一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构

技术领域

本发明属于电子元器件技术领域，具体是一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构。

背景技术

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能，晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上，严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等，晶体管有时多指晶体三极管，晶体管主要分为两大类：双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。

现有的高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构在使用过程中存在以下不足：

1、现有的高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构的晶体管的电极硬度较低，在使用过程中容易将电极压弯或者碰断，造成高性能碳化硅半导体场效应晶体管的损坏；

2、现有的高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构在使用过程中，当高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构内部发生故障时，维修不便；

3、现有的高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构内部走线无固定，布线不合理会导致电线交错的缠绕在一起，容易造成高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构的毁坏。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，包括场效应晶体管本体，所述场效应晶体管本体包括场效应晶体管底座和场效应晶体管外腔，所述场效应晶体管外腔内扣在场效应晶体管底座的顶面上，所述场效应晶体管底座与场效应晶体管外腔之间设置有若干组走线架，所述场效应晶体管底座的一侧开设有三个转动槽，三个所述转动槽的内部分别设置有铰轴一，所述铰轴一上转动连接有T型连接架，所述场效应晶体管底座的一侧通过三个所述T型连接架分别设置有晶体管集电极、晶体管基极和晶体管发射极。

作为本发明再进一步的方案：所述场效应晶体管底座的顶面上开设有供场效应晶体管外腔架设的内凹槽，所述内凹槽左侧内壁的中间位置开设有卡槽，所述内凹槽右侧内壁的两端位置开设有固定槽，所述场效应晶体管外腔与内凹槽镶嵌的左端面上开设有内凹的镂空槽，所述镂空槽内部上下两侧水平设置有导向杆，所述导向杆上滑动连接有导向块，所述导向块的右侧端面上设置有弹簧，所述弹簧的另一端与镂空槽的内壁相抵，所述导向块的左侧端面上设置有与卡槽相适配的卡块，所述卡块的纵向两侧面上分别设置有销轴；

所述场效应晶体管外腔的顶面左端开设有矩形槽口，所述矩形槽口的内部设置有铰轴二，所述铰轴二上转动连接有转动环，所述转动环上分别连接有把手和连接板，所述把手和连接板在转动环上呈V型结构，所述连接板的底端开设有U型槽口，所述连接板的U型槽口两侧壁上开设有导向槽，所述连接板两侧的导向槽卡接在卡块两侧的销轴上，所述场效应晶体管外腔的右端面两端位置开设有与固定槽相适配的固定块，所述场效应晶体管外腔右端面的固定块插接在场效应晶体管底座的固定槽内。

作为本发明再进一步的方案：所述卡块内嵌在场效应晶体管底座的卡槽内时，把手在矩形槽口内部位于水平状态。

作为本发明再进一步的方案：所述走线架包括若干条设置在场效应晶体管底座内凹槽内的走线板，所述内凹槽内部底面上开设有若干条条形槽，所述走线板通过底面的限位块卡接在条形槽内，所述走线板上等距开设有若干个走线槽，所述走线槽的两侧开设有定位孔，所述走线槽的上方设置有限位条，所述限位条底面两端设置有与定位孔相适配的定位胶头，所述限位条通过定位胶头卡接在定位孔内。

作为本发明再进一步的方案：所述走线槽的左端在竖直方向上投影面积呈喇叭状结构，且开口左端大、右端小。

作为本发明再进一步的方案：所述场效应晶体管外腔的底面上固定设置有软胶板，所述软胶板与限位条的相抵。

作为本发明再进一步的方案：所述T型连接架包括套筒、连接套管、下连接腔和上连接腔，所述T型连接架通过套筒转动连接在铰轴一上，所述套筒的外圆周面上固定设置有连接套筒，所述连接套筒内部开设阶梯槽口，通过阶梯槽口分为下连接腔和上连接腔，所述下连接腔和上连接腔的内壁上均开设有内螺纹，所述晶体管集电极、晶体管基极和晶体管发射极的端面上焊接有螺柱，所述晶体管集电极、晶体管基极和晶体管发射极通过末端的螺柱螺纹连接在下连接腔的螺纹孔内，所述上连接腔的螺纹孔内通过连接有防护管，所述晶体管集电极、晶体管基极、晶体管发射极分别位于防护管的内部。

作为本发明再进一步的方案：所述防护管的外圆周面上开设有散热孔。

作为本发明再进一步的方案：所述场效应晶体管底座的纵向两侧开设有若干个通风口，所述通风口呈锥台结构，所述通风口锥台结构的小口端位于场效应晶体管底座的外表面上，且在通风口的小口端设置有防尘网，所述通风口的大口端正对场效应晶体管底座的内凹槽。

作为本发明再进一步的方案：所述场效应晶体管底座的底面开设有供晶体管集电极、晶体管基极、晶体管发射极放置的限位槽，所述场效应晶体管底座的底面上开设有磨砂纹。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、本发明中通过设置T型连接架，将晶体管集电极、晶体管基极和晶体管发射极通过的螺柱螺纹连接在T型连接架的下连接腔内，并通过在T型连接架的上连接腔内螺纹连接防护管，通过三根防护管分别对晶体管集电极、晶体管基极和晶体管发射极进行防护保护，能够有效避免晶体管集电极、晶体管基极和晶体管发射极在使用过程中发生折弯或者损坏，同时在防护管上开设散热孔，使场效应晶体管本体能够达到散热要求；

2、本发明中将场效应晶体管外腔卡接在场效应晶体管底座的内凹槽内，当场效应晶体管本体内部结构发生故障时，维修人员通过手动向上扳动把手，使把手驱动转动环带动连接板向右侧移动，使连接板经导向槽拉动卡块退出卡槽，向上拉动把手，从而实现场效应晶体管外腔在场效应晶体管底座的开启，使场效应晶体管外腔在场效应晶体管底座的启闭更加简单方便，无需借助外部辅助工具，便于操作人员维修，灵活性高；

3、本发明中在场效应晶体管底座与场效应晶体管外腔之间设置走线架，通过在走线板上开设有走线槽，将走线槽设置成左端开口大、右端开口小的喇叭状结构，使走线槽能够实现对多根导线进行整合安装，使场效应晶体管本体内部结构组装更加合理，降低场效应晶体管底座本体的故障率，提高场效应晶体管底座本体的使用寿命。

附图说明

为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本发明作进一步的说明。

图1为一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构的立体图。

图2为一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构中场效应晶体管底座的结构示意图。

图3为一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构中场效应晶体管外腔的结构示意图。

图4为一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构中限位条的结构示意图。

图5为一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构中限位槽的结构示意图。

图6为一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构中T型连接架的结构示意图。

图7为一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构中防护管的结构示意图。

图中：1、场效应晶体管底座；101、内凹槽；102、转动槽；103、晶体管集电极；104、晶体管基极；105、晶体管发射极；106、防护管；1061、散热孔；107、T型连接架；1071、套筒；1072、连接套管；1073、下连接腔；1074、上连接腔；108、铰轴一；109、限位槽；110、通风口；111、防尘网；112、卡槽；113、固定槽；114、条形槽；2、场效应晶体管外腔；201、矩形槽口；202、把手；203、铰轴二；204、转动环；205、连接板；206、导向槽；207、镂空槽；208、导向杆；209、导向块；210、弹簧；211、卡块；212、销轴；213、软胶板；3、走线架；301、走线槽；302、定位孔；303、限位条；304、定位胶头。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

请参阅图1-2，本发明实施例中，一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，包括场效应晶体管本体，所述场效应晶体管本体包括场效应晶体管底座1和场效应晶体管外腔2，所述场效应晶体管外腔2内扣在场效应晶体管底座1的顶面上，所述场效应晶体管底座1与场效应晶体管外腔2之间设置有若干组走线架3，所述场效应晶体管底座1的一侧开设有三个转动槽102，三个所述转动槽102的内部分别设置有铰轴一108，所述铰轴一108上转动连接有T型连接架107，所述场效应晶体管底座1的一侧通过三个所述T型连接架107分别设置有晶体管集电极103、晶体管基极104和晶体管发射极105，所述场效应晶体管底座1的底面开设有供晶体管集电极103、晶体管基极104、晶体管发射极105放置的限位槽109。

将场效应晶体管本体的场效应晶体管底座1和场效应晶体管外腔2采用分体设计，从而有利于场效应晶体管本体的组装生产，有利于提高将场效应晶体管本体的生产效率，同时通过在场效应晶体管底座1和场效应晶体管外腔2设置走线架3，通过走线架3有利于对场效应晶体管本体内的排列进行整合布置，降低场效应晶体管本体的故障率，并通过在场效应晶体管底座1的底面开设有供晶体管集电极103、晶体管基极104、晶体管发射极105放置的限位槽109，对晶体管集电极103、晶体管基极104、晶体管发射极105实现有效保护。

实施例二

请参阅图3，本实施例与实施例1基本相同，优选地，所述场效应晶体管底座1的顶面上开设有供场效应晶体管外腔2架设的内凹槽101，所述内凹槽101左侧内壁的中间位置开设有卡槽112，所述内凹槽101右侧内壁的两端位置开设有固定槽113，所述场效应晶体管外腔2与内凹槽101镶嵌的左端面上开设有内凹的镂空槽207，所述镂空槽207内部上下两侧水平设置有导向杆208，所述导向杆208上滑动连接有导向块209，所述导向块209的右侧端面上设置有弹簧210，所述弹簧210的另一端与镂空槽207的内壁相抵，所述导向块209的左侧端面上设置有与卡槽112相适配的卡块211，所述卡块211的纵向两侧面上分别设置有销轴212；所述场效应晶体管外腔2的顶面左端开设有矩形槽口201，所述矩形槽口201的内部设置有铰轴二203，所述铰轴二203上转动连接有转动环204，所述转动环204上分别连接有把手202和连接板205，所述把手202和连接板205在转动环204上呈V型结构，所述连接板205的底端开设有U型槽口，所述连接板205的U型槽口两侧壁上开设有导向槽206，所述连接板205两侧的导向槽206卡接在卡块211两侧的销轴212上，所述场效应晶体管外腔2的右端面两端位置开设有与固定槽113相适配的固定块，所述场效应晶体管外腔2右端面的固定块插接在场效应晶体管底座1的固定槽113内，所述卡块211内嵌在场效应晶体管底座1的卡槽112内时，把手202在矩形槽口201内部位于水平状态。

本实施例中，当场效应晶体管外腔2卡接在场效应晶体管底座1的内凹槽101上时，通过手动逆时针扳动把手202，使把手202驱动转动环204带动连接板205向右侧移动，卡块211带动导向块209在导向杆208上向右侧移动，实现导向块209对弹簧210的挤压，使卡块211的端面与场效应晶体管外腔2的左端面平齐，向下压场效应晶体管外腔2，使卡块211与卡槽112在水平方向上对齐，通过弹簧210的弹力作用，实现将卡块211导入卡槽112内，实现场效应晶体管外腔2在场效应晶体管底座1的闭合；

当场效应晶体管本体内部结构发生故障时，需要将场效应晶体管外腔2在场效应晶体管底座1打开时，维修人员通过手动向上扳动把手202，使把手202驱动转动环204带动连接板205向右侧移动，使连接板205经导向槽206拉动卡块211退出卡槽112，向上拉动把手202，从而实现场效应晶体管外腔2在场效应晶体管底座1的开启，操作方便。

实施例三

请参阅图2，本实施例与实施例1基本相同，优选地，所述走线架3包括若干条设置在场效应晶体管底座1内凹槽101内的走线板，所述内凹槽101内部底面上开设有若干条条形槽114，所述走线板通过底面的限位块卡接在条形槽114内，所述走线板上等距开设有若干个走线槽301，所述走线槽301的两侧开设有定位孔302，所述走线槽301的上方设置有限位条303，所述限位条303底面两端设置有与定位孔302相适配的定位胶头304，所述限位条303通过定位胶头304卡接在定位孔302内，所述走线槽301的左端在竖直方向上投影面积呈喇叭状结构，且开口左端大、右端小。

本实例中，通过在走线板上开设有走线槽301，将走线槽301设置成左端开口大、右端开口小的喇叭状结构，使走线槽301能够实现对多根导线进行整合安装，使场效应晶体管本体内部结构组装更加合理，降低场效应晶体管底座本体的故障率，提高场效应晶体管底座本体的使用寿命。

实施例四

请参阅图4，本实施例与实施例1基本相同，优选地，所述场效应晶体管外腔2的底面上固定设置有软胶板213，所述软胶板213与限位条303的相抵。

本实施例中，通过场效应晶体管外腔2底面上的软胶板213实现对限位条303的压紧，从而使限位条303对场效应晶体管本体内部的导向整合更加紧密。

实施例五

请参阅图1、图6和图7，本实施例与实施例1基本相同，优选地，所述T型连接架107包括套筒1071、连接套管1072、下连接腔1073和上连接腔1074，所述T型连接架107通过套筒1071转动连接在铰轴一108上，所述套筒1071的外圆周面上固定设置有连接套筒1071，所述连接套筒1071内部开设阶梯槽口，通过阶梯槽口分为下连接腔1073和上连接腔1074，所述下连接腔1073和上连接腔1074的内壁上均开设有内螺纹，所述晶体管集电极103、晶体管基极104和晶体管发射极105的端面上焊接有螺柱，所述晶体管集电极103、晶体管基极104和晶体管发射极105通过末端的螺柱螺纹连接在下连接腔1073的螺纹孔内，所述上连接腔1074的螺纹孔内通过连接有防护管106，所述晶体管集电极103、晶体管基极104、晶体管发射极105分别位于防护管106的内部，所述防护管106的外圆周面上开设有散热孔1061。

本实施中，通过设置T型连接架107，将晶体管集电极103、晶体管基极104和晶体管发射极105通过的螺柱螺纹连接在T型连接架107的下连接腔1073内，并通过在T型连接架107的上连接腔1073内螺纹连接防护管106，通过三根防护管106分别对晶体管集电极103、晶体管基极104和晶体管发射极105进行防护保护，能够有效避免晶体管集电极103、晶体管基极104和晶体管发射极105在使用过程中发生折弯或者损坏，同时在防护管106上开设散热孔1061，使场效应晶体管本体能够达到散热要求。

实施例六

请参阅图2，本实施例与实施例1基本相同，优选地，所述场效应晶体管底座1的纵向两侧开设有若干个通风口110，所述通风口110呈锥台结构，所述通风口110锥台结构的小口端位于场效应晶体管底座1的外表面上，且在通风口110的小口端设置有防尘网111，所述通风口110的大口端正对场效应晶体管底座1的内凹槽101。

本实施例中，能够有效实现场效应晶体管本体的散热效果和隔尘效果，提高场效应晶体管本体的使用年限。

实施例七

请参阅图5，本实施例与实施例1基本相同，优选地，所述场效应晶体管底座1的底面上开设有磨砂纹。

本实施例中，通过场效应晶体管底座1底面的磨砂纹，有利于场效应晶体管底座1的放置安装。

尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。