基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法

技术领域

本发明涉及基片收纳装置和基片输送装置的真空输送单元的维护方法。

背景技术

专利文献1公开了一种具有四个用于PVD工序等的处理室的多组合工具(multi-cluster tool)。该多组合工具具有包含机械臂晶片移送机构的第一移送空间和第二移送空间，并且在这些移送空间之间设置有预清洁室。预清洁室还被用作在相邻的第一移送空间与第二移送空间之间进行连接的通过室(pass-through chamber)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-319842号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的技术用于使基片输送装置小型化，该基片输送装置接连设置有真空输送单元并在连接方向上与该真空输送单元相邻的位置设置有基片收纳装置。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式为基片收纳装置，其设置于接连设置有多个真空输送单元的基片输送装置，并在接连设置方向上与上述真空输送单元相邻，上述多个真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构，上述基片收纳装置包括：中空的壳体，其在上述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对上述真空输送单元送入送出基片的送入送出口；在上下方向上可移动地设置于上述壳体内的分隔部件；和能够使上述分隔部件上下移动的驱动机构，当将上述壳体内的空间在上下方向上分割时的上述送入送出口侧的空间设为第一空间，并将上述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，从上述第一空间与上述第二空间连通的状态，通过使上述分隔部件在上下方向上移动，能够用上述分隔部件将上述第一空间和上述第二空间气密地隔开。

发明效果

依照本发明，能够使基片输送装置小型化，该基片输送装置接连设置有真空输送单元并在连接方向上与该真空输送单元相邻的位置设置有基片收纳装置。

附图说明

图1是表示包括本实施方式的作为基片收纳装置的晶片收纳室和作为基片输送装置的真空输送装置的处理系统的一例的概要平面图。

图2是温度调节室的纵截面图。

图3是图2的局部放大图。

图4是中转室的纵截面图。

图5是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。

图6是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。

图7是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。

图8是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。

图9是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。

图10是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。

图11是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。

图12是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。

图13是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。

图14是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。

图15是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。

图16是用于说明使用图1的处理系统的晶片处理的图，示出了晶片处理中的晶片收纳室的状态。

图17是用于说明温度调节室的另一例的图。

图18是用于说明图17的温度调节室中的遮挡部件的动作的图，示出了晶片收纳室的状态。

图19是用于说明图17的温度调节室中的遮挡部件的动作的图，示出了晶片收纳室的状态。

图20是用于说明图17的温度调节室中的遮挡部件的动作的图，示出了晶片收纳室的状态。

附图标记说明

30 真空输送装置

31 真空输送室

32 晶片收纳室

40 真空处理室

100、200 壳体

141、311 活门

144 驱动机构

S1 第一空间

S2 第二空间

W 晶片。

具体实施方式

在半导体器件等的制造工艺中，例如，在单个真空处理单元内执行对半导体晶片(以下称为“晶片”)等的基片的成膜处理等的各种处理。根据需要，能够对一个基片进行多次成膜处理等。因此，为了提高生产能力等，有这样一种处理系统，经由在真空气氛下输送基片的共用的输送装置将各自进行相同或不同的处理的多个真空处理单元彼此连接，由此能够不将基片暴露于大气地对其连续地进行各种处理。

在上述处理系统中使用的基片输送装置中，有时在水平面内接连设置内部具有用于保持并输送基片的输送机构的多个真空输送单元。此外，在这种情况下，能够收纳基片的基片收纳装置有时设置在真空输送单元之间等在接连设置方向上与真空输送单元相邻的位置。基片收纳装置例如用于在不经过真空处理单元的情况下在相邻的真空输送单元之间交接基片的目的。此外，通过使基片收纳装置具有加热功能等的功能，能够在基片收纳装置内对基片进行加热处理等的处理。

例如，在专利文献1的多组合工具中，如上所述，在包括机械臂晶片输送机构的第一移送空间与第二移送空间之间，设置有还被用作通过室的预清洁室。

此外，如上所述，在基片输送装置中与真空输送单元在接连设置方向上相邻的位置设置基片收纳装置的情况下，现有技术中，在真空输送单元与基片收纳装置之间设置有闸阀(gate valve)。设置闸阀的目的例如如下所述。

(a)在基片收纳装置位于真空输送单元之间的情况下，为了在真空输送单元与真空处理单元之间输送基片而将两者连通时，由该连通引起的压力变动仅发生于与真空处理单元相邻的真空输送单元，所以是为了防止压力变动的影响传播到其他真空输送单元而设置；

(b)在基片收纳装置位于真空输送单元之间的情况下，所以是为了在维护时仅将任一真空输送单元向大气开放而设置；

(c)在基片收纳装置具有加热功能的情况下，从已加热的基片气化的成分流入真空输送单元，所以是为了防止对该真空输送单元所输送的基片造成不良影响。

然而，在基片输送装置中，当在接连设置方向上与真空输送单元相邻的位置设置基片收纳装置，并且在真空输送单元与基片收纳装置之间设置闸阀时，该基片输送装置的占地面积会增加。此外，设有该真空输送装置的处理系统的占地面积也会增加。

因此，本发明的技术用于使基片输送装置小型化，该基片输送装置接连设置有真空输送单元并在连接方向上与该真空输送单元相邻的位置设置有基片收纳装置。

下面，参照附图，对本实施方式的基片收纳装置和基片输送装置的结构进行说明。此外，在本说明书中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，由此省略重复的说明。

图1是表示包括本实施方式的作为基片收纳装置的晶片收纳室和作为基片输送装置的真空输送装置的处理系统1的一例的概要平面图。以下的例子中，处理系统1是用于制造磁阻元件的系统，包括在作为基片的晶片W上进行成膜处理的真空处理单元。

处理系统1具有将晶片盒站10和处理站11连接为一体的结构，其中，该晶片盒站能够送入送出可收纳多个晶片W的晶盒C，该处理站11具有多个用于对晶片W实施成膜处理的真空处理单元。晶片盒站10和处理站11经由负载锁定室12连接。负载锁定室12被设置为连接后述的大气压输送装置21和真空输送装置30。负载锁定室12构成为能够将其内部切换为大气压状态和真空状态。

晶片盒站10具有晶盒载置台20和大气压输送装置21。此外，在晶片盒站10还可以设置有用于调节晶片W的朝向的取向器(未图示)。

晶盒载置台20设置于处理系统1的里侧(图1中的Y方向负侧)的端部。在晶盒载置台20能够载置多个晶盒C，例如3个。

大气压输送装置21用未图示的晶片输送机构在大气压状态下输送晶片W。晶片输送机构具有将晶片W大致水平地保持的输送臂，该输送臂构成为能够在水平方向上伸缩和旋转，并且能够在铅垂方向上升降。而且，晶片输送机构构成为一边用上述输送臂保持晶片W一边输送晶片W。

另外，在大气压输送装置21的里侧(图1中的Y方向正侧)，经由闸阀G1连接有负载锁定室12。此外在负载锁定室12的里侧(图1的Y方向正侧)，经由闸阀G2连接有处理站11的真空输送装置30，具体而言后述的真空输送室31

处理站11包括真空输送装置30和作为真空处理单元的多个(在本例中为6个)真空处理室40

真空输送装置30中，多个(在本例中为3个)作为真空输送单元的真空输送室31

另外，真空输送装置30中，沿图的Y方向设置有多个的真空输送室31与配置于彼此相邻的真空输送室31之间等的晶片收纳室32一体化。真空输送室31和晶片收纳室32各自具有形成为俯视时呈大致多边形的壳体，真空输送装置30具有将这些壳体一体化的壳体。

在真空输送装置30的宽度方向的一侧(图的X方向负侧)的外侧，沿真空输送室31的连结方向，即进深方向(图的Y方向)配置有真空处理室40

另外，在真空输送装置30的宽度方向的另一侧(图中X方向正侧)的外侧，沿进深方向(图中Y方向)配置有真空处理室40

真空输送室31分别从与该真空输送室31相邻的单元(真空处理室40、晶片收纳室32、负载锁定室12)取出晶片W，将晶片W输送到与该真空输送室31相邻的其他单元。

此外，在各真空输送室31的内部，设置有作为基片输送机构的晶片输送机构50。晶片输送机构50具有将晶片W大致水平地保持的输送臂51。输送臂51构成为能够在水平方向上伸缩和旋转。此外，晶片输送机构50具有设置于输送臂51的下方的升降部52。输送臂51构成为通过升降部52在铅垂方向上可升降。晶片输送机构50构成为一边用输送臂51保持晶片W一边输送晶片W。此外，在下文中，晶片输送机构50

在晶片收纳室32中，晶片收纳室32

此外，在下面的说明中，温度调节室32中温度调节室32

对于温度调节室32的具体结构，在后文说明。

晶片收纳室32中晶片收纳室32

中转室32的具体结构在后文说明。

中转室32

真空处理室40对晶片W进行PVD处理等成膜处理。在真空处理室40中，设置有将晶片W水平地载置的载置台41。在载置台41的上部根据需要设置有静电吸盘。此外，在载置台41设置有作为温度调节机构(未图示)的热板、温度调节介质的流路，该温度调节机构用于将该载置台41调节为所希望的温度以将载置于该载置台41的晶片W调节为所希望的温度。

此外，例如，在真空处理室40

在如上述那样构成的处理系统1中设置有控制部60。控制部60例如由具有CPU、存储器等的计算机构成，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有用于实现处理系统1中的后述的晶片处理的程序等。此外，上述程序也可以记录于计算机可读取的存储介质，从该存储介质被安装到控制部60。此外，也可以用专用硬件(电路板)来实现程序的一部分或全部。

另外，在如上述那样构成的处理系统1中，在真空输送室31与跟该真空输送室31在进深方向上相邻的晶片收纳室32之间没有设置闸阀。取而代之的是，在真空输送室31与跟该真空输送室31在进深方向(图中的Y方向)上相邻的晶片收纳室32之间设置有后述的活门141等。

下面，对温度调节室32

图2是温度调节室32

温度调节室32

壳体主体101在跟前侧(图中的Y方向负侧)的侧壁形成有对相邻的真空输送室31

以下，将在上下方向上分割壳体100内的空间时的送入送出口101a侧的空间设为第一空间S1，将送入送出口101a侧的相反侧的空间设为第二空间S2。

此外，在壳体主体101的里侧(图中的Y方向正侧)的侧壁，没有设置对相邻的真空输送室31

在壳体100内的送入送出口101a的下方，即第二空间S2中，设置有俯视呈圆形的载置台110，能够在该载置台110的上表面水平地载置晶片W。此外，在载置台110的内部设置有加热机构111，该加热机构111用于对载置于该载置台110的晶片W进行上述的高温加热处理。加热机构111例如由电阻加热器构成。

在该载置台110上以在周向覆盖其下表面的外周侧区域及其侧周面设置有作为环状部件的遮挡部件112。通过设置遮挡部件112，能够抑制载置台110的热量对壳体100等的外部造成影响，提高加热机构111对载置台110的加热效率。

此外，在上下方向上延伸的支柱113的上端部连接到载置台110的下表面中央部。支柱113的下端部连接到壳体主体101的底壁。

另外，在壳体100内，以可上下移动的方式设置有作为基片支承销的支承销121。支承销121上下移动，由此经由形成于载置台110上的贯通孔110a从该载置台110的上表面突出和没入。由此，能够被插入到壳体100内的真空输送室31

各支承销121的下端连接到设置于壳体100内的载置台110下方的支承板122的上表面。支承板122例如形成为圆板状。此外，在支承板122形成有供载置台110的支柱113贯通的孔(未图示)。在支承板122的下表面连接有在上下方向上延伸的支柱123的上端。支柱123的下端贯通设置于壳体主体101的底壁的开口部101b而延伸到壳体100的外部，并且连接到作为销驱动机构的升降机构124。升降机构124具有例如马达或滚珠丝杠，支承销121在该升降机构124的驱动下上下移动。

在支柱123中的壳体100的外侧设置有凸缘125。在凸缘125与壳体主体101的底壁中的支柱123的贯通部之间，以包围支柱123的外周部的方式设置有波纹管126。由此能够保持壳体100的气密性。

此外，在壳体主体101的底壁设置有排气口101c。在排气口101c连接有排气管131的一端部。排气管131的另一端部与由例如真空泵构成的排气装置132连接。此外，在排气管131的比排气装置132靠上游侧处，设置有用于调节壳体100内的压力的APC阀133。通过以这种方式设置排气机构，能够在上述的高温加热处理时排出从晶片W气化的成分。

此外，在壳体主体101的侧壁内周面中的送入送出口101a的下侧，沿周向以环状形成有向壳体100的中心突出的凸部101d。以下，将凸部101d称为环状凸部101d。

在壳体100内的载置台110的上方，以可上下移动的方式设置有作为分隔部件的活门141。活门141的材料例如能够使用不锈钢。

根据壳体100内的上述第一空间S1与第二空间S2连通的状态，使该活门141上下移动，由此能够利用该活门141将第一空间S1与第二空间S2气密地隔开。具体而言，通过将活门141下降使之抵接到环形凸部101d的上表面，能够将第一空间S1与第二空间S2气密地隔开。

优选在活门141与环状凸部101d的抵接面设置O形环142。O形环142例如设置在环形凸部101d的上表面。不从，O形环142也可以设置在活门141的与环形凸部101d抵接的下表面。

在活门141的上表面中央部，连接有在上下方向上延伸的支柱143的下端。支柱143以通过形成于壳体100的盖体102的开口102a的方式贯通该盖体102，其上端连接到驱动机构144。驱动机构144具有例如马达或滚珠丝杠，在该驱动机构144的驱动下，活门141在上下方向上在打开位置和关闭位置之间移动。打开位置是活门141位于比送入送出口101a靠上方处，输送室31

此外，在支柱143中的壳体100的外侧，设置有凸缘145。而且，在该凸缘145与壳体100的盖体102中的支柱143的贯通部之间，以包围支柱143的外周部的方式设置有波纹管146。由此能够保持壳体100的气密性。

另外，在壳体100内，以能够上下移动的方式设置有包围载置台110的遮挡部件151。遮挡部件151形成为包围大致整个载置台110的箱状，具有供晶片W出入该遮挡部件151的出入口151a。遮挡部件151的材料例如能够使用不锈钢。

当用活门141将第一空间S1和第二空间S2气密地隔开时，通过用遮挡部件151包围载置有晶片W的载置台110，能够得到例如以下的效果。

(i)当用载置台110对晶片W进行上述的高温加热处理之后，在将活门141从上述的关闭位置移动至上述的打开位置时，能够抑制从第二空间S2内的晶片W气化的成分流入真空输送室31

(ii)能够防止活门141与环状凸部101d接触时产生的异物对载置台110上的晶片W造成不良影响。

(iii)能够抑制载置台110的热量对壳体100等的外部造成影响等。

关于遮挡部件151，优选对其上部下表面进行喷砂处理等的粗糙化处理，使得容易在该上部下表面吸附从晶片W气化的成分。优选对遮挡部件151的其他部分进行电解研磨处理等的研磨处理，使得能够反射热，以避免由热引起的变形等。

此外，当在经由送入送出口101a进入到壳体100内的晶片输送机构50

另外，在本例中，遮挡部件151的底壁由支承支承销121的支承板122构成，即，遮挡部件151和支承板122是一体的。因此，伴随由升降机构124驱动的支承销121的上下移动，遮挡部件151也一体地上下移动。换言之，遮挡部件151由驱动支承销121的上下移动的升降机构124驱动。

此外，当用活门141将第一空间S1和第二空间S2气密地隔开时，如图3所示，遮挡部件151的出入口151a的上端151b位于比对载置台110所设置的遮挡部件112的外周部的上端112a靠下方处。由此，能够使用遮挡部件112来防止当活门141与环形凸部101d接触时产生的异物经由出入口151a侵入到遮挡部件151内。除上述之外，也可以为，遮挡部件151的出入口151a的下端151c位于比遮挡部件112的外周部的下端112b靠上方处，使得在俯视时能够看到遮挡部件151的出入口151a被遮挡部件112占满。

此外，优选的是，遮挡部件151的出入口151a的上端151b位于比载置台110上的晶片W的上表面靠下方处。

由于温度调节室32

下面，对中转室32

图4是中转室32

如图所示，在中转室32

而且，在中转室32

另外，送入送出口201a形成于第一空间S1侧，与之相对，送入送出口201b形成于第二空间S2侧。即，送入送出口201a与送入送出口201b在高度方向上的位置不同。送入送出口201a形成于环状凸部101d的上侧，与之相对，送入送出口201b形成于环状凸部101d的下侧。

设置于温度调节室32

此外，在中转室32

此外，在壳体主体201的底壁中的各支承销211的贯通部与支承部件212之间以围绕各支承销211的外周部的方式设置有波纹管215。由此能够保持壳体200的气密性。

由于中转室32

另外，在真空输送室31设有多个对真空处理室40和负载锁定室12的开口，这些开口在高度方向上的位置与送入送出口201b相同。而且，这些开口及送入送出口201b，与送入送出口101a及送入送出口201a在高度方向上的位置不同。为了应对该高度方向上的位置的不同，在各真空输送室31的晶片输送机构50如上述那样设置有升降部52。

下面，参照图5～图13，说明使用如上述那样构成的处理系统1的晶片处理。图5～图13是表示上述晶片处理中的晶片收纳室32的状态的图。

首先，将收纳有多个晶片W的晶盒C送入处理系统1的晶片盒站10内，并将其载置到晶盒载置台20。之后，用大气压输送装置21的晶片输送机构(未图示)，从晶盒C取出一个晶片W，打开闸阀G1，将该晶片W送入负载锁定室12内。将晶片W送入到负载锁定室12内后，关闭闸阀G1，将负载锁定室12内密闭、减压。之后，打开闸阀G2，将负载锁定室12与预先成为真空气氛的真空输送室31

接着，关闭闸阀G2，打开闸阀G11，将真空输送室31

此外，也可以在真空输送室31

在将晶片W载置到上述的载置台41后，关闭闸阀G11并将真空处理室40

当真空处理室40

接着，将晶片W从真空输送室31

将晶片送入上述的真空输送室31

在载置后，关闭闸阀G12，将真空处理室40

当真空处理室40

接着，关闭闸阀G14。然后，与从真空输送室31

接着，打开闸阀G13，将真空输送室31

在载置后，关闭闸阀G13，将真空处理室40

当真空处理室40

接着，关闭闸阀G13，并且打开闸阀G14，将真空输送室31

在载置后，关闭闸阀G14，将真空处理室40

当真空处理室40

接着，关闭闸阀G14。然后，将晶片W从真空输送室31

之后，将输送臂51

在该状态下，用载置台110对晶片W进行上述的高温加热处理。进行上述高温加热处理，直至例如由压力传感器(未图示)检测的壳体100内的第二空间S2内的压力成为预先规定的压力以下为止。通过该高温加热处理，膜的质量提高。

当上述高温加热处理结束后，以与上述相反的顺序将晶片W从温度调节室32

接着，以与上述的将晶片W从真空输送室31

在室温处理后，以与上述的将晶片W从温度调节室32

接着，将晶片W从真空输送室31

接着，打开闸阀G15，将真空输送室31

在载置后，关闭闸阀G15，将真空处理室40

当真空处理室40

接着，关闭闸阀G15。然后，将晶片W从真空输送室31

然后，例如在该状态下维持预先规定的时间。由此，将晶片W恢复到室温。为了在中转室32

在将晶片W恢复到室温后，以与上述相反的顺序，将晶片W从中转室32

接着，以与上述的将晶片W从真空输送室31

上述的通过温度调节室32

当上述高温加热处理结束后，以与上述的将晶片W从温度调节室32

接着，以与上述的将晶片W经由中转室32

接着，以与上述的将晶片W从真空输送室31

上述冷却工序结束后，以与上述的将晶片W从温度调节室32

接着，打开闸阀G16，将真空输送室31

在载置后，关闭闸阀G16，将真空处理室40

当真空处理室40

之后，将晶片W以与从晶盒C送入时相反的顺序，经由负载锁定室12将之送回到原来的晶盒C。

此外，有时，不需要温度调节室32

接着，对处理系统1中的真空输送室31

在维护真空输送室31

在该状态下，使与第一空间S1连通的真空输送室31

在向大气开放之后，对真空输送室31

之后，关闭真空输送室31

当真空输送室31

如上所述，在本实施方式中，在接连设置有多个真空输送室31的真空输送装置30中，将晶片收纳室32设置于在接连设置方向上与真空输送室31相邻的位置，其中，该多个真空输送室31在内部具有保持并输送晶片W的晶片输送机构50。此外，晶片收纳室32包括：中空的壳体100、200，其中在上述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对真空输送室31送入送出晶片W的送入送出口101a、201a；可上下移动地设置于壳体100、200内的活门141；和能够使活门141上下移动的驱动机构144。当将在上下方向分割壳体100、200内部的空间时的送入送出口101a、201a侧的空间称为第一空间S1，并将送入送出口101a和201a的相反侧的空间称为第二空间S2时，在晶片收纳室32中，从第一空间S1与第二空间S2连通的状态，通过使活门141上下移动，以用活门141将第一空间S1与第二空间S2气密地隔开。由此，能够实现以下的(A)～(C)。

(A)当将一个真空输送室31与相邻的真空处理室40连通时，由连通导致的室内压力变动仅在上述一个真空输送室31中发生，抑制压力变动的影响向其他真空输送室31的传播。

(B)在维护时，仅将在进深方向上与中转室32

(C)防止从在能够进行高温处理的温度调节室32

现有技术中，为了实现上述(A)～(C)，在真空输送室31与跟该真空输送室31在连接方向上相邻的晶片收纳室32之间需要闸阀。闸阀配置在晶片收纳室32的外部并在晶片收纳室32的外部上下移动，与之相对，在本实施方式中代替闸阀使用的活门141，设置在晶片收纳室32的壳体100、200内并在壳体100、200内上下移动。因此，在本实施方式中，与使用闸阀的情况相比，能够减小具有该晶片收纳室32的真空输送装置30的占地面积而使之小型化。此外，能够使具有该真空输送装置30的处理系统1小型化。

在本实施方式中，在宽度方向上相邻的晶片收纳室32这两者没有设置有闸阀，不过也可以仅在任一者设置闸阀。在没有对两者设置闸阀的结构中，能够在晶片输送装置的进深方向(图1的Y方向)和宽度方向(图1的X方向)这两个方向上减小占地面积。与之相对，在仅对一者设置闸阀的结构中，能够减小晶片输送装置的宽度方向(图1的X方向)上的占地面积。

此外，在本实施方式中，真空输送装置30具有温度调节室32，能够在该温度调节室32中进行晶片W的预加热处理或预冷却处理。因此，能够缩短各真空处理室40内的处理时间。由此能够提高生产能力。

另外，在现有技术中，存在使用专用于预加热处理或预冷却处理的、具有与真空处理室40相同结构的组件的情况。与这种情况相比，具有本实施方式的真空输送装置30的处理系统1不需要设置如上所述的专用组件，因此能够减小该处理系统1的占地面积。

另外，由于能够对晶片W进行预加热处理或预冷却处理，因此能够减小真空处理室40的载置台41与载置在该载置台41的晶片W的温度差，故而能够减轻由该温度差对晶片W和载置台41造成的损伤。

另外，在本实施方式中，温度调节室32具有包围载置台110并能够上下移动的遮挡部件151，该遮挡部件151能够由驱动支承销121的升降机构124驱动。即，没有对遮挡部件151设置独立的驱动机构，而遮挡部件151和支承销121共用驱动机构。因此，能够节省空间并降低成本。

为了对遮挡部件151内进行排气，在该遮挡部件151除了设置出入口151a之外还可以设置其它开口。

图17是用于说明温度调节室的另一例的图。

在使用图2说明的温度调节室32中，遮挡部件151形成为大致包围整个载置台110的箱形。

与之相对，在图17的温度调节室32a中，遮挡部件301形成为仅能够包围载置台110的上端的形状，具体而言，形成为下侧开口的コ字形的截面。用该遮挡部件301，与遮挡部件151同样地也能够抑制从第二空间S2内的晶片W气化的成分流入真空输送室31

在本例中，遮挡部件301的外周部的下端，位于比载置台110上的晶片W的上表面和遮挡部件112的外周部上端靠下侧处。因此，能够使用遮挡部件112防止当活门311与环形凸部101d接触时产生的异物对载置台110上的晶片W造成影响。

在图的例子中，遮挡部件112的外周部位于遮挡部件301的内侧，但是也可以位于遮挡部件301的外侧。

此外，在图2的温度调节室32

在遮挡部件301的上表面的中央部连接有支柱302a的下端，该支柱302a通过形成于壳体320的盖体321的开口321a贯通该盖体321，并在上下方向上延伸。支柱302a的上端连接到在水平方向上延伸的板状部件302b。支柱302a和板状部件302b构成支承遮挡部件301的支承部件302。

对该支承部件302设置的限位部件303在上下方向上延伸，并且其下端连接到壳体320的盖体321的上表面。该限位部件303通过从下方抵接到与在上下方向上移动的遮挡部件301一起移动的支承部件302，具体而言，通过抵接到板状部件302b的下表面，来限定遮挡部件301的上下方向的位置。

在活门311的中央，形成有供连接于遮挡部件301的支柱302a的下侧贯通的开口311a。此外，在活门311的上表面的开口311a的周围，连接有筒状部件312的下端，该筒状部件312通过盖体321的开口321a贯通该盖体321，并在上下方向上延伸。筒状部件312形成为中空的筒状，支柱302a在上下方向上贯通其内部。在筒状部件312的下端部，形成有供设置于支柱302a的下侧的凸缘302c贯通的开口312a，在筒状部件312的上端部，形成有供支柱302a的上侧贯通的开口312b。

此外，筒状部件312的上端侧部连接于驱动机构144。而且，在筒状部件312的上表面的开口312b的周围，连接有弹性部件313的下端。弹性部件313的上端连接于板状部件302b的下表面的支柱302a的连接部分的周围。

如上所述，活门311和支承部件302经由弹性部件313等弹性地连接在一起。

因此，在驱动机构144的驱动下，活门311上下移动，遮挡部件301也随之上下移动(遮挡部件301抵接到限位部件303的情况除外)。另外，在通过限位部件303的规定而停止了遮挡部件301的下降之后，也能够仅使活门311继续下降。因此，在通过驱动机构144的驱动来驱动遮挡部件301和活门311这两者的结构中，能够将载置台110和遮挡部件301在上下方向上正确地进行位置对准，并且用适当的力将活门311按压到环状凸部101d。

此外，设置有波纹管331、332，使得壳体320内部的气密性不会被壳体320的盖体321的开口321a和筒状部件312的上端部的开口312b破坏。波纹管331以在壳体320内包围支柱302a的外周部的方式设置于壳体320的盖体321的筒状部件312的贯通部与活门311之间。此外，波纹管332以在筒状部件312的内部包围支柱302a的外周部的方式设置于支柱302a的下端部的凸缘302c与筒状部件312的上端的支柱302a的贯通部之间。

下面，使用图18～图20，说明温度调节室32a中的遮挡部件301和活门311的动作。图18～图20是表示晶片收纳室32的状态的视图。

如图18所示，当用驱动机构144将活门311上升到上述的打开位置时，遮挡部件301也上升，位于经由送入送出口101a被插入的输送臂51的上方。在这种状态下，用支承销121在输送臂51与载置台110之间进行晶片W的交接。

例如，在晶片W的从输送臂51至载置台110的交接完成之后，用驱动机构144进行活门311和遮挡部件301的下降。当进行该下降时，首先，如图19所示，遮挡部件301的支承部件302的板状部件302b的下表面抵接到限位部件303的上表面，遮挡部件301的下降停止，遮挡部件301的上下方向的位置被限定。

然而，如上所述，由于弹性地连接于支承遮挡部件301的支承部件302，所以即使遮挡部件301的下降停止，活门311也能够进一步下降。

当进一步进行活门311的下降时，该活门311如图20所示夹着O形环142抵接到环形凸部101d的上表面，即处于上述的关闭位置，由此第一空间S1与第二空间S2被气密地隔开。

此外，当活门311从关闭位置上升时，首先，仅活门311上升，然后，在弹性部件313的长度变为由其弹性常数等决定的预先规定的长度时，遮挡部件301与活门311一起上升。

如上所述，在本例中，在驱动机构144的驱动下，活门311上下移动，遮挡部件301也随之上下移动(遮挡部件301抵接到限位部件303的情况除外)。此外，即使在由于限位部件303的限位而停止了遮挡部件301的下降之后，也能够仅使活门311继续下降。因此，在通过驱动机构144的驱动来驱动遮挡部件301和活门311这两者的结构中，能够将载置台110和遮挡部件301在上下方向上正确地进行位置对准，并且能够用适当的力将活门311按压到环状凸部101d。

以上，以成膜处理为例进行了说明，不过在代替成膜处理，或者除了成膜处理之外还进行蚀刻处理等的其他处理的情况下，也能够使用本实施方式的基片输送装置。

应当认为，本发明公开的实施方式在所有方面均是例示而并非限制性的。上述的实施方式，在不脱离所附的权利要求的范围和主旨的情况下，能够以各种各样的形式进行省略、替换或改变。

另外，以下的构成也属于本发明的技术范围。

(1)一种基片收纳装置，其设置于接连设置有多个真空输送单元的基片输送装置，并在接连设置方向上与上述真空输送单元相邻，上述多个真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构，上述基片收纳装置包括：中空的壳体，其在上述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对上述真空输送单元送入送出基片的送入送出口；在上下方向上可移动地设置于上述壳体内的分隔部件；和能够使上述分隔部件上下移动的驱动机构，当将上述壳体内的空间在上下方向上分割时的上述送入送出口侧的空间设为第一空间，并将上述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，从上述第一空间与上述第二空间连通的状态，通过使上述分隔部件在上下方向上移动，能够用上述分隔部件将上述第一空间和上述第二空间气密地隔开。

依照上述(1)，能够使基片输送装置小型化，该基片输送装置中接连地设置有真空输送单元并在连接方向上与该真空输送单元相邻的位置设有基片收纳装置。

(2)如上述(1)记载的基片收纳装置，其中，在上述壳体的上述第二空间具有能够载置基片的载置台。

(3)如上述(2)记载的基片收纳装置，其中，上述载置台具有能够加热所载置的基片的加热机构。

(4)如上述(3)记载的基片收纳装置，其中，包括包围上述载置台并在上下方向上可移动的遮挡部件。

依照上述(4)，在用载置台对基片进行了加热后，将活门开放时，能够抑制从第二空间内的基片气化的成分流入相邻的真空输送室单元。此外，能够抑制载置台的热量对壳体等的外部造成影响。

(5)如上述(4)记载的基片收纳装置，其中，上述遮挡部件形成为在侧部具有基片的出入口的箱状。

(6)如上述(5)记载的基片收纳装置，其中，

包括安装在上述载置台的外周的环状部件，

当用上述分隔部件将上述第一空间和上述第二空间气密地隔开时，安装有上述环状部件的状态的上述载置台被上述遮挡部件包围，上述遮挡部件的上述出入口的上端位于比上述环状部件的上端靠下方处。

依照上述(6)，能够使用环状部件来防止异物经由出入口进入遮挡部件内。

(7)如上述(4)～(6)中任一项上述的基片收纳装置，其包括：

当在上述真空输送单元的上述基片输送机构与上述载置台之间交接基片时支承该基片的基片支承销；和

能够使上述基片支承销在上下方向上移动的销驱动机构，

上述遮挡部件在上述销驱动机构的驱动下在上下方向上移动。

依照上述(7)，能够节省空间并降低成本。

(8)如上述(4)记载的基片收纳装置，其中，上述遮挡部件通过上述驱动机构上下移动。

依照上述(8)，能够节省空间并降低成本。

(9)如上述(8)记载的基片收纳装置，其包括：

支承上述遮挡部件的遮挡支承部件；和

限位部件，其通过从下方抵接到上述遮挡支承部件来限定上述遮挡部件的上下方向的位置，

上述分隔部件弹性地连接于上述遮挡支承部件。

依照上述(9)，能够使遮挡部件在上下方向上正确地进行位置对准，并且用活门可靠地将第一空间和第二空间气密地分隔。

(10)如上述(1)或(2)记载的基片收纳装置，其中，

上述壳体在上述第二空间侧且上述接连设置方向的另一侧的侧壁也形成有对上述真空输送单元送入送出基片的送入送出口。

(11)一种基片输送装置，其中，上述真空输送单元接连设置，在接连设置方向上与上述真空输送单元相邻的位置具有如(1)～(10)中任一项记载的基片收纳装置。

(12)一种基片输送装置的真空输送单元的维护方法，其中，上述真空输送装置中经由基片收纳装置接连设置有多个真空输送单元，上述多个真空输送单元在内部具有保持并输送基片的基片输送机构，

上述基片收纳装置包括：

中空的壳体，其在上述接连设置方向的一侧的侧壁形成有对上述真空输送单元送入送出基片的送入送出口；和

在上下方向上可移动地设置于上述壳体内的分隔部件，

该方法包括：

当将上述壳体内的空间在上下方向上分割时的上述送入送出口侧的空间设为第一空间，并将上述送入送出口侧的相反侧的空间设为第二空间时，从上述第一空间与上述第二空间连通的状态，通过使上述分隔部件在上下方向上移动，能够用上述分隔部件将上述第一空间和上述第二空间气密地隔开的步骤；以及

仅将与上述第一空间和上述第二空间的任一者连通的上述真空输送单元向大气开放的步骤。