具有小脉冲延迟的VCSEL阵列

技术领域

本发明涉及一种具有小脉冲延迟的垂直腔面发射激光器(VCSEL：VerticalCavity Surface Emitting Laser)阵列、一种包括这样的VCSEL阵列的照明装置、一种包括这样的VCSEL阵列或照明装置的飞行时间相机以及一种制造VCSEL阵列的方法。

背景技术

包括激光器、特别是VCSEL阵列的激光器布置结构可以用于红外照明装置。使用短脉冲，VCSEL阵列例如应用于飞行时间应用中。这样的应用包括例如用于便携式装置的近距离手势识别和3D空间识别。对于这样的应用，讨论输出功率在1-10W范围内的面积为约1mm

US2015/0071320A1公开了一种制造VCSEL模块的方法，所述VCSEL模块包括具有多个VCSEL单元和公共载体结构的至少一个VCSEL芯片。所述方法包括将VCSEL芯片分成多个子阵列，每个子阵列具有至少一个VCSEL单元，并且子阵列中的至少一些子阵列串联电连接。

发明内容

本发明的目的是提供一种具有改善的可靠性的VCSEL阵列。

在独立权利要求中描述了本发明。优选的实施方式在从属权利要求中描述或在说明书的后续部分中描述。

根据第一方面，提供一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列。VCSEL阵列包括至少两个VCSEL子阵列。每个VCSEL子阵列包括布置在基体上的多个VCSEL。所述至少两个VCSEL子阵列借助于相应的VCSEL子阵列内的VCSEL共有的第一电接触体布置结构以及第二电接触体布置结构电接触。第二电接触体布置结构包括多个第二电接触体，每个第二电接触体单独地接触相应的VCSEL子阵列内的相应的单个VCSEL。每个第二电接触体包括到所述多个VCSEL中的相关VCSEL的第二半导体层的第二金属-半导体界面。第二电接触体被布置为能够沿着到第一电接触体布置结构的电流路径对所述多个VCSEL中的相关VCSEL电泵浦。经由所述多个VCSEL的在第一电接触体布置结构与第二电接触体之间的电流路径的特征在于具有从旋转对称性、镜像对称性和平移对称性的组中选择的至少一种对称性。

与不对称布置结构相比，电流路径的对称性或者换句话说，向子阵列内的VCSEL提供电流的接触体的布置结构的对称性可以避免或至少限制沿着不同电流路径的阻抗变化。阻抗的变化越小(特别是跨不同VCSEL的电流路径的不同电阻和电感)，通过被相应子阵列所包括的不同VCSEL发射的光脉冲的潜在延迟越小。因为需要光脉冲的开始时间与反射激光的接收时间相结合来确定飞行时间(往返时间)，所以不同VCSEL之间的光脉冲的延迟越小，在VCSEL阵列的视场中的飞行时间的测量结果越精确。此外，因为可以不需要考虑光脉冲的不同开始时间，所以可以简化用于分析评估飞行时间的分析评估器的设计。VCSEL阵列可以包括两个、三个、四个或更多个VCSEL子阵列。

电流路径通过单独地接触每个单个VCSEL的电接触体与为每个VCSEL子阵列提供公共电接触体的一个或两个以上电接触体之间的路径来限定。每个VCSEL包括光学谐振器，光学谐振器包括第一DBR、有源层和第二DBR(以及可选地一些中间支撑层等、例如电流孔、匹配层等)。因此，每个电流路径包括通过相应的VCSEL的光学谐振器的路径以及例如通过基体或电流分布层的到公共电接触体的路径。第一电接触体布置结构可以例如包括与至少一个第一电接触体电连接的第一电接触体结构。第一电接触体被布置为能够与基体或电流分布层电接触。在该实施例中，电流路径被限定在到光学谐振器(例如，经由DBR中的一个内的基体或电流分布层)的所述至少一个第一电接触体的接触区域(金属-半导体界面)与第二电接触体的接触区域(金属-半导体界面)之间。第一电接触体和第二电接触体的布置结构确定电流路径的对称性，从而其特征在于具有相同的对称性。

所述至少两个VCSEL子阵列的基体可以是公共基体。经由第一VCSEL子阵列的多个VCSEL的在第一VCSEL子阵列的第一电接触体布置结构与第二电接触体之间的电流路径以及经由第二VCSEL子阵列的多个VCSEL的在第二VCSEL子阵列的第二电接触体布置结构与第二电接触体之间的电流路径的特征在于具有从旋转对称性、镜像对称性和平移对称性的组中选择的至少一种对称性。对称性也通过相应接触体的位置获得。将两个子阵列对称地布置在同一基体上可以进一步减小光脉冲的开始时间的潜在延迟，从而可以提高飞行时间测量结果的可靠性。VCSEL阵列可以包括对称地布置在公共基体上的两组、三组、四组或更多组第一VCSEL子阵列和第二VCSEL子阵列。

第一电接触体布置结构和第二电接触体布置结构可以布置在基体的同一侧上。

第一电接触体布置结构可以被布置为能够向VCSEL提供阴极接触体。在这种情况下，第二电接触体布置结构被布置为能够向VCSEL提供阳极接触体。如果基体是n掺杂的(例如，可以以高质量和低成本提供的砷化镓生长基体)，则第一电接触体布置结构可以被布置为能够接触基体。

根据一个替代的实施例，第一电接触体布置结构可以被布置为能够向VCSEL提供阳极接触体。在该实施例中，第二电接触体布置结构被布置为能够向VCSEL提供阴极接触体。在该实施例中，VCSEL可以包括隧道二极管。如例如在通过引用结合于此的EP0986846B1中所描述的，该布置结构可有利于减少电损耗。

第一VCSEL子阵列和第二VCSEL子阵列以及被VCSEL阵列所包括的任何其他VCSEL子阵列可以通过公共的第一电接触体布置结构电接触。

电流路径可以被布置为使得沿着基体和相应的VCSEL的最长电流路径的长度小于4倍、优选地小于2倍以及最优选地小于1.5倍的沿着基体和相应的VCSEL的最短电流路径的长度。电流路径可以被布置为使得沿着基体和相应的VCSEL的不同电流路径的电阻抗的差小于电流路径的最小阻抗的50％、更优选地小于电流路径的最小阻抗的20％以及最优选地小于电流路径的最小阻抗的10％。

电流路径可以被布置为使得沿着第一VCSEL子阵列的相应VCSEL的电流路径的电阻抗与沿着第二VCSEL子阵列的相应VCSEL的电流路径的电阻抗相同。电流路径的对称性可以被布置为使得成对的VCSEL子阵列的阻抗基本相同(达到生产公差)。

电流路径可以特别地被布置为使得沿着各个VCSEL的电流路径的电阻抗基本相同(达到生产公差)。VCSEL可以例如以旋转对称布置结构围绕公共的第一电接触体布置。根据一个替代的实施例，VCSEL可以以沿着细长的第一电接触体的线性布置结构布置。

VCSEL可以是底部发射器，底部发射器被布置为如果基体被(例如局部地)去除以避免或至少减少所发射的激光的吸收，则能够使激光发射通过基体或在基体的方向上发射激光。在这种情况下，VCSEL阵列的特征可以在于具有包括多个凸块的倒装芯片布置结构。凸块被布置为能够将VCSEL阵列安装在承载件上。凸块还被布置为能够提供与第一电接触体布置结构和第二电接触体布置结构的电连接。凸块布置在基体的与VCSEL阵列的发光侧相反的一侧上。倒装芯片布置结构可以能够实现包括VCSEL阵列的装置的简化组装。

凸块可以以规则的图案布置。规则图案可以支持光学谐振器和基体之外的阻抗或电流路径的总对称性，以减少包括VCSEL阵列的装置内的总阻抗的变化或差异。

包括底部发射VCSEL的VCSEL阵列可以包括至少一个光学结构。光学结构可以在基体的与布置VCSEL的一侧相反的一侧中蚀刻。光学结构被布置为能够在VCSEL阵列的操作期间变换通过VCSEL阵列发射的激光。光学结构通过保护结构机械地保护，保护结构包括被基体所包括的基体材料。保护结构被布置为能够避免与光学结构机械接触。光学结构可以例如被布置为能够通过使激光聚焦和/或重新定向来变换激光。光学结构可以包括单个光学元件或被布置为单独地变换通过VCSEL发射的激光的多个光学元件。保护结构的最高点可以限定不与光学结构相交的平面。保护结构可以围绕光学结构或光学结构的一部分。

保护结构可以与凸块对正，使得当与VCSEL阵列的平面垂直的力施加到保护结构时，两个凸块之间的基体的弯曲减小。保护结构与凸块的对正可以将施加到VCSEL阵列的力直接传递到可以借助于凸块安装VCSEL阵列的承载件。VCSEL阵列的平面可以是与基体的表面中的一个平行的平面。

根据一个替代的实施例，VCSEL可以是顶部发射器。VCSEL可以被布置为能够在远离基体的方向上发射激光。在该实施例中，VCSEL阵列可以例如包括电接触体垫，电接触体垫被布置为能够借助于丝焊而电接触第一电接触体布置结构和第二电接触体布置结构。

根据第二方面，提供一种发光装置。发光装置包括至少一个如上面描述的VCSEL阵列和用于电驱动VCSEL的电驱动器。发光装置还可以包括用于提供用于控制电驱动器的控制信号的控制器。控制器可以例如包括用于存储数据的存储装置和用于执行被所存储的数据所包括的指令的处理装置。所存储的数据可以例如包括将电驱动电流提供给VCSEL或VCSEL子阵列的序列。

VCSEL阵列或照明装置可以用于消费类装置(例如，智能手机)、车辆以及大功率工业应用中，以支持消费类和便携式应用、例如智能手机、笔记本电脑、平板电脑……中的手势界面或3D扫描，

用于机器人、体育、工业、照明……的用户界面或室内导航，

用于汽车中档检测(停车辅助、安全城市驾驶)的高端应用，

大功率工业应用。

根据第三方面，提供一种飞行时间相机。飞行时间相机包括根据上面描述的任何实施例的VCSEL阵列或发光装置、光检测器、可选的光学布置结构和分析评估器。光学布置结构可以被布置为能够聚焦通过激光器布置结构发射并被物体反射到光检测器的变换的激光。分析评估器被布置为能够借助于被光检测器检测的变换的激光的图像来确定距物体的距离。

根据第四方面，提供一种制造或构造根据上面描述的任何实施例的VCSEL阵列的方法。所述方法包括以下步骤：

设置垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列，所述垂直腔面发射激光器包括至少两个VCSEL子阵列，其中，每个VCSEL子阵列包括布置在基体上的多个VCSEL，

借助于在相应的VCSEL子阵列内的VCSEL共有的第一电接触体布置结构以及第二电接触体布置结构，使所述至少两个VCSEL子阵列电接触，其中，第二电接触体布置结构包括多个第二电接触体，每个第二电接触体单独地接触相应的VCSEL子阵列内的相应单个VCSEL，其中，每个第二电接触体包括到所述多个VCSEL中的相关VCSEL的第二半导体层的第二金属-半导体界面，其中，第二电接触体被布置为能够沿着到第一电接触体布置结构的电流路径对相关VCSEL电泵浦，

其中，第一电接触体布置结构和第二电接触体被布置为使得经由所述多个VCSEL的在第一电接触体布置结构与第二电接触体之间的电流路径的特征在于具有从旋转对称性、镜像对称性和平移对称性的组中选择的至少一种对称性。

这些步骤不必一定按照上面给出的顺序执行。被VCSEL阵列所包括的不同层可以通过外延方法、例如MOCVD、MBE等来沉积。所述方法可以包括制造上面描述的任何VCSEL阵列的其他步骤。

应当理解，VCSEL阵列、发光装置和制造VCSEL阵列的方法具有相似和/或相同的实施例、特别是如从属权利要求中所限定的实施例。

应当理解，本发明的优选实施例也可以是从属权利要求与相应的独立权利要求的任意组合。

下面限定其他有利的实施例。

附图说明

参考下文描述的实施例，本发明的这些和其他方面将变得清楚并得以阐明。

现将参考附图基于实施例以示例的方式描述本发明。

在附图中：

图1示出了VCSEL阵列的第一剖面的原理简图。

图2示出了VCSEL阵列的第二剖面的原理简图。

图3示出了第二VCSEL阵列的剖面的原理简图。

图4示出了第三VCSEL阵列的原理简图。

图5示出了第四VCSEL阵列的原理简图。

图6示出了第五VCSEL阵列的原理简图。

图7示出了第六VCSEL阵列的原理简图。

图8示出了照明装置的原理简图。

图9示出了飞行时间相机的原理简图。

图10示出了制造VCSEL阵列的方法的原理简图。

在附图中，相似的附图标记始终指代相似的对象。附图中的对象不必然按比例绘制。

具体实施方式

现将借助于附图描述本发明的各种实施例。

图1示出了第一VCSEL阵列100的第一剖面的原理简图。VCSEL阵列100的剖面示出了在砷化镓基体110上加工的四个底部发射的VCSEL。每个VCSEL包括光学谐振器，所述光学谐振器包括第一DBR 115、有源层120和第二DBR 135。第一DBR 115在基体110上加工，并且有源层120夹在第一DBR 115与第二DBR 135之间。第一DBR 115和第二DBR 135包括多对具有不同折射率的层，以提供反射率。有源层120可以包括一个或两个以上量子阱层(未示出)。光学谐振器的特征在于台面结构，所述台面结构被向下蚀刻到第一DBR 115的中间层。每个台面的第二DBR的最上层被单独地接触每个VCSEL的第二电接触体150覆盖。基体110的与在其上加工光学谐振器的加工侧相反的一侧被蚀刻为使得每个VCSEL与相应的光学结构170相关。光学结构170是相对于相关VCSEL的与基体110垂直的中心线偏心的透镜。透镜被布置为能够聚焦在VCSEL阵列100的操作期间发射的激光10并且能够散布激光10以照明所限定的视场。参照图2讨论基体110的电接触的一个示例。

图2示出了VCSEL阵列100的与关于图1讨论的剖面垂直的第二剖面的原理简图。图2示出了被VCSEL阵列100所包括的一个单个VCSEL子阵列的电接触。在基体110中蚀刻的光学装置170(透镜)通过保护结构190来界定，所述保护结构在该实施例中包括基体110的原始表面。保护结构190避免或至少降低透镜会被触摸的风险。基体110通过在第一DBR 115中蚀刻孔而被电接触。电隔离器108被沉积并且随后被部分地去除，使得包括导电材料(金属)的第一电接触体107被沉积以提供与基体110的电接触。第一电接触体107借助于电隔离器108而与第一DBR 115分离。第一电接触体结构105(例如，金属层)随后被沉积并且被结构化为使得能够与基体110电接触。在该实施例中，第一电接触体布置结构包括第一电接触体结构105和第一电接触体107。第一电接触体107与基体110共享界面，所述界面是所谓的接触区域(金属-半导体界面)。在该实施例中，电流路径通过在接触区域处开始、经过基体110并且在经过第一DBR 115、有源层120和第二DBR 135之后终止于第二电接触体150的接触区域(金属-半导体界面)的路径限定。电流路径不是单个一维线，而是描述大部分电流从接触区域流向相应的第二电接触体150所沿着的路径。每个VCSEL可以包括未示出的其他层、例如电流孔、应力匹配层等。第一电接触体布置结构105、107和第二电接触体布置结构150、155布置在基体110的同一侧上。

图3示出了第二VCSEL阵列100的剖面的原理简图。该剖面与关于图2所讨论的类似，仅示出了VCSEL阵列100的一个VCSEL子阵列。在这种情况下，VCSEL阵列100包括多个顶部发射的VCSEL，所述顶部发射的VCSEL在远离基体110的方向上发射激光10。每个VCSEL包括如关于图1所讨论的布置在如上所讨论的台面中的光学谐振器。基体110也借助于第一电接触体布置结构接触，所述第一电接触体布置结构在这种情况下包括具有金属-半导体界面的第一电接触体结构107以及第一DBR 115的一个层(电流分布层)。第二电接触体150(金属接触体)与第二DBR 135的最上层电接触，并且借助于电隔离器108与有源层和第一DBR115电隔离。第二电接触体150为环形形状，使得激光10穿过接触体环的开口发射。电流路径通过在电流分布层与第一电接触体107之间的接触区域(金属-半导体界面)处开始、经过电流分布层并且在经过第一DBR 115、有源层120和第二DBR 135之后终止于第二电接触体150的接触区域(金属-半导体界面)的路径限定。

图4示出了第三VCSEL阵列100的原理简图。图4示出了包括布置在六个VCSEL子阵列中的底部发射的VCSEL的第二VCSEL阵列100的顶视图。VCSEL的电接触与关于图2所讨论的基本上相同。第三VCSEL阵列100包括基体110，VCSEL的光学谐振器在基体110上加工。如关于图1和图2所讨论的，每个VCSEL通过覆盖第二DBR 135的最上层的圆形第二电接触体150电接触。被一个VCSEL子阵列所包括的VCSEL的第二电接触体150借助于L形的第二电接触体结构155彼此电连接。在该实施例中，第二电接触体150和第二电接触体结构155构建为第二电接触体布置结构。在该实施例中，每个VCSEL子阵列包括单独的第一电接触体布置结构，如关于图2所描述的，所述第一电接触体布置结构包括与两个圆形的第一电接触体107接触的第一电接触体结构105。每个VCSEL子阵列的第一电接触体107和第二电接触体150被布置为能够使得上部的四个VCSEL和下部的四个VCSEL的电流路径具有镜像对称性。此外，相邻的VCSEL子阵列之间(例如，第一VCSEL子阵列和第二VCSEL子阵列之间)的电流路径在图4中从左到右具有镜像对称性。VCSEL子阵列内的以及VCSEL子阵列之间的对称布置结构限制不同电流路径长度的差异。此外，电流路径的形状相似，从而限制了沿着不同电流路径的阻抗之间的差异。第二VCSEL阵列还包括以规则图案布置的凸块159。每个第一电接触体布置结构105、107和第二电接触体布置结构150、155通过一个相应的凸块159(也参见图8)电接触。第一电接触体布置结构105、107和第二电接触体布置结构150、155的材料、形状和厚度被选择为使得对总阻抗的贡献最小。

图5示出了第四VCSEL阵列100的原理简图。总体构造与关于图4所讨论的非常相似。VCSEL阵列100包括八个VCSEL子阵列。布置在VCSEL阵列的中间的六个VCSEL子阵列被布置为使得两个VCSEL子阵列围绕一个公共的第一电接触体布置结构105、107布置。外部VCSEL子阵列各自包括单独的第一电接触体布置结构105、107。对称性基本上与关于图4所讨论的相同。VCSEL阵列100围绕与图5的平面垂直的中心轴线旋转180°产生与图5中所示的相同的图片。

图6示出了第五VCSEL阵列100的原理简图。总体构造也与关于图4和图5所讨论的相似。两个VCSEL子阵列围绕一个公共的第一电接触体布置结构105、107布置。在该实施例中，第一电接触体107是矩形的，并且平行于VCSEL子阵列所包括的VCSEL的纵向延伸方向延伸。因此，第一电接触体107和第二电接触体150的接触区域之间的电流路径的电阻抗基本相同。在该实施例中，每个第一电接触体布置结构105、107和第二电接触体布置结构150、155通过两个相应的凸块159(也参见图8)电接触。第一电接触体结构105和第二电接触体结构155的电导率优选地是高的(例如，金属层)，使得对总阻抗的贡献是低的(基本上可忽略)。

图7示出了第六VCSEL阵列100的原理简图。图7示出与图4、图5和图6类似的第六VCSEL阵列100的顶视图，第六VCSEL阵列100包括布置在九个VCSEL子阵列中的底部发射的VCSEL。VCSEL的电接触与关于图2所讨论的基本相同。第五VCSEL阵列100包括基体110，VCSEL的光学谐振器在所述基体上加工。如关于图1和图2所讨论的，每个VCSEL通过覆盖第二DBR 135的最上层的圆形的第二电接触体150电接触。被一个VCSEL子阵列所包括的VCSEL的第二电接触体150借助于圆形的第二电接触体结构155彼此电连接。在该实施例中，第二电接触体150和第二电接触体结构155构建为第二电接触体布置结构。在该实施例中，如关于图2所述的，每个VCSEL子阵列包括单独的第一电接触体布置结构，所述第一电接触体布置结构包括圆形的第一电接触体结构105，所述第一电接触体结构接触一个圆形的第一电接触体107。每个VCSEL子阵列的第一电接触体107和第二电接触体150被布置为使得围绕相应的第一电接触体107布置的四个VCSEL的电流路径具有旋转对称性。此外，相邻的VCSEL子阵列之间的电流路径具有平移对称性。VCSEL子阵列内的以及VCSEL子阵列之间的对称布置结构使得电流路径的阻抗基本相同。第六VCSEL阵列100还包括以规则图案布置的凸块159。每个第一电接触体布置结构105、107和第二电接触体布置结构150、155通过一个相应的凸块159(也参见图8)电接触。

图8示出了包括VCSEL阵列100的照明装置的剖面的原理简图。VCSEL阵列100借助于凸块159安装在包括电驱动器230的承载件180上。电驱动器230被布置为能够经由凸块159将驱动电流提供给VCSEL阵列100，使得激光10被VCSEL发射并借助于与相应VCSEL相关联的光学结构170(透镜)被聚焦。透镜借助于与凸块159对正的保护结构190来保护。因此，施加到保护结构190的机械力借助于对正的凸块159基本上完全转移到承载件180。因此，可以减小凸块159之间的VCSEL阵列100的基体的弯曲。

图9示出了飞行时间相机200的原理简图。飞行时间相机200包括根据上面讨论的实施例中的任一个的VCSEL阵列100。飞行时间相机200还包括检测器221，所述检测器被布置为能够检测非常短的光脉冲。这样的短的激光脉冲可以通过VCSEL阵列100所包括的激光器发射的撞击物体300的变换的激光150引起。变换的激光150的一部分被物体300反射，使得反射的激光202被光学装置240(例如，透镜或透镜布置结构)接收，所述光学装置将接收的激光成像或聚焦到检测器221。反射的激光202在检测器221中引起相应的电信号。电驱动器230可以被布置为能够电驱动VCSEL阵列100或可选地分别电驱动VCSEL阵列100中的每个VCSEL或VCSEL子阵列。控制器250连接到电驱动器230，以控制例如通过VCSEL阵列100发射激光脉冲的开始时间和停止时间。控制器250还与检测器221连接，以接收被检测器221检测的通过反射的激光202引起的电信号。飞行时间相机200还包括可选接口235，以传输通过相应的VCSEL或VCSEL的组发射的变换的激光150的开始时间和停止时间(或相应的原始数据)以及通过反射的激光202引起的电信号的接收时间。传输的数据可以用于计算激光的飞行时间，从而计算飞行时间相机200与物体300之间的距离。替代地，飞行时间相机200可以包括与控制器250电连接的分析评估器(未示出)(或者分析评估器可以包括控制器250或被控制器250所包括)，以确定距物体的距离。可以使用若干距离测量来确定物体300的速度或甚至加速度。电流路径的布置结构的对称性避免在将相应的电流脉冲提供给VCSEL后激光脉冲的开始时间之间存在很大差异。

图10示出了制造VCSEL阵列100的方法的原理简图。在步骤410中，设置垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列100。VCSEL阵列100包括至少两个VCSEL子阵列，其中，每个VCSEL子阵列包括布置在基体110上的多个VCSEL。在步骤420中，借助于第一电接触体布置结构105、107和第二电接触体布置结构150、155使至少两个VCSEL子阵列电接触。第二电接触体布置结构150、155包括多个第二电接触体。第二电接触体150被布置为能够沿着到第一电接触体布置结构105、107的电流路径对多个VCSEL中的相关的VCSEL电泵浦。在步骤430中，将经由多个VCSEL的第一电接触体布置结构105、107和第二电接触体150之间的电流路径布置为使得电流路径的特征在于具有从旋转对称性、镜面对称性和平移对称性中选择的至少一种对称性。

尽管已经在附图和前述描述中详细示出和描述了本发明，但是这样的示出和描述应被认为是说明性或示例性的，而不是限制性的。

通过阅读本公开，其他修改对于本领域技术人员将是显而易见的。这样的修改可以包括本领域中已知的并且可以代替或附加于已经在此描述的特征使用的其他特征。

通过研究附图、公开内容和所附的权利要求，本领域技术人员可以理解和实现所公开的实施例的变型。在权利要求中，词语“包括”不排除其他元件或步骤，而单数形式不排除多个元件或步骤。特定措施被记载在相互不同的从属权利要求中的这个事实不表示这些措施的组合不能被有利地使用。

权利要求中的任何附图标记不应被解释为限制权利要求的范围。

附图标记列表：

10 激光

100 垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列

105 第一电接触体结构

107 第一电接触体

108 电隔离器

110 基体

115 第一分布式布拉格反射器(DBR：distributed Bragg reflector)

120 有源层

135 第二DBR

150 第二电接触体

155 第二电接触体结构

159 凸块

170 光学结构

180 承载件

190 保护结构

200 飞行时间相机

202 反射的激光

221 光检测器

230 电驱动器

235 接口

240 光学装置

250 控制器

300 物体

410 设置VCSEL阵列的步骤

420 使至少两个VCSEL子阵列电接触的步骤

430 布置电流路径的步骤