显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。

背景技术

目前，虚拟现实技术已经在军事和航空领域引入，高分辨是虚拟现实技术发展的趋势，市场推出的1000左右的分辨率仍然无法满足虚拟现实技术对高分辨的需求。

因此，有必要提出一种技术方案以提高分辨率。

发明内容

本申请的目的在于提供一种显示面板，该显示面板具有高分辨率。

为实现上述目的，技术方案如下：

一种显示面板，所述显示面板包括：

数据线；以及

晶体管，与所述数据线电性连接，且所述晶体管包括图案化有源层；

其中，所述晶体管的所述图案化有源层设置于所述数据线对应的区域。

一种显示面板，所述显示面板包括：

数据线；以及

晶体管，与所述数据线电性连接，且设置于所述数据线对应的区域。

有益效果：本申请提供一种显示面板，通过将与数据线电性连接的晶体管的图案化有源层设置于数据线对应的区域，以使图案化有源层与数据线叠置进而减少两者所需的布设空间，减小重复单元的宽度，有利于显示面板实现高分辨显示。另外，图案化有源层与数据线叠置为晶体管除图案化有源层之外的部分与数据线叠置提供条件，更有利于显示面板实现高分辨率显示。

附图说明

图1为传统技术中显示面板的截面示意图；

图2为图1所示显示面板的平面示意图；

图3为本申请第一实施例的显示面板的截面示意图；

图4为图3所示显示面板的平面示意图；

图5为图4中数据线的平面示意图；

图6为图4中图案化有源层的平面示意图；

图7为图4中第一导线和扫描线的平面示意图；

图8为图4中第二导线的平面示意图；

图9为本申请第二实施例显示面板的截面示意图；

图10为图9所示显示面板的平面示意图；

图11为本申请第三实施例显示面板的截面示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1及图2，图1为传统技术中显示面板的截面示意图，图2为图1所示显示面板的平面示意图。在传统技术中，显示面板300包括基板301、遮光层302、缓冲层303、图案化有源层304、栅极绝缘层305、栅极306、层间绝缘层307、源极308、漏极309、第一钝化层310、公共电极311、第二钝化层312、像素电极313、扫描线314以及数据线316。

遮光层302设置于基板301上。缓冲层303覆盖遮光层302和基板301。图案化有源层304设置于缓冲层303上且图案化有源层304的沟道为遮光层302遮蔽住，图案化有源层304呈U型。栅极绝缘层305覆盖图案化有源层304和缓冲层303。扫描线314设置于栅极绝缘层305上，扫描线314与图案化有源层304交叠的部分为两个栅极，图案化有源层304与扫描线314交叠的部分为两个沟道。层间绝缘层307覆盖栅极绝缘层305以及栅极306。源极308和漏极309设置于层间绝缘层307上，源极308通过贯穿层间绝缘层307和栅极绝缘层305的第七过孔300a与图案化有源层304对应源极接触区的部分电性连接，漏极309通过贯穿层间绝缘层307和栅极绝缘层305的第八过孔300b与图案化有源层304对应漏极接触区的部分电性连接。数据线316、源极308以及漏极309同层设置。第一钝化层310覆盖源极308、漏极309以及层间绝缘层307。公共电极311设置于第一钝化层310上。第二钝化层312覆盖第一钝化层310及公共电极311。像素电极313通过贯穿第二钝化层312和第一钝化层310的第九过孔300c与漏极309电性连接。传统技术中，漏极309设置于相邻两个数据线316之间，数据线316的宽度为L1，漏极309与一个相邻的数据线316的间距为L2，漏极309的宽度为L3，漏极309与另一个相邻数据线316的间距为L4，由一个数据线、与该数据线电性连接的晶体管及像素电极构成的重复单元的宽度为L1+L2+L3+L4。受限于面板曝光等的制程能力，金属线宽最小只能做到1.5微米左右，无机绝缘层上的过孔尺寸最小为2微米左右，有机绝缘层上的过孔最小为3微米-5微米左右，导致L1+L2+L3+L4的取值最小为7微米-8微米，对应地，分辨率最大只能到达1000左右，分辨率为1000左右无法满足虚拟现实技术沉浸感的需求。

针对传统技术的问题，本申请显示面板将与数据线电性连接的晶体管的图案化有源层设置于数据线对应的区域，以减小由数据线、与数据线电性连接的晶体管及像素电极构成的重复单元的宽度，且将与图案化有源层电性连接的源极及漏极也设置于数据线对应的区域，还将源极与数据线电性连接对应所需的过孔、源极与图案化有源层电性连接对应所需的过孔、漏极与图案化有源层电性连接对应所需的过孔以及漏极与像素电极电性连接对应所需的过孔均设置于数据线对应的区域，使得与数据线电性连接的晶体管设置于数据线对应的区域，使得相邻两个数据线之间主要设置像素电极，进而使得在现有制程能力下实现重复单元的宽度最小为4微米左右，分辨率能达到2000以上，从而使得显示面板的分辨率显著提高，满足虚拟现实领域对高分辨率的需求。

请参阅图3-图4，图3为本申请第一实施例显示面板的截面示意图，图4为图1所示显示面板的平面示意图。显示面板100为液晶显示面板。可以理解的是，显示面板100也可以为有机发光二极管显示面板。显示面板100包括基板10、数据线11、缓冲层12、栅极绝缘层13、层间绝缘层14、第一钝化层15、第二钝化层16、晶体管20、像素电极17、公共电极18以及扫描线19。显示面板100包括多个阵列排布的重复单元，每个重复单元包括数据线11、晶体管20及像素电极17，晶体管20电性连接数据线11及像素电极17。

在本实施例中，基板10为玻璃基板。可以理解的是，基板10也可以为柔性基板10。

在本实施例中，数据线11设置于基板10上，且数据线11位于传统遮光层所在金属膜层，为数据线11与晶体管20在显示面板100的厚度方向叠置提供条件。数据线11起到传输数据信号作用的同时，数据线11还起到遮光作用。如图4及图5所示，图5为图4中数据线的平面示意图。数据线11呈直线型条状，且每个数据线11沿竖直方向延伸，多个数据线11平行并排设置。

在本实施例中，与传统遮光层的厚度为500埃不同，数据线11的厚度大于500埃，以使数据线11的阻抗满足传输数据信号的要求。数据线11的厚度为2000埃-4000埃，例如，数据线11的厚度为3000埃。数据线11的制备材料选自钼、铝、钛、铜以及银中的至少一种。

在本实施例中，晶体管20与数据线11以及像素电极17均电性连接，晶体管20作为开关，控制数据线11传输的数据信号是否传输至像素电极17。晶体管20为低温多晶硅晶体管。可以理解的是，晶体管20也可以为金属氧化物晶体管或者非晶硅晶体管。其中，晶体管20包括图案化有源层201、导线以及栅极。

在本实施例中，图案化有源层201设置于数据线11对应的区域，即图案化有源层201与数据线11在显示面板100的厚度方向上堆叠设置。具体地，如图4及图6所示，图案化有源层201采用与数据线11相同的直线型条状设计，且与数据线11平行设置。

本申请通过将图案化有源层201与数据线11叠置，减少了图案化有源层和数据线所需的空间，使得由数据线、与数据线电性连接的晶体管及像素电极构成的重复单元的宽度大大减小，有利于显示面板100的分辨率提高。另外，图案化有源层201与数据线11叠置为晶体管的源极、漏极等设置于数据线对应的区域提供了条件。

进一步地，图案化有源层201在基板10上的正投影位于数据线11在基板10上的正投影内，即数据线11的宽度大于图案化有源层201的宽度且数据线11的长度大于对应图案化有源层201的长度，使数据线11可以完全遮蔽入射至图案化有源层201的沟道的光的同时，可以避免图案化有源层201出现爬坡风险，进而避免图案化有源层201快速热退火结晶失败。

在本实施例中，缓冲层12设置于图案化有源层201和数据线11之间。缓冲层12为绝缘层。缓冲层12的制备材料选自氮化硅、氧化硅中的至少一种。具体地，缓冲层12覆盖基板10和数据线11，图案化有源层201设置于缓冲层12上且设置于数据线11的正上方。

在本实施例中，图案化有源层201具有沟道区201a、源极接触区201b、漏极接触区201c以及轻掺杂区201d。其中，一个轻掺杂区201d设置于源极接触区201b与沟道区201a之间，另一个轻掺杂区201d设置于漏极接触区201c与沟道区201a之间。

在本实施例中，导线与图案化有源层201电性连接，导线设置于数据线11对应的区域。导线可以为与图案化有源层201对应源极接触区201b的部分电性连接的源极，导线也可以为与图案化有源层201对应漏极接触区201c的部分电性连接的漏极，导线也可以为与图案化有源层201电性连接的源极和漏极。在图案化有源层201与数据线11叠置的前提下，与图案化有源层201电性连接的源极和漏极中的至少一者也可以与数据线11叠置，进一步地减小一个重复单元的宽度。

具体地，导线包括第一导线2021和第二导线2022。其中，第一导线2021作为源极，电性连接数据线11和图案化有源层201对应源极接触区201b的部分；第二导线2022作为漏极，电性连接像素电极17和图案化有源层201对应漏极接触区201c的部分。

在本实施例中，栅极绝缘层13设置于图案化有源层201和第一导线2021之间。栅极绝缘层13的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。

具体地，栅极绝缘层13覆盖图案化有源层201和缓冲层12，第一导线2021设置于栅极绝缘层13上。第一导线2021呈直线型条状，第一导线2021与数据线11平行，第一导线2021设置于数据线11对应的区域，例如，第一导线2021在基板10上的正投影位于数据线11在基板10上的正投影内。

在本实施例中，栅极绝缘层13上设置有第一过孔13a，第一导线2021与图案化有源层201对应源极接触区201b的部分通过第一过孔13a电性连接，且第一过孔13a设置于数据线11对应的区域，以进一步地减少重复单元的宽度，进而提高分辨率。具体地，第一过孔13a在基板10上的正投影位于数据线11在基板10上的正投影内。

在本实施例中，第一导线2021与数据线11通过贯穿栅极绝缘层13和缓冲层12的第二过孔13b电性连接，且第二过孔13b设置于数据线11对应的区域，以进一步地减小重复单元的宽度，进一步地提高分辨率。具体地，第二过孔13b在基板10上的正投影位于数据线11在基板10上的正投影内。

在本实施例中，如图4及图7所示，扫描线19与第一导线2021同层且分隔设置，使得第一导线2021与数据线11可以叠置，有利于减小重复单元的宽度。另外，在数据线11设置于传统的遮光膜层所在膜层时，扫描线19与第一导线2021同层设置，有利于第一导线2021电性连接数据线11与图案化有源层201对应源极接触区201b的部分。

扫描线19与数据线11绝缘且垂直相交。图案化有源层201与扫描线19相交的部分对应图案化有源层201的沟道区201a，且扫描线19与图案化有源层201相交的部分对应图案化有源层201的栅极203。由于图案化有源层201与扫描线19垂直相交，图案化有源层201只有一个沟道区201a，对应地，晶体管20为具有一个栅极的晶体管。相对于传统晶体管为具有双栅极的晶体管，本申请具有一个栅极的晶体管20作为开关也是可行的。

需要说明的是，图案化有源层201的沟道区201a下方的数据线11会输入数据信号，在晶体管20的栅极203关闭时，数据线11传输的5V数据信号会造成晶体管20对应沟道区201a的部分再次开启的问题，进而出现晶体管20漏电的情况，此风险可以通过降低栅极203上的关闭电压来解决。

在本实施例中，层间绝缘层14设置于第一导线2021与第二导线2022之间，第二导线2022与图案化有源层201对应漏极接触区201c的部分通过第三过孔14a电性连接，第三过孔14a贯穿层间绝缘层14和栅极绝缘层13，且第三过孔14a设置于数据线11对应的区域，以进一步地减小重复单元的宽度，进而提高分辨率。

具体地，如图4及图8所示，第二导线2022设置于层间绝缘层14上，且第二导线2022对应数据线11设置。第三过孔14a在基板上的正投影位于数据线11在基板上的正投影内。层间绝缘层14的制备材料选自氮化硅及氧化硅中的至少一种。

在本实施例中，第一钝化层15和第二钝化层16设置于第二导线2022与像素电极17之间，第一钝化层15靠近第二导线2022设置，第二钝化层16靠近像素电极17设置。像素电极17与第二导线2022通过贯穿第一钝化层15和第二钝化层16的第四过孔15a电性连接，第四过孔15a设置于数据线11对应的区域。

具体地，第一钝化层15覆盖第二导线2022和层间绝缘层14，公共电极18设置于第一钝化层15上，第二钝化层16覆盖公共电极18及第一钝化层15，像素电极17设置于第二钝化层16上。第四过孔15a在基板上的正投影位于数据线11在基板上的正投影内。其中，第一钝化层15为无机绝缘层，第二钝化层16也为无机绝缘层。

可以理解的是，第一钝化层15可以为有机绝缘层，第二钝化层16为无机绝缘层。相较于第一钝化层15为无机绝缘层使得第四过孔15a的尺寸在1.5微米左右，第一钝化层15为有机绝缘层使得第四过孔15a的尺寸在3微米-5微米左右，第一钝化层15为有机层绝缘层会导致第四过孔15a占用更多的空间。

在本实施例中，像素电极17设置于相邻两个数据线11之间的区域。像素电极17和公共电极18的制备材料均为透明金属氧化物。

在本实施例中，一个重复单元的宽度等于数据线11的宽度L5与相邻两个数据线11之间的间距L6之和，相邻两个数据线11之间的间距L6主要取决于像素电极的宽度，在现有显示面板的制程能力条件霞，L5+L6的取值最小可以为4微米左右。

本实施例显示面板通过将晶体管的图案化有源层设置于与晶体管电性连接的数据线对应的区域，电性连接图案化有源层及数据线的第一导线及对应的过孔、电性连接图案化有源层及像素电极的第二导线及对应的过孔均设置于数据线对应的区域，以使得重复单元的宽度最小化。

如图9及图10所示，图9为本申请第二实施例显示面板的截面示意图，图10为图9所示显示面板的平面示意图。图9所示显示面板与图3所示显示面板基本相似，不同之处在于，第一导线2021通过贯穿缓冲层12和栅极绝缘层13的第五过孔13c同时与数据线11以及图案化有源层对应源极接触区201b的部分电性连接。

如图11所示，图11为本申请第三实施例显示面板的截面示意图。图11所示显示面板与图3所示显示面板基本相似，不同之处在于，像素电极17设置于第一钝化层15上，公共电极18设置于第二钝化层16上，像素电极17通过贯穿第一钝化层15的第六过孔15b与第二导线2022电性连接。

以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。