情况实时调节各射频开关的导通时间，保证各发射元件输出功率与实际情况相对应，进而保证各辐射区域的治疗效果。

在其中一个实施例中，所述射频治疗仪包括多个温度传感器，各所述发射元件的中心区域和各所述发射元件的外围区域均设有所述温度传感器；其中，

所述获取各发射元件对应的辐射区域的温度，包括：

获取各温度传感器测得的温度；

将各所述辐射区域内的测得的最高温度作为各所述辐射区域的温度。

本实施例中，通过在各发射元件的中心区域和各所述发射元件的外围区域均设置温度传感器，从而测量各所述辐射区域的中心区域温度和外围区域温度，并将各所述辐射区域内测得的最高温度作为各所述辐射区域的温度，避免对应射频开关的导通时间过长，进而避免区域过热易导致人体组织损伤，提高射频治疗仪的使用安全性。

在其中一个实施例中，所述方法还包括：

获取当前工作的发射元件上的各温度传感器测得的温度；

获取各所述温度传感器测得的温度中的最大值与最小值的差值；

若所述差值大于第一预设值，则判定所述射频电极头未完全贴紧人体组织。

本实施例中，通过比较各所述温度传感器测得的温度中的最大值与最小值的差值是否大于第一预设值，来判断辐射区域的各位置的温度是否近似相等，进而判断发射元件是否贴紧对应的辐射区域，以判断射频电极头是否完全贴紧人体组织。在判定所述射频电极头未完全贴紧人体组织时，可以及时提醒用户，以保证射频治疗仪的治疗效果。

在其中一个实施例中，根据所述当前工作的发射元件的辐射区域的温度调节当前导通的射频开关的导通时间，包括：

若所述目标区域的温度与所述目标区域的温度设定阈值的差值大于第二预设值，则减少当前导通的射频开关的导通时间，其中，所述目标区域为所述目标发射元件对应的辐射区域；

若所述目标区域的温度与所述目标区域对应的温度设定阈值的差值小于第三预设值，则增加当前导通的射频开关的导通时间，其中，所述第三预设值小于所述第二预设值。

本实施例中，通过判断目标区域的温度与所述目标区域的温度设定阈值的差值是否满足相应条件，可以判断目标区域的温度是否合理，若所述目标区域的温度与所述目标区域的温度设定阈值的差值大于第二预设值，则目标区域的温度过高，需要减少对目标区域输出的射频能量，即减少当前导通的射频开关的导通时间；若所述目标区域的温度与所述目标区域对应的温度设定阈值的差值小于第三预设值，需要增加对目标区域输出的射频能量，即减少当前导通的射频开关的导通时间，通过上述方式，实现对目标区域的温度的实时调节，避免目标区域过热或热量不够，保证目标区域的治疗效果。

在其中一个实施例中，根据所述当前工作的发射元件的辐射区域的温度调节当前导通的射频开关的导通时间，包括：

若所述目标区域的温度与所述目标区域的温度设定阈值的差值大于第二预设值，且差值大于第二预设值的持续时间大于第四预设值，则减少当前导通的射频开关的导通时间，其中，所述目标区域为所述目标发射元件对应的辐射区域；

若所述目标区域的温度与所述目标区域对应的温度设定阈值的差值小于第三预设值，且差值小于第三预设值的持续时间大于所述第四预设值，则增加当前导通的射频开关的导通时间，其中，所述第三预设值小于所述第二预设值。

本实施例中，通过判断目标区域的温度与所述目标区域的温度设定阈值的差值是否满足相应条件，并判断持续时间是否大于第四预设值，可以避免误判，实现对目标区域的温度的实时调节，避免目标区域过热或热量不够，保证目标区域的治疗效果。

一种处理设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：

分别获取所述射频治疗仪中各发射元件对应的辐射区域的温度设定阈值；

根据各所述温度设定阈值确定各射频开关的单次导通时间；其中，各所述射频开关分别与各所述发射元件一一对应连接，所述射频开关用于导通或断开所述发射元件与所述射频治疗仪中射频源之间的通路；

根据各所述射频开关的单次导通时间控制各所述射频开关分时导通。

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

分别获取所述射频治疗仪中各发射元件对应的辐射区域的温度设定阈值；

根据各所述温度设定阈值确定各射频开关的单次导通时间；其中，各所述射频开关分别与各所述发射元件一一对应连接，所述射频开关用于导通或断开所述发射元件与所述射频治疗仪中射频源之间的通路；

根据各所述射频开关的单次导通时间控制各所述射频开关分时导通。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一个实施例中射频治疗仪的结构框图；

图2为一个实施例中温度检测和射频开关控制的原理示意图；

图3为一个实施例中射频开关的电路结构示意图；

图4为另一个实施例中各发射元件同功率输出下各发射元件输出能量的控制时序图；

图5为一个实施例中各发射元件不同功率输出下各发射元件输出能量的控制时序图；

图6为一个实施例中射频治疗仪的电路结构示意图；

图7为另一个实施例中射频治疗仪的电路结构示意图；

图8为一个实施例中射频开关控制方法的流程示意图；

图9为一个实施例中根据当前工作的发射元件的辐射区域的温度调节当前导通的射频开关的导通时间步骤的流程示意图；

图10为另一个实施例中根据当前工作的发射元件的辐射区域的温度调节当前导通的射频开关的导通时间步骤的流程示意图。

附图标记说明：

101-射频源，102-射频开关阵列，1021-射频开关，103-射频电极头，1031-发射元件，104-温度传感器，105-阻抗匹配组件。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。此外，以下实施例中的“连接”，如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

正如背景技术所述，现有技术中的现有的射频治疗仪进行治疗时容易产生局部过热或者局部热量不够的问题，经发明人研究发现，出现这种问题的原因在于，人体表面阻抗以及能量耐受程度呈不均匀性，而现有的射频治疗仪的电极头均匀输出射频能量。

基于以上原因，本发明提供了一种射频治疗仪。

在一个实施例中，如图1所示，提供一种射频治疗仪，包括：射频电极头103、射频开关阵列102和射频电极头103。其中，射频电极头103，具有多个相互绝缘的发射元件1031，发射元件1031用于进行射频能量输出；射频开关阵列102，包括多个射频开关1021，各射频开关1021的输出端分别与各发射元件1031的输入端一一对应连接，其中，各射频开关1021分时导通；射频源101，射频源101的输出端与各射频开关1021的输入端连接。

其中，各发射元件1031可以相互绝缘地连接在一起，也可以为相互分离的独立元件，发射元件1031可以是电感线圈，电感线圈可以是绕成阿基米德螺线的多圈，其形状可以为圆形、椭圆形、矩形等。射频开关1021可以是电控开关，例如包括光电二极管D的开关电路，射频开关1021接收到高电平信号时导通，射频开关1021接收到低电平信号时断开。各射频开关1021分时导通表示同一时间只有一射频开关1021导通。射频源101用于输出射频信号。

可以理解地，射频开关1021的数量与发射元件1031的大小、总辐射区域(即各辐射区域合并后的区域)的阻抗变化度以及总辐射区域的平整度有关。发射元件1031的形状可以但不限于椭圆形、长方形或圆形等形状，发射元件1031形状主要取决于辐射区域的位置，例如治疗腹部时，电极形状可选为椭圆形或腰带式长方形，而治疗小腿或者肩膀时，发射元件1031形状可为圆形。

具体地，射频开关1021导通时，与导通的射频开关1021连接的发射单元工作，射频源101输出的射频信号传输至工作的发射单元，发射单元对人体组织发射射频能量；当射频开关1021断开时，射频开关1021会阻断射频源101输出的射频信号传输。由于各射频开关1021分时导通，则同一时间只有一发射单元对人体组织发射射频能量，因此，可以设置各射频开关1021的导通时间或射频源101各时间的输出功率来控制各发射元件1031输出的射频能量，并避免了同频串扰的问题。

示例性地，射频开关阵列102包括射频开关A、射频开关B和射频开关C，射频开关A、射频开关B和射频开关C中的任意一者导通时，另外两者断开。通过控制射频开关A、射频开关B和射频开关C的导通时间，或射频开关A、射频开关B和射频开关C导通时射频源101的输出功率，可以控制各发射元件1031的输出功率，进而避免局部过热或者局部热量不够的问题。

本实施例中，上述射频治疗仪，通过将射频开关1021的输出端分别与各发射元件1031的输入端连接，射频源101的输出端与射频开关阵列102的输入端连接，并使各射频开关1021分时导通，即同一时间只有一射频开关1021导通，使各发射元件1031分时输出射频能量，从而可以设置各射频开关1021的导通时间或射频源101各时间的输出功率来控制各发射元件1031输出的射频能量，可使各发射元件1031输出的射频能量与对应治疗区域的情况相匹配，从而有效避免局部过热或者局部热量不够的问题，保证各发射元件1031对应的辐射区域的治疗效果。另外，由于各射频开关1021分时导通，则实现对各发射元件1031输出的射频能量的独立控制只需单个射频源101，无需采用多个射频源101，有利于降低成本，且避免了同频串扰的问题。

在一个实施例中，该射频治疗仪还包括：开关控制组件，开关控制组件分别与各射频开关1021的控制端连接，用于控制各射频开关1021的通断。

可以理解，当射频开关1021为电控开关时，开关控制组件通过输出电信号控制射频开关1021的通断。

示例性地，开关控制组件可以包括单片机和电压转换电路，射频开关1021为包括光电二极管D的开关电路，单片机包括处理器和存储器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序控制电压转换电路向对应的射频开关1021输出高电平信号或低电平信号，当电压转换电路输出高电平时，光电二极管D将等效于一个很小的电阻，射频开关1021将视为通路；当电压转换电路输出低电平时，光电二极管D将等效于很小的电容，射频开关1021将视为断路，控制电压转换电路向对应的射频开关1021输出高电平信号或低电平信号，可以控制射频开关1021导通或断开，进而可控制各射频开关1021的单次导通时间，实现各发射元件1031输出功率的控制。

本实施例中，通过开关控制组件控制各射频开关1021的通断，进而实现各射频开关1021分时导通，并可控制各射频开关1021的单次导通时间，实现各发射元件1031输出功率的控制，保证各发射元件1031对应的辐射区域的治疗效果，并避免多个发射元件1031同时工作时的同频串扰问题。

在一个实施例中，该射频治疗仪还包括温度测量组件，温度测量组件用于测量各发射元件1031对应的辐射区域的温度。其中，开关控制组件，与温度测量组件连接，用于接收温度测量组件测量的各辐射区域的温度，并根据各辐射区域的温度控制各射频开关1021的单次导通时间。

其中，温度测量组件可以包括温度传感器104。

具体地，各发射元件1031上分别设有温度传感器104，则当射频电极头103贴近人体组织时，温度传感器104可以检测到各发射元件1031对应的辐射区域的温度。开关控制组件接收各温度传感器104测量的各辐射区域的温度，开关控制组件包括处理器和存储器，存储器内存储有各辐射区域的温度设定阈值，通过比较各辐射区域的温度与温度设定阈值，根据各辐射区域的温度与温度设定阈值的差值调节各射频开关1021的单次导通时间，调节时间可查询预存的温度差值-导通时间表确定。

本实施例中，通过温度测量组件测量各发射元件1031对应的辐射区域的温度，并通过开关控制组件根据各辐射区域的温度控制各射频开关1021的单次导通时间，根据各辐射区域的温度适应性地调整各射频开关1021的单次导通时间，保证各发射元件1031输出功率与实际情况相对应，进而保证各辐射区域的治疗效果。

在一个实施例中，如图2所示，温度测量组件包括多个温度传感器104，各发射元件1031的中心区域和各发射元件1031的外围区域均设有温度传感器104，温度传感器104用于测量对应的辐射区域的温度。其中，开关控制组件还用于将各辐射区域内测得的最高温度作为各辐射区域的温度。

具体地，由于电磁场在金属层面存在集肤效应，各辐射区域的中心区域温度和外围区域温度存在差异，因此，通过在各发射元件1031的中心区域和各发射元件1031的外围区域设置温度传感器104，从而测量各辐射区域的中心区域温度和外围区域温度。由于开关控制组件会在辐射区域温度较低时增加对应的射频开关1021的导通时间，进而增加辐射区域的热量，而过热易导致人体组织损伤，为增加安全性，将各辐射区域内测得的最高温度作为各辐射区域的温度。

本实施例中，通过在各发射元件1031的中心区域和各发射元件1031的外围区域均设置温度传感器104，从而测量各辐射区域的中心区域温度和外围区域温度，并将各辐射区域内测得的最高温度作为各辐射区域的温度，从而避免区域过热易导致人体组织损伤，提高安全性。

在一个实施例中，该射频治疗仪还包括提示组件；开关控制组件还用于获取各温度传感器测得的温度中的最大值与最小值的差值，在差值大于第一预设值时，开关控制组件控制提示组件发出提示信息。

其中，提示信息可以包括声音信息、灯光信息、文字信息和振动信息中的至少一种。

本实施例中，通过开关控制组件比较各温度传感器104测得的温度中的最大值与最小值的差值是否大于第一预设值，来判断辐射区域的各位置的温度是否近似相等，进而判断发射元件1031是否贴紧对应的辐射区域，以判断射频电极头103是否完全贴紧人体组织。在判定射频电极头103未完全贴紧人体组织时，可以通过提示组件及时提醒用户，以保证射频治疗仪的治疗效果。

在一个实施例中，开关控制组件还用于在目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值大于第二预设值时，减少当前导通的射频开关的导通时间；在目标区域的温度与目标区域对应的温度设定阈值的差值小于第三预设值，增加当前导通的射频开关的导通时间，其中，目标区域为目标发射元件对应的辐射区域，目标发射元件指的是当前处于工作状态的发射元件，第三预设值小于第二预设值。

其中，目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值为目标区域的温度减去目标区域的温度设定阈值后的值，该差值可以为负值。则第二预设值为正值，第三预设值为负值，第三预设值小于第二预设值。

本实施例中，通过开关控制组件判断目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值是否满足相应条件，可以判断目标区域的温度是否合理，若目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值大于第二预设值，则目标区域的温度过高，需要减少对目标区域输出的射频能量，即减少当前导通的射频开关1021的导通时间；若目标区域的温度与目标区域对应的温度设定阈值的差值小于第三预设值，需要增加对目标区域输出的射频能量，即减少当前导通的射频开关1021的导通时间，通过上述方式，实现对目标区域的温度的实时调节，避免目标区域过热或热量不够，保证目标区域的治疗效果。

在一个实施例中，开关控制组件还用于在目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值大于第二预设值，且差值大于第二预设值的持续时间大于第四预设值时，减少当前导通的射频开关的导通时间；并在目标区域的温度与目标区域对应的温度设定阈值的差值小于第三预设值，且差值小于第三预设值的持续时间大于第四预设值时，增加当前导通的射频开关的导通时间；其中，目标区域为目标发射元件对应的辐射区域，目标发射元件指的是当前处于工作状态的发射元件，第三预设值小于第二预设值。

本实施例中，通过判断目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值是否满足相应条件，并判断持续时间是否大于第四预设值，可以避免误判，实现对目标区域的温度的实时调节，避免目标区域过热或热量不够，保证目标区域的治疗效果。

在一个实施例中，如图3所示，射频开关1021包括光电二极管D、第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1和第二电感L2。其中，第一电容C1的第一端与射频源101的输出端连接，第一电容C1的第二端分别与光电二极管D的正极、第一电感L1的第一端连接，第一电感L1的第二端用于接收开关控制组件发送的高电平或低电平信号。光电二极管D的负极分别与第二电容C2的第一端、第二电感L2的第一端连接，第二电感L2的第二端连接等电势位，第二电容C2的第二端与对应的发射元件1031的输入端连接。其中，开关控制组件发送的信号为高电平信号时，射频开关1021导通；开关控制组件发送的信号为低电平信号时，射频开关1021断开。

其中，光电二极管D可以为PIN光电二极管D。第一电容C1和第二电容C2用作对偏置直流电压起阻抗作用。第一电感L1和第二电感L2可以为射频扼流圈电感，第一电感L1和第二电感L2的自谐振频率为射频源101工作频率，用于阻碍射频信号流入电压转换电路，干扰电压转换电路输出信号。当电压转换电路输出高电平时，光电二极管D将等效于一个很小的电阻，射频开关1021将视为通路；当电压转换电路输出低电平时，光电二极管D将等效于很小的电容，射频开关1021将视为断路，控制电压转换电路向对应的射频开关1021输出高电平信号或低电平信号，可控制射频开关1021导通或断开。

具体地，当需要控制对应的发射元件1031工作时，需要控制与该发射元件1031连接的射频开关1021导通，则控制电压转换电路向该射频开关1021输出高电平信号，射频开关1021导通，射频源101输出的射频信号传输至该发射元件1031，该发射元件1031输出射频能量，实现对应辐射区域的治疗。

本实施例中，通过上述连接方式，通过第一电容C1和第二电容C2对直流信号进行过滤，避免直流信号干扰发射元件1031的工作，第一电感L1和第二电感L2另外，控制电压转换电路向对应的射频开关1021输出高电平信号或低电平信号，从而控制射频开关1021导通或断开，实现发射元件1031工作与否的控制，进而可控制各射频开关1021的单次导通时间以及控制各射频开关1021分时导通，实现单射频源101下的各发射元件1031输出功率的控制，进而保证各发射元件1031对应的辐射区域的治疗效果。

在一个实施例中，开关控制组件包括处理器和电压转换电路，处理器的输出端与电压转换电路的第一输入端连接，电压转换电路的各输出端分别与各射频开关1021的第一电感L1的第二端一一对应连接，处理器用于控制电压转换电路向各射频开关1021发送高电平信号或低电平信号。

其中，电压转换电路用于对输入电压进行转换，以输出高电平信号或低电平信号。

可以理解，处理器用于确定需要导通和断开的射频开关1021，在处理器确定需要导通和断开的射频开关1021后，输出相应的控制信号给电压转换电路，电压转换电路根据控制信号输出高电平信号给需要导通的射频开关1021，输出低电平信号给需要断开的射频开关1021。

可选地，N个光电二极管D的控制时序如图4，+V

本实施例中，通过处理器和电压转换电路的配合，输出高电平信号给需要导通的射频开关1021，输出低电平信号给需要断开的射频开关1021，以使射频开关1021的光电二极管D导通或断开，从而通过处理器实现各射频开关1021的导通和断开，进而可调节各发射元件1031的输出功率，以匹配各辐射区域的情况，保证各辐射区域不会过热或热量不足。

在一个实施例中，发射元件1031包括第一绝缘层、导线层和第二绝缘层，导线层设于第一绝缘层和第二绝缘层之间，导线层的输入端与射频开关1021的输出端连接，导线层用于进行射频能量输出。

其中，导线层可以包括电感线圈，电感线圈可以呈阿基米德螺线绕制而成，电感线圈可以为矩形、椭圆形、圆形等形状；电感线圈也可以呈树杈状设置，即设置一主枝干导线，在主枝干导线上沿主枝干导线的延伸方向均匀延伸出多个分支导线。通过将电感线圈设置为上述形状，从而保证发射元件1031各位置均匀输出射频能量。

本实施例中，通过导线层的输入端与射频开关1021的输出端连接，从而在与导线层连接的射频开关1021导通时，该导线层输出能量，对对应的辐射区域进行治疗，并通过将导线层设于第一绝缘层和第二绝缘层之间，避免导线层与除射频开关1021外的其他电器件连接，保证发射元件1031只有在对应的射频开关1021导通时，才会发射射频能量。

在一个实施例中，如图6所示，该射频治疗仪还包括：阻抗匹配组件105，阻抗匹配组件105设于射频源101与射频开关阵列102之间，用于匹配射频源101和电极头之间的阻抗。

具体地，发射元件1031可视为一个电感线圈，各发射元件1031的电感量可以做到近似相等，虽然人体不同位置人体阻抗不会完全相等，但也比较近似，因此，在射频源101端做阻抗匹配可以基本满足射频能量传递要求，则阻抗匹配组件105可以设于射频源101与射频开关阵列102之间。

本实施例中，通过将阻抗匹配组件105设于射频源101与射频开关阵列102之间，从而只需一个阻抗匹配组件105即可满足射频信号传递要求，提高能量利用效率，相对而言，成本较低，易于实现。

在一个实施例中，如图7所示，射频治疗仪还包括：多个阻抗匹配组件105，多个阻抗匹配组件105分别一一对应设置在多个射频通路上，射频通路为射频开关1021与发射元件1031之间构成的通路，分别用于匹配射频源101与各发射元件1031之间的阻抗。

可以理解，由于各发射元件1031的阻抗可能不相同，则将多个阻抗匹配组件105分别一一对应设置在多个射频通路上，可以提高射频治疗仪整体的能量利用效率。

其中，还可以在射频源101与射频开关阵列102之间设置阻抗匹配组件105，以进一步提高射频治疗仪整体的能量利用效率。

本实施例中，通过阻抗匹配组件105分别一一对应设置在多个射频通路上，可以提高射频治疗仪整体的匹配效率，降低射频信号传输损耗。

在一个实施例中，如图8所示，本发明还提供一种射频开关控制方法，该射频开关控制方法包括：

S801：分别获取射频治疗仪中各发射元件对应的辐射区域的温度设定阈值。

S802：根据各温度设定阈值确定各射频开关的单次导通时间；其中，各射频开关分别与各发射元件一一对应连接，射频开关用于导通或断开发射元件与射频治疗仪中射频源之间的通路。

S803：根据各射频开关的单次导通时间控制各射频开关分时导通。

其中，各辐射区域温度设定阈值根据各辐射区域的阻抗和平整度确定。

本实施例中，通过根据温度设定阈值确定各射频开关1021的单次导通时间，进而控制各发射元件1031的工作时间，从而控制各射频开关1021在一个周期内输出的射频能量，保证各射频开关1021在一个周期内输出的射频能量与对应的温度设定阈值匹配，避免出现辐射区域局部过热或者局部热量不够的问题。

在一个实施例中，该射频开关控制方法还包括：获取目标发射元件1031对应的辐射区域的温度，其中，目标发射元件1031指的是当前处于工作状态的发射元件1031；根据目标发射元件1031对应的辐射区域的温度调节当前导通的射频开关1021的导通时间的步骤。

本实施例中，通过获取目标发射元件1031对应的辐射区域的温度，并根据目标发射元件1031对应的辐射区域的温度调节当前导通的射频开关1021的导通时间，从而根据各辐射区域的实时情况实时调节各射频开关1021的导通时间，保证各发射元件1031输出功率与实际情况相对应，进而保证各辐射区域的治疗效果。

在一个实施例中，射频治疗仪包括多个温度传感器104，各发射元件1031的中心区域和各发射元件1031的外围区域均设有温度传感器104；其中，

获取各发射元件1031对应的辐射区域的温度，包括：获取各温度传感器104测得的温度；将各辐射区域内的测得的最高温度作为各辐射区域的温度的步骤。

本实施例中，通过在各发射元件1031的中心区域和各发射元件1031的外围区域均设置温度传感器104，从而测量各辐射区域的中心区域温度和外围区域温度，并将各辐射区域内测得的最高温度作为各辐射区域的温度，避免对应射频开关1021的导通时间过长，进而避免区域过热易导致人体组织损伤，提高射频治疗仪的使用安全性。

在一个实施例中，该射频开关控制方法还包括：获取当前工作的发射元件1031上的各温度传感器104测得的温度；获取各温度传感器104测得的温度中的最大值与最小值的差值；若差值大于第一预设值，则判定射频电极头103未完全贴紧人体组织的步骤。

可以理解，当射频电极头103完全贴紧人体组织时，各发射元件1031也应贴紧人体组织，而辐射区域的各位置的温度应近似相等，则可以通过判断辐射区域内的各温度传感器104测量温度是否近似相等来判断发射元件1031是否贴紧对应的辐射区域，进而判断射频电极头103是否完全贴紧人体组织。若同一辐射区域内的各温度传感器104的测量温度的差距较大，则会判定手具没有完全贴紧人体，例如，各温度传感器104测得的温度中的最大值与最小值的差值大于2℃时，可以判定各温度传感器104的测量温度的差距过大，进而判定射频电极头103未完全贴紧人体组织。

本实施例中，通过比较各温度传感器104测得的温度中的最大值与最小值的差值是否大于第一预设值，来判断辐射区域的各位置的温度是否近似相等，进而判断发射元件1031是否贴紧对应的辐射区域，以判断射频电极头103是否完全贴紧人体组织。在判定射频电极头103未完全贴紧人体组织时，可以及时提醒用户，以保证射频治疗仪的治疗效果。

在一个实施例中，如图9所示，根据当前工作的发射元件的辐射区域的温度调节当前导通的射频开关的导通时间，包括：

S901：若目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值大于第二预设值，则减少当前导通的射频开关的导通时间，其中，目标区域为目标发射元件对应的辐射区域。

S902：若目标区域的温度与目标区域对应的温度设定阈值的差值小于第三预设值，则增加当前导通的射频开关的导通时间，其中，第三预设值小于第二预设值。

其中，目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值为目标区域的温度减去目标区域的温度设定阈值后的值，该差值可以为负值。则第二预设值为正值，第三预设值为负值，第二预设值大于第三预设值。导通时间的变化值可以为预先设定的固定值，也可以根据该差值确定，预先存储差值-时间变化值表，在获取到差值时，基于差值查表得出导通时间的变化值。

可以理解，各辐射区域的温度设定阈值为各辐射区域在进行治疗时的理想温度。辐射区域的温度超过该值时，表示温度过高，需要减少对该辐射区域输出的射频能量；辐射区域的温度低过该值时，表示温度过低，需要增加对该辐射区域输出的射频能量。

本实施例中，通过判断目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值是否满足相应条件，可以判断目标区域的温度是否合理，若目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值大于第二预设值，则目标区域的温度过高，需要减少对目标区域输出的射频能量，即减少当前导通的射频开关1021的导通时间；若目标区域的温度与目标区域对应的温度设定阈值的差值小于第三预设值，需要增加对目标区域输出的射频能量，即减少当前导通的射频开关1021的导通时间，通过上述方式，实现对目标区域的温度的实时调节，避免目标区域过热或热量不够，保证目标区域的治疗效果。

在另一个实施例中，如图10所示，根据当前工作的发射元件的辐射区域的温度调节当前导通的射频开关的导通时间，包括：

S1001：若目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值大于第二预设值，且差值大于第二预设值的持续时间大于第四预设值，则减少当前导通的射频开关的导通时间，其中，目标区域为目标发射元件对应的辐射区域。

S1002：若目标区域的温度与目标区域对应的温度设定阈值的差值小于第三预设值，且差值小于第三预设值的持续时间大于第四预设值，则增加当前导通的射频开关的导通时间，其中，第三预设值小于第二预设值。

示例性地，目标区域的温度设定阈值为42℃，而在实际测试中该目标区域的测量温度超过温度设定阈值并且持续超过5秒，这里大于温度设定阈值至少1℃(43℃)才会判定为超过温度设定阈值，则该区域将被判定为过高温度，因此，通过控制减少该区域高电平的时间，来控制降低对应的发射元件1031输出射频能量的时间，从而实现温度降低。同样地，目标区域的温度设定阈值为42℃，而在实际测试中该目标区域的测量温度低于温度设定阈值并且持续超过5秒，这里小于温度设定阈值至少1℃(41℃)才会判定为低于温度设定阈值，则该区域将被判定为过低温度，因此，通过控制增加该区域高电平的时间，来控制增加对应的发射元件1031输出射频能量的时间，从而实现温度降低。

本实施例中，通过判断目标区域的温度与目标区域的温度设定阈值的差值是否满足相应条件，并判断持续时间是否大于第四预设值，可以避免误判，实现对目标区域的温度的实时调节，避免目标区域过热或热量不够，保证目标区域的治疗效果。

应该理解的是，虽然图8-10的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图8-10中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

在一个实施例中，还提供一种处理设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行所述计算机程序时实现上述各实施例所述的射频开关控制方法的步骤。

在一个实施例中，本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述各实施例所述的射频开关控制方法的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。

在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。