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减少气体排放的硅凝胶

文献发布时间:2023-06-19 12:21:13


减少气体排放的硅凝胶

技术领域

本发明涉及包含聚有机硅氧烷、氢化硅烷化催化剂、抑制剂或调节剂和掺杂热解二氧化钛的组合物,并涉及使用这些组合物将防护涂层应用到电气部件或电子部件或设备以及防护涂层本身。

背景技术

人们早就知道有机硅凝胶的存在,其包括含有链烯基的聚有机硅氧烷,例如乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷,其还包括聚有机氢化硅氧烷并与氢化硅烷化催化剂交联使用。

然而,温度高于150℃时,这些有机硅凝胶受到氧化降解,在含有甲基的硅氧烷聚合物的情况下导致包含一氧化碳和甲醛的气体的排放。

US 5,571,853描述了一种用于保护电气部件和电子部件的硅凝胶,其弹性模量较低而柔韧性良好。该文献中描述的硅凝胶包括乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷、未官能化的二甲基硅氧烷、有机氢化聚硅氧烷和氢化硅烷化催化剂。

US7,829,648描述了一种弹性模量较低的柔性硅凝胶,其不会流延。它包括含有烯基的聚硅氧烷、有机氢化聚硅氧烷和铂催化剂。

迄今没有已知的硅凝胶能够通过在高温下抑制氧化降解而降低气体排放。

因此,本发明的目的是提供一种硅氧烷凝胶制剂,其适合于在显著高于150℃的温度下使用而不会产生任何有害气体分解产物的释放。

本发明目的通过一种组合物得以实现,组合物包括:

a)30-99.799989%(重量)的至少一种包括至少两个烯基或炔基的直链或支链的聚有机硅氧烷作为组分A;

b)0.1-30%(重量)的至少一种包括至少三个Si-H基的直链或支链的聚有机硅氧烷作为组分B;

c)0.000001-1%(重量)的至少一种氢化硅烷化催化剂作为组分C;

d)0.00001-5%(重量)的至少一种选自D1和D2组的抑制剂或调节剂作为组分D:

D1:具有至少一个炔基和至少一个羟基的有机化合物;

D2:具有1到5个Si原子并包含至少两个烯基的无环或有环有机硅氧烷;

e)0.1-30%(重量)的至少一种掺杂热解二氧化钛作为组分E;

f)0-69.799989%(重量)的一种或多种包括两个Si-H端基或一个Si-H端基和一个烯基端基的直链或支链的聚有机硅氧烷作为组分F;

g)0-69.799989%(重量)的一种或多种其他直链或支链的聚有机硅氧烷作为组分G;

h)0-10%(重量)的一种或多种添加剂作为组分H;

其中,全部A到H的组分占100%(重量)。

令人惊讶地,已经发现的是,将掺杂热解二氧化钛,尤其是掺铁的热解二氧化钛添加到可被硬化以得到凝胶或涂层的有机硅氧烷制剂中来抑制有机聚硅氧烷的氧化降解,并因此减少排放气体分解产物。

令人惊讶地,本文还发现,气体分解产物的释放随组分E的含量的增加而增加,尽管后者抑制气体分解产物的释放。因此,保持较低组分E的含量是有利的。相反,如果用未掺杂的热解二氧化钛替代组分E,那么降解抑制效果随加入到聚有机硅氧烷的数量而增强。

聚有机硅氧烷混合物氧化降解的抑制和因此气体降解产物的释放的抑制在储存期间在显著高于150℃的温度下通过测量硅表面增加的硬化来测定。这是可能的,因为聚有机硅氧烷混合物的氧化降解导致无机二氧化硅的产生,该无机二氧化硅比聚有机硅氧烷混合物的硬度高。

附图说明

图1是发明示例1和比较示例1中的质量损失在储存期间在206℃下随储存时间绘制的图表。

图2是发明示例1和比较示例2中的穿透深度在储存期间在206℃下随储存时间绘制的图表。

图3是发明示例1到3中的穿透深度在储存期间在206℃下随储存时间绘制的图表。

发明内容

在一个优选的实施方式中,本发明的组合物包括:

a)50-99.69899%(重量)的组分A;

b)0.2-15%(重量)的组分B;

c)0.00001-1%(重量)的组分C;

d)0.001-3%(重量)的组分D;

e)0.1-10%(重量)的组分E;

f)0-49.69899%(重量)的组分F;

g)0-49.69899%(重量)的组分G;

h)0-10%(重量)的组分H;

其中,全部A到H的组分占重量的100%。

在一个特别优选的实施方式中,本发明的组合物包括:

a)80-99.5899%(重量)的组分A;

b)0.2-10%(重量)的组分B;

c)0.0001-0.5%(重量)的组分C;

d)0.01-2%(重量)的组分D;

e)0.2-5%(重量)的组分E;

f)0-19.5899%(重量)的组分F;

g)0-19.5899%(重量)的组分G;

h)0-10%(重量)的组分H;

其中,全部A到H的组分占重量的100%。

在一个优选的实施方式中,本发明的组合物包括34-99.799989%(重量)的组分A,0-65.799989%(重量)的组分F和0-65.799989%(重量)的组分G。

在一个特别优选的实施方式中,本发明的组合物包括34-99.799989%(重量)的组分A,0%(重量)的组分F,0%(重量)的组分G和0%(重量)的组分H。

在一个特别优选的实施方式中,本发明的组合物由A、B、C、D和E构成,其中全部A到E的组分占重量的100%。

在一个特别优选的实施方式中,本发明的组合物包括:

a)34-99.799989%(重量)的组分A;

b)0.1-30%(重量)的组分B;

c)0.000001-1%(重量)的组分C;

d)0.00001-5%(重量)的组分D;

e)0.1-30%(重量)的组分E;

f)0-65.799989%(重量)的组分F,特别是0%(重量)的组分F;

g)0-65.799989%(重量)的组分G,特别是0%(重量)的组分G;

h)0-10%(重量)的组分H,特别是0%(重量)的组分H;

其中,全部A到H的组分占重量的100%。

在进一步给出特别优选的实施方式中,本发明包括的组合物:

a)71-99.69899%(重量)的组分A;

b)0.2-15%(重量)的组分B;

c)0.00001-1%(重量)的组分C;

d)0.001-3%(重量)的组分D;

e)0.1-10%(重量)的组分E;

f)0-28.69899%(重量)的组分F,特别是0%(重量)的组分F;

g)0-28.69899%(重量)的组分G,特别是0%(重量)的组分G;

h)0-10%(重量)的组分H,特别是0%(重量)的组分H;

其中,全部A到H的组分占重量的100%。

在一个非常特别优选的实施方式中,本发明的组合物包括:

a)82.5-99.5899%(重量)的组分A;

b)0.2-10%(重量)的组分B;

c)0.0001-0.5%(重量)的组分C;

d)0.01-2%(重量)的组分D;

e)0.2-5%(重量)的组分E;

f)0-17.0899%(重量)的组分F,特别是0%(重量)的组分F;

g)0-17.0899%(重量)的组分G,特别是0%(重量)的组分G;

h)0-10%(重量)的组分H,特别是0%(重量)的组分H;

其中,全部A到H的组分占重量的100%。

在一个具体的实施方式中,本发明的组合物包括:

a)85.5-99.4899%(重量)的组分A;

b)0.2-10%(重量)的组分B;

c)0.0001-0.5%(重量)的组分C;

d)0.01-2%(重量)的组分D;

e)0.3-2%(重量)的组分E;

f)0-13.9899%(重量)的组分F,特别是0%(重量)的组分F;

g)0-13.9899%(重量)的组分G,特别是0%(重量)的组分G;

h)0-10%(重量)的组分H,特别是0%(重量)的组分H;

其中,全部A到H的组分占重量的100%。

在另一具体实施方式中,本发明的组合物包括:

a)92.5-99.4899%(重量)的组分A;

b)0.2-3%(重量)的组分B;

c)0.0001-0.5%(重量)的组分C;

d)0.01-2%(重量)的组分D;

e)0.3-2%(重量)的组分E;

f)0-6.9899%(重量)的组分F,特别是0%(重量)的组分F;

g)0-6.9899%(重量)的组分G,特别是0%(重量)的组分G;

h)0-10%(重量)的组分H,特别是0%(重量)的组分H;

其中,全部A到H的组分占重量的100%。

在另一个实施方式中,本发明的组合物包括:

a)30-99.798989%(重量)的组分A;

b)0.1-30%(重量)的组分B;

c)0.000001-1%(重量)的组分C;

d)0.00001-5%(重量)的组分D;

e)0.1-30%(重量)的组分E;

f)0.001-69.799989%(重量)的组分F;

g)0-69.798989%(重量)的组分G;

h)0-10%(重量)的组分H;

其中,全部A到H的组分占重量的100%。

在另一个实施方式中,本发明的组合物包括:

a)30-99.798989%(重量)的组分A;

b)0.1-30%(重量)的组分B;

c)0.000001-1%(重量)的组分C;

d)0.00001-5%(重量)的组分D;

e)0.1-30%(重量)的组分E;

f)0-69.798989%(重量)的组分F;

g)0.001-69.799989%(重量)的组分G;

h)0-10%(重量)的组分H;

其中,全部A到H的组分占重量的100%。

在另一个实施方式中,本发明的组合物包括:

a)30-99.797989%(重量)的组分A;

b)0.1-30%(重量)的组分B;

c)0.000001-1%(重量)的组分C;

d)0.00001-5%(重量)的组分D;

e)0.1-30%(重量)的组分E;

f)0.001-69.798989%(重量)的组分F;

g)0.001-69.798989%(重量)的组分G;

h)0-10%(重量)的组分H;

其中,全部A到H的组分占重量的100%。

本发明的组合物包括至少一种含有至少两个烯基或炔基的直链或支链的聚有机硅氧烷作为组分A。

优选的是,本发明的组合物包括至少一种含有至少两个烯基的直链的聚有机硅氧烷作为组分A。烯基优选是乙烯基,特别优选是乙烯基端基。

在一个优选的实施方式中,本发明的组合物包括至少一个直链聚有机硅氧烷作为组分A,其通式(Ⅳ)为

其中,R

在一个特别优选的实施方式中,本发明的组合物包括至少一个通式(Ⅳ)的直链聚有机硅氧烷作为组分A,其中,R

为了本发明的目的,表述“C

组分A的聚有机硅氧烷的粘度通常为1到500000mPa·s,优选为100到100000mPa·s,特别优选为100到10000mPa·s。

本发明的组合物包括30到99.799989%(重量)的组分A,优选包括50到99.69899%(重量)的组分A,特别优选包括为80到99.5899%(重量)的组分A。

在一个具体的实施方式中,本发明的组合物优选包括34到99.799989%(重量)的组分A,特别是71至99.69899%(重量)的组分A,非常特别是82.5至99.5899%(重量)的组分A。

本发明的组合物包括至少一种含有至少3个Si-H基的直链或支链聚有机硅氧烷作为组分B。

优选的是,本发明的组合物包括至少一种含有至少3个Si-H基的直链聚有机硅氧烷作为组分B。

特别优选的是,本发明的组合物包括至少一种含有至少3个Si-H基的直链聚二甲基硅氧烷作为组分B。

组分B的聚有机硅氧烷中Si-H含量通常为0.5到20mmol/g,优选为1到10mmol/g,特别优选为1至8mmol/g,特别为4到8mmol/g。

非常特别优选的是,本发明的组合物包括至少一种含有至少3个Si-H基的直链聚二甲基硅氧烷作为组分B,其中该聚二甲基硅氧烷中Si-H含量为4到8mmol/g。

组分B的聚有机硅氧烷的粘度通常为1到10000mPa·s,优选为1到1000mPa·s,特别优选为5到100mPa·s。

本发明的组合物包括0.1到30%(重量)的组分B,优选包括0.2到15%(重量)的组分B,特别优选包括0.2到10%(重量)的组分B。

本发明的组合物包括至少一种氢化硅烷化催化剂作为组分C。

优选的是,本发明的组合物包括基于铂族金属的氢化硅烷化催化剂作为组分C。为了本发明的目的,表述“铂族金属”是指金属钌、铑、钯、锇、铱和铂。优选的是基于铂的氢化硅烷化催化剂。进一步优选的氢化硅烷化催化剂是铂-烯基硅氧烷复合物。特别优选的是选自由铂-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷复合物(Karstedt复合物)、铂-1,3-二烯丙基-1,1-3,3-四甲基二硅氧烷复合物、铂-1,3-二乙烯基-1,3-二甲基-1,3-二苯基二硅氧烷复合物、铂-1,1,3,3-四苯基二硅氧烷复合物和铂-1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷复合物构成的组中的氢化硅烷化催化剂。非常特别优选的是,氢化硅烷化催化剂是铂-1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷复合物(Karstedt复合物)。

本发明的组合物包括0.000001到1%(重量)的组分C,优选为0.00001到1%(重量)的组分C,特别优选为0.0001到0.5%(重量)的组分C。

本发明的组合物包括至少一种选自D1和D2组的抑制剂或调节剂作为组分D:

D1:具有至少一个炔基和至少一个羟基的有机化合物;

D2:具有1到5个Si原子并包含至少两个烯基的无环或有环有机硅氧烷;

组D1的化合物优选为3到18个碳原子,特别优选为4到16个碳原子,非常特别优选为4到12个碳原子。

优选的是,组D1由精确地具有一个炔基和精确地具有一个羟基的有机化合物构成。

特别优选的是,组D1由精确地具有一个炔基端基和精确地具有一个羟基的有机化合物构成。

在另一个特别的实施方式中,组D1由通式(Ⅰ)的炔醇构成,

其中,R

R

为了本发明的目的,表述“C

在一个实施方式中,C

优选的是,组D1由通式(I)的炔醇构成,其中R

特别优选的是,组D1由通式(I)的炔醇构成,其中R

非常特别优选的是,组D1由炔醇2-甲基-3-丁炔-2-醇以及3,5-二甲基-1-己炔-3-醇构成,特别是炔醇3,5-二甲基-1-己炔-3-醇。

优选的是,组D2由具有2到4个硅原子并含有至少两个烯基的无环或有环有机硅氧烷构成。

特别优选的是,组D2由有机硅氧烷四甲基二乙烯基硅氧烷、三甲基三乙烯基环三硅氧烷和四甲基四乙烯基环四硅氧烷构成。

非常特别优选的是,组D2由有机硅氧烷四甲基二乙烯硅氧烷和四甲基四乙烯基环四硅氧烷构成,特别是有机硅氧烷四甲基二乙烯基硅氧烷。

这些化合物四甲基二乙烯基硅氧烷、三甲基三乙烯基环三硅氧烷和四甲基四乙烯基环四硅氧烷描述如下:

在一个实施方式中,本发明的组合物包括精确的一种选自组D1和D2的抑制剂或调节剂作为组分D。

在一个实施方式中,本发明的组合物不包括组D2的抑制剂或调节剂作为组分D。

在另一个实施方式中,本发明的组合物包括精确的一种抑制剂或调节剂作为组分D,其为选自组D1的抑制剂或调节剂。

在一个实施方式中,本发明的组合物不包括组D1的抑制剂或调节剂作为组分D。

在另一个实施方式中,本发明的组合物包括精确的一种抑制剂或调节剂作为组分D,其为选自组D2的抑制剂或调节剂。

在一个优选实施方式中,本发明的组合物包括至少两种选自组D1和D2的抑制剂或调节剂作为组分D。

在另一个优选实施方式中,本发明的组合物包括精确的两种选自组D1和D2的抑制剂或调节剂作为组分D。

在一个特别优选的实施方式中,本发明的组合物包括至少一种选自组D1的抑制剂或调节剂和至少一种选自组D2的抑制剂或调节剂作为组分D。

优选的是,至少一种选自组D1的抑制剂或调节剂的总重与至少一种选自组D2的抑制剂或调节剂的总重(重量:重量)的比率为1:1到1:50的范围,特别是1:5到1:20的范围,非常特别的是1:10到1:15的范围。

在另一个特别优选的实施方式中,本发明的组合物包括精确的一种选自组D1的抑制剂或调节剂和精确的一种选自组D2的抑制剂或调节剂作为组分D。

优选的是,选自组D1的抑制剂或调节剂与选自组D2的抑制剂或调节剂(重量:重量)的比率为1:1到1:50的范围,特别是1:5到1:20的范围,非常特别的是1:10到1:15的范围。

本发明的组合物包括0.00001到5%(重量)的组分D,优选为0.001到3%(重量)的组分D,特别优选为0.01到2%(重量)的组分D。

催化剂的活性可以通过组分D的浓度来控制。

本发明的组合物包括至少一种掺杂热解二氧化钛作为组分E。

对于本领域技术人员,表述“热解二氧化钛”是公知的。热解二氧化钛可以以举例的方式通过四氯化钛的火焰水解制备。商业可购的热解二氧化钛的实例是产自赢创(Evonik)的

对于本领域技术人员,表述“掺杂热解二氧化钛”是公知的。掺杂热解二氧化钛可以以举例的方式通过四氯化钛和另一个酰氯(根据掺杂质)的火焰水解制备。有可能通过实施例的方式使用三氯化铁作为其他氯化物来生产掺铁的热解二氧化钛。商业可购的掺铁热解二氧化钛的实例是产自赢创(Evonik)的

在一个优选的实施方式中,本发明的组合物包括至少一种选自由掺铁热解二氧化钛、掺铝热解二氧化钛、掺铈热解二氧化钛和掺锆热解二氧化钛构成的组中的掺杂热解二氧化钛作为组分E。

在一个特别优选的实施方式中,本发明的组合物包括至少一种掺铁热解二氧化钛作为组分E。

掺铁热解二氧化钛可以以举例的方式通过四氯化钛和三氯化铁的火焰水解制备。

掺铁热解二氧化钛中铁与钛(重量:重量)的比率优选为0.0001到0.1的范围,特别优选为0.001至0.1的范围,非常特别优选为0.01到0.05的范围。

在一个优选的实施方式中,掺铁热解二氧化钛中铁含量为0.01到10%(重量),特别是从0.1到10%(重量),非常特别是1到5%(重量),特别是1到2%(重量)。

在另一个优选的实施方式中,掺铁热解二氧化钛中铁含量为0.01到10%(重量),特别是从0.1到10%(重量),非常特别是1到5%(重量),特别是1到3%(重量)。

组分E的优选掺铁的掺杂热解二氧化钛的比表面积(通过BET法测定)通常是30到400m

组分E的优选掺铁的掺杂热解二氧化钛的平均粒径通常为10到300nm,优选为10到200nm,特别优选为10到100nm,非常特别优选为10到50nm。

组分E的优选掺铁的掺杂热解二氧化钛的装填密度(tamped density)(根据DINEN ISO 787/11测定)通常为10到500g/l,优选为30到200g/l,特别是优选为50到150g/l,非常特别优选为80到120g/l。

本发明的组合物包括0.1到30%(重量)的组分E,优选为0.1到10%(重量)的组分E,特别优选为0.2到5%(重量)的组分E。

在一个具体的实施方式中,本发明的组合物包括0.3到2%(重量)的组分E。

本发明的组合物任选地包括一种或多种含有两个Si-H端基或一个Si-H端基和一个烯基端基的直链或支链聚有机硅氧烷作为组分F。

优选的是,组分F是一种或多种含有两个Si-H端基或一个Si-H端基和一个烯基端基的直链聚有机硅氧烷。

在一个优选的实施方式中,组分F是一种或多种通式(Ⅱ)的聚有机硅氧烷,

其中

R

R

m是1到400的数字。

R

R

M优选为2到400的数字。

在一个特别优选的实施方式中,组分F是一种或多种通式(Ⅱ)的聚有机硅氧烷,其中R

为了本发明的目的,表述“C

组分F的聚有机硅氧烷的粘度通常为1到10000mPa·s,优选为10到1000mPa·s,特别优选为10到50mPa·s。

本发明的组合物包括0到69.799989%(重量)的组分F,优选为0到49.69899%(重量)的组分F,特别优选为0到19.5899%(重量)的组分F。

在一个具体的实施方式中,本发明的组合物优选包括0到65.799989%(重量)的组分F,特别是0至28.69899%(重量)的组分F,非常特别是0到17.0899%(重量)的组分F。

在一个实施方式中,本发明的组合物包括0%(重量)的组分F。

本发明的组合物任选地包括一种或多种其它的直链或支链聚有机硅氧烷作为组分G。

优选的是,组分G是一种或多种直链聚有机基硅氧烷。

特别优选的是,组分G是一种或多种直链聚二甲基硅氧烷。

在一个优选的实施方式中,组分G是一种或多种通式(Ⅲ)的聚有机硅氧烷,

其中

R

R

p是1到2000的数字。

R

R

p优选为10到1000的数字,特别是10到900的数字。

在一个特别优选的实施方式中,组分G是一种或多种通式(Ⅲ)的聚有机硅氧烷,其中R

组分G的聚有机硅氧烷的粘度通常为1到100000mPa·s,优选为10到10000mPa·s。

本发明的组合物包括0到69.799989%(重量)的组分G,优选为0到49.69899%(重量)的组分G,特别优选为0到19.5899%(重量)的组分G。

在一个具体的实施方式中,本发明的组合物优选包括0到65.799989%(重量)的组分G,特别是0至28.69899%(重量)的组分G,非常特别是0到17.0899%(重量)的组分G。

在一个实施方式中,本发明的组合物包括0%(重量)的组分G。

本发明的组合物任选地包括一种或多种添加剂作为组分H。

组分H的添加剂特别是常规的添加剂。

优选的是,组分H是一种或多种选自颜料、染料、粘合促进剂、阻燃剂、UV稳定剂和UV荧光标记物的添加剂。

本发明的组合物包括0到10%(重量)的组分H,优选为0到10%(重量)的组分H,特别优选为0到10%(重量)的组分H。

在一个实施方式中,本发明的组合物包括0%(重量)的组分H。

本发明的组合物中Si-H基与Si-烷基的摩尔比优选为0.3到5的范围,特别优选为0.3到2,非常特别优选为0.3至1.5的范围。

本发明的组合物的剪切粘度在剪切速率为10s

对于本发明的目的,术语“粘度”总是指动态粘度(η),其单位为N·s·m

表述“剪切粘度”与术语“粘度”意思相同。特别是当粘度基于特定的剪切速率表述时,用表述“剪切粘度”代替术语“粘度”。这仅旨在表明粘度变化作为剪切速率的函数。

粘度可以通过本领域技术人员公知的各种方法来测定。以举例的方式,动态粘度可以借助毛细管粘度计、落球粘度计或旋转流变仪来测定。粘度测定的全面描述可在Meichsner,G./Mezger,T.G./

除非另有明确地说明,本申请中列出的所有粘度都是基于室温(23℃)。

为了实现在本发明的组合物的储存稳定性的进一步改进,可能的是,适当情况下将组分A到E和F到H分成两部分混合物,其中,适当情况下将组分C添加到部分混合物,该部分混合物与加入组分B和组分F的部分混合物不同。两部分混合物可以通过举例的方式使用前与另一种简单混合。

本发明还提供一种用于将保护涂层涂覆到电气或电子部件或装置的方法,包括以下步骤:

a)提供根据本发明的组合物;

b)将组合物涂覆到电气或电子部件或装置;且

c)固化应用的组合物,从而形成保护涂层。

步骤b)中的应用通常通过本领域技术人员公知的常规方法实现。这些方法的实例是真空铸造和其他铸造方法。

步骤c)中的固化可在室温下进行。优选的是,步骤c)中的固化通过加热来实现。

如果固化是通过加热实现,这通常通过本领域技术人员公知的常规方法来实现。例如可以使用烘箱或电磁辐射。

优选的是,应用的组合物在室温到250℃的温度下固化,尤其是室温到150℃。

本发明的方法中涂覆的保护涂层的厚度通常为0.01到30cm,优选为0.1到30cm。

本发明的方法特别适用于将保护涂层涂覆到长期暴露在温度≥150℃的电气或电子部件或装置。

特别地,本发明的方法也适合于将保护涂层涂覆到IGBTs(绝缘栅双极晶体管)、控制模块、电路板和半导体,特别是在汽车行业和电力电子行业中。本发明的方法也可用于高电压应用。

本发明进一步提供本发明的用于将保护涂层涂覆到电气或电子部件或装置的组合物的用法。

本发明还提供通过本发明的方法得到的在电气或电子部件或装置上的保护涂层。

本发明还提供本发明保护涂层或通过本发明的方法得到的保护涂层在其上涂覆的电气或电子部件或装置。

以下实施例将进一步解释本发明。

具体实施例

将所有下面列出的混合物添加到铝盘中,加热至120℃并持续72小时以实现完全交联。然后将该盘在206℃下在对流烘箱中储存。在储存时间中,在这里监测气体排放。为此目的,间隔测定穿透硬度和/或质量损失。

穿透硬度根据DIN EN ISO 2137使用PNR10德国(Petrotest)设备进行测量。穿透头部为1/4标度锥。

产自Hanse Evonik的聚合物VS 2000在发明实施例和比较实施例中用作组分A。这是在两端具有乙烯基的直链聚二甲基硅氧烷。

产自BRB International B.V.的交联剂1595H7在发明实施例和比较实施例中用作组分B。这是具有7mmol/g Si-H含量的直链聚二甲基硅氧烷。

产自赢创(Evonik)的掺铁热解二氧化钛

比较实施例1

将粘度为2000mPa·s的1985.42份(重量)二乙烯基聚二甲基硅氧烷(组分A)、含有7mmol/g的Si-H含量的13.5份(重量)聚二甲基硅氧烷(组分B)、0.08份(重量)3,5-二甲基-1-己炔-3-醇(组分D)和1份(重量)1%的Karstedt复合物(组分C)的1,2-二乙烯基四甲基二硅氧烷(组分D)溶液的混合物充分混合。然后将混合物在206℃下交联72小时。储存过程中,在206℃下测定损失的质量。

发明实施例1

将粘度为2000mPa·s的1985.42份(重量)二乙烯基聚二甲基硅氧烷(组分A)、含有7mmol/g的Si-H含量的13.5份(重量)聚二甲基硅氧烷(组分B)、0.08份(重量)3,5-二甲基-1-己炔-3-醇(组分D)、1份(重量)1%的Karstedt复合物(组分C)的1,2-二乙烯基四甲基二硅氧烷(组分D)溶液和10份(重量)掺铁热解二氧化钛(组分E)混合物充分混合。然后将混合物在206℃下交联72小时。储存过程中,在206℃下测定穿透硬度和损失的质量。

图1绘出了在储存过程中在206℃下,发明实施例1和比较实施例1的对应以天数形式的储存时间(横坐标)以%形式的质量损失(纵坐标)。时刻x处的质量损失基于0时刻的质量,即在206℃开始储存的时刻,并计算如下:

质量损失%(时刻x)=

(质量(0时刻))-质量(时刻X)]/质量(0时刻))}·100

从图1中可以看出的是,发明实施例1中的质量损失显著低于比较实施例1中的质量损失,即,掺铁热解二氧化钛的使用显著降低了质量损失。

比较实施例2

将粘度为2000mPa·s的1985.42份(重量)二乙烯基聚二甲基硅氧烷(组分A)、含有7mmol/g的Si-H含量的13.5份(重量)聚二甲基硅氧烷(组分B)、0.08份(重量)3,5-二甲基-1-己炔-3-醇(组分D)、1份(重量)1%的Karstedt复合物(组分C)的1,2-二乙烯基四甲基二硅氧烷(组分D)溶液和10份(重量)未掺杂的热解二氧化钛的混合物充分混合。然后将混合物在206℃下交联72小时。储存过程中,在206℃下测定穿透硬度。

图2绘出了在储存过程中在206℃下,发明实施例1和比较实施例2的对应以小时形式的储存时间(横坐标)的以mm形式的穿透深度(纵坐标)。

从图2可以看出的是,掺铁热解二氧化钛在防止穿透硬度的增加上比未掺杂的热解二氧化钛更有效。

发明实施例2

将粘度为2000mPa·s的1985.42份(重量)二乙烯基聚二甲基硅氧烷(组分A)、含有7mmol/g的Si-H含量的13.5份(重量)聚二甲基硅氧烷(组分B)、0.08份(重量)3,5-二甲基-1-己炔-3-醇(组分D)、1份(重量)1%的Karstedt复合物(组分C)的1,2-二乙烯基四甲基二硅氧烷(组分D)溶液和20份(重量)掺铁的热解二氧化钛(组分E)的混合物充分混合。然后将混合物在206℃下交联72小时。储存过程中,在206℃下测定穿透硬度。

发明实施例3

将粘度为2000mPa·s的1985.42份(重量)二乙烯基聚二甲基硅氧烷(组分A)、含有7mmol/g的Si-H含量的13.5份(重量)聚二甲基硅氧烷(组分B)、0.08份(重量)3,5-二甲基-1-己炔-3-醇(组分D)、1份(重量)1%的Karstedt复合物(组分C)的1,2-二乙烯基四甲基二硅氧烷(组分D)溶液和30份(重量)掺铁的热解二氧化钛(组分E)的混合物充分混合。然后将混合物在206℃下交联72小时。储存过程中,在206℃下测定穿透硬度。

图3绘出了在储存过程中在206℃下,发明实施例1到3的对应以小时形式的储存时间(横坐标)的以mm形式的穿透深度(纵坐标)。

从图3可以看出的是,存在掺铁热解二氧化钛的理想浓度。如果超过这个值,氧化降解增加且硬度增加。此行为令人惊奇且不可预见。

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