一种TFT-LCD全面屏切割强度提升方法

技术领域

本发明涉及TFT-LCD全面屏切割技术领域，具体为一种TFT-LCD全面屏切割强度提升方法。

背景技术

TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器,Thin film transistor liquid crystaldisplay)是多数液晶显示器的一种，它被应用在电视、平面显示器及投影机上。薄膜晶体管液晶显示器技术是一种微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的技术。TFT-LCD面板可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是彩色滤光片、而下层的玻璃则有晶体管镶嵌于上。当电流通过晶体管产生电场变化，造成液晶分子偏转，藉以改变光线的偏极性，再利用偏光片决定像素的明暗状态。

现有的屏幕切割方法不能够适用于现代化的电子全面屏的精细切割，切割时存在应力容易出现碎片现象，并且切割时的热效应可能对全面屏内部的电子晶体部分造成损坏，为此，我们提出一种TFT-LCD全面屏切割强度提升方法。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种TFT-LCD全面屏切割强度提升方法，解决了上述背景技术中提出的现有的屏幕切割方法不能够适用于现代化的电子全面屏的精细切割，切割时存在应力容易出现碎片现象，并且切割时的热效应可能对全面屏内部的电子晶体部分造成损坏的问题。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现，一种TFT-LCD全面屏切割强度提升方法，包括以下步骤：

(1)、数据采集；

(2)、夹持固定；

(3)、全面屏切割；

(4)、后期处理；

(5)、屏幕封装；

(6)、质量检验。

可选的，所述TFT-LCD全面屏切割强度提升方法包括以下具体步骤：

(1)、数据采集

首先采集待切割的TFT-LCD全面屏长度、宽度、厚度等整体数据，并按照切割要求获取相应的切割数据，设定激光切割路线；

(2)、夹持固定

将待切割的TFT-LCD全面屏水平铺设于工作台上，采用夹具对TFT-LCD全面屏的中部及上下侧进行均匀定位夹持；

(3)、全面屏切割

采用三次切割的方式对TFT-LCD全面屏的上层玻璃基板、内部液晶单元、下层玻璃基板进行分开切割，提高切割精度和强度；

(4)、后期处理

对切割后的TFT-LCD全面屏板块外侧边缘以及边角处进行打磨，并清除灰尘和残余物，使得TFT-LCD全面屏板块部分无异物；

(5)、屏幕封装

对上下两块玻璃基板之间的内部进行抽真空处理，然后再对边缘空隙位置重新灌入液晶，并于密封后在边缘处进行加压封装，使得全面屏内部液晶面完整，避免边缘存在空白影响后期的画面显示精度；

(6)、质量检验

对切割后的全面屏板块进行尺寸检测和内部晶体检测，确保其符合质量生产要求。

可选的，所述步骤(3)全面屏切割包括以下具体过程：

a、一次切割

沿切割轨迹首先对TFT-LCD全面屏的上层玻璃基板进行切割，控制切割深度，同时切割时相连的切割板块之间预留出一定的可修改范围，并且需预留出适当边距保证边框强度；

b、二次切割

初步切割后，切割处边缘裸露出镶嵌有液晶单元的下层玻璃基板，针对TFT-LCD全面屏中部的液晶单元，进行参数设置，再次设定切割轨迹，沿线路切除多余液晶单元，同时切除边缘部分由切割产生的破损液晶单元部分以及电容部分；

c、三次切割

按照切割要求对TFT-LCD全面屏下层玻璃基板进行切割，切割时采用激光切割的方式，使得下层玻璃基板与上层玻璃基板的边缘位置保持一致。

可选的，所述步骤(3)全面屏切割中的一次切割采用超声波刀片进行切割，将超声波转为机械振动，聚焦超声波对切割位置进行高频振动切割。

可选的，所述步骤(3)全面屏切割中的二次切割采用激光切割的方式，具体为Amber皮秒红外激光器，其输出脉冲宽度＜15ps，光束质量M2＜1.3。

可选的，所述步骤(3)全面屏切割中的三次切割采用激光切割的方式，超快激光拥有超短脉冲和超强特性，能够以较低的脉冲能量获得极高的峰值光强。

本发明提供了一种TFT-LCD全面屏切割强度提升方法，具备以下有益效果：该TFT-LCD全面屏切割强度提升方法，对TFT-LCD全面屏的上层玻璃基板、内部液晶单元、下层玻璃基板进行分开切割，针对不同部分采用不同的切割方式，使得切割方法最佳化，有利于提高切割精度和强度，切割上侧玻璃基板时采用采用超声波刀片进行切割，将超声波转为机械振动，不会产生应力破坏，同时共振便于应力释放不会产生碎片的情况，也有利于控制切割深度，切割TFT-LCD全面屏中部的液晶单元时采用激光切割的方式，超快激光热效应较低，避免由于热效应对晶体管造成影响，同时切割多余的破损液晶单元部分可避免晶体管短路，同时后期还对边缘空隙位置重新灌入液晶，并密封封装，该方式有利于提高良品率，使得全面屏内部液晶面完整，避免边缘存在空白影响后期的画面显示精度，并且切割过程中全面屏板块预留出适当边距有利于保证边框强度。

具体实施方式

下面将结合本发明的具体实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

一种TFT-LCD全面屏切割强度提升方法，包括以下步骤：

(1)、数据采集；

(2)、夹持固定；

(3)、全面屏切割；

(4)、后期处理；

(5)、屏幕封装；

(6)、质量检验。

所述TFT-LCD全面屏切割强度提升方法包括以下具体步骤：

(1)、数据采集

首先采集待切割的TFT-LCD全面屏长度、宽度、厚度等整体数据，并按照切割要求获取相应的切割数据，设定激光切割路线；

(2)、夹持固定

将待切割的TFT-LCD全面屏水平铺设于工作台上，采用夹具对TFT-LCD全面屏的中部及上下侧进行均匀定位夹持；

(3)、全面屏切割

采用三次切割的方式对TFT-LCD全面屏的上层玻璃基板、内部液晶单元、下层玻璃基板进行分开切割，提高切割精度和强度；

(4)、后期处理

对切割后的TFT-LCD全面屏板块外侧边缘以及边角处进行打磨，并清除灰尘和残余物，使得TFT-LCD全面屏板块部分无异物；

(5)、屏幕封装

对上下两块玻璃基板之间的内部进行抽真空处理，然后再对边缘空隙位置重新灌入液晶，并于密封后在边缘处进行加压封装，使得全面屏内部液晶面完整，避免边缘存在空白影响后期的画面显示精度；

(6)、质量检验

对切割后的全面屏板块进行尺寸检测和内部晶体检测，确保其符合质量生产要求。

所述步骤(3)全面屏切割包括以下具体过程：

a、一次切割

沿切割轨迹首先对TFT-LCD全面屏的上层玻璃基板进行切割，控制切割深度，同时切割时相连的切割板块之间预留出一定的可修改范围，并且需预留出适当边距保证边框强度；

b、二次切割

初步切割后，切割处边缘裸露出镶嵌有液晶单元的下层玻璃基板，针对TFT-LCD全面屏中部的液晶单元，进行参数设置，再次设定切割轨迹，沿线路切除多余液晶单元，同时切除边缘部分由切割产生的破损液晶单元部分以及电容部分；

c、三次切割

按照切割要求对TFT-LCD全面屏下层玻璃基板进行切割，切割时采用激光切可选的，所述步骤(3)全面屏切割中的一次切割采用超声波刀片进行切割，将超声波转为机械振动，聚焦超声波对切割位置进行高频振动切割。

所述步骤(3)全面屏切割中的二次切割采用激光切割的方式，具体为Amber皮秒红外激光器，其输出脉冲宽度＜15ps，光束质量M2＜1.3。

所述步骤(3)全面屏切割中的三次切割采用激光切割的方式，超快激光拥有超短脉冲和超强特性，能够以较低的脉冲能量获得极高的峰值光强。

综上所述，该TFT-LCD全面屏切割强度提升方法，使用时TFT-LCD全面屏切割强度提升方法包括以下具体步骤：

(1)、数据采集

首先采集待切割的TFT-LCD全面屏长度、宽度、厚度等整体数据，并按照切割要求获取相应的切割数据，设定激光切割路线；

(2)、夹持固定

将待切割的TFT-LCD全面屏水平铺设于工作台上，采用夹具对TFT-LCD全面屏的中部及上下侧进行均匀定位夹持；

(3)、全面屏切割

采用三次切割的方式对TFT-LCD全面屏的上层玻璃基板、内部液晶单元、下层玻璃基板进行分开切割，提高切割精度和强度；

a、一次切割

沿切割轨迹首先对TFT-LCD全面屏的上层玻璃基板进行切割，控制切割深度，同时切割时相连的切割板块之间预留出一定的可修改范围，并且需预留出适当边距保证边框强度；采用超声波刀片进行切割，将超声波转为机械振动，聚焦超声波对切割位置进行高频振动切割；

b、二次切割

初步切割后，切割处边缘裸露出镶嵌有液晶单元的下层玻璃基板，针对TFT-LCD全面屏中部的液晶单元，进行参数设置，再次设定切割轨迹，沿线路切除多余液晶单元，同时切除边缘部分由切割产生的破损液晶单元部分以及电容部分；采用激光切割的方式，具体为Amber皮秒红外激光器，其输出脉冲宽度＜15ps，光束质量M2＜1.3；

c、三次切割

按照切割要求对TFT-LCD全面屏下层玻璃基板进行切割，切割时采用激光切割的方式，使得下层玻璃基板与上层玻璃基板的边缘位置保持一致；采用激光切割的方式，超快激光拥有超短脉冲和超强特性，能够以较低的脉冲能量获得极高的峰值光强；

(4)、后期处理

对切割后的TFT-LCD全面屏板块外侧边缘以及边角处进行打磨，并清除灰尘和残余物，使得TFT-LCD全面屏板块部分无异物；

(5)、屏幕封装

对上下两块玻璃基板之间的内部进行抽真空处理，然后再对边缘空隙位置重新灌入液晶，并于密封后在边缘处进行加压封装，使得全面屏内部液晶面完整，避免边缘存在空白影响后期的画面显示精度；

(6)、质量检验

对切割后的全面屏板块进行尺寸检测和内部晶体检测，确保其符合质量生产要求。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。