具有动态熔丝阵列的存储器装置

本专利申请案主张Lu等人在2019年12月18日申请的标题为“具有动态熔丝阵列的存储器装置(MEMORY DEVICE WITH A DYNAMIC FUSE ARRAY)”的美国专利申请案第16/719,911号的优先权，所述美国专利申请案转让给本受让人，并且明确地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

技术领域涉及具有动态熔丝阵列的存储器装置。

背景技术

下文大体上涉及一或多个存储器系统，且更具体来说涉及具有动态熔丝阵列的存储器装置。

存储器装置广泛用以将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到不同状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两个支持状态中的一个，常常由逻辑1或逻辑0来标示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，可存储所述状态中的任一个。为了存取所存储的信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫族化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在下仍可维持所存储的逻辑状态很长一段时间。例如DRAM的易失性存储器装置可当与外部电源断开连接时丢失其所存储的状态。

发明内容

本发明提供一种方法，其包含：从存储器装置中的熔丝集读取数据和指示所述存储器装置的用于接收所述数据的锁存器集的地址，所述熔丝集用于存储用于操作所述存储器装置的至少一个参数；至少部分地基于从所述熔丝集读取所述地址而解码所述地址以识别用于接收所述数据的所述锁存器集；和至少部分地基于识别所述锁存器集而将所述数据传送到由存储于所述熔丝集中的所述地址指示的所述锁存器集。

本发明提供一种设备，其包含：锁存器集，其各自被配置成接收存储在熔丝阵列内的数据，其中所述熔丝阵列包括熔丝集且每一熔丝集包括：第一数量的熔丝，其用于存储与所述熔丝集相关联的锁存器集的地址；和第二数量的熔丝，其用于存储与所述设备的操作相关联的数据；地址解码器，其可操作以解码从所述熔丝阵列接收的所述地址以确定用于接收所述数据的所述锁存器集；和驱动器，其可操作以至少部分地基于解码所述地址而将存储于所述熔丝集中的所述数据传送到所述锁存器集。

本发明提供一种设备，其包含：处理器；存储器，其与所述处理器耦合；和指令，其存储在所述存储器中并且可由所述处理器执行以使得所述设备：从存储器装置中的熔丝集读取数据和指示所述存储器装置的用于接收所述数据的锁存器集的地址，所述熔丝集用于存储用于操作所述存储器装置的至少一个参数；至少部分地基于从所述熔丝集读取所述地址而解码所述地址以识别用于接收所述数据的所述锁存器集；和至少部分地基于识别所述锁存器集而将所述数据传送到由存储于所述熔丝集中的所述地址指示的所述锁存器集。

附图说明

图1说明根据本文所公开的实例的支持具有动态熔丝阵列的存储器装置的系统的实例。

图2说明根据本文所公开的实例的支持具有动态熔丝阵列的存储器装置的系统的实例。

图3说明根据本文所公开的实例的支持具有动态熔丝阵列的存储器装置的系统的实例。

图4示出根据本文所公开的实例的支持具有动态熔丝阵列的存储器装置的存储器装置的框图。

图5示出说明根据本文所公开的实例的支持具有动态熔丝阵列的存储器装置的一或多种方法的流程图。

具体实施方式

存储器装置可使用多种参数(例如，修整参数)控制存储器装置的操作。这些参数的实例可包含一或多个定时持续时间、一或多个电压电平、一或多个阈值或准则或其组合。这些参数可嵌入于存储器装置中并且可为主机系统未知或不可编辑。熔丝(例如，非易失性存储器)阵列和锁存器(例如，易失性存储器)阵列可被配置成存储这些参数。作为初始化操作的部分，存储器装置可将参数从熔丝阵列移动到锁存器阵列，这可提供比熔丝阵列更快速的存取。

本文中描述用于存储与熔丝阵列集相关联的锁存器阵列集的地址的技术和设备。熔丝阵列集可包含用于指示参数的值的第一部分和用于指示锁存器阵列集的将接收存储于第一部分中的参数的地址的第二部分。经启用熔丝集可指示块正在存储用于操作存储器装置的参数的值。通过将锁存器阵列集的地址存储于熔丝阵列集中，存储器装置可具有锁存器阵列和熔丝阵列之间的动态映射。这类动态映射可减少供熔丝阵列使用的区域并且可使一些参数可修改。

首先在如参考图1所描述的系统的上下文中描述本公开的特征。在如参考图2-3所描述的系统的上下文中描述本公开的特征。参考涉及如参考图4-5所描述的具有动态熔丝阵列的存储器装置的设备图和流程图来进一步说明和描述本公开的这些和其它特征。

图1说明根据本文所公开的实例的支持用于具有动态熔丝阵列的存储器装置的设备和技术的系统100。系统100可包含主机系统101和存储器装置105。存储器装置105可包含控制器110、存储器阵列115和用于实施存储器阵列115的各种参数的组件。举例来说，存储器装置105可包含用于存储熔丝阵列125的一或多个参数或修整参数的锁存器阵列120。

系统100可包含主机系统101。主机系统101可为使用存储器执行过程的装置的实例，所述装置例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、手提式计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝式电话、可穿戴装置、连接因特网的装置、某一其它静止或便携式电子装置等。在一些情况下，主机系统可指实施外部存储器控制器的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些情况下，主机系统101可以被称作主机或主机装置。存储器装置105可被配置成存储用于系统100的数据(例如，存储于存储器阵列115内)。在一些情况下，存储器装置105可充当主机系统101的从属型装置(例如，对执行主机系统101所提供的命令作出响应)。此类命令可包含用于存取操作的存取命令，例如用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令。

存储器装置105可包含具有可编程为存储不同逻辑状态的存储器单元的存储器阵列115。在一些情况下，存储器阵列115内的存储器单元可编程为存储可标示为逻辑0和逻辑1的两个逻辑状态。在一些情况下，存储器阵列115内的存储器单元可编程为存储大于两个逻辑状态。在存储器装置105的实例中，可通过写入具有对应于不同逻辑状态的可配置材料特性或材料性质的存储器单元来编程不同逻辑状态，其中可在后续读取操作期间检测到这类材料特性或材料性质(例如，材料状态)以识别所存储逻辑状态。存储器阵列115可包含存储器区段或元件集，其可指存储器单元连续拼片(例如，半导体芯片的连续元件集)，或存储器单元的多于一个连续拼片的集或库。在一些实例中，存储器区段、存储器元件或存储器拼片可指存储器阵列115内的可在存取操作中被加偏压的最小存储器单元集，或共享共同节点(例如，共同源极节点、共同源极板、被加偏压到共同电压的源极线集)的最小存储器单元集。在一些情况下，存储器区段可对应于与同一存储器地址相关联的存储器单元集。举例来说，存储器装置105可从主机系统101接收包含地址的存取命令。基于接收到所述存取命令和地址，存储器装置105可存取存储器阵列115内的与所述地址相关联的存储器区段。

存储器装置105可包含控制器110。控制器110可通过各种组件(例如，用于激活存储器阵列115内的存储器单元行的行组件、用于激活存储器阵列115内的存储器单元列的列组件、用于感测所存取的存储器单元的逻辑值的感测组件)控制存储器阵列115的操作(例如，读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作)。控制器110可从主机系统101接收存取命令。所述存取命令可包含对应于存储器阵列115内的一或多个存储器单元的地址。基于包含于存取命令内的地址，控制器110可产生用以激活目标第一存取线(例如，字线)和目标第二存取线(例如，数字线)的行地址信号和列地址信号。控制器110也可产生或控制在存储器装置105的操作期间使用的各种电压或电流。虽然示出了单个控制器110，但存储器装置105可具有多于一个控制器110，其中不同控制器110可执行相同功能或不同功能。

存储器装置105可包含锁存器阵列120。锁存器阵列120可包含可编程为存储不同逻辑状态的存储器单元阵列。锁存器阵列120的输入可包含控制器110或熔丝阵列125或这两者。锁存器阵列120的输出可包含存储器阵列115。各种参数(例如，修整参数)可用于控制存储器装置105的操作。这些参数的实例可包含一或多个定时持续时间、一或多个电压电平、一或多个阈值或准则或其组合。这些参数可嵌入于存储器装置105中并且可为主机系统101未知或不可编辑。锁存器阵列120可被配置成存储这些参数。在操作期间，控制器110可存取锁存器阵列120以确定用以执行操作的参数的值。锁存器阵列120可包含易失性存储器并且可当存储器装置105断电时丢失其状态。作为初始化操作的部分，存储器装置105可将参数从非易失性存储器(例如，熔丝阵列125)移动到锁存器阵列120，这可提供比非易失性存储器更快速的存取。在一些情况下，锁存器集120映射到一或多个特定参数以使得控制器110可知道通过存取锁存器阵列120的第一集，控制器可能够检索第一参数的值。以此方式，控制器110可被配置成通过识别锁存器阵列120中与特定参数相关联的锁存器集来获得所述参数的值。

熔丝阵列125可配置为存储与操作存储器装置105相关联的一或多个参数(例如，修整参数)的非易失性存储器。在一些情况下，熔丝阵列125可为熔丝阵列或反熔丝阵列。熔丝可指默认地可具有闭合连接的装置。熔丝可被编程为基于接收到满足阈值的电压而具有断开连接。举例来说，编程电压或激活脉冲可应用于熔丝以断开跨熔丝的连接。反熔丝默认地可具有断开连接。反熔丝可被编程为基于接收到满足阈值的电压而具有闭合连接。举例来说，编程电压或激活脉冲可应用于反熔丝以闭合跨反熔丝的连接。断开连接可对应于熔丝或反熔丝的高电阻状态，而闭合连接可对应于熔丝或反熔丝的低电阻状态。由于熔丝和反熔丝永久地编程，因此熔丝阵列125内的存储器可被视为一次性可编程ROM。熔丝阵列125可包含各自与存储于熔丝阵列125中的参数相关联的熔丝集。集130可包含用于指示参数的值的第一部分和用于指示锁存器阵列120的接收存储于第一部分中的参数的地址的第二部分。在一些情况下，集130可启用或停用。经启用熔丝集可指示块正在存储用于操作存储器装置105的参数的值。另外或替代地，经停用熔丝集可指示集130不存储参数。

在一些存储器系统中，熔丝阵列125的集130可映射到锁存器阵列120的集。在这类情境中，熔丝阵列的多个集可不用以存储任何数据，这可造成在熔丝阵列125中浪费裸片区域。另外，在这类情境中，修改存储于锁存器阵列120中的值的能力可受锁存器阵列120和熔丝阵列125之间的映射限制。通过将锁存器阵列的地址并入于熔丝阵列125的集130中可允许存储器系统将存储于熔丝阵列125中的值动态地映射到锁存器阵列120。以此方式，可减小熔丝阵列125的大小，这是因为可减小从锁存器阵列120和熔丝阵列125之间的专用映射发生的冗余存储量。另外，可通过将值写入到熔丝阵列125的不同集130从而可覆写存储于较早集130中的不同值，以此改变参数的值。举例来说，在初始化操作期间，存储于集130中的参数值可以连续方式读出并且存储于锁存器阵列120的集中。当使用连续读取时，可指示熔丝阵列125的第一集将第一值存储于锁存器阵列120的第一集中，且可指示熔丝阵列125的第二集将第二值存储于锁存器阵列120的第一集中。在这类情况下，存储于第二集中的第二值可覆写已经存储于锁存器阵列120的第一集中的第一值。

图2说明根据本文所公开的实例的支持具有动态熔丝阵列的存储器装置的系统200的实例。系统200可包含参考图1所描述的组件的方面。在一些情况下，(例如，参考图1所描述的)存储器装置可使用系统200。另外或替代地，熔丝阵列125-a可为参考图1所描述的熔丝阵列125的实例，且锁存器阵列120-a可为参考图1所描述的锁存器阵列120的实例。系统200可说明通过数据路径220从熔丝阵列125-a传送到锁存器阵列120-a的数据215。

熔丝阵列125-a可包含一或多个熔丝集205。集205可为参考图1所描述的集130的实例。每一熔丝集205可被配置成存储用于存储器装置的操作的数据215。举例来说，熔丝集205可用于存储数据215，例如与操作存储器装置相关联的参数。也就是说，熔丝集205可存储用于存储器装置的修整参数。

在一些系统200中，在熔丝阵列125-a和锁存器阵列120-a之间可存在一对一映射。也就是说，熔丝集205-a可存储将读出到锁存器集210-a的数据215，熔丝集205-b可存储将读出到锁存器集210-b的数据215等。此处，熔丝集205的数量可等于锁存器集210的数量。另外或替代地，熔丝阵列125-a内的熔丝配置的数目(例如，充当熔丝配置的熔丝或熔丝集)可等于锁存器阵列120-a内的锁存器的数目。

对于使用一对一映射的熔丝阵列125-a，如果存在与熔丝阵列125-a内的单一熔丝相关联的错误(例如，归因于带切口的熔丝)，那么可停用整个熔丝阵列125-a。举例来说，如果存在与熔丝阵列125-a内的一或多个熔丝相关联的编程错误，那么可停用整个熔丝阵列125-a。在另一实例中，如果存储于熔丝集205中的将输出到锁存器集210的数据集215改变(例如，更新、不正确)，那么可(例如，通过一或多个启用或停用熔丝)停用整个熔丝阵列125-a。因此，存储器装置可包含在其它熔丝阵列125停用的情况下使用的多个熔丝阵列125-a。此处，熔丝阵列125可占存储器装置的面积的约1％(例如，存储器装置的完整芯片大小的1％)。另外，存储器装置可仅使用熔丝阵列125内的熔丝的相对低部分。举例来说，存储器装置可仅使用存储器装置上的所有熔丝阵列125内的熔丝的10％。在这类情况下，不存储数据的熔丝可占用存储器装置中的区域。

系统200可说明在每一熔丝集205和锁存器集210之间具有动态映射的熔丝阵列125-a。所述动态映射可使得存储器装置能够将将特定锁存器集210的数据存储于任一熔丝集205中。因此，如果存在与单一熔丝或熔丝集205相关联的错误，存储器装置可编程同一熔丝阵列125-a内的新熔丝集205以映射到同一锁存器集210。动态映射可使得存储器装置能够减小包含于每一存储器装置内的熔丝阵列125的数量。也就是说，因为与熔丝阵列125-a的单一熔丝或熔丝集205相关联的错误不必停用熔丝阵列125-a，所以可减小熔丝阵列125的大小并且同时仍达成相同或类似水平的可靠性。因此，在与利用一对一映射的系统相比时，对于利用动态映射的系统200，存储器装置内为熔丝阵列125利用的区域的量可较少。在这类系统中，虽然每一集205中的熔丝数量可高于用于以与锁存器阵列1对1方式映射的熔丝阵列的每一集中的熔丝数量。另外或替代地，每一熔丝阵列125-a内的熔丝集205的数量可不同于(例如，大于、小于)锁存器阵列120-a内的锁存器集210的数量。

熔丝阵列125-a可通过在与被配置成用于一对一映射的熔丝集相比时增加每一熔丝集205内的熔丝数量(或在一些情况下，包含多于一个熔丝或反熔丝的熔丝配置)来启用动态映射。举例来说，每一熔丝集205可包含用于存储锁存器集210的地址的第一数量的熔丝和用于存储数据215的第二数量的熔丝。因此，当存储器装置从熔丝集205读取数据215时，存储器装置可从第一数量的熔丝读取所述地址并且可将数据215传送到由所述地址指示的锁存器集210。如果存在与第一熔丝集205(例如，熔丝集205-c)内的数据或地址相关联的错误，那么第二熔丝集205(例如，熔丝集205-d)可被编程有同一地址(例如，指示同一锁存器集210-d)。在一些情况下，最近编程的熔丝集205可覆写先前编程的熔丝集205。

在初始化操作期间(例如，当存储器装置读取熔丝集205内的数据时)，熔丝阵列125-a可输出来自熔丝集205的数据和地址。在一些情况下，存储器装置可解码所述地址(例如，在存储于熔丝集205的第一数量的熔丝内的地址经编码的情况下)并且确定哪个锁存器集210与熔丝集205相关联。举例来说，存储器装置可确定锁存器集210-f与熔丝集205-a相关联。在另一实例中，存储器装置可确定锁存器集210-a与熔丝集205-b相关联。存储器装置随后可向所指示的锁存器集210广播数据位(例如，存储在熔丝集205内的第二数量的熔丝内的数据位)，因此使得存储器装置能够读取存储在熔丝集205内的数据。

举例来说，熔丝集205-c可编程有将输出到锁存器集210-d的数据。也就是说，熔丝集205-c可包含存储指示锁存器集210-d的地址的第一数量的熔丝和存储将输出到锁存器集210-d的数据215的第二数量的熔丝。此处，如果存储器装置读取与锁存器集210-d相关联的数据，那么存储器装置可通过数据路径220-c输出来自锁存器集210-d的数据215。在一些情况下，可存在与熔丝集205-c相关联的错误。举例来说，被配置成将数据215存储于熔丝集205-c处的数量的熔丝中的一或多个可带切口(例如，输出不一致逻辑值)。在另一实例中，可更新将由锁存器集210-d输出的数据215。在任一实例中，数据路径220-c可被新数据路径230覆写。此处，熔丝集205-d可编程有指示锁存器集210-d的相同锁存器地址以及经更新或经校正数据。

在一些情况下，每一熔丝(例如，熔丝集205内)可对应于包含多于一个熔丝或反熔丝的熔丝配置以与单一熔丝相比改进熔丝配置的可靠性。举例来说，熔丝配置可包含多个熔丝和AND逻辑门。为编程此熔丝配置，电压可施加于熔丝配置内的熔丝中的每一个并且如果熔丝中的任一个(或两个)被编程为断开，那么熔丝配置的输出可对应于断开熔丝。在另一实例中，熔丝配置可包含多个反熔丝和OR逻辑门。为编程此熔丝配置，电压可施加到熔丝配置内的反熔丝中的每一个并且如果反熔丝中的任一个(或两个)被编程为闭合，那么反熔丝配置的输出可对应于闭合熔丝。因此，多个熔丝或反熔丝可用作较高可靠性熔丝配置(例如，在与单一熔丝或反熔丝相比时)。

图3说明根据本文所公开的实例的支持具有动态熔丝阵列的存储器装置的系统300的实例。系统300可包含类似于参考图1和2描述的其它组件和特征的组件和特征。举例来说，存储器装置105-a可为参考图1所描述的存储器装置105的实例，熔丝阵列125-b可为参考图1和2描述的熔丝阵列125的实例，锁存器阵列120-b可为参考图1和2描述的锁存器阵列120的实例，且主机系统101-a可为参考图1所描述的主机系统101-a的实例。系统300可另外包含广播管理器305、广播电路355以及软件编码器和解码器360。在一些情况下，广播管理器305可包含于存储器装置105-a的控制器内。

存储器装置105-a可包含熔丝阵列125-b，其可包含如参考图1和2所描述的数量的熔丝集。举例来说，每一熔丝集可包含被配置成存储指示锁存器阵列120-b的锁存器集的地址的第一数量的熔丝以及被配置成存储数据的第二数量的熔丝。熔丝阵列125-b可与广播管理器305通信。广播管理器305可启用熔丝阵列125-b内的熔丝集的编程。另外，广播管理器305和广播电路355可使得存储器装置105-a或主机系统101-a能够通过向锁存器阵列120-b内的适当的锁存器集广播存储在熔丝集内的数据来读取存储在所述熔丝集内的数据。

存储器装置105-a可将熔丝集编程为存储与存储器装置105-a的操作相关联的数据。在一些情况下，熔丝阵列125-b可最初编程有一组值(例如，熔丝集内)和对应锁存器集地址(例如，基于以存储器装置105-a的生产为基础从主机系统101-a接收到写入命令)。在一些情况下，可存在与存储在熔丝阵列125-b内的数据相关联的错误。举例来说，熔丝阵列125-b内的第一熔丝集可被配置成存储不合适的配置或修剪参数(例如，在存储器装置105-a的生产期间)。在另一实例中，存储器装置105-a可用于在生产期间未知并且需要不同参数集的特定目的。在另一实例中，熔丝阵列125-b内的熔丝可发生故障(例如，带切口)。在发生错误的情况下，主机系统101-a可通过编程新熔丝集(例如，先前未编程的熔丝集)将正确数据存储于新熔丝集处来覆写存储在熔丝阵列125-b内的数据。

主机系统101-a可将写入命令发到存储器装置105-a以编程熔丝阵列125-b内的熔丝集存储此与锁存器阵列120-b的特定集相关联的数据。也就是说，主机系统101-a可发出包含将由熔丝阵列125-b内的第一熔丝集存储的数据集的写入命令。写入命令可另外包含锁存器阵列120-b内与数据相关联的锁存器集的地址。如果写入命令写入与已具有某一关联的锁存器阵列集120-b相关联的数据，那么第二数据可在初始化操作期间覆写先前数据。广播管理器305可接收写入命令并且用地址和数据编程第一熔丝集。在主机系统101-a将读取命令发送到存储器装置105-a以读取数据的情况下，广播管理器305可从最近编程有锁存器地址的熔丝阵列125-b读取数据或广播管理器305可以连续方式读取熔丝阵列125-b中的所有数据以使得存储于熔丝阵列125-b中的最后一个数据结束存储于相关联的锁存器阵列集120-b中。

对于编程操作，广播管理器305可接收将存储在熔丝阵列125-b的熔丝集内的数据。举例来说，主机系统101-a可传送包含数据的写入命令。广播管理器305内的数据编码器315可编码将存储在熔丝阵列125-b的熔丝集内的数据。在一些情况下，广播管理器305可另外接收锁存器阵列120-b内的与将存储在熔丝阵列125-b内的数据相关联的锁存器集的地址。在一些情况下，广播管理器305可任选地通过地址编码器310编码锁存器集的地址。在一些情况下，可任选地包含地址编码器310以识别将存储从主机系统101-a接收的数据的熔丝阵列125-b的地址。在一些情况下，所述数据可以连续方式存储于熔丝阵列125-b中且地址编码器310可不识别熔丝阵列125-b的个别地址。地址编码器310和数据编码器315可为硬件编码器。也就是说，地址编码器310和数据编码器315可包含存储器装置105-a内的分别编码地址和数据的电路系统。在一些实例中，广播管理器可将地址和数据传送到软件编码器和解码器360。此处，软件编码器和解码器360可编码数据或地址并且将经编码数据和地址传送回到广播管理器305。在一些情况下，广播管理器305可能不在将数据和地址传送到熔丝阵列125-b之前编码所述数据或地址。此处，直连路由管理器340可将数据和地址传送到熔丝阵列125-b(例如，而非地址编码器310或数据编码器315)。

广播管理器305可将写入数据320传送到熔丝阵列125-b。写入数据320可包含将存储在熔丝阵列125-b的熔丝集内的数据和锁存器阵列120-b内与数据相关联的锁存器集的地址。在一些情况下，可编码锁存器集的地址，可编码数据，或可编码地址和数据两者。熔丝阵列125-b内的熔丝集可被编程为存储写入数据320。

对于读取操作，广播管理器305可从熔丝阵列125-b内由读取命令指示的熔丝集读取所述读取数据325。举例来说，主机系统101-a可将读取命令传送到存储器装置105-a。读取数据325可包含对应于锁存器阵列120-b内的锁存器集的地址(例如，存储在熔丝集的第一数量的熔丝内)和数据(例如，存储在熔丝集的第二数量的熔丝内)。在一些情况下，可编码地址、数据或这两者。举例来说，广播管理器305可包含编码地址或数据的电路系统(例如，地址编码器310、数据编码器315)。在另一实例中，广播管理器可利用软件编码器和解码器360在编程熔丝集之前编码地址或数据。广播管理器305可从由读取命令指示的熔丝集125-b读取数据和地址。

为解码包含于读取数据325内的经编码数据，广播管理器可将经编码数据传送到数据解码器330。数据解码器330可为硬件解码器，其包含基于数据编码器315解码数据的电路系统。也就是说，数据解码器330可在数据编码器315编码数据的情况下解码数据。在某一其它情况下，广播管理器305可将包含于读取数据325内的经编码数据传送到软件编码器和解码器360以解码所述数据。举例来说，如果软件编码器和解码器360编码数据，那么广播管理器可将包含于读取数据325内的数据传送到软件编码器和解码器360。此处，软件编码器和解码器360可解码数据并且将数据传送回到广播管理器305。在任一情况下，可解码包含于读取数据325内的数据。如果不编码读取数据325内的数据和地址，那么广播管理器305可将读取数据325传送到直连路由管理器340(例如，而非数据解码器330或地址解码器335)。直连路由管理器340可管理对未经编码的读取数据325的广播。在一些情况下，广播管理器305可包含地址解码器335，其可被配置成解码锁存器阵列集120-b的地址。在一些情况下，地址可发射到锁存器阵列120-b，而非地址解码器335解码所述地址。

广播管理器305可将地址345和数据350-a传送到广播电路355。在一些情况下，广播电路355可包含于广播管理器305内。广播电路355可基于所接收的地址345，确定锁存器阵列120-b内将接收数据350-b的锁存器集。广播电路355可向锁存器阵列120-b内的所指示锁存器集广播数据350-b。也就是说，广播电路355可包含驱动器，其可操作以将存储器装置105-a内的一或多个总线的电压驱动到对应于数据350-b的电压电平。锁存器集可基于接收到数据350-b而输出数据。因此，主机系统101-a或存储器装置105-a可监测锁存器集读取存储在熔丝集内的数据。

图4示出根据本文所公开的实例的支持具有动态熔丝阵列的存储器装置405的存储器装置400的框图。存储器装置405可为如参考图1-3所描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置405可包含地址管理器410、解码管理器415、通信管理器420、锁存器管理器425、编程管理器430、错误管理器435和初始化管理器440。这些模块中的每一个可彼此直接或间接(例如，经由一或多个总线)通信。

地址管理器410可从存储器装置中的熔丝集读取数据和指示存储器装置的用于接收所述数据的锁存器集的地址，所述熔丝集用于存储用于操作存储器装置的至少一个参数。在一些实例中，地址管理器410可在从熔丝集读取所述数据之后，从存储器装置中的第二熔丝集读取第二数据和指示用于接收第二数据的锁存器集的地址，其中从第二熔丝集读取第二数据是基于编程第二熔丝集。

在一些实例中，地址管理器410可通过控制器，识别用于存储数据的熔丝集，其中编程熔丝是基于识别所述熔丝集。在一些情况下，存储器装置中的熔丝集被配置成存储与包含锁存器集的锁存器阵列内的任一锁存器集相关联的数据。在一些情况下，地址包含第一位量且数据包含第二位量。在一些情况下，熔丝集包含被配置成存储地址的第一数量的熔丝和被配置成存储数据的第二数量的熔丝。在一些情况下，锁存器集包含被配置成存储数据的第二数量的锁存器。

解码管理器415可基于从熔丝集读取地址而解码所述地址以识别用于接收数据的锁存器集。

通信管理器420可基于识别由存储于熔丝集中的地址指示的锁存器集而将数据传送到所述锁存器集。在一些实例中，通信管理器420可基于从第二熔丝集读取地址而将第二数据传送到由存储于第二熔丝集中的地址指示的锁存器集。在一些实例中，通信管理器420可从主机装置接收从熔丝集读取数据和地址的命令，其中从熔丝集读取数据和地址是基于接收到所述命令。在一些实例中，通信管理器420可基于解码所述地址而将所述地址传送到锁存器集。

锁存器管理器425可基于将数据传送到锁存器集而将所述数据存储于锁存器集中。

编程管理器430可识别不同于将传送到锁存器集的数据的第二数据。在一些实例中，编程管理器430可基于确定而将存储器装置中的第二熔丝集编程为存储第二数据和指示用于接收第二数据的锁存器集的地址。在一些实例中，编程管理器430可在编程第二熔丝集之前编码第二数据和地址，其中所述第二数据和地址经编码。

错误管理器435可识别与数据或熔丝集相关联的错误，其中第二数据基于识别所述错误而经编程。

初始化管理器440可确定执行存储器装置处的初始化序列，其中从熔丝集读取数据和地址是基于确定执行初始化序列。

图5示出根据本文所公开的实例的支持具有动态熔丝阵列的存储器装置的一或多种方法500的流程图。方法500的操作可由如本文所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法500的操作可由如参考图4所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器控制器可执行一组指令以控制存储器装置的功能元件，以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件执行所描述的功能的方面。

在505处，存储器装置可从存储器装置中的熔丝集读取数据和指示存储器装置的用于接收所述数据的锁存器集的地址，所述熔丝集用于存储用于操作存储器装置的至少一个参数。505的操作可根据本文所描述的方法来执行。在一些实例中，505的操作的方面可由如参考图4所描述的地址管理器执行。

在510处，存储器装置可基于从熔丝集读取地址而解码所述地址以识别用于接收数据的锁存器集。510的操作可根据本文所描述的方法来执行。在一些实例中，510的操作的方面可由如参考图4所描述的解码管理器执行。

在515处，存储器装置可基于识别锁存器集而将数据传送到由存储于熔丝集中的地址指示的锁存器集。515的操作可根据本文所描述的方法来执行。在一些实例中，515的操作的方面可由如参考图4所描述的通信管理器执行。

在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法500。所述设备可包含用于进行以下操作的特征、装置或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：从存储器装置中的熔丝集读取数据和指示所述存储器装置的用于接收所述数据的锁存器集的地址，所述熔丝集用于存储用于操作所述存储器装置的至少一个参数；基于从所述熔丝集读取所述地址而解码所述地址以识别用于接收所述数据的所述锁存器集；和基于识别所述锁存器集而将所述数据传送到由存储于所述熔丝集中的所述地址指示的所述锁存器集。

本文中所描述的方法500和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于将所述数据传送到所述锁存器集而将所述数据存储于所述锁存器集中。本文中所描述的方法500和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：识别不同于将传送到所述锁存器集的所述数据的第二数据；和基于确定而将所述存储器装置中的第二熔丝集编程为存储所述第二数据和指示用于接收所述第二数据的所述锁存器集的所述地址。

本文中所描述的方法500和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：在从所述熔丝集读取所述数据之后，从所述存储器装置中的所述第二熔丝集读取所述第二数据和指示用于接收所述第二数据的所述锁存器集的所述地址，其中从所述第二熔丝集读取所述第二数据可基于编程所述第二熔丝集；和基于从所述第二熔丝集读取所述地址而将所述第二数据传送到由存储于所述第二熔丝集中的所述地址指示的所述锁存器集。本文中所描述的方法500和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：在编程所述第二熔丝集之前编码所述第二数据和所述地址，其中所述第二数据和所述地址可经编码。本文中所描述的方法500和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：识别与所述数据或所述熔丝集相关联的错误，其中所述第二数据可基于识别所述错误而经编程。

本文中所描述的方法500和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：通过控制器识别用于存储所述数据的熔丝集，其中编程所述熔丝集可基于识别所述熔丝集。本文中所描述的方法500和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：从主机装置接收从所述熔丝集读取所述数据和所述地址的命令，其中从所述熔丝集读取所述数据和所述地址可基于接收到所述命令。

本文中所描述的方法500和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：确定执行所述存储器装置处的初始化序列，其中从所述熔丝集读取所述数据和所述地址可基于确定执行所述初始化序列。本文中所描述的方法500和设备的一些实例可另外包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于解码所述地址而将所述地址传送到所述锁存器集。

在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，所述存储器装置中的所述熔丝集可被配置成存储与包含所述锁存器集的锁存器阵列内的任一锁存器集相关联的数据。在本文中所描述的方法500和设备的一些实例中，所述地址包含第一位量且所述数据包含第二位量；所述熔丝集包含被配置成存储所述地址的第一数量的熔丝和被配置成存储所述数据的第二数量的熔丝；且所述锁存器集包含被配置成存储所述数据的第二数量的锁存器。

应注意，上文描述的方法描述了可能的实施方案，且操作和步骤可以重新布置或以其它方式加以修改，且其它实施方案是可能的。此外，可以组合方法中的两个或更多个的各部分。

描述了一种设备。所述设备可包含锁存器集，其各自被配置成接收存储在熔丝阵列内的数据。所述熔丝阵列可包含熔丝集且每一熔丝集可包含第一数量的熔丝，其用于存储与所述熔丝集相关联的锁存器集的地址；和第二数量的熔丝，其用于存储与所述设备的操作相关联的数据。所述设备可另外包含地址解码器，其可操作以解码从所述熔丝阵列接收的所述地址以确定用于接收所述数据的所述锁存器集；和驱动器，其可操作以基于解码所述地址而将存储于所述熔丝集中的所述数据传送到所述锁存器集。

所述设备的一些实例可包含地址编码器，其可操作以在所述第一数量的熔丝经编程用于存储所述地址之前编码所述地址，其中所述地址编码器可以硬件或软件实施。在一些实例中，所述驱动器可进一步可操作以基于解码所述地址而将存储于所述熔丝集中的所述地址传送到所述锁存器集。在一些实例中，所述熔丝阵列的每一熔丝集可为可操作以存储将传送到任一锁存器集的数据。所述设备的一些实例可包含数据编码器，其可操作以在所述第二数量的熔丝经编程用于存储与所述设备的所述操作相关联的所述数据之前编码所述数据；和数据解码器，其可操作以在从所述熔丝阵列接收的所述数据传送到所述锁存器集之前解码所述数据。

所述设备的一些实例可包含第一熔丝集，其存储第一锁存器集的地址以及与所述设备的所述操作相关联的第一数据；和第二熔丝集，其存储所述第一锁存器集的所述地址和与所述设备的所述操作相关联的第二数据，所述第二数据不同于所述第一数据。在一些实例中，错误可与所述第一熔丝集或所述第一数据相关联，且所述第二熔丝集基于与所述第一熔丝集或所述第一数据相关联的所述错误而存储所述第一锁存器集的所述地址和所述第二数据。

描述了一种设备。所述设备可包含处理器；存储器，其与所述处理器耦合；指令，其存储在所述存储器中并且可由所述处理器执行以使得所述设备：从存储器装置中的熔丝集读取数据和指示所述存储器装置的用于接收所述数据的锁存器集的地址，所述熔丝集用于存储用于操作所述存储器装置的至少一个参数；至少部分地基于从所述熔丝集读取所述地址而解码所述地址以识别用于接收所述数据的所述锁存器集；和至少部分地基于识别所述锁存器集而将所述数据传送到由存储于所述熔丝集中的所述地址指示的所述锁存器集。

可使用多种不同技术和技艺中的任一种表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个以上描述中参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号说明为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员将理解，所述信号可表示信号总线，其中总线可具有多种位宽度。

术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可指代支持信号在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么认为组件彼此电子通信(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子连通(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是间接导电路径，其可以包含例如开关、晶体管或其它组件的中间组件。在一些实例中，可以例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件来中断所连接组件之间的信号流一段时间。

术语“耦合”指代从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前无法通过导电路径在组件之间传达，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传达。当例如控制器等组件将其它组件耦合在一起时，组件发起允许信号通过先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。

术语“隔离”指代信号当前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在开路，则组件彼此隔离。举例来说，由定位在两个组件之间的开关间隔开的所述组件在开关断开时彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。

本文中论述的装置，包含存储器阵列，可形成于例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等半导体衬底上。在一些实例中，衬底为半导体晶片。在其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(SOI)衬底，例如玻璃上硅(SOG)或蓝宝石上硅(SOP)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可以通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物种的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可以在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法来执行掺杂。

本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(FET)，并且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端可通过例如金属的导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括经重掺杂(例如，简并)半导体区。源极和漏极可由轻掺杂的半导体区或沟道间隔开。如果沟道是n型(即，大多数载流子是信号)，那么FET可称为n型FET。如果沟道是p型(即，大多数载流子是电洞)，那么FET可称为p型FET。沟道可以由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型FET或p型FET可导致沟道变得导电。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“启动”。当小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“撤销启动”。

本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”是指“充当实例、例子或说明”，且不“优选于”或“优于”其它实例。具体实施方式包含提供对所描述技术的理解的特定细节。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式展示众所周知的结构和装置以免混淆所描述实例的概念。

在附图中，类似组件或特征可具有相同的参考标记。此外，通过遵循虚线和第二标记的参考标记可以区分相同类型的各种组件，这些虚线和第二标记在相似组件当中予以区分。如果在说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中之任一者。

可使用多种不同技术和技艺中的任一种表示本文中所描述的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个以上描述中参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。

可用通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文中所描述的功能的任何组合来实施或执行结合本发明所描述的各种说明性块和模块。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可实施为计算装置的组合(例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器、与DSP核心结合的一或多个微处理器，或任何其它此类配置)。

本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施。如果以由处理器执行的软件实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传输。其它实例和实施方案在本公开和所附权利要求书的范围内。举例来说，归因于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或任何这些的组合实施。实施功能的特征也可在物理上位于各个位置处，包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。此外，如本文中(包含在权利要求书中)所使用，如在项列表(例如，后加例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语的项列表)中所使用的“或”指示包含端点的列表，使得例如A、B或C中的至少一个的列表意指A或B或C或AB或AC或BC或ABC(即，A和B和C)。另外，如本文所用，短语“基于”不应理解为提及封闭条件集。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A和条件B两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。

计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体以及包含促进将计算机程序从一处传递到另一处的任何媒体的通信媒体两者。非暂时性存储媒体可以是可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可以包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用以携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码装置且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。并且，恰当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电和微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含CD、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软性磁盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘用激光以光学方式再现数据。以上各者的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。

提供本文中的描述以使得本领域技术人员能够制造或使用本公开。对本公开的各种修改对所属领域的技术人员来说将是显而易见的，且本文所定义的一般原理可在不脱离本公开的范围的情况下应用于其它变体。因此，本公开不限于本文描述的实例和设计，而是被赋予与本文公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。