激光转印方法

技术领域

本发明涉及激光转印技术领域，具体涉及一种半导体器件的非晶硅激光转印方法。

背景技术

非晶硅是在半导体和太阳电池领域广泛利用的半导体材料，如通过激光转印的方法在半导体器件表面制备图案化的非晶硅层，该方法使用激光照射非晶硅靶材，将靶材上的非晶硅转印至半导体器件表面，形成图案化的非晶硅层。现有的非晶硅靶材一般采用平整的石英材料作为载板，板状非晶硅靶材在激光转印工艺过程中通常使用寿命只有一次，板状非晶硅靶材有大部分区域被浪费，这极大的增加了非晶硅激光转印的成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种激光转印方法，将板状非晶硅靶材分出多个转印区域；

首次激光照射前，使某个未被激光照射的转印区域与激光器的照射路径正对，以靶材上与照射路径正对、且未被激光照射的转印区域为待转印区域；

每次激光照射时，将待激光转印非晶硅的半导体器件置于靶材正下方，且使半导体器件需要转印非晶硅的区域与靶材的待转印区域正对；激光器按照预定的照射路径对靶材的待转印区域进行激光照射，使靶材上被激光照射区域的非晶硅转印至半导体器件表面，在半导体器件表面形成与照射路径相对应的图案化的非晶硅层；以靶材上已被激光照射过的区域为已转印区域；

每次激光照射后，使靶材的已转印区域移出照射路径，且使靶材上另一个未被激光照射的转印区域与激光器的照射路径正对，使该转印区域成为后次激光照射的待转印区域；

使靶材上的转印区域依次得到激光照射，直至靶材上所有的转印区域都完成激光照射。

本发明的优点和有益效果在于：提供一种激光转印方法，将板状非晶硅靶材分出多个转印区域，通过调整靶材位置使靶材上的转印区域依次得到激光照射，在保证转印效果的同时实现靶材的多次利用，能够大幅降低靶材的成本。

具体实施方式

下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

本发明提供一种激光转印方法，将板状非晶硅靶材分出多个转印区域；

首次激光照射前，使某个未被激光照射的转印区域与激光器的照射路径正对，以靶材上与照射路径正对、且未被激光照射的转印区域为待转印区域；

每次激光照射时，将待激光转印非晶硅的半导体器件置于靶材正下方，且使半导体器件需要转印非晶硅的区域与靶材的待转印区域正对；激光器按照预定的照射路径对靶材的待转印区域进行激光照射，使靶材上被激光照射区域的非晶硅转印至半导体器件表面，在半导体器件表面形成与照射路径相对应的图案化的非晶硅层；以靶材上已被激光照射过的区域为已转印区域；

每次激光照射后，使靶材的已转印区域移出照射路径，且使靶材上另一个未被激光照射的转印区域与激光器的照射路径正对，使该转印区域成为后次激光照射的待转印区域；

使靶材上的转印区域依次得到激光照射，直至靶材上所有的转印区域都完成激光照射。

本发明还提供一种采用靶材承载装置实施激光转印的方法：

所述靶材承载装置包括：用于夹持板状非晶硅靶材的上夹板和下夹板，用于支承上夹板和下夹板的平置顶板，以及与顶板连接、且用于驱动顶板水平移动和垂直移动的移动装置；上夹板平置在顶板正下方，下夹板平置在上夹板正下方；顶板设有第一镂空区域；上夹板设有第二镂空区域，第二镂空区域位于第一镂空区域正下方，且第一镂空区域在上夹板上的投影不超出第二镂空区域；下夹板设有第三镂空区域，第三镂空区域位于第二镂空区域正下方，且第二镂空区域在下夹板上的投影不超出第三镂空区域；顶板底面还螺纹连接多个竖置螺丝，该多个螺丝贯穿下夹板和下夹板，且该多个螺丝位于第一镂空区域、第二镂空区域和第三镂空区域的外围；该多个螺丝还分别套装有弹簧，且该多个螺丝上的弹簧都被压缩在上夹板和顶板之间；该多个螺丝还分别套装有垫片，该多个螺丝上的垫片都设在上夹板和下夹板之间；且各垫片的厚度都小于板状非晶硅靶材的厚度；移动装置位于第一镂空区域、第二镂空区域和第三镂空区域的外围；上夹板的边沿设有上把手，下夹板的边沿设有下把手；

所述采用靶材承载装置实施激光转印的方法，包括如下步骤：

1）通过操作上把手来上抬上夹板（压缩被弹簧），且在上抬上夹板时，通过操作下把手来下压下夹板，使下夹板保持稳定，，防止下夹板误动；通过上抬上夹板使上夹板和下夹板的间距增大至适于插入板状非晶硅靶材，将靶材平插在上夹板和下夹板之间，且靶材的边沿位于第一镂空区域、第二镂空区域和第三镂空区域的外围；靶材插入上夹板、下夹板之间完成后，松开上夹板，弹簧复位下压上夹板，上夹板和下夹板将靶材夹紧；上夹板和下夹板将靶材夹紧后，通过调节螺丝来调节靶材的水平度；将靶材位于第一镂空区域正下方的区域分出多个转印区域；

2）移动装置驱动顶板移动，使顶板的第一镂空区域置于激光器正下方，且使某个未被激光照射的转印区域与激光器的照射路径正对，以靶材上与照射路径正对、且未被激光照射的转印区域为待转印区域；

3）将待激光转印非晶硅的半导体器件置于下夹板第三镂空区域的正下方，且半导体器件需要转印非晶硅的区域与靶材的待转印区域正对；

4）激光器按照预定的照射路径对靶材的待转印区域进行激光照射，使靶材上被激光照射区域的非晶硅转印至半导体器件表面，在半导体器件表面形成与照射路径相对应的图案化的非晶硅层；以靶材上已被激光照射过的区域为已转印区域；

5）激光器完成激光照射后，移动装置驱动顶板移动，使靶材的已转印区域移出照射路径，且使靶材上另一个未被激光照射的转印区域与激光器的照射路径正对，使该转印区域成为待转印区域；

6）重复步骤3）至5），直至靶材上所有的转印区域都完成激光照射。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。