接合装置、系统、方法、程序以及计算机存储介质

本申请是申请日为2017年12月1日，申请号为201711247165.9，发明名称为“接合装置、接合系统、接合方法以及计算机存储介质”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及将基板彼此接合的接合装置、具备该接合装置的接合系统、使用了该接合装置的接合方法以及计算机存储介质。

背景技术

近年来，正在推广半导体器件的高集成化。在将高集成化的多个半导体器件配置在水平面内并利用配线将这些半导体器件相连接来实现产品化的情况下，担心配线长度增大，由此配线的电阻变大或配线延迟变大的问题。

因此，提出了一种使用三维地层叠半导体器件的三维集成技术的方案。在该三维集成技术中，例如使用专利文献1中记载的接合系统进行两片半导体晶圆(以下，称为“晶圆”。)的接合。例如接合系统具有：表面改性装置，其对晶圆的被接合的表面进行改性；表面亲水化装置，其对在该表面改性装置中被改性后的晶圆的表面进行亲水化；以及接合装置，其将在该表面亲水化装置中表面被亲水化的晶圆彼此接合。在该接合系统中，在表面改性装置中对晶圆的表面进行等离子体处理来使该表面改性，并且在表面亲水化装置中对晶圆的表面供给纯水来将该表面进行亲水化之后，在接合装置中利用范德华力和氢键(分子间力)将晶圆彼此接合。

上述接合装置具有：上卡盘，其用于在下表面保持一个晶圆(以下，称为“上晶圆”。)；下卡盘，其设置于上卡盘的下方，用于在上表面保持其它晶圆(以下，称为“下晶圆”。)；以及压动构件，其设置于上卡盘，用于按压上晶圆的中心部。在上述接合装置中，在将被保持于上卡盘的上晶圆与被保持于下卡盘的下晶圆相向配置的状态下，利用压动构件按压上晶圆的中心部和下晶圆的中心部以使二者抵接，该中心部彼此接合后形成接合区域。之后，从晶圆的中心部朝向外周部产生接合区域扩大的所谓接合波。然后，将上晶圆与下晶圆接合。

专利文献1：日本特开2016-039364号公报

发明内容

发明要解决的问题

为了抑制接合后的叠加晶圆的变形，接合波优选从晶圆的中心部朝向外周部均匀地即同心圆状地扩大。然而，在上述专利文献1中记载的接合装置中，不进行监视接合波的动作，即使接合波不均匀地扩大也无法掌握该情况。因而，在以往的晶圆的接合处理中存在改善的余地。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于检查基板的接合处理的状态来恰当地进行该接合处理。

用于解决问题的方案

一种接合装置，进行将基板彼此接合的接合处理，所述接合装置具备：第一保持部，其将第一基板吸附保持在所述第一保持部的下表面；第二保持部，其设置于所述第一保持部的下方，将第二基板吸附保持在所述第二保持部的上表面；压动构件，其设置于所述第一保持部，用于按压所述第一基板的中心部；基板检测部，其检测所述第一基板与所述第二基板的接合区域；以及控制部，其基于所述接合处理的经过时间和所述基板检测部的检测结果，以使所述接合区域均匀地扩大的方式控制第一保持部使所述第一基板脱离的定时。

一种接合系统，具备上述的接合装置，所述接合系统具备：处理站，其具备所述接合装置；以及搬入搬出站，其能够分别保持多个所述第一基板、所述第二基板或将所述第一基板和所述第二基板接合而成的叠加基板，并且能够相对于所述处理站来搬入搬出所述第一基板、所述第二基板或所述叠加基板，其中，所述处理站具有：表面改性装置，其用于对所述第一基板或所述第二基板的被接合的表面进行改性；表面亲水化装置，其用于对在所述表面改性装置中被改性后的所述第一基板或所述第二基板的表面进行亲水化；以及搬送装置，其用于相对于所述表面改性装置、所述表面亲水化装置以及所述接合装置搬送所述第一基板、所述第二基板或所述叠加基板，在所述接合装置中，将在所述表面亲水化装置中表面被亲水化的所述第一基板和所述第二基板接合。

一种接合方法，用于将基板彼此接合，所述接合方法包括以下工序：配置工序，将第一保持部的下表面保持的第一基板与第二保持部的上表面保持的第二基板相向配置；按压工序，在所述配置工序之后，使设置于所述第一保持部且用于按压所述第一基板的中心部的压动构件下降，利用该压动构件按压所述第一基板的中心部和所述第二基板的中心部以使该第一基板的中心部与该第二基板的中心部抵接；以及接合工序，在所述按压工序之后，在所述第一基板的中心部与所述第二基板的中心部抵接的状态下，从所述第一基板的中心部朝向外周部将所述第一基板与所述第二基板依次接合，其中，在所述接合工序中，利用基板检测部检测所述第一基板与所述第二基板的接合区域，基于所述接合工序的经过时间和所述基板检测部的检测结果，以使所述接合区域均匀地扩大的方式控制第一保持部使所述第一基板脱离的定时。

一种程序，在控制部的计算机上进行动作，所述控制部控制接合装置，以使得通过该接合装置执行上述的接合方法。

一种可读取的非暂态的计算机存储介质，保存有上述的程序。

为了实现所述目的，本发明涉及将基板彼此接合的接合装置，该接合装置具有：第一保持部，其进行抽真空来将第一基板吸附保持在该第一保持部的下表面；第二保持部，其设置在所述第一保持部的下方，进行抽真空来将第二基板吸附保持在该第二保持部的上表面；压动构件，其设置于所述第一保持部，用于按压第一基板的中心部；以及多个基板检测部，多个所述基板检测部设置于所述第一保持部，用于检测第一基板的从该第一保持部的脱离。

根据本发明，能够利用基板检测部检测被保持于第一保持部的第一基板从该第一保持部脱离的情况。当发生该第一基板的脱离时，第一基板落下而抵接于第二基板，第一基板与第二基板因分子间力而接合。因而，通过检测第一基板的脱离，能够掌握接合波，能够检查晶圆的接合处理的状态。而且，例如在接合波均匀的情况下(接合处理的状态正常的情况下)，以原有的处理条件继续进行接合处理即可。另一方面，例如在接合波不均匀的情况下(接合处理的状态异常的情况下)，在校正处理条件后进行接合处理即可。因而，根据本发明，能够恰当地进行基板的接合处理。

发明的效果

根据本发明，能够检查基板的接合处理的状态来恰当地进行该接合处理。

附图说明

图1是表示本实施方式所涉及的接合系统的结构的概要的俯视图。

图2是表示本实施方式所涉及的接合系统的内部结构的概要的侧视图。

图3是表示上晶圆和下晶圆的结构的概要的侧视图。

图4是表示接合装置的结构的概要的横截面图。

图5是表示接合装置的结构的概要的纵截面图。

图6是表示上卡盘、上卡盘保持部以及下卡盘的结构的概要的纵截面图。

图7是从下方观察上卡盘的俯视图。

图8是表示以往的晶圆间的接合区域的扩大的情形的说明图。

图9是表示传感器的输出结果的一例的曲线图。

图10是表示晶圆接合处理的主要工序的流程图。

图11是表示将上晶圆与下晶圆相向配置的情形的说明图。

图12是表示按压上晶圆的中心部和下晶圆的中心部并使二者抵接的情形的说明图。

图13是表示使上晶圆和下晶圆的接合从中心部向外周部扩散的情形的说明图。

图14是表示使上晶圆的表面与下晶圆的表面抵接的情形的说明图。

图15是表示上晶圆与下晶圆被接合后的情形的说明图。

图16是表示其它实施方式所涉及的传感器的配置的上卡盘的俯视图。

图17是表示其它实施方式所涉及的传感器的配置的上卡盘的俯视图。

图18是表示其它实施方式所涉及的上卡盘、上卡盘保持部以及下卡盘的结构的概要的纵截面图。

附图标记说明

1：接合系统；2：搬入搬出站；3：处理站；30：表面改性装置；40：表面亲水化装置；41：接合装置；61：晶圆搬送装置；70：控制部；140：上卡盘；141：下卡盘；172：第一抽吸部；173：第二抽吸部；174：第三抽吸部；175：传感器；190：压动构件；300：激光位移计；W

具体实施方式

下面，参照所附附图对本发明的实施方式进行说明。此外，本发明并不限定于以下所示的实施方式。

<1.接合系统的结构>

首先，对本实施方式所涉及的接合系统的结构进行说明。图1是表示接合系统1的结构的概要的俯视图。图2是表示接合系统1的内部结构的概要的侧视图。

在接合系统1中，如图3所示那样将例如两片作为基板的晶圆W

如图1所示，接合系统1具有将搬入搬出站2与处理站3一体地连接而成的结构，其中，该搬入搬出站2例如与外部之间搬入搬出能够分别收容多个晶圆W

在搬入搬出站2中设置有盒载置台10。在盒载置台10中设置有多个、例如四个盒载置板11。盒载置板11沿作为水平方向的X方向(图1中的上下方向)并排地配置为一列。在相对于接合系统1的外部来搬入搬出盒C

在搬入搬出站2中与盒载置台10邻接地设置有晶圆搬送部20。在晶圆搬送部20中设置有在沿X方向延伸的搬送路径21上移动自如的晶圆搬送装置22。晶圆搬送装置22也在铅垂方向和绕铅垂轴的方向(θ方向)上移动自如，能够在各盒载置板11上的盒C

在处理站3中设置有具备各种装置的多个例如三个处理块G1、G2、G3。例如在处理站3的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第一处理块G1，在处理站3的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第二处理块G2。另外，在处理站3的搬入搬出站2侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第三处理块G3。

例如在第一处理块G1中配置有用于对晶圆W

例如在第二处理块G2中，表面亲水化装置40、接合装置41从搬入搬出站2侧起按该顺序沿作为水平方向的Y方向并排地配置，其中，该表面亲水化装置40例如利用纯水对晶圆W

在表面亲水化装置40中，例如一边使旋转卡盘中保持的晶圆W

例如在第三处理块G3中，如图2所示，晶圆W

在如图1所示那样被第一处理块G1～第三处理块G3包围的区域形成有晶圆搬送区域60。在晶圆搬送区域60内例如配置有晶圆搬送装置61。

晶圆搬送装置61具有例如沿铅垂方向、水平方向(Y方向、X方向)以及绕铅垂轴的方向移动自如的搬送臂。晶圆搬送装置61能够在晶圆搬送区域60内移动来向周围的第一处理块G1、第二处理块G2以及第三处理块G3内的规定的装置搬送晶圆W

如图1所示，在以上的接合系统1中设置有控制部70。控制部70例如是计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部中保存有用于控制接合系统1中的晶圆W

<2.接合装置的结构>

接着，对上述接合装置41的结构进行说明。

<2-1.接合装置的整体结构>

接合装置41具有如图4和图5所示那样能够将内部密封的处理容器100。在处理容器100的晶圆搬送区域60侧的侧面形成有晶圆W

处理容器100的内部被内壁103划分为搬送区域T1和处理区域T2。上述搬入搬出口101形成于搬送区域T1内的处理容器100的侧面。另外，在内壁103上也形成有晶圆W

在搬送区域T1的Y方向正方向侧设置有用于暂时载置晶圆W

在搬送区域T1内设置有晶圆搬送机构111。晶圆搬送机构111具有例如沿铅垂方向、水平方向(X方向、Y方向)以及绕铅垂轴的方向移动自如的搬送臂。而且，晶圆搬送机构111能够在搬送区域T1内或搬送区域T1与处理区域T2之间搬送晶圆W

在搬送区域T1的Y方向负方向侧设置有用于调节晶圆W

另外，在搬送区域T1内设置有用于使上晶圆W

保持臂131被例如具备电动机等的驱动部133支承。保持臂131利用该驱动部133绕水平轴转动自如。另外，保持臂131以驱动部133为中心转动自如，并且沿水平方向(X方向)移动自如。在驱动部133的下方设置有例如具备电动机等的其它驱动部(未图示)。驱动部133能够利用该其它驱动部顺着沿铅垂方向延伸的支承柱134在铅垂方向上移动。这样，保持构件132中保持的上晶圆W

在处理区域T2内设置有在下表面吸附保持上晶圆W

上卡盘140被保持于设置在该上卡盘140的上方的上卡盘保持部150。上卡盘保持部150被设置于处理容器100的顶面。即，上卡盘140经由上卡盘保持部150被固定地设置于处理容器100。

在上卡盘保持部150中设置有用于对下卡盘141中保持的下晶圆W

下卡盘141被设置在该下卡盘141的下方的下卡盘台160支承。在下卡盘台160上设置有用于对上卡盘140中保持的上晶圆W

下卡盘台160被设置在该下卡盘台160的下方的第一下卡盘移动部162支承，并且第一下卡盘移动部162被支承台163支承。如后述那样，第一下卡盘移动部162构成为使下卡盘141沿水平方向(X方向)移动。另外，第一下卡盘移动部162构成为能够使下卡盘141沿铅垂方向移动自如且能够绕铅垂轴旋转。

支承台163被安装于一对导轨164、164，一对导轨164、164被设置在该支承台163的下表面侧且沿水平方向(X方向)延伸。而且，支承台163构成为利用第一下卡盘移动部162沿导轨164移动自如。此外，第一下卡盘移动部162例如利用沿导轨164设置的线性电动机(未图示)移动。

一对导轨164、164被配设于第二下卡盘移动部165。第二下卡盘移动部165被安装于一对导轨166、166，一对导轨166、166被设置在该第二下卡盘移动部165的下表面侧且沿水平方向(Y方向)延伸。而且，第二下卡盘移动部165构成为沿导轨166移动自如，即构成为使下卡盘141沿水平方向(Y方向)移动。第二下卡盘移动部165例如利用沿导轨166设置的线性电动机(未图示)移动。一对导轨166、166被配设在设置于处理容器100的底面的载置台167上。

<2-2.上卡盘的结构>

接着，对接合装置41的上卡盘140的详细结构进行说明。

对于上卡盘140，如图6和图7所示那样采用了支杆夹头方式。上卡盘140具有在俯视观察时具有上晶圆W

另外，在主体部170的下表面设置有用于以抽真空方式吸附上晶圆W

第一抽吸部172在俯视观察时具有圆弧形状。在主体部170的外周部，在与该主体部170同心的圆周上以沿轴向排列并隔开规定的间隔的方式配置有多个、例如八个第一抽吸部172。

这八个第一抽吸部172分别经由第一抽吸管172a与第一真空泵172b连接。通过由第一真空泵172b进行的抽真空，八个第一抽吸部172能够单独地吸附上晶圆W

与第一抽吸部172同样地，第二抽吸部173在俯视观察时具有圆弧形状。在与第一抽吸部172相比靠主体部170的内周侧的位置处，在与该主体部170同心的圆周上，以沿周向排列且隔开规定的间隔的方式配置有多个、例如八个第二抽吸部173。此外，第一抽吸部172的中心部和第二抽吸部173的中心部被配置在主体部170的中心线上。

这八个第二抽吸部173分别经由第二抽吸管173a与第二真空泵173b连接。通过由第二真空泵173b进行的抽真空，八个第二抽吸部173能够单独地吸附上晶圆W

第三抽吸部174在俯视观察时具有圆环形状。在与第二抽吸部173相比靠主体部170的内周侧的位置处，在与该主体部170同心的圆周上配置有第三抽吸部174。第三抽吸部174经由第三抽吸管174a与第三真空泵174b连接。通过由第三真空泵174b进行的抽真空，第三抽吸部174能够吸附上晶圆W

在主体部170中设置有用于检测上晶圆W

在主体部170的中心部形成有沿厚度方向贯通该主体部170的贯通孔176。该主体部170的中心部与被吸附保持于上卡盘140的上晶圆W

<2-3.上卡盘的传感器的详细内容>

接着，对上述传感器175的详细内容和使用了该传感器175的检查结果的抽吸部172～174的控制方法进行说明。

在如后述那样将上晶圆W

为了掌握该接合波而在主体部170中设置有传感器175。

对于传感器175，能够使用各种传感器。例如可以将反射式的光纤传感器用作传感器175。在该情况下，从传感器175朝向上晶圆W

另外，例如也可以将静电电容传感器或距离测长传感器用作传感器175。在使用静电电容传感器的情况下，通过测定与上晶圆W

另外，例如也可以将流体传感器用作传感器175。在该情况下，在主体部170中设置吸附焊盘(未图示)，即在图6和图7所示的附图标记“175”的位置处设置有吸附焊盘，在连接于该吸附焊盘的抽吸管(未图示)中设置有传感器175。此外，吸附焊盘并非以吸附保持上晶圆W

如上述那样在第一抽吸部172与第二抽吸部173之间，在与主体部170同心的圆周上以沿周向排列并隔开规定的间隔的方式配置有所述传感器175。接着，对该传感器175的配置进行说明。

与上晶圆W

上晶圆W

在本实施方式中，在与主体部170同心的圆周上设置有八个传感器175，即在90°方向和45°方向上设置有传感器175。因而，能够使用这些传感器175检测上晶圆W

所述传感器175的检测结果被输出到控制部70。控制部70基于传感器175的检测结果来控制抽吸部172～174的动作。

图9是表示传感器175的输出结果的一例的曲线图。图9的横轴表示接合处理的经过时间，纵轴表示传感器175的输出结果、即上晶圆W

图9的(a)示出了如图8所示那样接合区域A不均匀、即扩大为大致四边形形状的情况。如上所述，与90°方向相比，在45°方向上接合区域A迅速地扩大。因此，在45°方向上接合区域A到达的定时与在90°方向上接合区域A到达的定时的时间差ΔT变大。

因此，为了使接合区域A均匀地扩大，控制部70进行控制以使时间差ΔT如图9的(b)所示那样收敛在规定的阈值内。在此，在时间差ΔT与接合后的叠加晶圆W

关于控制部70中的控制，具体地说，使45°方向上的第二抽吸部173离开上晶圆W

此外，在本实施方式中对基于传感器175的检测结果来控制第二抽吸部173的吸附定时的情况进行了说明，但也可以控制第二抽吸部173的吸附力。另外，还可以基于传感器175的检测结果来控制其它抽吸部172、174。

<2-4.上卡盘保持部的结构>

接着，对接合装置41的上卡盘保持部150的详细结构进行说明。

上卡盘保持部150具有如图5所示那样设置于上卡盘140的主体部170的上表面的上卡盘台180。上卡盘台180被设置为在俯视观察时至少覆盖主体部170的上表面，且例如被紧固螺丝固定于主体部170。上卡盘台180被在处理容器100的顶面设置的多个支承构件181支承。

在上卡盘台180的上表面还设置有如图6所示那样按压上晶圆W

致动器部191能够利用从电动气动调节器(未图示)供给的空气在固定方向上产生固定的压力，且能够与压力的作用点的位置无关地固定地产生该压力。而且，致动器部191能够利用来自电动气动调节器的空气来控制与上晶圆W

致动器部191被支承于缸部192。缸部192例如能够利用内置有电动机的驱动部使致动器部191沿铅垂方向移动。

如上所述，压动构件190利用致动器部191进行按压负荷的控制，利用缸部192进行致动器部191的移动的控制。而且，压动构件190能够在后述的晶圆W

<2-5.下卡盘的结构>

接着，对接合装置41的下卡盘141的详细结构进行说明。

对于下卡盘141，如图6所示那样与上卡盘140同样地采用支杆夹头方式。下卡盘141具有在俯视观察时具有下晶圆W

另外，在主体部200的上表面，在外侧肋202的内侧设置有具有与销201相同的高度、用于支承下晶圆W

在主体部200的上表面，在第一抽吸区域204a内形成有用于对下晶圆W

另外，在主体部200的上表面，在第二抽吸区域204b内形成有用于对下晶圆W

而且，分别从抽吸口205a、205b对被下晶圆W

在下卡盘141中，在主体部200的中心部附近例如在三个部位形成有沿厚度方向贯通该主体部200的贯通孔(未图示)。而且，设置在第一下卡盘移动部162的下方的升降销贯穿贯通孔。

在主体部200的外周部设置有用于防止晶圆W

此外，由上述控制部70控制接合装置41中的各部的动作。

<3.接合处理方法>

接着，对使用如上述那样构成的接合系统1进行的晶圆W

首先，将收容有多片上晶圆W

接着，利用晶圆搬送装置61将上晶圆W

接着，由晶圆搬送装置61将上晶圆W

接着，利用晶圆搬送装置61将上晶圆W

之后，从位置调节机构120向反转机构130的保持臂131交接上晶圆W

之后，反转机构130的保持臂131以驱动部133为中心进行转动并向上卡盘140的下方移动。然后，从反转机构130向上卡盘140交接上晶圆W

在对上晶圆W

接着，利用晶圆搬送装置61将下晶圆W

之后，利用晶圆搬送装置61将下晶圆W

之后，利用晶圆搬送装置61将下晶圆W

之后，由晶圆搬送机构111将下晶圆W

接着，对被保持于上卡盘140的上晶圆W

此外，在工序S10中，也如上述那样使下卡盘141沿水平方向移动，并且由第一下卡盘移动部162使下卡盘141旋转来调节该下卡盘141的旋转方向位置(下卡盘141的朝向)。

之后，由第一下卡盘移动部162使下卡盘141向铅垂上方移动来进行上卡盘140和下卡盘141的铅垂方向位置的调节，从而对被保持于该上卡盘140的上晶圆W

接着，对被保持于上卡盘140的上晶圆W

此外，在本实施方式中，对如上述那样预先设定第二抽吸部173的吸附定时以使接合波变得均匀的情况进行说明。即，例如利用传感器175对前批次的上晶圆W

首先，如图12所示那样利用压动构件190的缸部192使致动器部191下降。于是，随着该致动器部191的下降，按压上晶圆W

在工序S13中，使第一真空泵172b的动作停止，使由第一抽吸部172对上晶圆W

当使上晶圆W

之后，在上晶圆W

在如图13所示那样由压动构件190按压上晶圆W

进而，如图14所示那样使第三真空泵174b的工作停止，使由第三抽吸部174对上晶圆W

此外，在工序S14中，使用八个传感器175检测接合区域A，从而监视接合波并检查上晶圆W

之后，如图15所示那样使压动构件190的致动器部191上升至上卡盘140。另外，使真空泵207a、207b的工作停止，使抽吸区域204内的下晶圆W

将上晶圆W

根据以上的实施方式，能够利用传感器175检测被保持于上卡盘140的上晶圆W

另外，本实施方式的接合系统1具备表面改性装置30、表面亲水化装置40以及接合装置41，因此能够在一个系统内有效地进行晶圆W

<4.其它实施方式>

接着，对本发明的其它实施方式进行说明。

在以上的实施方式的上卡盘140中，在第一抽吸部172与第二抽吸部173之间，在与主体部170同心的圆周上以沿周向排列且隔开规定的间隔的方式配置有传感器175，但传感器175的配置并不限定于此。

如图16所示，除了在第一抽吸部172与第二抽吸部173之间配置传感器175以外，也可以在与第二抽吸部173相比靠主体部170的内周侧的位置，在与主体部170同心的圆周上以沿周向排列且隔开规定的间隔的方式配置多个例如八个传感器175。即，两个传感器175、第一抽吸部172的中心部以及第二抽吸部173的中心部被配置在主体部170的同一中心线上。此外，以下将第一抽吸部172与第二抽吸部173之间的传感器175称为传感器175a，将第二抽吸部173的内周侧的传感器175称为传感器175b。

在这种情况下，能够基于传感器175b的检测结果来控制与该传感器175b处于同一中心线上的第二抽吸部173的吸附定时。因而，能够实时地对第二抽吸部173进行前馈控制，从而能够更加可靠地使接合波变得均匀。

此外，也可以省略传感器175a而仅设置传感器175b。但是，由于传感器175a远离主体部170的中心部地配置，因此与传感器175b相比，传感器175a能够显著地掌握接合区域A的不均匀扩散。具体地说，例如在上晶圆W

另外，如图8所示，以往的接合区域A扩大为大致四边形形状。如果考虑该接合区域A的扩大的对称性，则也能够减少传感器175的个数。

例如也可以如图17的(a)～(b)所示那样将两个传感器175配置在主体部170的同一圆周上。即，至少在45°方向和90°方向上分别配置一个传感器175即可。在这种情况下，能够使用45°方向的传感器175来估计其它45°方向的接合区域A的扩大，另外，能够使用90°方向的传感器175来估计其它90°方向的接合区域A的扩大。

但是，在如图7所示那样遍及主体部170的圆周上的整周地设置传感器175的情况下，能够掌握上晶圆W

在以上的实施方式中，使用传感器175检测上晶圆W

在这种情况下，在上述实施方式的工序S13(图12)中，在使压动构件190的致动器部191下降时，利用激光位移计300测定致动器部191的位移。然后，在用该激光位移计300测定出的位移达到规定的阈值时，检测为将下晶圆W

这样，能够基于激光位移计300的测定结果来掌握接合区域A的开始，因此能够更加恰当地掌握接合波。另外，还能够基于激光位移计300的测定结果来控制抽吸部172～174的吸附定时。

此外，设置于压动构件190的位移计并不限定于激光位移计300，只要是能够测定致动器部191的位移的位移计，就能够任意地选择。

在以上的实施方式的上卡盘140中，对八个第二抽吸部173连接单独的第二真空泵173b，但一个第二真空泵173b也可以集中控制多个第二抽吸部173的动作。例如也可以用一个第二真空泵173b控制四个处于45°方向的第二抽吸部173。另外，也可以用一个第二真空泵173b控制四个处于90°方向的第二抽吸部173。

同样地，关于八个第一抽吸部172，也可以用一个第一真空泵172b集中控制多个第一抽吸部172的动作。

另外，抽吸部172～174的个数、配置并不限定于图7示出的例子。在主体部170中，同一圆周上的抽吸部的个数也可以是除八个以外的其它个数。另外，在主体部170中，抽吸部也可以被设置为三层以上。

在以上的实施方式的接合装置41中构成为能够使下卡盘141沿水平方向移动，但也可以构成为能够使上卡盘140沿水平方向移动，或者构成为能够使上卡盘140和下卡盘141两方沿水平方向移动。

另外，在以上的实施方式的接合装置41中构成为能够使下卡盘141沿铅垂方向移动，但也可以构成为能够使上卡盘140沿铅垂方向移动，或者构成为能够使上卡盘140和下卡盘141两方沿铅垂方向移动。

并且，在以上的实施方式的接合装置41中构成为能够使下卡盘141旋转，但也可以构成为能够使上卡盘140旋转，或者构成为能够使上卡盘140和下卡盘141两方旋转。

在以上的实施方式的接合系统1中，也可以在利用接合装置41将晶圆W

以上，一边参照所附附图一边对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述例子。如果是本领域技术人员，显然能够在权利要求书所记载的思想的范畴内想到各种变更例或修改例，且能够了解这些变更例或修改例当然也属于本发明的技术范围。本发明并不限于该例，能够采用各种方式。本发明还能够应用于基板为除晶圆以外的FPD(平板显示器)、光掩膜用的中间掩膜等其它基板的情况。