显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置。

背景技术

随着科技的发展，市面上出现了各种不同类型的显示装置。为了使建筑窗户、车窗等透明的结构具有显示画面的功能，目前许多厂商致力于发展透明显示装置。一般而言，透明显示装置包括穿透区与非穿透区，其中穿透区中包含许多发光元件，而这些发光元件可以用来显示画面。

发明内容

本发明提供一种显示装置，能改善发光元件所发出的光线被像素电路反射所导致的漏光问题。

本发明的至少一实施例提供一种显示装置。显示装置包括像素电路基板以及发光元件。像素电路基板包括基板、金属层以及遮光结构。遮光结构形成于金属层上。遮光结构与金属层的堆叠对于可见光的反射率为3％～30％。发光元件电连接至像素电路基板。遮光结构在基板的顶面的法线方向上部分重叠于发光元件。

基于上述，由于遮光结构与金属层的堆叠对于可见光的反射率为3％～30％，可以减少发光元件所发出的光线被像素电路反复反射的机率，进而改善显示装置的漏光问题。

附图说明

图1A是本发明的一实施例的一种显示装置的俯视示意图；

图1B是沿着图1A的线A-A’的剖面示意图；

图2是本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图；

图3是本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图；

图4是本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图；

图5是本发明的一实施例的一种显示装置的剖面示意图；

图6是本发明的一实施例的金属层与遮光结构的叠层的反射率与光线波长关系图。

符号说明

1,2,3,4,5:显示装置

10:像素电路基板

20:发光元件

20a:蓝色发光元件

20b:绿色发光元件

20c:红色发光元件

100:基板

102:缓冲层

110:栅极绝缘层

120:层间介电层

130:第一绝缘层

132:第一阻障层

140:第二绝缘层

142:第二阻障层

144:第三阻障层

144H,152H,154H,400H,410H:通孔

150:挡墙层

150H:开口

150s:侧壁

150t:顶面

152:第四阻障层

154:保护层

202:第一电极

204:第二电极

400:金属层

410:遮光结构

410H1:第一开孔

410H2:第二开孔

A-A’:线

CL:共用信号线

G:栅极

M0:辅助导电层

M1:第一导电层

M2:第二导电层

M3:第三导电层

M4:第四导电层

ND:法线方向

P1:第一接垫

P2:第二接垫

S1:第一连接材

S2:第二连接材

SM:半导体图案

SD1:第一源极/漏极

SD2:第二源极/漏极

SL1:第一信号线

SL2:第二信号线

SL3:第三信号线

T1:第一转接结构

T2:第二转接结构

具体实施方式

图1A是依照本发明的一实施例的一种显示装置1的俯视示意图。图1B是沿着图1A的线A-A’的剖面示意图。显示装置1包括穿透区TR与位于穿透区TR周围的非穿透区NTR，其中非穿透区NTR中设置有电路，而穿透区TR则可以透光。换句话说，显示装置1为透明显示装置。为了方便说明，图1A省略绘示了非穿透区NTR中的部分电路。非穿透区NTR中的线路布局可以依照实际需求而进行调整。

请参考图1A与图1B，显示装置1包括像素电路基板10以及发光元件20。

像素电路基板10包括基板100、金属层400以及遮光结构410。在本实施例中，像素电路基板10还包括辅助导电层M0、缓冲层102、半导体图案SM、栅极绝缘层110、第一导电层M1、层间介电层120、第二导电层M2、第一绝缘层130、第一阻障层132、第三导电层M3、第二绝缘层140、第二阻障层142、第四导电层M4、第三阻障层144、挡墙层150、第四阻障层152以及保护层154。

基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶片、陶瓷或其他可适用的材料)或是其他可适用的材料。若使用导电材料或金属时，则在基板100上覆盖一层绝缘层(未绘示)，以避免短路问题。

辅助导电层M0位于基板100上。在本实施例中，辅助导电层M0直接形成于基板100上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，辅助导电层M0与基板100之间夹有其他绝缘层(未绘示)。在一些实施例中，辅助导电层M0的材料包括金属或其他合适的遮光材料。

缓冲层102位于辅助导电层M0以及基板100上。在一些实施例中，缓冲层102的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、有机绝缘材料或其他合适的绝缘材料。

半导体图案SM位于缓冲层102上。在本实施例中，半导体图案SM于基板100的顶面的法线方向ND上部分重叠于辅助导电层M0。在一些实施例中，半导体图案SM为单层或多层结构，其包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物或是其他合适的材料、或上述材料的组合)或其他合适的材料或上述材料的组合。

栅极绝缘层110位于半导体图案SM以及缓冲层102上。在一些实施例中，栅极绝缘层110的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘材料或其他合适的绝缘材料。

第一导电层M1位于栅极绝缘层110上。第一导电层M1包括栅极G以及第一信号线SL1。在一些实施例中，第一导电层M1还包括其他导电结构。半导体图案SM在法线方向ND上重叠于栅极G。在一些实施例中，第一导电层M1为单层或多层结构，且包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、合金或上述材料的组合或其他导电材料。

层间介电层120位于第一导电层M1以及栅极绝缘层110上。在一些实施例中，层间介电层120的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘材料或其他合适的绝缘材料。

第二导电层M2位于层间介电层120上。第二导电层M2包括第一源极/漏极SD1、第二源极/漏极SD2以及第二信号线SL2。在一些实施例中，第二导电层M2还包括其他导电结构。第一源极/漏极SD1以及第二源极/漏极SD2通过层间介电层120以及栅极绝缘层110中的通孔而电连接至半导体图案SM。在一些实施例中，第二导电层M2为单层或多层结构，且包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、合金或上述材料的组合或其他导电材料。

第一绝缘层130位于第二导电层M2以及层间介电层120上。在一些实施例中，第一绝缘层130的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘材料或其他合适的绝缘材料。

第一阻障层132位于第一绝缘层130上。在一些实施例中，第一绝缘层130包括重叠于部分第二导电层M2(例如第一源极/漏极SD1)的通孔，且第一阻障层132填入前述通孔中。在一些实施例中，第一阻障层132具有通孔，且第一阻障层132的通孔重叠于第一绝缘层130的通孔，使位于第一阻障层132之上的其他导电结构可以通过第一阻障层132的通孔而电连接至第二导电层M2。在一些实施例中，第一阻障层132的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘材料或其他合适的绝缘材料。

第三导电层M3位于第一绝缘层130之上。在本实施例中，第三导电层M3位于第一阻障层132上。在本实施例中，第三导电层M3包括第一转接结构T1、第二转接结构T2以及第三信号线SL3。在一些实施例中，第三导电层M3还包括其他导电结构。至少部分第三导电层M3电连接至第二导电层M2。举例来说，第一转接结构T1通过第一阻障层132的通孔而电连接至第一源极/漏极SD1。在一些实施例中，第三导电层M3为单层或多层结构，且包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、合金或上述材料之组合或其他导电材料。

第二绝缘层140位于第三导电层M3以及第一绝缘层130之上。在本实施例中，第二绝缘层140位于第三导电层M3以及第一阻障层132上。在一些实施例中，第二绝缘层140的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘材料或其他合适的绝缘材料。

第二阻障层142位于第二绝缘层140上。在一些实施例中，第二绝缘层140包括重叠于部分第三导电层M3(例如第一转接结构T1以及第二转接结构T2)的通孔，且第二阻障层142填入前述通孔中。在一些实施例中，第二阻障层142具有通孔，且第二阻障层142的通孔重叠于第二绝缘层140的通孔，使位于第二阻障层142之上的其他导电结构可以通过第二阻障层142的通孔而电连接至第三导电层M3。在一些实施例中，第二阻障层142的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘材料或其他合适的绝缘材料。

第四导电层M4位于第二绝缘层140之上。在本实施例中，第四导电层M4位于第二阻障层142上。在本实施例中，第四导电层M4包括第一接垫P1、第二接垫P2以及共用信号线CL。在一些实施例中，第四导电层M4还包括其他导电结构。至少部分第四导电层M4电连接至第三导电层M3。举例来说，第一接垫P1以及第二接垫P2分别通过第二阻障层142的通孔而电连接至第一转接结构T1以及第二转接结构T2。在一些实施例中，第四导电层M4为单层或多层结构，且包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、合金或上述材料的组合或其他导电材料。

第三阻障层144位于第四导电层M4以及第二阻障层142上。第三阻障层144具有重叠于第一接垫P1以及第二接垫P2的一个或多个通孔144H。在本实施例中，一个通孔144H同时重叠于第一接垫P1以及第二接垫P2，但本发明不以此为限。在其他实施例中，多个通孔144H分别重叠于第一接垫P1以及第二接垫P2。在一些实施例中，第三阻障层144的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘材料或其他合适的绝缘材料。在一些实施例中，多个发光元件20所对应的第二接垫P2彼此电连接。举例来说，第四导电层M4包括将多个第二接垫P2连接在一起的共用信号线CL。

挡墙层150位于基板100之上。在本实施例中，挡墙层150位于第三阻障层144上。挡墙层150具有开口150H，且开口150H适用于容纳发光元件20。开口150H重叠于第一接垫P1以及第二接垫P2。在一些实施例中，挡墙层150的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘材料或其他合适的绝缘材料。在一些实施例中，挡墙层150的厚度为0.5微米至6微米。

第四阻障层152位于挡墙层150上。在一些实施例中，第四阻障层152从挡墙层150的顶面150t沿着开口150H的侧壁150s延伸至开口150H的底部。在一些实施例中，位于开口150H的底部的第四阻障层152接触第三阻障层144。第四阻障层152具有重叠于第一接垫P1以及第二接垫P2的一个或多个通孔152H。在本实施例中，一个通孔152H同时重叠于第一接垫P1以及第二接垫P2，但本发明不以此为限。在其他实施例中，多个通孔152H分别重叠于第一接垫P1以及第二接垫P2。在一些实施例中，通孔144H以及通孔152H是通过相同的光刻制作工艺与蚀刻制作工艺所形成，因此，通孔144H的侧壁对齐于通孔152H的侧壁，但本发明不以此为限。在一些实施例中，第四阻障层152的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘材料或其他合适的绝缘材料。

发光元件20电连接至像素电路基板100。发光元件20的第一电极202与第二电极204分别电连接至像素电路基板100的第一接垫P1以及第二接垫P2。举例来说，第一连接材S1连接第一电极202与第一接垫P2，且第二连接材S2连接第二电极204与第二接垫P4。在一些实施例中，第一连接材S1与第二连接材S2的材料包括导电胶、焊料或其他导电接合材料。发光元件20例如为任意形式的微型发光二极管。第一电极202与第二电极204中的一者发光元件20的阴极，且另一者为发光元件20的阳极。在本实施例中显示装置1包括不同颜色的发光元件20，例如蓝色发光元件20a、绿色发光元件20b以及红色发光元件20c，由此显示彩色画面。

在本实施例中，金属层400位于挡墙层150之上。金属层400形成于第四阻障层152上。第四阻障层152位于金属层400与挡墙层150之间，由此避免形成金属层400的制作工艺对挡墙层150造成损伤。在一些实施例中，金属层400自挡墙层150的顶面150t的上方沿着开口150H的侧壁150s而延伸至发光元件20的下方。金属层400位于开口150H的侧壁150s与发光元件20之间。在一些实施例中，金属层400还延伸至开口150H底部的第四导电层M4上方，且金属层400与第四导电层M4之间夹有第三阻障层144以及第四阻障层152。在一些实施例中，金属层400具有通孔400H，且发光元件20的第一电极202与第二电极204对应于前述通孔400H而设置。

在一些实施例中，金属层400为单层或多层结构，且包括铬、金、银、铜、锡、铅、铪、钨、钼、钕、钛、钽、铝、锌等金属、合金或上述材料的组合或其他金属材料。在一些实施例中，金属层400的厚度为250埃至8000埃。

遮光结构410形成于金属层400上。遮光结构400自挡墙层150的顶面150t的上方沿着开口150H的侧壁150s而延伸至发光元件20的下方。遮光结构410位于开口150H的侧壁150s与发光元件20之间。在本实施例中，金属层400以及遮光结构410在基板100的顶面的法线方向ND上部分重叠于发光元件20。在一些实施例中，遮光结构400还延伸至开口150H底部的第四导电层M4上方。在一些实施例中，金属层400具有第一开孔410H，且发光元件20的第一电极202与第二电极204对应于前述第一开口410H而设置。在一些实施例中，金属层400的形状以及遮光结构410的形状是通过同一道蚀刻制作工艺所定义，因此，金属层400垂直投影于基板100上的图案相等于遮光结构410垂直投影于基板100上的图案。举例来说，形成金属层400以及遮光结构410的方法包括：通过物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、溅镀、无电电镀或其他制作工艺沉积金属材料于第四阻障层152上；接着，通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积或其他合适的方法沉积遮光材料于金属材料的整个上顶面；最后，执行光刻制作工艺以及蚀刻制作工艺以图案化前述遮光材料以及金属材料，由此获得堆叠的遮光结构410以及金属层400。

在其他实施例中，遮光结构410以及金属层400是通过不同道蚀刻制作工艺所定义，因此，金属层400垂直投影于基板100上的图案可以不等于遮光结构410垂直投影于基板100上的图案。

在一些实施例中，遮光结构410的材料包括钼的氧化物或包含钼元素与其他金属元素的氧化物或其他可以吸收可见光的金属氧化物，例如铌钽硅碳氧化物等。在一些实施例中，遮光结构410与金属层400的堆叠的光学密度(Optical density，OD)大于2。在本实施例中，遮光结构410与金属层400的堆叠对于可见光的反射率为3％～30％。在一些实施例中，遮光结构410的厚度为250埃至2000埃。

在本实施例中，金属层400以及遮光结构410环绕发光元件20，但本发明不以此为限。在其他实施例中，金属层400以及遮光结构410仅设置于开口150H靠近穿透区TR的一侧。在一些实施例中，辅助导电层M0、半导体图案SM、第一导电层M1、第二导电层M2、第三导电层M3、第四导电层M4、金属层400、遮光结构410以及发光元件20设置于非穿透区NTR中，穿透区TR中则都为透明材料。

保护层154位于遮光结构410以及第四阻障层152上，且覆盖遮光结构410。在一些实施例中，保护层154的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪、有机绝缘材料或其他合适的绝缘材料。保护层154的通孔154H重叠于发光元件20。

基于上述，遮光结构410与金属层400的堆叠对于可见光的反射率仅有3％～30％，因此，可以避免发光元件20所发出的光线在像素电路基板10中的各导电层之间反复反射而导致的漏光问题。此外，由于遮光结构410与金属层400的堆叠仍能反射少量光线，因此，遮光结构410与金属层400的堆叠具有增加显示装置1的出光效率的功效。

图2是依照本发明的一实施例的一种显示装置2的剖面示意图。在此必须说明的是，图2的实施例沿用图1A和图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

图2的显示装置2与图1A和图1B的显示装置1的差异包括：显示装置2的金属层400电连接至发光元件20至第三金属层M3。

请参考图2，金属层400位于第二绝缘层140之上。在本实施例中，金属层400位于第二阻障层142上。在本实施例中，金属层400包括第一接垫P1、第二接垫P2以及共用信号线CL。在一些实施例中，金属层400还包括其他导电结构。至少部分金属层400电连接至第三导电层M3。举例来说，第一接垫P1以及第二接垫P2分别通过第二阻障层142的通孔而电连接至第一转接结构T1以及第二转接结构T2。

遮光结构410形成于金属层400上。在一些实施例中，先执行金属层400的图案化制作工艺之后，才形成遮光结构410于金属层400上。在一些实施例中，形成遮光结构410的方法包括：通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积或其他合适的方法沉积遮光材料于金属层400上；接着，通过光刻制作工艺与蚀刻制作工艺图案化前述遮光材料以形成暴露出部分金属层400的遮光结构410，由此使后续注入的发光元件20可以电连接至被遮光结构410所暴露的部分金属层400。

在本实施例中，遮光结构410具有第一开孔410H1以及第二开孔410H2，其中第一开孔410H1重叠于第一电极202、第一连接材S1以及第一接垫P1，且第二开孔410H2重叠于第二电极204、第二连接材S2以及第二接垫P2，但本发明不以此为限。在其他实施例中，遮光结构410的一个开孔同时重叠于第一电极202以及第二电极204。在一些实施例中，第一开孔410H1以及第二开孔410H2各自的宽度大于4微米，由此提升发光元件20接合至第一接垫P1与第二接垫P2的制作工艺良率。

在一些实施例中，部分遮光结构410直接形成于第二阻障层142的上表面。换句话说，部分遮光结构410于法线方向ND上不重叠于金属层400。举例来说，第一接垫P1以及第二接垫P2之间的部分遮光结构410于法线方向ND上不重叠于金属层400。在一些实施例中，遮光结构410覆盖金属层400的侧壁。举例来说，遮光结构410覆盖第一接垫P1的侧壁、第二接垫P2的侧壁以及共用信号线CL的侧壁。

在本实施例中，遮光结构410与金属层400的堆叠对于可见光的反射率仅有3％～30％，因此，可以避免发光元件20所发出的光线在像素电路基板10中的各导电层之间反复反射而导致的漏光问题。

在本实施例中，部分遮光结构410与金属层400的堆叠延伸至开口150H的侧壁150s下方，由此减少穿过开口150H的侧壁150s的光线在像素电路基板10中反复反射的机率。

图3是依照本发明的一实施例的一种显示装置3的剖面示意图。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图2的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

图3的显示装置3与图2的显示装置2的差异包括：显示装置3不包括第三阻障层144、挡墙层150、第四阻障层152以及保护层154。

图4是依照本发明的一实施例的一种显示装置4的剖面示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图2的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

图4的显示装置4与图2的显示装置2的差异包括：显示装置4的金属层400位于第一绝缘层130与第二绝缘层140之间。

请参考图4，金属层400位于第一绝缘层130之上。在本实施例中，金属层400位于第一阻障层132上。在本实施例中，金属层400包括第一转接结构T1、第二转接结构T2以及第三信号线SL3。在一些实施例中，金属层400还包括其他导电结构。在一些实施例中，第三信号线SL3可以作为共用信号线，且第三信号线SL3将多个第二转接结构T2彼此电连接，但本发明不以此为限。在其他实施例中，多个第二转接结构T2通过其他导电层而电连接。至少部分金属层400电连接至第二导电层M2。举例来说，第一转接结构T1通过第一阻障层132的通孔而电连接至第一源极/漏极SD1。

遮光结构410形成于金属层400上。在一些实施例中，先执行金属层400的图案化制作工艺之后，才形成遮光结构410于金属层400上。在一些实施例中，形成遮光结构410的方法包括：通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积或其他合适的方法沉积遮光材料于金属层400上；接着，通过光刻制作工艺与蚀刻制作工艺图案化前述遮光材料以形成暴露出部分金属层400的遮光结构410，由此使后续形成的第四金属层M4可以电连接至被遮光结构410所暴露的部分金属层400。

在本实施例中，遮光结构410具有第一开孔410H1以及第二开孔410H2，其中第一开孔410H1重叠于第一接垫P1，且第二开孔410H2重叠于第二接垫P2。第一接垫P1穿过第一开孔410H1以电连接第一转接结构T1，且第二接垫P2穿过第二开孔410H2以电连接第二转接结构T2。在其他实施例中，遮光结构410的一个开孔同时重叠于第一接垫P1以及第二接垫P2。在一些实施例中，第一开孔410H1以及第二开孔410H2各自的宽度大于4微米，由此提升第四金属层M4电连接至金属层400的制作工艺良率。

在一些实施例中，部分遮光结构410直接形成于第一阻障层132的上表面。换句话说，部分遮光结构410于法线方向ND上不重叠于金属层400。举例来说，第一转接结构T1以及第二转接结构T2之间的部分遮光结构410于法线方向ND上不重叠于金属层400。在一些实施例中，遮光结构410覆盖金属层400的侧壁。举例来说，遮光结构410覆盖第一转接结构T1的侧壁、第二转接结构T2的侧壁以及第三信号线SL3的侧壁。

第二绝缘层140位于金属层400、遮光结构410以及第一绝缘层130之上。在本实施例中，第二绝缘层140位于金属层400、遮光结构410以及第一阻障层132上。第二阻障层142位于第二绝缘层140上。在一些实施例中，第二绝缘层140包括重叠于部分金属层400(例如第一转接结构T1以及第二转接结构T2)的通孔，且第二阻障层142填入前述通孔中。在一些实施例中，第二阻障层142具有通孔，且第二阻障层142的通孔重叠于第二绝缘层140的通孔，使第二阻障层142上的导电结构可以通过第二阻障层142的通孔而电连接至金属层400。

第四导电层M4位于第二绝缘层140之上。在本实施例中，第四导电层M4位于第二阻障层142上。在本实施例中，第四导电层M4包括第一接垫P1、第二接垫P2以及共用信号线CL。在一些实施例中，第四导电层M4还包括其他导电结构。至少部分第四导电层M4电连接至金属层400。举例来说，第一接垫P1以及第二接垫P2分别通过第二阻障层142的通孔而电连接至第一转接结构T1以及第二转接结构T2。

图5是依照本发明的一实施例的一种显示装置5的剖面示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。

图5的显示装置5与图4的显示装置4的差异包括：显示装置5不包括第三阻障层144、挡墙层150、第四阻障层152以及保护层154。

图6是依照本发明的一实施例的金属层与遮光结构的叠层的反射率与光线波长关系图。请参考图6，以厚度为50纳米的钼金属(Mo)为金属层，并以不同厚度的氧化钼钽为遮光结构，其中氧化钼钽是由MoOxTa8作为靶材进行溅镀而形成。测量金属层与遮光结构的叠层的反射率与光线波长之间的关系。

在遮光结构的厚度为55纳米的数据中，分别测量有对叠层结构进行退火(图中显示为实线)以及未对叠层结构进行退火(图中显示为虚线)的反射率与光线波长之间的关系，其中前述退火例如是在400摄氏度进行。由图6可以得知，金属层与遮光结构的叠层的反射率会与遮光结构的厚度有相关。此外，叠层结构在进行退火之后，遮光结构的厚度对反射率的影响会变得较为明显，这是因为遮光结构在退火之后会结晶。金属层与遮光结构的叠层在遮光结构的厚度为75纳米至85纳米时所反射的光线偏深蓝，因此遮光结构的厚度较佳为75纳米至85纳米。