发光基板的制备方法、显示面板和显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种发光基板的制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

而随着显示技术的发展，大尺寸和高PPI(Pixels Per Inch，每英寸内拥有的像素数目)成为显示装置的重要参数指标。相关技术中，光刻技术下能够形成的像素图案大约能达到2μm的精度，也就是说能够形成5000PPI的显示装置。

光刻工艺包括以下步骤：涂胶、曝光、显影、刻蚀、清洗。而在清洗步骤中，由于光刻胶本身是有机物，基于相似相溶特性，其溶解有机溶剂，因此可以在有机溶剂的作用下去除剩余部分的光刻胶。由上述分析可知，在制备发光器件的过程中，发光功能层中的各膜层材料均是有机材料，去胶溶剂也会对发光功能层造成损伤。综上所述，在清洗PR的过程中，用于去胶的有机溶剂所产生的水汽会对发光功能层造成水汽侵蚀，进而影响发光器件的发光效果。

发明内容

本公开实施例提供一种发光基板的制备方法、显示面板和显示装置。

第一方面，本公开实施例提供一种发光基板的制备方法，包括：提供一基板，所述基板的一侧设置有多个阵列排布的第一电极，所述基板包括多个阵列排布的像素区，每一像素区包括多个子区，每一所述第一电极位于一个所述子区上；

在所述基板的一侧，对于每一所述像素区，依次在每个目标子区形成目标颜色的发光器件，所述发光器件包括目标颜色的发光功能层和第二电极，同一所述像素区中的多个子区所对应的发光器件的颜色不同；

其中，依次在每个目标子区形成目标颜色的发光器件的步骤包括：

在所述像素区且所述第一电极远离基板的一侧，依次形成覆盖每一所述子区的第一电极且连为一体的所述目标颜色的发光功能层、所述第二电极和保护牺牲层；通过光刻工艺，去除非目标子区上的所述目标颜色的所述发光功能层、所述第二电极和所述保护牺牲层，所述非目标子区为所述像素区中除所述目标子区之外的区域。

在一些实施例中，所述保护牺牲层的材料为丙烯酸或者氮化硅。

在一些实施例中，通过图案化处理，去除非目标子区上的所述目标颜色的所述发光功能层、所述第二电极和所述保护牺牲层的步骤，包括：

在所述目标子区且所述保护牺牲层远离所述基板的一侧，形成遮光图形；

基于所述遮光图形对所述非目标子区进行刻蚀，以去除所述非目标子区上的所述目标颜色的所述发光功能层、所述第二电极和所述保护牺牲层；

去除所述目标子区上的所述遮光图形。

在一些实施例中，所述在目标子区形成目标颜色的发光器件的步骤，包括：在目标子区形成目标颜色的发光器件和所述牺牲保护层；

在所述像素区，每一所述子区上均形成有对应目标颜色的发光器件和所述牺牲保护层之后，所述方法还包括：

对所述像素区内每一所述子区上的保护牺牲层进行等离子工艺处理，去除所述保护牺牲层。

在一些实施例中，依次形成覆盖每一所述子区的第一电极且连为一体的所述目标颜色的发光功能层、所述第二电极和保护牺牲层的步骤之前，所述方法还包括：

在所述第一电极远离所述基板的一侧沉积像素界定材料薄膜；

对所述像素界定材料薄膜进行图案化处理，形成像素界定层，所述像素界定层包括多个阵列排布的容纳孔，每一容纳孔暴露至少部分所述第一电极。

在一些实施例中，在所述像素区，且位于所述第一电极远离基板的一侧，依次形成覆盖每一所述子区的第一电极且连为一体的所述目标颜色的发光功能层、所述第二电极和保护牺牲层的步骤，包括：

在所述第一电极远离所述基板的一侧、且对应整个所述像素区的区域，依次形成空穴注入层、空穴传输层、目标颜色对应的发光层、电子传输层和电子注入层，以形成所述发光功能层；

在所述发光功能层远离所述基板的一侧，形成所述第二电极；

在所述第二电极远离所述基板的一侧，基于薄膜封装工艺形成保护牺牲层。

在一些实施例中，所述对所述像素区内每一所述子区上的保护牺牲层进行等离子工艺处理，去除所述保护牺牲层的步骤之后，所述方法还包括：

在所述像素区且所述第二电极远离所述基板的一侧，沉积第一导电材料薄膜，形成第一导电层，所述第一导电层配置为将每一子区中的第二电极进行电连接。

在一些实施例中，形成所述第一导电层的步骤之后，所述方法还包括：

在所述像素区且所述第一导电层远离所述基板的一侧，依次蒸镀形成光学调整层和光学防护层。

在一些实施例中，依次蒸镀形成光学调整层和光学防护层的步骤之后，所述方法还包括：

在所述像素区且所述光学防护层远离所述基板的一侧，通过薄膜封装工艺形成封装层，所述封装层远离所述基板的一侧表面为平坦表面。

第二方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括发光基板，所述发光基板采用第一方面提供的制备方法形成。

第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括第二方面提供的显示面板。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1为本公开实施例提供的一种发光基板的制备方法的示意流程图；

图2为本公开实施例提供的步骤S2’的具体流程示意图；

图3为本公开实施例提供的另一种发光基板的制备方法的示意流程图；

图4为本公开实施例提供的一种发光基板的制备方法的示意流程图；

图5a-图5e为采用图4所示制备方法所制得中间产品的结构示意图。

附图标记说明：

晶圆基板10：第一电极ITO、红色子区R、绿色子区G、蓝色子区B；

发光功能层E：空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子注入层ETL、电子传输层EIL、出光颜色为红色的发光层rEML、出光颜色为绿色的发光层gEML、出光颜色为蓝色的发光层bEML；

第二电极M、第一导电层M’、第一导电材料薄膜m1、第二导电材料薄膜m2、第三导电材料薄膜m3、第四导电材料薄膜m4；

光学调整层CPL、光学防护层LiF；

保护牺牲层A、封装层B、遮光图形pr。

具体实施方式

以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另作定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

发光基板中包括阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括有红色、绿色和蓝色三种颜色的子像素单元，对应的，每个子像素单元中包括对应颜色的发光器件。以OLED显示装置为例，每一子像素单元中的发光器件均包括阳极层、发光功能层和阴极层，其中发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光颜色为红色/绿色/蓝色的发光层、电子传输层、电子注入层。应当理解的是，发光功能层中各膜层的材料均为有机材料。

通常，OLED显示装置中采用像素并置法(Side-by-Side)制备形成不同发光颜色的发光器件。在制备各发光器件时，可以采用掩膜技术形成。具体地，利用掩膜板上掩膜区域的遮挡作用将像素单元中的其中两种颜色的子像素单元对应的区域遮挡，然后通过蒸镀或者喷墨打印的方式，将成膜材料沉积在未遮挡的颜色的子像素单元中，所形成的相应图案作为该子像素单元发光器件的发光层的主体材料；然后再依次以相同的制备步骤形成其他两种颜色的发光器件的发光层，从而制备整个像素单元的发光层。进一步地，在像素单元中形成连为一体的电子传输层、电子注入层和阴极层，以完成像素单元中所有发光器件的制备。

而随着显示技术的发展，大尺寸和高PPI(Pixels Per Inch，每英寸内拥有的像素数目)成为显示装置的重要参数指标。与此同时，制备形成发光器件的掩膜板上的图案区域也需要进一步精细化，这就需要使用精细金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)。

但由于存在掩膜对齐、掩膜堵塞等现象，采用FMM制备形成的显示装置最高能够达到3000PPI，此时，采用光刻技术形成显示装置中的发光器件具有更大的优势。经验证，光刻技术下能够形成的像素图案大约能达到2μm的精度，也就是说能够形成5000PPI的显示装置。

具体地，光刻工艺包括以下步骤：涂胶、曝光、显影、刻蚀、清洗。其中，涂胶是指利用旋涂的方法，将光刻胶(Photo Resist，PR)涂覆在晶圆基板上；曝光是指经过UV紫外光线的照射，被照射部分的光刻胶的化学性质发生变化；显影是指在显影液的作用下，被照射的光刻胶发生反应从而脱落，暴露光刻胶下面的材料，而未被照射的部分不发生反应，继续遮盖下方材料；刻蚀包括干法刻蚀和湿法刻蚀两种，其中干法刻蚀是指通过等离子气体与下方材料发生反应，从而将该部分材料去除；清洗是指在有机溶剂的作用下将未被照射的PR清洗去除，从而形成图案。

上述清洗步骤中，由于光刻胶本身是有机物，基于相似相溶特性，其溶解于有机溶剂，因此可以在有机溶剂的作用下去除剩余部分的光刻胶。由上述分析可知，在制备发光器件的过程中，发光功能层中的各膜层材料均是有机材料，因此，去胶溶剂也会对发光功能层造成损伤。综上所述，在清洗PR的过程中，用于去胶的有机溶剂所产生的水汽会对发光功能层造成水汽侵蚀，进而影响发光器件的发光效果。

为了解决上述技术问题中的至少一个或多个，本公开实施例提供一种发光基板，通过保护牺牲层对发光器件进行保护，避免对发光器件造成水汽侵蚀等不良影响，保证发光基板的发光效果。

图1为本公开实施例提供的一种发光基板的制备方法的示意流程图，如图1所示，发光基板的制备方法包括：

步骤S1，提供一基板，基板的一侧设置有多个阵列排布的第一电极，基板包括多个阵列排布的像素区，每一像素区包括多个子区，每一第一电极位于一个子区上。

应当理解的是，本公开中发光基板中的发光器件是基于光刻工艺制备形成的，而光刻工艺的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。为了增加光刻胶与基板之间的粘附性，上述基板优选为晶圆基板。

另外，在使用晶圆基板时，首先需要对基板进行预处理，例如，在涂敷光刻胶之前，将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。这样处理是为了增加光刻胶与基片间的粘附能力，防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀。

步骤S2，在基板的一侧，对每一像素区执行步骤S2’：依次在每个目标子区形成目标颜色的发光器件，发光器件包括目标颜色的发光功能层和第二电极，同一像素区中的多个子区所对应的发光器件的颜色不同。

其中，在所述像素区的每一目标子区形成目标颜色的发光器件的步骤S2’包括：

步骤S21，在像素区，且位于第一电极远离基板的一侧，依次形成覆盖每一子区的第一电极且连为一体的目标颜色的发光功能层、第二电极和保护牺牲层；步骤S22，通过光刻工艺，去除非目标子区上的目标颜色的发光功能层、第二电极和保护牺牲层，非目标子区为像素区中除目标子区之外的区域。

本公开实施例提供的发光基板的制备方法，在基板上依次形成发光器件的第一电极、发光功能层和第二电极之后，在第二电极上方形成有保护牺牲层，如此设置，在通过光刻工艺去除非目标子区上的膜层结构时，在保护牺牲层的作用下，可以隔绝图案化工艺过程中显影和刻蚀对发光功能层的影响。以及，保护牺牲层覆盖发光器件的第一电极、发光功能层和第二电极，也就是说，在依次制备像素区中每一发光器件的过程中，每一发光器件的整个结构均在保护牺牲层的覆盖下独立形成，保护发光器件之间不会产生串扰，有利于提高发光基板的发光效果。

还需要说明的是，在一个示例中，像素区包括三个子区，三个子区分别为包括红色发光器件的红色子区、包括绿色发光器件的绿色子区和包括蓝色发光器件的蓝色子区。而像素区中还包括多个间隔区，间隔区为任意两个子区之间的区域，当制备红色发光器件时，红色子区为目标子区，此时，非目标子区并不只包括绿色子区和蓝色子区，还包括多个间隔区，例如红色子区与绿色子区之间的间隔区、绿色子区与蓝色子区之间的间隔区。

在一些实施例中，保护牺牲层的材料为丙烯酸或者氮化硅。具体地，通过薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)工艺，将丙烯酸或者氮化硅材料形成在第二电极远离基板的一侧，通过TFE工艺在形成保护牺牲层，借此阻断造成发光器件亮度不足与出现黑点等致命性缺陷的水分或空气，以保证发光器件的发光效果。

图2为本公开实施例提供的步骤S2’的具体流程示意图，在一些实施例中，如图2所示，在步骤S21之前，上述步骤S2’还包括步骤S20：在第一电极远离基板的一侧沉积像素界定材料薄膜；对像素界定材料薄膜进行图案化处理，形成像素界定层，像素界定层包括多个阵列排布的容纳孔，每一容纳孔暴露至少部分第一电极。

其中，像素界定层所采用的材料可以采用可阻挡水汽的高分子材料制成，例如，采用丙烯酸材料，以阻隔侵入内部的水分子和/或氧气分子。

另外，形成在像素界定层中的容纳孔，在发光基板的厚度方向上成梯形形状，在制备像素界定层时，所产生的具有各向同性特性的梯形形状可以防止环境中杂质侵入，从而保护发光器件。

在一些实施例中，上述步骤S22具体可以包括：

步骤S220，在目标子区，且位于保护牺牲层远离基板的一侧形成遮光图形；基于遮光图形对非目标子区进行刻蚀，以去除非目标子区上的目标颜色的发光功能层、第二电极和保护牺牲层；去除目标子区上的遮光图形。

具体地，上述遮光图形的材料可以是光刻胶PR，在一个示例中，首先在牺牲保护层上方涂覆覆盖整个像素区的PR，在光刻胶上方覆盖掩膜板，基于掩膜板图形对非目标子区上的PR进行UV紫外灯照射，通过显影去除非目标子区上的PR，以暴露非目标子区上的保护牺牲层；进一步地，将非目标子区上的保护牺牲层、第二电极和目标颜色的发光功能层依次刻蚀去除，此时，目标子区上的各膜层在PR作用下，不受刻蚀影响，因此目标子区各结构保留；进一步地，在有机溶剂的作用下将目标子区上的PR去除，此时，在目标子区上的保护牺牲层覆盖发光器件，因此用于去除PR的有机溶剂所产生的水汽不会对发光器件中的发光功能层造成影响。

图3为本公开实施例提供的另一种发光基板的制备方法的示意流程图，在一些实施例中，如图3所示，在像素区，每一子区上均形成有对应目标颜色的发光器件和牺牲保护层之后，方法还包括步骤S3：对像素区内每一子区上的保护牺牲层进行等离子工艺处理，去除保护牺牲层。

在一个示例中，按照上述步骤S2’所提供的方法依次在像素区的每一子区中形成对应出光颜色的发光器件时，虽然各个目标子区上的保护牺牲层能够保护其所覆盖的发光器件，但对非目标子区中保护牺牲层、第二电极和发光功能层进行光刻工艺时，会在目标子区上所保留的保护牺牲层中产生大量颗粒(particle)，由此导致像素区上的暗点缺陷。基于此，通过等离子体干法刻蚀(plamsa)工艺，将各子区中所沉积的保护牺牲层去除，由此可以消除像素区上由于particle所产生的暗点缺陷。

在一些实施例中，如图2所示，上述步骤S21具体可以包括：

步骤S210，在第一电极远离基板的一侧、且对应整个像素区的区域，依次形成空穴注入层、空穴传输层、目标颜色对应的发光层、电子传输层和电子注入层，以形成发光功能层；在发光功能层远离基板的一侧，形成第二电极；在第二电极远离基板的一侧，基于薄膜封装工艺形成保护牺牲层。

应当理解的是，当发光器件内部有电流通过时，由第一电极产生空穴、第二电极产生电子，其中空穴经过空穴注入层和空穴传输层、电子经过电子注入层和电子传输层被注入到发光层中，并在发光层中形成激子而发光。

在本公开实施例中，像素区中的每一子区内发光器件是依次制备形成在像素界定区对应的容纳部中，也就是说，每一发光器件所对应的发光功能层中各膜层结构均是独立形成的，不同发光器件中发光功能层所包括的各膜层结构不共用，如此设置，减少了不同子区中像素串扰的风险，有利于提高发光基板的发光效果。

另外，上述第一电极可以是氧化铟锡材料形成的透明电极，第二电极可以是金属材料形成的反射电极。

在一些实施例中，如图3所示，步骤S3之后，方法还包括步骤S4：在像素区，且位于第二电极远离基板的一侧，沉积第一导电材料薄膜，形成第一导电层，第一导电层配置为将每一子区中的第二电极进行电连接。

由上述分析可知，在步骤S22中所形成的第二电极是对应于每一子区间隔排布的，相邻子区中的两个第二电极之间并无电连接。因此，在通过plamsa工艺将保护牺牲层去除后，形成连为一体的第一导电层，则独立形成在各子区的第二电极和叠置在其上方的第一导电层形成连为一体的导电结构，以便于在显示阶段中各子区统一接收电压信号，为各发光器件提供像素电压。

并且，上述步骤S4中直接在第二电极远离基板的一侧形成连为一体的第一导电层，而不是仅仅形成在相邻子区之间的区域以连接相邻的第二电极，如此以来，无需再进行图案化处理，节省制备工艺，另一方面第一导电层叠置在第二电极上方，相当于增加了第二电极的厚度，有利于减少第二电极上的电阻，节省驱动资源。

在一些实施例中，如图3所示，发光基板的制备方法还包括步骤S5：在像素区，且位于第一导电层远离基板的一侧，依次蒸镀形成光学调整层和光学防护层。

其中，光学调整层具有较高的折射率以调节出光并形成谐振微腔，改善出光颜色，例如光学调整层对460nm波长的光的折射率大于1.8，从而增加光线的出射角度，提高发光器件的出光量。位于光学调整层上方的光学防护层可以采用氟化锂(LiF)材料，一方面光学防护层可以作为高折射材料提升出光效率，另一方面LiF材料有一定程度的UV防护的作用，可以降低后续制程中UV照射对发光器件的影响。

上述结构中，光学调整层位于光学防护层和第二电极之间，因此光学调整层相当于是在两个相对折射率差值较大的介质之间插入相对折射率接近中间值的介质，用以增加临界角，从而增大了各层介质的入射角，使得原本出不去的光线能够折射出去。

在一些实施例中，如图3所示，发光基板的制备方法还包括步骤S6：在像素区，且位于光学防护层远离基板的一侧，通过薄膜封装工艺形成封装层，封装层远离基板的一侧表面为平坦表面。

需要说明的是，本公开实施例中，封装层和保护牺牲层是采用相同的材料和工艺制备形成的，即封装层材料包括丙烯酸或者氮化硅。但通过TFE工艺形成封装层之后，无需再进行曝光和干法刻蚀等工艺以去除部分区域上封装材料，因此不会出现存在particle的现象。一方面，丙烯酸或者氮化硅所形成的封装层可以防止水汽侵入发光器件内部，另一方面其远离基板一侧的表面为平坦表面，有利于后续结构的制备。

下面结合附图，以具体实施例对本公开中发光基板的制备方法进行详细说明。图4为本公开实施例提供的一种发光基板的制备方法的示意流程图，图5a-图5e为采用图4所示制备方法所制得中间产品的结构示意图，以制备形成发光基板。需要说明的是，图5a-图5e中均只示出发光基板的其中一个像素区上的结构，该像素区包括三个子区，三个子区分别为包括红色发光器件的红色子区R、包括绿色发光器件的绿色子区G和包括蓝色发光器件的蓝色子区B。

如图4所示，发光基板的制备方法包括步骤S01-步骤S05，具体如下。

参见图5a，步骤S01包括步骤S101-步骤S103，其中：

步骤S101，提供一晶圆基板10，晶圆基板10的一侧对应于每个子区的区域上形成有第一电极ITO。

本公开中发光基板中的发光器件是基于光刻工艺制备形成的，而光刻工艺的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上，因此优选采用晶圆基板10作为发光器件的衬底。

步骤S102，在第一电极ITO远离晶圆基板10的一侧沉积丙烯酸材料薄膜pdl0。

步骤S103，通过光刻技术对丙烯酸材料薄膜pdl0进行图案化处理，形成像素界定层，像素界定层包括多个阵列排布的容纳孔k，每一容纳孔k暴露至少部分第一电极ITO。

参见图5b，步骤S02用于制备形成红色发光器件，具体包括步骤S201-步骤S205，其中：

步骤S201，在像素区上依次沉积空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、出光颜色为红色的发光层rEML、电子传输层EIL和电子注入层ETL。

上述步骤中各膜层均为有机材料层，以形成有机发光功能层E。

步骤S202，在电子注入层ETL上沉积第二导电材料薄膜m2。

步骤S203，在第二导电材料薄膜m2上通过TFE工艺沉积丙烯酸材料或者氧化硅材料，以形成保护牺牲层A。

步骤S204，在保护牺牲层A上涂覆PR材料，曝光和显影后，去除红色子区R之外区域上的部分，仅保留红色子区R上的PR以形成遮光图形pr。

步骤S205，通过干法刻蚀工艺，去除红色子区R之外区域上的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、出光颜色为红色的发光层rEML、电子传输层EIL、电子注入层ETL和第二导电材料薄膜m2，以及，清洗红色子区R上的遮光图形pr。

此时，红色子区R上形成有红色发光器件，仅保留在红色子区R上的第二导电材料薄膜m2作为红色发光器件的第二电极M。

在形成红色发光器件时，红色子区R上的各膜层在PR作用下，不受刻蚀影响，因此红色子区R各结构保留；进一步地，在有机溶剂的作用下将红色子区R上的PR去除，此时，在红色子区R上的保护牺牲层A覆盖发光器件，因此用于去除PR的有机溶剂所产生的水汽不会对发光器件中的发光功能层E造成影响。

进一步地，基于与红色子区R中制备红色发光器件相同的发明构思，制备形成绿色子区G中的绿色发光器件和蓝色子区B中的蓝色发光器件。

参见图5c，步骤S03用于制备形成绿色发光器件，具体包括步骤S301-步骤S305，其中：

步骤S301，在像素区上依次沉积空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、出光颜色为绿色的发光层g、电子传输层EIL和电子注入层ETL。

步骤S302，在电子注入层ETL上沉积第三导电材料薄膜m3。

步骤S303，在第三导电材料薄膜m3上通过TFE工艺沉积丙烯酸材料或者氧化硅材料，以形成保护牺牲层A。

步骤S304，在保护牺牲层A上涂覆PR材料，曝光和显影后，去除绿色子区G之外区域上的部分，仅保留绿色子区G上的PR以形成遮光图形pr。

步骤S305，通过干法刻蚀工艺，去除绿色子区G之外区域上的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、出光颜色为绿色的发光层gEML、电子传输层EIL、电子注入层ETL和第三导电材料薄膜m3，以及，清洗绿色子区G上的遮光图形pr。此时，绿色子区G上形成有绿色发光器件，仅保留在绿色子区G上的第三导电材料薄膜m3作为绿色发光器件的第二电极M。

参见图5d，步骤S04用于制备形成蓝色发光器件，具体包括步骤S401-步骤S405，其中：

步骤S401，在像素区上依次沉积空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、出光颜色为蓝色的发光层bEML、电子传输层EIL和电子注入层ETL。

步骤S402，在电子注入层ETL上沉积第四导电材料薄膜m4。

步骤S403，在第四导电材料薄膜m4上通过TFE工艺沉积丙烯酸材料或者氧化硅材料，以形成保护牺牲层A。

步骤S404，在保护牺牲层A上涂覆PR材料，曝光和显影后，去除蓝色子区B之外区域上的部分，仅保留蓝色子区B上的PR以形成遮光图形pr。

步骤S405，通过干法刻蚀工艺，去除蓝色子区B之外区域上的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、出光颜色为蓝色的发光层b、电子传输层EIL、电子注入层ETL和第四导电材料薄膜m4，以及，清洗蓝色子区B上的遮光图形pr。此时，蓝色子区B上形成有蓝色发光器件，仅保留在蓝色子区B上的第四导电材料薄膜m4作为蓝色发光器件的第二电极M。

参见图5e，步骤S05包括步骤S501-步骤S504，其中：

步骤S501，通过plasma工艺，去除各子区中的保护牺牲层A。

虽然各个目标子区上的保护牺牲层A能够保护其所覆盖的发光器件，但对非目标子区中保护牺牲层A、第二电极M和发光功能层E进行光刻工艺时，会在目标子区上所保留的保护牺牲层A中产生大量颗粒(particle)，由此导致像素区上的暗点缺陷。基于此，通过等离子体干法刻蚀(plamsa)工艺，将各子区中所沉积的保护牺牲层A去除，由此可以消除像素区上由于particle所产生的暗点缺陷。

步骤S502，沉积第一导电材料薄膜m1，以形成第一电极层M’。

步骤S503，在第一电极层M’上，依次形成光学调整层CPL和光学防护层LiF。

其中，光学调整层CPL用于增加光线的出射角度，提高发光器件的出光量。位于光学调整层CPL上方的光学防护层LiF可以采用氟化锂(LiF)材料，一方面光学防护层LiF可以作为高折材料提升出光效率，另一方面LiF有一定程度的UV防护的作用，可以降低后续制程中UV照射对发光器件的影响。

步骤S504，通过TFE工艺，在光学防护层LiF上沉积丙烯酸或者氧化硅，以形成封装层B。

本公开实施例所提供的发光基板的制备方法中，在基板上依次形成发光器件的第一电极ITO、发光功能层E和第二电极M之后，在第二电极M上方形成有保护牺牲层A，如此设置，在通过光刻工艺去除非目标子区上的膜层结构时，在保护牺牲层A的作用下，可以隔绝图案化工艺过程中显影和刻蚀对发光功能层E的影响。以及，保护牺牲层A覆盖发光器件的第一电极ITO、发光功能层E和第二电极M，也就是说，在依次制备像素区中每一发光器件的过程中，每一发光器件的整个结构均在保护牺牲层A的覆盖下独立形成，保护发光器件之间不会产生串扰，有利于提高发光基板的发光效果。

另外，需要说明的是，上述所有膜层的材料厚度，均可以由本领域技术人员灵活调整，本公开实施例中对此不做限定。

基于相同发明构思，本公开实施例还提供一种显示面板，包括上述任一实施例提供的制备方法所制备形成的发光基板。

本公开实施例还提供一种显示装置，包括上述显示面板。

上述显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本公开对此不作限定。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。