静电吸附承载装置

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种静电吸附承载装置。

背景技术

在半导体工艺过程中，为了避免晶圆(Wafer)的移动或者错位，通常使用静电卡盘(Electro Static Chuck，简称ESC)来承载晶圆。静电卡盘通常包括绝缘层、铝基座和电极，其中，绝缘层设置在铝基座上，铝基座用于支撑绝缘层，绝缘层用于在静电卡盘承载晶圆时与晶圆接触，电极设置在绝缘层中，通过向电极加载直流电，以利用电极产生的静电吸附力将晶圆吸附在绝缘层上，避免晶圆在半导体工艺过程中移动或者错位。

在实际应用中，铝基座还用于与射频(Radio Frequency，简称RF)源电连接，以引入射频电压在静电卡盘上形成射频偏压，吸引等离子体对晶圆进行刻蚀，但是，在等离子体对晶圆进行刻蚀后，晶圆对应电极的部分的刻蚀深度小于晶圆的其余部分的刻蚀深度，晶圆对应电极的部分出现印迹，导致晶圆的刻蚀均匀性较差，无法满足半导体刻蚀工艺的要求。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种静电吸附承载装置，其能够提高刻蚀均匀性，避免刻蚀后印迹的产生。

为实现本发明的目的而提供一种静电吸附承载装置，用于在半导体反应腔室中支撑晶圆，所述静电吸附承载装置包括导电支撑结构、绝缘结构和静电吸附电极，其中，所述绝缘结构设置在所述导电支撑结构上，所述导电支撑结构用于与射频源电连接，所述静电吸附电极设置在所述绝缘结构中，用于与直流电源电连接，

所述静电吸附承载装置还包括电容部件，所述电容部件串联在所述静电吸附电极与所述导电支撑结构之间。

可选的，所述静电吸附电极包括多个，多个所述静电吸附电极间隔分布在所述绝缘结构中，且相邻的所述静电吸附电极的极性相反；

所述电容部件包括多个，且所述电容部件和所述静电吸附电极一一对应连接，各所述电容部件分别对应连接于所述静电吸附电极和所述导电支撑结构之间。

可选的，多个所述电容部件相互并联。

可选的，所述静电吸附承载装置还包括第一电连接部件和第二电连接部件，所述第一电连接部件的第一端与所述导电支撑结构电连接，所述第一电连接部件的第二端分别连接多个所述电容部件的一端；

各所述电容部件的另一端通过所述第二电连接部件与相对应的所述静电吸附电极电连接。

可选的，所述静电吸附承载装置还包括绝缘部件，所述绝缘部件与所述第一电连接部件的第二端连接，多个所述电容部件间隔设置于所述绝缘部件上。

可选的，各所述电容部件均通过第一导电连接件与所述第一电连接部件电连接，所述第一导电连接件与所述绝缘部件可拆卸连接。

可选的，各所述电容部件均通过第二导电连接件与对应的所述第二电连接部件可拆卸的连接。

可选的，所述第二导电连接件包括导电螺杆和导电螺母，所述导电螺杆与所述绝缘部件插接，所述导电螺杆的一端与所述绝缘部件的一侧抵接，且与所述第二电连接部件电连接；

所述导电螺母位于所述绝缘部件的另一侧，并与所述导电螺杆的另一端螺纹连接；

所述导电螺杆和所述导电螺母将所述电容部件压设于所述绝缘部件上。

可选的，所述静电吸附承载装置还包括多个防松部件，各所述防松部件一一对应的设置在对应的各所述导电螺杆和各所述导电螺母之间。

可选的，所述静电吸附承载装置还包括多个电引入部件，各所述电引入部件的一端一一对应的与各所述静电吸附电极电连接，另一端贯穿所述绝缘结构和所述导电支撑结构一一对应的与各所述第二电连接部件电连接。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的静电吸附承载装置，通过在静电吸附电极与导电支撑结构之间串联电容部件，可以减小导电支撑结构与静电吸附电极之间的电容值，这与未在静电吸附电极与导电支撑结构之间串联电容部件相比，可以使射频源加载至导电支撑结构上的射频电压，在经过导电支撑结构耦合至静电吸附电极上后能够得到增大，从而增大经过静电吸附电极耦合至晶圆上的射频电压，继而在半导体工艺中，提高等离子体刻蚀晶圆对应静电吸附电极的部分的刻蚀速率，使等离子体刻蚀晶圆对应静电吸附电极的部分的刻蚀速率与刻蚀晶圆的其余部分的刻蚀速率趋近甚至相同，以在半导体工艺后，使晶圆对应静电吸附电极的部分的刻蚀深度与晶圆的其余部分的刻蚀深度趋近甚至相同不再出现印迹，进而能够提高刻蚀均匀性，避免刻蚀后印迹的产生。

附图说明

图1为本发明实施例提供的静电吸附承载装置的静电吸附电极与导电支撑结构之间串联有电容部件的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的静电吸附承载装置的各静电吸附电极与导电支撑结构之间串联有对应的电容部件的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的静电吸附承载装置的多个电容部件相互并联的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的静电吸附承载装置的各电容部件分别与第一连接部件和第二连接部件连接的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的静电吸附承载装置的各电容部件与第一连接部件的仰视结构示意图；

图6为本发明实施例提供的静电吸附承载装置的各电容部件分别与第一连接部件和第二连接部件可拆卸连接的局部放大结构示意图；

图7为本发明实施例提供的静电吸附承载装置的导电螺杆、导电螺母和防松部件的局部放大结构示意图；

图8为本发明实施例提供的静电吸附承载装置的电容部件的主视结构示意图；

图9为本发明实施例提供的静电吸附承载装置的电容部件的俯视结构示意图；

图10为本发明的发明人正在研究的一种静电吸附承载装置的结构示意图；

图11为图10的静电吸附承载装置的两个静电吸附电极分别为内静电吸附电极和外静电吸附电极的俯视结构示意图

附图标记说明：

11-导电支撑结构；111-导电基座；112-静电卡盘的导电层部分；

12-绝缘结构；131-静电吸附电极；132-电引入部件；14-电容部件；

141-电容本体；142-第一连接部；143-第二连接部；144-第一通孔；

145-第二通孔；15-第一电连接部件；16-第二电连接部件；17-绝缘部件；181-导电螺杆；182-导电螺母；183-螺纹连接件；184-第一导电连接件；185-凹槽；19-防松部件；191-平垫圈；192-弹性垫圈；21-晶圆；22-射频引入部件；31-绝缘结构；3-静电吸附电极；32-内静电吸附电极；33-外静电吸附电极；34-导电支撑结构；35-电极探针；36-引线。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的静电吸附承载装置进行详细描述。

为了便于理解本发明实施例提供的静电吸附承载装置，首先对本发明的发明人在研究中发现的静电吸附承载装置存在的问题进行介绍。如图10所示，静电吸附承载装置包括导电支撑结构34、两个静电吸附电极3、两个电极探针35和引线36(Feedthrough)，其中，绝缘结构31设置在导电支撑结构34上，导电支撑结构34与射频源(图中未示出)通过引线36电连接，并用于支撑绝缘结构31，两个静电吸附电极3间隔的设置在绝缘结构31中，两个静电吸附电极3通过两个电极探针35分别直流电源(图中未示出)的正极和负极电连接。

在半导体工艺中，晶圆21放置在绝缘结构31上，直流电源通过两个电极探针35分别向两个静电吸附电极3加载直流正电压和直流负电压，使两个静电吸附电极3分别带有正电荷和负电荷，从而使两个静电吸附电极3能够产生静电吸附力将晶圆吸附在绝缘结构31上，射频源提供的射频电压通过引线36加载至导电支撑结构34上。加载至导电支撑结构34上的射频电压，会通过导电支撑结构34耦合至晶圆21上，而在射频电压耦合至晶圆21的过程中，耦合至晶圆21对应两个静电吸附电极3的部分的射频电压，是先通过导电支撑结构34耦合至两个静电吸附电极3，再通过两个静电吸附电极3耦合至晶圆21上的，而耦合至晶圆21的其余部分的射频电压，是通过导电支撑结构34直接耦合至晶圆21上的，而导电支撑结构34和两个静电吸附电极3均具有一定的电容值，且在电容值一定的情况下，电压的大小与电容值的大小成反比，即，电容值越大则电压越小，电容值越小则电压越大，这就导致通过导电支撑结构34直接耦合至晶圆21上的射频电压，大于先通过导电支撑结构34耦合至两个静电吸附电极3，再通过两个静电吸附电极3耦合至晶圆21上的射频电压，而耦合至晶圆21上的射频电压会吸引等离子体对晶圆21进行轰击，射频电压越大吸引等离子体的能力越强，射频电压越小吸引等离子体的能力越弱，这就造成在半导体工艺中，等离子体刻蚀晶圆21对应两个静电吸附电极3的部分的刻蚀速率，慢于等离子体刻蚀晶圆21的其余部分的刻蚀速率，导致在半导体工艺后，晶圆21对应两个静电吸附电极3的部分的刻蚀深度小于其余部分的刻蚀深度，在晶圆21对应两个静电吸附电极3的部分上出现印迹，导致晶圆21的刻蚀均匀性较差，无法满足半导体刻蚀工艺的要求。

如图11所示，例如，两个静电吸附电极3分别为内静电吸附电极32和外静电吸附电极33，其中，内静电吸附电极32和外静电吸附电极33均设置在绝缘结构31中，内静电吸附电极32的形状呈圆状，外静电吸附电极33的形状呈环状，且外静电吸附电极33的内径大于内静电吸附电极32的直径，外静电吸附电极33环绕在内静电吸附电极32的周围，并与内静电吸附电极32之间具有间隙，内静电吸附电极32和外静电吸附电极33通过两个电极探针35分别与直流电源的正极和负极电连接。

在半导体工艺中，晶圆21放置在绝缘结构31上，直流电源通过两个电极探针35分别向内静电吸附电极32和外静电吸附电极33加载直流正电压和直流负电压，使内静电吸附电极32和外静电吸附电极33分别带有正电荷和负电荷，从而使内静电吸附电极32和外静电吸附电极33能够产生静电吸附力将晶圆21吸附在绝缘结构31上，射频源提供的射频电压通过引线36加载至导电支撑结构34上。加载至导电支撑结构34上的射频电压，会通过导电支撑结构34耦合至晶圆21上，而在射频电压耦合至晶圆21的过程中，耦合至晶圆21对应内静电吸附电极32和外静电吸附电极33的部分的射频电压，是先通过导电支撑结构34耦合至内静电吸附电极32和外静电吸附电极33，再通过内静电吸附电极32和外静电吸附电极33耦合至晶圆21上的，耦合至晶圆21的其余部分的射频电压，是通过导电支撑结构34直接耦合至晶圆21上的，而导电支撑结构34、内静电吸附电极32和外静电吸附电极33均具有一定的电容值，且在电容值一定的情况下，电压的大小与电容值的大小成反比，即，电容值越大则电压越小，电容值越小则电压越大，这就导致通过导电支撑结构34直接耦合至晶圆21上的射频电压，大于先通过导电支撑结构34耦合至内静电吸附电极32和外静电吸附电极33，再通过内静电吸附电极32和外静电吸附电极33耦合至晶圆21上的射频电压，而耦合至晶圆21上的射频电压会吸引等离子体对晶圆21进行轰击，射频电压越大吸引等离子体的能力越强，射频电压越小吸引等离子体的能力越弱，这就造成在半导体工艺中，等离子体刻蚀晶圆21对应内静电吸附电极32和外静电吸附电极33的部分(如图10中点C所示)的刻蚀速率，慢于等离子体刻蚀晶圆21的其余部分(如图10中点D所示)的刻蚀速率，导致在半导体工艺后，晶圆21对应内静电吸附电极32和外静电吸附电极33的部分的刻蚀深度小于其余部分的刻蚀深度，在晶圆21对应内静电吸附电极32和外静电吸附电极33的部分上出现印迹，导致晶圆21的刻蚀均匀性较差，无法满足半导体刻蚀工艺的要求。

如图1所示，本实施例提供一种静电吸附承载装置，用于在半导体反应腔室中支撑晶圆21，静电吸附承载装置包括导电支撑结构11、绝缘结构12和静电吸附电极131，其中，绝缘结构12设置在导电支撑结构11上，导电支撑结构11用于与射频源(图中未示出)电连接，静电吸附电极131设置在绝缘结构12中，用于与直流电源(图中未示出)电连接产生静电吸附力将晶圆21吸附在绝缘结构12上，静电吸附承载装置还包括电容部件14，电容部件14串联在静电吸附电极131与导电支撑结构11之间。

本实施例提供的静电吸附承载装置，通过在静电吸附电极131与导电支撑结构11之间串联电容部件14，可以减小导电支撑结构11与静电吸附电极131之间的电容值，与未在静电吸附电极131与导电支撑结构11之间串联电容部件14相比，可以使射频源加载至导电支撑结构11上的射频电压，在经过导电支撑结构11耦合至静电吸附电极131上后能够得到增大，从而增大经过静电吸附电极131耦合至晶圆21上的射频电压，继而在半导体工艺中，提高等离子体刻蚀晶圆21对应静电吸附电极131的部分的刻蚀速率，使等离子体刻蚀晶圆21对应静电吸附电极131的部分(如图1中点A所示)的刻蚀速率与刻蚀晶圆21的其余部分(如图1中点B所示)的刻蚀速率趋近甚至相同，以在半导体工艺后，使晶圆21对应静电吸附电极131的部分的刻蚀深度与晶圆21的其余部分的刻蚀深度趋近甚至相同不再出现印迹，进而能够提高刻蚀均匀性，避免刻蚀后印迹的产生。

如图1所示，电容部件14串联在静电吸附电极131与导电支撑结构11之间的方式可以是，电容部件14的一端与导电支撑结构11电连接，另一端与静电吸附电极131电连接，但是，电容部件14串联在静电吸附电极131与导电支撑结构11之间的方式并不以此为限。

如图1-图4所示，导电支撑结构11可以通过射频引入部件22与射频源电连接，射频引入部件22可以分别与导电支撑结构11和射频源电连接，以使射频源提供的射频电压能够通过射频引入部件22被引入至导电支撑结构11，从而使射频源提供的射频电压通过射频引入部件22加载至导电支撑结构11上。

如图4所示，绝缘结构12可以包括静电卡盘的绝缘层部分，导电支撑结构11可以包括导电基座111和静电卡盘的导电层部分112，其中，静电卡盘设置在导电基座111上，静电卡盘的导电层部分112与导电基座111接触，静电卡盘的绝缘层部分位于静电卡盘的导电层部分112的上方，射频引入部件22与导电基座111电连接，电容部件14与导电支撑结构11电连接的一端与导电基座111电连接。

可选的，导电基座111的材质和静电卡盘的导电层部分112的材质可以相同。例如，导电基座111的材质和静电卡盘的导电层部分112的材质均为铝，但是，导电基座111的材质和静电卡盘的导电层部分112的材质种类并不以此为限。

如图2所示，在本发明一优选实施例中，静电吸附电极131可以包括多个，多个静电吸附电极131间隔分布在绝缘结构12中，且相邻的静电吸附电极131的极性相反；电容部件14可以包括多个，且电容部件14与静电吸附电极131一一对应连接，各电容部件14分别对应连接于静电吸附电极131和导电支撑结构11之间。

通过在绝缘结构12中间隔分布多个静电吸附电极131，且使相邻的静电吸附电极131的极性相反，可以借助多个静电吸附电极131同时产生静电吸附力将晶圆21吸附在绝缘结构12上，以提高静电吸附承载装置吸附晶圆21的稳定性。通过使各电容部件14分别对应连接于静电吸附电极131和导电支撑结构11之间，即，在导电支撑结构11与各静电吸附电极131之间串联与各静电吸附电极131一一对应的电容部件14，可以使导电支撑结构11与各静电吸附电极131之间的电容值均减小，以使通过导电支撑结构11和各静电吸附电极131耦合至晶圆21上的射频电压均能够得到增大，从而使耦合至晶圆21上对应各静电吸附电极131的部分的射频电压均与耦合至晶圆21上的其余部分的射频电压趋近甚至相同，继而在半导体工艺中，使等离子体刻蚀晶圆21对应各静电吸附电极131的部分的刻蚀速率均与刻蚀晶圆21的其余部分的刻蚀速率趋近甚至相同，以在半导体工艺后，使晶圆21对应各静电吸附电极131的部分的刻蚀深度均与其余部分的刻蚀深度趋近甚至相同不再出现印迹。

如图2所示，以静电吸附电极131为两个，电容部件14为两个为例，两个静电吸附电极131的形状可以均呈环状，且两个静电吸附电极131的中的一个静电吸附电极131的内径大于另一个静电吸附电极131的外径，以使一个静电吸附电极131能够与另一个静电吸附电极131间隔的，环绕在另一个静电吸附电极131的周围，两个静电吸附电极131分别与直流电源的正极和负极电连接，以使直流电流能够分别向两个静电吸附电极131加载直流正电压和直流负电压，使两个静电吸附电极131能够分别带有正电荷和负电荷，从而使两个静电吸附电极131能够产生静电吸附力将晶圆21吸附在绝缘结构12上。但是，静电吸附电极131的形状并不以此为限。

各电容部件14分别对应连接于静电吸附电极131和导电支撑结构11之间的方式可以是，两个电容部件14中的一个电容部件14的一端与导电支撑结构11电连接，另一端与两个静电吸附电极131中的一个静电吸附电极131电连接，两个电容部件14中的另一个电容部件14的一端与导电支撑结构11电连接，另一端与两个静电吸附电极131中的另一个静电吸附电极131电连接，但是，各电容部件14分别对应连接于静电吸附电极131和导电支撑结构11之间的方式并不以此为限。

如图3所示，在本发明一优选实施例中，多个电容部件14可以相互并联。由于多个电容并联，则电容总值增大，因此，通过使多个电容部件14相互并联，可以增大多个电容部件14总的电容值，以在各电容部件14分别对应连接于静电吸附电极131和导电支撑结构11之间时，可以使导电支撑结构11与各静电吸附电极131之间的电容值均得到进一步的减小，以使通过导电支撑结构11和各静电吸附电极131耦合至晶圆21上的射频电压均能够得到进一步增大，从而使耦合至晶圆21上对应各静电吸附电极131的部分的射频电压均与耦合至晶圆21上的其余部分的射频电压进一步趋近甚至相同，继而在半导体工艺中，使等离子体刻蚀晶圆21对应各静电吸附电极131的部分的刻蚀速率均与刻蚀晶圆21的其余部分的刻蚀速率进一步趋近甚至相同，以在半导体工艺后，使晶圆21对应各静电吸附电极131的部分的刻蚀深度均与其余部分的刻蚀深度进一步趋近甚至相同不再出现印迹。

如图3所示，以静电吸附电极131为两个，电容部件14为两个为例，各电容部件14分别对应连接于静电吸附电极131和导电支撑结构11之间，多个电容部件14相互并联的方式可以是，两个电容部件14中的一个电容部件14的一端与导电支撑结构11电连接，另一端与两个静电吸附电极131中的一个静电吸附电极131电连接，两个电容部件14中的另一个电容部件14的一端与导电支撑结构11电连接，另一端与两个静电吸附电极131中的另一个静电吸附电极131电连接，且两个电容部件14与导电支撑结构11电连接的一端相互电连接，但是，各电容部件14分别对应连接于静电吸附电极131和导电支撑结构11之间，多个电容部件14相互并联的方式并不以此为限。

如图4所示，在本发明一优选实施例中，静电吸附承载装置可以还包括第一电连接部件15和第二电连接部件16，第一电连接部件15的第一端可以与导电支撑结构11电连接，第一电连接部件15的第二端可以分别连接多个电容部件14的一端；各电容部件14的另一端可以通过第二电连接部件16与相对应的静电吸附电极131电连接。

借助第一电连接部件15的第一端与导电支撑结构11电连接，第一电连接部件15的第二端分别连接多个电容部件14的一端，可以使多个电容部件14的一端均通过第一电连接部件15与导电支撑结构11电连接，借助第二电连接部件16使各电容部件14的另一端与相对应的静电吸附电极131电连接，可以使各电容部件14的另一端均通过第二电连接部件16与相对应的静电吸附电极131电连接，从而使各电容部件14的一端均与导电支撑结构11电连接，另一端与相对应的静电吸附电极131电连接，进而使各电容部件14分别对应连接于静电吸附电极131和导电支撑结构11之间。且借助第一电连接部件15的第一端与导电支撑结构11电连接，第一电连接部件15的第二端分别连接多个电容部件14的一端，可以使多个电容部件14的一端通过第一电连接部件15相互电连接，从而使多个电容部件14相互并联。

如图4和图6所示，在本发明一优选实施例中，静电吸附承载装置可以还包括绝缘部件17，绝缘部件17与第一电连接部件15的第二端连接，多个电容部件14间隔设置于绝缘部件17上。

在本发明一优选实施例中，各电容部件14与对应的静电吸附电极131电连接的另一端可以与直流电源电连接，即，各静电吸附电极131可以通过对应的电容部件14的另一端与直流电源电连接，使直流电源提供的直流电可以通过各电容部件14的另一端加载至与各静电吸附电极131上，而此时各电容部件14与直流电源电连接的另一端可能会带有电压较高的高压电，为了避免各电容部件14与直流电源电连接的另一端带有的高压电产生的电场和/或磁场对相邻的电容部件14，或者通过第一电连接部件15对导电支撑结构11以及穿透导电支撑结构11对静电吸附电极131、晶圆21和工艺腔室(图中未示出)内部环境造成影响，就可以在第一电连接部件15的第二端连接绝缘部件17，并使多个电容部件14间隔设置于绝缘部件17，从而可以借助绝缘部件17对各电容部件14与直流电源电连接的另一端带有的高压电所产生的电场和/或磁场进行阻隔，以避免各电容部件14与直流电源电连接的另一端带有的高压电所产生的电场和/或磁场，对相邻的电容部件14，或者通过第一电连接部件15对导电支撑结构11以及穿透导电支撑结构11对静电吸附电极131、晶圆21和工艺腔室(图中未示出)内部环境造成影响。

在本发明一优选实施例中，第一电连接部件15可以与导电支撑结构11可拆卸的连接。这样可以便于对第一电连接进行维护与更换。

例如，第一电连接部件15与导电支撑结构11可以通过螺纹连接件183可拆卸的连接，如图4-图6所示，第一电连接部件15与导电支撑结构11通过螺纹连接件183连接的方式可以是，螺纹连接件183穿过第一电连接部件15，并与导电支撑结构11螺纹配合，以使第一电连接部件15与导电支撑结构11连接，但是，第一电连接部件15与导电支撑结构11通过螺纹连接件183连接的方式并不以此为限，也可以是螺纹连接件183穿过导电支撑结构11，并与第一电连接部件15螺纹配合，这样也可以使第一电连接部件15与导电支撑结构11连接。

如图4-图6所示，在本发明一优选实施例中，各电容部件14可以均通过第一导电连接件184与第一电连接部件15电连接，第一导电连接件184与绝缘部件17可拆卸的连接。这样可以便于对各电容部件14进行维护与更换。

例如，第一导电连接件184可以为导电螺纹连接件。各电容部件14通过第一导电连接件184与第一电连接部件15电连接，第一导电连接件184与绝缘部件17可拆卸的连接的方式可以是，第一导电连接件184穿过电容部件14的一端和绝缘部件17，并与第一电连接部件15螺纹配合，以使电容部件14的一端与第一电连接部件15连接，并使电容部件14的一端与第一电连接部件15通过第一导电连接件184电导通，但是，各电容部件14通过第一导电连接件184与第一电连接部件15电连接，第一导电连接件184与绝缘部件17可拆卸的连接的方式并不以此为限，也可以是第一导电连接件184穿过第一电连接部件15和绝缘部件17，并与电容部件14的一端螺纹配合，这样也可以使电容部件14的一端与第一电连接部件15连接，并使电容部件14的一端与第一电连接部件15通过第一导电连接件184电导通。

在本发明一优选实施例中，各电容部件14可以均通过第二导电连接件与对应的第二电连接部件16可拆卸的连接。这样可以便于对各电容部件14进行维护与更换。

如图4和图6所示，在本发明一优选实施例中，第二导电连接件可以包括导电螺杆181和导电螺母182，导电螺杆181与绝缘部件17插接，导电螺杆181的一端与绝缘部件17一侧抵接，且与第二电连接部件16电连接；导电螺母182位于绝缘部件17的另一侧，并与导电螺杆181的另一端螺纹连接；导电螺杆181和导电螺母182将电容部件14压设于绝缘部件17上。

如图4和图6所示，各电容部件14均通过导电螺杆181和导电螺母182与对应的第二电连接部件16可拆卸的连接的方式可以是，导电螺杆181的一端与对应的第二电连接部件16电连接，并与绝缘部件17的一侧抵接，导电螺杆181的另一端穿过绝缘部件17和对应的电容部件14的另一端，导电螺母182位于绝缘部件17的另一侧，并与导电螺杆181的另一端螺纹配合，以将电容部件14的另一端压设于绝缘部件17上，并使电容部件14的另一端与对应的第二电连接部件16连接，且使电容部件14的另一端通过导电螺杆181和导电螺母182与对应的第二电连接部件16电导通。

如图8和图9所示，在本发明一优选实施例中，各电容部件14可以均包括电容本体141、第一连接部142和第二连接部143，其中，第一连接部142与电容本体141的一端电连接，且第一连接部142上开设有第一通孔144，第一通孔144供第一导电连接件184穿过，第二连接部143与电容本体141的另一端电连接，且第二连接部143上开设有第二通孔145，第二通孔145供导电螺杆181穿过。

如图6和图7所示，在本发明一优选实施例中，第二电连接部件16可以包括导线，导电螺杆181与第二电连接部件16电连接处可以设置有凹槽185，通过将导线焊接在凹槽185中，以使导电螺杆181与第二电连接部件16电连接，并且，通过在导电螺杆181与第二电连接部件16电连接处设置凹槽185，可以便于对导线进行焊接，并且使导线与导电螺杆181的电连接更加稳定，从而提高静电吸附承载装置的使用稳定性。

如图7所示，在本发明一优选实施例中，静电吸附承载装置可以还包括多个防松部件19，各防松部件19一一对应的设置在对应的各导电螺杆181和各导电螺母182之间。借助防松部件19可以避免对应的导电螺杆181和导电螺母182的螺纹配合松动，从而提高对应的导电螺杆181和导电螺母182的螺纹配合的连接稳定性，进而提高静电吸附承载装置的使用稳定性。

如图7所示，可选的，防松部件19可以包括平垫圈191和弹性垫圈192。

如图1-图4所示，在本发明一优选实施例中，静电吸附承载装置可以还包括多个电引入部件132，各电引入部件132的一端一一对应的与各静电吸附电极131电连接，另一端贯穿绝缘结构12和导电支撑结构11一一对应的与各第二电连接部件16电连接。

直流电源提供的直流电可以依次通过对应的电容部件14的另一端、第二电连接部件16和电引入部件132加载至静电吸附电极131上，使静电吸附电极131产生静电吸附力将晶圆21吸附在绝缘结构12上。

可选的，电引入部件132可以为电极探针。

综上所述，本发明实施例提供的静电吸附承载装置，能够提高刻蚀均匀性，避免刻蚀后印迹的产生。

可以解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。