阳极氧化膜结构物

技术领域

本发明涉及一种包括阳极氧化膜片材的阳极氧化膜结构物。

背景技术

阳极氧化膜可有利地用于要求高温的工艺气氛的半导体或显示器领域。

阳极氧化膜可被制作为薄的薄板形态并构成用于半导体或显示器领域的各种零件。

但是，薄的厚度的阳极氧化膜的缺点在于因其厚度而强度弱。

阳极氧化膜可构成用于将探针卡的探针与印刷电路板(printed circuit board，PCB)基板电连接的配线基板。

配线基板可在至少一面配置有与探针电连接的连接垫。此时，配线基板可在配置有连接垫的一侧执行微机电系统(micro-electromechanical system，MEMS)工艺以配置探针。

MEMS工艺可概略性地通过如下所述的过程来执行。

首先，为了配置探针，可在连接垫的上部配置遮蔽材料层，并通过光刻工艺进行图案化以暴露出连接垫的上表面。然后，可重复执行如下过程：在经图案化的位置配置金属物质，沉积晶种(seed)层并在其上部配置遮蔽材料层之后进行图案化，在经图案化的位置填充金属物质。然后，通过使用蚀刻溶液去除除金属物质之外的其余部分，从而可在连接垫的上部形成探针。

但是，在配线基板由阳极氧化膜形成的情况下，可能产生不耐受MEMS工艺所使用的蚀刻溶液的问题。

换句话说，由于阳极氧化膜会被蚀刻溶液损伤，因此在配线基板的连接垫的上部直接形成探针的工艺可能是相对差的。

如上所述，阳极氧化膜可有利地用于高温的气氛，但可能会产生如下问题：因薄的厚度而强度相对弱，由于暴露在严酷的使用环境而在严酷的气氛下易于被腐蚀，且不耐受特定化学溶液(例如，碱溶液)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]韩国注册专利第10-0664900号

发明内容

[发明所要解决的问题]

本发明是为了解决所述的问题而提出的，其目的在于提供一种强度得到提高且耐药品性及耐腐蚀性高的阳极氧化膜结构物。

[解决问题的技术手段]

根据本发明一特征的阳极氧化膜结构物，包括：阳极氧化膜片材；以及第一薄膜层，配置在所述阳极氧化膜片材的至少一面，所述第一薄膜层包括通过重复执行以下循环形成的第一单原子层，所述循环为：吸附第1-1前体，供应与所述第1-1前体不同种类的第1-2反应物，通过所述第1-1前体与所述第1-2反应物的化学取代生成第一单原子层。

另外，第一薄膜层的厚度为20nm以上至3μm以下之间。

另外，所述阳极氧化膜片材包括在内部不形成气孔(pore)的非多孔阻挡层来构成，所述阻挡层的厚度为100nm以上至1μm以下之间。

另外，所述阳极氧化膜片材包括在内部不形成气孔的非多孔阻挡层、以及位于所述阻挡层的上部且在其内部形成有气孔的多孔层，所述第一薄膜层的一部分位于所述多孔层的气孔内部。

另外，形成有包括通过重复执行以下循环形成的多个第二单原子层的第二薄膜层，所述循环为：在所述第一薄膜层的上部吸附第2-1前体，供应与所述第2-1前体不同种类的第2-2反应物，通过所述第2-1前体与所述第2-2反应物的化学取代生成第二单原子层，所述第一薄膜层与所述第二薄膜层具有彼此不同的构成成分。

另外，在所述阳极氧化膜片材配置有贯通孔，在所述贯通孔的内侧面中配置所述第一薄膜层。

另外，所述阳极氧化膜片材上下层叠并通过接合层彼此接合，并在所述贯通孔中配置金属物质。

[发明的效果]

本发明的阳极氧化膜结构物可兼备耐久性、耐药品性及耐磨性的特性。与此同时，本发明的阳极氧化膜结构物具有防止由薄膜层的腐蚀引起的裂纹部分的再暴露及逸气(out-gasing)问题的效果。因此，本发明的阳极氧化膜结构物在特定领域作为执行特定功能的构成进行配置的情况可提高产品的整体的性能效率。

附图说明

图1的(a)至图1的(d)是示出本发明的阳极氧化膜结构物的各种实施例的图。

图2的(a)至图2的(d)是示出本发明的阳极氧化膜结构物的变形例的各种实施例的图。

图3是将在阻挡层形成有以往的薄膜层的状态放大并概略性地示出的图。

图4是将在本发明的阻挡层形成有第一薄膜层的状态放大并概略性地示出的图。

图5的(a)至图5的(c)是示出在多孔层形成以往的薄膜层的过程的图。

图6的(a)至图6的(c)是示出在本发明的多孔层形成第一薄膜层的过程的图。

图7及图8是概略性地示出将本发明的阳极氧化膜结构物配置在特定构成的实施例的图。

具体实施方式

以下的内容仅例示发明的原理。因此即便未在本说明书中明确地进行说明或示出，相应领域的技术人员也可实现发明的原理并发明包含于发明的概念与范围内的各种装置。另外，本说明书所列举的所有条件部用语及实施例在原则上应理解为是作为用于明确地理解发明的概念的目的，并不限制于如上所述特别列举的实施例及状态。

所述的目的、特征及优点通过与附图相关的下文的详细说明而进一步变明了，因此在发明所属的技术领域内具有通常知识者可容易地实施发明的技术思想。

将参照作为本发明的理想例示图的剖面图和/或立体图来说明本说明书中记述的实施例。为了有效地说明技术内容，夸张表示这些附图中所示出的膜及区域的厚度及孔洞的直径等。例示图的形态可由于制造技术和/或公差等而变形。因此，本发明的实施例并不限于示出的特定形态，还包括根据制造工艺生成的形态的变化。

以下，参照附图对本发明的优选实施例详细地进行说明，如下所述。

图1的(a)至图1的(d)是示出本发明的阳极氧化膜结构物AS的各种实施例的图，图2的(a)至图2的(d)是示出本发明的阳极氧化膜结构物AS的变形例的各种实施例的图，图3是将在阻挡层BL形成有以往的薄膜层11'的状态放大并概略性地示出的图，图4是将在本发明的阻挡层BL形成有第一薄膜层的状态放大并概略性地示出的图，图5的(a)至图5的(c)是示出在多孔层PL形成以往的薄膜层11'的过程的图，图6(a)至图6(c)是示出在本发明的多孔层PL形成第一薄膜层11的过程的图。

如图1的(a)至图1的(d)所示，本发明的阳极氧化膜结构物AS可包括以下来构成：阳极氧化膜片材10；第一薄膜层11，配置在阳极氧化膜片材10的至少一面。

阳极氧化膜片材10可通过如下所述的过程制作而成。

首先，可配置铝母材并执行阳极氧化的过程。通过如上所述的过程，在母材的表面形成氧化铝(Al

阻挡层BL位于母材的上部，多孔层PL位于阻挡层BL的上部。具体来说，在对母材进行阳极氧化的情况下，首先生成阻挡层BL，且在阻挡层BL形成规定的厚度时形成多孔层PL。

阻挡层BL的厚度形成在数十纳米以上至数微米以下，优选为形成在100nm以上至1μm以下之间。

多孔层PL的厚度形成在数十nm以上至数百μm以下。

多孔层PL所包括的气孔P的直径形成在数nm以上至数百nm以下。

然后，可执行从形成在具有阻挡层BL与多孔层PL的阳极氧化膜A的表面的母材去除母材的过程。通过如上所述的过程，保留氧化铝Al

阳极氧化膜片材10可以阻挡层BL位于多孔层PL的下部的结构配置，或者以阻挡层BL位于多孔层PL的上部的结构配置。

阳极氧化膜片材10可以多孔层PL位于阻挡层BL的上部或下部的结构配置，且为上部表面、下部表面不对称的结构。

多孔层PL及阻挡层BL因是否包含气孔P而可存在密度差。阻挡层BL是不包括气孔P的区域，密度可比多孔层PL相对高。

阳极氧化膜片材10以阻挡层BL位于多孔层PL的上部或位于多孔层PL的下部的结构配置，从而可在至少一面配置第一薄膜层11。因此，本发明的阳极氧化膜结构物AS可如图1的(a)至图1的(d)所示，以各种实施例实现。

如图1的(a)所示，阳极氧化膜片材10可以阻挡层BL位于多孔层PL的上部的方式配置。

此种阳极氧化膜片材10可在至少一面配置第一薄膜层11。

如图1的(a)所示，作为一例，阳极氧化膜片材10可在上部表面配置第一薄膜层11。图1的(a)所示的阳极氧化膜片材10是阻挡层BL位于多孔层PL的上部的结构，因此可在阻挡层BL的上部表面配置第一薄膜层11。

第一薄膜层11可通过重复执行以下循环形成：在阳极氧化膜片材10的至少一面吸附第1-1前体，供应与第1-1前体不同种类的第1-2反应物，通过第1-1前体与第1-2反应物的化学取代生成第一单原子层11a。

具体来说，第一薄膜层11可通过如下所述的过程形成。

首先，在阳极氧化膜片材10的至少一面供应并吸附第1-1前体，因此可配置第1-1前体吸附层。在此情况下，第1-1前体吸附层可通过自限反应仅形成一层。

然后可执行惰性气体供应步骤。

在惰性气体供应步骤中，可去除残留在第1-1前体吸附层中的过量的第1-1前体。如上所述，第1-1前体通过自限反应仅形成一层。因此，残留在第1-1前体吸附层的第1-1前体可为需要去除的元素。

在惰性气体供应步骤中，可执行对具有第1-1前体的阳极氧化膜片材10供应惰性气体的过程，从而去除过量的第1-1前体。

然后，可执行第1-2反应物的吸附及取代步骤。

在第1-2反应物吸附及取代步骤中，可执行对第1-1前体吸附层的表面供应第1-2反应物的过程。因此，可在第1-1前体吸附层的表面吸附第1-2反应物。第1-1前体吸附层与第1-2反应物可进行化学取代。因此，可生成第一单原子层11a。

第1-1前体与第1-2反应物具有彼此不同的构成成分。

由于第一单原子层11a是通过第1-1前体与第1-2反应物的化学取代而生成的，因此第一单原子层11a的构成成分可与第1-1前体及第1-2反应物具有彼此不同的构成成分。

在第1-1前体及第1-2反应物中，在生成第一单原子层11a的过程中其构成成分中的剩余构成成分可作为气体排出。

通过重复执行如上所述的过程，第一薄膜层11可由多个第一单原子层11a形成。阳极氧化膜结构物AS可通过重复执行在至少一面上生成第一单原子层11a的过程而具有第一薄膜层11。

第一薄膜层11的厚度可形成在数nm以上至数μm以下的范围内，且优选为形成在20nm以上至3μm以下之间。因此，可重复执行生成第一单原子层11a的过程，以使第一薄膜层11的厚度优选为形成在20nm以上至3μm以下之间。

多个第一单原子层11a具有结晶的特性。

第一薄膜层11可由氧化铝(Al

第一薄膜层11可由上述材料中的至少任一种形成，以对在特定工艺(例如，蚀刻工艺)中使用的特定药品具有耐药品性。

另外，第一薄膜层11可由具有结晶特性的多个第一单原子层11a形成，因此可具有高的刚性及强度的特性。

本发明通过在阳极氧化膜片材10的至少一面配置此种第一薄膜层11，从而即使在特定领域中使用并暴露于特定药品也可不被药品损伤。另外，本发明可因第一薄膜层11而消除由薄型化引起的阳极氧化膜片材10的强度的弱化。

如图3及图4所示，由于阳极氧化膜片材10被制作为薄板形态，因此在制作过程中可能被部分损坏且在阻挡层BL中可能存在裂纹C。

图3是将通过以往的化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺装置在存在裂纹C的阳极氧化膜片材10形成薄膜层11'(以下称为“以往的薄膜层”)的状态放大并概略性地示出的图。

如图3所示，阳极氧化膜片材10由于裂纹C而在阻挡层BL中可能形成微小的间隙。在此种阳极氧化膜片材10中，可通过以往的化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺装置对阻挡层BL执行沉积工艺。

裂纹C形成有微小的间隙，但是可以不规则的形状存在。因此，以往的沉积层可在间隙宽度宽的裂纹C的上部C1相对厚地形成，但是在裂纹C的内侧面C2及裂纹C的下部中可能以薄的厚度形成或可能不形成。

因此，以往的沉积层可在阻挡层BL的上面及裂纹C的上部C1中形成得最厚，并以密封裂纹C的上部C1的形态形成薄膜层11'。

换句话说，以往的薄膜层可以主要覆盖仅阻挡层BL的上表面及裂纹C的暴露出的部分表面(具体来说，上部C1)的形态形成薄膜层11'。因此，即使阳极氧化膜片材10配置有薄膜层11'也可能以在裂纹C的内侧面C2及下部C3处存在间隙的状态配置。

在配置有以往的薄膜层11'的阳极氧化膜结构物长时间使用的情况下，薄膜层11'可能通过与工艺气体的化学反应而被去除或腐蚀。因此，配置有薄膜层11'的阳极氧化膜结构物会暴露出存在于裂纹C的内侧面C2及下部C3处的间隙。因此，配置有以往的薄膜层11'的阳极氧化膜结构物可能因暴露出的裂纹C的一部分而被损坏。

但是，在本发明中，多个第一单原子层11a可以固定的厚度沉积形成第一薄膜层11。一个第一单原子层11a可通过第1-1前体与第1-2反应物的化学取代而形成在阻挡层BL的上表面。因此，多个第一单原子层11a可通过重复执行形成一个第一单原子层11a的循环来形成。

图4是将在存在裂纹C的阳极氧化膜片材10的阻挡层BL形成有本发明的第一薄膜层11的状态放大并概略性地示出的图。

如图4所示，本发明的第一薄膜层11可通过以相同厚度形成第一单原子层11a来进行配置。

阳极氧化膜片材10通过执行多次在阻挡层BL的上表面形成第一单原子层11a的过程，从而可配置由多个第一单原子层11a形成的第一薄膜层11。因此，即使阳极氧化膜片材10产生不规则形状的裂纹C，也可通过第一薄膜层11在整体上填充裂纹C。

换句话说，第一薄膜层11可执行以固定的厚度填充裂纹C的同时修复阳极氧化膜片材10的微小间隙的功能。阻挡层BL可通过第一薄膜层11而具有修复并去除裂纹C产生部分的结构。

本发明的阳极氧化膜结构物AS可因第一薄膜层11而不存在由裂纹C引起的微小的间隙。因此，即使本发明由于长时间使用而第一薄膜层11被去除或被腐蚀，也可从根本上阻断由于暴露出裂纹C而再次被损坏的问题。

如此，本发明的阳极氧化膜结构物AS保持阳极氧化膜片材10的薄型化的特性的同时，可通过第一薄膜层11确保高的刚性及强度。

另外，即使本发明由于阳极氧化膜片材10的薄的厚度而存在微小的裂纹C，也可通过第一薄膜层11去除裂纹C，从而提高耐久性。

如图1的(b)所示，阳极氧化膜片材10可以在非多孔阻挡层BL的上部定位有在内部形成有气孔P的多孔层PL的结构配置。因此，阳极氧化膜片材10的表面可由多孔层PL形成。

作为一例，阳极氧化膜结构物AS可在由多孔层PL形成的阳极氧化膜片材10的上部表面配置第一薄膜层11。

第一薄膜层11可以与参照图1的(a)所述的构成相同的构成及过程来配置。

如图1的(b)所示，阳极氧化膜结构物AS通过在多孔层PL的上部表面配置第一薄膜层11，从而可以第一薄膜层11的一部分位于气孔P内部的结构形成。

可填充气孔P内部，使得在依次生成多个第一单原子层11a时不存在空间。第一单原子层11a可以固定的厚度形成在多孔层PL的上部表面。第一单原子层11a即使在气孔P内部也可以固定的厚度形成来形成。因此，第一单原子层11a可对气孔P内部进行填充以使得不存在空的空间。

将参照图5的(a)至图5的(c)及图6的(a)至图6的(c)对在本发明的多孔层PL形成第一薄膜层11的过程具体地进行说明。

图5的(a)至图5的(c)是示出在多孔层PL形成以往的薄膜层11'的过程的图。

如图5的(a)所示，在以往，可使用化学气相沉积工艺装置或物理气相沉积工艺装置对多孔层PL执行沉积工艺。因此，如图5的(b)所示，在多孔层PL的上部形成沉积层13。

在此情况下，沉积层13中，形成在多孔层PL的上表面的上部的厚度T1'、与形成在气孔P的底表面的厚度T2'及形成在气孔P的内壁PW的厚度T3'满足“(T1'>T2'>T3')”的关系。

如图5的(c)所示，在以往，通过增加沉积层13的厚度来形成薄膜层11'。

具体来说，沉积层13的厚度(T1'、T2'、T3')在形成的每处位置不同地增加。如图5的(c)所示，沉积层13在多孔层PL的上表面的厚度T1'、在气孔P的内壁PW的厚度T3'、在气孔P的底表面的厚度T2'可以不固定的厚度增加。

多孔层PL的上表面是在气孔P的开口周围形成的区域，且可形成为比较平坦的表面。因此，沉积层13可相对容易地沉积在多孔层PL的上表面，并厚厚地形成其厚度T1'。

另一方面，由于气孔P的内壁PW由沿深度形成的垂直表面形成，因此沉积层13的厚度T3'可形成得相对薄。

气孔P的底表面比气孔P的内壁PW容易沉积沉积层13，但可以比多孔层PL的上表面的厚度薄的厚度T2'形成沉积层13。

因此，沉积层13可在多孔层PL的上表面及气孔P的开口周围形成得最厚，从而可以密封气孔P的开口的形态形成薄膜层11'。

但是，由于沉积层13在气孔P的内壁PW中形成相对薄的厚度T3'，因此可能难以在整体上填充气孔P内部。因此，气孔P中存在由于在内部不形成薄膜层11'而形成的空间PS。

在长时间使用以往的薄膜层11'的情况下，形成在上表面的薄膜层11'可通过与工艺气体的化学反应被去除或腐蚀。因此，气孔P内部的空间PS会暴露到外部。因此，异物可能流入并残留在气孔P内部的空间PS中，从而引起性能的错误问题。

另外，在表面由多孔层PL形成的阳极氧化膜片材10中，在表面配置有以往的薄膜层11'的情况下，可能会产生逸气(Out-gasing)问题。具体来说，薄膜层11'由于长时间使用，而在阳极氧化膜片材10的表面中可能会被去除或腐蚀。因此，气孔P内部的空间PS可能被暴露出。此种气孔P内部的空间PS可能会流入外部颗粒。在半导体或显示工艺过程中，颗粒可能会掉落在晶片W或基板的表面上而带来负面影响。此种现象是颗粒的逸气现象。在阳极氧化膜片材10在多孔层PL的表面配置有以往的薄膜层11'的情况下，如上所述的逸气现象可能会容易发生。

但是，本发明通过使多个第一单原子层11a以固定的厚度形成来形成第一薄膜层11，从而可更有效地防止颗粒流入问题及逸气的问题。

图6的(a)至图6的(c)是示出在本发明的多孔层PL形成第一薄膜层11的过程的图。

如图6的(a)所示，气孔P可为内部被暴露出的状态。本发明可如图6的(b)所示，可通过第1-1前体与第1-2反应物的化学取代而在多孔层PL的上表面形成一个第一单原子层11a。

此时，第一单原子层11a在多孔层PL的上表面的厚度T1、与在气孔P的底表面的厚度T2及在气孔P的内壁PW的厚度T3可满足“(T1＝T2＝T3)”的关系。换句话说，第一单原子层11a可以相同的厚度形成在多孔层PL。

第一薄膜层11可通过重复执行形成第一单原子层11a的循环而形成在多孔层PL。如图6的(c)所示，第一单原子层11a可以固定的厚度形成来形成第一薄膜层11。因此，气孔P可被第一薄膜层11在整体上填充内部而不存在空的空间。

通过如上所述的结构，阳极氧化膜结构物AS即使由密度相对低的多孔层PL构成其表面也可确保刚性。

如上所述，本发明的阳极氧化膜结构物AS即使因长时间使用而使第一薄膜层11被腐蚀，在气孔P的内部也不会产生空的空间。气孔P的内部可为被第一薄膜层11以无空的空间的方式填充的结构。因此，在阳极氧化膜结构物AS在多孔层PL的上部表面配置第一薄膜层11的情况下，即使上表面的第一薄膜层11被腐蚀也可保持内部刚性。

如此，本发明可在阳极氧化膜片材10的至少一面、即构成上部表面的多孔层PL处配置第一薄膜层11。因此，阳极氧化膜结构物AS形成为上部表面被密封的结构，从而可预先防止颗粒流入到内部的问题。

另外，阳极氧化膜结构物AS可具有气孔P的内部由第一薄膜层11完整填充的结构。因此，阳极氧化膜结构物AS可以通过第一薄膜层11而使内部不存在空的空间的结构形成。因此，阳极氧化膜结构物AS即使由于长时间使用而使第一薄膜层11的一部分被去除或腐蚀，也可防止颗粒流入到气孔P的内部的问题。

另外，阳极氧化膜结构物AS因第一薄膜层11而在内部不存在空的空间，从而可在根本上防止在内部产生的颗粒的问题。因此，本发明的阳极氧化膜结构物AS不会产生在内部产生的颗粒的逸气问题。

图1的(c)是示出在阳极氧化膜片材10的上部表面、下部表面配置第一薄膜层11的结构的图。如图1的(c)所示，阳极氧化膜结构物AS可以使阻挡层BL位于多孔层PL的上部的方式配置阳极氧化膜片材10。

在阳极氧化膜结构物AS中，可执行在由阻挡层BL形成的上部表面形成第一薄膜层11的过程，并执行在下部表面形成第一薄膜层11的过程。

因此，本发明的阳极氧化膜结构物AS可具有在阳极氧化膜片材10的上部表面、下部表面配置有第一薄膜层11的结构。

通过如上所述的结构，阳极氧化膜结构物AS可提高因多孔层PL而密度相对低的下部表面的密度。

阻挡层BL的密度相对高，且在上部表面配置有第一薄膜层11，从而可具有更高的强度。另外，多孔层PL由于第一薄膜层11而密度变高，从而可提高强度。

因此，阳极氧化膜结构物AS的上部表面、下部表面的密度可在某种程度上变均匀，且可进一步提高结构物本身的耐久性及强度。

图1的(d)是示出关于在第一薄膜层11的上部额外配置有第二薄膜层12的结构的实施例的图。在此情况下，作为一例，阳极氧化膜片材10可以在多孔层PL的上部定位阻挡层BL的结构来配置。阳极氧化膜片材10的结构不限于此，且还可以多孔层PL位于阻挡层BL的上部的结构来配置。

阳极氧化膜片材10的上部表面由阻挡层BL形成，且可在阻挡层BL的上部表面配置第一薄膜层11。可在第一薄膜层11的上部进行第二薄膜层12的配置。

第二薄膜层12可包括通过重复执行以下循环形成的多个第二单原子层，所述循环为：在第一薄膜层11的上部吸附第2-1前体，供应与第2-1前体不同种类的第2-2反应物，通过第2-1前体与第2-2反应物的化学取代生成第二单原子层。

第二薄膜层12可通过在执行在阻挡层BL的上部表面形成第一薄膜层11的过程之后，重复执行生成第二单原子层的循环来配置。

具体来说，可执行对第一薄膜层11的上部供应第2-1前体的过程。因此，第2-1前体可被吸附在第一薄膜层11的表面并在第一薄膜层11的表面上形成第2-1前体吸附层。第2-1前体吸附层可通过自限反应仅形成一层。

配置有第一薄膜层11的阳极氧化膜片材10在其表面形成有第2-1前体吸附层之后，可执行惰性气体供应步骤。

惰性气体可去除残留在第2-1前体吸附层的过量的第2-1前体。由于第2-1前体吸附层通过自限反应仅形成一层，因此残留的过量的第2-1前体通过惰性气体被去除。

然后，阳极氧化膜片材10可执行对第2-1前体吸附层的表面供应第2-2反应物的过程。第2-2反应物可被吸附在第2-1前体的表面，且第2-1前体吸附层与第2-2反应物可进行化学取代。因此，可生成第二单原子层。

第2-2反应物与第2-1前体具有彼此不同的构成成分。

第二单原子层可通过包含第2-1前体的第2-1前体吸附层与第2-2反应物的化学取代而生成。因此，第二单原子层的构成成分可具有与第2-1前体及第2-2反应物彼此不同的构成成分。

在生成第二单原子层的过程中，第2-1前体及第2-2反应物的构成成分中的剩余的构成成分可以气体排出。

第二薄膜层12可形成在数nm以上至数μm以下的范围内，且优选为形成为20nm以上至3μm以下的厚度。因此，第二薄膜层12可重复执行直到多个第二单原子层形成20nm以上至3μm以下的厚度时为止。

第二薄膜层12可具有与第一薄膜层11彼此不同的构成成分。

例如，在构成第二薄膜层12的第二单原子层的构成成分是氧化铝(Al

如此，本发明可以彼此不同的构成成分形成第一薄膜层11及第二薄膜层12。因此，第1-1前体及第2-1前体可具有彼此不同的构成成分。或者，第1-2反应物及第2-2反应物可具有彼此不同的构成成分。

例如，即使第1-1前体及第2-1前体具有彼此相同的构成成分，第1-1反应物及第2-2反应物也可具有彼此不同的构成成分。因此，可使第一薄膜层11的构成成分与第二薄膜层12的构成成分具有彼此不同的构成成分。

换句话说，本发明可以使第1-1前体及第2-1前体或第1-2反应物及第2-2反应物中的至少任一对具有彼此不同的构成成分的方式构成，以使第一薄膜层11及第二薄膜层12具有彼此不同的构成成分。

本发明通过第一薄膜层11、第二薄膜层12具有彼此不同的构成成分，因此可兼备各种特性。

例如，第一薄膜层11由具有耐热性的特性的构成成分形成，第二薄膜层12可由具有耐腐蚀的特性的构成成分形成。此时，阳极氧化膜结构物AS可兼备高的耐热性与高的耐腐蚀性的特性。

另外，第一薄膜层11由具有耐电压性的特性的构成成分形成，第二薄膜层12可由具有耐等离子体性的特性的构成成分形成。此时，阳极氧化膜结构物AS可同时具有高的耐电压性与高的耐等离子体性的特性。

本发明的阳极氧化膜结构物AS还可包括在第二薄膜层12的上部由单原子层形成的多个薄膜层。

多个薄膜层可通过与上述第一薄膜层11、第二薄膜层12的形成方法相同的方法形成，且可以相同的构成形成。换句话说，在阳极氧化膜结构物AS配置多个薄膜层的方面对其个数并不限制。但是，多个薄膜层可优选为与第一薄膜层11、第二薄膜层12具有彼此不同的构成成分。因此，在本发明中可赋予彼此不同的特性。

阳极氧化膜结构物AS通过配置多个薄膜层(例如，第一薄膜层11、第二薄膜层12)，不仅可确保各种特性而且在表面强度方面可确保进一步得到提高的刚性。

作为一例，在本发明的阳极氧化膜结构物AS被配置为特定装备的构成零件的情况下，可使构成零件的表面由多个薄膜层11、12形成。

作为更具体的示例，阳极氧化膜结构物AS可配置多个以配置为探针卡20的多层配线基板的构成。在此情况下，阳极氧化膜结构物AS可在阻挡层BL的上部表面配置第一薄膜层11、第二薄膜层12。第一薄膜层11、第二薄膜层12可为依序形成在阻挡层BL的上部表面的结构。

此种阳极氧化膜结构物AS可以由第一薄膜层11、第二薄膜层12形成多层配线基板的上部表面、下部表面的方式配置。

在本发明的阳极氧化膜结构物AS构成多层配线基板的情况下，可通过第一薄膜层11、第二薄膜层12而使多层配线基板的表面密度变均匀。因此，由本发明形成的多层配线基板不会产生翘曲变形，且可提高产品本身的耐久性。

在本发明中，作为一例，第一薄膜层11、第二薄膜层12可由多个单原子层(具体来说，第一薄膜层11的情况为第一单原子层11a，第二薄膜层12的情况为第二单原子层)形成。

与此不同，第一薄膜层11、第二薄膜层12也可由单个单原子层形成而不是多个单原子层形成。

具体来说，第一薄膜层11可仅由一个第一单原子层11a形成，第二薄膜层12可仅由一个第二单原子层形成。

与此不同，第一薄膜层11、第二薄膜层12中的任一者可由单个单原子层形成，且任一者也可通过包括多个单原子层的组合来配置。

具体来说，第一薄膜层11可由单个单原子层形成，第二薄膜层12由多个单原子层形成。或者，第一薄膜层11可由多个单原子层形成，第二薄膜层12由单个单原子层形成。

阳极氧化膜结构物AS可选择性地使第一薄膜层11和/或第二薄膜层12由单个单原子层或多个单原子层形成。因此，本发明具有可容易地将第一薄膜层11和/或第二薄膜层12的厚度配置为期望的厚度的优点。

本发明的阳极氧化膜结构物AS通过在至少一面配置第一薄膜层11，从而可具有高的刚性。即使第一薄膜层11形成在阳极氧化膜片材10的多孔层PL及阻挡层BL中的任一者的表面，以特定范围(优选为20nm以上至2μm以下)内的厚度形成也可提高结构物的表面强度。

由于第一薄膜层11以固定的厚度形成，因此可根据配置位置执行在整体上填充空的空间的功能。

例如，第一薄膜层11在多孔层PL构成阳极氧化膜片材10的上部表面的情况下配置在多孔层PL的上部表面的情况，第一薄膜层11的一部分可位于多孔层PL的气孔P内部。因此，气孔P可被第一薄膜层11填充。因此，阳极氧化膜结构物AS可通过使内部不存在空的空间来提高刚性。

与此不同，第一薄膜层11可填充存在于阻挡层BL上的裂纹C。因此，即使阳极氧化膜结构物AS配置有存在微小裂纹C的阳极氧化膜片材10，也可通过第一薄膜层11来修复并去除裂纹C。因此，即使长时间使用阳极氧化膜结构物AS，也不会产生暴露出裂纹C的问题，因此可确保进一步得到提高的耐久性。

因此，本发明的阳极氧化膜结构物AS通过在阳极氧化膜片材10的至少一面配置第一薄膜层11，从而可同时兼备高的强度及高的耐久性的特性。

图2的(a)至图2的(d)是示出本发明的阳极氧化膜结构物AS的变形例的各种实施例的图。变形例的阳极氧化膜结构物AS与实施例的阳极氧化膜结构物AS的不同之处在于，在阳极氧化膜片材10中配置有贯通孔H。

如图2的(a)至图2的(c)所示，变形例在阳极氧化膜片材10配置有贯通孔H，可在贯通孔H的内侧面H'配置第一薄膜层11。

如图2的(a)所示，变形例可以使阻挡层BL位于多孔层PL的上部的方式配置配置有贯通孔H的阳极氧化膜片材10。然后，可将第一薄膜层11配置在阻挡层BL。

在此情况下，第一薄膜层11也可形成在贯通孔H的内侧面H'。如上所述，第一薄膜层11可由通过第1-1前体与第1-2反应物的化学取代而形成为固定厚度的多个第一单原子层11a形成。

因此，第一薄膜层11可被配置为以固定的厚度涂覆贯通孔H的内侧面H'的形态。

因此，变形例可具有在内部对特定构成的耐磨性和/或耐腐蚀性。

例如，阳极氧化膜结构物AS'可在探针卡(垂直型)中以在贯通孔H中配置有探针60的构成来配置。阳极氧化膜结构物AS'的贯通孔H可根据要求窄节距化的探针60而以窄节距配置。因此，贯通孔H之间的分隔壁的厚度可为薄的。

在贯通孔H的内侧面H'上可能发生与探针60的滑动摩擦。滑动摩擦会增加磨损贯通孔H的内侧面H'而损坏产品的风险。

但是，本发明的变形例通过配置在贯通孔H的内侧面H'的第一薄膜层11可确保对滑动摩擦的耐磨性。

另外，变形例中，由于第一薄膜层11弥补了窄节距的贯通孔H之间的分隔壁的薄厚度，因此可提高对薄厚度的耐磨性。

另一方面，变形例还可以喷射特定流体的构成配置在半导体或显示器装置。此时，变形例可执行通过贯通孔H喷射特定流体的功能。

贯通孔H的内侧面H'可能会产生因通过贯通孔H的特定流体而引起化学反应或被腐蚀的问题。因此，贯通孔H的内侧面H'可能被损伤或可能产生颗粒。在此情况下，以往的执行流体喷射功能的结构物在喷射特定流体的功能中可能产生一起喷射颗粒的问题。

但是，本发明的阳极氧化膜结构物AS'通过在贯通孔H的内侧面H'配置第一薄膜层11，从而可确保对通过贯通孔H的流体的耐化学性。具体来说，在变形例以执行喷射特定流体的功能的构成配置的情况下，可由对特定流体具有耐化学性的构成成分形成第一薄膜层11。因此，变形例可防止由于通过贯通孔H的流体而引起腐蚀或进行化学反应的问题。因此，变形例可具有耐腐蚀性及耐化学性的特性。

图2的(b)是示出以多孔层PL位于阻挡层BL的上部的方式配置阳极氧化膜片材10并在多孔层PL的上部表面配置第一薄膜层11的结构的图。在此情况下，阳极氧化膜片材10可配置有贯通孔H。

图2的(b)所示的变形例与图1的(b)的结构的不同之处在于在阳极氧化膜片材10配置有贯通孔H，且其余结构可相同。

另外，图2的(b)的在贯通孔H的内侧面H'配置第一薄膜层11的方法可与图1的(b)的实施例及图2的(a)的变形例的第一薄膜层11的形成方法相同。因此，对图2(b)所示的变形例的结构及构成的说明将参照图1的(b)及图2的(a)而省略。

图2的(c)是示出在配置有贯通孔H的阳极氧化膜片材10的上部表面、下部表面配置第一薄膜层11的结构的图。在此情况下，第一薄膜层11也可在贯通孔H的内侧面H'以固定的厚度配置。

图2的(c)的实施例与图1的(c)的实施例的不同之处在于配置了贯通孔H。因此，对相同构成的说明将参照图1(c)而省略。

图2的(c)的变形例可通过与图1的(c)的实施例及图2的(a)的变形例的第一薄膜层11的形成方法相同的方法在贯通孔H配置第一薄膜层11。对此的详细说明将参照图2的(a)来参考所述的说明而省略。

图2的(d)是示出配置有贯通孔H的阳极氧化膜片材10以阻挡层BL位于多孔层PL的上部的方式配置的阳极氧化膜结构物AS'的图。

阳极氧化膜结构物AS'可在上部表面的阻挡层BL上形成第一薄膜层11之后形成第二薄膜层12。在此情况下，可以与图1的(d)中的第一薄膜层11、第二薄膜层12的形成方法相同的方法形成第一薄膜层11、第二薄膜层12。

阳极氧化膜结构物AS'可在上部表面配置第一薄膜层11、第二薄膜层12，且在贯通孔H的内侧面H'配置第一薄膜层11、第二薄膜层12。

可通过与图1的(d)的实施例及图2的(a)的变形例的第一薄膜层11的形成方法相同的方法将第一薄膜层11配置在贯通孔H的内侧面H'。

然后，阳极氧化膜结构物AS'可执行形成第二薄膜层12的方法。如上所述，第二薄膜层12可由通过第2-1前体与第2-2反应物的化学取代而形成为固定的厚度的多个第二单原子层形成。

第二薄膜层12可以覆盖形成在贯通孔H的内侧面H'的第一薄膜层11的上表面的形态形成。此时，第二薄膜层12可以不填充贯通孔H的厚度形成以保持贯通孔H的功能。

在如图2的(d)所示的变形例以配置有探针60的构成配置的情况下，可进一步提高贯通孔H的内侧面H'的耐磨性。另外，变形例通过第一薄膜层11、第二薄膜层12将贯通孔H之间的分隔壁的薄的厚度形成得更厚，从而可提高耐磨性及产品本身的耐久性。

另一方面，图2的(d)的变形例是执行流体喷射功能的构成，且可配置在半导体或显示器装置。在此情况下，阳极氧化膜结构物AS'可在阻挡层BL的上表面及贯通孔H的内侧面H'配置第一薄膜层11、第二薄膜层12。

第一薄膜层11、第二薄膜层12可以固定的厚度形成在阻挡层BL的上表面，从而提高阳极氧化膜结构物AS'的表面强度。

另外，第一薄膜层11、第二薄膜层12可以固定的厚度形成在贯通孔H的内侧面H'。第一薄膜层11、第二薄膜层12可由对通过贯通孔H的流体具有耐化学性的构成成分配置，从而对阳极氧化膜结构物AS'赋予耐化学性的特性。

另外，第一薄膜层11、第二薄膜层12具有耐化学性，同时可防止贯通孔H的内侧面H'由于化学反应而被腐蚀的问题。因此，第一薄膜层11、第二薄膜层12可对阳极氧化膜结构物AS'赋予耐腐蚀性的特性。

第一薄膜层11、第二薄膜层12也可由彼此不同的构成成分形成而具有彼此不同的特性。

具体来说，第一薄膜层11可直接形成在贯通孔H的内侧面H'。可在此种第一薄膜层11的上表面形成第二薄膜层12。因此，通过贯通孔H的流体可直接接触第二薄膜层12。

在如上所述的情况下，第一薄膜层11可由可在贯通孔H的内侧面H'中提高贯通孔H之间的分隔壁的厚度的强度的刚性优异特性的构成成分形成。此时，优选为第二薄膜层12可由对流体具有耐化学性的特性的构成成分形成。

因此，阳极氧化膜结构物AS'可通过第一薄膜层11、第二薄膜层12确保高的刚性及耐化学性。另外，由于阳极氧化膜结构物AS'通过第二薄膜层12而具有耐化学性，因此可能不会产生由流体引起的腐蚀。因此，阳极氧化膜结构物AS'可同时兼备高的刚性、耐化学性及耐腐蚀性。

本发明的阳极氧化膜结构物AS可用于半导体或显示器领域。在此情况下，阳极氧化膜结构物AS可根据功能以变形的结构来配置，且可配置额外的构成。

作为一例，阳极氧化膜结构物AS可包括配置有贯通孔H的阳极氧化膜片材10以及配置在阳极氧化膜片材10的至少一面及贯通孔H的内侧面H'的第一薄膜层11来构成。阳极氧化膜结构物AS的构成不限于此，且可以参照图1的(a)至图1的(d)、图2的(a)至图2的(d)说明的各种实施例及变形例的结构及构成而用于半导体或显示器领域。

图7是概略性地示出将本发明的阳极氧化膜结构物AS配置为多层配线基板的构成的探针卡20的图。探针卡20的多层配线基板可配置有与探针60电连接的探针连接垫61。

探针卡20可执行如下功能：对构成半导体晶片W的芯片施加电信号来判断是否存在不良。

根据将探针60设置在配线基板的结构及探针60的结构，探针卡可分为垂直型探针卡(VERTICAL TYPE PROBE CARD)30、悬臂型探针卡(CANTILEVEER TYPE PROBE CARD)及微机电系统探针卡(MEMS PROBE CARD)20。

如图7所示，作为一例，阳极氧化膜结构物AS'可配置在MEMS探针卡20中。

阳极氧化膜结构物AS'可通过多个阳极氧化膜片材10层叠构成。在此情况下，阳极氧化膜片材10上下层叠并通过接合层70彼此接合，且可在贯通孔H中配置金属物质M以用作多层配线基板。

阳极氧化膜结构物AS'可以其表面可由阻挡层BL形成的方式配置构成表面的层的阳极氧化膜片材10。

具体来说，如图7所示，阳极氧化膜结构物AS'可以在多孔层PL的上部配置阻挡层BL的结构配置构成上部表面的阳极氧化膜片材10。此处，阳极氧化膜结构物AS'的上部表面可为配置有与中介层21电连接的中介层连接垫22的表面。

阳极氧化膜结构物AS'可以在多孔层PL的下部配置阻挡层BL的结构配置构成下部表面的阳极氧化膜片材10。此处，阳极氧化膜结构物AS'的下部表面可为配置有探针连接垫61的表面。

通过如上所述的结构，阳极氧化膜结构物AS'的上部表面、下部表面可由阻挡层BL形成。

阳极氧化膜片材10可为如下结构：包括在内部形成有气孔P的多孔层PL与不形成气孔P的阻挡层BL，且上部表面、下部表面不对称。由于如上所述的结构，阳极氧化膜片材10在上部表面、下部表面可能存在密度差异。

因此，在阳极氧化膜片材10以单片构成执行多层配线基板的功能的阳极氧化膜结构物AS'的情况下，在高温环境下可能会引起翘曲变形。

本发明的阳极氧化膜结构物AS'可包括多个阳极氧化膜片材10，并以使其表面相对于阻挡层BL对称的结构形成。

如上所述的结构可使阳极氧化膜结构物AS'的上部表面、下部表面的密度变均匀，从而即使在高温环境下也不会发生翘曲变形。由于如上所述的结构，阳极氧化膜结构物AS'的耐久性可首先得到提高。

另外，本发明可由阻挡层BL形成上部表面、下部表面，且在阻挡层BL的上部表面配置第一薄膜层11。第一薄膜层11可具有高的刚性及强度的特性，如参照图1所述。

本发明可在构成上部表面、下部表面的阻挡层BL的表面配置如上所述的第一薄膜层11。由于第一薄膜层11以固定的厚度形成，因此可在保持阳极氧化膜结构物AS'的均匀密度的同时进一步提高产品本身的强度。通过如上所述的结构，本发明可进一步提高耐久性。因此，本发明的阳极氧化膜结构物AS'可具有高的耐久性的特性。

如图7的放大部分所示，阳极氧化膜片材10可通过接合层70彼此接合。

接合层70可通过光刻工艺来配置。因此，接合层70可由保有感光性特性的感光性材料形成。作为一例，接合层70可为干膜光刻胶(Dry Film Photoresist，DFR)。另外，由于接合层70执行将阳极氧化膜片材10之间接合的接合功能，因此可为保有接合特性的构成。因此，接合层70可由同时保有感光性特性及接合特性的构成来配置。

另一方面，接合层70可为热固性树脂。作为热固性树脂材料，可为聚酰亚胺树脂、聚喹啉树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、环氧树脂、聚苯醚树脂及氟树脂等。

MEMS探针卡20可通过执行将单独制作的探针60接合到探针连接垫61的工艺来配置。因此，阳极氧化膜结构物AS'可执行将探针60接合到配置有探针连接垫61的表面的工艺。

探针60可在临时基板中单独制作，并在接合到探针连接垫61后一次性从临时基板去除。在如上所述的过程中，探针60可通过特定药品从临时基板去除。

阳极氧化膜片材10可能被在去除探针60的过程中使用的特定药品损坏。

但是，本发明的阳极氧化膜结构物AS'可通过在阳极氧化膜片材10的表面配置第一薄膜层11来确保耐药品性。因此，本发明的阳极氧化膜结构物AS'是执行多层配线基板的功能的构成，且在配置在探针卡20的情况下不会被特定药品损伤。

另外，本发明可通过构成第一薄膜层11的构成成分而兼备耐腐蚀性的特性。因此，本发明通过第一薄膜层11保护其表面，因此即使暴露于使用特定药品的工艺，由于耐腐蚀性的特性也可将表面的腐蚀最小化。

另外，本发明可由表面被第一薄膜层11密封的结构形成。MEMS探针卡20可以与探针60电连接的多层配线基板的构成来配置本发明。以往的多层配线基板在颗粒流入到内部的情况下，会引起探针60的特性下降的问题。

但是，本发明可通过第一薄膜层11来防止颗粒流入到内部的问题。因此，在本发明配置在MEMS探针卡20的情况下，可预先防止由于颗粒流入引起的特性下降。

图8是概略性地示出配置有本发明的阳极氧化膜结构物AS'的垂直型探针卡30的图。

垂直型探针卡30可配置有支撑探针60以精确地定位探针60的伸入的引导板(guide plate)。本发明的阳极氧化膜结构物AS可配置在垂直型探针卡30并执行作为引导板的功能。

如图8所示，阳极氧化膜结构物AS'可配置在配线基板31的下部，且在贯通孔H中配置探针60并进行支撑。

阳极氧化膜结构物AS'可包括上部阳极氧化膜结构物AS及下部阳极氧化膜结构物AS来构成，且配置在垂直型探针卡30中。

在此情况下，阳极氧化膜结构物AS'可通过包括第一板32、第二板34构成的板进行支撑来配置。

第一板32、第二板34可以彼此对应的结构配置，且以彼此反转的形态结合。具体来说，第二板34可以与第一板32反转的形态结合到第一板32的下部。此种板32、34可配置有阳极氧化膜结构物AS'。

如图8所示，第一板32可包括用于配置上部阳极氧化膜结构物AS的上部安装区域40。第二板34可包括用于配置下部阳极氧化膜结构物AS的下部安装区域50。

第一板32、第二板34可以彼此反转的形态结合。因此，上部安装区域40及下部安装区域50可以相同形状配置在反转的位置处。

在第一板32中，在上部安装区域40的下部配置第一贯通孔33，在第二板34中，在下部安装区域50的上部可配置第二贯通孔35。

可配置第一贯通孔33、第二贯通孔35以定位通过稍后说明的上部贯通孔H1、下部贯通孔H2插入的多个探针60。因此，第一贯通孔33、第二贯通孔35可考虑到多个探针60的弹性变形而以能够收容所述多个探针60的内径形成。

板可在各个安装区域40、50配置阳极氧化膜结构物AS。

上部阳极氧化膜结构物AS可配置有上部贯通孔H1，且下部阳极氧化膜结构物AS配置有下部贯通孔H2。因此，阳极氧化膜结构物AS'的贯通孔H可包括上部贯通孔H1、下部贯通孔H2来构成。

阳极氧化膜结构物AS'可以通过接合层70将多个阳极氧化膜片材10上下接合在一起的结构配置。在此情况下，多个阳极氧化膜片材10可以使贯通孔H彼此对应的方式层叠接合。本发明可通过层叠阳极氧化膜片材10的结构来提高刚性。

阳极氧化膜结构物AS'可以表面由阻挡层BL形成的方式来配置多个阳极氧化膜片材10。

作为一例，如图8的放大部分所示，下部阳极氧化膜结构物AS可包括第一阳极氧化膜片材10a及第二阳极氧化膜片材10b。在图8中，示出两个阳极氧化膜片材10，但是可以两个以上的个数形成。

在此情况下，第一阳极氧化膜片材10a可以在多孔层PL的上部配置有阻挡层BL的结构配置，从而可构成下部阳极氧化膜结构物AS的上部表面。

可在第一阳极氧化膜片材10a的下部配置第二阳极氧化膜片材10b。在此情况下，第一阳极氧化膜片材10a、第二阳极氧化膜片材10b可通过接合层70接合在一起。

第二阳极氧化膜片材10b可以在多孔层PL的下部配置阻挡层BL的结构配置，并构成下部阳极氧化膜结构物AS的下部表面。

因此，下部阳极氧化膜结构物AS可具有上部表面、下部表面相对于阻挡层BL对称地形成的结构。由于如上所述的结构，下部阳极氧化膜结构物AS的上部表面、下部表面的密度可变均匀。因此，阳极氧化膜结构物AS'在防止翘曲变形方面的效果可得到改善。

上部阳极氧化膜结构物UAS、下部阳极氧化膜结构物LAS可以相同的构成及结构配置。因此，上部阳极氧化膜结构物UAS可以与上述下部阳极氧化膜结构物LAS相同的构成及结构配置，从而可发挥防止翘曲变形方面的效果。

另外，阳极氧化膜结构物AS'通过利用阻挡层BL使上部表面、下部表面的密度变均匀的结构，可将在探针60插入过程中产生的磨损引起的损坏最小化。

具体地进行说明，在阳极氧化膜结构物AS被配置为引导板的构成的情况下，可执行探针60插入过程。此时，本发明的阳极氧化膜结构物AS'中贯通孔H的开口内壁可由密度高的阻挡层BL形成。

因此，在本发明中，对在最先插入探针60的前端的贯通孔H上部开口的内壁中产生的磨损的耐久性可相对高。因此，本发明可防止在插入探针60时由贯通孔H的开口的磨损产生的颗粒问题。

另外，如图8的放大部分所示，本发明可在阳极氧化膜结构物AS的表面配置第一薄膜层11。第一薄膜层11可通过将阳极氧化膜片材10上下接合后在阳极氧化膜片材10的表面形成来配置。

作为一例，阳极氧化膜结构物AS'可在上部表面、下部表面整体配置第一薄膜层11，且在贯通孔H的内侧面H'配置第一薄膜层11。在此情况下，本发明可通过第一薄膜层11确保进一步得到提高的耐磨性。

具体地进行说明，探针60的一端可首先插入上部贯通孔H1，然后插入到下部贯通孔H2。因此，探针60可配置为如下结构：另一端60c位于上部贯通孔H1中，中间部60b位于第一贯通孔33、第二贯通孔35中，而最先插入的一端60a插入到下部阳极氧化膜结构物LAS的下部贯通孔H2中并突出。

在本发明中，由于在贯通孔H的内侧面H'配置第一薄膜层11，因此在如上所述的探针60插入过程中，包括贯通孔H的开口内壁的内侧面H'整体可为耐磨性得到提高的结构。

通过如上所述的结构，本发明可防止在将探针60插入到贯通孔H的过程中贯通孔H的内侧面H'被探针60损坏的问题。

另外，本发明通过第一薄膜层11可提高对贯通孔H与探针60之间的滑动摩擦的耐磨性。在阳极氧化膜片材10中，由于贯通孔H以窄节距配置，因此贯通孔H之间的分隔壁的厚度可形成得薄。因此，在阳极氧化膜片材10中，可能由于贯通孔H与探针60之间的滑动摩擦而容易产生贯通孔H的内侧面H'磨损的问题。

但是，本发明通过在贯通孔H的内侧面H'配置第一薄膜层11，从而可弥补贯通孔H之间的薄的分隔壁的厚度。因此，本发明可提高对贯通孔H与探针60之间的滑动摩擦的耐磨性。因此，即使长时间使用本发明，也可将由于磨损引起的破损的风险最小化，从而提高耐久性。

另外，本发明可为表面被第一薄膜层11密封的结构。因此，本发明可防止颗粒流入到内部的问题。

如此，在本发明作为垂直型探针卡30的引导板的构成配置的情况下，可发挥提高耐久性的效果。另外，本发明可确保对滑动摩擦的耐磨性。因此，本发明作为兼备耐久性及耐磨性的构成而可执行作为引导板的功能。

由于本发明的阳极氧化膜结构物AS由阳极氧化膜A材质形成，因此在高温环境下热变形可为小的。因此，本发明可有效地用于需要在高温的气氛中执行工艺的半导体或显示器领域。

作为一例，配置有本发明的探针卡20、30可执行用于保障芯片的可靠性的老化测试(burn-in test)。老化测试可在85℃或100℃的高温环境下进行。因此，阳极氧化膜结构物AS可暴露于高温。

但是，本发明由于低的热膨胀系数而由高温引起的热变形可为小的。因此，即使本发明配置有贯通孔H，也可防止贯通孔H的位置与检查对象物的检查位置的差异产生的问题。因此，本发明可防止配置在贯通孔H中的额外的构成的位置精密度下降的问题。

另外，本发明通过包括第一薄膜层11来构成，可兼备耐久性、耐药品性及耐磨性的特性。与此同时，本发明可解决由以往的薄膜层11'的腐蚀引起的裂纹C部分的再暴露的问题以及由气孔P引起的逸气问题。因此，在本发明作为在特定领域中执行特定功能的构成进行配置的情况下，可提高产品的整体性能的效率。

如上所述，虽然已参照本发明的优选实施例进行了说明，但是相应技术领域的普通技术人员可在不脱离上述权利要求中所记载的本发明的思想及领域的范围内对本发明实施各种修改或变形。